JP5702622B2 - トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法 - Google Patents
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エッチングガス流量を0slm、0.10slm、0.20slmにそれぞれ変更した成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行った。エッチングガスの有無におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度の関係を図3に示す。また、上記成長条件について、トレンチ埋め込み特性を評価した結果を図4に示す。図4は各エッチングガス流量におけるトレンチ埋め込み特性で、トレンチ埋め込みエピタキシャル成長の後、エッチングを行ってウェーハ断面をSEMにより観察した結果である。なお、エッチングガス流量0slmは、エッチングガスを添加しない、シリコンソースガスのみを原料ガスとした例である。
シリコンソースガス流量及びエッチングガス流量をともに0.10slmに不変にし、成長温度のみを920℃、900℃にそれぞれ変更した成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行った。成長温度を変更した場合におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度の関係を図7に示す。
シリコンソースガス流量を0.10slmに不変にし、エッチングガス流量のみを0.10slm、0.20slm、0.30slmにそれぞれ変更した成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行った。エッチングガス流量を変更した場合におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度の関係を図8に示す。
シリコンソースガスとエッチングガスの流量比を1:1に不変にし、これらの流量のみを0.05slm、0.10slm、0.15slm、0.20slm、0.30slm、0.40slm、0.50slmにそれぞれ変更した成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行った。シリコンソースガス/エッチングガス流量比一定とし、かつ流量を変更した場合におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度の関係を図9に示す。
シリコンソースガスとエッチングガスの流量比を1(0.10:0.10slm)、2(0.10:0.05slm)、2(0.20:0.10slm)、0.5(0.05:0.10slm)、0.5(0.10:0.20slm)にそれぞれ変更した成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行った。シリコンソースガス/エッチングガス流量比及び流量を変更した場合におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度の関係を図10に示す。
成長圧力を40Torr(約5.33×103Pa)とし、かつ、シリコンソースガス流量を0.10slm、0.20slm、0.30slmにそれぞれ変更した成長条件及び成長圧力を120Torr(約1.60×104Pa)とし、かつ、シリコンソースガス流量を0.10slm、0.20slm、0.30slmにそれぞれ変更した成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行った。シリコンソースガス流量及び成長圧力を変更した場合におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度の関係を図11に示す。
成長圧力を40Torr(約5.33×103Pa)、80Torr(約1.06×104Pa)、200Torr(約2.66×104Pa)、400Torr(約5.33×104Pa)、600Torr(約7.98×104Pa)にそれぞれ変更した成長条件について、トレンチ埋め込み特性を評価した結果を図12に示す。図12は各成長圧力におけるトレンチ埋め込み特性で、トレンチ埋め込みエピタキシャル成長の後、エッチングを行ってウェーハ表面及びウェーハ断面をSEMにより観察した結果である。埋め込み性の良否によってウェーハ断面のボイドやウェーハ表面のピットが観察される。ウェーハ表面のピットについてはウェーハ断面のボイドよりも埋め込み特性に敏感であり、より微細な埋め込み不良を検出することができる。
(1) 先ずDCSガスを一定流量に固定し、HClガス流量をそれぞれ変更した各成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行う。そして、上記各成長条件におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度との関係を求める。図3に示すような試験結果から、エピタキシャル成長速度のH2キャリアガス流量依存性を利用し、成長速度から反応律速となる最小のHClガス流量を決定する。
(2) 次いで、HClガスを上記(1)で決定した流量に固定し、DCSガス流量をそれぞれ変更した各成長条件について、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行う。そして、上記各成長条件におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度との関係を求める。図5に示すような試験結果から、エピタキシャル成長速度のH2キャリアガス流量依存性を利用し、成長速度から反応律速となる最大のDCSガス流量を決定する。
(3) 次に、上記(1)、(2)で決定したHClガス流量、DCSガス流量に対し、成長速度の変化が緩やかな範囲のH2キャリアガス流量を選択する。
(4) 成長圧力をそれぞれ変更した各成長条件についてエピタキシャル成長試験を行い、上記各成長条件における成長圧力とトレンチ内部形状の成長角度との関係から、成長圧力の最適条件を設定し、最後に上記(1)〜(3)で決定された最適条件を用いるとともに、設定した成長圧力の最適条件で、シリコン基板表面に形成した上記アスペクト比(B/A)のトレンチ内部にエピタキシャル層を成長させてトレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む。
12 埋め込みエピタキシャル層
13 シリコン基板
14 トレンチ
Claims (3)
- シリコンソースガスにエッチングガスを混合した混合ガスを原料ガスとし、この原料ガスをH2キャリアガスで流通させることにより、シリコン基板表面に形成したトレンチ内部にエピタキシャル層を成長させて前記トレンチ内部を前記エピタキシャル層で埋め込む工程を含む半導体基板の製造方法における、前記トレンチ内部を前記エピタキシャル層で埋め込む際のエピタキシャル成長条件の最適化方法であって、
ある特定のアスペクト比(B/A)のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件をエピタキシャル成長速度の前記H2キャリアガスの流量依存性により求め、かつ前記シリコンソースガスをジクロロシラン、前記エッチングガスをHClガスとするとき、前記H 2 キャリアガスの流量が、前記エピタキシャル成長速度から反応律速となる最小のHClガス流量を決定する工程と、前記エピタキシャル成長速度から反応律速となる最大のジクロロシランガス流量を決定する工程と、前記決定したHClガス流量及び前記決定したジクロロシランガス流量に対し、エピタキシャル成長速度の変化が緩やかな範囲のH 2 キャリアガス流量を選択する工程とにより決定されることを特徴とするトレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法。
但し、Aはトレンチの幅であり、Bはトレンチの深さである。 - 前記エピタキシャル成長速度の前記H2キャリアガスの流量依存性を用いた方法が、
エピタキシャル成長温度、エピタキシャル成長圧力、シリコンソースガス流量及びエッチングガス流量が前記エピタキシャル成長における制御パラメータとしてそれぞれ任意に設定され、かつある特定のアスペクト比(B/A)のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長には不十分な成長条件と認定された成長条件aについて、H2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行い、前記成長条件aにおけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度との関係を求め、
次に、前記成長条件aにおける、前記制御パラメータのうち、少なくとも1つ以上の制御パラメータ数値を変更することにより設定された1又は2以上の成長条件a1、a2、a3・・について、前記成長条件aと同様にH2キャリアガス流量のみを変更してエピタキシャル成長試験を行い、前記成長条件a1、a2、a3・・におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度との関係を求め、
前記得られた成長条件a並びに前記成長条件a1、a2、a3・・におけるH2キャリアガス流量とエピタキシャル成長速度との関係から、数値を変更した制御パラメータによって生じるエピタキシャル成長速度の変化傾向を調べる工程と、
各制御パラメータを適宜変更して設定された成長条件について上記工程を複数回繰り返し、数値を変更した制御パラメータによって生じるエピタキシャル成長速度の変化傾向を調べることで、
前記ある特定のアスペクト比(B/A)のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長において、反応律速状態を保ちつつ、かつ高いエピタキシャル成長速度を得ることが可能な制御パラメータを、そのエピタキシャル成長におけるそれぞれの最適条件と設定することにより行われる、請求項1記載の最適化方法。 - 前記エピタキシャル成長における制御パラメータのうち、成長圧力数値を変更することにより設定された1又は2以上の成長条件b1、b2、b3・・についてエピタキシャル成長試験を行い、
前記成長条件b1、b2、b3・・における前記成長圧力と前記トレンチ内部形状の成長角度との関係から、数値を変更した成長圧力条件によって生じる前記トレンチ内部形状の成長角度の変化傾向を調べることで、
前記ある特定のアスペクト比(B/A)のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長において、反応律速状態を保ちつつ、かつ高いエピタキシャル成長速度を得ることが可能な成長圧力条件を、そのエピタキシャル成長における成長圧力の最適条件と設定する請求項1又は2記載の最適化方法。
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