JP5572924B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ところが、このトレンチ埋め込みエピタキシャル方式は、トレンチ内にエピタキシャル成長でp型シリコン層を埋め込む際に、表面にマスク酸化膜が残っていると、埋め込み工程の終了段階でエピタキシャル層がマスク酸化膜上に横方向に成長し、成長面の結晶性が悪化するという問題がある。この埋め込み後の追加成長(オーバーエピタキシャル成長)の処理時間が長いと、マスク酸化膜上に成長したシリコン層(オーバーエピタキシャル層)中に発生した結晶欠陥が、酸化膜下の半導体基板にも拡散することがあるからである。この場合、もはや、このオーバーエピタキシャル層を表面研磨により除去しても、半導体基板内の結晶欠陥は残存するため、デバイスの漏れ電流増加の原因は残ったままとなる。そのような結晶欠陥の原因となり得るオーバーエピタキシャル層を形成せずに、すべてのトレンチがエピタキシャル成長により開口部表面端部までシリコン層で埋め込まれた状態で処理を直ちに終了することが望ましいが、処理バッチ毎に成長レートがばらつき、またウエハ面内でも成長レートがばらつくため、ウエハ面内のすべてのトレンチがすべて過不足なく埋め込まれた状態で確実に処理を終了することは実際には不可能である。また、エピタキシャル成長時間が少なくて埋め込み不足が発生する場合は期待するデバイス特性が得られなくなるので、デバイス作成上は前述のオーバーエピタキシャル工程が必要不可欠な工程であると言わざるを得ない。そこで、トレンチ内をエピタキシャル成長で埋める工程の前に結晶欠陥の発生源となる前記マスク酸化膜を除くことが考えられる。このような製造方法で、別途アライメントマーカーを設けてトレンチ内にエピタキシャル膜を埋め込むことにより、超接合構造を形成する方法については既に公開されている(特許文献1)
ボイドの発生を抑えつつトレンチをエピタキシャル膜で埋め込んだ後の基板の平坦化を容易に行うために、速い成長速度で形成したエピタキシャル膜を積層する製造方法について公開されている(特許文献2)。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、前記第一のマスク膜がシリコン酸化膜、または前記第二のマスク膜がシリコン窒化膜とすることができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、前記第一のエッチングはボッシュプロセスまたは誘導結合プラズマによる反応性イオンエッチング法とするのが好ましい。
本発明によれば、前記第七工程において、前記研磨は研磨パッドにより行い、前記研磨パッドが前記第二のマスク膜に接触することによる研磨モータのトルク変動を検出して、研磨処理の終了を判定し、その後、前記エピタキシャル半導体層表面を前記第二のエッチングをして前記第一導電型領域表面を露出させる。また、前記第二のエッチングはエッチバックである半導体装置の製造方法とする。
高不純物濃度のn型シリコン半導体基板上に成長させた低不純物濃度のn型エピタキシャルシリコン層の表面に、トレンチ形成用のマスク酸化膜とシリコン窒化膜とをこの順に形成する。スクライブ領域のシリコン窒化膜をパターニングにより残すと同時にマスク合わせ用マーカーをスクライブ領域に開口する。マスク酸化膜にトレンチパターンを開口後、該開口部から高アスペクト比が得られるエッチングを施してトレンチを形成する。その後、スクライブ領域外のマスク酸化膜を全面除去し、前記トレンチ内にエピタキシャル成長によりp型シリコン層を埋め込む。この際、すべてのトレンチ内をすべて充分にp型シリコン層で満たすために、エピタキシャル成長のばらつきなどを考慮してトレンチ内をオーバーするようにエピタキシャル層を堆積させる必要がある。しかしながら、従来と異なり、本発明の製造方法では基板表面にマスク酸化膜が存在しないので横方向のエピタキシャル成長が起こらず、結晶欠陥の発生が抑制される。次に、前記p型オーバーエピタキシャル層を研磨により除去する。その際、研磨パッドがスクライブ領域のシリコン窒化膜に当たり始めてモータトルクが変動したら、モータ電流の変化を検出して研磨終了を精度よく判定する。その後、前記シリコン窒化膜とマスク酸化膜の厚さ分残っている極薄い前記p型オーバーエピタキシャル層をエッチングにより高精度に除去する。この結果、従来のマスク酸化膜に起因する埋め込みp型エピタキシャル成長時の結晶欠陥発生を防ぐとともに、さらにp型n型カラムとMOSセル構造とを正確に位置合わせするためのマーカーを確実に形成できる。
図1、図2は本発明の600V−SJ−MOSFETの実施例にかかる主要な製造工程を順に示す要部断面図である。図3は本発明の600V−SJ−MOSFETの要部断面図である。図4は従来と本発明のSJ−MOSFETの漏れ電流分布を比較するグラフ図である。図5は従来と本発明のSJ−ダイオードの耐圧分布を比較するグラフ図である。
この時、図1(b)に示すように、スクライブ領域内のシリコン窒化膜にマーカー5が形成され、スクライブ領域外のシリコン窒化膜4は除去される。再度、レジスト塗布後に露光して、SJ−p型カラム形成用の幅6μmのストライプ状表面パターンを6μm間隔で形成する。図1(c)に示すように、シリコン酸化膜3をパターンエッチングにより開口して、シリコン面を露出させた後、レジストを除去する。次に、図1(d)に示すように、公知のBoschプロセス法のSiエッチャー(六フッ化硫黄SF6)により、シリコン酸化膜3の開口部から垂直に深さ45μmの高アスペクト比のトレンチ6を形成する。同時に、スクライブ領域の位置合わせ用マーカー5にも深いトレンチマーカーが形成される。マスク用のシリコン酸化膜3(以降マスク酸化膜と略記する)自体もエッチングされて膜厚が薄くなり、当初の膜厚0.8μmから残厚0.45μmになる。図2(e)に示すように、弗酸によるウェットエッチングでスクライブ領域外のマスク酸化膜3を除去する。スクライブ領域のシリコン窒化膜4で覆われたシリコン酸化膜3はエッチングされずに残る。また、この際、図示しないが、裏面酸化膜も同時に除去される。
尚、公知のBoschプロセス法は、誘導結合プラズマによる反応性イオンエッチング法としてもよい。
膜4に当たるようになると、モータトルクの変化によりモータ電流が変動する。モータ電流変動を検出することで、研磨終了判定を行い、若干オーバー研磨した後に研磨をストップする。研磨表面はシリコン窒化膜4面が基準となるので、研磨表面位置を精度良く制御することができる。従って、研磨表面からトレンチ埋め込みp型シリコン層底部までの深さを精度良く管理することができ、耐圧ばらつきを低減することができる。図2(h)に示すように、シリコンエッチャーによりp型オーバーエピタキシャル層7−1を表面から1.5μmエッチバックし、p型オーバーエピタキシャル層7−1を完全除去する。これはシリコン表面にn型シリコン層2の表面を露出させて電流経路を確保するために必要な処理である。同時にスクライブ領域は活性領域より1.5μm高い段差が形成されるので、マーカー5として利用できる。これ以降のプロセス工程は通常のプレーナ型MOS構造を有するMOSデバイス(たとえば、MOSFET)の形成工程と同じであるから、簡単な記述に留める。TEOS(Tetra EtylOxy Silicate)膜により、活性領域を取り巻く周辺耐圧構造部の表面を保護するフィールド酸化膜とし、素子の主電流の流れる領域である活性領域に相当する部分のTEOS膜をフォト/エッチングにより除去する。900℃で1000Åのゲート酸化膜8を成長させ、その上に厚さ0.5μmのポリ(多結晶)シリコンを堆積させてゲート電極9とする。パターニングおよびRIEエッチングによりポリシリコンに窓開けする。前述のマーカー5に整合させてゲートポリシリコン9をパターニングし、ボロンイオン注入し、さらに熱拡散によりpベース領域10を形成する。このようにしてp型カラム7とpベース領域10を正確に位置合わせすることができる。n+ソース領域11の形成後、層間絶縁膜1
2として1.1μmのBPSG(Boro Phospho Silicate Glass)を成長させ、パターニングおよびエッチングによりコンタクトホールを空ける。Al−Siを5μm成長させ、ソース表面電極13とする。Al−Siのパターニング後に、ポリイミドにより表面保護膜14を形成する。基板の裏面側からシリコンを研削研磨し、ドレイン裏面電極15をTi、Ni、Auなどの積層蒸着により形成すると、図3の要部断面図に示すSJ−MOSFETのウエハプロセスが完了する。
また、図5は従来と本発明のSJダイオードの耐圧分布を比較するグラフ図である。本発明のSJダイオードではシリコン窒化膜を利用する研磨ストッパにより研磨精度が向上し、SJ−p型カラム深さを精度良く管理できるので、従来の製造方法によるSJダイオードに比べて耐圧分布の広がりが小さく、ばらつきが減少することが分かる。従って良品率が向上する。
本発明により、トレンチ埋め込み型SJ−MOSFETにおいて、結晶欠陥による漏れ電流を低減することができる。また製造工程において、トレンチへ埋め込むためのエピタキシャル成長時に結晶欠陥を発生させ易いマスク酸化膜を除去しても、p型n型カラムとMOSセル構造とを正確に位置合わせするためのマーカーをスクライブ領域に形成しておくことができるので、後工程のマスク合わせ工程に支障が生じることなく製造でき、漏れ電流の小さいSJ−MOSFETを製造することができ、デバイスを高い良品率で製造することが可能になる。さらに製造工程においても、オーバーエピタキシャル層を研磨により良好な厚さを制御しながら除去できる。その後、表面に残ったオーバーエピタキシャル層の厚さも、良好に制御できる。その結果、過不足のないシリコンエッチングにより、精度よくn型シリコン基板表面を露出させることができるので、p型埋め込み層の深さがばらつかず、デバイスの耐圧ばらつきを抑えることができる。
2 n型シリコン層
3 シリコン酸化膜
4 シリコン窒化膜
5 マーカー
6 トレンチ
7 p型エピタキシャル層、p型カラム
8 ゲート酸化膜
9 ゲートポリシリコン
10 pベース領域
11 n+ソース領域
12 層間絶縁膜
13 ソース表面電極
14 表面保護膜
15 ドレイン裏面電極。
Claims (8)
- 高不純物濃度で第一導電型半導体基板の一方の主面上に低不純物濃度で第一導電型のエピタキシャル半導体層を形成する第一工程と、該第一導電型のエピタキシャル半導体層の主電流が前記一方の主面に垂直な方向に流れる活性領域に、前記主電流が流れる方向に平行に第一導電型領域と第二導電型領域が交互に隣接するカラム状の領域を有し、オン状態で電流を流し、オフ状態で、空乏化する超接合構造を形成するために、前記一方の主面全面に第一のマスク膜と、前記第一のマスク膜と異なる材質の第二のマスク膜との積層膜をこの順に形成する第二工程と、スクライブ領域パターン内のマスク合わせ用マーカー領域と前記スクライブ領域パターン外の領域とに設けられている前記積層膜の前記第二のマスク膜を選択的に除去して前記第一のマスク膜を選択的に露出させる第三工程と、前記第三工程において露出された前記第一のマスク膜に、前記活性領域に前記第二導電型領域を前記第一導電型領域と交互に隣接する前記カラム状の領域とするために必要な、第一のトレンチ形成用の第一の開口部を形成する第四工程と、前記第四工程において前記第一の開口部を形成された前記第一のマスク膜をエッチングマスクとして第一のエッチングにより第一のトレンチを形成する第五工程と、前記第五工程の後に前記第二のマスク膜で覆われた領域外の前記第一のマスク膜の除去を行い、前記第二のマスク膜で覆われた領域以外の領域にエピタキシャル半導体層を成長させる第六工程と、前記エピタキシャル半導体層を前記第二のマスク膜をストッパとして研磨した後、前記第二のマスク膜で覆われた領域以外の前記エピタキシャル半導体層表面を第二のエッチングをすることにより、前記活性領域では前記第一導電型領域表面を露出させた前記超接合構造と、前記スクライブ領域パターンでは前記マスク合わせ用マーカー領域より前記マスク合わせ用マーカー領域外の前記スクライブ領域パターンの高さが高い段差を有するマスク合わせ用マーカーとを同時に形成する第七工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記第一のマスク膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第二のマスク膜がシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第四工程では、前記マスク合わせ用マーカー領域の前記第二のマスク膜で覆われた領域以外の前記第一のマスク膜を除去することにより第二の開口部を形成し、
前記第五工程では、前記積層膜をエッチングマスクとして用い、前記第二の開口部から前記第一のエッチングにより、前記第一のトレンチと同時に第二のトレンチを形成し、前記第六工程では、前記第一のトレンチと同時に前記第二のトレンチを前記エピタキシャル半導体層で埋め込むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第一のエッチングはボッシュプロセスまたは誘導結合プラズマによる反応性イオンエッチング法を用いたエッチングであることを特徴とする請求項1または4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第七工程において、前記研磨は研磨パッドにより行い、前記研磨パッドが前記第二のマスク膜に接触することによる研磨モータのトルク変動を検出して、研磨処理の終了を判定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第二のエッチングはエッチバックであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第七工程の後に、前記超接合構造の表面にゲート酸化膜を形成し、前記ゲート酸化膜上にゲート電極用の多結晶シリコンを形成し、前記マスク合わせ用マーカーを用いて前記多結晶シリコンをパターニングし、第二導電型のベース領域を前記第二導電型領域上に形成する第八工程を備えることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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