CN101114579B - 液体处理系统 - Google Patents

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Abstract

一种液体处理系统，包括：液体处理部(21b)，水平设置有向基板(W)供给处理液来进行液体处理的多个液体处理单元(22)；处理液存留部(21h)，对向液体处理部的多个液体处理单元供给的处理液进行存留；配管单元(21f)，具有从处理液存留部向多个液体处理单元引导处理液的供给配管；和容纳液体处理部、处理液存留部及配管单元的共用的框体(21)。处理液存留部、配管单元、及液体处理部从下方开始按该顺序被设置，配管单元的供给配管具有沿着多个液体处理单元的排列方向水平延伸的水平配管部(70a)，处理液从水平配管部分别被导入液体处理单元。

Description

液体处理系统
技术领域
本发明涉及一种例如对半导体晶片等基板进行既定的液体处理，例如清洗处理的液体处理系统。
背景技术
在半导体器件的制造工艺与平板显示器(FPD)的制造工艺中，大多采用对作为被处理基板的半导体晶片或玻璃基板供给处理液来进行液体处理的工艺。作为这样的工艺，例如可举出：对附着于基板的颗粒或污物等进行除去的清洗处理、和光刻工序中的光致抗蚀剂液与显影液的涂敷处理等。
作为这样的液体处理系统，使用具备单张式的多个处理单元、和向这些处理单元进行输入输出的输送装置的系统。各处理单元将半导体晶片等基板保持于旋转卡盘，在使基板旋转的状态下向晶片的正面或正反面供给处理液来进行处理。为了抑制系统占地面积的增加并实现更高的生产能力，多采用将上述处理单元层叠成多层的布局(例如特开2005-93769号公报)。
在这样的液体处理系统中，针对每一处理液设置供给处理液(药液)的处理液供给单元，并针对每一处理液进行循环供给。但是，在如上所述层叠多个处理单元的情况下，当循环供给处理液的配管迂回时，会产生上下的起伏。因此，配管的设置变得复杂，且配管所占有的空间变大。另外，从处理单元到集合排气/集合排液的距离针对每一处理单元而不同，因此产生难以进行均匀处理的情况。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种在具有多个处理单元的液体处理系统中，能够进行进一步的节省空间化的液体处理系统。
本发明的另一目的在于，提供一种在具有多个处理单元的液体处理系统中，能够在处理单元之间进行均匀的处理的液体处理系统。
本发明的第一技术方案提出一种液体处理系统，包括：液体处理部，水平设置有向基板供给处理液来进行液体处理的多个液体处理单元；处理液存留部，对向前述液体处理部的前述多个液体处理单元供给的处理液进行存留；和配管单元，具有从前述处理液存留部向前述多个液体处理单元引导处理液的供给配管；前述处理液存留部、前述配管单元、以及前述液体处理部从下方开始按该顺序被设置在共用的框体内，前述配管单元的前述供给配管具有沿着前述多个液体处理单元的排列方向水平延伸的水平配管部，处理液从前述水平配管部分别被导入前述液体处理单元。
在上述第一技术方案中，前述液体处理单元可以通过分别设置有阀的独立的上升配管部与前述水平配管部分别连接。前述配管单元还可以具有对分别从前述液体处理单元排出的处理液进行排液的排液配管的水平配管部，该排液配管的水平配管部可以与前述供给配管的前述水平配管部平行延伸。该情况下，为了对在前述排液配管中流动的处理液的至少一部分进行再利用，可以还具备进行回收的回收机构。前述配管单元还可以具有将从前述液体处理单元分别排出的排气向系统外导出的排气配管的水平配管部，该排气配管的水平配管部可以与前述供给配管的前述水平配管部平行延伸。
前述配管单元可具有水平设置的箱，前述水平配管部在该箱中延伸。该情况下，还可具备对前述箱内进行排气的排气管。前述液体处理部可以具有前述多个液体处理单元的驱动系统被集中设置的驱动区域。该情况下，还可以具备对前述驱动区域内进行排气的排气管。还可以具备与前述液体处理部相邻设置、构成为能够对收纳多张基板的基板收纳容器进行载置的基板输入输出部，前述基板输入输出部向前述液体处理部输入前述基板收纳容器内的基板，并将前述液体处理部中处理后的基板输出到前述基板收纳容器。
在上述第一技术方案中，前述液体处理系统可以构成为，前述多个液体处理单元具备相互平行设置的第一及第二列液体处理单元，前述水平配管部具备沿着前述第一及第二列液体处理单元各自的排列方向而延伸的第一及第二水平配管部，前述第一及第二水平配管部通过连接配管部连接，前述处理液从前述处理液存留部按前述第一水平配管部、前述连接配管部、以及前述第二水平配管部的顺序流动。
该情况下，前述第一水平配管部、前述连接配管部以及前述第二水平配管部可相对前述处理液存留部形成使处理液循环的循环路径。前述第一及第二列液体处理单元被设置在输送路径的两侧，前述液体处理系统还可以具备沿着前述输送路径移动、将基板输送给前述第一及第二列液体处理单元的输送机构。前述连接配管部可以在前述输送路径的下侧通过。对前述输送路径进行划分的区域的底部可以位于比设置前述配管单元的区域的底部靠向下侧的位置。还具备向前述输送路径供给清洁空气的风机过滤单元，前述液体处理单元分别具备从前述输送路径取入前述清洁空气的导入部。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的液体处理系统的概略构成的俯视图。
图2是沿着图1的II-II线的正面侧的剖视图。
图3是沿着图1的III-III线的侧面侧的剖视图。
图4是表示图1的液体处理系统中搭载的液体处理单元的概略构成的剖视图。
图5是表示使作为处理液的SC1循环的环状配管的设置状态的概略图。
图6是用于说明图1的液体处理系统的给/排气系统的侧面侧的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，在以下的说明中，针对具有近似相同的功能及构成的构成要素赋予同一附图标记，仅在必要的情况下进行重复说明。这里，举例说明将本发明应用于进行半导体晶片(下面简单记做晶片)的正反面清洗的液体处理系统的情况。
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的液体处理系统的概略构成的俯视图。图2是沿着图1的II-II线的正面侧的剖视图。图3是沿着图1的III-III线的侧面侧的剖视图。
该液体处理系统100具备：相互相邻设置的输入输出站(基板输入输出部)1和处理站(液体处理部)2。输入输出站1对容纳多个晶片W的晶片载物台C进行载置，执行晶片W的输入/输出。处理站2构成为对晶片W实施清洗处理。
输入输出站1具有载物载置部11、输送晶片W的输送部12和进行晶片W的交接的交接部13。载物载置部11对以水平状态容纳多张晶片W的晶片载物台C进行载置。输送部12及交接部13被容纳于框体14内。
载物载置部11能够载置4个晶片载物台C。被载置的晶片载物台C处于与框体14的垂直壁部紧密接触的状态，能够不与大气接触地将其中的晶片W输入到输送部12。
框体14具有垂直隔开输送部12和交接部13的隔开部件14a。输送部12具有输送机构15、和设置在其上方的用于供给清洁空气下降流的风机过滤单元(FFU)16。输送机构15具有保持晶片W的晶片保持臂15a和对其进行驱动的机构。即，晶片保持臂15a能够前后移动，且能够沿着水平导向件17(参照图1)移动，该水平导向件17在晶片载物台C的排列方向即X方向延伸。晶片保持臂15a还能够沿着在垂直方向设置的垂直导向件18(参照图2)移动，且能够在水平面内旋转。通过该输送机构15，能够在晶片载物台C与交接部13之间输送晶片W。
交接部13具有交接台架(stage)19、和设置于其上并具有多个能够载置晶片W的载置部的交接搁板20。其通过该交接搁板20在与处理站2之间进行晶片W的交接。
处理站2具有呈长方体形状的框体21。框体21内，在其中央上部形成有输送室21a，该输送室21a构成在与晶片载物台C的排列方向即X方向正交的Y方向延伸的输送路径。在输送室21a的两侧设置有两个单元室21b、21c。在单元室21b、21c中分别沿着输送室21a水平排列有各6个共计12个液体处理单元22。
在框体21内的单元室21b、21c之下，分别设置有容纳了各液体处理单元22的驱动系统的驱动区域21d、21e。在这些驱动区域21d、21e之下，分别设置有容纳了配管的配管箱21f、21g。而且，在配管箱21f、21g之下，分别设置有作为处理液存留部的药液供给单元21h、21i。另一方面，在输送室21a的下方设置有用于排气的排气空间21j。
在输送室21a的上方设置有风机过滤单元(FFU)23，向输送室21a供给清洁空气的下降流。在输送室21a的内部设置有输送机构24。输送机构24具有保持晶片W的晶片保持臂24a和对其进行驱动的机构。即，晶片保持臂24a能够前后移动，且能够沿着设置于输送室21a的水平导向件25(参照图1)在Y方向移动。晶片保持臂24a还能够沿着在垂直方向设置的垂直导向件26(参照图3)移动，且能够在水平面内旋转。通过该输送机构24，进行晶片W相对于各液体处理单元22的输入输出。
另外，交接台架19被设置在比载物载置部11高的位置，液体处理单元22被设置在比交接台架19高的位置。
在配管箱21f、21g中水平设置有处理液配管组70、排液配管组71及排气配管组72。处理液配管组70具有：例如供给氨水和过氧化氢混合而形成的氨和过氧化氢水溶液(SC1)的SC1配管70a、供给稀氟酸(DHF)的DHF配管70b、和供给纯水的纯水配管70c。另外，排液配管组71例如具有：用于对酸进行排液的酸排液配管71a、用于对碱进行排液的碱排液配管71b、回收酸的酸回收配管71c和回收碱的碱回收配管71d。并且，排气配管组72例如具有用于对酸进行排气的酸排气配管72a、用于对碱进行排气的碱排气配管72b。
在药液供给单元21h、21i的输入输出站1侧的端部，如图2所示设置有第一垂直配管区域27a。在相反侧的端部设置有第二垂直配管区域27b。
如图4放大所示，液体处理单元22具有底板41、和能够旋转地保持晶片W的晶片保持部42。该晶片保持部42通过旋转马达43而旋转。按照围绕被保持于晶片保持部42的晶片W、且与晶片保持部42一同旋转的方式设置有旋转杯体44。液体处理单元22还具有向晶片W的正面供给处理液的正面处理液供给喷嘴45、和向晶片W的背面供给处理液的背面处理液供给喷嘴46。并且，在旋转杯体44的周缘部设置有排气/排液部47。另外，按照覆盖排气/排液部47的周围及晶片W的上方的方式设置有壳体48。在壳体48的上部设置有将来自风机过滤单元(FFU)23的气流导入的气流导入部49，向被保持于晶片保持部42的晶片W供给清洁空气的下降流。如图3所示，在该气流导入部49中形成有与输送室21a连接的开口49a，可从该开口49a导入气流。
晶片保持部42具有水平设置的呈圆板状的旋转板51、和与其背面的中心部连接且向下方垂直延伸的圆筒状旋转轴52。在旋转板51的中心部形成有与旋转轴52内的孔52a连通的圆形孔51a。
具备背面处理液供给喷嘴46的升降部件53被设置成能够在孔52a及孔51a内升降。在旋转板51上设置有对晶片W的外缘进行保持的三个(仅图示1个)保持部件54。
旋转轴52经由具有两个轴承55a的轴承部件55被可旋转地支承于底板41。带轮56嵌入在旋转轴52的下端部，传送带57卷绕于带轮56。传送带57还被卷绕于安装在马达43的轴上的带轮58。而且，通过使马达43旋转，经由带轮58、传送带57及带轮56使旋转轴52旋转。
在升降部件53的上端部设置有具有晶片支承销65的晶片支承台64。而且，在升降部件53的下端经由连接部件66连接有压力缸机构67。通过利用该压力缸机构67使升降部件53升降来使晶片W升降，从而进行晶片W的装载及卸载。
正面处理液供给喷嘴45被喷嘴臂62保持。通过利用未图示的驱动机构使喷嘴臂62移动，能够在晶片W上方的处理液供给位置与退避位置之间移动正面处理液供给喷嘴45。从正面处理液供给喷嘴45向晶片W的正面供给处理液。背面处理液供给喷嘴46被垂直设置在升降部件53内部的中心。从背面处理液供给喷嘴46向晶片W的背面供给处理液。经由垂直配管68向正面处理液供给喷嘴45及背面处理液供给喷嘴46供给处理液。垂直配管68分别经由阀80a～80c与水平设置在上述配管箱21f或21g内的构成上述处理液配管组70的三根配管70a～70c连接。
旋转杯体44与旋转板51一同旋转，抑制从晶片W飞散的处理液返回到晶片W，将处理液向下方引导。旋转杯体44与旋转板51之间，在与晶片W大致相同高度的位置夹设有呈板状的导向部件87。导向部件87被设置成其正反面与晶片W的正反面近似连续，具有防止从晶片W飞散的处理液发生乱流化而抑制雾沫飞散的功能。
排气/排液部47主要用于对从被旋转板51和旋转杯体44围绕的空间排出的气体及液体进行回收。排气/排液部47包括：接收从旋转杯体44排出的处理液并呈环状的排液杯体91；和在排液杯体91的外侧被设置成围绕排液杯体91并呈环状的排气杯体92。排液杯体91具有对从旋转杯体44导出的处理液进行接收的主部91a、和对从保持部件54滴落的处理液进行接收的副部91b。在该主部91a与副部91b之间由用于防止气流紊乱的垂直壁93隔开。
排液管94与排液杯体91底部的最外侧部分连接。排液切换部83与排液管94连接，能够根据处理液的种类进行划分。从排液切换部83向垂直下方延伸着用于排出酸排液的酸排出管84a、用于排出碱的碱排出管84b、用于回收酸的酸回收管84c和用于回收碱的碱回收管84d。这些管分别与排液配管组71的酸排液配管71a、碱排液配管71b、酸回收配管71c、碱回收配管71d连接。在酸排出管84a、碱排出管84b、酸回收管84c、碱回收管84d上分别设置有阀85a、85b、85c、85d。
排气杯体92从与旋转杯体44之间的呈环状的间隙将气体成分主要取入到旋转杯体44内及其周围进行排气。另外，对酸进行排气的酸排气管95a、对碱进行排气的碱排气管95b与排气杯体92的下部连接。这些酸排气管95a、碱排气管95b分别与排气配管组72的酸排气配管72a、碱排气配管72b连接。在酸排气管95a、碱排气管95b上分别设置有阀86a、86b。
这样，处理液经由旋转杯体44被导向排液杯体91，气体成分被导向排气杯体92。由于来自排液杯体91的排液和来自排气杯体92的排气可独立进行，所以，能够在分离排液和排气的状态下进行引导.另外，即使从排液杯体91漏出雾沫，由于排气杯体92围绕着其周围，所以也会被迅速排出，能够可靠地防止雾沫向外部漏出。因此，可以减小晶片W周边部与排液杯体91及排气杯体92的间隙，从而可使液体处理单元22小型化。
药液供给单元21h被设置在输入输出站1侧，具有对例如混合了氨水与过氧化氢的氨和过氧化氢水溶液(SC1)进行存留的第一药液容器101(参照图2)。药液供给单元21h还具有与第一药液容器101相邻的第一回收容器102(参照图2)。
如图2所示，送出管103与第一药液容器101的侧壁下部连接，用于从其中送出药液。用于令药液返回的返回管104与第一药液容器101的侧壁上部连接。在送出管103上设置有泵103a，并且与从药液供给单元21h内的第一垂直配管区域27a延伸的连接管105连接。该连接管105与水平设置在配管箱21f内的处理液配管组70的SC1配管70a的一端侧连接。而且，从第一垂直配管区域27a延伸的运送配管(渡り配管)106与返回管104连接。另一方面，运送配管107与SC1配管70a的另一端侧连接。该运送配管107在第二垂直配管区域27a内向下方延伸。
基于上述图2、图3及作为处理站2的示意立体图的图5，对包括该运送配管106及107的药液供给路径进行说明。运送配管107在药液供给单元21h的第二垂直配管区域27b中向下方延伸。接着，配管107从第二垂直配管区域27b的下部水平通过排气空间21j，延伸到药液供给单元21i的第二垂直配管区域27b。接着，配管107在药液供给单元21i的第二垂直配管区域27b中上升，与配管箱21g内的SC1配管70a连接。另一方面，运送配管106在药液供给单元21h的第一垂直配管区域27a中向下方延伸。接着，配管106从第一垂直配管区域27a的下部水平通过排气空间21j，向药液供给单元21i的第一垂直配管区域27a延伸。接着，配管106在药液供给单元21i的第一垂直配管区域27a内上升，与配管箱21g内的SC1配管70a连接.
即，第一药液容器101的SC1经过送出管103及连接管105到达配管箱21f内的SC1配管70a。接着，SC1在该配管箱21f内的SC1配管70a内流过，并被供给到单元室21b内的各液体处理单元22。另外，SC1通过运送配管107到达配管箱21g内的SC1配管70a。接着，SC1在该配管箱21g内的SC1配管70a中流过，并被供给到单元室21c内的各液体处理单元22。此外，SC1还经由运送配管106及返回管104返回到第一药液容器101。这样，构成了来自第一药液容器101的SC1的循环路径。
另一方面，如图2所示，用于回收处理后的药液的配管108与第一回收容器102连接。该配管108在第二垂直配管区域27b中垂直延伸，与排液配管组71的碱回收配管71d连接。由此，对从液体处理单元22排出的碱排液进行回收。
第一回收容器102与第一药液容器101通过连接配管109连接。在连接配管109上设置有泵110，在对回收到第一回收容器102的药液进行净化处理后，能够令其返回到第一药液容器101。
药液供给配管111与第一药液容器101的上部连接，混合器112与该药液供给配管111连接。纯水配管113、氨配管114及过氧化氢配管115与混合器112连接。通过混合器112使得纯水、氨和过氧化氢混合，并将氨和过氧化氢水溶液供给到第一药液容器101中。在纯水配管113上设置有流量控制器(LFC)116a及阀116b。在氨配管114上设置有流量控制器(LFC)117a及阀117b。在过氧化氢配管115上设置有流量控制器(LFC)118a及阀118b。
药液供给单元21i被设置在输入输出站1侧，具有对例如稀氟酸(DHF)进行存留的第二药液容器121(参照图3)。药液供给单元21I还具有与第二药液容器121相邻的第二回收容器(未图示)。该第二药液容器121的DHF也与来自第一药液容器101的SC1同样，能够通过配管箱21f、21g内的DHF配管70b和运送配管等进行循环供给。另外，DHF向第二回收容器的回收通过酸回收配管71c及配管122(参照图2)与SC1向第一回收容器102的回收同样地进行。
此外，除了这些药液清洗之外，还进行基于纯水的漂洗及干燥。此时，纯水从未图示的纯水供给源通过纯水配管70c而被供给。而且，虽然未进行图示，但N2气等干燥气体也能够从喷嘴45、46进行供给。
设置在配管箱21f、21g的排液配管组71中的酸排液配管71a、碱排液配管71b分别与排水配管123(图2中仅图示了一根)连接。该排水配管123通过第一垂直配管区域27a向下方延伸。并且，这些来自酸排液配管71a、碱排液配管71b的排液通过排水配管123作为排水被废弃到地下的工厂配管。
图6是用于说明图1的液体处理系统100的给/排气系统的侧面侧的剖视图。
前述FFU23将清洁空气供给到输送室21a内，其一部分从输送室21a被导入到单元室21b、21c及液体处理单元22的气流导入部49。导入到单元室21b、21c中的清洁空气进而被导入到驱动区域21d、21e。排气管73与驱动区域21d、21e连接。在单元室21b、21c中产生的颗粒及主要在驱动区域21d、21e中由驱动系统产生的颗粒等，能够经由该排气管73被强制排气。
另外，从气流导入部49导入的清洁空气如上所述被供给到液体处理单元22内的晶片W。而且，该清洁空气也如上所述，从液体处理单元22的排气杯体92向设置在配管箱21f、21g中的排气配管组72的酸排气配管72a、碱排气配管72b，分别供给酸排气、碱排气。配管箱21f、21g连接着用于在其中进行排气的排气管74。并且，用于对从输送室21a流动而来的气流进行排气的两个排气管75和76、对通过输送机构24的内部而来的气流进行排气的输送驱动系统排气管77，与排气空间21j的底部连接。
如图2所示，排气配管组72、排气管73、74、75、76、输送驱动系统排气管77从框体21的侧面向外部延伸而出，并且朝向下方延伸，与地下的工厂配管连接。
在如此构成的液体处理系统100中，首先反复进行下述动作：通过输送机构15从载置于输入输出站1的载物载置部11上的载物台C取出一张晶片W，将其载置于交接台架19上的交接搁板20的载置部。载置于交接搁板20的载置部的晶片W通过处理站2的输送机构24被顺次输送，输入到任意一个液体处理单元22中。
在液体处理单元22中，通过保持部件54对晶片W进行夹持，利用马达43使晶片保持部42与旋转杯体44及晶片W一同旋转。与此同时，从正面处理液供给喷嘴45及背面处理液供给喷嘴46供给处理液，进行晶片W的正反面清洗。作为此时的处理液，使用清洗药液，例如使用SC1、DHF的任意一种或双方。在以SC1进行清洗时，按照从第一药液容器101经由送出管103、连接管105、配管箱21f内的SC1配管70a、运送配管107、配管箱21g内的SC1配管70a、运送配管106、返回管104而返回到第一药液容器101的方式使SC1循环，并且，从SC1配管70a向各液体处理单元22供给SC1。另外，在以DHF进行清洗时，从第二药液容器121开始通过配管箱21f、21g内的包括DHF配管70b的配管组使DHF同样地循环，并从DHF配管70b向各液体处理单元22供给DHF。然后，在这样的清洗处理之后，从纯水配管70c向各处理单元22供给纯水，进行纯水漂洗，然后，根据需要进行N22干燥，从而结束清洗处理。
在这样的清洗处理时，使用完毕的处理液从排液杯体91到达排液配管组71，使得酸及碱被部分回收，其他被废弃。另外，伴随处理而产生的气体成分从排气杯体92到达排气配管组72，从而被排气。
在如此进行过液体处理之后，通过输送机构24从液体处理单元22输出晶片W，将其载置到交接台架19的交接搁板20。这些晶片W通过输送机构15从交接搁板20返回到载物台C。
如上所述，根据本实施方式，在框体21内水平设置多个液体处理单元22构成单元室21b、21c，在其下方设置配管箱21f、21g，进而在配管箱21f、21g的下方设置药液供给单元21h、21i。另外，在配管箱21f、21g内水平设置处理液配管组70，从处理液配管组70的各处理液配管向各液体处理单元22导出处理液。由此，可尽可能抑制配管的起伏实现紧凑化，从而不仅可实现节省空间化，还能够在液体处理单元22之间进行均匀的处理。并且，用于对从各液体处理单元22排出的处理液进行排液的排液配管组71、及将来自各液体处理单元22的排气向系统外导出的排气配管组72，也水平设置在配管箱21f、21g内。由此，可进一步缩小配管空间。
在被输送室21a隔开的单元室21b、21c下方分别设置的配管箱21f、21g中，水平设置有处理液配管组70。通过分别连接运送配管等，使处理液配管组70的SC1配管70a、DHF配管70b等成为环状配管。一边在该环状配管内循环一边从该配管向各液体处理单元22供给SC1、DHF等处理液。由此，可避免配管的设置变得复杂，使得配管构成极其简单，可显著缩小配管空间。
并且，由于配管被集中于配管箱21f、21g，且被紧凑化，所以，可以采用设置排气管来集中排气的简单方法。由此，可对配管部分进行集中排气，实现高效的颗粒解决方法。
另外，由于从风机过滤单元(FFU)23向输送室21a内供给清洁空气的下降流进行排气，所以，可将输送室21a保持清洁。而且，会将该清洁空气导向单元室21b、21c从驱动区域21d、21e进行排气。并且，还会将该清洁空气导向液体处理单元，形成下降流。由此，液体处理单元22的内部及其周围可以作为清洁的气氛，排除了颗粒的影响。
而且，通过缩小配管空间，还可以在系统内设置对排液进行回收的回收容器。由此，尽管设为能够排液回收的构成，但可成为极度紧凑的系统。
另外，本发明不限定于上述实施方式，还能够进行各种变形。例如，作为处理液表示了利用SC1、DHF的例子，但本发明不限定于此。而且，液体处理单元的构成也不限定于上述实施方式，例如也可以只是进行正面清洗或背面清洗的结构。并且，对于液体处理而言也不限定于清洗处理，可以是抗蚀剂液涂敷处理或其之后的显影处理等、其他的液体处理。此外，在上述实施方式中举例说明了采用半导体晶片作为被处理基板的情况，但也能够适用于以液晶显示装置(LCD)用的玻璃基板为代表的平板显示器(FPD)用的基板等、其他的基板。

Claims (16)

1.一种液体处理系统，包括：
液体处理部(21b)，水平设置有向基板(W)供给处理液来进行液体处理的多个液体处理单元(22)；
处理液存留部(21h)，对向前述液体处理部的前述多个液体处理单元供给前的处理液进行存留；和
配管单元(21f)，具有从前述处理液存留部向前述多个液体处理单元引导处理液的供给配管；其特征在于，
前述处理液存留部、前述配管单元、以及前述液体处理部从下方开始按该顺序被设置在共用的框体(21)内，前述配管单元的前述供给配管具有沿着前述多个液体处理单元的排列方向水平延伸的水平配管部(70a)，处理液从前述水平配管部分别被导入前述液体处理单元。
2.根据权利要求1所述的液体处理系统，其特征在于，
前述液体处理单元(22)通过分别设置有阀(80a)的独立的上升配管部与前述水平配管部(70a)分别连接。
3.根据权利要求1所述的液体处理系统，其特征在于，
前述配管单元(21f)还具有对分别从前述液体处理单元(22)排出的处理液进行排液的排液配管的水平配管部(71a)，该排液配管的水平配管部与前述供给配管的前述水平配管部(70a)平行延伸。
4.根据权利要求3所述的液体处理系统，其特征在于，
为了对在前述排液配管中流动的处理液的至少一部分进行再利用，还具备进行回收的回收机构(102)。
5.根据权利要求1所述的液体处理系统，其特征在于，
前述配管单元(21f)还具有将从前述液体处理单元(22)分别排出的排气向系统外导出的排气配管的水平配管部(72a)，该排气配管的水平配管部与前述供给配管(70)的前述水平配管部(70a)平行延伸。
6.根据权利要求1所述的液体处理系统，其特征在于，
前述配管单元(21f)具有水平设置的箱，前述水平配管部(70a)在该箱中延伸。
7.根据权利要求6所述的液体处理系统，其特征在于，
还具备对前述箱内进行排气的排气管(74)。
8.根据权利要求1所述的液体处理系统，其特征在于，
前述液体处理部(21b)具有前述多个液体处理单元(22)的驱动系统被集中设置的驱动区域(21d)。
9.根据权利要求8所述的液体处理系统，其特征在于，
还具备对前述驱动区域内进行排气的排气管(73)。
10.根据权利要求1所述的液体处理系统，其特征在于，
还具备与前述液体处理部(21b)相邻设置、构成为能够对收纳多张基板(W)的基板收纳容器(C)进行载置的基板输入输出部(1)，前述基板输入输出部向前述液体处理部输入前述基板收纳容器内的基板，并将前述液体处理部中处理后的基板输出到前述基板收纳容器。
11.根据权利要求1所述的液体处理系统，其特征在于，
前述多个液体处理单元(22)具备相互平行设置的第一及第二列液体处理单元(21b、21c)，
前述水平配管部(70a)具备沿着前述第一及第二列液体处理单元各自的排列方向而延伸的第一及第二水平配管部(70a)，
前述第一及第二水平配管部通过连接配管部(107)连接，前述处理液从前述处理液存留部(21h)按前述第一水平配管部、前述连接配管部、以及前述第二水平配管部的顺序流动。
12.根据权利要求11所述的液体处理系统，其特征在于，
前述第一水平配管部(70a)、前述连接配管部(107)以及前述第二水平配管部(70a)相对前述处理液存留部(21h)形成使处理液循环的循环路径。
13.根据权利要求11所述的液体处理系统，其特征在于，
前述第一及第二列液体处理单元(21b、21c)被设置在输送路径(21a)的两侧，前述液体处理系统还具备沿着前述输送路径移动、将基板(W)输送给前述第一及第二列液体处理单元的输送机构(24)。
14.根据权利要求13所述的液体处理系统，其特征在于，
前述连接配管部(107)在前述输送路径(21a)的下侧通过。
15.根据权利要求14所述的液体处理系统，其特征在于，
前述输送路径(21a)的底部位于比前述配管单元(21f)的底部靠向下侧。
16.根据权利要求11所述的液体处理系统，其特征在于，
还具备向前述输送路径(21a)供给清洁空气的风机过滤单元(23)，前述液体处理单元(22)分别具备从前述输送路径导入前述清洁空气的导入部(49)。
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8919756B2 (en) * 2008-08-28 2014-12-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device, and coating device
US9214372B2 (en) * 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
JP5359285B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の運転方法
JP5445006B2 (ja) 2009-10-05 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5736687B2 (ja) 2009-10-06 2015-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5381592B2 (ja) 2009-10-06 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5562759B2 (ja) 2009-11-04 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5323661B2 (ja) 2009-12-07 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法
JP2011124343A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5490659B2 (ja) * 2009-12-09 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5361847B2 (ja) 2010-02-26 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
JP5639963B2 (ja) 2010-06-16 2014-12-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体
JP5240245B2 (ja) * 2010-06-22 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
JP5146526B2 (ja) 2010-12-28 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5146527B2 (ja) * 2010-12-28 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN102592961A (zh) * 2011-01-12 2012-07-18 柏连企业股份有限公司 晶片下片排片机
JP5474853B2 (ja) 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
US20130255724A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
US9958424B2 (en) * 2012-10-01 2018-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of identifying airborne molecular contamination source
US10471479B2 (en) * 2012-12-28 2019-11-12 SCREEN Holdings Co., Ltd. Treatment device and exhaust switching device therefor, and exhaust switching unit and switching valve box
JP6076101B2 (ja) * 2013-01-21 2017-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6027465B2 (ja) 2013-03-11 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US10501348B1 (en) 2013-03-14 2019-12-10 Angel Water, Inc. Water flow triggering of chlorination treatment
JP6289341B2 (ja) 2014-10-31 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
JP6430784B2 (ja) 2014-10-31 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6454629B2 (ja) * 2014-12-16 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
KR102384082B1 (ko) 2014-12-16 2022-04-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액 처리 장치
JP6462559B2 (ja) * 2015-05-15 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10553421B2 (en) 2015-05-15 2020-02-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
JP6737436B2 (ja) * 2015-11-10 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 膜処理ユニットおよび基板処理装置
KR102613750B1 (ko) * 2015-11-16 2023-12-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP6571022B2 (ja) 2016-02-04 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2018186451A1 (ja) 2017-04-06 2018-10-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP6895341B2 (ja) * 2017-08-10 2021-06-30 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US10522557B2 (en) 2017-10-30 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Surface topography by forming spacer-like components
JP7209503B2 (ja) * 2018-09-21 2023-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP7509657B2 (ja) * 2020-10-29 2024-07-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2022124795A (ja) 2021-02-16 2022-08-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
US6099643A (en) * 1996-12-26 2000-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section
JPH10303168A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3585217B2 (ja) * 2000-07-03 2004-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4100466B2 (ja) * 2000-12-25 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2003179025A (ja) * 2001-09-27 2003-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4093878B2 (ja) * 2003-02-20 2008-06-04 東京応化工業株式会社 多段式処理装置
JP3592702B1 (ja) * 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2005093769A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および気圧調節方法
JP2006019584A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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Publication number Publication date
KR20080010325A (ko) 2008-01-30
JP2008034490A (ja) 2008-02-14
EP1883100A3 (en) 2012-01-04
KR101061913B1 (ko) 2011-09-02
US7849864B2 (en) 2010-12-14
US20080023049A1 (en) 2008-01-31
JP4767783B2 (ja) 2011-09-07
EP1883100A2 (en) 2008-01-30
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