JP2003347679A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｓＰ系活性層を
備えた半導体レーザ素子において、活性層からの電子の
漏れを抑制して、素子の温度依存性を改善する。 【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌz1Ｇ
ａ1-z1Ａｓ下部クラッド層２、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇ
ａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層３、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層４、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａ
ｓ1-y2Ｐy2上部第一光導波層５、光導波層よりバンドギ
ャップが大きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層６、ｐあ
るいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部第二光導波
層７、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部クラッド層８および
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を積層する。
備えた半導体レーザ素子において、活性層からの電子の
漏れを抑制して、素子の温度依存性を改善する。 【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌz1Ｇ
ａ1-z1Ａｓ下部クラッド層２、ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇ
ａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層３、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層４、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａ
ｓ1-y2Ｐy2上部第一光導波層５、光導波層よりバンドギ
ャップが大きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層６、ｐあ
るいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部第二光導波
層７、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部クラッド層８および
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ基板上に
ＩｎＧａＡｓＰ系の活性層を備えた半導体レーザ素子に
関するものである。
ＩｎＧａＡｓＰ系の活性層を備えた半導体レーザ素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子においては、その層構
成により、活性層と周辺の半導体層とのバンドオフセッ
トが不十分である場合がある。そこで、電子あるいはホ
ールの活性層からの漏れを防止するために、活性層より
バンドギャップが大きいキャリアブロック層を設けるこ
とが広くなされている。例えば、特開平8-330666号公報
において、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ系の半導体層
を備えてなる半導体レーザ素子において、ｎ型キャリア
ブロック層として、クラッド層と価電子帯オフセットが
0.5以上であるＩｎＧａＰあるいはＡｌＧａＡｓを設
け、ｐ型キャリアブロック層としてはクラッド層との伝
導体オフセットが0.5以上となるＡｌＧａＡｓ層を設け
ることが提案されている。これにより、ホールあるいは
電子に対するポテンシャル障壁が高くなり、発光効率の
向上およびしきい値電流の低減が可能であることが記載
されている。
成により、活性層と周辺の半導体層とのバンドオフセッ
トが不十分である場合がある。そこで、電子あるいはホ
ールの活性層からの漏れを防止するために、活性層より
バンドギャップが大きいキャリアブロック層を設けるこ
とが広くなされている。例えば、特開平8-330666号公報
において、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ系の半導体層
を備えてなる半導体レーザ素子において、ｎ型キャリア
ブロック層として、クラッド層と価電子帯オフセットが
0.5以上であるＩｎＧａＰあるいはＡｌＧａＡｓを設
け、ｐ型キャリアブロック層としてはクラッド層との伝
導体オフセットが0.5以上となるＡｌＧａＡｓ層を設け
ることが提案されている。これにより、ホールあるいは
電子に対するポテンシャル障壁が高くなり、発光効率の
向上およびしきい値電流の低減が可能であることが記載
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、0.9μｍ〜1.2μ
ｍ帯の半導体レーザ素子として、ＧａＡｓ基板上に圧縮
歪ＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層およびＧａＡｓ光導波層
を備えたものが、IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,
VOL.12,No.1,January 2000 pp.13-15において紹介され
ている。しかし、この半導体レーザ素子では、しきい値
電流の温度依存性を示すグラフから得られる特性温度が
117Ｋと低い値となっている。これは、ＩｎＧａＡｓ活
性層とＧａＡｓ光導波層とでは、伝導体のバンドオフセ
ットが十分とれないため、電子が活性層から漏れ、無効
電流が増大したことによるものである。
ｍ帯の半導体レーザ素子として、ＧａＡｓ基板上に圧縮
歪ＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層およびＧａＡｓ光導波層
を備えたものが、IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,
VOL.12,No.1,January 2000 pp.13-15において紹介され
ている。しかし、この半導体レーザ素子では、しきい値
電流の温度依存性を示すグラフから得られる特性温度が
117Ｋと低い値となっている。これは、ＩｎＧａＡｓ活
性層とＧａＡｓ光導波層とでは、伝導体のバンドオフセ
ットが十分とれないため、電子が活性層から漏れ、無効
電流が増大したことによるものである。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みて、ＧａＡｓ基板
上にＩｎＧａＡｓＰ系活性層を有する半導体レーザ素子
において、電子に対するポテンシャル障壁が高く、温度
特性が改善された、高出力化が可能で高い信頼性を有す
る半導体レーザ素子を提供することを目的とするもので
ある。
上にＩｎＧａＡｓＰ系活性層を有する半導体レーザ素子
において、電子に対するポテンシャル障壁が高く、温度
特性が改善された、高出力化が可能で高い信頼性を有す
る半導体レーザ素子を提供することを目的とするもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、ＧａＡｓ基板上に、活性層を挟むように該活性層
の上下にそれぞれ活性層側から光導波層およびクラッド
層をこの順に含む半導体層を備えた半導体レーザ素子に
おいて、活性層が、圧縮歪を有するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ
1-y1Ｐy1（ただし、0.49y1＜x1≦0.4、0≦y1≦0.1）か
らなり、光導波層が、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2（た
だし、x2＝0.49y2、0.05≦x2≦0.15）からなり、半導体
層のｐ型導電性側に配置された光導波層中に、該光導波
層よりバンドギャップが大きいアンドープのＡｌz3Ｇａ
1-z3Ａｓ電子障壁層（ただし、0.1≦z3≦0.8）が設けら
れていることを特徴とするものである。
子は、ＧａＡｓ基板上に、活性層を挟むように該活性層
の上下にそれぞれ活性層側から光導波層およびクラッド
層をこの順に含む半導体層を備えた半導体レーザ素子に
おいて、活性層が、圧縮歪を有するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ
1-y1Ｐy1（ただし、0.49y1＜x1≦0.4、0≦y1≦0.1）か
らなり、光導波層が、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2（た
だし、x2＝0.49y2、0.05≦x2≦0.15）からなり、半導体
層のｐ型導電性側に配置された光導波層中に、該光導波
層よりバンドギャップが大きいアンドープのＡｌz3Ｇａ
1-z3Ａｓ電子障壁層（ただし、0.1≦z3≦0.8）が設けら
れていることを特徴とするものである。
【０００６】クラッド層は、光導波層よりバンドギャッ
プが大きいＩｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z) 0.51Ｐ（ただし、0
≦z≦1）またはＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1
≦0.8）からなることが望ましい。
プが大きいＩｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z) 0.51Ｐ（ただし、0
≦z≦1）またはＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1
≦0.8）からなることが望ましい。
【０００７】本発明の半導体レーザ素子においては、活
性層の基板と反対側の光導波層上に、ｎ型およびｐ型の
一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）か
らなるクラッド層、一方の導電性のＩｎＧａＰ第一エッ
チング阻止層、電流の通路となるストライプ領域に開口
を有するＧａＡｓ第二エッチング阻止層および他方の導
電性のＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込む
ように形成された一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ
（ただし、0.3≦z4≦0.5）からなる第二のクラッド層、
および一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順に
備えてなる内部電流狭窄構造と屈折率導波機構を備えた
ものであってもよい。
性層の基板と反対側の光導波層上に、ｎ型およびｐ型の
一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）か
らなるクラッド層、一方の導電性のＩｎＧａＰ第一エッ
チング阻止層、電流の通路となるストライプ領域に開口
を有するＧａＡｓ第二エッチング阻止層および他方の導
電性のＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込む
ように形成された一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ
（ただし、0.3≦z4≦0.5）からなる第二のクラッド層、
および一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順に
備えてなる内部電流狭窄構造と屈折率導波機構を備えた
ものであってもよい。
【０００８】また、活性層の基板と反対側の光導波層上
に、一方の導電性のＩｎＧａＰ第一エッチング阻止層、
電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧａＡ
ｓ第二エッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49
Ｇａ0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込むように形成され
た一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z
4≦0.5）からなるクラッド層、および一方の導電性のＧ
ａＡｓコンタクト層をこの順に備えてなる、内部電流狭
窄構造と屈折率導波機構を備えたものであってもよい。
なお、ＧａＡｓ第二エッチング阻止層の導電性は基板の
導電性に関わらず、ｎ型およびｐ型のいずれであっても
よい。
に、一方の導電性のＩｎＧａＰ第一エッチング阻止層、
電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧａＡ
ｓ第二エッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49
Ｇａ0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込むように形成され
た一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z
4≦0.5）からなるクラッド層、および一方の導電性のＧ
ａＡｓコンタクト層をこの順に備えてなる、内部電流狭
窄構造と屈折率導波機構を備えたものであってもよい。
なお、ＧａＡｓ第二エッチング阻止層の導電性は基板の
導電性に関わらず、ｎ型およびｐ型のいずれであっても
よい。
【０００９】また、活性層の基板と反対側の光導波層上
に、ｎ型およびｐ型の一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただ
し、0.2≦z1≦0.8）からなるクラッド層、電流の通路と
なるストライプ領域に開口を有するＩｎＧａＰエッチン
グ阻止層および他方の導電性のＡｌz5Ｇａ1-z5Ａｓ電流
阻止層（ただし、0.2≦z5≦0.8）、開口を埋め込むよう
に形成された一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただ
し、z4＜z5）からなる第二のクラッド層、および一方の
導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順に備えてなる内
部電流狭窄構造と屈折率導波機構を備えたものであって
もよい。
に、ｎ型およびｐ型の一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただ
し、0.2≦z1≦0.8）からなるクラッド層、電流の通路と
なるストライプ領域に開口を有するＩｎＧａＰエッチン
グ阻止層および他方の導電性のＡｌz5Ｇａ1-z5Ａｓ電流
阻止層（ただし、0.2≦z5≦0.8）、開口を埋め込むよう
に形成された一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただ
し、z4＜z5）からなる第二のクラッド層、および一方の
導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順に備えてなる内
部電流狭窄構造と屈折率導波機構を備えたものであって
もよい。
【００１０】また、活性層の基板と反対側の光導波層上
に、電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＩ
ｎＧａＰエッチング阻止層および他方の導電性のＡｌz5
Ｇａ 1-z5Ａｓ電流阻止層（ただし、0.2≦z5≦0.8）、開
口を埋め込むように形成された一方の導電性のＡｌz4Ｇ
ａ1-z4Ａｓ（ただし、z4＜z5）からなるクラッド層、お
よび一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順に備
えてなる内部電流狭窄構造と屈折率導波機構を備えたも
のであってもよい。なお、ＩｎＧａＰエッチング阻止層
の導電性は基板の導電性に関わらず、ｎ型およびｐ型の
いずれであってもよい。
に、電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＩ
ｎＧａＰエッチング阻止層および他方の導電性のＡｌz5
Ｇａ 1-z5Ａｓ電流阻止層（ただし、0.2≦z5≦0.8）、開
口を埋め込むように形成された一方の導電性のＡｌz4Ｇ
ａ1-z4Ａｓ（ただし、z4＜z5）からなるクラッド層、お
よび一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順に備
えてなる内部電流狭窄構造と屈折率導波機構を備えたも
のであってもよい。なお、ＩｎＧａＰエッチング阻止層
の導電性は基板の導電性に関わらず、ｎ型およびｐ型の
いずれであってもよい。
【００１１】さらに、活性層の基板と反対側の光導波層
上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ 0.49（ＡｌzＧ
ａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるクラッド
層、電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧ
ａＡｓエッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49
Ｇａ0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込むように形成され
た、該電流阻止層より屈折率が大きい一方の導電性のＡ
ｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z4≦0.5）からなる第
二のクラッド層、および一方の導電性のＧａＡｓコンタ
クト層をこの順に備えてなる内部電流狭窄構造と屈折率
導波機構を備えたものであってもよい。
上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ 0.49（ＡｌzＧ
ａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるクラッド
層、電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧ
ａＡｓエッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49
Ｇａ0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込むように形成され
た、該電流阻止層より屈折率が大きい一方の導電性のＡ
ｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z4≦0.5）からなる第
二のクラッド層、および一方の導電性のＧａＡｓコンタ
クト層をこの順に備えてなる内部電流狭窄構造と屈折率
導波機構を備えたものであってもよい。
【００１２】活性層の基板と反対側の光導波層上に、電
流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧａＡｓ
エッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込むように形成された、
該電流阻止層より屈折率が大きい一方の導電性のＡｌz4
Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z4≦0.5）からなるクラッ
ド層、および一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこ
の順に備えてなる内部電流狭窄構造と屈折率導波機構を
備えたものであってもよい。
流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧａＡｓ
エッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ電流阻止層、開口を埋め込むように形成された、
該電流阻止層より屈折率が大きい一方の導電性のＡｌz4
Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z4≦0.5）からなるクラッ
ド層、および一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこ
の順に備えてなる内部電流狭窄構造と屈折率導波機構を
備えたものであってもよい。
【００１３】またさらに、活性層の前記基板と反対側の
前記光導波層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ
0.49（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）から
なるクラッド層、電流の通路となるストライプ領域に開
口を有するＧａＡｓエッチング阻止層および他方の導電
性のＩｎ0.49（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｐ電流阻止層（ただ
し、0≦z≦1）、開口を埋め込むように形成された、該
電流阻止層より屈折率が大きい一方の導電性のＡｌz7Ｇ
ａ1-z7Ａｓ（ただし、0.3≦z7≦0.8）あるいはＩｎ0. 49
（Ａｌz6Ｇａ1-z6）0.51Ｐからなる第二のクラッド層
（ただし、z6＜z）、および一方の導電性のＧａＡｓコ
ンタクト層をこの順に備えてなる、内部電流狭窄構造と
屈折率導波機構を備えたものであってもよい。
前記光導波層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ
0.49（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）から
なるクラッド層、電流の通路となるストライプ領域に開
口を有するＧａＡｓエッチング阻止層および他方の導電
性のＩｎ0.49（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｐ電流阻止層（ただ
し、0≦z≦1）、開口を埋め込むように形成された、該
電流阻止層より屈折率が大きい一方の導電性のＡｌz7Ｇ
ａ1-z7Ａｓ（ただし、0.3≦z7≦0.8）あるいはＩｎ0. 49
（Ａｌz6Ｇａ1-z6）0.51Ｐからなる第二のクラッド層
（ただし、z6＜z）、および一方の導電性のＧａＡｓコ
ンタクト層をこの順に備えてなる、内部電流狭窄構造と
屈折率導波機構を備えたものであってもよい。
【００１４】活性層の前記基板と反対側の前記光導波層
上に、電流の通路となるストライプ領域に開口を有する
ＧａＡｓエッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ
0.49（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｐ電流阻止層（ただし、0≦z
≦1）、開口を埋め込むように形成された、該電流阻止
層より屈折率が大きい一方の導電性のＡｌz7Ｇａ1-z7Ａ
ｓ（ただし、0.3≦z7≦0.8）あるいはＩｎ0.49（Ａｌz6
Ｇａ1-z6）0.51Ｐからなるクラッド層（ただし、z6＜
z）、および一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこ
の順に備えてなる、内部電流狭窄構造と屈折率導波機構
を備えたものであってもよい。
上に、電流の通路となるストライプ領域に開口を有する
ＧａＡｓエッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ
0.49（ＡｌzＧａ1-z）0.51Ｐ電流阻止層（ただし、0≦z
≦1）、開口を埋め込むように形成された、該電流阻止
層より屈折率が大きい一方の導電性のＡｌz7Ｇａ1-z7Ａ
ｓ（ただし、0.3≦z7≦0.8）あるいはＩｎ0.49（Ａｌz6
Ｇａ1-z6）0.51Ｐからなるクラッド層（ただし、z6＜
z）、および一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこ
の順に備えてなる、内部電流狭窄構造と屈折率導波機構
を備えたものであってもよい。
【００１５】なお、上記ＧａＡｓエッチング阻止層の導
電性は基板の導電性に関わらず、ｎ型およびｐ型のいず
れであってもよい。
電性は基板の導電性に関わらず、ｎ型およびｐ型のいず
れであってもよい。
【００１６】また、活性層の基板と反対側の光導波層上
に、ｎ型およびｐ型の一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただ
し、0.2≦z≦0.8）からなるクラッド層、一方の導電性
のＩｎＧａＰエッチング阻止層、および電流の通路とな
るリッジ部が形成された一方の導電性のＡｌz1Ｇａ1-z1
Ａｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）からなる第二のクラッド
層をこの順に備えてなる、リッジ型の屈折率導波機構を
備えたものであってもよい。
に、ｎ型およびｐ型の一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただ
し、0.2≦z≦0.8）からなるクラッド層、一方の導電性
のＩｎＧａＰエッチング阻止層、および電流の通路とな
るリッジ部が形成された一方の導電性のＡｌz1Ｇａ1-z1
Ａｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）からなる第二のクラッド
層をこの順に備えてなる、リッジ型の屈折率導波機構を
備えたものであってもよい。
【００１７】また、活性層の基板と反対側の光導波層上
に、一方の導電性のＩｎＧａＰエッチング阻止層、およ
び電流の通路となるリッジ部が形成された一方の導電性
のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）からな
るクラッド層をこの順に備えてなる、リッジ型の屈折率
導波機構を備えたものであってもよい。
に、一方の導電性のＩｎＧａＰエッチング阻止層、およ
び電流の通路となるリッジ部が形成された一方の導電性
のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）からな
るクラッド層をこの順に備えてなる、リッジ型の屈折率
導波機構を備えたものであってもよい。
【００１８】また、活性層の前記基板と反対側の前記光
導波層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ0.49（Ａｌz
Ｇａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるクラッド
層、および電流の通路となるリッジ部が形成された前記
一方の導電性のＡｌz1Ｇａ1- z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1
≦0.8）からなる第二のクラッド層をこの順に備えてな
る、リッジ型の屈折率導波機構を備えたものであっても
よい。
導波層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ0.49（Ａｌz
Ｇａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるクラッド
層、および電流の通路となるリッジ部が形成された前記
一方の導電性のＡｌz1Ｇａ1- z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1
≦0.8）からなる第二のクラッド層をこの順に備えてな
る、リッジ型の屈折率導波機構を備えたものであっても
よい。
【００１９】上記屈折率導波機構を備えた半導体レーザ
素子において、ストライプ幅、すなわち前記電流の通路
の導波方向に垂直な断面における幅を1.5μｍ〜４μｍ
とする場合は、等価屈折率段差は２×１０-3〜７×１０
-3の範囲であることが望ましい。
素子において、ストライプ幅、すなわち前記電流の通路
の導波方向に垂直な断面における幅を1.5μｍ〜４μｍ
とする場合は、等価屈折率段差は２×１０-3〜７×１０
-3の範囲であることが望ましい。
【００２０】また、前記ストライプ幅を、４μｍより大
きくする場合は、等価屈折率段差は２×１０-3以上とす
ることが望ましい。
きくする場合は、等価屈折率段差は２×１０-3以上とす
ることが望ましい。
【００２１】なお、等価屈折率段差とは、内部電流狭窄
構造の場合は、電流狭窄層が存在する領域の積層方向の
発振波長における等価屈折率をＮbとし、電流狭窄層が
無い領域の積層方向の発振波長における等価屈折率をＮ
aとすると、等価屈折率差△ｎはＮa−Ｎbで示される。
また、リッジ構造の場合は、リッジを有する領域の積層
方向の発振波長における等価屈折率をＮAとし、リッジ
が無い領域の積層方向の発振波長における等価屈折率を
ＮBすると、等価屈折率差△ＮはＮA−ＮBで示される。
構造の場合は、電流狭窄層が存在する領域の積層方向の
発振波長における等価屈折率をＮbとし、電流狭窄層が
無い領域の積層方向の発振波長における等価屈折率をＮ
aとすると、等価屈折率差△ｎはＮa−Ｎbで示される。
また、リッジ構造の場合は、リッジを有する領域の積層
方向の発振波長における等価屈折率をＮAとし、リッジ
が無い領域の積層方向の発振波長における等価屈折率を
ＮBすると、等価屈折率差△ＮはＮA−ＮBで示される。
【００２２】また、Ａｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層が設
けられる、「ｐ側に配置された前記光導波層中」とは、
アンドープのＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層が、活性層
に隣接するように形成されていてもよいし、あるいは、
該電子障壁層の上下に光導波層が存在するように、すな
わち、光導波層中に電子障壁層が形成されていてもよい
ことを示す。
けられる、「ｐ側に配置された前記光導波層中」とは、
アンドープのＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層が、活性層
に隣接するように形成されていてもよいし、あるいは、
該電子障壁層の上下に光導波層が存在するように、すな
わち、光導波層中に電子障壁層が形成されていてもよい
ことを示す。
【００２３】なお、ｐ側に配置された光導波層の導電性
は、ｐ型あるいはアンドープのいずれであってもよい。
上下に光導波層が存在するように電子障壁層を形成する
場合は、活性層に隣接する光導波層は、アンドープのも
のとすることが好ましい。
は、ｐ型あるいはアンドープのいずれであってもよい。
上下に光導波層が存在するように電子障壁層を形成する
場合は、活性層に隣接する光導波層は、アンドープのも
のとすることが好ましい。
【００２４】またＩｎＧａＰエッチング阻止層の厚さ
は、少なくとも成膜可能な最小膜厚あればよく、さらに
膜厚が薄いため、ＩｎＧａＰの組成は必ずしもＧａＡｓ
に格子整合する必要は無いが、格子整合する方がより好
ましい。
は、少なくとも成膜可能な最小膜厚あればよく、さらに
膜厚が薄いため、ＩｎＧａＰの組成は必ずしもＧａＡｓ
に格子整合する必要は無いが、格子整合する方がより好
ましい。
【００２５】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ素子によれば、活
性層が圧縮歪を有するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1（た
だし、0.49y1≦x1≦0.4、0≦y1≦0.1）からなり、光導
波層がＩｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2（ただし、x2＝0.49
y2、0.05≦x2≦0.15）からなり、半導体層のｐ型導電性
側に配置された光導波層中に、該光導波層よりバンドギ
ャップが大きいアンドープのＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障
壁層（ただし、0.1≦z3≦0.8）が設けられている構造と
することにより、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1活性層に
注入された電子に対するポテンシャル障壁を高くするこ
とができるので、電子がｐ側のクラッド層等に漏れるの
を防ぐことができる。このため、高い効率で電子が活性
層に注入されるため、しきい値電流およびそのしきい値
電流の温度依存性を小さくすることができる。よって高
出力化が可能であり、高い信頼性を有する半導体レーザ
素子を得ることができる。
性層が圧縮歪を有するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1（た
だし、0.49y1≦x1≦0.4、0≦y1≦0.1）からなり、光導
波層がＩｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2（ただし、x2＝0.49
y2、0.05≦x2≦0.15）からなり、半導体層のｐ型導電性
側に配置された光導波層中に、該光導波層よりバンドギ
ャップが大きいアンドープのＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障
壁層（ただし、0.1≦z3≦0.8）が設けられている構造と
することにより、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1活性層に
注入された電子に対するポテンシャル障壁を高くするこ
とができるので、電子がｐ側のクラッド層等に漏れるの
を防ぐことができる。このため、高い効率で電子が活性
層に注入されるため、しきい値電流およびそのしきい値
電流の温度依存性を小さくすることができる。よって高
出力化が可能であり、高い信頼性を有する半導体レーザ
素子を得ることができる。
【００２６】クラッド層を、光導波層よりバンドギャッ
プが大きいＩｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z) 0.51Ｐ（ただし、0
≦z≦1）またはＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1
≦0.8）とすることにより、キャリアの閉じ込めを良好
に行うことができる。
プが大きいＩｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z) 0.51Ｐ（ただし、0
≦z≦1）またはＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1
≦0.8）とすることにより、キャリアの閉じ込めを良好
に行うことができる。
【００２７】また、上記のような内部電流狭窄構造と屈
折率導波機構を備えた半導体レーザ素子においては、光
閉じ込めが良好に行われるので高品位なレーザ光を得る
ことができる。また、内部電流狭窄構造であるので、電
極とコンタクト層の接触面積が大きいため、コンタクト
抵抗を低減させることができ、特性を向上させることが
できる。
折率導波機構を備えた半導体レーザ素子においては、光
閉じ込めが良好に行われるので高品位なレーザ光を得る
ことができる。また、内部電流狭窄構造であるので、電
極とコンタクト層の接触面積が大きいため、コンタクト
抵抗を低減させることができ、特性を向上させることが
できる。
【００２８】また、リッジ型の屈折率導波機構を備えた
半導体レーザ素子においても同様に、光閉じ込めが良好
に行われるので高品位なレーザ光を得ることができる。
半導体レーザ素子においても同様に、光閉じ込めが良好
に行われるので高品位なレーザ光を得ることができる。
【００２９】ストライプ幅を1.5μｍ〜４μｍとし、等
価屈折率段差を２×１０-3〜７×１０-3の範囲にするこ
とにより、高出力まで基本横モード発振が可能な半導体
レーザ素子を得ることができる。
価屈折率段差を２×１０-3〜７×１０-3の範囲にするこ
とにより、高出力まで基本横モード発振が可能な半導体
レーザ素子を得ることができる。
【００３０】また、ストライプ幅を４μｍより大きく
し、等価屈折率段差を２×１０-3以上とすることによ
り、マルチモードであっても低雑音なレーザ光を得るこ
とができる。
し、等価屈折率段差を２×１０-3以上とすることによ
り、マルチモードであっても低雑音なレーザ光を得るこ
とができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００３２】本発明の第１の実施の形態による半導体レ
ーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。その
半導体レーザ素子の断面図を図１に示す。
ーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。その
半導体レーザ素子の断面図を図１に示す。
【００３３】図１に示すように、有機金属気相成長法に
より、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層２（0.2≦z1≦0.8）、ｎあるいはｉ−
Ｉｎ x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層３（x2=0.49y
2、0.05≦x2≦0.15）、Ｉｎx 1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧
縮歪量子井戸活性層４（0.4≧x1＞0.49y1、0≦y1≦0.
1、厚さ３〜20nm程度）、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第一光導波層５、光導波層よりバンドギャップが大
きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層６（ただし、0.1≦z
3≦0.8）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第二光導波層７、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部クラ
ッド層８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を積層す
る。
より、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層２（0.2≦z1≦0.8）、ｎあるいはｉ−
Ｉｎ x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層３（x2=0.49y
2、0.05≦x2≦0.15）、Ｉｎx 1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧
縮歪量子井戸活性層４（0.4≧x1＞0.49y1、0≦y1≦0.
1、厚さ３〜20nm程度）、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第一光導波層５、光導波層よりバンドギャップが大
きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層６（ただし、0.1≦z
3≦0.8）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第二光導波層７、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部クラ
ッド層８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を積層す
る。
【００３４】次に、ＳｉＯ2膜10を形成し、通常のリソ
グラフィにより＜０１１＞方向に50μｍ程度の幅のスト
ライプ領域のＳｉＯ2膜10を除去し、ｐ側電極11を形成
する。基板を研磨しｎ側電極12を形成する。その後、上
記のようにして作製した試料をへき開して形成した共振
器面の一方に高反射率コート、他方に低反射率コートを
施し、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。
グラフィにより＜０１１＞方向に50μｍ程度の幅のスト
ライプ領域のＳｉＯ2膜10を除去し、ｐ側電極11を形成
する。基板を研磨しｎ側電極12を形成する。その後、上
記のようにして作製した試料をへき開して形成した共振
器面の一方に高反射率コート、他方に低反射率コートを
施し、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。
【００３５】上記のようにして作製された半導体レーザ
素子は、活性層、アンドープの上部第一光導波層、電子
障壁層、ｐ型あるいはアンドープの上部第二光導波層が
積層された構造となっている。
素子は、活性層、アンドープの上部第一光導波層、電子
障壁層、ｐ型あるいはアンドープの上部第二光導波層が
積層された構造となっている。
【００３６】本実施の形態による半導体レーザ素子にお
いては、電子障壁層は、光導波層の間に形成されている
が、活性層に隣接するように形成してもよい。
いては、電子障壁層は、光導波層の間に形成されている
が、活性層に隣接するように形成してもよい。
【００３７】なお、本実施の形態において、下部クラッ
ド層２とＧａＡｓ基板１との間、および上部クラッド層
８とコンタクト層９との間にそれぞれ、バンドギャップ
が連続的につながるように、Ａｌ組成を徐々に変化させ
たＡｌＧａＡｓ組成傾斜層を設けることが、素子抵抗低
減のためにより好ましい。
ド層２とＧａＡｓ基板１との間、および上部クラッド層
８とコンタクト層９との間にそれぞれ、バンドギャップ
が連続的につながるように、Ａｌ組成を徐々に変化させ
たＡｌＧａＡｓ組成傾斜層を設けることが、素子抵抗低
減のためにより好ましい。
【００３８】次に、本発明の第２の実施の形態による半
導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明す
る。その半導体レーザ素子の断面図を図２に示す。
導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明す
る。その半導体レーザ素子の断面図を図２に示す。
【００３９】図２に示すように、有機金属気相成長法に
より、ｎ−ＧａＡｓ基板21上に、ｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層22（0.2≦z1≦0.8）、ｎあるいはｉ−
Ｉｎ x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層23（x2=0.49y
2、0.05≦x2≦0.15）、Ｉｎx 1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧
縮歪量子井戸活性層24（0.4≧x1＞0.49y1、0≦y1≦0.
1、厚さ３〜20nm程度）、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第一光導波層25、光導波層25よりバンドギャップが
大きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層26（ただし、0.1
≦z3≦0.8）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2
Ｐy2上部第二光導波層27、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部
第一クラッド層28、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチ
ング阻止層29、ｐ−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30、
ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流狭窄層31（厚さ１μｍ程
度）、および不図示のｎ−ＧａＡｓキャップ層32（厚さ
10nm程度）を積層する。その上に、不図示のＳｉＯ2膜3
3を形成し、＜０１１＞方向に通常のリソグラフィによ
り1.5〜４μｍ程度の幅のストライプ状にＳｉＯ2膜33を
除去する。次にＳｉＯ2膜33をマスクにして、硫酸系の
エッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層32をエッチング
した後、ＳｉＯ2膜33を除去する。次に、ｎ−ＧａＡｓ
キャップ層32をマスクとして、塩酸系のエッチャントで
ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流狭窄層31をエッチングし、
ｐ−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30を露出させる。硫
酸系エッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層32および露
出しているｐ−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30をエッ
チングすることによりｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッ
チング阻止層29を露出させる。
より、ｎ−ＧａＡｓ基板21上に、ｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層22（0.2≦z1≦0.8）、ｎあるいはｉ−
Ｉｎ x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層23（x2=0.49y
2、0.05≦x2≦0.15）、Ｉｎx 1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧
縮歪量子井戸活性層24（0.4≧x1＞0.49y1、0≦y1≦0.
1、厚さ３〜20nm程度）、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第一光導波層25、光導波層25よりバンドギャップが
大きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層26（ただし、0.1
≦z3≦0.8）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2
Ｐy2上部第二光導波層27、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部
第一クラッド層28、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチ
ング阻止層29、ｐ−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30、
ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流狭窄層31（厚さ１μｍ程
度）、および不図示のｎ−ＧａＡｓキャップ層32（厚さ
10nm程度）を積層する。その上に、不図示のＳｉＯ2膜3
3を形成し、＜０１１＞方向に通常のリソグラフィによ
り1.5〜４μｍ程度の幅のストライプ状にＳｉＯ2膜33を
除去する。次にＳｉＯ2膜33をマスクにして、硫酸系の
エッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層32をエッチング
した後、ＳｉＯ2膜33を除去する。次に、ｎ−ＧａＡｓ
キャップ層32をマスクとして、塩酸系のエッチャントで
ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流狭窄層31をエッチングし、
ｐ−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30を露出させる。硫
酸系エッチャントでｎ−ＧａＡｓキャップ層32および露
出しているｐ−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30をエッ
チングすることによりｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッ
チング阻止層29を露出させる。
【００４０】次に、ｐ−Ａｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ上部第二ク
ラッド層34（ただし、0.3≦z4≦0.5）およびｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層35、ｐ側電極36を形成する。基板を研磨
してｎ側電極37を形成する。
ラッド層34（ただし、0.3≦z4≦0.5）およびｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層35、ｐ側電極36を形成する。基板を研磨
してｎ側電極37を形成する。
【００４１】その後、上記のようにして作製された試料
をへき開して形成した共振器面の一方の高反射率コー
ト、他方に低反射率コートを施し、チップ化して半導体
レーザ素子を完成させる。
をへき開して形成した共振器面の一方の高反射率コー
ト、他方に低反射率コートを施し、チップ化して半導体
レーザ素子を完成させる。
【００４２】ｐ−Ａｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ上部第二クラッド
層34の組成、上部第一クラッド層28の組成および厚さは
基本横モード発振が高出力まで可能な値に制御する。す
なわち、等価屈折率段差を２×１０-3〜７×１０-3の範
囲にすることが望ましい。
層34の組成、上部第一クラッド層28の組成および厚さは
基本横モード発振が高出力まで可能な値に制御する。す
なわち、等価屈折率段差を２×１０-3〜７×１０-3の範
囲にすることが望ましい。
【００４３】ｐ−Ａｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ上部第二クラッド
層34を積層する前に、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ層を50nm
程度積層してもよい。
層34を積層する前に、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ層を50nm
程度積層してもよい。
【００４４】本実施の形態による半導体レーザ素子にお
いても、下部クラッド層22とＧａＡｓ基板21との間、お
よび上部第二クラッド層34とコンタクト層35との間にそ
れぞれ、バンドギャップが連続的につながるように、Ａ
ｌ組成を徐々に変化させたＡｌＧａＡｓ組成傾斜層を設
けることが、素子抵抗低減のためにより好ましい。
いても、下部クラッド層22とＧａＡｓ基板21との間、お
よび上部第二クラッド層34とコンタクト層35との間にそ
れぞれ、バンドギャップが連続的につながるように、Ａ
ｌ組成を徐々に変化させたＡｌＧａＡｓ組成傾斜層を設
けることが、素子抵抗低減のためにより好ましい。
【００４５】本実施の形態のように、エッチング阻止層
をｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチング阻止層29とｐ
−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30との２層構造にすれ
ば、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流狭窄層をエッチングす
るエッチャントではＧａＡｓエッチング阻止層はエッチ
ングできないので、一旦ＧａＡｓ第二エッチング阻止層
30上でエッチングが停止し、その後、ＧａＡｓ第二エッ
チング阻止層30をエッチングする際、ＧａＡｓのエッチ
ャントではｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチング阻止
層29はエッチングされないので、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51
Ｐ第一エッチング阻止層29の表面でエッチングを停止さ
せることができる。よって所望のストライプ幅に高精度
に制御できる。
をｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチング阻止層29とｐ
−ＧａＡｓ第二エッチング阻止層30との２層構造にすれ
ば、ｎ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ電流狭窄層をエッチングす
るエッチャントではＧａＡｓエッチング阻止層はエッチ
ングできないので、一旦ＧａＡｓ第二エッチング阻止層
30上でエッチングが停止し、その後、ＧａＡｓ第二エッ
チング阻止層30をエッチングする際、ＧａＡｓのエッチ
ャントではｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチング阻止
層29はエッチングされないので、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51
Ｐ第一エッチング阻止層29の表面でエッチングを停止さ
せることができる。よって所望のストライプ幅に高精度
に制御できる。
【００４６】下部クラッド層22、上部第一クラッド層28
および上部第二クラッド層34は、ＡｌＧａＡｓの代わり
に、Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐ（ただし、0≦z≦
1）からなるものとしてもよい。
および上部第二クラッド層34は、ＡｌＧａＡｓの代わり
に、Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐ（ただし、0≦z≦
1）からなるものとしてもよい。
【００４７】特に、上部第一クラッド層28をＩｎ
0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からな
るものとした場合、エッチング層はＧａＡｓ層１層のみ
とし、上部第二クラッド層は上記実施の形態同様ｐ−Ａ
ｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z4≦0.5）とすること
が望ましい。上記同様に、ストライプ領域の電流狭窄層
をエッチングした後、硫酸系のエッチャントでこのエッ
チング阻止層をエッチングすれば、上部第一クラッド層
28の表面で自動的にエッチングが停止する。
0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からな
るものとした場合、エッチング層はＧａＡｓ層１層のみ
とし、上部第二クラッド層は上記実施の形態同様ｐ−Ａ
ｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z4≦0.5）とすること
が望ましい。上記同様に、ストライプ領域の電流狭窄層
をエッチングした後、硫酸系のエッチャントでこのエッ
チング阻止層をエッチングすれば、上部第一クラッド層
28の表面で自動的にエッチングが停止する。
【００４８】また、電流狭窄層31をＡｌz5Ｇａ1-z5Ａｓ
（ただし、0.2≦z5≦0.8）からなるものとしてもよく、
その場合、エッチング阻止層はＩｎＧａＰ層１層のみと
することが望ましく、上部第二クラッド層34は、Ａｌz4
Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、z4＜z5）からなるものとするこ
とが望ましい。ＩｎＧａＰエッチング阻止層はストライ
プ領域の電流狭窄層をエッチングした後、塩酸系のエッ
チャントでストライプ領域をエッチングすれば、ｐ−Ａ
ｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第一クラッド層28上で自動的にエ
ッチングを停止させることができる。
（ただし、0.2≦z5≦0.8）からなるものとしてもよく、
その場合、エッチング阻止層はＩｎＧａＰ層１層のみと
することが望ましく、上部第二クラッド層34は、Ａｌz4
Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、z4＜z5）からなるものとするこ
とが望ましい。ＩｎＧａＰエッチング阻止層はストライ
プ領域の電流狭窄層をエッチングした後、塩酸系のエッ
チャントでストライプ領域をエッチングすれば、ｐ−Ａ
ｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第一クラッド層28上で自動的にエ
ッチングを停止させることができる。
【００４９】また、電流狭窄層31は、ｎ−Ｉｎ0.49（Ａ
ｌzＧａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるもの
としてもよい。この場合、エッチング阻止層はＧａＡｓ
層１層のみとすることが望ましく、上部第一クラッド層
28はｐ−Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ 1-z)0.51Ｐ（ただし、0≦z
≦1）からなるもの、さらに上部第二クラッド層34はＡ
ｌz7Ｇａ1-z7Ａｓ（ただし、0.3≦z7≦0.8）あるいはＩ
ｎ0.49（Ａｌz6Ｇａ1- z6）0.51Ｐ（ただし、z6＜z）か
らなるものとすることが望ましい。ＧａＡｓエッチング
阻止層のストライプ領域は硫酸系のエッチャントでエッ
チングすることによりｐ−Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51
Ｐ上部第一クラッド層28上で自動的に停止させることが
できる。
ｌzＧａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるもの
としてもよい。この場合、エッチング阻止層はＧａＡｓ
層１層のみとすることが望ましく、上部第一クラッド層
28はｐ−Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ 1-z)0.51Ｐ（ただし、0≦z
≦1）からなるもの、さらに上部第二クラッド層34はＡ
ｌz7Ｇａ1-z7Ａｓ（ただし、0.3≦z7≦0.8）あるいはＩ
ｎ0.49（Ａｌz6Ｇａ1- z6）0.51Ｐ（ただし、z6＜z）か
らなるものとすることが望ましい。ＧａＡｓエッチング
阻止層のストライプ領域は硫酸系のエッチャントでエッ
チングすることによりｐ−Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51
Ｐ上部第一クラッド層28上で自動的に停止させることが
できる。
【００５０】本実施の形態による半導体レーザ素子は、
素子内部に電流狭窄層を備えており、コンタクト層と電
極の接触面積が広くとれるため、コンタクト抵抗を低減
させることができるので、しきい値電流の低減等特性の
向上を図ることができる。
素子内部に電流狭窄層を備えており、コンタクト層と電
極の接触面積が広くとれるため、コンタクト抵抗を低減
させることができるので、しきい値電流の低減等特性の
向上を図ることができる。
【００５１】なお、上記層構成において、上部第一クラ
ッド層は設けない構造としてもよく、光導波層の厚さと
組成を制御することにより、同様に高品質なレーザ光を
得ることができる。
ッド層は設けない構造としてもよく、光導波層の厚さと
組成を制御することにより、同様に高品質なレーザ光を
得ることができる。
【００５２】次に、本発明の第３の実施の形態による半
導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明す
る。その半導体レーザ素子の断面図を図３に示す。
導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明す
る。その半導体レーザ素子の断面図を図３に示す。
【００５３】図３に示すように、有機金属気相成長法に
より、ｎ−ＧａＡｓ基板41上に、ｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層42（0.2≦z1≦0.8）、ｎあるいはｉ−
Ｉｎ x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層43（x2=0.49y
2、0.05≦x2≦0.15）、Ｉｎx 1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧
縮歪量子井戸活性層44（0.4≧x1＞0.49y1、0≦y1≦0.
1、厚さ３〜20nm程度）、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第一光導波層45、光導波層45よりバンドギャップが
大きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層46（ただし、0.1
≦z3≦0.8）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2
Ｐy2上部第二光導波層47、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部
第一クラッド層48、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチ
ング阻止層49、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第二クラッ
ド層50およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層51を形成する。
引き続き、レジストを塗布して通常のリソグラフィによ
り、1.5〜４μｍ程度の幅のストライプ領域以外のレジ
ストを除去し、レジストをマスクにして硫酸系のエッチ
ング液でｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第二クラッド層50
をエッチングする。このとき自動的にエッチング阻止層
49でエッチングが停止する。次に、レジストを除去後、
絶縁膜52を形成し、通常のリソグラフィで、リッジ上部
の絶縁膜52を除去した後、ｐ側電極53を形成する。さら
に基板の研磨を行いｎ側電極54を形成する。その後、試
料をへき開して形成した共振器面の一方に高反射率コー
ト、他方に低反射率コートを施す。その後チップ化して
半導体レーザ素子を完成させる。
より、ｎ−ＧａＡｓ基板41上に、ｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ下部クラッド層42（0.2≦z1≦0.8）、ｎあるいはｉ−
Ｉｎ x2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層43（x2=0.49y
2、0.05≦x2≦0.15）、Ｉｎx 1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧
縮歪量子井戸活性層44（0.4≧x1＞0.49y1、0≦y1≦0.
1、厚さ３〜20nm程度）、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2
上部第一光導波層45、光導波層45よりバンドギャップが
大きいＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層46（ただし、0.1
≦z3≦0.8）、ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2
Ｐy2上部第二光導波層47、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部
第一クラッド層48、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第一エッチ
ング阻止層49、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第二クラッ
ド層50およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層51を形成する。
引き続き、レジストを塗布して通常のリソグラフィによ
り、1.5〜４μｍ程度の幅のストライプ領域以外のレジ
ストを除去し、レジストをマスクにして硫酸系のエッチ
ング液でｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第二クラッド層50
をエッチングする。このとき自動的にエッチング阻止層
49でエッチングが停止する。次に、レジストを除去後、
絶縁膜52を形成し、通常のリソグラフィで、リッジ上部
の絶縁膜52を除去した後、ｐ側電極53を形成する。さら
に基板の研磨を行いｎ側電極54を形成する。その後、試
料をへき開して形成した共振器面の一方に高反射率コー
ト、他方に低反射率コートを施す。その後チップ化して
半導体レーザ素子を完成させる。
【００５４】ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐ
y2上部第二光導波層47およびｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上
部第一クラッド層48の合計膜厚は、基本横モード発振が
高出力まで維持できる値とする。すなわち、等価屈折率
段差が２×１０-3〜７×１０ -3の範囲にすることが望ま
しい。
y2上部第二光導波層47およびｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上
部第一クラッド層48の合計膜厚は、基本横モード発振が
高出力まで維持できる値とする。すなわち、等価屈折率
段差が２×１０-3〜７×１０ -3の範囲にすることが望ま
しい。
【００５５】また、本実施の形態による半導体レーザ素
子においても、下部クラッド層42とＧａＡｓ基板41との
間、および上部第二クラッド層50とコンタクト層51との
間にそれぞれ、バンドギャップが連続的につながるよう
に、Ａｌ組成を徐々に変化させたＡｌＧａＡｓ組成傾斜
層を設けることが、素子抵抗低減のためにより好まし
い。
子においても、下部クラッド層42とＧａＡｓ基板41との
間、および上部第二クラッド層50とコンタクト層51との
間にそれぞれ、バンドギャップが連続的につながるよう
に、Ａｌ組成を徐々に変化させたＡｌＧａＡｓ組成傾斜
層を設けることが、素子抵抗低減のためにより好まし
い。
【００５６】なお、上部第一クラッド層48を設けず、上
部第二光導波層47上にＩｎＧａＰエッチング阻止層49を
設けてもよい。
部第二光導波層47上にＩｎＧａＰエッチング阻止層49を
設けてもよい。
【００５７】また、下部クラッド層42、上部第一クラッ
ド層48および上部第二クラッド層50は、ＡｌＧａＡｓの
代わりに、Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐ（ただし、0
≦z≦1）からなるものとしてもよい。例えば、上部第一
クラッド層48をＩｎ0.49(Ａｌ zＧａ1-z)0.51Ｐ（ただ
し、0≦z≦1）とした場合、エッチング阻止層を設けな
くてもよい。すなわち、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第
二クラッド層をエッチングするエッチャントでは、Ｉｎ
0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐはエッチングされないので、
エッチングを自動的に上部第一クラッド層48上で停止さ
せることができるためである。
ド層48および上部第二クラッド層50は、ＡｌＧａＡｓの
代わりに、Ｉｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐ（ただし、0
≦z≦1）からなるものとしてもよい。例えば、上部第一
クラッド層48をＩｎ0.49(Ａｌ zＧａ1-z)0.51Ｐ（ただ
し、0≦z≦1）とした場合、エッチング阻止層を設けな
くてもよい。すなわち、ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部第
二クラッド層をエッチングするエッチャントでは、Ｉｎ
0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐはエッチングされないので、
エッチングを自動的に上部第一クラッド層48上で停止さ
せることができるためである。
【００５８】また、上記全ての実施の形態においては、
ｎ型ＧａＡｓ基板を用いたが、ｐ型のＧａＡｓ基板を用
いてもよく、その場合、半導体層の導電性は逆にして積
層すればよい。
ｎ型ＧａＡｓ基板を用いたが、ｐ型のＧａＡｓ基板を用
いてもよく、その場合、半導体層の導電性は逆にして積
層すればよい。
【００５９】また、上記すべての実施の形態による半導
体レーザ素子の発振する波長帯λ（nm）は、Ｉｎx1Ｇａ
1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層（0.4≧x1＞0.4
9y1、0≦y1≦0.1）より、900＜λ＜1200の範囲で制御が
可能である。
体レーザ素子の発振する波長帯λ（nm）は、Ｉｎx1Ｇａ
1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層（0.4≧x1＞0.4
9y1、0≦y1≦0.1）より、900＜λ＜1200の範囲で制御が
可能である。
【００６０】また、上記すべての実施の形態において
は、ストライプ幅が1.5〜４μｍの狭ストライプ幅の半
導体レーザ素子について説明したが、ストライプ幅を４
μｍより大きくして多モード発振する半導体レーザ素子
としてもよい。特に屈折率導波機構を備えた幅広の半導
体レーザ素子は、マルチモードであっても低雑音なレー
ザ光を出射することができるので、高い出力が必要な固
体レーザの励起光源として最適である。
は、ストライプ幅が1.5〜４μｍの狭ストライプ幅の半
導体レーザ素子について説明したが、ストライプ幅を４
μｍより大きくして多モード発振する半導体レーザ素子
としてもよい。特に屈折率導波機構を備えた幅広の半導
体レーザ素子は、マルチモードであっても低雑音なレー
ザ光を出射することができるので、高い出力が必要な固
体レーザの励起光源として最適である。
【００６１】上記実施の形態では、絶縁膜による電流狭
窄構造を備えた素子、内部電流狭窄と屈折率導波機構と
を備えた素子、あるいはリッジ型の屈折率導波機構を備
えた素子について説明したが、本発明は、回折格子を素
子内部に備えた半導体レーザ素子についても適用するこ
とが可能である。
窄構造を備えた素子、内部電流狭窄と屈折率導波機構と
を備えた素子、あるいはリッジ型の屈折率導波機構を備
えた素子について説明したが、本発明は、回折格子を素
子内部に備えた半導体レーザ素子についても適用するこ
とが可能である。
【００６２】（実施例）上記第２の実施の形態による半
導体レーザ素子の層構成において、下部クラッド層22、
上部第一クラッド層28、上部第二クラッド層34をＡｌ
0.35Ｇａ0.65Ａｓとし、活性層24をＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ
とし、すべての光導波層をＩｎ0.3Ｇａ0.8 7Ａｓ0.2Ｐ
0.75とし、すべての光導波層の合計膜厚を100nmとし、
電子障壁層26をＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓとし、電子障壁層
26の厚さを15nmとし、電流狭窄層31をＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａ
ｓとし、発振波長を980nmとした素子と、層構成は同様
で電子障壁層26を設けない素子とを作製し、それぞれの
しきい値電流の温度依存性を調べた。その結果、本発明
の電子障壁層を設けた半導体レーザ素子の特性温度は16
0Ｋであり、電子障壁層を設けない半導体レーザ素子の
特性温度は130Ｋであった。電子障壁層を設けることに
より、特性温度が高くなり、素子特性の温度依存性を小
さくすることができた。
導体レーザ素子の層構成において、下部クラッド層22、
上部第一クラッド層28、上部第二クラッド層34をＡｌ
0.35Ｇａ0.65Ａｓとし、活性層24をＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ
とし、すべての光導波層をＩｎ0.3Ｇａ0.8 7Ａｓ0.2Ｐ
0.75とし、すべての光導波層の合計膜厚を100nmとし、
電子障壁層26をＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓとし、電子障壁層
26の厚さを15nmとし、電流狭窄層31をＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａ
ｓとし、発振波長を980nmとした素子と、層構成は同様
で電子障壁層26を設けない素子とを作製し、それぞれの
しきい値電流の温度依存性を調べた。その結果、本発明
の電子障壁層を設けた半導体レーザ素子の特性温度は16
0Ｋであり、電子障壁層を設けない半導体レーザ素子の
特性温度は130Ｋであった。電子障壁層を設けることに
より、特性温度が高くなり、素子特性の温度依存性を小
さくすることができた。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
素子を示す断面図
素子を示す断面図
【図２】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
素子を示す断面図
素子を示す断面図
【図３】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
素子を示す断面図
素子を示す断面図
１ ｎ−ＧａＡｓ基板
２ ｎ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ下部クラッド層
３ ｎあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部
光導波層 ４ Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性
層 ５ Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部第一光導波層 ６ Ａｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層 ７ ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部
第二光導波層 ８ ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部クラッド層 ９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 10 ＳｉＯ2膜 11 ｐ側電極 12 ｎ側電極
光導波層 ４ Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性
層 ５ Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部第一光導波層 ６ Ａｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層 ７ ｐあるいはｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部
第二光導波層 ８ ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ上部クラッド層 ９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 10 ＳｉＯ2膜 11 ｐ側電極 12 ｎ側電極
Claims (8)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に、活性層を挟むように
該活性層の上下にそれぞれ該活性層側から光導波層およ
びクラッド層をこの順に含む半導体層を備えた半導体レ
ーザ素子において、 前記活性層が、圧縮歪を有するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1
Ｐy1（ただし、0.49y1＜x1≦0.4、0≦y1≦0.1）からな
り、前記光導波層が、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2（た
だし、x2＝0.49y2、0.05≦x2≦0.15）からなり、 前記半導体層のｐ型導電性側に配置された前記光導波層
中に、該光導波層よりバンドギャップが大きいアンドー
プのＡｌz3Ｇａ1-z3Ａｓ電子障壁層（ただし、0.1≦z3
≦0.8）が設けられていることを特徴とする半導体レー
ザ素子。 - 【請求項２】 前記クラッド層が、前記光導波層よりバ
ンドギャップが大きいＩｎ0.49(ＡｌzＧａ1-z)0.51Ｐ
（ただし、0≦z≦1）またはＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただ
し、0.2≦z1≦0.8）からなることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記活性層の前記基板と反対側の前記光
導波層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａ
ｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）からなるクラッド層、前記
一方の導電性のＩｎＧａＰ第一エッチング阻止層、電流
の通路となるストライプ領域に開口を有するＧａＡｓ第
二エッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ電流阻止層、前記開口を埋め込むように形成され
た前記一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.
3≦z4≦0.5）からなる第二のクラッド層、および前記一
方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順に備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記活性層の前記基板と反対側の光導波
層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ
（ただし、0.2≦z1≦0.8）からなるクラッド層、電流の
通路となるストライプ領域に開口を有するＩｎＧａＰエ
ッチング阻止層および他方の導電性のＡｌz5Ｇａ1-z5Ａ
ｓ電流阻止層（ただし、0.2≦z5≦0.8）、前記開口を埋
め込むように形成された一方の導電性のＡｌz4Ｇａ1-z4
Ａｓ（ただし、z4＜z5）からなる第二のクラッド層、お
よび前記一方の導電性のＧａＡｓコンタクト層をこの順
に備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
素子。 - 【請求項５】 前記活性層の前記基板と反対側の光導波
層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ0.49（ＡｌzＧａ
1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるクラッド層、
電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧａＡ
ｓエッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐ電流阻止層、前記開口を埋め込むように形成され
た、該電流阻止層より屈折率が大きい前記一方の導電性
のＡｌ z4Ｇａ1-z4Ａｓ（ただし、0.3≦z4≦0.5）からな
る第二のクラッド層、および前記一方の導電性のＧａＡ
ｓコンタクト層をこの順に備えたことを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記活性層の前記基板と反対側の光導波
層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ0.49（ＡｌzＧａ
1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるクラッド層、
電流の通路となるストライプ領域に開口を有するＧａＡ
ｓエッチング阻止層および他方の導電性のＩｎ0.49（Ａ
ｌzＧａ1-z）0.51Ｐ電流阻止層（ただし、0≦z≦1）、
前記開口を埋め込むように形成された、該電流阻止層よ
り屈折率が大きい前記一方の導電性のＡｌz7Ｇａ1-z7Ａ
ｓ（ただし、0.3≦z7≦0.8）あるいはＩｎ0.49（Ａｌz6
Ｇａ1-z6）0.51Ｐからなる第二のクラッド層（ただし、
z6＜z）、および前記一方の導電性のＧａＡｓコンタク
ト層をこの順に備えたことを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザ素子。 - 【請求項７】 前記活性層の前記基板と反対側の光導波
層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ
（ただし、0.2≦z1≦0.8）からなるクラッド層、前記一
方の導電性のＩｎＧａＰエッチング阻止層、および電流
の通路となるリッジ部が形成された前記一方の導電性の
Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1≦0.8）からなる
第二のクラッド層をこの順に備えたことを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項８】 前記活性層の前記基板と反対側の前記光
導波層上に、ｎ型およびｐ型の一方のＩｎ0.49（Ａｌz
Ｇａ1-z）0.51Ｐ（ただし、0≦z≦1）からなるクラッド
層、および電流の通路となるリッジ部が形成された前記
一方の導電性のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（ただし、0.2≦z1
≦0.8）からなる第二のクラッド層をこの順に備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002153467A JP2003347679A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002153467A JP2003347679A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347679A true JP2003347679A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29770499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002153467A Withdrawn JP2003347679A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003347679A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7415054B2 (en) | 2006-11-09 | 2008-08-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| US7428256B2 (en) * | 2006-12-28 | 2008-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2017139255A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002153467A patent/JP2003347679A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7415054B2 (en) | 2006-11-09 | 2008-08-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| US7428256B2 (en) * | 2006-12-28 | 2008-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| US7724794B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-05-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2017139255A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |