CN100565803C - 用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置 - Google Patents

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4539680B2 (ja) * 2007-05-14 2010-09-08 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP2009088305A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体デバイスの製造方法
WO2009011303A1 (ja) * 2007-07-13 2009-01-22 Canon Anelva Corporation Ｓｉ層凝集抑制方法、半導体装置の製造方法及び真空処理装置
JP5194912B2 (ja) * 2008-03-17 2013-05-08 信越半導体株式会社 スーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法
JP5572924B2 (ja) 2008-06-23 2014-08-20 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
WO2010109892A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 株式会社Sumco 半導体基板、半導体装置及び半導体基板の製造方法
CN102117763A (zh) * 2010-01-06 2011-07-06 上海华虹Nec电子有限公司 获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的制作工艺方法
JP5533067B2 (ja) * 2010-03-15 2014-06-25 富士電機株式会社 超接合半導体装置の製造方法
CN102456551A (zh) * 2010-10-21 2012-05-16 上海华虹Nec电子有限公司 外延生长方法
CN102468133A (zh) * 2010-11-15 2012-05-23 上海华虹Nec电子有限公司 一种具有沟槽的半导体结构的形成方法
JP5702622B2 (ja) * 2011-02-14 2015-04-15 株式会社Sumco トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法
KR20130014850A (ko) * 2011-08-01 2013-02-12 삼성전자주식회사 파워소자의 제조방법
CN103094107B (zh) * 2011-10-28 2016-06-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种深沟槽的硅外延填充方法
JP5931780B2 (ja) * 2013-03-06 2016-06-08 東京エレクトロン株式会社 選択エピタキシャル成長法および成膜装置
JP6150075B2 (ja) * 2014-05-01 2017-06-21 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法
JP6223941B2 (ja) * 2014-09-26 2017-11-01 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置
CN107527818B (zh) * 2017-07-21 2020-02-07 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超级结的制造方法
JP7073767B2 (ja) 2018-02-09 2022-05-24 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素基板の製造方法
JP6952620B2 (ja) * 2018-02-23 2021-10-20 東京エレクトロン株式会社 シリコン膜またはゲルマニウム膜またはシリコンゲルマニウム膜を成膜する方法および装置
CN110896027A (zh) * 2019-12-05 2020-03-20 中国科学院微电子研究所 一种半导体器件纳米线及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04177825A (ja) * 1990-11-13 1992-06-25 Clarion Co Ltd エピタキシャル成長方法及び化学気相成長装置
JP3209731B2 (ja) * 1998-09-10 2001-09-17 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2000340578A (ja) * 1999-05-28 2000-12-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2001267242A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
JP3424667B2 (ja) * 2000-10-13 2003-07-07 株式会社デンソー 半導体基板の製造方法
CN1331238C (zh) * 2001-09-19 2007-08-08 株式会社东芝 半导体装置及其制造方法
JP2004047967A (ja) * 2002-05-22 2004-02-12 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4695824B2 (ja) * 2003-03-07 2011-06-08 富士電機ホールディングス株式会社 半導体ウエハの製造方法
JP3915984B2 (ja) * 2003-06-17 2007-05-16 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
JP4539052B2 (ja) * 2003-08-06 2010-09-08 富士電機システムズ株式会社 半導体基板の製造方法
JP4534041B2 (ja) * 2005-08-02 2010-09-01 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法

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