CN101206922B - 非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法 - Google Patents
非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101206922B CN101206922B CN2007101601496A CN200710160149A CN101206922B CN 101206922 B CN101206922 B CN 101206922B CN 2007101601496 A CN2007101601496 A CN 2007101601496A CN 200710160149 A CN200710160149 A CN 200710160149A CN 101206922 B CN101206922 B CN 101206922B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- bit lines
- charge voltage
- transistor
- odd bit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/24—Bit-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3427—Circuits or methods to prevent or reduce disturbance of the state of a memory cell when neighbouring cells are read or written
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR132813/06 | 2006-12-22 | ||
| KR1020060132813A KR100845135B1 (ko) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 불휘발성 메모리 장치에서의 프로그램 방법 및 이를 위한불휘발성 메모리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101206922A CN101206922A (zh) | 2008-06-25 |
| CN101206922B true CN101206922B (zh) | 2012-08-08 |
Family
ID=39542539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101601496A Active CN101206922B (zh) | 2006-12-22 | 2007-12-24 | 非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7672166B2 (enExample) |
| JP (1) | JP5106083B2 (enExample) |
| KR (1) | KR100845135B1 (enExample) |
| CN (1) | CN101206922B (enExample) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100890016B1 (ko) * | 2007-05-10 | 2009-03-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및그것의 프로그램 방법 |
| US7679967B2 (en) | 2007-12-21 | 2010-03-16 | Spansion Llc | Controlling AC disturbance while programming |
| US7903480B2 (en) * | 2008-01-31 | 2011-03-08 | Qimonda Ag | Integrated circuit, and method for transferring data |
| ITRM20080543A1 (it) * | 2008-10-09 | 2010-04-10 | Micron Technology Inc | Architettura e metodo per la programmazione di memorie. |
| KR101532755B1 (ko) * | 2008-10-13 | 2015-07-02 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 그것의 프로그램 방법, 및 그것의 프리차지 전압 부스팅 방법 |
| JP2010198698A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
| KR101517597B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2015-05-07 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 전압 생성방법 |
| KR101005165B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2011-01-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 발생 회로 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치 |
| KR101039917B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2011-06-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치 및 이를 이용한 리드 동작 방법 |
| KR101012982B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법 |
| KR101626548B1 (ko) | 2009-07-15 | 2016-06-01 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함한 메모리 시스템, 및 그것의 프로그램 방법 |
| US8144511B2 (en) * | 2009-08-19 | 2012-03-27 | Sandisk Technologies Inc. | Selective memory cell program and erase |
| US8482975B2 (en) | 2009-09-14 | 2013-07-09 | Micron Technology, Inc. | Memory kink checking |
| KR101619249B1 (ko) * | 2009-11-26 | 2016-05-11 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 방법 |
| US8102712B2 (en) * | 2009-12-22 | 2012-01-24 | Intel Corporation | NAND programming technique |
| KR101115242B1 (ko) * | 2010-04-13 | 2012-02-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 프로그램 방법 |
| KR101134240B1 (ko) | 2010-04-29 | 2012-04-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
| KR101152403B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-06-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 및 이의 동작방법 |
| KR101642015B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2016-07-22 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 |
| KR101162000B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
| US8310877B2 (en) | 2011-01-06 | 2012-11-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Read conditions for a non-volatile memory (NVM) |
| US8670277B2 (en) * | 2011-07-27 | 2014-03-11 | Infineon Technologies Ag | Memory and method for programming memory cells |
| KR20130107557A (ko) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
| KR102022502B1 (ko) * | 2012-08-30 | 2019-09-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
| CN105513635B (zh) * | 2014-09-23 | 2019-08-06 | 群联电子股份有限公司 | 编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元 |
| CN105810250B (zh) * | 2014-12-29 | 2019-06-04 | 展讯通信(上海)有限公司 | 一种数据读取方法及装置 |
| KR102374228B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2022-03-15 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 장치의 부스트 전압 생성기, 이를 포함하는 전압 생성기 및 이를 포함하는 저항성 메모리 장치 |
| KR102378537B1 (ko) * | 2015-11-06 | 2022-03-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Gidl 스크린을 위한 워드라인 드라이버, 이를 이용하는 반도체 메모리 장치 및 테스트 방법 |
| KR20170073980A (ko) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
| US9959932B1 (en) * | 2017-02-21 | 2018-05-01 | Sandisk Technologies Llc | Grouping memory cells into sub-blocks for program speed uniformity |
| KR102407575B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-06-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
| KR102581331B1 (ko) * | 2018-05-31 | 2023-09-25 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
| KR102759177B1 (ko) * | 2019-01-02 | 2025-01-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
| US11880582B2 (en) | 2019-01-02 | 2024-01-23 | SK Hynix Inc. | Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device |
| JP6756878B1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-09-16 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
| US10839915B1 (en) * | 2019-06-27 | 2020-11-17 | Sandisk Technologies Llc | Bitline boost for nonvolatile memory |
| KR102771883B1 (ko) * | 2019-07-22 | 2025-02-21 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
| KR102781829B1 (ko) * | 2019-08-16 | 2025-03-19 | 삼성전자주식회사 | 페이지 버퍼, 이를 포함하는 메모리 장치 |
| JP2022520372A (ja) * | 2019-10-29 | 2022-03-30 | 長江存儲科技有限責任公司 | メモリデバイスのプログラミング方法、およびメモリデバイス |
| KR102831922B1 (ko) * | 2019-12-11 | 2025-07-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
| KR102657140B1 (ko) * | 2019-12-26 | 2024-04-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
| KR20220068541A (ko) | 2020-11-19 | 2022-05-26 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
| US11289135B1 (en) * | 2020-12-08 | 2022-03-29 | Micron Technology, Inc. | Precharge timing control |
| KR102850056B1 (ko) * | 2021-11-29 | 2025-08-25 | 삼성전자주식회사 | 메모리 어레이의 프로그램 방법 및 이를 수행하는 메모리 장치 |
| KR20240017546A (ko) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1191371A (zh) * | 1997-02-18 | 1998-08-26 | 三菱电机株式会社 | 同步型半导体存储装置 |
| CN1375830A (zh) * | 2001-03-16 | 2002-10-23 | 株式会社东芝 | 半导体存储装置 |
| US7149119B2 (en) * | 2004-09-30 | 2006-12-12 | Matrix Semiconductor, Inc. | System and method of controlling a three-dimensional memory |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097638A (en) | 1997-02-12 | 2000-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
| KR100272037B1 (ko) * | 1997-02-27 | 2000-12-01 | 니시무로 타이죠 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
| JP3481817B2 (ja) | 1997-04-07 | 2003-12-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| JP3425340B2 (ja) | 1997-10-09 | 2003-07-14 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP3495906B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2004-02-09 | シャープ株式会社 | 半導体回路 |
| JP3999900B2 (ja) | 1998-09-10 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
| JP3863330B2 (ja) | 1999-09-28 | 2006-12-27 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
| US6480419B2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bit line setup and discharge circuit for programming non-volatile memory |
| US6907497B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device |
| US7064980B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-06-20 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with bit line coupled compensation |
| KR20050108136A (ko) | 2004-05-11 | 2005-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법 |
| US7170788B1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-01-30 | Sandisk Corporation | Last-first mode and apparatus for programming of non-volatile memory with reduced program disturb |
| US7697338B2 (en) * | 2006-11-16 | 2010-04-13 | Sandisk Corporation | Systems for controlled boosting in non-volatile memory soft programming |
-
2006
- 2006-12-22 KR KR1020060132813A patent/KR100845135B1/ko active Active
-
2007
- 2007-12-13 US US11/955,891 patent/US7672166B2/en active Active
- 2007-12-18 JP JP2007326144A patent/JP5106083B2/ja active Active
- 2007-12-24 CN CN2007101601496A patent/CN101206922B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1191371A (zh) * | 1997-02-18 | 1998-08-26 | 三菱电机株式会社 | 同步型半导体存储装置 |
| CN1375830A (zh) * | 2001-03-16 | 2002-10-23 | 株式会社东芝 | 半导体存储装置 |
| US7149119B2 (en) * | 2004-09-30 | 2006-12-12 | Matrix Semiconductor, Inc. | System and method of controlling a three-dimensional memory |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101206922A (zh) | 2008-06-25 |
| US7672166B2 (en) | 2010-03-02 |
| JP2008159244A (ja) | 2008-07-10 |
| KR100845135B1 (ko) | 2008-07-09 |
| US20080151633A1 (en) | 2008-06-26 |
| KR20080058743A (ko) | 2008-06-26 |
| JP5106083B2 (ja) | 2012-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101206922B (zh) | 非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法 | |
| US20240412782A1 (en) | Semiconductor memory device | |
| CN112233713B (zh) | 半导体存储装置 | |
| US7379333B2 (en) | Page-buffer and non-volatile semiconductor memory including page buffer | |
| US7821835B2 (en) | Concurrent programming of non-volatile memory | |
| JP3886673B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| US6285587B1 (en) | Memory cell string structure of a flash memory device | |
| JP2008140488A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2008146771A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2008135100A (ja) | 半導体記憶装置及びそのデータ消去方法 | |
| JP2008084471A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2010067327A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| US9779830B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof | |
| JP2016100030A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| US8848446B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
| KR101330710B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 | |
| WO2006059375A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の制御方法 | |
| JP2013069392A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法 | |
| US7382651B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
| KR20100022228A (ko) | 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 | |
| US7952931B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device which realizes “1” write operation by boosting channel potential | |
| KR101036300B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 이의 프로그램 방법 | |
| JP5522682B2 (ja) | 半導体メモリ | |
| JP2006331476A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| KR20070086721A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제어 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |