CN100466459C - 温度补偿晶体振荡器 - Google Patents

Abstract

一种温度补偿晶体振荡器，该温度补偿晶体振荡器，在内部收容晶体振动元件(5)的容器体(1)下面装配有根据晶体振动元件(5)的振动来控制振荡输出的IC元件(7)，并且，在IC元件(7)装配区域，将包括连接在至少晶体振动元件(5)上的多个晶体电极垫、连接在表面装配用外部端子上的振荡输出电极垫、接地电极垫、电源电压电极垫、振荡控制电极垫以及多个写入控制用电极垫的多个电极垫(10)，配置成m行×n列(m，n是2以上自然数)的行列状，且规定IC元件(7)和该电极垫电连接，配置在IC元件装配区域的多个电极垫中的至少1个是接合到连接垫上的虚设电极垫。因此，这种温度补偿晶体振荡器，IC元件接合可靠性优良，即使整体结构小型化也能适应。

Description

温度补偿晶体振荡器

技术领域

本发明是关于一种用于便携式通信设备等电子设备的温度补偿晶体振荡器。

背景技术

以前，便携式通信设备等电子设备中使用有温度补偿晶体振荡器。

作为这样现有的温度补偿晶体振荡器，已知有一种下面的结构，即例如图21(a)、图21(b)所示，在下面被覆多个外部端子22的平板状基板21上面接合有容器体23，该容器体23的内部收容有晶体振动元件24、下面侧安装有框状基体27，同时在由上述框状基体27的内壁面和容器体23的下面包围的空腔部25中配置有根据上述晶体振动元件24的振动来控制振荡输出的IC元件26，把这些IC元件26装载到上述容器体23的下面。(例如，参照专利文献1)

还有，上述容器体23是用于在收容在其内部的晶体振动元件24与大气隔绝进行气密密封的部件，通过在由电绝缘性材料构成的基板的上面安装密封圈31，在该密封圈31的内侧安装晶体振动元件24，并在上述密封圈31的上面用缝焊(电阻焊接)等方法接合金属制的盖体32，而气密密封收容晶体振动元件24的空间。

而且，这样的容器体23的基板和上述的框状基体21，一般，借助于玻璃—陶瓷等的陶瓷材料一体形成，其内部和表面上形成布线导体，通过采用众人皆知的陶瓷生片层叠法等制成。

而且，如图22所示，在IC元件26的装配区域，例如与IC元件26的各电极连接的多个电极垫28，例如象特开2001-291742号里记述的那样，为2列，一列上配置5个电极垫，另一列上配置了6个电极垫。还有，图22中的矩形的实线，表示IC元件26的装配区域。

专利文献1：特开2000-278047号公报

专利文献2：特开2001-291742号公报(图1，图3，图4)

IC元件26采用有多个连接垫的倒装片型IC元件26，在把这样的倒装片型IC元件26搭载到装配用基体23的下面的情况下，在IC元件26的装配区域电极垫28介由软钎料等导电性接合构件把IC元件26电气·机械地连接到装配用基体23，通过以与连接垫相对应的电极垫接触的方式，高温加热熔融软钎料等导电性接合构件，来实现连接。

但是，在上述的温度补偿晶体振荡器上，其平面形状小，为7mm×5mm、5mm×3mm，甚至为3mm×2mm，随着强烈要求IC元件26的小型化。其结果，IC元件26的装配区域缩小，各电极垫28的间隔也不得不变狭，接合可靠性降低，进而，存在与电极垫28连接的围绕布线导体29的自由度受到限制的问题。

而且，对温度补偿晶体振荡器而言，对应晶体振动元件24的固有温度特性，为了通过IC元件26的振荡控制来使振荡输出平坦化，在组装IC元件26之前，需要预先测定晶体振动元件24的固有温度特性。随着该电极垫的小型化，进行这种测定也很困难，从而使生产性大大降低了。

发明内容

本发明就是鉴于上述课题提出来的，其目的在于提供一种能够维持并提高IC元件的接合可靠性，而且可使振荡器整体小型化的温度补偿晶体振荡器。

本发明的温度补偿晶体振荡器，具有：收容晶体振动元件的容器体，接合在上述容器体的下面，而且在下面(装配面)形成有表面装配用外部端子的装配用基体，和装配在上述装配用基体上，而且根据补偿上述晶体振动元件的温度特性的温度补偿数据来控制振荡输出的IC元件，其特征是：

在上述装配用基体的IC元件装配区域，多个电极垫被配置成m行×n列的行列状，其中m、n是2以上自然数，该多个电极垫包括连接在上述晶体振动元件上的多个晶体电极垫、连接在上述表面装配用外部端子上的振荡输出电极垫、接地电极垫和电源电压电极垫、以及温度补偿数据写入用的写入电极垫，在上述IC元件的—主面上形成有与上述电极垫电连接的多个连接垫。这里，所谓「表面装配」就是在母板上用直接软钎焊法等安装晶体振荡器等电子元件一面的方法。

而且，配置在上述装配用基体的IC元件装配区域的多个电极垫中的至少1个是接合到上述IC元件的连接垫上的虚设电极垫。

而且，上述多个电极垫，在行方向和列方向以一定间隔排列成一直线状，而且全部的行和全部的列相垂直。

而且，上述装配用基体是层叠至少2个绝缘层而构成的，在该2个绝缘层之间，设置有与配置在上述电极垫的正下方或正上方的通孔导体连接的布线导体

而且，上述m、n双方均为3以上，而且，对经由上述通孔导体与上述布线导体连接的电极垫以该电极垫周围包围其他的电极垫的方式进行配置。

而且，上述IC元件是在半导体元件的一???主面上配置再布线层而构成的，该再布线层用以使IC元件的各连接垫与各电极垫形成位置相对应。

而且，上述装配用基体构成平板状，在上述容器体的下面设置有至少具有IC元件高度以上的厚度的隔离部。

而且，在上述装配用基体的上面形成收容IC元件的空腔，同时接合该装配用基体空腔开口周围的上面和上述容器体的下面。

而且，上述装配用基体具有收容IC元件的空腔，同时上述装配用基体，以上述空腔的开口周围面作为下面，与上述容器体的下面进行接合。

另外，本发明的温度补偿晶体振荡器是，形成有开口于装配用基体的上面的空腔，同时在该空腔内收容IC元件，该IC元件根据补偿晶体振动元件和该晶体振动元件的温度特性的温度补偿数据来控制规定振荡输出，并以上述装配用基体的下面作为装配面，其特征是：

在上述空腔底面的IC元件装配区域，多个电极垫被配置成m行×n列的行列状，其中m、n是2以上自然数，该多个电极垫包括连接在上述晶体振动元件上的一对晶体电极垫、振荡输出电极垫、接地电极垫和电源电压电极垫、以及温度补偿数据写入用的写入电极垫，在上述IC元件的下面上形成有与上述电极垫电连接的多个连接垫。

而且，在上述空腔底面的IC元件装配区域配置的多数电极垫中的至少1个是接合在上述IC元件的连接垫上的虚设电极垫。

而且，上述多个电极垫，在行方向和列方向以一定间隔排列成一直线状，而且全部的行和全部的列相垂直。

而且，上述装配用基体是层叠至少2个绝缘层而构成的，在该2个绝缘层之间，设置有与配置在上述电极垫的正下方或正上方的通孔导体连接的布线导体。

而且，上述m、n双方均为3以上，而且，对经由上述通孔导体与上述布线导体连接的电极垫以该电极垫周围包围其他的电极垫的方式进行配置。

而且，上述IC元件是在半导体元件的一主面上配置再布线层而构成的，该再布线层用以使IC元件的各连接垫与各电极垫形成位置相对应。

采用本发明的温度补偿晶体振荡器，在容器体的下面区域，至少配置有连接在至少上述晶体振动元件上的多个，例如2个晶体电极垫、连接在表面装配用外部端子上的振荡输出电极垫、接地电极垫、电源电压电极垫、振荡控制电极垫和至少2个温度补偿数据写入用的写入电极垫。即，形成至少8个电极垫，而且，形成在纵横方向，即，形成为m行×n列(m、n是2以上自然数)的行列状(矩阵状)。然后，IC元件的连接垫，与该各电极垫对应电连接。所以，将电极垫均匀分布地配置为3行3列以上的、3行4列等行列状。

因此，因为能够使用IC元件装配区域的大致全部区域来形成电极垫，所以即使IC元件小型化，也能提高IC元件装配区域的电极垫的占有率，能防止容器体内无用的空间、IC芯片装配区域内的静区，能大大有助于温度补偿晶体振荡器的小型化。

而且，在介由导电性接合构件把IC元件和电极垫接合的时候，因为把接合部分分布到IC元件的下面大致全区，所以能够得到IC元件稳定的接合。

与这样的电极垫相对应的IC元件是，在半导体元件的装配面一体设置层叠布线基板(再布线层)，并用环氧等树脂保护上述层叠布线基板(再布线层)的结构，在这个层叠布线基板的装配面，以与电极垫的配置相对应的方式形成连接的连接垫。通过用这样的IC元件，可以非常简单地把IC元件组装到上述的电极垫上，进行电连接。

另外，在容器体的IC元件的装配区域配置成m行×n列(m、n是2以上自然数)的行列状的多个电极垫中的、至少1个是被连接到IC元件的连接垫上的虚设电极垫。例如，如上述，通过最低数量的8个电极垫需要设置1个虚设电极垫的方式，可把电极垫排列成3×3标准行列状。因此，这个虚设电极，采用与IC元件的完全无功能的连接垫相对应的办法，提高IC元件的接合强度，也可以不用现有广泛使用的提高IC元件接合强度的填充补缺树脂(underfill树脂)。

而且，上述多个电极垫，在行方向和列方向以一定间隔排列成一条直线状，并且配置成，且全部的行和全部的列相正交。因此，IC元件的接合点没有偏差，提高IC元件的接合可靠性，同时IC元件再布线层的设计变得非常简单。

而且，上述装配用基体是层叠至少2个绝缘层而构成的，在该2个绝缘层之间设置与在上述电极垫的正下方或正上方配置的通孔导体连接的布线导体。即，因为能够从电极垫到装配用基体的表面排除拉绕的布线导体，能防止露出的布线导体上附着异物引起的短路，而且，能防止从电极垫区域向导电性接合构件的流出。由此，能够得到高可靠性的IC元件接合。

而且，上述m、n的双方为3以上，并且经由上述通孔导体将连接上述布线导体的电极垫，配置成其周围包围其他的电极垫的方式。因此，无需从行列状配置的电极垫中的、位于内部区域的电极垫，拉绕到装配用基体的表面来形成布线导体，所以能防止电极垫间的短路。在这里，所谓被包围配置的电极垫，是指具有行和列方向相邻的3个或4个电极垫的电极垫。

而且，上述装配用基体构成为平板状，在上述容器体的下面设有至少IC元件高度以上的厚度的隔离部。

而且，在上述装配用基体的上面形成收容IC元件的空腔，同时将该装配用基体的空腔开口周围的上面和上述容器体的下面接合起来。

而且，上述装配用基体是形成收容IC元件的空腔，上述装配用基体，把该组装用基板的空腔开口周围表面作为下面，与上述容器体的下面接合起来。

而且，采用本发明的温度补偿晶体振荡器，形成有在装配用基体的上面开口的空腔，同时在该空腔内收容根据补偿晶体振动元件和该晶体振动元件的温度特性的温度补偿数据来控制规定振荡输出的IC元件，并以上述装配用基体的下面为装配面，在上述空腔底面的IC元件装配区域，形成至少8个电极垫，而且，形成m行×n列(m、n是2以上自然数)的行列状。然后，IC元件的连接垫，与该各电极垫相对应电连接起来。所以，将电极垫配置为3行3列以上的、3行4列等行列状。

由此，由于能用IC元件装配区域的大致全区形成电极垫，所以即使IC元件小型化，也能提高电极垫对IC装配区域的占有率，能防止容器体的无用空间，防止IC芯片装配区域内的静区，大大有助于对温度补偿晶体振荡器的小型化。

而且，在介由导电性接合构件把IC元件和电极垫顶点接合时，可将接合部分分布到IC元件的下面大致全区，因而能得到IC元件的稳定的接合。

与这样的电极垫相对应的IC元件是，在半导体元件的装配面配置层叠布线基板(再布线层)，并用环氧树脂等树脂保护上述层叠布线基板(再布线层)的结构，在该层叠布线基板的装配面形成连接垫，并使其与电极垫的配置相对应。通过用这样的IC元件，能够非常简单在上述的电极垫上装载IC元件，进行电连接。

而且，在装配用基体空腔底面的IC元件装配区域按m行×n列(m、n是2以上自然数)的行列状配置的多个电极垫包括连接在IC元件上的虚设电极垫。例如，如上述那样，通过作最低数量为8个电极垫需要设置1个虚设电极垫，可把电极垫排列成3×3标准行列状。由此，该虚设电极，采用与IC元件的完全无功能的连接垫相对应的办法，提高IC元件的接合强度，也可以不用现有广泛使用的提高IC元件接合强度的填充补缺树脂。能够适当地防止因使用该填充补缺树脂发生的表面气体而给晶体振动元件的不良影响。

而且，上述多个电极垫，在行方向和列方向以一定间隔排列成一直线状，并且配置成全部的行和全部的列相正交。因此，IC元件的接合点没有偏差，提高IC元件的接合可靠性，同时IC元件再布线层的设计变得非常简单。

而且，上述装配用基体是层叠至少2个绝缘层而构成的，在该2个绝缘层之间设有与上述电极垫的正下面或正上方配置的通孔导体连接的布线导体。即，因为排除了从电极垫到装配用基体的表面拉绕的布线导体，能防止露出的布线导体上附着异物引起的短路，而且，能防止从电极垫区向导电性接合构件的流出。由此，能够得到高可靠性的IC元件接合。

而且，上述m、n的双方均为3以上，并且配置经由上述通孔导体连接上述布线导体的电极垫，使之周围包围其他的电极垫。因此，不需要从行列状配置的电极垫中的、位于内部区域的电极垫，拉绕到装配用基体的表面形成布线导体，所以能防止电极垫间的短路。这里，被包围配置的所谓电极垫，是指有行和列方向相邻的3个或4个电极垫的电极垫。

因此，本发明中，即使与温度补偿晶体振荡器的小型化相对应，实现IC元件的小型化，也一边维持提高IC元件的接合可靠性，一边大大能有助于振荡器整体的小型化。

附图说明

图1是本发明的—实施例温度补偿晶体振荡器的立体图。

图2是图1温度补偿晶体振荡器的剖视图。

图3(a)为从上方看构成图1的温度补偿晶体振荡器的装配用基体的俯视图，图3(b)和(c)表示装配用基体的IC元件装配区域的电极垫的其他排列方式的俯视图。

图4是表示构成装配用基体的层叠基板内部的布线导体和通孔导体的俯视图。

图5是从下边看构成图1的温度补偿晶体振荡器的装配用基体的透视状态的俯视图。

图6是表示用于图1的温度补偿晶体振荡器的IC元件的图，图6(a)是剖视图，图6(b)是从下边看到的俯视图。

图7是本发明另一实施例温度补偿晶体振荡器的分解剖视图，表示晶体电极垫的连接结构。

图8是本发明另一实施例温度补偿晶体振荡器另一的分解剖视图，表示从电极垫到外部端子的连接结构。

图9是本发明另一实施例温度补偿晶体振荡器其他的分解剖视图，表示写入控制用电极垫的导出结构。

图10是表示本发明另一实施例温度补偿晶体振荡器的图，图10(a)为立体图，图10(b)为剖视图。

图11是表示本发明再一实施例的温度补偿晶体振荡器图，图11(a)为立体图，图11(b)为剖视图。

图12是表示本发明又一实施例温度补偿晶体振荡器的立体图。

图13是图12的温度补偿晶体振荡器剖视图。

图14(a)是从上方看构成图12的温度补偿晶体振荡器的装配用基体的俯视图，图14(b)和图14(c)是表示装配用基体的IC元件装配区域的电极垫的其他排列方式的俯视图。

图15是表示构成图12的温度补偿晶体振荡器的装配用基体内部的布线导体和通孔导体的俯视图。

图16是从下边看图12的温度补偿晶体振荡器俯视图。

图17是表示用于图12的温度补偿晶体振荡器的IC元件图，图17(a)为剖视图，图17(b)为从下边看到的俯视图。

图18是本发明另一实施例温度补偿晶体振荡器的剖视图，表示晶体电极垫的连接结构。

图19是本发明另一实施例温度补偿晶体振荡器的其他的剖视图。

图20是本发明另一实施例温度补偿晶体振荡器的其他的剖视图。

图21是表示现有温度补偿晶体振荡器的图，图21(a)为剖视图，图21(b)为从下边看到的俯视图。

图22是表示现有温度补偿晶体振荡器的IC元件装配区域的俯视图。

具体实施方式

以下，按照附图，详细说明与本发明第1项发明对应的温度补偿晶体振荡器。

图1是本发明的一实施例温度补偿晶体振荡器的立体图，图2是图1温度补偿晶体振荡器的剖视图。

这些图中所示的温度补偿晶体振荡器，具有在内部收容了晶体振动元件5的容器体1下面接合的结构，该平板状装配用基体6安装有IC元件7。

上述容器体1，包括：例如，由玻璃—陶瓷，氧化铝陶瓷等的陶瓷材料构成的层叠基板2，由42合金、科瓦铁镍钴合金、磷青铜等金属构成的密封圈3，以及由与密封圈3同样的金属构成和盖体4；通过在上述层叠基板2的上面安装密封圈3、并在其上面载置·固定盖体4而构成容器体1，位于密封圈3的内侧的层叠基板2上面装配晶体振动元件5。

上述容器体1具有由层叠基板2的上面、密封圈3内面和盖体4的下面包围成的空间，该空间内收容晶体振动元件5并进行气密密封。在层叠基板2上面形成与晶体振动元件5的振动电极连接的一???对装载垫8a、8b(8b在图中未示出)。

而且，上述层叠基板2，如图2所示，其下面一侧有腿2c、2d的。该腿2c、2d，由与层叠基板2同质的材料形成，在腿2c、2d的下面形成多个容器体侧接合电极13。

而且，在含有腿2c、2d的层叠基板2内部有第1通孔导体9a、第5通孔导体9f和布线导体9b。

还有，上述容器体1的层叠基板2，在由玻璃—陶瓷等的陶瓷材料构成的情况下，例如，在陶瓷材料粉末中添加适当的有机溶剂等混合得到陶瓷生片，在该陶瓷生片的表面等上按规定图案印刷·涂布成为装载垫8a、8b和布线导体9b的导体膏，同时形成成为第1通孔导体9a、第5通孔导体9f的导体，再将其层叠多片、加压成形之后，通过高温烧结而制成。

还有上述容器体1的密封圈3和盖体4是采用公知的现有金属加工法，通过将42合金等金属成形为规定形状而制成的，把得到的密封圈3钎焊到在层叠基板2上面预先覆盖的导体层上，接着，用导电性接合构件16把晶体振动元件5组装·固定到层叠基板2的上面以后，对晶体振动元件5的初始频率进行调整之后，通过在规定气氛下利用公知的现有电阻焊接等方法把上述的盖体4接合到密封圈3的上面而组装成容器体1。这样用电阻焊接法接合密封圈3和盖体4的场合，在密封圈3、盖体4的表面预先被覆Ni镀层和Au镀层等。

而且，收容于容器体1内部的晶体振动元件5，在以规定的晶轴切割得到的晶体片的两个主面上被覆形成一对振动电极而构成，该晶体振动元件5以规定的频率产生振荡。晶体振动元件5，介由导电性接合构件16把一对振动电极电连接到层叠基板2上面的装载垫8a、8b(作为整体使用标号8)上，从而搭载到层叠基板2的上面，由此同时进行晶体振动元件5和容器体1的电连接和机械连接。

在这里，将容器体1的金属制盖体4，介由容器体1的层叠基板2、装配用基体6的各电极、布线导体，连接到后述的接地端子用的外部端子14上，使用时，通过盖体4接地，赋予屏蔽功能，能够保护晶体振动元件5和后述的IC元件7，不受到来自外部的不需要的电磁噪声的影响。

其次，装配用基体6，例如，将由玻璃—陶瓷、氧化铝陶瓷等的陶瓷材料构成的基板6a、6b层叠而构成，在装配用基体6的内部具有第1通孔导体9a、第5通孔导体9f和布线导体9b，及第4通孔导体9e、第2通孔导体9c、第3通孔导体9d和布线导体9b。

在由玻璃—陶瓷等的陶瓷材料形成该装配用基体6的情况下，例如在由陶瓷材料粉末添加·混合适当的有机溶剂等得到陶瓷生片，在该陶瓷生片表面等以规定图案印刷·涂布成为布线导体9b的导体膏，同时形成成为第4通孔导体9e、第2通孔导体9c，第3通孔导体9d的导体，并在多片层叠加压成形之后，通过高温烧结制作。

而且，在装配用基体6上面中央形成与在上述容器体1的腿2c、2d之间所配置的IC元件7的连接垫11连接的多个电极垫10。即，上述腿2c、2d起着确保在由此形成的容器体1的凹部底面和装配用基体6的上面之间组装IC元件7用的空间的隔离层作用。

在装配用基体6的上面的装配IC元件7的区域上，如图3(a)所示，通过软钎料等的导电性接合构件17来连接到IC元件7的连接垫11上的2个晶体电极垫10d、10f，振荡输出电极垫10a，接地电极垫10h，电源电压电极垫10c，振荡控制电极垫10i和至少2个以上写入控制用电极垫10b、10e、10g(作为整体使用标号10)，配置成例如3行3列的行列状。然后，在用软钎料凸块来连接IC元件7的连接垫11和该各电极垫10的情况下，连接垫11的电极形状最好形成包含与其对应的电极垫10的形状、即，形成得大一些。这样一来，即使在连接垫11形成软钎料球，球也不落下，另外，即使IC元件或多或少有位置偏离，也可以避免与相邻的导电性接合构件17的短路。

在这里，在配置成纵横方向、即配置成m行×n列(m、n是2以上自然数)的行列状的多个电极垫10中，按各自的行或列配置的电极垫10，不是象图3(a)那样的标准行列状配置，而也可以象图3(b)或图3(c)那样配置。即，在2个以上的电极垫10为直线状配置的情况下，可以认为是1行或是1列。例如在IC元件7的装配区域，如图3(b)所示地配置多个电极垫10的情况下，各电极垫10的排列成为3×2的行列状配置，而且，如图3(c)所示那样的情况下，各电极垫10的排列成为3×4的行列状配置。

还有，如上述一样，由于温度补偿晶体振荡动作，假定需要8个电极垫的情况，为了把电极垫全体排列成3×3的行列状，设置1个虚设电极垫。而且，通过增加写入控制用电极垫10，电极垫总数增加时，也包含虚设电极垫，所以或排列为3×4的行列状，或排列为4×4的行列状排列，或者排列为4×5的行列状。

而且，在装配用基体6的内部，如图4所示，形成有布线导体9b、与布线导体9b连接并向装配用基体6的下方延伸的第4通孔导体9e、从该布线导体9b向上方延伸的第2通孔导体9c和第3通孔导体9d。这些布线导体9b和第1～第3的通孔导体9a、9c、9d，按照一般装配用基体6的制造方法来制成。

另一方面，在层叠基板2的内部形成有布线导体9b、与布线导体9b连接并向层叠基板2的上方延长的第1通孔导体9a，从该布线导体9b向下方延伸的第5通孔导体9f。这些布线导体9b和第4～第5的通孔导体9e，9f，按照一般的层叠基板2的制造方法来制成。

第4通孔导体9e连接外部端子14和规定布线导体9b。

第5通孔导体9f连接层叠基板2下面的容器体侧接合电极13和规定布线导体9b。

这里，第1通孔导体9a将连接位于层叠基板2上面的晶体振动元件5的装载垫8和规定布线导体9b连接起来。而且，同样，连接成为接地电位的布线导体9和密封圈3。

第2通孔导体9c与装配用基体6上面的各电极垫10和规定布线导体9b相连接。

而且，第3的通孔导体9d与装配用基体6上面的装配用基体侧接合电极12和规定布线导体9b相连接。

所以，晶体电极垫10d、10f，如图7分解图那样，介由第2通孔导体9c、布线导体9b、第3通孔导体9d、装配用基体侧接合电极12、容器体侧接合电极13、第5通孔导体9f、布线导体9b、第1通孔导体9a连接到晶体振动元件5的装载垫8上。而且，介由第2通孔导体9c、布线导体9b、第3通孔导体9d连接到装配用基体侧接合电极12上。

而且，振荡输出电极垫10a，如图8分解图右侧那样，经过第2通孔导体9c、布线导体9b、第3通孔导体9d连接到组装用基板侧接合电极12上。

接地电极垫10h，如图8分解图左侧那样，经过第2通孔导体9c、布线导体9b、第3通孔导体9d连接到组装用基板侧接合电极12上。同时，该装配用基体侧接合电极12，经过容器体侧接合电极13、第5通孔导体9f、第1通孔导体9a连接到密封圈3上。

而且，电源电压电极垫10c、振荡控制电极垫10i，与振荡输出电极垫10a相同，经过第2通孔导体9c布线导体9b、第3通孔导体9d连接到装配用基体侧接合电极12上。

还有，写入控制用电极垫10b、10e、10g，经过第2通孔导体9c、布线导体9b、第3通孔导体9d连接到装配用基体侧接合电极12上。

而且，装配用基体6，如图5的下面图所示，其上面形成电气及/或机械地连接到与容器体1下面对应的容器体侧接合电极13上的多个装配用基体侧接合电极12(在附图中，以虚线表示)。还有在装配用基体6的下面的、装配用基体6的下面四个角部分别设置4个外部端子14a～14d(振荡输出端子14a、接地端子14b、电源电压端子14c、振荡控制端子14d)，这些接合电极12和外部端子14介由在装配用基体6的角部形成的导体膜等进行电连接的。而且，外部端子14和接合电极12在厚度方向重叠的情况下，也可以借助于通孔导体9进行连接。

这里，容器体1下面的容器体侧接合电极13和装配用基体6上面的装配用基体侧接合电极12，一一对应，它们之间介由导电性接合构件18牢固地接合在一起。本实施例中，在装配用基体6上面每一???侧形成5个组装用基板侧接合电极12。在这些总计10个装配用基体侧接合电极12中，通过容器体1对应10个容器体侧接合电极13延出的只是与晶体电极垫10d、10f和写入电极垫10b、10e、10g连接的装配用基体侧接合电极12，接地电极垫10h、电源电压电极垫10c、振荡控制电极垫10i、振荡输出电极垫10a不连接到组装用基板侧接合电极12上。还有，这些接地电极垫10h、电源电压电极垫10c、振荡控制电极垫10i、振荡输出电极垫10a，不经过装配用基体侧接合电极12而经过第2通孔导体9c、布线导体9b和第4通孔导体9e电连接到外部端子14上。

与晶体电极垫(晶体振动元件5)连接的容器体侧接合电极13，用作测定晶体振动元件5气密密封状态的振荡特性的测量用端子垫。而且，作为测定用端子垫，也可以将组装IC元件7之前的晶体电极垫10d、10f形成得大些，而用它进行测定。

而且，与写入控制用电极垫相连接的容器体侧接合电极13连接到写入端子上，该写入端子用于向设于振荡器的侧面的温度补偿电路写入温度补偿数据。例如，如图9所示，利用容器体1的腿2c、2d和装配用基体6的接合部分的凹陷，该凹部1a内露出容器体侧接合电极13的一部分，数据写入装置的探针接触到这些写入端子，能够在IC元件7的温度补偿电路内所设置的存储器中写入与晶体振动元件5的温度特性相对应的温度补偿数据。这个路径是从容器体侧接合电极13或从装配用基体侧接合电极12开始介由第3通孔导体9d、布线导体9b、第2通孔导体9c连接而成的。而且，也可以：将这样的写入端子被配置在与容器体1的腿2c、2d等一体设置的外部的舍弃部上，并在温度补偿数据的写入结束之后，从容器体1的腿2c，2d等切除这个舍弃部。

上述4个外部端子14，使温度补偿晶体振荡器和母板的规定电路布线电连接。如果将外部端子14中的、接地外部端子14b和振荡输出外部端子14a与电源电压外部端子14c和振荡控制外部端子14d离开配置的话，则能有效防止对振荡输出噪声的干扰。

上述装配用基体6的连接各电极垫10的IC元件7，如图6(a)和图6(b)所示采用构成矩形状的倒装片型IC，该倒装片型IC，在半导体元件7a的一主面上配置有再布线层7b，该再布线层7b用于使IC元件7的各连接垫与各电极垫形成位置相对应。在半导体元件7a上设置有：检测周围温度状态的温感元件、写入补偿晶体振动元件5的温度特性的温度补偿数据的存储元件、根据与周围的温度相对应的规定温度补偿数据来修正上述晶体振动元件5的振荡特性的温度补偿电路、以及连接在该温度补偿电路上并生成规定振荡输出的振荡电路等。

而且，在半导体元件7a的装配面一侧形成有内部连接电极7c。该内部连接电极7c的排列，因为要避开半导体元件7a内集成的各元件、各电路形成区形成，所以完全没有规律性。

因此，在半导体元件7a的装配面上形成有多个绝缘层7d、规定布线层(包括绝缘层厚度方向的通孔导体)7e和具有连接垫11的再布线层7b。因此，再布线层7b的装配面上以使得无规律形成的内部连接电极7c与电极垫10的形成位置相对应的方式形成行列状变换的连接垫11。而且，这些连接垫11是均匀分散到装配面上形成的，在与电极垫10接合的时候，可均匀分散接合部分，能谋求接合强度的提高。

还有，为了提高IC元件7和电极垫10的接合强度，作为这种连接垫11，也可以形成不与内部连接电极7c连接的虚设连接垫。

这样的IC元件7，通过介由软钎料和金凸块等的导电性接合构件17将设于其下表面的多个连接垫11电连接到装配用基体6上表面的对应的电极垫10上，而安装在装配用基体6的上表面。由此，IC元件7内的规定元件、电路，经过第2通孔导体9c、布线导体9b等而与晶体振动元件5和装配用基体6下表面的外部端子14等电连接一起。

如上所述，采用本发明的温度补偿晶体振荡器，能够分别呈纵横行列状形成晶体电极垫10d、10f，与外部端子14a、14b、14c、14d连接的振荡输出电极垫10a，接地电极垫10h，电源电压电极垫10c，振荡控制电极垫10i和至少2个写入控制用电极垫10b、10e、10g。而且，IC元件7的连接垫11，对应该各电极垫10形成，并进行电连接。所以，将电极垫10呈行列状均匀分布地配置在整个IC元件7装配区域。

因此，即使IC元件7小型化，在IC元件7的装配区域内也能很有效地形成电极垫10，会提高占有率。即，能削减装配用基体6的作为无用空间的IC元件7装配区域内的无用空间，能大大有助于温度补偿晶体振荡器的小型化。

而且，在将IC元件7介由导电性接合构件17接合到电极垫10上时，因为可将该接合部分均匀分布到IC元件7的装配区域内，所以能够得到IC元件7的稳定接合。

IC元件7是在半导体元件7a的一主面上配置再布线层7b的结构，该再布线层7b用于使IC元件7的各连接垫与各电极垫形成位置相对应，能够把连接垫11简单可靠地与电极垫10电连接。

而且，在电极垫10上形成与IC元件7连接的虚设电极垫也无妨。例如，通过最低数量的8个电极垫需要设置1个虚设电极垫的方式，能够把电极垫排列成3×3的标准行列状。因此，这个虚设电极，由于与IC元件7的完全没有功能的连接垫11相对应，从而提高了IC元件7的接合强度，也可以无需目前广泛被使用的提高IC元件接合强度的填充补缺树脂。

而且，如图3(a)的虚线所示，多个电极垫10，在行方向和列方向以一定间隔排列成一直线状，并且配置成使其全部的行和全部的列相垂直。因此，与IC元件7的接合点不存在偏差，提高IC元件7的接合可靠性，并且，IC元件7的再布线层7b设计将变得非常简单。

而且，装配用基体6内部的第2通孔导体9c，因为直接连接在电极垫10上，所以可以减少从电极垫10引回到装配用基体6上面的布线导体，可减少异物附着于布线导体而发生引起的短路的现象，同时提高环绕布线导体的设计自由度。还有，不需要把全部电极垫以第2通孔导体9c连接。这是考虑到装配用基体6的强度，对于例如纵横排列的电极垫10中的、配置在最外周的电极垫，例如，晶体电极垫10d、10f，即使在装配用基体6的上面环绕也无妨。如果这样，实质上可增大晶体电极垫10d、10f的形状，所以作为用于测定晶体振动元件5的初始特性的端子垫是适合的。

而且，介由第2通孔导体9c连接布线导体9b的电极垫10是呈行列状配置的电极垫10中的、周围包围着其他的电极垫10配置的电极垫10e。因此，从位于内部区域的电极垫10上无需在装配用基体6的上面环绕形成布线导体，因而能防止电极垫间的短路。

而且，在装配用基体6的上面形成不与上述外部端子14导通的装配用基体侧接合电极12，在上述层叠基板2下面，与上述装配用基体侧接合电极12相对应形成容器体侧接合电极13，介由导电性接合构件18来接合上述容器体侧接合电极13和上述装配用基体侧接合电极13。通过这些结构，容器体侧接合电极13无论有无电功能，均能在其间形成机械接合，因此，也能够提高容器体1和装配用基体6的机械的接合强度。

而且，上述振荡输出电极垫10a、接地电极垫10h、振荡控制垫10i和电源电压电极垫10c，介由上述布线导体9b连接到上述外部端子14上。因此，能谋求装配用基体6下面的各外部端子14配置的最佳化，能够大大有助于温度补偿晶体振荡器的小型化。

因此，本发明中，与温度补偿晶体振荡器的小型化相对应，即使IC元件7小型化，也能一边维持并提高IC元件7的接合可靠性，一边与振荡器整体的小型化充分对应。

还有，本发明不限定于上述的实施例，在不脱离本发明宗旨的范围内可能有各种的变更，改良等。

例如上述的实施例中，虽然介由密封圈3使容器体1的盖体4接合到层叠基板2上，但是取而代之，也可以：在层叠基板2的上面形成接合用的金属图案，并双面焊接盖体4到该金属图案上。

另外，在上述的实施例中，虽然在容器体1的层叠基板2上面直接安装密封圈3，但是取而代之，也可以：在层叠基板2的上面一体安装由与基板2同材质的陶瓷材料等构成的框体后，再在该框体的上面安装密封圈3。

进而，在上述的实施例中，虽然通过将盖体4焊接到容器体1的本体上来接合盖体4，但是取而代之，也可以：介由Au—Sn等的软钎料把盖体4与容器体1的本体接合。

另外，上述的实施例中，虽然在容器体1的下面安装一对腿2c、2d来形成，但是取而代之，也可以：把各腿2c、2d各自分开为2个而得到的4条腿安装在容器体1的下面，或者，腿2c、2d当中只把一条腿一分为二得到的3条腿安装在容器体1的下面。

进而，在上述的实施例中，在由装配用基体6上面和容器体1下面的接合形成的空间中，虽然只配置IC元件7，但是也可以配置与电源电压的布线导体和地电位之间、或振荡输出的布线导体和地电位之间连接的电容器等电子零部件。

其次，对于本发明其他实施例进行说明。在本实施例中，如图10(a)、图10(b)所示，在装配用基体6的上面形成收容IC元件的空腔，同时将该装配用基体6的空腔开口周围的上面和容器1的下面接合起来。这个装配用基体6是在层叠的基板6a、6b上形成大致矩形状的部件。

而且，以由腿6c、6d在上述装配用基体6的上面与上述容器体1下面之间形成的空间配置IC元件7的方式，如图3(a)所示，通过在装配用基体6的上面形成各电极垫10，来形成本实施例的温度补偿晶体振荡器。

在构成这样的温度补偿晶体振荡器的情况下，也和前面说过的图1实施例有同样的效果。

而且，对于本发明的再一实施例进行说明。本实施例中，如图11(a)、图11(b)所示，上述装配用基体6与容器体1的下面接合，同时在装配用基体6的下面形成收容IC元件的空腔。该装配用基体6是在层叠后的基板6a、6b上形成大致矩形状的腿6c、6d的部件，所谓容器体1，通过容器体1下面与装配用基体6的基板6a、6b侧面的接合来进行安装。

在构成这样的温度补偿晶体振荡器的情况下，也和前面说过的图1实施例有同样的效果。

其次，按照图12、图13，详细说明与本发明第10项发明相应的温度补偿晶体振荡器。还有，对与上述第1项发明相应的温度补偿晶体振荡器同样的构成就省略说明，而仅仅说明不同点。

温度补偿晶体振荡器，如图12和图13那样构成。

这些图中所示的温度补偿晶体振荡器1具有，在空腔部安装了IC元件7的装配用基体6的上面接合晶体振动元件5接合。

温度补偿晶体振荡器1，例如，由装配用基体6、密封圈3、盖体4构成，该装配用基体6通过对由玻璃一陶瓷、氧化铝陶瓷等的陶瓷材料构成的平板状基板6a、6b以及框状基体6c进行层叠而构成，密封圈3由42合金或科瓦铁镍钴合金、磷青铜等金属构成，盖体4由与密封圈3同样的金属构成；通过在上述装配用基体6的上面安装密封圈3，并其上面装载固定盖体4而构成温度补偿晶体振荡器1，在上述装配用基体6的空腔内安装IC元件7，并在装配用基体6的上面组装晶体振动元件5且使其位于密封圈3内侧。框状基体6c的上面形成与晶体振动元件5的振动电极连接的一对装载垫8a，8b(8b在图中未示出)。

而且，在平板状基板6b的上面中央的装配IC元件7的区域，如图14(a)、图14(b)、图14(c)所示，将介由软钎料等导电性接合构件17连接在IC元件7的连接垫11上的、一对晶体电极垫10d、10f、振荡输出电极垫10a、接地电极垫10h、电源电压电极垫10c、振荡控制电极垫10i以及至少2个以上温度补偿数据写入用的写入电极垫10b、10e、10g(作为整体使用标号10)配置成例如3行3列的行列状。

在构成这样的温度补偿晶体振荡器的情况下，也与前面说过的本发明的第1项发明的温度补偿晶体振荡器有同样的效果。

Claims (11)

1.一种温度补偿晶体振荡器，具有：

收容晶体振动元件的容器体；

接合在上述容器体的下面，且在下面形成有表面装配用外部端子的装配用基体；以及

装配在上述装配用基体上，而且根据补偿上述晶体振动元件的温度特性的温度补偿数据来控制振荡输出的IC元件，

所述温度补偿晶体振荡器的特征是，

在上述装配用基体的IC元件装配区域，多个电极垫被配置成m行×n列的行列状，其中m、n是3以上自然数，该多个电极垫包括连接在上述晶体振动元件上的多个晶体电极垫、连接在上述表面装配用外部端子上的振荡输出电极垫、接地电极垫和电源电压电极垫、以及温度补偿数据写入用的写入电极垫，

在上述IC元件的—主面上形成有与上述电极垫电连接的多个连接垫，上述装配用基体是层叠至少2个绝缘层而构成的，在该2个绝缘层之间，设置有与配置在上述电极垫的正下方或正上方的通孔导体连接的布线导体，

对经由上述通孔导体与上述布线导体连接的电极垫以该电极垫周围包围其他的电极垫的方式进行配置。

2.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：上述多个电极垫，在行方向和列方向以一定间隔排列成一直线状，而且全部的行和全部的列相正交。

3.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：上述装配用基体构成平板状，在上述容器体的下面设置有至少具有IC元件高度以上的厚度的隔离部。

4.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：在上述装配用基体的上面形成有收容IC元件的空腔，同时接合该装配用基体空腔开口周围的上面和上述容器体的下面。

5.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：上述装配用基体具有收容IC元件的空腔，同时上述装配用基体，以上述空腔的开口周围面作为下面，接合在上述容器体的下面。

6.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：

配置在上述装配用基体的IC元件装配区域的多个电极垫中的至少1个是接合到上述IC元件的连接垫上的虚设电极垫。

7.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：上述IC元件是在半导体元件的—主面上配置再布线层而构成的，该再布线层用以使IC元件的各连接垫与各电极垫形成位置相对应。

8.一种温度补偿晶体振荡器，形成有开口于装配用基体的上面的空腔，同时在该空腔内收容IC元件，该IC元件根据补偿晶体振动元件和该晶体振动元件的温度特性的温度补偿数据来控制规定振荡输出，并以上述装配用基体的下面作为装配面，所述温度补偿晶体振荡器的特征是：

在上述空腔底面的IC元件装配区域，多个电极垫被配置成m行×n列的行列状，其中m、n是3以上自然数，该多个电极垫包括连接在上述晶体振动元件上的一对晶体电极垫、振荡输出电极垫、接地电极垫和电源电压电极垫、以及温度补偿数据写入用的写入电极垫，

在上述IC元件的下面上形成有与上述电极垫电连接的多个连接垫，

上述装配用基体是层叠至少2个绝缘层而构成的，在该2个绝缘层之间，设置有与配置在上述电极垫的正下方或正上方的通孔导体连接的布线导体，

对经由上述通孔导体与上述布线导体连接的电极垫以该电极垫周围包围其他的电极垫的方式进行配置。

9.如权利要求8所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：上述多个电极垫，在行方向和列方向以—定间隔排列成一直线状，而且全部的行和全部的列相正交。

10.如权利要求8所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：

在上述空腔底面的IC元件装配区域配置的多数电极垫中的至少1个是接合在上述IC元件的连接垫上的虚设电极垫。

11.如权利要求8所述的温度补偿晶体振荡器，其特征是：上述IC元件是在半导体元件的—主面上配置再布线层而构成的，该再布线层用以使IC元件的各连接垫与各电极垫形成位置相对应。

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