JP6076101B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、太陽電池用パネル基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して処理液を供給することにより、この基板を処理する基板処理装置に関する。

このような基板処理装置は、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、スピンチャックに支持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、スピンチャックに支持された基板の外周部に配設されスピンチャックから飛散する処理液を捕獲するためのカップと、基板に対して処理液を供給する前に処理液供給ノズルからプリディスペンスされる処理液を回収するためのプリディスペンスポッドと、カップおよびプリディスペンスポッド内から処理液を回収する回収管路とを備えた処理ユニットを有する（特許文献１参照）。この処理ユニットは、基板処理装置に複数個配設され、上下に重畳する状態でタワー状に配置される。そして、各処理ユニットで基板の処理に供された処理液は、共通の回収管路を介して、処理液回収部に回収される。

特開２００７−２５８４６２号公報

このような基板処理装置においては、混合されたときに発熱反応が生じて気体を発生する複数の処理液が使用される場合がある。このような場合に、これらの処理液が共通の回収管路を介して回収された場合には、これらの処理液が互いに混合されて反応し、気体が発生する。処理液の混合により気体が発生した場合には、回収管路内の圧力が増加し、加圧された気体が混合された処理液とともに、カップやプリディスペンスポッド等の大気解放された領域から基板処理装置の内部に噴出する可能性がある。このような現象が生じた場合には、処理中の基板に対して、処理液が付着するという不具合が生ずる。

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、発熱反応が生じて気体を発生する複数の処理液が混合された状態で回収された場合においても、回収管路内の圧力の上昇を効果的に抑制して、気体や処理液の噴出を防止することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、カップ内に配置された基板に対して処理液を供給する処理液供給部を備え、混合されたときに発熱反応が生じて気体を発生する複数の処理液により基板を処理する複数の処理ユニットと、各処理ユニットから排出される排液を回収する個別回収管路と、これらの個別回収管路に接続され、前記個別回収管路から排出される排液をまとめて回収する共通回収管路と、前記共通回収管路に連通し、前記発熱反応により発生した気体を前記共通回収管路の外部に排出する圧抜き管路とを備えたことを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記複数の処理ユニットは、各々、前記カップ内を排気するための排気部を有し、前記圧抜き管路は、前記複数の処理ユニットのうち一つの処理ユニットにおける排気部と、前記共通回収管路とを接続する。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記複数の処理ユニットは、上下に重畳する状態で配置されている。

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記圧抜き管路は、前記複数の処理ユニットのうち最上部に配置された処理ユニットにおける排気部と、前記共通回収管路とを接続する。

請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記複数の処理ユニットのうち最下部に配置された処理ユニットから排出される排液を回収する個別回収管路内に接続され、当該個別回収管路の圧力を測定する圧力測定手段を備える。

請求項６に記載の発明は、請求項３から請求項５のいずれかに記載の発明において、前記上下に重畳する状態で配置された複数の処理ユニットから成るタワーを複数備え、前記個別回収管路および前記共通回収管路と前記圧抜き管路は、前記各タワー毎に配設される。

請求項７に記載の発明は、請求項１から請求項６のいずれかに記載の発明において、各処理ユニットは、基板に対して処理液を供給する前に、処理液供給ノズルから吐出される処理液を回収するためのプリディスペンスポッドと、前記プリディスペンスポッドと前記個別回収管路とを接続する管路とをさらに備える。

請求項１に記載の発明によれば、発熱反応が生じて気体を発生する複数の処理液が混合された状態で回収された場合においても、圧抜き管路の作用により、回収管路内の圧力の上昇を効果的に抑制することができ、気体や処理液の噴出を防止することが可能となる。

請求項２に記載の発明によれば、複数の処理液が混合されることにより生じた気体や処理液を、排気部により回収することが可能となる。

請求項３に記載の発明によれば、上下に重畳する状態で配置された複数の処理ユニットからの処理液をまとめて効率的に回収することが可能となる。

請求項４に記載の発明によれば、最上部に配置された処理ユニットにおける排気部を使用することから、多量の気体が発生して回収管路内の圧力が極めて高くなった場合においても、排気部に気体や処理液が高圧で噴出することを防止することが可能となる。

請求項５に記載の発明によれば、気体の発生により圧力が最も上昇する最下部に配置された処理ユニットから排出される排液を回収する個別回収管路内の圧力を測定することから、回収管路内の圧力の上昇を正確に検出して、異常の発生を認識することが可能となる。

請求項６に記載の発明によれば、複数の処理ユニットから成る各タワーに対して回収管路と圧抜き管路を配設することから、複数のタワーからの発熱反応が生じて気体を発生する複数の処理液の混合の可能性を低下させて、気体の発生による圧力上昇の可能性をより低下させることが可能となる。

請求項７に記載の発明によれば、プリディスペンスポッドと個別回収管路とを管路により接続することで、プリディスペンスポッドからの排液を個別回収管路により回収して構成を簡易化することができるとともに、この場合においても、プリディスペンスポッドからの気体や処理液の噴出を防止することが可能となる。

この発明に係る基板処理装置の概要図である。 各処理ユニットの配置例を示す説明図である。 タワー１を構成する処理ユニットＡおよび処理ユニットＢにおいて実行される各処理工程のタイミングを示すタイミングチャートである。

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る基板処理装置の概要図である。また、図２は、各処理ユニットの配置例を示す説明図である。

この基板処理装置は、図示を省略したスピンチャックに保持されて回転する基板としての半導体ウエハ１００に対して、処理液を供給してその処理を実行するためのものである。図１および図２(ａ)に示すように、基板処理装置は、４個の処理ユニットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄより構成される。処理ユニットＡと処理ユニットＢとは、上下に重畳する状態で配置されており、これらの処理ユニットＡおよび処理ユニットＢは、タワー１を構成している。同様に、処理ユニットＣと処理ユニットＤとは、上下に重畳する状態で配置されており、これらの処理ユニットＣおよび処理ユニットＤは、タワー２を構成している。

処理ユニットＡは、半導体ウエハ１００に対して処理液を供給するための処理液供給部を構成する処理液供給ノズル２１ａと、半導体ウエハ１００の外周部を包囲するように配設され、半導体ウエハ１００から飛散する処理液を捕獲するためのカップ２２ａと、処理液供給ノズル２１ａから半導体ウエハ１００に処理液を供給する前にプリディスペンスされる処理液を回収するためのプリディスペンスポッド２４ａと、カップ２２ａ内を排気するための排気部２３ａとを備える。また、処理ユニットＡは、カップ２２ａにより回収されて排出される処理液の排液を回収する個別回収管路１１ａと、プリディスペンスポッド２４ａとこの個別回収管路１１ａとを接続する管路１３ａと、カップ２２ａと排気部２３ａとを接続する排気管路１４ａとを備える。

処理ユニットＡにおける個別回収管路１１ａには、電磁開閉弁１５ａが配設されている。管路１３ａには、電磁開閉弁１７ａが配設されている。カップ２２ａと排気部２３ａとを接続する管路には、電磁開閉弁１６ａが配設されている。プリディスペンスポッド２４ａと排気部２３ａとを接続する管路には、電磁開閉弁１８ａが配設されている。半導体ウエハ１００の処理時には、電磁開閉弁１５ａおよび電磁開閉弁１７ａが開放されており、電磁開閉弁１６ａおよび電磁開閉弁１８ａは閉止されている。カップ２２ａやプリディスペンスポッド２４ａの洗浄時には、電磁開閉弁１５ａおよび電磁開閉弁１７ａは閉止され、電磁開閉弁１６ａおよび電磁開閉弁１８ａが開放される。

また、処理ユニットＢは、処理液供給ノズル２１ｂと、半導体ウエハ１００の外周部を包囲するように配設され、半導体ウエハ１００から飛散する処理液を捕獲するためのカップ２２ｂと、処理液供給ノズル２１ｂから半導体ウエハ１００に処理液を供給する前にプリディスペンスされる処理液を回収するためのプリディスペンスポッド２４ｂと、カップ２２ｂ内を排気するための排気部２３ｂとを備える。また、処理ユニットＢは、カップ２２ｂにより回収されて排出される処理液の排液を回収する個別回収管路１１ｂと、プリディスペンスポッド２４ｂとこの個別回収管路１１ｂとを接続する管路１３ｂと、カップ２２ｂと排気部２３ｂとを接続する排気管路１４ｂとを備える。

処理ユニットＢにおける個別回収管路１１ｂには、電磁開閉弁１５ｂが配設されている。管路１３ｂには、電磁開閉弁１７ｂが配設されている。カップ２２ｂと排気部２３ｂとを接続する管路には、電磁開閉弁１６ｂが配設されている。プリディスペンスポッド２４ｂと排気部２３ｂとを接続する管路には、電磁開閉弁１８ｂが配設されている。半導体ウエハ１００の処理時には、電磁開閉弁１５ｂおよび電磁開閉弁１７ｂが開放されており、電磁開閉弁１６ｂおよび電磁開閉弁１８ｂは閉止されている。カップ２２ｂやプリディスペンスポッド２４ｂの洗浄時には、電磁開閉弁１５ｂおよび電磁開閉弁１７ｂは閉止され、電磁開閉弁１６ｂおよび電磁開閉弁１８ｂが開放される。管路１３ｂには、個別回収管路１１ｂに対してこの管路１３ｂを介して接続され、個別回収管路１１ｂの圧力を測定する圧力計１９が配設されている。

処理ユニットＡにおける個別回収管路１１ａと処理ユニットＢにおける個別回収管路１１ｂとは、共通回収管路１２に接続されている。処理ユニットＡにおける個別回収管路１１ａと、処理ユニットＢにおける個別回収管路１１ｂと、共通回収管路１２とは、タワー１における回収管路を構成する。処理ユニットＡから排出される処理液の排液と処理ユニットＢから排出される処理液の排液とは、個別回収管路１１ａ、１１ｂおよび共通回収管路１２から構成される回収管路を介して、クーリングユニットとも呼称される排液部１０に排出される。また、共通回収管路１２には、後述するように、この共通回収管路１２内に発生した気体を外部に排出するための圧抜き管路２０が接続されている。この圧抜き管路２０は、共通回収管路１２と、処理ユニットＡ、Ｂのうち最上部に配置された処理ユニットＡにおける排気部２３ａとを接続している。

処理ユニットＣは、処理液供給ノズル４１ｃと、半導体ウエハ１００の外周部を包囲するように配設され半導体ウエハ１００から飛散する処理液を捕獲するためのカップ４２ｃと、処理液供給ノズル４１ｃから半導体ウエハ１００に処理液を供給する前にプリディスペンスされる処理液を回収するためのプリディスペンスポッド４４ｃと、カップ４２ｃ内を排気するための排気部４３ｃとを備える。また、処理ユニットＣは、カップ４２ｃにより回収されて排出される処理液の排液を回収する個別回収管路３１ｃと、プリディスペンスポッド４４ｃとこの個別回収管路３１ｃとを接続する管路３３ｃと、カップ４２ｃと排気部４３ｃとを接続する排気管路３４ｃとを備える。

処理ユニットＣにおける個別回収管路３１ｃには、電磁開閉弁３５ｃが配設されている。管路３３ｃには、電磁開閉弁３７ｃが配設されている。カップ４２ｃと排気部４３ｃとを接続する管路には、電磁開閉弁３６ｃが配設されている。プリディスペンスポッド４４ｃと排気部４３ｃとを接続する管路には、電磁開閉弁３８ｃが配設されている。半導体ウエハ１００の処理時には、電磁開閉弁３５ｃおよび電磁開閉弁３７ｃが開放されており、電磁開閉弁３６ｃおよび電磁開閉弁３８ｃは閉止されている。カップ４２ｃやプリディスペンスポッド４４ｃの洗浄時には、電磁開閉弁３５ｃおよび電磁開閉弁３７ｃは閉止され、電磁開閉弁３６ｃおよび電磁開閉弁３８ｃが開放される。

また、処理ユニットＤは、処理液供給ノズル４１ｄと、半導体ウエハ１００の外周部を包囲するように配設され半導体ウエハ１００から飛散する処理液を捕獲するためのカップ４２ｄと、処理液供給ノズル４１ｄから半導体ウエハ１００に処理液を供給する前にプリディスペンスされる処理液を回収するためのプリディスペンスポッド４４ｄと、カップ４２ｄ内を排気するための排気部４３ｄとを備える。また、処理ユニットＤは、カップ４２ｄにより回収されて排出される処理液の排液を回収する個別回収管路３１ｄと、プリディスペンスポッド４４ｄとこの個別回収管路３１ｄとを接続する管路３３ｄと、カップ４２ｄと排気部４３ｄとを接続する排気管路３４ｄとを備える。

処理ユニットＤにおける個別回収管路３１ｄには、電磁開閉弁３５ｄが配設されている。管路３３ｄには、電磁開閉弁３７ｄが配設されている。カップ４２ｄと排気部４３ｄとを接続する管路には、電磁開閉弁３６ｄが配設されている。プリディスペンスポッド４４ｄと排気部４３ｄとを接続する管路には、電磁開閉弁３８ｄが配設されている。半導体ウエハ１００の処理時には、電磁開閉弁３５ｄおよび電磁開閉弁３７ｄが開放されており、電磁開閉弁３６および電磁開閉弁３８ｄは閉止されている。カップ４２ｄやプリディスペンスポッド４４ｄの洗浄時には、電磁開閉弁３５ｄおよび電磁開閉弁３７ｄは閉止され、電磁開閉弁３６ｄおよび電磁開閉弁３８ｄが開放される。管路３３ｄには、個別回収管路３１ｄに対してこの管路３３ｄを介して接続され、個別回収管路３１ｄの圧力を測定する圧力計３９が配設されている。

処理ユニットＣにおける個別回収管路３１ｃと処理ユニットＤにおける個別回収管路３１ｄとは、共通回収管路３２に接続されている。処理ユニットＣにおける個別回収管路３１ｃと、処理ユニットＤにおける個別回収管路３１ｄと、共通回収管路３２とは、タワー２における回収管路を構成する。処理ユニットＣから排出される処理液の排液と処理ユニットＤから排出される処理液の排液とは、個別回収管路３１ｃ、３１ｄおよび共通回収管路３２から構成される回収管路を介して、排液部１０に排出される。また、共通回収管路３２には、後述するように、この共通回収管路３２内に発生した気体を外部に排出するための圧抜き管路４０が接続されている。この圧抜き管路４０は、共通回収管路３２と、処理ユニットＣ、Ｄのうち最上部に配置された処理ユニットＣにおける排気部４３ｃとを接続している。

上述した各処理ユニットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいては、半導体ウエハ１００に対して、硫酸と過酸化水素を混合した処理液であるＳＰＭによる処理工程と、温水による温水洗浄工程と、アルカリ系の処理液であるＳＣ１による処理工程と、純水による純水洗浄工程と、乾燥工程とが順次実行される。なお、半導体ウエハ１００は、図示しない搬送アームにより、各処理ユニットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄに順番に搬送されることから、各処理ユニットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいては、ＳＰＭによる処理工程、温水による温水洗浄工程、ＳＣ１による処理工程、純水による純水洗浄工程および乾燥工程が、互いに独立したタイミングで実行される。

ＳＰＭは、各処理ユニットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、上述した処理液供給ノズル２１ａ、２１ｂ、４１ｃ、４１ｄより半導体ウエハ１００に供給される。また、温水と、ＳＣ１と、純水とは、各々、図示を省略したノズル等から半導体ウエハ１００に供給される。そして、半導体ウエハ１００に供給された後のＳＰＭは、上述した各回収管路により回収され、排液部１０に排出される。一方、ＳＣ１と純水とは、半導体ウエハ１００に供給され、上述した回収管路とは別の回収管路により回収される。さらに、温水洗浄工程においては、初期の段階においては回収された温水中に高濃度のＳＰＭが含まれることから、半導体ウエハ１００に供給された温水は、上述した各回収管路により回収され、排液部１０に排出される。これに対して、温水洗浄工程の後半においては、温水中のＳＰＭの濃度が低下することから、半導体ウエハ１００に供給された温水は、上述した回収管路とは別の回収管路により回収され、他の排液部に排出される。

以上のような構成を有する基板処理装置においては、半導体ウエハ１００に供給されたＳＰＭと温水が混合されることにより発熱反応が生じて気体を発生し、回収管路内の圧力が上昇する場合がある。

この点について、図３に基づいて説明する。図３は、タワー１を構成する処理ユニットＡおよび処理ユニットＢにおいて実行される各処理工程のタイミングを示すタイミングチャートである。なお、タワー２を構成する処理ユニットＣおよび処理ユニットＤにおいても、同様の工程により各処理工程が実行される。

図３に示すように、処理ユニットＡにおいては、図示しない搬送アームにより半導体ウエハ１００がカップ２２ａ内に搬入された後に、この半導体ウエハ１００に対して、ＳＰＭによる処理工程と、温水による温水洗浄工程と、ＳＣ１による処理工程と、純水による純水洗浄工程とが順次実行される。そして、上述したように、ＳＰＭと、温水洗浄工程の前半において処理に供された温水とは、上述した各回収管路により回収され、排液部１０に排出される。一方、温水洗浄工程の後半において処理に供された温水と、ＳＣ１と、純水とは、上述した回収管路とは別の回収管路により回収され、他の排液部に排出される。

一方、処理ユニットＢにおいては、処理ユニットＡにおいてＳＰＭによる処理が実行されている途中で、図示しない搬送アームによりカップ２２ｂ内に半導体ウエハ１００が搬入された後に、この半導体ウエハ１００に対して、ＳＰＭによる処理工程と、温水による温水洗浄工程と、ＳＣ１による処理工程と、純水による純水洗浄工程とが順次実行される。そして、処理ユニットＢにおいても、ＳＰＭと、温水洗浄工程の前半において処理に供された温水とは、上述した各回収管路により回収され、排液部１０に排出される。一方、温水洗浄工程の後半において処理に供された温水と、ＳＣ１と、純水とは、上述した回収管路とは別の回収管路により回収され、他の排液部に排出される。

このため、図３に示すように、処理ユニットＡにおいてＳＰＭによる処理工程終了後に温水洗浄工程開始したときに、処理ユニットＢにおいてはＳＰＭによる処理工程が実行されることから、処理ユニットＡにおける個別回収管路１１ａを流下した温水と処理ユニットＢにおける個別回収管路１１ｂを流下したＳＰＭが共通回収管路１２において混合される。このため、共通回収管路１２内において気体が発生し、共通回収管路１２内の圧力が上昇する。

しかしながら、タワー１においては、共通回収管路１２と処理ユニットＡにおける排気部２３ａとが圧抜き管路２０により接続されていることから、この圧抜き管路２０により共通回収管路１２内に発生した気体を排気部２３ａに排出することができ、共通回収管路１２内の圧力の上昇を防止することができる。このとき、圧抜き管路２０は、共通回収管路１２を、タワー１における最上部に配置された処理ユニットＡの排気部２３ａに接続していることから、多量の気体が発生して共通回収管路１２内の圧力が極めて高くなった場合においても、排気部２３ａに気体や処理液が高圧で噴出することを防止することが可能となる。

このため、処理ユニットＡにおける個別回収管路１１ａを流下した温水(純水)と処理ユニットＢにおける個別回収管路１１ｂを流下したＳＰＭが共通回収管路１２において混合され、共通回収管路１２内において気体が発生した場合においても、大気解放されたカップ２２ａ、２２ｂから気体や処理液が噴出して半導体ウエハ１００の処理に悪影響を及ぼすことを防止することが可能となる。

また、プリディスペンスポッド２４ａは管路１３ａを介して個別回収管路１１ａに接続されており、プリディスペンスポッド２４ｂは管路１３ｂを介して個別回収管路１１ｂに接続されていることから、プリディスペンスポッド２４ａ、２４ｂが共通回収管路１２と接続されている場合に比べ、大気解放されたプリディスペンスポッド２４ａ、２４ｂから気体や処理液が噴出することを効果的に防止することが可能となる。

さらに、タワー１における最下部に配設された処理ユニットＢの管路１３ｂには、個別回収管路１１ｂに対してこの管路１３ｂを介して接続され、個別回収管路１１ｂの圧力を測定する圧力計１９が配設されている。このため、何らかの原因で共通回収管路１２内の圧力が上昇した場合には、この圧力の上昇を圧力計１９により検出することができる。従って、大気解放されたカップ２２ａ、２２ｂから気体や処理液が噴出して半導体ウエハ１００の処理に影響が生じた可能性がある場合には、その現象の発生を認識することが可能となる。

なお、共通回収管路１２内の圧力が上昇した場合には、タワー１における最下部に配設された処理ユニットＢにおける個別回収管路１１ｂ内の圧力が最も高くなることから、個別回収管路１１ｂの圧力を検出する圧力計１９を配設すれば、処理ユニットＡにおける個別回収管路１１ａ内の圧力を検出する必要はない。

また、上記と同様、タワー２を構成する処理ユニットＣおよび処理ユニットＤにおいても、搬送アームによる半導体ウエハ１００の搬送の都合上、処理ユニットＣにおいてＳＰＭによる処理工程終了後に温水による温水洗浄工程を実行しているときに、処理ユニットＤにおいてはＳＰＭによる処理工程が実行されることから、処理ユニットＣにおける個別回収管路３１ｃを流下した温水と処理ユニットＤにおける個別回収管路３１ｄを流下したＳＰＭが共通回収管路３２において混合される。このため、共通回収管路３２内において気体が発生し、共通回収管路３２内の圧力が上昇する。

この場合においても、タワー２においては、共通回収管路３２と処理ユニットＣにおける排気部４３ｃとが圧抜き管路４０により接続されていることから、この圧抜き管路４０により共通回収管路３２内に発生した気体を排気部４３ｃに排出することができ、共通回収管路３２内の圧力の上昇を防止することができる。このとき、圧抜き管路４０は、共通回収管路３２を、タワー２における最上部に配置された処理ユニットＣの排気部４３ｃに接続していることから、多量の気体が発生して共通回収管路３２内の圧力が極めて高くなった場合においても、排気部４３ａに気体や処理液が高圧で噴出することを防止することが可能となる。

このため、処理ユニットＣにおける個別回収管路３１ｃを流下した温水と処理ユニットＤにおける個別回収管路３１ｄを流下したＳＰＭが共通回収管路３２において混合され、共通回収管路３２内において気体が発生した場合においても、大気解放されたカップ４２ｃ、４２ｄから気体や処理液が噴出して半導体ウエハ１００の処理に悪影響を及ぼすことを防止することが可能となる。

また、プリディスペンスポッド４４ｃは管路３３ｃを介して個別回収管路３１ｃに接続されており、プリディスペンスポッド４４ｄは管路３３ｄを介して個別回収管路３１ｄに接続されていることから、プリディスペンスポッド４４ｃ、４４ｄが共通回収管路３２と接続されている場合に比べ、大気解放されたプリディスペンスポッド４４ｃ、４４ｄから気体や処理液が噴出することを効果的に防止することが可能となる。

さらに、タワー２における最下部に配設された処理ユニットＤの管路３３ｃには、個別回収管路３１ｄに対してこの管路３３ｄを介して接続され、個別回収管路３１ｄの圧力を測定する圧力計３９が配設されている。このため、何らかの原因で共通回収管路３２内の圧力が上昇した場合には、この圧力の上昇を圧力計３９により検出することができる。従って、大気解放されたカップ４２ｃ、４２ｄから気体や処理液が噴出して半導体ウエハ１００の処理に影響が生じた可能性がある場合には、その現象の発生を認識することが可能となる。

そして、処理ユニットＡおよび処理ユニットＢからなるタワー１と処理ユニットＣおよび処理ユニットＤからなるタワー２に対して、各々、共通回収管路１２、３２と圧抜き管路２０、４０とを配設することから、これらのタワー１、２からの発熱反応が生じて気体を発生する複数の処理液の混合の可能性を低下させて、気体の発生による圧力上昇の可能性をより低下させることが可能となる。

なお、上述した実施形態においては、図２(ａ)に示すように、上下に重畳する状態で配置された２個の処理ユニットＡ、Ｂからなるタワー１と、上下に重畳する状態で配置された２個の処理ユニットＣ，Ｄからなるタワー２とを備えた基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明した。しかしながら、この発明は、このような構成に限定されるものではない。例えば、図２(ｂ)に示すように、上下に重畳する状態で配置された３個の処理ユニットＡ、Ｂ、Ｅからなるタワー１と、上下に重畳する状態で配置された３個の処理ユニットＣ，Ｄ、Ｆからなるタワー２とを備えた基板処理装置にこの発明を適用してもよい。この場合においては、圧抜き管路は、共通回収管路と最上部に配置された処理ユニットＡ、Ｃにおける排気部とを接続すればよい。また、圧力計は、最下部に配置された処理ユニットＥ、Ｆにおける個別回収管路の圧力を測定するようにすればよい。

また、上述した実施形態においては、処理ユニットＡにおける個別回収管路１１ａと処理ユニットＢにおける個別回収管路１１ｂとを、直接、共通回収管路１２に接続するとともに、処理ユニットＣにおける個別回収管路３１ｃと処理ユニットＤにおける個別回収管路３１ｃとを、直接、共通回収管路３２に接続している。しかしながら、個別回収管路１１ａと個別回収管路１１ｂとを、混合用のボックス等を介して共通回収管路１２に接続し、また、個別回収管路３１ｃと個別回収管路３１ｄとを、混合用のボックス等を介して共通回収管路３２に接続するようにしてもよい。

さらに、上述した実施形態においては、個別回収管路１１ｂの圧力を測定するために圧力計１９を、また、個別回収管路３１ｄの圧力を測定するために圧力計３９を使用しているが、圧力計１９、３９にかえて流量計を使用し、この流量計により測定した気体の流量に基づいて個別回収管路１１ｂ、３１ｄの圧力を測定するようにしてもよい。

なお、上述した実施形態で使用した薬液は一例であり、他の薬液を用いることもできる。この発明は、混合されたときに発熱反応が生じて気体を発生する処理液を用いる場合に効果を奏する。例えば、純水や温水に換えて他の薬液成分を含む処理液によって洗浄処理が行われてもよい。他の薬液成分とは、塩酸、炭酸、過酸化水素水、オゾンなどの酸系薬液、アンモニアなどのアルカリ性薬液を含む。

１ タワー
２ タワー
１０ 排液部
１１ 個別回収管路
１２ 共通回収管路
１３ 管路
１４ 排気管路
２０ 圧抜き管路
２１ 処理液供給ノズル
２２ カップ
２３ 排気部
２４ プリディスペンスポッド
３１ 個別回収管路
３２ 共通回収管路
３３ 管路
３４ 排気管路
４０ 圧抜き管路
４１ 処理液供給ノズル
４２ カップ
４３ 排気部
４４ プリディスペンスポッド
１００ 半導体ウエハ
Ａ 処理ユニット
Ｂ 処理ユニット
Ｃ 処理ユニット
Ｄ 処理ユニット

Claims (7)

1. カップ内に配置された基板に対して処理液を供給する処理液供給部を備え、混合されたときに発熱反応が生じて気体を発生する複数の処理液により基板を処理する複数の処理ユニットと、
   各処理ユニットから排出される排液を回収する個別回収管路と、
   これらの個別回収管路に接続され、前記個別回収管路から排出される排液をまとめて回収する共通回収管路と、
   前記共通回収管路に連通し、前記発熱反応により発生した気体を前記共通回収管路の外部に排出する圧抜き管路と、
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記複数の処理ユニットは、各々、前記カップ内を排気する排気部を有し、
   前記圧抜き管路は、前記複数の処理ユニットのうち一つの処理ユニットにおける排気部と、前記共通回収管路とを接続する基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記複数の処理ユニットは、上下に重畳する状態で配置されている基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記圧抜き管路は、前記複数の処理ユニットのうち最上部に配置された処理ユニットにおける排気部と、前記共通回収管路とを接続する基板処理装置。
5. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記複数の処理ユニットのうち最下部に配置された処理ユニットから排出される排液を回収する個別回収管路内に接続され、当該個別回収管路の圧力を測定する圧力測定手段を備える基板処理装置。
6. 請求項３から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   上下に重畳する状態で配置された複数の処理ユニットから成るタワーを複数備え、
   前記個別回収管路および前記共通回収管路と前記圧抜き管路は、前記各タワー毎に配設される基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
   各処理ユニットは、
   基板に対して処理液を供給する前に、処理液供給ノズルから吐出される処理液を回収するためのプリディスペンスポッドと、
   前記プリディスペンスポッドと前記個別回収管路とを接続する管路と、
   をさらに備える基板処理装置。

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