JP2001053384A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers
- H01S5/34373—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers based on InGa(Al)AsP
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部狭窄構造を有する半導体レーザ装置にお
いて、高い出力まで基本横モード発振を得、かつ信頼性
を向上させる。 【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n-In0.49Ga0.51P下
部クラッド層12、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導
波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3圧縮歪量子井戸活性層1
4、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層15、p-In
0.49Ga0.51P上部第一クラッド層16、Inx1Ga1-x1As1-y1P
y1エッチング阻止層17、n-In0.49(Alz1Ga1-z1)0.51Ｐ電
流狭窄層18、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層19、GaAsキャ
ップ層20、SiO2膜21を形成し、ストライプ領域のSiO2膜
21を除去し、これをマスクとして、GaAsキャップ層20を
エッチングし、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層19、n-In
0.49(Alz1Ga1-z1)0.51Ｐ電流狭窄層18をエッチングす
る。SiO2膜21とn-GaAsキャップ層20と溝の底面のInx3Ga
1-x3As1-y3Py3エッチング阻止層17を除去する。p-Inx4G
a1-x4As1-y4Py4上部第二クラッド層22、p-GaAsコンタク
ト層23を形成する。
いて、高い出力まで基本横モード発振を得、かつ信頼性
を向上させる。 【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n-In0.49Ga0.51P下
部クラッド層12、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導
波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3圧縮歪量子井戸活性層1
4、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層15、p-In
0.49Ga0.51P上部第一クラッド層16、Inx1Ga1-x1As1-y1P
y1エッチング阻止層17、n-In0.49(Alz1Ga1-z1)0.51Ｐ電
流狭窄層18、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層19、GaAsキャ
ップ層20、SiO2膜21を形成し、ストライプ領域のSiO2膜
21を除去し、これをマスクとして、GaAsキャップ層20を
エッチングし、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層19、n-In
0.49(Alz1Ga1-z1)0.51Ｐ電流狭窄層18をエッチングす
る。SiO2膜21とn-GaAsキャップ層20と溝の底面のInx3Ga
1-x3As1-y3Py3エッチング阻止層17を除去する。p-Inx4G
a1-x4As1-y4Py4上部第二クラッド層22、p-GaAsコンタク
ト層23を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
およびその製造方法に関し、特に、内部電流狭窄構造を
備えた半導体レーザ装置およびその製造方法に関するも
のである。
およびその製造方法に関し、特に、内部電流狭窄構造を
備えた半導体レーザ装置およびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、発振波長が０．９μｍから
１．１μｍの半導体レーザ装置において、基本横モード
を得るために、結晶層の内部に電流狭窄層と屈折率導波
機構を設けることが広くなされている。例えば、０．９
８μｍ帯の半導体レーザ装置として、1995年発行のIEEE
Journal of selected Topics in Quantum Electronic
s,Vol.1,No.2 pp.102において、ｎ−ＧａＡｓ基板上に
ｎ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ下部クラッド層、アンドープ
Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波路、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ／Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ二重量子井戸活性層、アンドープＡｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第一ク
ラッド層、ｐ−Ａｌ0.67Ｇａ0.33Ａｓエッチング阻止
層、ｐ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ上部第二クラッド層、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層、絶縁膜を積層し、通常のフォト
リソグラフィにより、選択エッチングを利用して、ｐ−
Ａｌ0.67Ｇａ0.33Ａｓエッチング阻止層までの狭ストラ
イプのリッジ構造を形成し、そのリッジ構造の両サイド
をＣｌガスのアシストによる選択ＭＯＣＶＤ成長により
ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓとｎ−ＧａＡｓを埋め込み、絶
縁膜を除去した後、ｐ−ＧａＡｓを積層した電流狭窄と
屈折率導波機構を作り付けたことを特徴とする基本横モ
ード発振する半導体レーザ装置が報告されている。この
装置においては、酸化されやすいＡｌ組成の高い上部第
一クラッド層の上に選択成長の困難なＡｌＧａＡｓ上部
第二クラッド層を再成長するということが非常に難しい
という問題がある。
１．１μｍの半導体レーザ装置において、基本横モード
を得るために、結晶層の内部に電流狭窄層と屈折率導波
機構を設けることが広くなされている。例えば、０．９
８μｍ帯の半導体レーザ装置として、1995年発行のIEEE
Journal of selected Topics in Quantum Electronic
s,Vol.1,No.2 pp.102において、ｎ−ＧａＡｓ基板上に
ｎ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ下部クラッド層、アンドープ
Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波路、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ／Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ二重量子井戸活性層、アンドープＡｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第一ク
ラッド層、ｐ−Ａｌ0.67Ｇａ0.33Ａｓエッチング阻止
層、ｐ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ上部第二クラッド層、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層、絶縁膜を積層し、通常のフォト
リソグラフィにより、選択エッチングを利用して、ｐ−
Ａｌ0.67Ｇａ0.33Ａｓエッチング阻止層までの狭ストラ
イプのリッジ構造を形成し、そのリッジ構造の両サイド
をＣｌガスのアシストによる選択ＭＯＣＶＤ成長により
ｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓとｎ−ＧａＡｓを埋め込み、絶
縁膜を除去した後、ｐ−ＧａＡｓを積層した電流狭窄と
屈折率導波機構を作り付けたことを特徴とする基本横モ
ード発振する半導体レーザ装置が報告されている。この
装置においては、酸化されやすいＡｌ組成の高い上部第
一クラッド層の上に選択成長の困難なＡｌＧａＡｓ上部
第二クラッド層を再成長するということが非常に難しい
という問題がある。
【０００３】また、０．９８−１．０２μｍ帯の半導体
レーザ装置として、1993年発行のIEEE Journal of Quan
tum Electronics Vol.29,No.6 pp.1936において、ｎ−
ＧａＡｓ基板上にｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ下部クラッド
層、アンドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波層、ＧａＡｓ
／ＩｎＧａＡｓ二重量子井戸活性層、アンドープＡｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波層、ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ上部
クラッド層、ｐ−ＧａＡｓキャップ層、絶縁膜を積層
し、通常のフォトリソグラフィにより選択エッチングを
利用して、ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ上部クラッド層の途
中まで狭ストライプのリッジ構造を形成し、そのリッジ
構造の両サイドを選択ＭＯＣＶＤ成長により、ｎ−Ｉｎ
0.5Ｇａ0.5Ｐとｎ−ＧａＡｓで埋め込み、絶縁膜を除去
した後電極を形成した、電流狭窄と屈折率導波機構を作
り付けたことを特徴とする基本横モード発振する半導体
レーザ装置が報告されている。この装置においては、酸
化されやすいＡｌ組成の高い上部クラッド層の上にＶ族
組成の違うＩｎＧａＰを再成長するということが非常に
難しいという問題がある。
レーザ装置として、1993年発行のIEEE Journal of Quan
tum Electronics Vol.29,No.6 pp.1936において、ｎ−
ＧａＡｓ基板上にｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ下部クラッド
層、アンドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波層、ＧａＡｓ
／ＩｎＧａＡｓ二重量子井戸活性層、アンドープＡｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ光導波層、ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ上部
クラッド層、ｐ−ＧａＡｓキャップ層、絶縁膜を積層
し、通常のフォトリソグラフィにより選択エッチングを
利用して、ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ上部クラッド層の途
中まで狭ストライプのリッジ構造を形成し、そのリッジ
構造の両サイドを選択ＭＯＣＶＤ成長により、ｎ−Ｉｎ
0.5Ｇａ0.5Ｐとｎ−ＧａＡｓで埋め込み、絶縁膜を除去
した後電極を形成した、電流狭窄と屈折率導波機構を作
り付けたことを特徴とする基本横モード発振する半導体
レーザ装置が報告されている。この装置においては、酸
化されやすいＡｌ組成の高い上部クラッド層の上にＶ族
組成の違うＩｎＧａＰを再成長するということが非常に
難しいという問題がある。
【０００４】さらに、０．９８μｍ帯のオールＡｌフリ
ー半導体レーザ装置として、1995年発行のIEEE Journal
of selected Topics in Quantum Electronics,Vol.1,N
o.2pp.189において、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−Ｉｎ
ＧａＰクラッド層、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波
層、ＩｎＧａＡｓＰ引っ張り歪み障壁層、ＩｎＧａＡｓ
二重量子井戸活性層、ＩｎＧａＡｓＰ引っ張り歪み障壁
層、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波層、ｐ−ＩｎＧａ
Ｐ上部第一クラッド層、ｐ−ＧａＡｓ光導波層、ｐ−Ｉ
ｎＧａＰ上部第二クラッド層、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層、絶縁膜を積層し、通常のフォトリソグラフィにより
選択エッチングを利用してｐ−ＩｎＧａＰ上部第一クラ
ッド層の上部までの狭ストライプのリッジ構造を形成
し、そのリッジ構造の両サイドを選択ＭＯＣＶＤ成長に
より、ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐで埋め込み、絶縁膜を除去
したｐ−ＧａＡｓコンタクト層を形成した、電流狭窄層
と屈折率導波機構を作り付けたことを特徴とする基本横
モード発振する半導体レーザが報告されている。この装
置においては、活性層の歪みを補償することにより、良
好な信頼性が得られている。しかし、リッジ幅の制御性
が悪いためにキンクレベルが１５０ｍＷ程度と低い。
ー半導体レーザ装置として、1995年発行のIEEE Journal
of selected Topics in Quantum Electronics,Vol.1,N
o.2pp.189において、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−Ｉｎ
ＧａＰクラッド層、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波
層、ＩｎＧａＡｓＰ引っ張り歪み障壁層、ＩｎＧａＡｓ
二重量子井戸活性層、ＩｎＧａＡｓＰ引っ張り歪み障壁
層、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波層、ｐ−ＩｎＧａ
Ｐ上部第一クラッド層、ｐ−ＧａＡｓ光導波層、ｐ−Ｉ
ｎＧａＰ上部第二クラッド層、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層、絶縁膜を積層し、通常のフォトリソグラフィにより
選択エッチングを利用してｐ−ＩｎＧａＰ上部第一クラ
ッド層の上部までの狭ストライプのリッジ構造を形成
し、そのリッジ構造の両サイドを選択ＭＯＣＶＤ成長に
より、ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐで埋め込み、絶縁膜を除去
したｐ−ＧａＡｓコンタクト層を形成した、電流狭窄層
と屈折率導波機構を作り付けたことを特徴とする基本横
モード発振する半導体レーザが報告されている。この装
置においては、活性層の歪みを補償することにより、良
好な信頼性が得られている。しかし、リッジ幅の制御性
が悪いためにキンクレベルが１５０ｍＷ程度と低い。
【０００５】一方、０．８μｍの半導体レーザ装置とし
て、1993年発行のIEEE Journal ofquantum Electronic
s,Vol.29,No6 pp1889において、ｎ−ＧａＡｓ基板に、
ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層、ＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ三重量子井戸活性層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第一ク
ラッド層、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層、ｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ保護層を積層し、通常のフォトリソグラフィにより
選択エッチングを利用して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄
層を突き抜けるまでの狭ストライプの溝を形成し、その
上にｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第二クラッド層と、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層を形成したことを特徴とする基本横モ
ード発振する内部ストライプ構造の半導体レーザ装置が
報告されている。この装置においては、溝幅の制御性が
高く、ｎ−Ａｌ、溝幅の制御性が高く、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ電流狭窄層とｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第二クラッド層と
の屈折率差により高い光出力まで基本横モード発振が得
られているが、製造方法において、酸化されやすいＡｌ
ＧａＡｓ上へのＡｌＧａＡｓの再成長が難しいという欠
点がある。
て、1993年発行のIEEE Journal ofquantum Electronic
s,Vol.29,No6 pp1889において、ｎ−ＧａＡｓ基板に、
ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層、ＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ三重量子井戸活性層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第一ク
ラッド層、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層、ｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ保護層を積層し、通常のフォトリソグラフィにより
選択エッチングを利用して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄
層を突き抜けるまでの狭ストライプの溝を形成し、その
上にｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第二クラッド層と、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層を形成したことを特徴とする基本横モ
ード発振する内部ストライプ構造の半導体レーザ装置が
報告されている。この装置においては、溝幅の制御性が
高く、ｎ−Ａｌ、溝幅の制御性が高く、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ電流狭窄層とｐ−ＡｌＧａＡｓ上部第二クラッド層と
の屈折率差により高い光出力まで基本横モード発振が得
られているが、製造方法において、酸化されやすいＡｌ
ＧａＡｓ上へのＡｌＧａＡｓの再成長が難しいという欠
点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、発振波
長が０．９−１．１μｍで内部電流狭窄構造を有する半
導体レーザ装置において、電流狭窄層を形成した後、上
層を再成長する際、再成長界面にＡｌを含んでいると、
Ａｌが酸化され再成長が難しいという問題、あるいは再
成長できてもその界面に欠陥が生じるという問題があっ
た。
長が０．９−１．１μｍで内部電流狭窄構造を有する半
導体レーザ装置において、電流狭窄層を形成した後、上
層を再成長する際、再成長界面にＡｌを含んでいると、
Ａｌが酸化され再成長が難しいという問題、あるいは再
成長できてもその界面に欠陥が生じるという問題があっ
た。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みて、高出力下にお
いても基本横モード発振する信頼性の高い半導体レーザ
装置を提供することを目的とするものである。
いても基本横モード発振する信頼性の高い半導体レーザ
装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、第一導電型ＧａＡｓ基板上に、第一導電型下部ク
ラッド層、下部光導波層、組成比が0＜x3≦0.4および0
≦y3≦0.1であるＩｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量
子井戸活性層、上部光導波層、第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ上部第一クラッド層、電流注入窓となるストライ
プ部が除去された、組成比が0≦x1≦0.3および0≦y1≦
0.6であるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止
層、電流注入窓となるストライプ部が除去された、組成
比が0＜z≦0.1である第一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ
1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層、電流注入窓となるストライプ
部が除去されたＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層がこの順
に形成された結晶層の上に、組成比がx4＝(0.49±0.01)
y4および0.9≦y4≦1である第二導電型Ｉｎx4Ｇａ1-x4Ａ
ｓ1-y4Ｐy4上部第二クラッド層および第二導電型コンタ
クト層がこの順に形成されてなる屈折率導波機構を備え
ており、圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積の絶対
値が０．２５ｎｍ以下であり、エッチング阻止層の歪量
と膜厚の積の絶対値が０．２５ｎｍ以下であり、圧縮歪
量子井戸活性層およびエッチング阻止層以外の全ての層
が、前記第一導電型ＧａＡｓ基板と格子整合する組成で
あることを特徴とするものである。
置は、第一導電型ＧａＡｓ基板上に、第一導電型下部ク
ラッド層、下部光導波層、組成比が0＜x3≦0.4および0
≦y3≦0.1であるＩｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量
子井戸活性層、上部光導波層、第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ上部第一クラッド層、電流注入窓となるストライ
プ部が除去された、組成比が0≦x1≦0.3および0≦y1≦
0.6であるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止
層、電流注入窓となるストライプ部が除去された、組成
比が0＜z≦0.1である第一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ
1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層、電流注入窓となるストライプ
部が除去されたＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層がこの順
に形成された結晶層の上に、組成比がx4＝(0.49±0.01)
y4および0.9≦y4≦1である第二導電型Ｉｎx4Ｇａ1-x4Ａ
ｓ1-y4Ｐy4上部第二クラッド層および第二導電型コンタ
クト層がこの順に形成されてなる屈折率導波機構を備え
ており、圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積の絶対
値が０．２５ｎｍ以下であり、エッチング阻止層の歪量
と膜厚の積の絶対値が０．２５ｎｍ以下であり、圧縮歪
量子井戸活性層およびエッチング阻止層以外の全ての層
が、前記第一導電型ＧａＡｓ基板と格子整合する組成で
あることを特徴とするものである。
【０００９】ここで、量子井戸活性層の歪量とは、Ｇａ
Ａｓ基板の格子定数をｃsとし、活性層の格子定数をｃa
とすると、（ｃa−ｃs）／ｃsで表される値である。
Ａｓ基板の格子定数をｃsとし、活性層の格子定数をｃa
とすると、（ｃa−ｃs）／ｃsで表される値である。
【００１０】また、エッチング阻止層の歪量とは、Ｇａ
Ａｓ基板の格子定数をｃsとし、エッチング阻止層の格
子定数をｃeとすると、（ｃe−ｃs）／ｃsで表される値
である。
Ａｓ基板の格子定数をｃsとし、エッチング阻止層の格
子定数をｃeとすると、（ｃe−ｃs）／ｃsで表される値
である。
【００１１】また、上記格子整合するとは、ＧａＡｓ基
板の格子定数をｃsとし、成長層の格子定数をｃとする
と（ｃ-ｃs）／ｃsで表される値が０．００３以下であ
ることを示す。
板の格子定数をｃsとし、成長層の格子定数をｃとする
と（ｃ-ｃs）／ｃsで表される値が０．００３以下であ
ることを示す。
【００１２】また、圧縮歪量子井戸活性層の上下に、組
成比が0≦x5≦0.3および0＜y5≦0.6であるＩｎx5Ｇａ
1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層が形成されていてもよ
く、その場合、圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積
と、該引張り歪障壁層の歪量と該２つの引張り歪障壁層
の合計の膜厚の積の和の絶対値が０．２５ｎｍ以下であ
ることが望ましい。
成比が0≦x5≦0.3および0＜y5≦0.6であるＩｎx5Ｇａ
1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層が形成されていてもよ
く、その場合、圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積
と、該引張り歪障壁層の歪量と該２つの引張り歪障壁層
の合計の膜厚の積の和の絶対値が０．２５ｎｍ以下であ
ることが望ましい。
【００１３】ここで、上記引張り歪障壁層の歪量は、Ｇ
ａＡｓ基板の格子定数をｃsとし、障壁層の格子定数を
ｃbとすると、（ｃb−ｃs）／ｃsで表される値である。
ａＡｓ基板の格子定数をｃsとし、障壁層の格子定数を
ｃbとすると、（ｃb−ｃs）／ｃsで表される値である。
【００１４】また、エッチング阻止層は、第一導電型ま
たは第二導電型であってもよい。
たは第二導電型であってもよい。
【００１５】また、Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層は、
第一導電型、第二導電型およびアンドープのうちのいず
れかであってよい。
第一導電型、第二導電型およびアンドープのうちのいず
れかであってよい。
【００１６】また、下部光導波層は第一導電型であり、
前記上部光導波層は第二導電型であってもよい。
前記上部光導波層は第二導電型であってもよい。
【００１７】さらに、圧縮歪量子井戸活性層は、多重量
子井戸構造であってもよい。
子井戸構造であってもよい。
【００１８】また、ストライプの幅は１μｍ以上であっ
てもよい。
てもよい。
【００１９】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
第一導電型ＧａＡｓ基板上に、第一導電型下部クラッド
層、下部光導波層、組成比が0＜x3≦0.4および0≦y3≦
0.1であるＩｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸
活性層、上部光導波層、第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ
上部第一クラッド層、組成比が0≦x1≦0.3および0≦y1
≦0.6であるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻
止層、組成比が0≦z≦0.1である第一導電型Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ第一導電型電流狭窄層、
Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層、ＧａＡｓキャップ層を
この順に積層し、ＧａＡｓキャップ層の電流注入窓とな
る部分をストライプ状に除去し、次に、Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐキャップ層および第一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇ
ａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層の電流注入窓となる部分をス
トライプ状に除去し、次に、該電流注入窓となる部分が
ストライプ状に除去されたＧａＡｓキャップ層およびＩ
ｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層の電流注入
窓となるストライプ状の部分を同時に除去した後、第一
導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層上
に前記電流注入窓を覆うようにして、組成比がx4＝(0.4
9±0.01)y4および0.4≦x4≦0.46である第二導電型Ｉｎ
x4Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4上部第二クラッド層および第二
導電型コンタクト層をこの順に積層し、圧縮歪量子井戸
活性層の歪量と膜厚の積の絶対値を０．２５ｎｍ以下と
し、エッチング阻止層の歪量と膜厚の積の絶対値を０．
２５ｎｍ以下とし、圧縮歪量子井戸活性層およびエッチ
ング阻止層以外の全ての層を、前記第一導電型ＧａＡｓ
基板と格子整合させることを特徴とするものである。
第一導電型ＧａＡｓ基板上に、第一導電型下部クラッド
層、下部光導波層、組成比が0＜x3≦0.4および0≦y3≦
0.1であるＩｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸
活性層、上部光導波層、第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ
上部第一クラッド層、組成比が0≦x1≦0.3および0≦y1
≦0.6であるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻
止層、組成比が0≦z≦0.1である第一導電型Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ第一導電型電流狭窄層、
Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層、ＧａＡｓキャップ層を
この順に積層し、ＧａＡｓキャップ層の電流注入窓とな
る部分をストライプ状に除去し、次に、Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐキャップ層および第一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇ
ａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層の電流注入窓となる部分をス
トライプ状に除去し、次に、該電流注入窓となる部分が
ストライプ状に除去されたＧａＡｓキャップ層およびＩ
ｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層の電流注入
窓となるストライプ状の部分を同時に除去した後、第一
導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層上
に前記電流注入窓を覆うようにして、組成比がx4＝(0.4
9±0.01)y4および0.4≦x4≦0.46である第二導電型Ｉｎ
x4Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4上部第二クラッド層および第二
導電型コンタクト層をこの順に積層し、圧縮歪量子井戸
活性層の歪量と膜厚の積の絶対値を０．２５ｎｍ以下と
し、エッチング阻止層の歪量と膜厚の積の絶対値を０．
２５ｎｍ以下とし、圧縮歪量子井戸活性層およびエッチ
ング阻止層以外の全ての層を、前記第一導電型ＧａＡｓ
基板と格子整合させることを特徴とするものである。
【００２０】なお、エッチング阻止層は、第一導電型ま
たは第二導電型であってもよい。
たは第二導電型であってもよい。
【００２１】また、Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層は、
第一導電型、第二導電型およびアンドープのうちのいず
れかであってよい。
第一導電型、第二導電型およびアンドープのうちのいず
れかであってよい。
【００２２】また、ＧａＡｓキャップ層は、第一導電
型、第二導電型およびアンドープのうちのいずれかであ
ってよい。
型、第二導電型およびアンドープのうちのいずれかであ
ってよい。
【００２３】また、圧縮歪量子井戸活性層の上下に、組
成比が0≦x5≦0.3および0＜y5≦0.6であるＩｎx5Ｇａ
1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層を積層してもよく、そ
の場合、圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積と、該
引張り歪障壁層の歪量と該２つの引張り歪障壁層の合計
の膜厚の積の和の絶対値を０．２５ｎｍ以下とすること
が望ましい。
成比が0≦x5≦0.3および0＜y5≦0.6であるＩｎx5Ｇａ
1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層を積層してもよく、そ
の場合、圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積と、該
引張り歪障壁層の歪量と該２つの引張り歪障壁層の合計
の膜厚の積の和の絶対値を０．２５ｎｍ以下とすること
が望ましい。
【００２４】なお、上記第一導電型および第二導電型と
は、例えば第一導電型がｎ型半導体であれば、第二導電
型は第一導電型と逆極性であるｐ型半導体を示すもので
ある。
は、例えば第一導電型がｎ型半導体であれば、第二導電
型は第一導電型と逆極性であるｐ型半導体を示すもので
ある。
【００２５】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置の製造方法に
よると、第二クラッド層を成長させる界面において、酸
化されやすいＡｌを含む層はＩｎ0.49（Ａｌz1Ｇ
ａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層のみであり、さらに露出して
いる部分も溝の側面のみであり、そのＡｌの組成比も１
０％以下であるので、容易に再成長を行うことができ、
信頼性を向上させることができる。
よると、第二クラッド層を成長させる界面において、酸
化されやすいＡｌを含む層はＩｎ0.49（Ａｌz1Ｇ
ａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層のみであり、さらに露出して
いる部分も溝の側面のみであり、そのＡｌの組成比も１
０％以下であるので、容易に再成長を行うことができ、
信頼性を向上させることができる。
【００２６】また、電流狭窄層をＩｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ
1-z1）0.51Ｐとし、上部第二クラッド層をＩｎＧａＡｓ
Ｐとすることにより、電流狭窄層と上部第二クラッド層
の屈折率差によって生じる等価屈折率段差を１．５〜７
×10-3程度にすることができるので、高い出力まで基本
横モード発振させることができる。
1-z1）0.51Ｐとし、上部第二クラッド層をＩｎＧａＡｓ
Ｐとすることにより、電流狭窄層と上部第二クラッド層
の屈折率差によって生じる等価屈折率段差を１．５〜７
×10-3程度にすることができるので、高い出力まで基本
横モード発振させることができる。
【００２７】また、エッチング阻止層にＩｎＧａＡｓＰ
を用いており、その下層のＩｎＧａＡｓＰは塩酸系のエ
ッチャントではエッチングされないため、塩酸系のエッ
チャントで精度良くＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一上部クラッ
ド層で停止させることができるので、ストライプ幅と屈
折率導波機構を高い精度で作り込むことができる。
を用いており、その下層のＩｎＧａＡｓＰは塩酸系のエ
ッチャントではエッチングされないため、塩酸系のエッ
チャントで精度良くＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一上部クラッ
ド層で停止させることができるので、ストライプ幅と屈
折率導波機構を高い精度で作り込むことができる。
【００２８】また、内部に電流狭窄層を設けているの
で、電極とコンタクト層の接触面積を大きくとることが
でき、コンタクト抵抗を低減することができる。
で、電極とコンタクト層の接触面積を大きくとることが
でき、コンタクト抵抗を低減することができる。
【００２９】また、圧縮歪量子井戸活性層の上下にＩｎ
x5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層を形成した場
合、しきい値電流の低減等、種々の特性および信頼性を
向上させることができる。
x5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層を形成した場
合、しきい値電流の低減等、種々の特性および信頼性を
向上させることができる。
【００３０】本発明の半導体レーザ装置の製造方法によ
れば、ＧａＡｓキャップ層を設けているので、ＩｎＧａ
Ｐキャップ層の上に自然酸化膜が形成されたり、直接レ
ジスト層が形成されて起こる層の変成等を防止できる。
また、第二クラッド層を再成長する前にそのＧａＡｓキ
ャップ層を除去することにより再成長界面に残る残さを
除去でき、結晶欠陥の発生を防止することができ、特性
および信頼性を向上させることができる。
れば、ＧａＡｓキャップ層を設けているので、ＩｎＧａ
Ｐキャップ層の上に自然酸化膜が形成されたり、直接レ
ジスト層が形成されて起こる層の変成等を防止できる。
また、第二クラッド層を再成長する前にそのＧａＡｓキ
ャップ層を除去することにより再成長界面に残る残さを
除去でき、結晶欠陥の発生を防止することができ、特性
および信頼性を向上させることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００３２】図１は本発明の第１の実施の形態による半
導体レーザ素子について説明し、その光出射面に対して
の断面図を図１に示す。
導体レーザ素子について説明し、その光出射面に対して
の断面図を図１に示す。
【００３３】図１ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板11
上に有機金属気相成長法によりｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ
下部クラッド層12、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ
1-y2Ｐy2光導波層13（x2＝(0.49±0.01)y2、0≦x2≦0.
3）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性
層14（0＜x3≦0.4、0≦y3≦0.1）、ｐあるいはｉ−Ｉｎ
x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層15（x2＝(0.49±0.01)
y2、0≦x2≦0.3）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一ク
ラッド層16、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ−Ｉ
ｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層17（0≦x1
≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層18（0≦z1≦
0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層19、厚さが
例えば１０ｎｍのＧａＡｓキャップ層20を積層する。こ
の上にＳｉＯ2膜21を形成し、〈０１１〉方向に通常の
リソグラフィにより３μｍ程度の幅のストライプ領域の
ＳｉＯ2膜21を除去する。
上に有機金属気相成長法によりｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ
下部クラッド層12、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ
1-y2Ｐy2光導波層13（x2＝(0.49±0.01)y2、0≦x2≦0.
3）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性
層14（0＜x3≦0.4、0≦y3≦0.1）、ｐあるいはｉ−Ｉｎ
x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層15（x2＝(0.49±0.01)
y2、0≦x2≦0.3）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一ク
ラッド層16、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ−Ｉ
ｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層17（0≦x1
≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層18（0≦z1≦
0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層19、厚さが
例えば１０ｎｍのＧａＡｓキャップ層20を積層する。こ
の上にＳｉＯ2膜21を形成し、〈０１１〉方向に通常の
リソグラフィにより３μｍ程度の幅のストライプ領域の
ＳｉＯ2膜21を除去する。
【００３４】次に、図１ｂに示すように、ＳｉＯ2膜21
をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャッ
プ層20をエッチングし、引き続き塩酸系エッチャントで
ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層19およびｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層18をエッチン
グすることにより、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチ
ング阻止層17を露出させる。
をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャッ
プ層20をエッチングし、引き続き塩酸系エッチャントで
ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層19およびｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層18をエッチン
グすることにより、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチ
ング阻止層17を露出させる。
【００３５】次に、図１ｃに示すように、ＳｉＯ2膜21
をフッ酸系のエッチャントで除去し、引き続き硫酸系の
エッチャントで、ｎ−ＧａＡｓキャップ層20と溝の底面
のＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層17を除
去する。
をフッ酸系のエッチャントで除去し、引き続き硫酸系の
エッチャントで、ｎ−ＧａＡｓキャップ層20と溝の底面
のＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層17を除
去する。
【００３６】その後、図１ｄに示すように、ｐ−Ｉｎx4
Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4
≦1）上部第二クラッド層22、ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層23を形成する。その上にｐ側電極24を形成し、基板の
研磨を行いｎ側電極25を形成する。その後、試料を劈開
して形成した共振器に高反射率コート、低反射率コート
を行い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。
Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4
≦1）上部第二クラッド層22、ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層23を形成する。その上にｐ側電極24を形成し、基板の
研磨を行いｎ側電極25を形成する。その後、試料を劈開
して形成した共振器に高反射率コート、低反射率コート
を行い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。
【００３７】ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一クラッド
層16の厚さは基本横モード発振が高出力まで維持できる
厚さとする。
層16の厚さは基本横モード発振が高出力まで維持できる
厚さとする。
【００３８】本実施の形態においては、上部第二クラッ
ド層をＩｎx4Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4とし、電流狭窄層を
Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐとして内部電流狭窄構造と実屈折率
構造を形成しており、屈折率段差を１．５〜７×１０-3
程度にできるため、高い出力まで基本横モード発振を実
現できる。
ド層をＩｎx4Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4とし、電流狭窄層を
Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐとして内部電流狭窄構造と実屈折率
構造を形成しており、屈折率段差を１．５〜７×１０-3
程度にできるため、高い出力まで基本横モード発振を実
現できる。
【００３９】次に、本発明の第２の実施の形態による半
導体レーザ素子についてその作成過程に沿って説明し、
その作成過程の光出射方向に対しての断面図を図２に示
す。
導体レーザ素子についてその作成過程に沿って説明し、
その作成過程の光出射方向に対しての断面図を図２に示
す。
【００４０】図２ａに示すように、有機金属気相成長法
により、ｎ−ＧａＡｓ基板31上に、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ下部クラッド層32、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ
1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層33（x2＝(0.49±0.01)y2、0
≦x2≦0.3）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障
壁層34（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａ
ｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層35（0＜x3≦0.4、0≦y
3≦0.1）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層
36（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2
Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層37（x2＝(0.49±0.01)y
2、0≦x2≦0.3）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一ク
ラッド層38、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ−Ｉ
ｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層39（0≦x1
≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層40（0≦z1≦
0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層41、ｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層42を積層する。この上にＳｉＯ2膜43
を形成し、〈０１１〉方向に通常のリソグラフィにより
３μｍ程度の幅のストライプ領域のＳｉＯ2膜43を除去
する。
により、ｎ−ＧａＡｓ基板31上に、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ下部クラッド層32、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ
1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層33（x2＝(0.49±0.01)y2、0
≦x2≦0.3）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障
壁層34（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａ
ｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層35（0＜x3≦0.4、0≦y
3≦0.1）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層
36（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2
Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層37（x2＝(0.49±0.01)y
2、0≦x2≦0.3）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一ク
ラッド層38、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ−Ｉ
ｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層39（0≦x1
≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層40（0≦z1≦
0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層41、ｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層42を積層する。この上にＳｉＯ2膜43
を形成し、〈０１１〉方向に通常のリソグラフィにより
３μｍ程度の幅のストライプ領域のＳｉＯ2膜43を除去
する。
【００４１】次に、図２ｂに示すように、ＳｉＯ2膜43
をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャッ
プ層42をエッチングし、引き続き塩酸系エッチャント
で、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層41およびｎ−Ｉ
ｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層40をエッチ
ングすることにより、ｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層39を露出させる。
をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャッ
プ層42をエッチングし、引き続き塩酸系エッチャント
で、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層41およびｎ−Ｉ
ｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層40をエッチ
ングすることにより、ｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層39を露出させる。
【００４２】次に、図２ｃに示すように、ＳｉＯ2膜43
をフッ酸系エッチャントで除去し、引き続き硫酸系のエ
ッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層42と溝の底面のｎ
あるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻
止層39を除去する。
をフッ酸系エッチャントで除去し、引き続き硫酸系のエ
ッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層42と溝の底面のｎ
あるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻
止層39を除去する。
【００４３】次に、図２ｄに示すように、Ｉｎx4Ｇａ
1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4≦1）
上部第二クラッド層44、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層45を
形成する。その上にｐ側電極46を形成し、基板の研磨を
行いｎ側電極を47を形成する。その後、試料を劈開して
形成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを
行い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。ｐ
−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一クラッド層38の厚さは基
本横モード発振が高出力まで維持できる厚さとする。
1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4≦1）
上部第二クラッド層44、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層45を
形成する。その上にｐ側電極46を形成し、基板の研磨を
行いｎ側電極を47を形成する。その後、試料を劈開して
形成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを
行い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。ｐ
−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一クラッド層38の厚さは基
本横モード発振が高出力まで維持できる厚さとする。
【００４４】本実施の形態は、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3
Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層の上下にＩｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ
1-y5Ｐy5引張り歪障壁層を導入しているため、第一の実
施の形態に比べ、しきい値電流の低下等特性の改善がな
され、信頼性が向上する。
Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層の上下にＩｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ
1-y5Ｐy5引張り歪障壁層を導入しているため、第一の実
施の形態に比べ、しきい値電流の低下等特性の改善がな
され、信頼性が向上する。
【００４５】次に本発明の第３の実施の形態による半導
体レーザ素子について、その作成過程に沿って説明し、
その作成過程の光出射方向に対しての断面図を図３に示
す。
体レーザ素子について、その作成過程に沿って説明し、
その作成過程の光出射方向に対しての断面図を図３に示
す。
【００４６】図３ａに示すように、有機金属気相成長法
により、ｎ−ＧａＡｓ基板51上にｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層52（0.35≦z1≦0.7）、ｎあるいはｉ
−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ光導波層53（0≦z2≦0.2）、Ｉｎ
x5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層54（0≦x5≦0.
3、0＜y5≦0.6）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪
量子井戸活性層55（0＜x3≦0.4、0≦y3≦0.1）、Ｉｎx5
Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層56（0≦x5≦0.3、
0＜y5≦0.6）、ｐあるいはｉ−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ光導
波層57（0≦z2≦0.2）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第
一クラッド層58、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ
−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層59（0
≦x1≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−
Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層60（0≦z
1≦0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層61、厚さ
が例えば１０ｎｍのｎ−ＧａＡｓキャップ層62を積層す
る。この上に、ＳｉＯ2膜63を形成し、〈０１１〉方向
に通常のリソグラフィにより３μｍ程度の幅のストライ
プ領域のＳｉＯ2膜63を除去する。
により、ｎ−ＧａＡｓ基板51上にｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層52（0.35≦z1≦0.7）、ｎあるいはｉ
−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ光導波層53（0≦z2≦0.2）、Ｉｎ
x5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層54（0≦x5≦0.
3、0＜y5≦0.6）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪
量子井戸活性層55（0＜x3≦0.4、0≦y3≦0.1）、Ｉｎx5
Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層56（0≦x5≦0.3、
0＜y5≦0.6）、ｐあるいはｉ−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ光導
波層57（0≦z2≦0.2）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第
一クラッド層58、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ
−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層59（0
≦x1≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−
Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層60（0≦z
1≦0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層61、厚さ
が例えば１０ｎｍのｎ−ＧａＡｓキャップ層62を積層す
る。この上に、ＳｉＯ2膜63を形成し、〈０１１〉方向
に通常のリソグラフィにより３μｍ程度の幅のストライ
プ領域のＳｉＯ2膜63を除去する。
【００４７】次に、図３ｂに示すように、ＳｉＯ2膜63
をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャッ
プ層62をエッチングし、引き続き、塩酸系エッチャント
で、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層61およびｎ−Ｉ
ｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層60をエッチ
ングすることにより、ｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層59を露出させる。
をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャッ
プ層62をエッチングし、引き続き、塩酸系エッチャント
で、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層61およびｎ−Ｉ
ｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層60をエッチ
ングすることにより、ｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層59を露出させる。
【００４８】次に、図３ｃに示すように、ＳｉＯ2膜63
をフッ酸系のエッチャントで除去し、引き続き、硫酸系
のエッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層62と溝の底面
のｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチン
グ阻止層59を除去する。
をフッ酸系のエッチャントで除去し、引き続き、硫酸系
のエッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層62と溝の底面
のｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチン
グ阻止層59を除去する。
【００４９】次に、図３ｄに示すように、Ｉｎx4Ｇａ
1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4≦1）
上部第二クラッド層64、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層65を
形成する。その上にｐ側電極66を形成し、基板の研磨を
行いｎ側電極67を形成する。その後、試料を劈開して形
成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行
い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。ｐ−
Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一クラッド層58の厚さは基本
横モード発振が高出力まで維持できる厚さとする。
1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4≦1）
上部第二クラッド層64、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層65を
形成する。その上にｐ側電極66を形成し、基板の研磨を
行いｎ側電極67を形成する。その後、試料を劈開して形
成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行
い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。ｐ−
Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一クラッド層58の厚さは基本
横モード発振が高出力まで維持できる厚さとする。
【００５０】本実施の形態の半導体レーザ装置は、第２
の実施の形態同様、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪
量子井戸活性層の上下にＩｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引
張り歪障壁層を導入しているため、しきい値電流の低下
等特性の改善がなされる。
の実施の形態同様、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪
量子井戸活性層の上下にＩｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引
張り歪障壁層を導入しているため、しきい値電流の低下
等特性の改善がなされる。
【００５１】次に本発明の第４の実施の形態による半導
体レーザ素子についてその作成過程に沿って説明し、そ
の作成過程の光出射方向に対しての断面図を図４に示
す。
体レーザ素子についてその作成過程に沿って説明し、そ
の作成過程の光出射方向に対しての断面図を図４に示
す。
【００５２】図４ａに示すように、有機金属気相成長法
により、ｎ−ＧａＡｓ基板71上に、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ下部クラッド層72、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ
1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層73（x2＝(0.49±0.01)y2、0
≦x2≦0.3）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪み
障壁層74（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3
Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層75（0＜x3≦0.4、0
≦y3≦0.1）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障
壁層76（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、ｐあるいはｉ−Ｉ
ｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層77（x2＝(0.49±0.0
1)y2、0≦x2≦0.3）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一
クラッド層78、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ−
Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層79（0≦x
1≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層80（0≦z1≦
0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層81を積層す
る。この上に、ＳｉＯ2膜82を形成し、〈０１１〉方向
に通常のリソグラフィにより３μｍ程度の幅のストライ
プ領域のＳｉＯ2膜82を除去する。
により、ｎ−ＧａＡｓ基板71上に、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ下部クラッド層72、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ
1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層73（x2＝(0.49±0.01)y2、0
≦x2≦0.3）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪み
障壁層74（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3
Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層75（0＜x3≦0.4、0
≦y3≦0.1）、Ｉｎx5Ｇａ1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障
壁層76（0≦x5≦0.3、0＜y5≦0.6）、ｐあるいはｉ−Ｉ
ｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2光導波層77（x2＝(0.49±0.0
1)y2、0≦x2≦0.3）、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一
クラッド層78、厚さが例えば２０ｎｍのｎあるいはｐ−
Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層79（0≦x
1≦0.3、0≦y1≦0.6）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ
0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層80（0≦z1≦
0.1）、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層81を積層す
る。この上に、ＳｉＯ2膜82を形成し、〈０１１〉方向
に通常のリソグラフィにより３μｍ程度の幅のストライ
プ領域のＳｉＯ2膜82を除去する。
【００５３】次に、図４ｂに示すように、ＳｉＯ2膜82
をマスクとして塩酸系エッチャントでｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐキャップ層81およびｎ−Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ
1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層80をエッチングすることにより
ｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング
阻止層79を露出させる。その後、ＳｉＯ2膜82をフッ酸
系のエッチャントで除去し、硫酸系のエッチャントで溝
底辺のｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッ
チング阻止層79を除去する。
をマスクとして塩酸系エッチャントでｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐキャップ層81およびｎ−Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ
1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層80をエッチングすることにより
ｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング
阻止層79を露出させる。その後、ＳｉＯ2膜82をフッ酸
系のエッチャントで除去し、硫酸系のエッチャントで溝
底辺のｎあるいはｐ−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッ
チング阻止層79を除去する。
【００５４】図４ｃに示すように、引き続きＩｎx4Ｇａ
1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4≦1）
上部第二クラッド層83、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層84を
形成する。ｐ側電極85を形成し、その後基板の研磨を行
い、ｎ側電極86を形成する。その後、試料を劈開して形
成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行
い、その後チップ化して半導体レーザ素子を完成させ
る。ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0. 51Ｐ上部第一クラッド層78の厚
さは基本横モード発振が高出力まで維持できる厚さとす
る。
1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4（x4＝(0.49±0.01)y4、0.9≦y4≦1）
上部第二クラッド層83、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層84を
形成する。ｐ側電極85を形成し、その後基板の研磨を行
い、ｎ側電極86を形成する。その後、試料を劈開して形
成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行
い、その後チップ化して半導体レーザ素子を完成させ
る。ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0. 51Ｐ上部第一クラッド層78の厚
さは基本横モード発振が高出力まで維持できる厚さとす
る。
【００５５】本実施の形態のように、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐキャップ層の上に、ｐ−ＧａＡｓキャップ層を形
成しないで、半導体レーザ装置を完成させてもよい。
0.51Ｐキャップ層の上に、ｐ−ＧａＡｓキャップ層を形
成しないで、半導体レーザ装置を完成させてもよい。
【００５６】上記４つの実施の形態について、発振する
波長帯λに関しては、圧縮歪のＩｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3
Ｐy3活性層（0＜x3≦0.4、0≦y3≦0.1）より、９００＜
λ＜１２００（ｎｍ）の範囲までの制御が可能である。
波長帯λに関しては、圧縮歪のＩｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3
Ｐy3活性層（0＜x3≦0.4、0≦y3≦0.1）より、９００＜
λ＜１２００（ｎｍ）の範囲までの制御が可能である。
【００５７】また、上記４つの実施の形態は、屈折率導
波機構付き半導体レーザのみを記載しているが、回折格
子付きの半導体レーザや光集積回路の作成にも用いるこ
とが可能である。
波機構付き半導体レーザのみを記載しているが、回折格
子付きの半導体レーザや光集積回路の作成にも用いるこ
とが可能である。
【００５８】また、基本横モード発振する半導体レーザ
だけでなく、多モード発振する３μｍ以上の屈折導波型
幅広ストライプ半導体レーザの作成にも用いることが可
能である。
だけでなく、多モード発振する３μｍ以上の屈折導波型
幅広ストライプ半導体レーザの作成にも用いることが可
能である。
【００５９】また、層構成は、ｎ型ＧａＡｓ基板を用い
た場合について記述しているが、ｐ型導電性の基板を用
いてもよく、この場合、上記すべての導電性を反対にす
ればよい。
た場合について記述しているが、ｐ型導電性の基板を用
いてもよく、この場合、上記すべての導電性を反対にす
ればよい。
【００６０】なお、上記実施の形態では、量子井戸が単
一で光導波層組成が一定のＳＱＷ−ＳＣＨと呼ばれる構
造を示したが、ＳＱＷの代わりに量子井戸を複数とする
多重量子井戸構造であってもよい。
一で光導波層組成が一定のＳＱＷ−ＳＣＨと呼ばれる構
造を示したが、ＳＱＷの代わりに量子井戸を複数とする
多重量子井戸構造であってもよい。
【００６１】結晶層の成長法として、固体あるいはガス
を原料とする分子線エピタキシャル成長法であってもよ
い。
を原料とする分子線エピタキシャル成長法であってもよ
い。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
素子の作成工程を示す断面図
素子の作成工程を示す断面図
【図２】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
素子の作成工程を示す断面図
素子の作成工程を示す断面図
【図３】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
素子の作成工程を示す断面図
素子の作成工程を示す断面図
【図４】本発明の第４の実施の形態による半導体レーザ
素子の作成工程を示す断面図
素子の作成工程を示す断面図
11,31,51,71 ＧａＡｓ基板 12,32,52,72 下部クラッド層 13,33,53,73 下部光導波層 14,35,55,75 圧縮歪量子井戸活性層 15,37,57,77 上部光導波層 16,38,58,78 上部第一クラッド層 17,39,59,79 エッチング阻止層 18,40,60,80 電流狭窄層 19,41,61 ＩｎＧａＰキャップ層 22,44,64,83 上部第二クラッド層 23,45,65,84 コンタクト層 34,36,54,56,74,76 引張り歪障壁層
Claims (12)
- 【請求項１】 第一導電型ＧａＡｓ基板上に、 第一導電型下部クラッド層、 下部光導波層、 組成比が0＜x3≦0.4および0≦y3≦0.1であるＩｎx3Ｇａ
1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層、 上部光導波層、 第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一クラッド層、 電流注入窓となるストライプ部が除去された、組成比が
0≦x1≦0.3および0≦y1≦0.6であるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ
1-y1Ｐy1エッチング阻止層、 電流注入窓となるストライプ部が除去された、組成比が
0＜z≦0.1である第一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇ
ａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層、 電流注入窓となるストライプ部が除去されたＩｎ0.49Ｇ
ａ0.51Ｐキャップ層がこの順に形成された結晶層の上
に、 組成比がx4＝(0.49±0.01)y4および0.9≦y4≦1である第
二導電型Ｉｎx4Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4上部第二クラッド
層および第二導電型コンタクト層がこの順に形成されて
なる屈折率導波機構を備えており、 前記圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積の絶対値が
０．２５ｎｍ以下であり、 前記エッチング阻止層の歪量と膜厚の積の絶対値が０．
２５ｎｍ以下であり、 前記圧縮歪量子井戸活性層およびエッチング阻止層以外
の全ての層が、前記第一導電型ＧａＡｓ基板と格子整合
する組成であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記圧縮歪量子井戸活性層の上下に、組
成比が0≦x5≦0.3および0＜y5≦0.6であるＩｎx5Ｇａ
1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層が形成されており、 前記圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積と、該引張
り歪障壁層の歪量と該２つの引張り歪障壁層の合計の膜
厚の積の和の絶対値が０．２５ｎｍ以下であることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記エッチング阻止層が、第一導電型ま
たは第二導電型であることを特徴とする請求項１または
２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層が第
一導電型、第二導電型およびアンドープのうちのいずれ
かであることを特徴とする請求項１、２または３記載の
半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記下部光導波層が第一導電型であり、
前記上部光導波層が第二導電型であることを特徴とする
請求項１、２、３または４記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記圧縮歪量子井戸活性層が、多重量子
井戸構造であることを特徴とする請求項１から５いずれ
か１項記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記ストライプの幅が１μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の半
導体レーザ装置。 - 【請求項８】 第一導電型ＧａＡｓ基板上に、 第一導電型下部クラッド層、 下部光導波層、 組成比が0＜x3≦0.4および0≦y3≦0.1であるＩｎx3Ｇａ
1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3圧縮歪量子井戸活性層、 上部光導波層、 第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部第一クラッド層、 組成比が0≦x1≦0.3および0≦y1≦0.6であるＩｎx1Ｇａ
1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1エッチング阻止層、 組成比が0≦z≦0.1である第一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1
Ｇａ1-z1）0.51Ｐ第一導電型電流狭窄層 Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層 ＧａＡｓキャップ層をこの順に積層し、 前記ＧａＡｓキャップ層の電流注入窓となる部分をスト
ライプ状に除去し、 次に、前記Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層および前記第
一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流狭窄層
の電流注入窓となる部分をストライプ状に除去し、 次に、該電流注入窓となる部分がストライプ状に除去さ
れたＧａＡｓキャップ層およびＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1
Ｐy1エッチング阻止層の電流注入窓となるストライプ状
の部分を同時に除去した後、 前記第一導電型Ｉｎ0.49（Ａｌz1Ｇａ1-z1）0.51Ｐ電流
狭窄層上に前記電流注入窓を覆うようにして、組成比が
x4＝(0.49±0.01)y4および0.4≦x4≦0.46である第二導
電型Ｉｎx4Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4上部第二クラッド層お
よび第二導電型コンタクト層をこの順に積層し、 前記圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積の絶対値を
０．２５ｎｍ以下とし、 前記エッチング阻止層の歪量と膜厚の積の絶対値を０．
２５ｎｍ以下とし、 前記圧縮歪量子井戸活性層およびエッチング阻止層以外
の全ての層を、前記第一導電型ＧａＡｓ基板と格子整合
させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記エッチング阻止層が、第一導電型ま
たは第二導電型であることを特徴とする請求項８記載の
半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐキャップ層
が、第一導電型、第二導電型およびアンドープのうちの
いずれかであることを特徴とする請求項８または９記載
の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記ＧａＡｓキャップ層が、第一導電
型、第二導電型およびアンドープのうちのいずれかであ
ることを特徴とする請求項８、９または10記載の半導体
レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記圧縮歪量子井戸活性層の上下に、
組成比が0≦x5≦0.3および0＜y5≦0.6であるＩｎx5Ｇａ
1-x5Ａｓ1-y5Ｐy5引張り歪障壁層を積層し、 前記圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積と、該引張
り歪障壁層の歪量と該２つの引張り歪障壁層の合計の膜
厚の積の和の絶対値を０．２５ｎｍ以下とすることを特
徴とする請求項８、９、10または11記載の半導体レーザ
装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11222171A JP2001053384A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US09/634,704 US6396863B1 (en) | 1999-08-05 | 2000-08-07 | High-power semiconductor laser device having index-guided structure with InAlGaP current confinement layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11222171A JP2001053384A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053384A true JP2001053384A (ja) | 2001-02-23 |
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