CN100508312C - 单片式半导体激光器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的第1区域中、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；形成在半导体衬底上的第2区域中、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；在第1活性层与该第1活性层的上侧的第1包层之间、和在第2活性层与该第2活性层的上侧的第2包层之间形成的刻蚀阻挡层；第1和第2活性层由不同的半导体材料构成。第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。

Description

单片式半导体激光器及其制造方法
技术领域
本发明涉及单片式半导体激光器及其制造方法，特别是涉及具有条带构造(电流狭窄构造)的单片式半导体激光器及其制造方法。
背景技术
在DVD、CD的信息读取/存储装置等中，使用在同一衬底上形成有发光波长不同的多个半导体激光器的单片式半导体激光器。在这样的单片式半导体激光器中，在同一衬底上要形成例如发光波长650nm的半导体激光器、和发光波长780nm的半导体激光器。
在单片式半导体激光器中，首先，在衬底上形成了一个半导体激光器之后，用设置在衬底上的对准标记进行另一个半导体激光器的定位和制作(例如非专利文献1)。
[非专利文献1]K.Nemoto and K.Miura：“A Laser Coupler forDVD/CD Playback Using a Monolithic-integrated Two-wavelengthLaser Diode”，JSAP International，No.3，pp.9-14(January2001)
在DVD、CD的信息读取装置中，把单片式半导体激光器与透镜等的部件一起组装起来形成光学系统。
但是，在用现有的制造方法制造的单片式半导体激光器中，两个半导体激光器的发光点之间的距离，如上所述，依赖于位置对准的精度。为此，例如在每一个制造批次中，发光点的距离，即条带构造的相对的位置不同，需要对透镜的位置等进行微调整。
这样的微调整，会使组装工序变得复杂，同时，还导致制造成本的增加。
发明内容
于是，本发明的目的在于提供使条带构造的相对的位置，即，使发光点之间的相对的位置变成恒定的单片式半导体激光器及其制造方法。
本发明，是一种单片式半导体激光器，包含发光波长不同的多个半导体激光器，其特征在于包括：半导体衬底；在该半导体衬底上的第1区域中形成的、用第1包层从上下把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；在该半导体衬底上的第2区域中形成的、用第2包层从上下把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；和在该第1活性层与该第1活性层的上侧的第1包层之间、和在该第2活性层与该第2活性层的上侧的第2包层之间形成的刻蚀阻挡层，其中，该第1和第2活性层由彼此不同的半导体材料构成，以及该第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，且该第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。
另外，所谓相同的半导体材料指的是材料和组成相同的半导体材料，所谓不同的半导体材料指的是材料和/或组成不同的半导体材料。
在本发明的单片式半导体激光器中，可以使多个半导体激光器的条带构造(电流狭窄构造)的间隔、即发光点的相对的距离始终基本恒定。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。
图2是本发明的实施方式1的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。
图3是本发明的实施方式1的另外的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。
图4是本发明的实施方式2的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。
图5是本发明的实施方式3的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。
图6是本发明的实施方式4的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1、图2示出了整体用100表示的、本实施方式的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。单片式半导体激光器100具备：发光波长780nm的第1半导体激光器、和发光波长为650nm的第2半导体激光器(参看图2(g))。
用图1、2，对单片式半导体激光器100的制造工序进行说明。该工序包括以下的工序1～7。
工序1：如图1(a)所示，准备n型的GaAs衬底1。接着，在GaAs衬底1上依次叠层n-AlGaInP下部包层2，AlGaAs活性层(发光波长780nm)3，p-AlGaInP上部包层4。向p-AlGaInP上部包层4中插入GaInP刻蚀阻挡层5。此外，在p-AlGaInP上部包层4的上面形成p-GaAs顶盖层6。
在这里，AlGaAs活性层3是使发光波长变成780nm那样的组成。
各个半导体层2～6的形成，例如可以用MOCVD法形成。
工序2：如图1(b)所示，用光刻技术和刻蚀技术，除要形成第1半导体激光器的区域之外，除去所形成的各个半导体层2～6。
工序3：如图1(c)所示，例如用MOCVD法叠层形成用来形成第2半导体激光器的半导体层。该半导体层，除AlGaInP活性层13之外，都变成与在第1半导体激光器中使用的半导体层同一组成、同一杂质浓度、以及同一膜厚。AlGaInP活性层13则是使发光波长变成650nm那样的组成。
工序4：如图2(d)所示，与工序2(图2(b))同样，用光刻技术和刻蚀技术除要形成第2半导体激光器的区域之外，除去所形成的各个半导体层2～6。借助于此，就可以制作图2(d)所示的那样的叠层构造。
工序5：如图2(e)所示，在第1和第2半导体激光器中使用的半导体层的上面形成光刻胶层7，进行构图。在该工序中，两个半导体层上的光刻胶层7可用共同的光掩模同时构图。
另外，也可以不使用光刻胶层7，而代之以使用别的具有耐刻蚀性的图形膜。
工序6：如图2(f)所示，借助于使用例如酒石酸和过氧化氢之间的混合溶液的湿法刻蚀除去GaAs顶盖层6。使用酒石酸系溶液的湿法刻蚀，在As系半导体和P系半导体之间可以把刻蚀选择比形成得大。为此，在到达P系半导体面(在这里，为p-AlGaInP上部包层4)时，刻蚀就基本停止。
工序7：如图2(g)所示，借助于硫酸系刻蚀剂，对p-AlGaInP上部包层4进行刻蚀，直到GaInP刻蚀阻挡层5露出来为止。
硫酸系刻蚀剂，可在p-AlGaInP层(上部包层)和GaInP层(刻蚀阻挡层)、GaAs层(顶盖层)之间把刻蚀选择比加大。为此，就可以以GaAs顶盖层6为掩模，刻蚀GaAs层(顶盖层)4，在GaInP层刻蚀阻挡层5露出来的时刻，使刻蚀基本停止。
如上所述，通过插入GaInP层刻蚀阻挡层5，可以进行脊背型条带形状的深度方向的控制。
用以上的工序1～7，就可以制作具有发光波长不同的第1半导体激光器101和第2半导体激光器102的单片式半导体激光器100。
另外，在GaAs衬底1的背面上和GaAs顶盖层6的表面上分别形成金属电极，但是在这里予以省略。
如上所述，通过使用本实施方式的制造方法，可以对具有脊背型条带构造的2个半导体激光器101、102同时制作脊背构造。为此，产生激光发光的、650nm/780nm激光器的发光点A、B的相对的距离，总是恒定。假如说，即便是在在工序5中光掩模的位置偏移开来的情况下，也仅仅是发光点A、B双方的位置的距离进行偏移而相对的距离不会改变。
一般地说，在已组装进了单片式半导体激光器的光学装置中，使发光点的位置一致，对透镜等的光学系统的位置进行微调整。
但是，在用本实施方式的制造方法制作的单片式半导体激光器100中，由于可以恒定地形成2个发光点的相对的距离，故不再需要这样的光学系统的微调整。
特别是，由于同时进行第1半导体激光器和第2半导体激光器的刻蚀，故还可以削减制造工序。
图3示出了本实施方式的另外的单片式半导体激光器150的制造工序的剖面图。在图3中，与图1、图2相同的标号表示同一或相当的部位。
在该制造方法中，用与上述的工序1到4(图1(a)～图2(d))相同的工序制作各个半导体层。但是，在这里不形成GaInP阻挡层5。
接着，如图3(e)所示，在形成了光刻胶掩模18后，例如，用离子注入法进行质子的注入。
其结果，如图3(f)所示，p-AlGaInP上部包层4和GaAs顶盖层6的一部分高电阻化，形成高电阻层8。在除去了光刻胶掩模18后，在表面和背面上形成金属电极(未画出来)，完成单片式半导体激光器150。
在这样的单片式半导体激光器150中，也可以使2个半导体激光器103、104的条带构造的相对的距离，即发光点C、D的相对的距离变成恒定。
此外，在一个工序中，还可以对第1和第2半导体激光器，同时形成高电阻层。
另外，在本实施方式中，虽然都用相同的材料和组成的半导体材料形成第1和第2半导体激光器101、102的下部包层和上部包层，但是，在第1半导体激光器101和第2半导体激光器102中，也可以用材料和/或组成不同的半导体材料。这一点在以下的实施方式中也是同样的。
具体地说，第1半导体激光器101的构造是用由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2≦1，0≦y2≦1)构成的下部和上部包层2、4夹持在由(Alx1Ga1-x1As(0≦x1≦1)构成的单层或多层的活性层3的上下，第2半导体激光器102的构造是用由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2≦1，0≦y2≦1)构成的下部和上部包层2、4夹持在由(Alx3Ga1-x3As(0≦x3≦1)构成的单层或多层的活性层13的上下。此外，也可以用(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2≦1，0≦y2≦1)形成第1半导体激光器101的下部和上部包层，用与第1半导体激光器101不同的(Alx4Ga1-x4)y4In1-y4P(0≦x4≦1，0≦y4≦1)形成第2半导体激光器102的下部和上部包层。这一点在以下的实施方式中，也是同样的。
另外，第1和第2半导体激光器的材料，除去AlGaAs系、AlGaInP系材料之外，也可以使用AlGaN系、GaInNAs系、AlGaInNAs系材料。活性层的材料，除去AlGaAs系、AlGaInP系材料之外，也可以使用AlGaInAsP系、AlGaInAs系材料。活性层是单层、多层都可以。这一点在以下的实施方式中也是同样的。
(实施方式2)
图4示出了整体用200表示的、本实施方式的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。单片式半导体激光器200包含：发光波长不同的2个半导体激光器201、202(例如，发光波长为780nm和650nm)(参看图4(c))。
在本实施方式2的单片式半导体激光器200中，在2个半导体激光器105、106之间活性层以外的层的组成等也不相同。在这样的构造中，采用使用阻挡层的办法，也可以进行高精度的刻蚀。
首先，用与上述的实施方式1基本相同的工序(图1(a)～图2(d))，在n-GaAs衬底1的上面制作图4(a)那样的叠层构造。
作为第1半导体激光器，在n-GaAs衬底1上，叠层有n-AlGaInP下部包层21、AlGaAs活性层22、GaInP刻蚀阻挡层23、p-AlGaInP上部包层(第1上包层)24、p-GaAs顶盖层25。
另一方面，作为第2半导体激光器，在n-GaAs衬底1上，叠层有n-AlGaInP下部包层31、AlGaInP活性层32、GaInP刻蚀阻挡层23、p-AlGaInP上部包层(第2上包层)24、p-AlGaAs上部包层33、34、p-GaAs顶盖层25。在这里，标号不同的层(例如33和34)，其组成不同。此外，各个半导体层的形成，可用例如MOCVD法形成。
接着，在在第1和第2半导体激光器201、202中使用的半导体层的上面，形成光刻胶层并对其构图，形成光刻胶掩模30。在该工序中，两个半导体层上的光刻胶层可用共同的光掩模同时构图。
接着，把光刻胶掩模30用做刻蚀掩模，一直刻蚀到p-AlGaAs上部包层24的中途为止。
在第1半导体激光器器201和第2半导体激光器202中，如上所述，在比刻蚀阻挡层23更往上的半导体层中，各层的组成或膜厚不同。
相对于此，在本实施方式在制造方法中，即便是组成不同的半导体层，也用得到基本相同的刻蚀速度的刻蚀方法刻蚀半导体层。
具体地说，通过使用把氯气和氧气的混合气体用做刻蚀气体的ECR刻蚀技术，可以使对AlGaAs系半导体层、AlGaInP系半导体层的刻蚀速度变成基本相等。
如上所述，例如用ECR刻蚀技术，如图4(b)所示，一直刻蚀到p-AlGaAs上部包层24的中途为止。
接着，在除去了光刻胶掩模30后，借助于硫酸系刻蚀剂，对p-AlGaInP包层24进行刻蚀，一直到GaInP刻蚀阻挡层23露出来为止。在该情况下，GaAs顶盖层25将变成刻蚀掩模。
如上所述，在使用硫酸系刻蚀剂的刻蚀中，在GaInP阻挡层23露出来的时刻，刻蚀基本停止。
用以上的工序，就可以得到图4(c)所示的那样的单片式条带构造。接着，通过在上表面和背面上形成金属电极(未画出来)，完成单片式半导体激光器200。
在这样的单片式半导体激光器200中，可以使2个半导体激光器201、202的脊背型条带的间隔，即发光点E、F的相对的距离变成恒定。
在本实施方式中，第1半导体激光器201和第2半导体激光器202，分别具有GaInP刻蚀阻挡层23和在紧贴它的正上形成、与刻蚀阻挡层23之间的刻蚀选择比大的上部包层24。为此，可以借助于刻蚀阻挡层23正确地控制上部的半导体层的刻蚀。
另一方面，由于刻蚀阻挡层23而下方的半导体层不会刻蚀，故可以选择组成等而无须考虑刻蚀工序。
另外，对于单片式半导体激光器200，也可以不形成脊背型条带而代之以设置高电阻层来形成条带构造。
(实施方式3)
图5示出了整体用300表示的、本实施方式的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。单片式半导体激光器300包含发光波长不同的2个半导体激光器301、302(例如，发光波长为780nm和650nm)(参看图5(c))。
在单片式半导体激光器300中，在2个半导体激光器301、302之间把脊背型条带的深度形成为不同，并调整各自的折射率。
在单片式半导体激光器300中，首先，用与上述的实施方式1基本相同的工序(图1(a)～图2(d))在n-GaAs衬底1上制作图5(a)那样的叠层构造。
作为第1半导体激光器，在n-GaAs衬底1上，叠层有n-AlGaInP下部包层41、AlGaAs活性层42、GaInP刻蚀阻挡层43、p-AlGaInP上部包层(第1上包层)44，p-GaAs顶盖层45。
另一方面，作为第2半导体激光器，在n-GaAs衬底1上，叠层有n-AlGaInP下部包层51、AlGaInP活性层52、GaInP刻蚀阻挡层43、p-AlGaInP上部包层(第2上包层)44、p-AlGaAs上部包层54、55、p-GaAs顶盖层45。在这里，标号不同的层(例如54和55)，其组成不同。此外，各个半导体层的形成，可用例如MOCVD法形成。
接着，在在第1和第2半导体激光器301、302中使用的半导体层的上面，形成光刻胶层并对其构图，形成光刻胶掩模40。在该工序中，两个半导体层上的光刻胶层可用共同的光掩模同时构图。
接着，如图5(b)所示，把光刻胶掩模40用做刻蚀掩模，一直刻蚀到p-AlGaAs上部包层44的中途为止。
接着，在除去了光刻胶掩模40后，与实施方式2同样，借助于硫酸系刻蚀剂，对p-AlGaInP上部包层44进行刻蚀，一直到GaInP刻蚀阻挡层43露出来为止。在该情况下，GaAs顶盖层45成为刻蚀掩模。在GaInP层刻蚀阻挡层43露了出来的时刻，使刻蚀基本停止。
用以上的工序，就可以得到图5(c)所示的那样的脊背型条带构造。接着，通过在上表面和背面上形成金属电极(未画出来)，完成单片式半导体激光器300。
如上所述，通过使用本实施方式的制造方法，就可以总是使脊背型间隔变成恒定，同时在同一衬底上形成脊背型条带的深度不同的半导体激光器301、302。
(实施方式4)
图6示出了整体用400表示的、本实施方式的单片式半导体激光器的制造工序的剖面图。单片式半导体激光器400包含发光波长不同的2个半导体激光器401、402(例如，发光波长为780nm和650nm)(参看图6(c))。
在单片式半导体激光器400中，2个半导体激光器401、402的高度(从GaAs衬底1的表面到GaAs顶盖层50的高度)不同。
在单片式半导体激光器400中，首先，用与上述的实施方式1基本相同的工序(图1(a)～图2(d))在n-GaAs衬底1上制作图6(a)那样的叠层构造。
作为第1半导体激光器401，在n-GaAs衬底1上，叠层有n-AlGaInP下部包层61、AlGaAs活性层62、GaInP刻蚀阻挡层63、p-AlGaInP上部包层(第1上包层)64、p-GaAs顶盖层65。
另一方面，作为第2半导体激光器402，在n-GaAs衬底1上，叠层有n-AlGaInP下部包层71、AlGaInP活性层72、p-AlGaAs上部包层73，GaInP刻蚀阻挡层63、p-AlGaInP上部包层(第2上包层)64、p-AlGaAs上部包层74、75、p-GaAs顶盖层65。在这里，标号不同的层(例如54和55)，其组成不同。此外，各个半导体层的形成，可用例如MOCVD法形成。
如图6(a)所示，在本实施方式中，在第1半导体激光器401和第2半导体激光器402中，高度不相同，存在着表面台阶差。
接着，在在第1和第2半导体激光器401、402中使用的半导体层的上面，形成光刻胶层并对其构图，形成光刻胶掩模50。在该工序中，两个半导体层上的光刻胶层可用共同的光掩模同时构图。如上所述，即便是在第1和第2半导体激光器的高度不同，存在着某种程度的表面台阶差的情况下，也可以使两个光刻胶层同时构图。
接着，如图6(b)所示，把光刻胶掩模50用做刻蚀掩模，一直刻蚀到p-AlGaAs上部包层64的中途为止。刻蚀例如可以使用在实施方式2中使用的ECR刻蚀。
接着，在除去了光刻胶掩模50后，与实施方式2同样，借助于硫酸系刻蚀剂，对p-AlGaInP上部包层64进行刻蚀，一直到GaInP刻蚀阻挡层63露出来为止。在该情况下，GaAs顶盖层65成为刻蚀掩模。在GaInP层刻蚀阻挡层63露了出来的时刻，刻蚀基本停止。
用以上的工序，就可以得到图6(c)所示的那样的脊背型条带构造。接着，通过在上表面和背面上形成金属电极(未画出来)，完成单片式半导体激光器400。
如上所述，通过使用本实施方式的制造方法，可以在同一衬底上形成高度不同的半导体激光器401、402。
另外，对于单片式半导体激光器400，也可以不形成脊背型条带而代之以设置高电阻层来形成条带构造。
在实施方式1～4中，虽然说明的是具有2个半导体激光器的单片式半导体激光器，但是，对于具有3个以上的半导体激光器的单片式半导体激光器也可以应用。此外，虽然说明的是发光波长780nm和650nm的半导体激光器，但是，对于具有除此之外的发光波长的半导体激光器，也可以应用。
工业上利用的可能性
本发明可以应用于具有2个或2个以上的半导体激光器的单片式半导体激光器。

Claims (12)

1.一种单片式半导体激光器，包含发光波长不同的多个半导体激光器，其特征在于包括：
半导体衬底；
在该半导体衬底上的第1区域中形成的、用第1包层从上下把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；
在该半导体衬底上的第2区域中形成的、用第2包层从上下把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；和
在该第1活性层与该第1活性层的上侧的第1包层之间、和在该第2活性层与该第2活性层的上侧的第2包层之间分别形成的刻蚀阻挡层，
其中，该第1和第2活性层由彼此不同的半导体材料构成，以及
该第1活性层上下的第1包层由相同的半导体材料构成，且该第2活性层上下的第2包层由相同的半导体材料构成。
2.根据权利要求1所述的单片式半导体激光器，其特征在于：
上述第1双异质结构是用由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P构成的上述第1包层夹持由Alx1Ga1-x1As构成的单层或多层的上述第1活性层的上下的构造，
上述第2双异质结构是用由(Alx4Ga1-x4)y4In1-y4P构成的上述第2包层夹持由(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3P构成的单层或多层的上述第2活性层的上下的构造，
其中0≦x1≦1，0≦x2≦1，0≦x3≦1，0≦x4≦1，0≦y2≦1，0≦y3≦1，0≦y4≦1。
3.根据权利要求1所述的单片式半导体激光器，其特征在于：上述第1包层和上述第2包层由相同的半导体材料构成。
4.根据权利要求3所述的单片式半导体激光器，其特征在于：
上述第1双异质结构是用由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P构成的上述第1包层夹持由Alx1Ga1-x1As构成的单层或多层的上述第1活性层的上下的构造，
上述第2双异质结构是用与该第1包层相同的、由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P构成的上述第2包层夹持由(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3P构成的单层或多层的上述第2活性层的上下的构造，
其中0≦x1≦1，0≦x2≦1，0≦x3≦1，0≦y2≦1，0≦y3≦1。
5.根据权利要求1所述的单片式半导体激光器，其特征在于：构成上述多个半导体激光器的半导体层的厚度彼此相同。
6.一种单片式半导体激光器，包含发光波长不同的多个半导体激光器，其特征在于包括：
半导体衬底；
在该半导体衬底上的第1区域中形成的、用第1包层从上下把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；
在该半导体衬底上的第2区域中形成的、用第2包层从上下把第2活性层夹在中间的第2双异质结构，
在该第1活性层与该第1活性层的上侧的第1包层之间、和在该第2活性层与该第2活性层的上侧的第2包层之间形成的刻蚀阻挡层，
其中，该第1和第2活性层由彼此不同的半导体材料构成，以及
该第1包层中的设置在该第1活性层上的第1上包层、和该第2包层中的设置在该第2活性层上的第2上包层，由相同的半导体材料构成。
7.根据权利要求6所述的单片式半导体激光器，其特征在于：
上述第1双异质结构，在由Alx1Ga1-x1As构成的单层或多层的上述第1活性层的上面，具有由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P构成的上述第1上包层，
上述第2双异质结构，在由(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3P构成的单层或多层的上述第2活性层的上面，具有与该第1上包层相同的、由(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P构成的上述第2上包层，
其中0≦x1≦1，0≦x3≦1，0≦y2≦1，0≦y3≦1。
8.一种单片式半导体激光器的制造方法，该单片式半导体激光器包含发光波长不同的半导体激光器，其特征在于包括：
准备半导体衬底的工序；
在该半导体衬底上的第1区域中，层叠含有用上下包层把活性层夹在中间的第1双异质结构的第1半导体层的工序；
在该半导体衬底上的第2区域中，层叠含有用上下包层把活性层夹在中间的第2双异质结构的第2半导体层的工序；
在上述形成在第1区域中的第1双异质结构、和形成在上述第2区域中的第2双异质结构的上面，形成具有耐刻蚀性的图形膜的构图工序；
用该图形膜，在上述第1双异质结构的第1半导体层和上述第2双异质结构的第2半导体层上，同时形成条带构造的条带形成工序；
还包括在上述第1双异质结构和第2双异质结构的该活性层与该活性层的上侧的包层之间形成刻蚀阻挡层的工序，
上述条带形成工序包括利用该图形膜作为掩膜，同时对上述第1半导体层和第2半导体层进行刻蚀，以暴露出该刻蚀阻挡层的刻蚀工序。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：上述构图工序包括用光掩模使在上述第1半导体层和上述第2半导体层的上面形成的光刻胶层同时曝光的工序。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：上述刻蚀工序由湿法刻蚀工序构成。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：上述刻蚀工序，是在进行了干法刻蚀工序后进行湿法刻蚀、使上述刻蚀阻挡层露出来的工序。
12.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：上述条带形成工序包括下列工序：把上述图形膜用做离子注入掩模向上述第1半导体层和上述第2半导体层中同时注入质子，形成高电阻层。
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