CN109382755B - 基板研磨装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板研磨装置及方法适当地控制按压基板的薄膜的压力，并且适当地检测基板研磨的终点。基板研磨装置具备：顶环，该顶环用于将基板按压于研磨垫；按压机构，该按压机构对基板的多个区域彼此独立地进行按压；光谱生成部，该光谱生成部向基板的被研磨面照射光并接收来自被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱；轮廓信号生成部，向该轮廓信号生成部输入基板上的多个测定点处的反射率光谱，生成基板的研磨轮廓；压力控制部，该压力控制部基于研磨轮廓，控制按压机构对于基板的多个区域的按压力；以及终点检测部，该终点检测部不基于研磨轮廓来检测基板研磨的终点。

Description

基板研磨装置及方法
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等基板的表面进行处理的基板处理装置及方法。
背景技术
广泛已知基板研磨装置，其用于对半导体晶片等基板，通过所谓CMP(ChemicalMechanical Polishing/化学机械研磨)来对基板的表面进行研磨。在这种基板研磨装置中，具备用于测定研磨中的基板的膜厚的膜厚测定器。
作为膜厚测定器，已知光学式的膜厚测定器。在该光学式膜厚测定器中，向基板的表面照射测定光，接收从基板反射的测定光来获取光谱。反射光的光谱根据基板的膜厚而变化，因此在膜厚测定器中，能够根据获取的反射光的光谱来推定基板的膜厚。
在具备这样的膜厚测定器的基板研磨装置中，根据由膜厚测定器得到的基板膜厚的信息来获取基板面内的多个区域中的膜厚分布(轮廓)。并且，基于该轮廓，控制按压基板的薄膜的压力，从而控制轮廓以使基板面内变得均匀。
发明要解决的课题
伴随半导体设备的高集成化、高密度化，电路的配线越来越细微化，多层配线的层数也增加，制造工序中的半导体设备表面的平坦化、被研磨层与底层的边界的检测精度变得越来越重要。因此，希望适当地控制基板研磨结束的时刻。
在进行薄膜的压力控制的以往的基板研磨装置中，构成为基于用于控制薄膜的压力的轮廓信号来推定基板膜厚，从而判定基板研磨的结束。然而，在基于轮廓信号的膜厚推定中，在与底层的边界附近轮廓饱和，因此边界的检测精度变差。另外，轮廓信号由于底层的影响而有偏差，因此膜厚推定的精度不稳定。
另一方面，在将反射光的光谱的时间响应信号作为输入信号来判定基板研磨的结束的情况下，不能精度良好地检测基板的被研磨面中的膜厚分布，难以适当地控制薄膜的压力。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够适当地控制按压基板的薄膜的压力，并且能够适当地检测基板研磨的终点的基板研磨装置及方法。
用于解决课题的手段
本发明的一方式的基板研磨装置具备：顶环，该顶环用于将基板按压于研磨垫；按压机构，该按压机构对基板的多个区域彼此独立地进行按压；光谱生成部，该光谱生成部向基板的被研磨面照射光并接收来自被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱；轮廓信号生成部，向该轮廓信号生成部输入基板上的多个测定点处的反射率光谱，生成基板的研磨轮廓；压力控制部，该压力控制部基于研磨轮廓，控制按压机构对于基板的多个区域的按压力；以及终点检测部，该终点检测部不基于研磨轮廓来检测基板研磨的终点。
在该基板研磨装置中，优选的是，终点检测部对基板表面的与底层的边界或基板表面上的台阶消失的时间点进行检测。轮廓信号生成部存储包含多个参照光谱的光谱组，多个参照光谱与不同膜厚对应，并且轮廓信号生成部选择与来自光谱生成部的反射率光谱形状最接近的参照光谱，将对应于该参照光谱的膜厚推定为研磨中的晶片的膜厚。
或者，优选的是，在轮廓信号生成部中，对来自光谱生成部的反射率光谱进行傅里叶变换处理，确定由与晶片的厚度对应的频率成分的强度构成的光谱，根据确定出的光谱的峰值推定晶片的膜厚。另外，优选的是，在轮廓信号生成部中，提取获得极值点的波长，极值点是来自光谱生成部的反射率光谱显示极大值或极小值的点，并且所述轮廓信号生成部基于伴随基板的研磨的极值点的变化量，推定晶片的膜厚。
在上述基板研磨装置中，优选的是，向终点检测部输入来自光谱生成部的反射率光谱。另外，在终点检测部中，优选的是，算出将来自光谱生成部的反射率光谱中的规定的两波长作为基准的指标，并且检测该指标的时间变化的极大值，从而算出研磨量。或者，优选的是，在终点检测部中，对来自光谱生成部的反射率光谱的时间变化进行累计而算出光谱积累变化量，在该光谱积累变化量到达了规定值的时间点判定为研磨结束。
本发明的一方式的基板研磨方法是通过研磨垫研磨基板表面的方法，该基板研磨方法的特征在于，基板的多个区域能够被按压机构彼此独立地按压，且该基板研磨方法具有如下步骤：向基板的被研磨面照射光并接收来自被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱的步骤；输入基板上的多个测定点处的反射率光谱，生成基板的研磨轮廓的步骤；基于研磨轮廓，控制按压机构对于基板的多个区域的按压力的步骤；以及不基于研磨轮廓来检测基板研磨的终点的步骤。
发明效果
根据本发明，与基板的研磨轮廓独立地进行终点检测，因此能够适当地控制按压基板的薄膜的压力，并且能够适当地检测基板研磨的终点。
附图说明
图1是概略地表示本发明的实施方式的基板研磨装置的结构的图。
图2是表示研磨头的构造的剖视图。
图3是表示基板研磨装置所具备的光学测定器的结构的剖视图。
图4是表示晶片与研磨台的位置关系的俯视图。
图5是表示处理部的结构的框图。
图6是表示来自晶片的反射光的光谱的说明图。
符号说明
10 基板研磨装置
11 研磨垫
12 研磨控制部
15 研磨头
21 弹性膜
22 保持环
30 光学测定器
32 处理部
43 分光器
60 光谱生成部
61 轮廓信号处理部
62 压力控制部
63 终点检测信号生成部
64 终点检测部
D1～D5 压力室
W 晶片
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一实施方式的基板处理装置进行说明。另外，对相同或等同的结构要素标记相同的符号而省略重复的说明。
图1是表示本发明的一实施方式的研磨装置的图。如图1所示，研磨装置10具备：安装有具有研磨面11a的研磨垫11的研磨台13；用于一边保持作为基板的一例的晶片W且将其按压于研磨台13上的研磨垫11一边进行研磨的研磨头15；用于向研磨垫11供给研磨液(例如浆料)的研磨液供给喷嘴14；以及控制晶片W的研磨的研磨控制部12。
研磨台13经由台轴13a连结于配置于研磨台13的下方的台马达17，通过该台马达17，使研磨台13向箭头所示的方向旋转。在该研磨台13的上表面粘贴研磨垫11，研磨垫11的上表面构成研磨晶片W的研磨面11a。研磨头15连结于研磨头轴16的下端。研磨头15构成为能够通过真空吸引在其下表面保持晶片W。研磨头轴16通过未图示的上下移动机构而上下移动。
晶片W的研磨以如下方式进行。使研磨头15及研磨台13分别向箭头所示的方向旋转，从研磨液供给喷嘴14向研磨垫11上供给研磨液(浆料)。在该状态下，研磨头15将晶片W按压于研磨垫11的研磨面11a。晶片W的表面通过研磨液所包含的磨粒的机械作用和研磨液的化学作用而被研磨。
图2是表示研磨头15的构造的剖视图。研磨头15具备：圆板状的载体20；在载体20的下方形成多个压力室(气囊)D1、D2、D3、D4的圆形的柔软的弹性膜21；以及配置为包围晶片W且按压研磨垫11的保持环22。压力室D1、D2、D3、D4形成于弹性膜21与载体20的下表面之间。
弹性膜21具有多个环状的分隔壁21a，压力室D1、D2、D3、D4被这些分隔壁21a相互分隔。中央的压力室D1是圆形，其他的压力室D2、D3、D4是环状。这些压力室D1、D2、D3、D4同心圆状地排列。在本实施方式中，研磨头15具备四个压力室，但本发明不限于此，也可以具备一个至三个压力室，另外也可以具备五个以上的压力室。
压力室D1、D2、D3、D4连接于流体管线G1、G2、G3、G4，压力调整后的加压流体(例如加压空气等加压气体)通过流体管线G1、G2、G3、G4向压力室D1、D2、D3、D4内供给。流体管线G1、G2、G3、G4与真空管线U1、U2、U3、U4连接，通过真空管线U1、U2、U3、U4在压力室D1、D2、D3、D4形成负压。
压力室D1、D2、D3、D4的内部压力能够通过后述的处理部32及研磨控制部12而相互独立地变化，由此，能够独立地调整对于晶片W的对应的四个区域即中央部、内侧中间部、外侧中间部、及周缘部的研磨压力。
在保持环22与载体20之间配置环状的弹性膜23。在该弹性膜23的内部形成有环状的压力室D5。该压力室D5连接于流体管线G5，压力调整后的加压流体(例如加压空气)通过流体管线G5向压力室D5内供给。另外，流体管线G5与真空管线U5连接，通过真空管线U5在压力室D5形成负压。
伴随压力室D5内的压力变化，保持环22的整体与弹性膜21一起在上下方向上移动，因此压力室D5内的压力施加于保持环22，保持环22构成为能够与弹性膜21独立而直接按压研磨垫11。在晶片W的研磨中，保持环22一边在晶片W的周围按压研磨垫11，弹性膜21一边将晶片W按压于研磨垫11。
载体20固定于研磨头轴16的下端，研磨头轴16连结于上下移动机构25。该上下移动机构25构成为使研磨头轴16及研磨头15上升及下降，进而使研磨头15位于规定的高度。作为该研磨头定位机构而发挥功能的上下移动机构25使用伺服马达和滚珠丝杠机构的组合。
上下移动机构20使研磨头15位于规定的高度，在该状态下，向压力室D1～D5供给加压流体。弹性膜21承受压力室D1～D4内的压力将晶片W按压于研磨垫11，保持环22承受压力室D5内的压力而按压研磨垫11。以该状态研磨晶片W。
研磨装置10具备获取晶片W的膜厚的光学测定器30。该光学测定器30具备：获取根据晶片W的膜厚而变化的光学信号的光传感器31；以及用于根据光学信号确定晶片W的膜厚分布，并且判定晶片W的研磨结束的处理部32。光传感器31配置于研磨台13的内部，处理部32连接于研磨控制部12。光传感器31如记号A所示地与研磨台13一体地旋转，获取保持于研磨头15的晶片W的光学信号。光传感器31连接于处理部32，通过光传感器31获取的光学信号送至处理部32。
图3是表示具备有光学测定器30的研磨装置的示意剖视图。研磨头轴16构成为经由带等的连结构件33而连结于研磨头马达34且能够旋转。通过该研磨头轴16的旋转，研磨头15向箭头所示的方向旋转。
光学测定器30具备光传感器31和处理部32。光传感器31构成为使晶片W的表面接触光，接收来自晶片W的反射光，根据波长分解该反射光。光传感器31具备：将光向晶片W的被研磨面照射的投光部41；作为接收从晶片W返回来的反射光的受光部的光纤42；以及根据波长分解来自晶片W的反射光且遍及规定的波长范围测定反射光的强度的分光器43。
在研磨台13形成在研磨台13的上表面开口的第一孔50A及第二孔50B。另外，在研磨垫11中，在与这些孔50A、50B对应的位置形成通孔51。孔50A、50B与通孔51连通，通孔51在研磨面11a开口。第一孔50A经由液体供给路53及旋转接头(未图示)连结于液体供给源55，第二孔50B连结于液体排出路54。
投光部41具备：发出多波长的光的光源45；以及连接于光源45的光纤46。光纤46是将由光源45发出的光引导至晶片W的表面的光传送部。光纤46、42的顶端位于第一孔50A内，位于晶片W的被研磨面的附近。光纤46、42的各顶端配置为朝向保持于研磨头15的晶片W。每当研磨台13旋转时，向晶片W的多个区域照射光。优选的是，光纤46、42的各顶端配置为通过保持于研磨头15的晶片W的中心。
在晶片W的研磨中，从液体供给源55将作为透明的液体的水(优选为纯水)经由液体供给路53向第一孔50A供给，填满晶片W的下表面与光纤46、42的顶端之间的空间。水进一步流入第二孔50B，通过液体排出路54排出。研磨液与水一起被排出，由此确保光路。在液体供给路53设有与研磨台13的旋转同步动作的阀(未图示)。该阀以如下方式工作：在晶片W不位于通孔51上方时阻止水流，或使水的流量变少。
两根光纤46、42相互並列配置，各自的顶端相对于晶片W的表面垂直配置，光纤46向晶片W的表面垂直地照射光。
在晶片W的研磨中，从投光部41向晶片W照射光，通过光纤(受光部)42接收来自晶片W的反射光。分光器43遍及规定的波长范围测定各波长的反射光的强度，将得到的光强度数据送至处理部32。该光强度数据是反映晶片W的膜厚的光学信号，由反射光的强度及对应的波长构成。
图4是表示晶片W与研磨台13的位置关系的俯视图。投光部41及光纤(受光部)42配置为与晶片W的表面相对。每当研磨台13旋转时，投光部41向包含晶片W的中心的多个区域(图4中的多个黑圆点)照射光。
晶片W具有下层膜和形成于下层膜的上方的上层膜(例如硅层或绝缘膜)。照射到晶片W的光在介质(例如水)与上层膜的边界及上层膜与下层膜的边界反射，在这些边界反射的光的波相互干涉。该光的波的干涉方式根据上层膜的厚度(即光路长度)而变化。因此，根据来自晶片W的反射光生成的光谱根据上层膜的厚度而变化。分光器43根据波长分解反射光，对每个波长测定反射光的强度。
图5是表示处理部32的结构的一例的框图，处理部32具备根据来自晶片W的反射光生成反射率光谱的光谱生成部60、轮廓信号处理部61、压力控制部62、终点检测信号生成部63以及终点检测部64。
光谱生成部60根据从分光器43得到的反射光的强度数据(光学信号)生成光谱。以下，将根据来自被研磨的晶片W的反射光生成的光谱称为测定光谱(反射率光谱)。该测定光谱作为表示光的波长与强度的关系的线图(即分光波形)被表示。光的强度也能够表示为反射率或相对反射率等相对值。
图6是表示通过光谱生成部60生成的测定光谱的图，横轴表示光的波长，纵轴表示基于从晶片W反射的光的强度而算出的相对反射率。在此，相对反射率是表示光的反射强度的一个指标，具体而言，是光的强度与规定的基准强度的比。在各波长中，通过将光的强度(实测强度)除以基准强度，从而将装置的光学系统、光源固有的强度的偏差等不要的噪音从实测强度中去除，由此能够得到仅反映了膜的厚度信息的测定光谱。
基准强度能够是例如将未形成膜的硅晶片(裸晶片)以存在水的状态下进行水研磨时所得到的光的强度。在实际的研磨中，从实测强度减去黑电平(遮蔽了光的条件下得到的背景强度)来求出修正实测强度，还从基准强度减去上述黑电平来求出修正基准强度，并且，将修正实测强度除以修正基准强度，从而求出相对反射率。具体而言，相对反射率R(λ)能够由以下式子求出。
R(λ)＝(E(λ)－D(λ))/(B(λ)－D(λ))
在此，λ是波长，E(λ)是从晶片反射的波长λ的光的强度，B(λ)是波长λ的基准强度，D(λ)是遮蔽了光的状态下获取的波长λ的背景强度(黑电平)。
在处理部32中，接收来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)，生成用于控制压力室D1～D5内的压力的压力控制信息以及用于通过研磨终点的检测来结束基板研磨的研磨结束信息，并将它们送至研磨控制部12。
轮廓信号处理部61接收来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)，算出晶片W的径向的多个区域中的轮廓(晶片W的径向上的膜厚分布)，并作为轮廓信号输出。在压力控制部62中，基于从轮廓信号处理部61接收的轮廓信号，输出用于调整各压力室D1～D4的压力的信号，以使弹性膜21产生的晶片W的按压力为均等。另外，也可以将轮廓信号处理部61与压力控制部62一体地构成。
在此，作为用于算出晶片W的轮廓的方法，例如，能够使用参照光谱(FittingError)方式、FFT(Fast Fourier Transform/高速傅里叶变换)方式，或者峰谷(PeakValley)方式。
在参照光谱方式中，准备包含对应于不同的膜厚的多个参照光谱的多个光谱组。选择包含与来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)形状最接近的参照光谱的光谱组。并且，在晶片研磨中，生成用于测定膜厚的测定光谱，从所选择的光谱组中选择形状最接近的参照光谱，将与该参照光谱对应的膜厚推定为研磨中的晶片的膜厚。在晶片W的径向的多个点中获取通过该方法推定出的膜厚的信息，从而获取轮廓。
在FFT方式中，对于来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)，进行FFT(高速傅里叶变换)提取频率成分和其强度，使用规定的关系式(是表示被研磨层的厚度的函数，从实测结果等求出)将得到的频率成分变换为被研磨层的厚度。由此，生成表示被研磨层的厚度与频率成分的强度的关系的频率光谱。在对于从频率成分变换的被研磨层的厚度的光谱的峰值强度超过了阈值的情况下，将与该峰值强度对应的频率成分(被研磨层的厚度)推定为研磨中的晶片的膜厚。在晶片W的径向的多个点中获取通过该方法推定出的膜厚的信息，从而获取轮廓。
在峰谷(Peak Valley)方式中，对于来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)，提取成为显示其极值(极大值或极小值)的极值点的波长。随着被研磨层的膜厚减少，成为极值点的波长向短波长侧偏移，因此伴随晶片的研磨而监测极值点，从而能够推定被研磨层的膜厚。并且，在晶片的径向的多个点中，监测成为极值点的波长，从而能够获取轮廓。
另外，上述的轮廓的算出方法可以使用任意一个，也可以组合多个(例如，输出基于各方法的算出值的平均值)。
终点检测信号生成部63接收来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)，输出用于监测晶片W的研磨状況的信号(终点检测信号)。在终点检测部64中，接收来自终点检测信号生成部63的终点检测信号，在该信号的特性变化的情况下(例如，在检测基板表面的与底层的边界或者检测到基板表面上的台阶消失的情况下)，生成用于结束被研磨层的研磨的信号(研磨结束信号)，向研磨控制部12输出。另外，也可以将终点检测信号生成部63与终点检测部64一体地构成。
在此，作为用于生成用于监测晶片W的研磨状况的信号(终点检测信号)的方法，能够使用光谱指数(Spectrum Index)方式、研磨指数(Polishing Index)方式。另外，这些生成方法可以使用任意一个，也可以组合多个(例如，在通过全部的(或者任意的)方式检测到研磨结束的情况下，生成研磨结束信号)。
在光谱指数(Spectrum Index)方式中，接收来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)，算出将某特定的两点(两波长)作为基准的指标，检测该指标的时间变化中的极大值，从而算出研磨量，或者检测该指标的时间变化中的特征点(阈值、急剧的减少、增加等)，也可以检测被研磨层的有无(即研磨结束的可否)。在此，作为特性值的指标，例如，对于波长λ1及λ2，通过以下式子算出指标Indexλ1、λ2。
Aλk＝∫R(λ)Wλk(λ)dλ
Indexλ1、λ2＝Aλ1/(Aλ1+Aλ2)
在此，R(λ)表示相对反射率，Wλk(λ)表示以波长λk为中心(即以波长λk表示最大值)的加权函数。
在研磨指数(Polishing Index)方式中，接收来自光谱生成部60的光谱信号(反射率光谱)，算出每规定时间的光谱的变化量，将该光谱的变化量按照研磨时间进行累计，从而算出光谱积累变化量。光谱的积累变化量伴随晶片的研磨而单调递增，而膜厚单调递减，因此能够将光谱积累变化量到达规定的目标值的时间点判定为研磨结束。
在上述实施方式中，基于来自光谱生成部60的反射率光谱来判定晶片的研磨结束，但本发明不限于此。也可以构成为基于反射光的光谱调整压力室D1～D5的压力，并且基于光谱以外的特性量判定晶片的研磨结束。
例如，在具备导电成膜的晶片的近傍配置传感器线圈，供给固定频率的交流电流而在导电性膜形成涡电流，计测包含从该传感器线圈的两端子观察到的导电成膜的阻抗。将计测到的阻抗分离成电阻成分、电抗成分、位相及振幅并输出，检测其变化，从而推定导电成膜的厚度，能够判定研磨结束的可否(涡电流(Resistance Eddy Current Monitor/电阻式涡流监测器)方式)。
或者，在被研磨层的研磨结束而研磨到达不同材质时，研磨摩擦力变动，由此，顶环的驱动马达的驱动力(即输入到该驱动马达的电力)变动。因此，通过监测输入到该驱动马达的电力的变动，从而能够判定研磨结束的可否(研磨台电流(Table Current Monitor/表电流监视器)方式)。
如此，将根据反射光的光谱算出的膜厚的轮廓信号仅用于弹性膜进行的压力室的内压控制，并且基于与轮廓信号另外独立的信号，判定基板研磨的结束的可否，因此能够将基板面内的研磨压力保持为均等，并且使研磨结束时的被研磨面的边界的检测精度提高。
上述实施方式是以具有本发明所属技术领域的通常知识的人能够实施本发明为目的而记载的。本领域技术人员当然能够实施上述实施方式的各种各样的变形例，本发明的技术思想也能够应用于其他实施方式。本发明不限定于记载的实施方式，按照由发明所要保护的范围所定义的技术思想做最大范围的解释。

Claims (9)

1.一种基板研磨装置，其特征在于，具备：
顶环，该顶环用于将基板按压于研磨垫；
按压机构，该按压机构对所述基板的多个区域彼此独立地进行按压；
光谱生成部，该光谱生成部向所述基板的被研磨面照射光并接收来自所述被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱；
轮廓信号生成部，向该轮廓信号生成部输入所述基板上的多个测定点处的所述反射率光谱，生成所述基板的研磨轮廓；
压力控制部，该压力控制部基于所述研磨轮廓，控制所述按压机构对于所述基板的所述多个区域的按压力；以及
终点检测部，该终点检测部不基于所述研磨轮廓而基于来自所述光谱生成部的所述反射率光谱来检测所述基板研磨的终点。
2.如权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，
所述终点检测部对基板表面的与底层的边界或基板表面上的台阶消失的时间点进行检测。
3.如权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，
所述轮廓信号生成部存储包含多个参照光谱的光谱组，所述多个参照光谱与不同膜厚对应，并且所述轮廓信号生成部选择与来自所述光谱生成部的反射率光谱形状最接近的所述参照光谱，将对应于该参照光谱的膜厚推定为研磨中的晶片的膜厚。
4.如权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，
所述轮廓信号生成部对来自所述光谱生成部的反射率光谱进行傅里叶变换处理，确定由与晶片的厚度对应的频率成分的强度构成的光谱，根据确定出的所述光谱的峰值推定晶片的膜厚。
5.如权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，
所述轮廓信号生成部提取获得极值点的波长，所述极值点是来自所述光谱生成部的反射率光谱显示极大值或极小值的点，并且所述轮廓信号生成部基于伴随所述基板的研磨的所述极值点的变化量，推定晶片的膜厚。
6.如权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，
向所述终点检测部输入来自所述光谱生成部的所述反射率光谱。
7.如权利要求6所述的基板研磨装置，其特征在于，
所述终点检测部算出将来自所述光谱生成部的所述反射率光谱中的规定的两波长作为基准的指标，并且检测该指标的时间变化的极大值，从而算出研磨量。
8.如权利要求6所述的基板研磨装置，其特征在于，
所述终点检测部对来自所述光谱生成部的所述反射率光谱的时间变化进行累计而算出光谱积累变化量，在该光谱积累变化量到达了规定值的时间点判定为研磨结束。
9.一种基板研磨方法，通过研磨垫研磨基板表面，该基板研磨方法的特征在于，
所述基板的多个区域能够被按压机构彼此独立地按压，且该基板研磨方法具有如下步骤：
向所述基板的被研磨面照射光并接收来自所述被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱的步骤；
输入所述基板上的多个测定点处的所述反射率光谱，生成所述基板的研磨轮廓的步骤；
基于所述研磨轮廓，控制所述按压机构对于所述基板的所述多个区域的按压力的步骤；以及
不基于所述研磨轮廓而基于所述反射率光谱来检测所述基板研磨的终点的步骤。
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