CN101220457A - 溅射靶和制造具有多种材料的溅射靶的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及溅射靶和制造具有多种材料的溅射靶的方法。溅射靶包括多种材料。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由碳(C)、含碳(C)材料、碳化物、含氮(N)材料、氮化物、含硅(Si)材料、硅化物、含氧(O)材料、氧化物、硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成。第二材料构成一个相，其中第二材料的相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。根据一方面，第一材料占至少15原子百分率或更大。也公开了通过掺合多种材料而制造溅射靶的方法。

Description

溅射靶和制造具有多种材料的溅射靶的方法
相关申请的交叉参考
[1]本申请是于2003年12月19日提出的美国专利申请序列第10/739,401号的部分继续申请，其为2002年7月23日提出的美国专利申请序列第10/200,590号的部分继续申请，所有这些在此全部引入作为参考。
发明领域
[2]本发明一般涉及溅射靶和制造溅射靶的方法，具体而言，涉及包含多种材料的溅射靶，所述多种材料至少包括第一材料和第二材料，第一材料包括钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)，而第二材料包括碳(C)、含碳(C)材料、碳化物、含氮(N)材料、氮化物、硅(Si)、含硅(Si)材料、硅化物、含氧(O)材料、氧化物、硼(B)、含硼(B)材料或硼化物，以及进一步涉及制造此类溅射靶的方法和由此生产的产品。
发明背景
[3]阴极溅射法广泛用于将材料的薄膜沉积到期望基底上。典型的溅射系统包括用于产生电子或离子束的等离子体源、包含将要被雾化的材料的靶和溅射材料被沉积在其上的基底。该方法包括在一个角度下用电子或离子束轰击靶材料，这使得靶材料被溅射或腐蚀。溅射靶材料作为薄膜或层被沉积在基底上。
发明内容
[4]根据一个实施方式，本发明涉及制造溅射靶的新方法，所述溅射靶包括非金属，如硼、碳、氮、氧、硅、硼化物、碳化物、氮化物、氧化物、硅化物、含硼(B)材料、含碳(C)材料、含氮(N)材料、含氧(O)材料或含硅(Si)材料，包括非金属的混合物、非金属的化合物、含有硼、碳或硅的母合金以及通过这些方法生产的产品。根据一个实施方式，方法包括预合金粉(一种或多种)或母合金粉(一种或多种)的制备或者超细化合物粉(一种或多种)的选择，所述超细化合物粉为约0.01至50微米，优选为0.1至10微米，更优选为1.0至5.0微米的平均粒度，且最优选为2微米以下。已经发现，当上述相处于大小为50微米以下优选10微米以下的超细粉粒形态时，溅射将不会发生。在超细粉被掺合在一起之后，粉掺合物被装入罐中，之后进行热等静压(hot isostatic press(HIP))固结。如上的粉处理被用于制备靶材料，原因在于其具有优于现有技术的熔化方法的独特优势，不但是科学的而且是经济的。
[5]根据本发明的一个实施方式，溅射靶包括多种材料。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由碳(C)、含碳(C)材料、碳化物、含氮(N)材料、氮化物、含硅(Si)材料或硅化物组成。第二材料构成一个相。第二材料的相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。第一材料占至少15原子百分率或更大。
[6]根据本发明的一个实施方式，溅射靶包括多种材料。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成。第二材料构成一个相。第二材料的相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
[7]根据本发明的一个实施方式，溅射靶包括多种材料。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成。第二材料构成一个相。第二材料的相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。如果溅射靶仅由铬(Cr)和含氧(O)材料组成，则该含氧(O)材料是其他含氧(O)材料，而不是简单地为氧化铬。如果溅射靶由仅由铬(Cr)和氧化物组成，则该氧化物是其他氧化物，而不是简单地为氧化铬。
[8]根据本发明的一个实施方式，溅射靶包括多种材料。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成。第二材料构成一个相。第二材料的相具有的平均尺寸在0微米以上与10微米以下之间。
[9]根据本发明的一个实施方式，溅射靶包括多种材料。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成。第二材料构成一个相。第二材料的相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
[10]根据本发明的一方面，一种制造溅射靶的方法包括如下步骤：掺合多种材料；装罐；和挤压。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由碳(C)、含碳(C)材料、碳化物、含氮(N)材料、氮化物、含硅(Si)材料或硅化物组成。第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米之间。第一材料占至少15原子百分率或更大。所述多种材料由多种粉、一种或多种母合金或化合物粉、或者一种或多种粉与一种或多种母合金或化合物粉的混合物组成。
[11]根据本发明的一方面，一种制造溅射靶的方法包括如下步骤：掺合多种材料；装罐；和挤压。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成。第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米之间。所述多种材料由多种粉、一种或多种母合金或化合物粉、或者一种或多种粉与一种或多种母合金或化合物粉的混合物组成。
[12]根据本发明的一方面，一种制造溅射靶的方法包括如下步骤：掺合多种材料；装罐；和挤压。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成。第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米之间。所述多种材料由多种粉、一种或多种母合金或化合物粉、或者一种或多种粉与一种或多种母合金或化合物粉的混合物组成。如果所述多种材料仅由铬(Cr)和含氧(O)材料组成，则该含氧(O)材料是除了简单地为氧化铬之外的含氧(O)材料。如果所述多种材料仅由铬(Cr)和氧化物组成，则该氧化物是除了简单地为氧化铬之外的氧化物。
[013]根据本发明的一方面，一种制造溅射靶的方法包括如下步骤：掺合多种材料；装罐；和挤压。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成。第二材料具有的平均粒度在0微米以上与10微米以下之间。所述多种材料由多种粉、一种或多种母合金或化合物粉、或者一种或多种粉与一种或多种母合金或化合物粉的混合物组成。
[14]根据本发明的一方面，一种制造溅射靶的方法包括如下步骤：掺合多种材料；装罐；和挤压。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成。第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米以下之间。所述多种材料由多种粉、一种或多种母合金或化合物粉、或者一种或多种粉与一种或多种母合金或化合物粉的混合物组成。
附图简述
[15]现在参考附图，其中：
[16]图1显示按照本发明一方面的在此描述的本发明的工艺流程图。
[17]图2图解按照本发明一方面的固化(Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8合金的代表性显微结构。
[18]图3图解按照本发明一方面的固化(Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8合金的代表性显微结构。
[19]图4显示元素周期表。
具体实施方式
[20]用于溅射方法的溅射靶材料波及纯金属到更复杂的合金。复合的三至六元素合金可以用于溅射靶。掺杂添加剂(alloying additions)如硼、碳、氮、氧、硅等被加入Cr-、Co-、Fe-基合金中，以改变特性如沉积膜粒度、表面能和磁性。
[21]根据一个实施方式，非金属添加剂如硼、碳、氮、氧和硅存在于靶材料中，或者以纯元素的形式，例如，硼和碳，或者以化合物的形式，如硼化物、碳化物、氮化物和氧化物。然而，纯元素相如硼和碳和化合物相如硼化物、碳化物、氮化物、氧化物和硅化物在溅射过程中引起分散(spitting)问题。本发明提供了针对这一问题的解决方案。
[22]本发明的粉末包括元素粉末、预制合金粉末、母合金粉末和/或由2至6个元素组成的金属间化合物粉末，包括但不限于Cr-、Co-、Ru-、Ni-和/或Fe-基合金。根据本发明的一方面，母合金的例子包括预制合金粉，并且预制合金粉可以是雾化的母合金。
[23]本发明的粉末含有纯Cr、Co、Ru、Ni、Fe、Pt和/或Ta和/或(任选地)所述纯元素的预制合金或母合金粉末，并且至少包括来自元素周期表中的一种或多种元素的硼化物、含硼(B)材料(例如硼基无机化合物或母合金)、碳化物、含碳(C)材料(例如碳基无机化合物或母合金)、氮化物、含氮(N)材料、硅化物、含硅(Si)材料(例如硅基母合金)、氧化物或含氧(O)材料，所述元素在罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB(参见附录1)中显示。这些罗马数字族号对应于族号2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13和14。
[24]含硼(B)材料的例子包括硼化物；含碳(C)材料的例子包括碳化物；含氮(N)材料的例子包括氮化物；含硅(Si)材料的例子包括硅化物；以及含氧(O)材料的例子包括氧化物。
[25]在优选的实施方式中，非金属添加剂处于组合的形成，如非金属的无机化合物或母合金，尽管如果期望可以使用元素添加物。优选的掺杂非金属是硼、碳和氮的化合物。仍在其它实施方式中，氧或二氧化硅的化合物被引入作为掺杂剂。优选的掺杂化合物是硼化物或含硼(B)材料碳化物或含碳(C)材料和氮化物，以及氧化物和硅化物或含硅(Si)材料母合金。特别优选的化合物是MoB、AlN(氮化铝)和B4C，以及Al2O3、Cr2O3、SiO2以及它们的混合物。掺杂剂的量可以在约1至15原子百分率(at.％)范围内，优选为1至12at.％。
[26]在进一步的实施方式中，形成掺杂元素粉末或合金的步骤是通过机械混合，以基本达到所述材料的均匀掺混而进行的。在进一步的实施方式中，装罐步骤被执行，从而避免掺杂元素或合金的偏析。
[27]图1显示了制作靶的工艺流程。第一步是原材料粉末如Ni-Al-B、Fe-B、Fe-C、Fe-Si等雾化合金粉末的制备，或者对商业可得的超细化合物粉末如10微米或以下的Al2O3、AlN、MoB和Cr2O3进行选择。雾化粉末具有非常细的显微结构，原因在于极其迅速的冷却和迅速的固化；因此其是作为原材料的首选。在一些情况下，也可以通过比利用雾化方法经济得多的熔化和机械压碎金属锭来制备微细显微结构的粉末，尤其对于少量的粉末而言。一些超细化合物粉末如Al2O3、AlN、MoB、Cr2O3、B4C等也是商业可得的，因此对于新产品开发而言节省了时间和金钱。将各种金属掺合在一起的特定方法是需要的，原因在于偏析经常发生，特别是当不同粒度和张力的粉末被组合起来时。这些特定掺合和均化方法包括球磨、v-掺合、管状掺合和磨碎机磨碎和/或湿掺合。因此，优选地，合金粉末和/或混合物应当基本是均匀的，以得到最好结果。
[28]需要适当的装罐技术，以避免在装罐过程中的偏析。也可以使用在石墨模具中的热压成形，以固化粉末。粉末被装罐制备进行固结。在装罐中，例如，用粉末填充容器，加热下抽空，以确保去除存在的任何水分或俘获气体的，然后密封。在真空热压中，在载荷应用之前和过程中，室被连续地抽空。尽管容器的几何学不以任何方式受限，但是相对于最终的材料构型，所述容器可以具有近似网状几何学形状。
[29]然后，来自装罐步骤的密封材料优选通过热等静压(Hot-Isostatic-Pressing(HIP))进行凝固，这是本领域公知的步骤。HIP单元典型地是圆柱形压力容器，其足够大而容纳一个或多个容器。该容器的内壁可以用耐热元素加衬，而压力可以通过将惰性气体引入容器内来控制。包括温度、压力和停留时间在内的HIP参数将被最小化，以防止化合物相和粒度的增长，以及节省能量和保护环境。典型地，利用在约500℃至约1500℃之间的温度下为约5至约60kis(优选10-20kis)的压力，以获得适当的密度。取决于周期的复杂性，在热等静压过程中的总停留时间典型在约0.5至约12小时之间变化。在约500℃至1500℃范围的温度(优选为800-1000℃)下，真空热压过程中的压力在0.5至5kis(优选为1.5至2.5kis)间变化。值得注意的是，也可以独立地或结合HIP处理，采用其它粉末凝固技术，如热压和冷压。
[30]固结之后，将固体材料形式(坯段)从密封罐中移出，然后关于坯段的各种性能，可以将一片坯段送去进行测试。如果需要，可以使坯段经历任选的热机械处理，以便进一步操纵靶的显微结构和宏观磁性。同样，溅射靶的最终形状和尺寸，例如可以通过如线切割(wireEDM)、锯、水切割、车床、磨床、碾磨机等方法来形成。在这些步骤中，靶可以被清洗且可以经历最终的检查。
[31]表1显示了按照本发明一方面的溅射靶材料的实例以及它们的示例性化学。
[32]表1：利用本文所述的方法制作的合金
  材料   示例性化学组成
  Co-Cr-Pt-B   Co61at％-Cr15at％-Pt12at％-B12at％
  Co-Cr-Pt-O-Si   Co56at％-Cr18at％-Pt16at％-SiO2(0.5-10)mol％
  Co-Pt-B-C   Co60at％-Pt20at％-B16at％-C4at％
  Co-Ta-N   Co50at％-Ta50at％，掺杂1-4at.％氮
  Co-Ta-Zr-O-Si   Co85at％-Ta5at％-Zr5at％-SiO2(0.5-10)mol％
  Co-Ti-Pt-B   Co62at％-Ti6at％-Pt12at％-B20at％
  Cr-B   Cr97at％-B3at％
  Cr-Mo-B   Cr80at％-Mo15at％-B5at％
  Cr-Mo-O   Cr80at％-Mo20at％，掺杂1-4at.％氧
  Cr-O   Cr，掺杂1-4at.％氧
  Cr-Ti-B   Cr80at％-Ti16at％-B4at％
  Cr-V-O   Cr80at％-V20at％，掺杂1-4at.％氧
  Cr-V-Zr-O   Cr79at％-V20at％-Zr1at％，掺杂1-4at.％氧
  Cr-W-O   Cr90at％-W10at％，掺杂1-4at.％氧
  Cr-Zr-O   Cr99at％-Zr1at％，掺杂1-4at.％氧
  Fe-Co-B   Fe56at％-Co31at％-B11at％
  Fe-Si-Al   Fe73at％-Si17at％-Al10at％
  Fe-Ta-C   Fe80at％-Ta8at％-C12at％
  Ni-Al-B   Ni50at％-Al50at％，掺杂1-4at.％硼
 Ni-Al-N   Ni48at％-Al48at％，掺杂4at.％氮
 Ni-Al-O   Ni50at％-Al50at％，掺杂1-4at.％氧
 Ru-Al-O   Ru50at％-Al50at％，掺杂1-4at.％氧
 Ru-Al-N   Ru50at％-Al50at％，掺杂1-4at.％氮
[33]表2显示了按照本发明一方面的溅射靶材料的实例以及它们的示例性相。在每一行中所列的溅射靶材料可包括该行中所述的一些或所有的示例性相，并且它们可以包括其它另外的相。
[34]表2：利用本文所述的方法制作的合金。
  材料   示例性相
  Co-Cr-Pt-B   Co-Cr母合金；Co-Cr-B母合金；Pt；Co；Cr；Co-B母合金；Co-B化合物；Cr-B母合金；Cr-B化合物；Co-Pt母合金
  Co-Cr-Pt-O-Si   Co；Co-C母合金；Pt；SiO2；Co-Cr-Pt母合金
  Co-Ta-Zr-O-Si   Co-Zr母合金；Co-Ta母合金；ZrO2；SiO2；Co；CoSi2；Co-Ta-Zr母合金
  Co-Ti-Pt-B   Co-B母合金；Co-Ti母合金；Co-Pt母合金；Ti-B化合物
  Cr-Ti-B   Cr；Ti；Cr-B母合金；Cr2B化合物TiB2化合物
  Fe-Ta-C   Fe；C；Ta-C化合物
  Fe-Ta-C   Fe；Fe-C母合金；Ta-C化合物
  Ni-Al-B   Ni；Ni-Al化合物(例如NiAl、NiAl3)；Ni-Al母合金；Ni-B母合金；Ni-B化合物(例如Ni3B)；AlB2化合物
  Ru-Al-O   Ru；Al；氧化铝；氧化钌；Ru-Al
 化合物(例如Al6Ru、Al13Ru4、Al2Ru、AlRu)
[35]表3显示了溅射靶材料的实例以及它们的可以用来制造所述溅射靶的示例性粉末。在每一行中所列的溅射靶材料可以利用在该行中所列举的一些或所有粉末来制造，以及任选地利用其它另外的粉末。
[36]表3：利用本文所述的方法制作的合金。
 材料   示例性粉末
 Co-Cr-Pt-O-Si   Cr粉末、Co-Cr母合金粉末、Pt粉末；SiO2化合物粉末
 Cr-Mo-B   Cr粉末；Mo粉末；B粉末
 Cr-Ti-B   Cr粉末；Ti粉末；B粉末
 Fe-Si-Al   Fe-Si母合金粉末；Fe-Al母合金粉末；Fe-Si碳化物
实施例
[37]下面的实施例进一步证明本发明，但是不应当被理解为是对本发明的限制。所有材料的工艺与图1中所示的彼此类似，并且主要的不同在于原材料(粉末)的各种组合。
[38]实施例1：Cr-Mo基溅射靶的产生，其中硼含量-Cr80at％-Mo15at％-B5at％。
[39]上述合金是用下列粉末掺合物制成的：(1)Cr粉末，Mo粉末和超细MoB化合物粉末，或(2)Cr粉末，Mo粉末和预制合金Cr-3.1wt％B粉末(即Cr-3.1wt％B母合金粉末)，该Cr-3.1wt％B是用真空感应熔化器在1730℃并将铸锭在室温下机械粉碎为粉末而制成的。预制合金Cr-3.1wt％B粉末也可以通过气体喷雾制造。当使用超细粉末如MoB时，必须特别注意要将所有粉末混合在一起，否则偏析可能发生。因此，必须使用磨碎机或球磨机来掺合2至24小时。此种合金的HIP参数包括在约5-40ksi的压力和约1-12小时的保持时间下，温度在约1000-1400℃范围内变化。也必须控制冷却速度，否则在冷却的过程中HIP的坯段可能断裂。3℃/分钟的冷却速率和800℃下6小时的保持时期被引入冷却阶段。
[40]实施例2：Co-Cr-Pt基溅射靶的产生，其中SiO2含量-Co56at％-Cr18at％-Pt16at％-O3.33at％-Si1.67at％。
[44]在此使用了起始粉末的两种不同组合。第一可选方案是Co粉末、Cr粉末、Pt粉末和超细SiO2化合物粉末。第二可选方案是Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、雾化Co-Si预制合金粉末(即Co-Si母合金粉末)和超细Cr2O3化合物粉末。硅化物是超细的并且充分分散在初始气体雾化Co-Si颗粒的Co基体中。当使用超细化合物粉末如SiO2和Cr2O3时，此处可以采用利用磨碎机或球磨机2至24小时的特殊混合方法，以便将所有粉末均匀混合在一起，否则偏析可能发生。此种合金的HIP参数包括在约5-40ksi的压力和约1-12小时的保持时间下，温度在约600-1400℃范围内变化。
[42]实施例3：Cr-Mo-X(其中X是硼化物、碳化物、氮化物或氧化物、或它们的混合物)溅射靶的产生。为产生Cr-Mo-X，按照本发明的一方面，利用Cr粉末、Mo粉末以及Cr氧化物粉末和Mo氧化物粉末的一种或两种。
[43]Cr-Mo-X的一个例子：Cr80at％-Mo20at％，其中氧为1-4原子％(at.％)。
[44]普通Cr粉末、Mo粉末和氧水平15000ppm的部分氧化的Cr化合物粉末被用于制作靶。高氧的Cr粉末是通过在高温下氧化Cr片而产生的，然后经受机械粉碎。在此种情况下，仅有部分Cr粉末表面积用氧化物覆盖。必须特别注意高氧水平的Cr粉末，并且在此种情况下将所有粉末混合在一起，否则偏析可能发生。因此，可以使用磨碎机或球磨机来掺合2至24小时。此种合金的HIP参数包括在约5-40ksi的压力和约1-12小时的保持时间下，温度在约1000-1400℃范围内变化。也必须控制冷却速度，否则在冷却的过程中HIP的坯段可能断裂。3℃/分钟的冷却速率和800℃下6小时的保持平稳时期被引入冷却阶段。
[45]实施例4：掺杂有硼、氧或氮的NiAl溅射靶的产生——具有1-4at.％硼的Ni50at％-Al50at％。
[46]采用气体雾化的NiAl金属间化合物粉末和超细Al2O3化合物粉末和平均粒径大小为5微米以下的AlN化合物粉末，来制备掺杂有氧或氮的NiAl溅射靶。除气体雾化的NiAl粉末之外，硼掺杂的气体雾化NiAl粉末也可以用来制备掺杂有硼的NiAl溅射靶，并且硼化物是超细的且充分分散在基体中。使用常规气体雾化方法来制造粉末。当使用超细化合物粉末如Al2O3和AlN时，必须特别注意要将所有粉末混合在一起，否则偏析可能发生。因此，可以使用磨碎机或球磨机来掺合2至24小时。此种合金的HIP参数包括温度在约900-1400℃范围内变化，在约5-40ksi的压力下，以及约1-12小时的保持时间。也必须控制冷却速度，否则在冷却的过程中HIP的坯段可能断裂。断电熔炉冷却和700℃下4小时的保持平稳时期被引入冷却阶段。
[47]图2图解了按照一个方面的Co-Cr-Pt-O-Si溅射靶的代表性显微结构。该溅射靶，是使用29.53wt.％的100目钴(Co)粉末、100目27.73wt.％的Co-24.22Cr粉末、＞0μm和＜5μm的6.13wt.％的SiO2粉末和36.61wt.％铂(Pt)粉末制造的。所制造的溅射靶例如包括第一材料、第二材料和第三材料。第一材料由Co(例如Co-Cr母合金或Co)组成。第二材料由氧化物组成，或者更具体而言，由本实施例中的SiO2化合物组成。第三材料由Pt组成。第一材料可以构成第一相，第二材料可以构成第二相以及第三材料可以构成第三相。第二材料的第二相具有0以上至50微米之间的平均大小。
[48]溅射靶包括暗Co相、暗Co-Cr母合金相、浅色Pt相和暗SiO2化合物相。在本实施例中，SiO2化合物相具有0以上至10微米之间的平均大小(例如在0以上至5微米之间)。
[49]图3图解了按照一个方面的Co-Cr-Pt-O-Si溅射靶的代表性显微结构。该溅射靶是使用16.97wt.％钴(Co)粉末、5.49wt.％CoSi2粉末、14.52wt.％CoO粉末、26.4wt.％Co-24.22Cr和36.62wt.％铂(Pt)粉末制造的。所制造的溅射靶例如包括第一材料、第二材料和第三材料。第一材料由Co(例如Co-Cr母合金或Co)组成。第二材料由硅化物组成，或者更具体而言由CoSi2化合物组成。第三材料由Pt组成。第一材料可以构成第一相，第二材料可以构成第二相以及第三材料可以构成第三相。第二材料的第二相具有0以上至50微米之间的平均大小。
[50]溅射靶包括暗Co相、暗Co-Cr母合金相、浅色Pt相和暗CoSi2化合物相。在本实施例中，CoSi2化合物相具有0以上至5微米之间的平均大小。Co相具有0以上至150微米之间的平均大小。
[51]根据本发明的一个实施方式，溅射靶包括多种材料。该多种材料至少包括第一材料和第二材料。所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成。例如，根据一个方面，第一材料由下列物质的一种或多种组成：钴(Co)元素、铬(Cr)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、铬(Cr)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、铬(Cr)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物和铁(Fe)基化合物。根据一方面，第一材料占至少15原子百分率或更大。根据一方面，第一材料构成第一相，并且该第一相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间(即0＜相大小≤50微米)。本发明并不限于这些范围，并且在另一实施方式中，第一相具有50微米以上的平均大小。
[52]第二材料由碳(C)、含碳(C)材料、碳化物、含氮(N)材料、氮化物、含硅(Si)材料、硅化物、含氧(O)材料、氧化物、硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成。例如，根据一个方面，第二材料由下列物质的一种或多种组成：MoB化合物、Co-Cr-B母合金、Co-B母合金、Co-B化合物、Cr-B母合金、Cr-B化合物(例如Cr2B)、Ti-B化合物、(例如Ti2B)、Ti-O化合物、Ni-B母合金、Ni-B化合物、Al-B化合物(例如Al2B)、Co-Si母合金、Fe-Si母合金、Cr-Si化合物、氧化硅化合物(例如Si2O)、Co-Si化合物(例如CoSi2、Co2Si)、氧化钛(例如TiO2)、氧化铬(例如Cr2O3)、氧化钼、氧化铝(例如Al2O3)、Ta-C化合物、Fe-C母合金、Fe-C化合物、氮化铝、一氮化二钴、氮化铬和一氮化二铁。
[53]根据一方面，第二材料构成第二相，并且该第二材料的第二相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间(例如在0微米以上与20微米之间、0微米以上与10微米之间、0.1微米与10微米之间、0微米以上与5微米之间、1微米与5微米之间、0微米以上与2微米之间、或2微米以下，等等)。
[54]根据一方面，所述众多材料进一步包括第三材料。根据一方面，第三材料由一种或多种下列物质组成：过渡元素、耐火元素、钴-过渡元素基母合金、钴-耐火元素基母合金、过渡元素基化合物和耐火元素基化合物。在另一方面，第三材料由铂(Pt)或钽(Ta)组成。根据一方面，第三材料构成第三相，并且该第三相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间(即0＜相大小≤50微米)。本发明并不限于这些范围，并且在另一实施方式中，第三相具有50微米以上的平均大小。
[55]根据本发明的一方面，溅射靶是通过掺合众多材料、装罐和挤压而制造的。所述众多材料至少包括上述第一材料和第二材料。所述众多材料也可以包括上述第三材料。所述众多材料可以进一步包括其它材料。当掺合所述众多材料时，该众多材料中的每一种(例如第一、第二和第三材料的每一种)处于粉末形式，例如元素粉末、一种或多种母合金或化合物粉末、或者一种或多种粉末与一种或多种母合金或化合物粉末的混合物。上述第一、第二和第三材料的每一种处于粉状，用于掺合。根据一方面，第一材料的粒度、第二材料的粒度和第三材料的粒度分别与上述第一相的大小、第二相的大小和第三相的大小相同。
[56]根据本发明的一方面，过渡元素的一些例子包括来自元素周期表、示于罗马数字族号IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB中的元素。根据本发明的一方面，耐火元素的一些例子包括来自元素周期表、示于罗马数字族号IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB中的元素，它们具有的熔点大于或约等于铁(Fe)的熔点。
[57]根据本发明的一方面，钴-过渡元素基母合金的一些例子包括Co-Cr母合金、Co-Mn母合金、Co-Fe母合金、Co-Cr-B母合金和Co-Ni母合金。根据本发明的一方面，钴-耐火元素基母合金的一些例子包括Co-Ta母合金、Co-Pt母合金和Co-Zr母合金。
[58]根据本发明的一方面，过渡元素基化合物的一些例子包括CoSiO2、CrSiO2、Fe3C和Ni3Al。根据本发明的一方面，耐火元素基化合物的一些例子包括TaC、Ta2C、TaB2、TaB、Mo2C、Mo2Si、Mo2B和Mo2C。
[59]根据本发明的一方面，母合金是两种或多种元素的结合体，由单相或多相材料组成，或者作为较少元素在较多元素基体中的简单固溶体(单相)，或者作为固溶体与一种或多种次级相的结合体(多相)，次级相具有合金元素中的至少两个组分。两种或三种不同元素的化合物是含有确定数目的各原子种类并且具有特定物理和性质的物质，总体而已，它们不同于其组成成分具有元素物质(elementary substances)的那些。
[60]根据本发明的一方面，溅射靶包括铬和氧化物，该氧化物不是简单的氧化铬或Cr2O3。例如，此类溅射靶包括：铬；氧化铬或Cr2O3；和其它元素(一种或多种)、合金(一种或多种)和/或化合物(一种或多种)。在另一实施例中，此类溅射靶包括：铬；和基于氧化铬的化合物(一种或多种)(与特定氧化铬如Cr2O3相对)。
[61]根据本发明的一方面，溅射靶包括铬和氧化物，该氧化物不是简单的二氧化硅(SiO2)。例如，此类溅射靶包括：铬；二氧化硅；和其它元素(一种或多种)、合金(一种或多种)和/或化合物(一种或多种)。在另一实施例中，此类溅射靶包括：铬；和基于二氧化硅的化合物(一种或多种)(与特定二氧化硅如SiO2相对)。
[62]尽管已经参照几个优选的实施方式描述了本发明，应当考虑的是，在阅读过本文所包含的详细说明之后，其各种变更和修改对本领域技术人员而言是显然的。因此，期望的是，下面的权利要求书被解释为包括如落在本发明精神和范围之内的所有此类变更和修改。

Claims (85)

1.溅射靶，其包括多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由碳(C)、含碳(C)材料、碳化物、含氮(N)材料、氮化物、含硅(Si)材料或硅化物组成，所述第二材料构成一个相，该第二材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间，所述第一材料占至少15原子百分率或更大。
2.权利要求1所述的溅射靶，其中所述碳化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的碳化物，和
其中所述氮化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的氮化物。
3.权利要求1所述的溅射靶，其中所述含氮(N)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含氮(N)材料，
其中所述含碳(C)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含碳(C)材料，
其中所述含氮(Si)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含氮(Si)材料，和
其中所述硅化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的硅化物。
4.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第二材料由所述碳化物或氮化物组成，
其中所述碳化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的碳化物，和
其中所述氮化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的氮化物。
5.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第二材料由所述硅化物组成，
其中所述硅化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的硅化物。
6.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第二材料由所述氮化物组成，其中所述氮化物是铝(Al)的氮化物。
7.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有0.1微米与10微米之间的平均大小。
8.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有1微米与5微米之间的平均大小。
9.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有2微米以下的平均大小。
10.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第一材料由钴(Co)元素、铬(Cr)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、铬(Cr)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、铬(Cr)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物或铁(Fe)基化合物组成。
11.权利要求1所述的溅射靶，其中所述第一材料构成第一相，并且所述第一材料的所述第一相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
12.权利要求1所述的溅射靶，其中所述多种材料包括第三材料，所述第三材料由铂(Pt)或钽(Ta)组成。
13.权利要求1所述的溅射靶，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素、耐火元素、钴-过渡元素基母合金、钴-耐火元素基母合金、过渡元素基化合物或耐火元素基化合物组成。
14.权利要求13所述的溅射靶，其中所述第三材料构成第三相，并且所述第三材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
15.权利要求1所述的溅射靶，其中所述溅射靶包括合金，所述合金包括多个相，所述多个相至少包括第一相和第二相，所述第一材料构成第一相，所述第二相是所述第二材料的相，所述第一材料包括钴(Co)元素、铬(Cr)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、铬(Cr)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、铬(Cr)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物或铁(Fe)基化合物。
16.溅射靶，其包括多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成，所述第二材料构成一个相，该第二材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
17.权利要求16所述的溅射靶，其中所述氧化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的氧化物。
18.权利要求16所述的溅射靶，其中所述含氧(O)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含氧(O)材料。
19.权利要求16所述的溅射靶，其中所述氧化物是一种或多种过渡元素或耐火元素的氧化物。
20.权利要求16所述的溅射靶，其中所述含氧(O)材料是包括一种或多种过渡元素或耐火元素的含氧(O)材料。
21.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是硅(Si)、铝(Al)或钛(Ti)的氧化物。
22.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化硅(SiO2)。
23.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化钛(TiO2)。
24.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有0.1微米与10微米之间的平均大小。
25.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有1微米与5微米之间的平均大小。
26.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有2微米以下的平均大小。
27.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第一材料由钴(Co)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物或铁(Fe)基化合物组成。
28.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第一材料构成第一相，并且所述第一材料的所述第一相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
29.权利要求16所述的溅射靶，其中所述多种材料包括第三材料，所述第三材料由铂(Pt)或钽(Ta)组成。
30.权利要求16所述的溅射靶，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素、耐火元素、钴-过渡元素基母合金、钴-耐火元素基母合金、过渡元素基化合物或耐火元素基化合物组成。
31.权利要求30所述的溅射靶，其中所述第三材料构成一个相，并且所述第三材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
32.权利要求16所述的溅射靶，其中所述溅射靶包括合金，所述合金包括多个相，所述多个相至少包括第一相和第二相，所述第一材料构成第一相，所述第二相是所述第二材料的相，所述第一材料包括钴(Co)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物或铁(Fe)基化合物。
33.权利要求16所述的溅射靶，其中所述溅射靶由Co、Cr、Pt和SiO2组成。
34.权利要求16所述的溅射靶，其中所述第一材料占至少15原子百分率或更大。
35.溅射靶，其包括多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)元素、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成，所述第二材料构成一个相，该第二材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间，
其中如果所述溅射靶仅由铬(Cr)和含氧(O)材料组成，则所述含氧(O)材料是其他含氧(O)材料，而不是简单地为氧化铬，和
其中如果所述溅射靶仅由铬(Cr)和氧化物组成，则所述氧化物是其他氧化物，而不是简单地为氧化铬。
36.权利要求35所述的溅射靶，其中所述含氧(O)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含氧(O)材料，和
其中所述氧化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的氧化物。
37.权利要求35所述的溅射靶，其中所述氧化物是一种或多种过渡元素或耐火元素的氧化物，以及其中所述含氧(O)材料是包括一种或多种过渡元素或耐火元素的含氧(O)材料。
38.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是硅(Si)、铝(Al)或钛(Ti)的氧化物。
39.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化硅(SiO2)。
40.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化钛(TiO2)。
41.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有0.1微米与10微米之间的平均大小。
42.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有1微米与5微米之间的平均大小。
43.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有2微米以下的平均大小。
44.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第一材料由钴(Co)元素、铬(Cr)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、铬(Cr)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、铬(Cr)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物或铁(Fe)基化合物组成，
其中所述第一材料构成第一相，并且所述第一材料的所述第一相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
45.权利要求35所述的溅射靶，其中所述多种材料包括第三材料，所述第三材料由铂(Pt)或钽(Ta)组成。
46.权利要求35所述的溅射靶，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素、耐火元素、钴-过渡元素基母合金、钴-耐火元素基母合金、过渡元素基化合物或耐火元素基化合物组成。
47.权利要求46所述的溅射靶，其中所述第三材料构成一个相，并且所述第三材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
48.权利要求35所述的溅射靶，其中所述溅射靶包括合金，所述合金包括多个相，所述多个相至少包括第一相和第二相，所述第一材料构成第一相，所述第二相是所述第二材料的相，所述第一材料包括钴(Co)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物或铁(Fe)基化合物。
49.权利要求35所述的溅射靶，其中所述溅射靶由Co、Cr、Pt和SiO2组成。
50.权利要求35所述的溅射靶，其中所述第一材料占至少15原子百分率或更大。
51.权利要求35所述的溅射靶，其中如果所述溅射靶仅由铬(Cr)和含氧(O)材料组成，则所述含氧(O)材料是其他含氧(O)材料，而不是简单地为氧化铬或简单地为二氧化硅(SiO2)，和
其中如果所述溅射靶仅由铬(Cr)和氧化物组成，则所述氧化物是其他氧化物，而不是简单地为氧化铬或简单地为二氧化硅(SiO2)。
52.溅射靶包括多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成，所述第二材料构成一个相，该第二材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与10微米以下之间。
53.权利要求52所述的溅射靶，其中所述含硼(B)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含硼(B)材料，和
其中所述硼化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的硼化物。
54.权利要求52所述的溅射靶，其中所述第二材料由硼(B)组成。
55.权利要求52所述的溅射靶，其中所述第二材料的所述相具有2微米以下的平均大小。
56.权利要求52所述的溅射靶，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素、耐火元素、钴-过渡元素基母合金、钴-耐火元素基母合金、过渡元素基化合物或耐火元素基化合物组成。
57.溅射靶，其包括多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成，所述第二材料构成一个相，该第二材料的所述相具有的平均大小在0微米以上与50微米之间。
58.权利要求57所述的溅射靶，其中所述含硼(B)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含硼(B)材料，和
其中所述硼化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的硼化物。
59.权利要求57所述的溅射靶，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素、耐火元素、钴-过渡元素基母合金、钴-耐火元素基母合金、过渡元素基化合物或耐火元素基化合物组成。
60.一种制作溅射靶的方法，所述方法包括步骤：
掺合多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由碳(C)、含碳(C)材料、碳化物、含氮(N)材料、氮化物、含硅(Si)材料或硅化物组成，所述第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米之间，所述第一材料占至少15原子百分率或更大，所述多种材料由多种粉末、一种或多种母合金或化合物粉末、或者一种或多种粉末与一种或多种母合金或化合物粉末的混合物组成；
装罐；和
挤压。
61.权利要求60所述的方法，其中所述含碳(C)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含碳(C)材料，
其中所述碳化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的碳化物，
其中所述含氮(N)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含氮(N)材料，
其中所述氮化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的氮化物，
其中所述含硅(Si)材料是包括一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的含硅(Si)材料，和
其中所述硅化物是一种或多种来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的元素的硅化物。
62.权利要求60所述的方法，其中所述第二材料由所述碳化物、所述氮化物或所述硅化物组成，
其中所述碳化物是来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的碳化物，和
其中所述氮化物是来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的氮化物，和
其中所述硅化物是来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的硅化物。
63.权利要求60所述的方法，其中所述第二材料具有1微米与5微米之间的平均粒度。
64.权利要求60所述的方法，其中所述多种材料包括第三材料，所述第三材料由铂(Pt)或钽(Ta)组成。
65.权利要求60所述的方法，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素粉末、耐火元素粉末、钴-过渡元素基母合金粉末、钴-耐火元素基母合金粉末、过渡元素基化合物粉末或耐火元素基化合物粉末组成。
66.一种制作溅射靶的方法，所述方法包括步骤：
掺合多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成，所述第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米之间，所述多种材料由多种粉末、一种或多种母合金或化合物粉末、或者一种或多种粉末与一种或多种母合金或化合物粉末的混合物组成；
装罐；和
挤压。
67.权利要求66所述的方法，其中所述含氧(O)材料是包括来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的含氧(O)材料，和
其中所述氧化物是来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的氧化物。
68.权利要求66所述的方法，其中所述第二材料具有1微米与5微米之间的平均粒度。
69.权利要求66所述的方法，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素、耐火元素、钴-过渡元素基母合金、钴-耐火元素基母合金、过渡元素基化合物或耐火元素基化合物组成。
70.权利要求66所述的方法，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化硅(SiO2)。
71.权利要求66所述的方法，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化钛(TiO2)。
72.一种制作溅射靶的方法，所述方法包括步骤：
掺合多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由含氧(O)材料或氧化物组成，所述第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米之间，所述多种材料由多种粉末、一种或多种母合金或化合物粉末、或者一种或多种粉末与一种或多种母合金或化合物粉末的混合物组成，
其中如果所述多种材料仅由铬(Cr)和含氧(O)材料组成，则所述含氧(O)材料是其他含氧(O)材料，而不是简单地为氧化铬，和
其中如果所述多种材料仅由铬(Cr)和氧化物组成，则所述氧化物是其他氧化物，而不是简单地为氧化铬；
装罐；和
挤压。
73.权利要求72所述的方法，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是硅(Si)、铝(Al)或钛(Ti)的氧化物。
74.权利要求72所述的方法，其中所述第二材料具有2微米以下的平均粒度。
75.权利要求72所述的方法，其中所述第一材料由钴(Co)元素、铬(Cr)元素、钌(Ru)元素、镍(Ni)元素、铁(Fe)元素、钴(Co)基母合金、铬(Cr)基母合金、钌(Ru)基母合金、镍(Ni)基母合金、铁(Fe)基母合金、钴(Co)基化合物、铬(Cr)基化合物、钌(Ru)基化合物、镍(Ni)基化合物或铁(Fe)基化合物组成。
76.权利要求72所述的方法，其中所述多种材料包括第三材料，所述第三材料由铂(Pt)或钽(Ta)组成。
77.权利要求72所述的方法，其中所述溅射靶由Co、Cr、Pt和SiO2组成。
78.权利要求72所述的方法，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化硅(SiO2)。
79.权利要求72所述的方法，其中所述第二材料由氧化物组成，其中所述氧化物是二氧化钛(TiO2)。
80.一种制作溅射靶的方法，所述方法包括步骤：
掺合多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钴(Co)、铬(Cr)、钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成，所述第二材料具有的平均粒度在0微米以上与10微米以下之间，所述多种材料由多种粉末、一种或多种母合金或化合物粉末、或者一种或多种粉末与一种或多种母合金或化合物粉末的混合物组成；
装罐；和
挤压。
81.权利要求80所述的方法，其中所述含硼(B)材料是包括来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的含硼(B)材料，和
其中所述硼化物是来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的硼化物。
82.权利要求80所述的溅射靶，其中所述第二材料由硼(B)组成。
83.一种制作溅射靶的方法，所述方法包括步骤：
掺合多种材料，该多种材料至少包括第一材料和第二材料，所述第一材料由钌(Ru)、镍(Ni)或铁(Fe)组成，所述第二材料由硼(B)、含硼(B)材料或硼化物组成，所述第二材料具有的平均粒度在0微米以上与50微米以下之间，所述多种材料由多种粉末、一种或多种母合金或化合物粉末、或者一种或多种粉末与一种或多种母合金或化合物粉末的混合物组成；
装罐；和
挤压。
84.权利要求83所述的方法，其中所述含硼(B)材料是包括来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的含硼(B)材料，和
其中所述硼化物是来自元素周期表、示于罗马数字族号IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB或IVB中的一种或多种元素的硼化物。
85.权利要求83所述的方法，其中所述多种材料进一步包括第三材料，其由过渡元素粉末、耐火元素粉末、钴-过渡元素基母合金粉末、钴-耐火元素基母合金粉末、过渡元素基化合物粉末或耐火元素基化合物粉末组成。
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