JP2007288213A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型半導体基板11に、ターゲットトレンチとなる第1のトレンチ14を形成し、第1のトレンチ14の内側と半導体基板11の表面をマスクで被覆し、そのマスクの第2のトレンチの形成領域部分を除去し、半導体基板11の、マスクにより被覆されていない領域に第2のトレンチ17を形成し、その際、第1のトレンチの深さが第2のトレンチの深さの1/5よりも大きくなるようにし、第2のトレンチ17内にp型半導体をエピタキシャル成長させ、並列pn接合構造のp型半導体領域18を形成し、マスク除去後に表面を第2のトレンチ17の深さの1/5以下に相当する厚さ分だけ研磨する。
【選択図】図9
Description
図1〜図8は、本発明の実施の形態1による製造途中の半導体基板の概略を示す縦断面図である。まず、図1に示すように、低抵抗のn型シリコン半導体基板11を用意し、その表面にトレンチエッチングのマスクとなる酸化膜12を形成する。なお、マスクは、酸化膜に限らず、窒化膜などの絶縁膜でもよい。そして、図2に示すように、図示しないマスクを用い、フォトリソグラフィー技術によって、酸化膜12の一部を除去し、半導体基板11の、ターゲットトレンチとなる第1のトレンチの形成領域13を露出させる。
図11〜図19は、本発明の実施の形態2による製造途中の半導体基板の概略を示す縦断面図である。なお、実施の形態1と同じ構成については、実施の形態1と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。まず、実施の形態1と同様にして、低抵抗のn型シリコン半導体基板11に深さが1μm以下の第1のトレンチ24を形成する(図11)。ついで、実施の形態1と同様にして、マスク兼保護膜となる酸化膜15を形成し(図12)、第2のトレンチの形成領域16を露出させ(図13)、第2のトレンチ17を形成した後(図14)、エピタキシャル成長により第2のトレンチ17の内側にp型半導体領域18を形成する(図15)。
図21〜図24は、本発明の実施の形態3による製造途中の半導体基板の概略を示す縦断面図である。なお、実施の形態1と同じ構成については、実施の形態1と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。まず、図21に示すように、低抵抗のn型シリコン半導体基板11の表面に、トレンチエッチングのマスクとなる酸化膜12を形成し、その酸化膜12の一部をフォトリソグラフィー技術によって除去し、半導体基板11の、ターゲットトレンチとなる第1のトレンチの形成領域33、および並列pn接合構造を形成するためのトレンチとなる第2のトレンチの形成領域16を露出させる。
図25〜図27は、本発明の実施の形態4による製造途中の半導体基板の概略を示す縦断面図である。なお、実施の形態1と同じ構成については、実施の形態1と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。実施の形態4では、低抵抗のn型シリコン半導体基板11に、ターゲットトレンチとなる第1のトレンチ44と、並列pn接合構造を形成するためのトレンチとなる第2のトレンチ17を、ほぼ同じ開口幅となるように形成する。
14,24,34,44 第1のトレンチ
15,25 マスク(酸化膜)
17 第2のトレンチ
18 第2導電型の半導体(p型半導体領域)
27 第3のトレンチ
Claims (2)
- n型半導体領域とp型半導体領域とが交互に繰り返し接合された構成の並列pn接合構造を有する半導体基板を製造するにあたって、
第1導電型の半導体基板に第1のトレンチおよび第2のトレンチを形成する工程と、
前記第1のトレンチの開口幅は、スクラブラインの幅以下で、かつ前記第2のトレンチの開口幅の1.5倍よりも大きくすることで、前記第2のトレンチが完全に埋まり、一方、前記第1のトレンチは完全に埋まらないように、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチの内側に第2導電型の半導体をエピタキシャル成長させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 研磨に費やす時間を管理しながら、表面を、前記第2のトレンチの深さの1/5以下に相当する厚さ分だけ研磨して平坦化する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
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2007
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