BRPI0709070A2 - corpo de suporte para componentes ou circuitos - Google Patents

corpo de suporte para componentes ou circuitos Download PDF

Info

Publication number
BRPI0709070A2
BRPI0709070A2 BRPI0709070-6A BRPI0709070A BRPI0709070A2 BR PI0709070 A2 BRPI0709070 A2 BR PI0709070A2 BR PI0709070 A BRPI0709070 A BR PI0709070A BR PI0709070 A2 BRPI0709070 A2 BR PI0709070A2
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
support body
body according
supporting
cooling
cooling elements
Prior art date
Application number
BRPI0709070-6A
Other languages
English (en)
Inventor
Claus Peter Kluge
Original Assignee
Ceramtec Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ceramtec Ag filed Critical Ceramtec Ag
Publication of BRPI0709070A2 publication Critical patent/BRPI0709070A2/pt

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15Ceramic or glass substrates
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/76Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical parallel planar fins or blades, e.g. with comb-like cross-section
    • F21V29/763Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical parallel planar fins or blades, e.g. with comb-like cross-section the planes containing the fins or blades having the direction of the light emitting axis
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • F21V29/86Ceramics or glass
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • F21V29/89Metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731Ceramic materials or glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/71Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks using a combination of separate elements interconnected by heat-conducting means, e.g. with heat pipes or thermally conductive bars between separate heat-sink elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/71Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks using a combination of separate elements interconnected by heat-conducting means, e.g. with heat pipes or thermally conductive bars between separate heat-sink elements
    • F21V29/713Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks using a combination of separate elements interconnected by heat-conducting means, e.g. with heat pipes or thermally conductive bars between separate heat-sink elements in direct thermal and mechanical contact of each other to form a single system
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/75Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with fins or blades having different shapes, thicknesses or spacing
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • F21Y2105/10Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2215/00Fins
    • F28F2215/10Secondary fins, e.g. projections or recesses on main fins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201Structure
    • H01L2224/32012Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32014Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0104Zirconium [Zr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01077Iridium [Ir]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3512Cracking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/648Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0284Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0209Inorganic, non-metallic particles
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09045Locally raised area or protrusion of insulating substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

CORPO DE SUPORTE PARA COMPONENTES OU CIRCUITOS. A presente invenção refere-se a um corpo de suporte (1, 2) para componentes elétricos ou eletrónicos (6a, 6b, 6c, 6d) ou circuitos, sendo que o corpo de suporte (1, 2) não conduz ou quase que não conduz eletricidade. Para simplificar o corpo de suporte (1, 2) com simultânea melhoria extrema da dissipação de calor, a presente invenção sugere que o corpo de suporte (1, 2) esteja inteiriçamente dotado de elementos de refrigeração (7) que dissipam ou alimentam calor.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "CORPO DESUPORTE PARA COMPONENTES OU CIRCUITOS".
A presente invenção refere-se a um corpo de suporte para com-ponentes ou circuitos elétricos ou eletrônicos, sendo que o corpo de suportenão conduz ou quase que não conduz eletricidade.
De acordo com o estado da técnica, para dissipar calor de mó-dulos de eletrônica de alta capacidade são construídas estruturas planasque desviam o calor que se difunde a partir de uma fonte de calor (compo-nente eletrônico ativo ou passivo) através de numerosas camadas interme-diárias (chumbos, pastas de guia, colas, metalizações) para dentro de umcorpo de geometria simples, configurado uniformemente, que não conduzeletricidade (disco, substrato retangular). A geometria dos diversos compo-nentes é simples, a construção das camadas é complicada e requer um usoconsecutivo dos mais diversos processos sujeitos a falhas, tais como, colar,prensar, aparafusar e em certo grau, também a soldadura fina. Cada cama-da limítrofe dessa construção em pilha significa uma barreira para a passa-gem do calor e diminui ou a confiabilidade e/ou a vida útil co módulo (oxida-ção, queima, envelhecimento) ou limita sua capacidade.
Suportes de circuitos (corpos de suporte) orgânicos ou cerâmi-cos com uma capacidade (baixa ou não suficiente) de conduzir o calor, pre-cisam ser montados de modo permanente com fecho devido à forma pormeio de medidas adicionais, tais como camadas intermediárias que isolameletricamente, em um corpo de refrigeração metálico. Com as cargas térmi-cas crescentes, às vezes fontes de calor precisam ser removidas da placa eno sentido clássico ser montadas em um corpo de refrigeração metálico eser ligados eletricamente ao suporte do circuito.
A construção de vários materiais diferentes é complexa e umpaliativo, considerando-se a confiabilidade para longo prazo. Um aumentoda densidade de capacidade somente é possível em um grau menor.
A condutibilidade térmica somente pode ser usada de maneiralimitada, pois se trata de uma construção com planos paralelos.
Uma ligação direta do corpo de refrigeração capaz de conduzireletricidade e uma fonte de calor tampouco é possível.
Para simplificar o corpo de suporte ao mesmo tempo melhoran-do extremamente a dissipação do calor, a presente invenção sugere que ocorpo de suporte seja fabricado inteiriçamente com elementos de refrigera-ção que dissipam ou fornecem calor.
Em uma execução de acordo com a presente invenção, o corpode suporte é uma placa de montagem. No corpo de suporte estão dispostasas vias condutoras. As vias condutoras da placa de montagem podem serintimamente ligadas ao corpo de suporte, por exemplo, por meio de um pro-cesso térmico, ou vias condutoras metálicas podem ser coladas ou colascondutoras podem ser usadas. Também podem ser usadas combinações dediversos tipos de vias condutoras.
De preferência, os componentes têm uma dissipação do calordireto para dentro do corpo de suporte ou também para dentro dos elemen-tos de refrigeração. Os componentes podem ser ligados ao corpo de supor-te, por exemplo, diretamente ou através de uma ou várias camadas.
Os termos elementos construtivos e componentes referem-seaos mesmos objetos.
Os elementos de refrigeração preferencialmente são furos, ca-nais, nervuras e/ou desbastes que podem ser solicitados por um agente derefrigeração.
O agente de aquecimento ou de refrigeração pode ser um gás,como por exemplo, ar, ou um líquido, como por exemplo, água ou óleo.
Em uma modalidade preferida, o corpo de suporte consiste empelo menos um componente cerâmico ou de um composto de diferentes ce-râmicas. Os componentes cerâmicos, no sentido cristalográfico, podem sermonocristalinos ou policristalinos ou combinações destes.
Os componentes cerâmicos ou as cerâmicas podem ser, porexemplo, oxido de alumínio, oxido de alumínio técnico, oxido de zircão, oxidode zircão de dotações diferentes, nitreto de alumínio, nitreto de silício, oxidode silício, cerâmica de vidro, cerâmicas LTCC (Low Temperature CofiredCeramics), carboneto de silício, nitreto de boro, oxido de boro.Tecnicamente especialmente importantes são o oxido de alumí-nio técnico de 96 % com condutibilidade térmica de cerca de 24 W/mK, e ooxido de alumínio técnico de > 99 % com cerca de 28 W/mK, nitretos de a-lumínio técnicos ou puros com, por exemplo, cerca de 180 W/mK, óxidos dealumínio reforçados por oxido de zircão com cerca de 24 W/mK, e cerâmicasde vidro com cerca de 2 W/mK.
Condutibilidades térmicas altas têm uma importância técnica es-pecial em aplicações como eletrônica de alta potência, diodos emissores deluz high power, fusíveis de alta potência inertes, resistências de alta potên-cia. Condutibilidades térmicas baixas têm uma importância técnica especialno caso de resistências de alta carga e em aplicações onde precisa ser ga-rantida uma distribuição de temperatura o mais uniforme possível em umasuperfície (o corpo de suporte). Aqui cabe mencionar, por exemplo, arranjosde medição termo-analítica.
Apropriadamente, os elementos de refrigeração são sinterizadoscom o corpo de suporte, o que simplifica a produção e em muitos casostambém melhora a vida útil de toda a construção.
Em uma modalidade especial, o corpo de suporte consiste emum material composto, e o material composto contém materiais de matrizque não conduzem ou que quase que não conduzem eletricidade com aditi-vos que conduzem o calor.
Como materiais de matriz preferencialmente são usados resinas,polímeros ou silicones.
Em execução preferida, os materiais compostos são sistemas demultimateriais de polímeros ou silicones, misturados com componentes ce-râmicos, tais como, por exemplo,
a) polímeros com AI2O3
b) polímeros com AIN
c) silicones com AI2O3 / AIN
d) silicone e propileno com ZrO2 / Y2O3
O corpo de suporte e/ou o elemento de refrigeração também po-de ser um composto de metal e/ou de cerâmica ou um composto de cerâmi-ca e metal.
Em uma forma de execução, o corpo de suporte e/ou o elementode refrigeração têm uma construção de várias camadas.
Apropriadamente, os componentes são ligados ao corpo de su-porte conduzindo eletricidade e/ou conduzindo calor. Os componentes po-dem ser, por exemplo, corpos elétricos ou eletrônicos ou ativos ou passivosou geométricos ou quaisquer combinações destes.
Em aperfeiçoamento da presente invenção, pelo menos umapossibilidade de montagem é ligada ao corpo de suporte ou ao elemento derefrigeração.
Por meio da possibilidade de montagem, o corpo de suporte po-de ser ligado a outros corpos de suporte com ou sem componentes ou circui-tos elétricos ou eletrônicos. A fixação pode ser feita por meio de parafusos,rebites, bornes, colagem, grampos, soldadura, soldadura fina ou outras pos-sibilidades de fixação.
O corpo de suporte pode assumir a função do elemento de refri-geração e vice-versa.
Os elementos de refrigeração estão unidos ao corpo de suporteinteiriçamente, em tamanhos iguais ou em quaisquer tamanhos e/ou em ali-nhamentos espaciais idênticos ou diferentes.
Os elementos de refrigeração podem portar ou possuem quais-quer estruturas de superfície que produzem o efeito de alteração da superfí-cie.
Com vantagem, uma ou várias estruturas de superfície ou suascombinações estão dispostas em um ou em vários elementos de refrigera-ção, por exemplo, rugosidades, estrias, ondulações, interrupções na superfí-cie ou estruturas ramificadas ou derivadas.
De preferência, as estruturas da superfície são, por exemplo,superfícies planas ou não planas ou ásperas de corpos de suporte ou deelementos de refrigeração que estão ligadas a superfícies também não pla-nas ou planas ou ásperas de componentes a serem montados, ou comocombinações destes, especialmente com fecho devido à forma e/ou de for-ma duradoura e/ou temporária. O tipo de ligação pode ser em especial sol-dadura fina ou colagem.
Em uma forma de execução especial, o corpo de suporte ou oselementos de refrigeração têm fecho devido à forma de superfície inteira ou parcial com componentes. A ligação pode ser ou duradoura ou temporáriaou uma combinação destes. Os componentes podem ser, por exemplo, cor-pos elétricos ou eletrônicos ou ativos ou passivos ou geométricos ou quais-quer combinações destes.
Em uma modalidade, o corpo de suporte ou os elementos derefrigeração são superficiais ou têm desbastes ou elevações, sendo que es-tes são feitos inteiriçamente com o corpo de suporte ou com os elementosde refrigeração.
Além disso, de preferência, o corpo de suporte pode ser unido acamadas de metal > 5 pm que são aplicadas, por exemplo, por meio do pro-cesso DCB (Direct Copper Bonding) ou AMB (Active Metall Brasing).
A construção de acordo com a presente invenção com compo-nentes existe, por exemplo, em estado de repouso a temperatura ambiente.Durante a operação podem surgir nos componentes, devido à operação,dentro de um curtíssimo tempo, temperaturas máximas locais. Ocorre o chamado choque térmico do ambiente do componente. A construção de a-cordo com a presente invenção pode superar estado sem sofrer danos pró-prios. Se estes estados ocorrem alternadamente, a chamada mudança tér-mica, em construções convencionais, por exemplo, com vias condutoras co-ladas, depois de relativamente poucos ciclos ocorrem, por exemplo, fenô- menos de soltura das vias condutoras do corpo de suporte. A construção deacordo com a presente invenção apresenta uma resistência à mudança tér-mica claramente melhor do que as construções convencionais.
Em aperfeiçoamento da presente invenção, no corpo de suporteestão fixados componentes iguais ou diferentes em orientação espacial igual ou diferente. A orientação pode ser realizada por meio de diferentes quanti-dades de chumbo ou desbastes ou elevações ou quaisquer combinaçõesdas possibilidades de orientação. Por exemplo, no caso de diodos emissoresde luz, sua orientação e com isso o raio de luz podem ser orientados de ma-neira simples.
O corpo de suporte de acordo com a presente invenção ou oelemento de refrigeração pode com vantagem ser usado como corpo demontagem.
Em uma realização da presente invenção, componentes de sen-sor são ligados ao corpo de suporte. Componentes de sensor podem emitirsinais, dos quais podem ser obtidos valores como pressão, temperatura, peso etc..
Em uma realização da presente invenção, sinais de sensor sãoobtidos da deformação parcial ou total do corpo de suporte.
De preferência, o corpo de suporte possui em parte regiões me-tálicas. Estas regiões podem ligar, por exemplo, eletricamente, o lado supe-rior e o lado inferior do corpo de suporte.
De preferência, o corpo de suporte não estabelece quase quenenhum potencial eletroquímico diante de outros materiais. Com isso, porexemplo, com o respectivo acoplamento, a corrosão do corpo de suporte ouda vizinhança pode ser diminuída significativamente.
Em uma execução de acordo com a presente invenção, o corpode suporte é usado como fonte de calor, sendo que o calor que surge é libe-rado através do corpo de suporte ou do elemento de refrigeração para omeio a ser climatizado.
De preferência, o corpo de suporte apresenta uma distribuiçãode temperatura dirigida, devido a calor ou frio trazido que é transferido parao corpo de suporte ou que é trazido através dos elementos de refrigeração.Desse modo podem ser compensadas, por exemplo, diferenças de tempera-tura dos arredores.
De preferência são aplicados no corpo de suporte materiais quepossibilitam processos de bonding. A titulo de exemplo pode ser usada umaconstrução de metalização W-Ni-Au (tungstênio - níquel - ouro), a fim depermitir o bonding de arame de ouro. Os materiais podem consistir em umou de vários materiais que são misturados ou aplicados no corpo de suporteem pelo menos uma camada. Os materiais podem consistir em, por exem-plo, materiais como ouro ou camadas de vários materiais, tais como cobre,níquel e ouro ou de misturas de pelo menos dois materiais diferentes, como,por exemplo, metais e/ou aditivos, e também de camadas de metais ou aditi-vos idênticos ou diferentes.
Em um aperfeiçoamento da presente invenção são ligados aocorpo de suporte um ou vários materiais que emitem luz ou um ou várioscomponentes que emitem luz ou combinações destes. Este pode ser, porexemplo, um semicondutor ou uma caixa com um semicondutor, como é u-sado para iluminações com diodos emissores de luz.
Preferencialmente são unidos ao corpo de suporte, intimamenteou por meio de fecho devido à forma mecânica, na superfície inteira ou par-cial, metais ou camadas de metal que apresentam uma condutibilidade idên-tica ou diferente como o corpo de suporte. Metais ou camadas de metal po-dem ser, por exemplo, tungstênio, prata, ouro, cobre, platina, paládio, níquel,em qualidade pura ou técnica ou misturas de pelo menos dois metais dife-rentes. Metais ou camadas de metal também podem ser misturados, por e-xemplo, com aditivos que providenciam adesão ou outros, tais como, vidroou materiais polímeros. Metais ou camadas de metal também podem ser, por exemplo, chumbos de reação, chumbos macios ou chumbos duros.
Cabe frisar em especial que em caso de fontes de calor punti-formes, o calor precisa ser espalhado, isto é, distribuído, muito rapidamenteem toda a superfície do corpo de suporte. Portanto, um corpo de suporte queapresenta uma condutividade térmica relativamente baixa, pode receber ocalor que surge, de modo distribuído sobre toda sua superfície através dometal. Assim sendo, o calor pode ser dissipado para os elementos de refri-geração. Uma vez que o corpo de suporte é isolante elétrico, o metal podeao mesmo tempo cumprir a função de condutividade elétrica e condutividadetérmica.
Em uma execução de acordo com a presente invenção, os me-tais ou as camadas de metal nos corpos de suporte podem ter diversas fun-ções. Eles podem ter a função da condutividade elétrica e/ou condutividadetérmica ou a função de uma alteração de cor da superfície ou separaçãotérmica ou um agente de aderência com terceiros materiais, como, por e-xemplo, soldadura fina, colagem e quaisquer combinações das funções deregiões de metal idênticas ou diferentes.
Por conseguinte, os metais preferencialmente são ligados desuperfície inteira ou parcial, em espessuras (alturas) idênticas ou diferentesem regiões de metal idênticas ou diferentes.
Em uma outra execução de acordo com a presente invenção,metais idênticas ou diferentes estão ligados ao corpo de suporte de superfí-cie inteira ou parcial, em uma ou em várias camadas com espessuras (altu-ras) idênticas ou diferentes.
Em uma outra execução, o corpo de suporte apresenta a colora-ção inerente do ou dos materiais usado(s) na superfície toda ou parcial, ouregiões parciais do corpo de suporte tem coloração diferente da coloraçãoinerente. A coloração pode ser formada através de tipos diferentes e combi-nação desses tipos.
O corpo de suporte na base de um oxido de alumínio técnicopode receber, por exemplo, durante o processo de produção do mesmo, adi-tivos de coloração, de modo que como resultado de um tratamento térmico,a massa do material é colorida completamente e de modo mecanicamenteinseparável.
O corpo de suporte, por exemplo, na base de um oxido de zircãotécnico, pode ser dotado, depois do processo de produção do mesmo, porexemplo, superficialmente com aditivos colorantes, de modo que, como re-sultado de um tratamento térmico, a superfície da massa do material é com-pletamente colorida. Dependendo da profundidade de penetração da colora-ção resultante, a massa do material pode ainda manter sua coloração ine-rente no interior. O gradiente da coloração pode assumir as característicasmais diversas.
O corpo de suporte, por exemplo, na base de um nitreto de alu-mínio técnico, pode ser dotado de camadas colorantes, de modo que comoresultado a massa do material do corpo de suporte não muda de coloração ea alteração de coloração somente é gerada através de uma ou várias cama-das mecanicamente separáveis.
Camadas de coloração podem ser, por exemplo, verniz, corestransluzentes, folhas adesivas, metais etc..
Em uma outra execução, o corpo de suporte é unido a pelo me-nos um outro corpo de suporte de geometria idêntico ou não por meio demateriais de junção apropriados, para formar um arranjo tridimensional.
Os materiais de junção podem ter uma ou várias camadas. Ma-teriais de junção podem ser idênticos ou diferentes ou também podem serusados em combinação com uma construção de uma camada ou de váriascamadas. Como exemplos podem ser mencionados materiais de junção taiscomo colas, metalizações, metais, metais que foram unidos ao corpo de su-porte por meio de processos como DCB (Direct Copper Bonding) ou AMB(Active Metal Brazing). Também podem ser usados chumbos, chumbos dereação, folhas adesivas em ambos os lados etc..
Em uma forma de execução do corpo de suporte é unido a umou vários materiais que emitem luz ou a um ou vários componentes que emi-tem luz e combinações destes, e ao mesmo tempo possui conectores elétri-cos padronizados ou não padronizados. Também podem ser usadas combi-nações com conectores elétricos idênticos ou diferentes. De preferência éusada uma ligação mecânica com o corpo de suporte adequado para o co-nector elétrico. Conectores elétricos podem ser, por exemplo, bases de lâm-padas E27, E14, série GU, série G, série U, série R, bases de encaixe, ba-ses tipo baioneta, conectores de aperto, conectores de parafuso, conectoresde encaixe etc.. Ligações mecânicas ou combinações de ligações mecâni-cas podem ser, por exemplo, colagem, soldadura fina, espremer, rebitar,apertar etc..
Em uma outra realização, pelo menos um corpo de suporte éunido a pelo menos um outro corpo geométrico por meio de materiais dejunção apropriados para formar uma construção tridimensional. Materiais dejunção podem ter uma ou várias camadas. Os materiais de junção podemser similares ou diferentes ou também podem ser usados em combinaçãocom uma construção de uma camada ou de várias camadas. Pelo menosum ou vários corpos de suporte iguais ou desiguais podem ser dispostos emquaisquer pontos com orientação igual ou diferente. Como exemplo cabemencionar materiais de junção como colas, metalizações, metais, metais que foram unidos ao corpo de suporte por meio de processos como DCB(Direct Copper Bonding) ou AMB (Active Metal Brazing), chumbos, chumbosde reação, folhas adesivas em ambos os lados etc.. Exemplos para corposgeométricos podem ser placas onde em diferentes regiões se encontrampelo menos um ou vários corpos de suporte iguais ou diferentes.
O corpo de suporte pode, por exemplo, ser parte integrante deuma caixa de material sintético.
Em uma outra execução, pelo menos um e/ou corpos de suportediferentes ou iguais, orientados em qualquer sentido ou no mesmo sentido,são embutidos em um material de matriz. O embutir pode ser feito, por e- xemplo, por meio de "injection mouiding" ou fundição sob pressão. As pró-prias massas de embutir podem ser selecionadas livremente ou de acordocom as respectivas funções alvo. Materiais sintéticos são muito bem apro-priados.
De acordo com a presente invenção, pode ser obtida uma alte-ração do transporte do calor em um corpo de suporte através da modificaçãodo tamanho ou da coloração ou do tamanho ou distribuição das regiões me-tálicas ou da geometria ou da execução dos elementos de refrigeração ou donúmero dos elementos de refrigeração ou combinações destes. Alterando-se, por exemplo, o design dos elementos de refrigeração, com uma entradade calor constante, através da liberação ou absorção de energia térmica,pode alterar-se a temperatura absoluta em estado arranjado ou em estadode equilíbrio. Isto também pode acontecer através de uma adição ou retiradaou ampliação ou diminuição dirigida de elementos de refrigeração. A altera-ção pode ocorrer também, por exemplo, através da alteração da cor. A ca- racterística de emissão de raios de um corpo preto é diferente da de um cor-po branco.
Em um exemplo de execução preferido, as superfícies do corpode suporte estão em uma relação às superfícies do elemento de refrigeraçãode 1 para x, sendo que χ > = 1,1. Tecnicamente especialmente importante éχ > = 1,8, pois assim sendo, a quantidade de calor transportável é maior.
Preferencialmente, são aplicadas na superfície do corpo de su-porte regiões de metalização sinterizadas.
Em uma execução de acordo com a presente invenção, as regi-ões de metalização consistem em tungstênio e são quimicamente niquela-das. Em uma realização, as regiões de metalização são circulares.
Em uma realização especial, o corpo de suporte possui viascondutoras elétricas através das quais podem ser transportadas tensõeselétricas até a faixa de kV, sem que haja uma saída de tensão elétrica atra-vés da massa do material do corpo de suporte. Tecnicamente especialmenteinteressantes são as faixas de tensão elétrica de 80 volt a 600 volt, e ten-sões » 2 k-volt (2 000 volt).
Em uma forma de execução preferida, o corpo de suporte possuinenhum ou um pequeno efeito de blindagem contra campos elétricos oumagnéticos ou eletromagnéticos ou combinações destes, e assim sendo,estes campos também podem penetrar o corpo de suporte.
Em uma modalidade, o corpo de suporte é dotado, na superfícieinteira ou na superfície parcial, de materiais cuja função é criar regiões ondeocorre um efeito de blindagem diferenciado perante campos elétricos oumagnéticos ou eletromagnéticos ou combinações destes, em comparaçãocom o efeito de blindagem do material do corpo de suporte.
De maneira preferida, através da aplicação dirigida de materiaisapropriados, tais como, por exemplo, metais, regiões são criadas no corpode suporte que devido à sua geometria, através de efeitos ou combinaçõesindutivos ou capacitivos são capazes de receber ou enviar sinais elétricos oumagnéticos ou eletromagnéticos. Sinais no sentido mais amplo servem paraa transmissão sem fio de energia. A energia pode também transmitir infor-mações adicionais, por exemplo, através de modulação.
Em uma realização de acordo com a presente invenção, o corpode suporte possui a funcionalidade de uma auto-identificação inteligente.Auto-identificação pode ser, por exemplo, uma escrita ou uma marcação ouuma fita magnética com a respectiva informação ou uma unidade RFID oucombinações destes.
Em um exemplo de execução, o corpo de suporte consiste emoxido de alumínio técnico com um teor mínimo de oxido de alumínio de 89%. As regiões de metalização são apropriadas para, por exemplo, fixar comsolda fina nos componentes, a fim de se conseguir uma ligação íntima. Ajunção com, por exemplo, um diodo emissor de luz comercialmente disponí-vel, pode ser providenciada por meio de uma junção por soldadura fina. Ajunção por meio de soldadura fina possui pelo menos as funções da junçãomecânica do diodo emissor de luz com o corpo de suporte. Adicionalmente,as regiões de metalização possibilitam o contato elétrico do diodo emissorde luz e o contato térmico.
No exemplo de uma construção de um corpo de suporte comregiões de metalização impressas e sinterizadas (também seções transver-sais de vias condutoras) com uma fonte de calor pontual fixada por soldadu-ra, por exemplo, um diodo emissor de luz, a seção transversal de vias con-dutoras tecnicamente necessária pode ser selecionada significativamentemaior do que necessário, uma vez que ao mesmo tempo para a conduçãode eletricidade através das regiões de metalização e das seções transver-sais das vias condutoras, também a expansão do calor ocorre em uma su-perfície maior do corpo de suporte, assim sendo distribuída sobre os ele-mentos de refrigeração. Diante de uma região de metalização e seção trans-versal de via condutora menor eletricamente adequado e suficiente, atravésde regiões de metalização e seções transversais de vias condutoras maio-res, uma quantidade de calor maior pode ser distribuída em um tempo maiscurto sobre a superfície do corpo de suporte, e de lá, sobre os elementos derefrigeração.
O corpo de suporte ou o elemento de refrigeração, a seguir tam-bém denominado de corpo, de preferência, pode consistir em um componen-te cerâmico ou de um conjunto de diversas cerâmicas. Por exemplo, podemser citados, no caos, o óxido de alumínio técnico de 80 a 99,9 %, óxido dealumínio, oxido de berílio, oxido de zircão, oxido de zircão estabilizado, nitre-to de alumínio, óxido de alumínio reforçado por zircão, cerâmica de vidro oucerâmicas que surgiram através de misturas de pelo menos duas cerâmicasdiferentes ou aditivos. Cerâmica monocristalina pode ser safira.
O corpo também pode consistir em uma material composto. Po-dem ser usados materiais de matriz, por exemplo, resinas, polímeros ou sili-cones com aditivos. Os aditivos causam uma alteração da diversidade decalor dos materiais de matriz. Sistemas multimateriais preferencialmente po-dem ser polímeros com AI2O3, polímeros com AIN, silicones com AI2O3/AIN.
O corpo pode ser rígido ou flexível ou uma combinação de rígidoe flexível.
O corpo pode ser construído em várias camadas com vias con-dutoras internas e componentes elétricos como resistências, bobinas, capa-citores etc., sendo que também são possíveis regiões condutoras de eletrici-dade entre as camadas.
O corpo também pode ser usado como peça inserida para umcorpo de refrigeração condutor de eletricidade. Em especial quando o meioambiente tem um efeito corrosivo.
O corpo pode ao mesmo tempo também ser uma caixa de mon-tagem.
O uso do corpo de suporte de acordo com a presente invençãotem as seguintes vantagens:
• Redução da multiplicidade dos componentes.
• Ampliação da multiplicidade de funções.
Proteção própria contra sobrecarga térmica.
• Confiabilidade de longo prazo.
• Evitar o mismatch TCE devido ao uso dos materiais mais diversificados.
• Aumento da potência devido a uma dissipação de calor melhorada.
Superação da dificuldade de dissipar diretamente grande calor de perda.
• Princípio básico pode ser transferido para muitas aplicações.• Um balanço térmico automático iminente ao sistema.
• Eliminação da obrigação de montar a fonte de calor em uma caixa se-parada que, por sua vez, pode ser montada em corpo.
Fontes de calor podem ser componentes elétricos ou eletrônicos, tais como,por exemplo, elementos de aquecimento, elementos de peltier, resistências,semicondutores ativos e passivos.
O calor pode ser gerado conscientemente como função ou ocor-rer como produto lateral na execução da função.
As fontes de calor também podem sofrer alterações na capaci-dade de funcionamento durante a operação devido ao próprio calor produzi-do.
As fontes de calor podem ser unidas diretamente ao corpo, porexemplo, por meio de soldadura fina.
IGBT
Os módulos são carregados com potências cada vez maiorespor superfície e a capacidade de funcionamento duradoura desses módulossomente pode ser garantida com a montagem de corpos de refrigeração.
Nesse caso, o corpo de suporte de acordo com a presente in-venção é selecionado para a dissipação térmica.
LED ("Light emitting diode')
Com o estado da técnica, até a presente data, não é possível, ouapenas possível de modo limitado, alcançar densidades de luminosidademaiores exigidas. Os motivos são o gerenciamento térmico ruim de acordocom o estado da técnica. Com a densidade de luminosidade crescente ocalor perdido aumenta. O calor perdido influencia significativamente a vidaútil e a Constância de cor. O mesmo vale também para aplicações com dio-dos a laser.
De acordo com a presente invenção, os semicondutores podemser montados diretamente em uma placa de montagem, ou colocados antesem uma caixa e depois ser colocados como componente na placa de mon-tagem. O circuito disposto na placa de montagem, por sua vez, de acordocom a presente invenção é refrigerado pelos elementos de refrigeração, ou osemicondutor é equipado diretamente com um corpo de refrigeração adicio-nal. Semicondutores também podem ser células solares, uma vez que suapotência fornecida diminui com a temperatura crescente. Neste caso, duran-te a operação, o próprio semicondutor não produziria nenhum calor perdidoque precisa ser dissipado, e sim, neste caso o semicondutor é aquecido pelafração de luz infravermelha da luz do sol.
Controles.
De acordo com o estado da técnica, por exemplo, no automóvel,as fontes calor são separadas do circuito e ligados eletricamente. Tambémneste caso é usada a construção com corpos de refrigeração que conduzemo calor.
A corrosão de corpos de refrigeração.
Sob determinadas condições de uso ocorre corrosão na superfí-cie em corpos de refrigeração que conduzem eletricidade. As ligações super-ficiais que surgem através de ligações superficiais alteram a transição para oagente de refrigeração e também podem alterar a superfície , por exemplo,devido a formação de furos. Os corpos de suporte de uma cerâmica comelementos de refrigeração integrados resolvem este problema.
Elemento de aquecimento cerâmico.
Uso para a estabilização térmica do próprio corpo de refrigera-ção ou dos arredores diretos ou indiretos.
Uso Peltier.
Elementos Peltier possuem um lado frio e um lado quente. De-pendendo do uso, a construção sempre pode ser vista em combinação comum corpo de refrigeração combinado. Neste caso. O elemento Peltier podeser colocado diretamente no corpo de refrigeração eletricamente isolado.
Sensores internos / superficiais por causa da reação regenerati-va no próprio sistema.
O corpo de refrigeração propriamente dito pode possuir senso-res embutidos ou montados / dispostos em uma superfície. Devido ao aco-plamento direto ao sistema, são possíveis até mesmo funções de proteçãode auto-ajuste das fontes de calor.A montagem do corpo de refrigeração.
Pontos de montagem, pads, cavidades, pinos de montagem
refrigeração ativa e passiva
- furos
- ventiladores
- aletas em agente de refrigeração diferente do ar.
Na montagem de componente e corpo de refrigeração, o estadoda técnica freqüentemente exige um terceiro componente, a chamada folhacondutora de calor que ao mesmo tempo também precisa ser eletricamenteisolante. Para que o efeito desejado da alimentação de calor possa ser al-cançado, o corpo de refrigeração e o componente precisam apresentar su-perfícies planas e paralelas para que seja garantido um fecho devido à formade 100 %. Se ainda tiver uma folha condutora de calor, também precisa a-presentar uma superfície plana e paralela. Na montagem de tal construçãofreqüentemente é escolhido um aparafusamento. Se agora durante a monta-gem ou durante a operação ocorrerem atrasos na construção, o contato tér-mico pode ser perdido parcialmente. Com isto, a funcionalidade e a vida útilda construção estão postos em risco.
De acordo com a presente invenção, agora pela primeira vezexiste a possibilidade de uma junta de soldadura fina nos elementos de refri-geração eletricamente isolantes, onde as desvantagens acima descritas doacoplamento térmico não surgem durante o processo de soldadura fina.
Construção tipo sanduíche multicamada.
Conexões mecânicas simples do elemento de refrigeração paraa montagem da unidade propriamente dito e para a conexão com outros e-lementos de refrigeração e/ou funções ligados a corpos.
Placa de montagem auto-refrigerada.
O estado da técnica manda prover uma placa com um gerenci-amento térmico insuficiente com um elemento de refrigeração eletricamentecondutor. Nisso, há limites para a conexão térmica no sentido de que estaprecisa ser resistente a longo prazo. Fatores limitadores são, por exemplo, aalteração temporária e geométrica do meio eletricamente isolante.As figuras 1 a 20 mostram formas de execução do corpo de su-porte 1 de acordo com a presente invenção.
A figura 1 mostra como exemplo um corpo de suporte 1 feito decerâmica, inteiriçamente com elementos de refrigeração 7 de cerâmica exe- cutados como aletas. No corpo de suporte 1 encontra-se um outro corpo desuporte 2 independente. Os corpos de suporte 1 e 2 portam respectivamentecamadas 9 contendo metal, isto é, que conduzem eletricidade. A ligação docorpo de suporte 2 no corpo de suporte 1 pode ser providenciada por meiode junção de soldadura fina 14. Dessa forma, pode ocorrer um esfriamento do corpo de suporte 2 através do corpo de suporte 1 para os elementos derefrigeração 7. No corpo de suporte 2 pode ser disposto um diodo emissorde luz 6c ligando-se a placa de base 5 do LED 6c por meio de uma junçãode soldadura fina 14 à camada contendo metal 9 do corpo de suporte 2. Oselementos de refrigeração 7 estão unidos inteiriçamente ao corpo de suporte 1 por meio de sinterização. Os próprios elementos de refrigeração 7 tambémpodem funcionar como corpos de suporte. Também a combinação de maisdo que dois corpos de suporte é vantajosa.
A figura 2 mostra um corpo de suporte 1 feito de cerâmica, intei-riçamente com elementos de refrigeração 7 de cerâmica executados como aletas. Neste corpo de suporte 1 encontra-se um chip 6a no lugar de qual-quer fonte de calor. Este chip 6a é ligado a camadas 9 que conduzem eletri-cidade, através de linhas 8. O chip 6a pode ser ligado diretamente ao corpode suporte 1, ou por exemplo, pode ser fixado através de uma camada demetal 10 nele através de uma junção de soldadura fina 14. A referência 6b indica um outro elemento elétrico ou eletrônico que como o chip 6a é umafonte de calor. O componente 6b está disposto no elemento de refrigeração7 sobre uma camada que conduz eletricidade. Assim sendo, o elemento derefrigeração 7 assume também a função de um corpo de suporte. Os ele-mentos de refrigeração 7 estão unidos inteiriçamente ao corpo de suporte 1 por meio de sinterização. Também os outros elementos de refrigeração 7podem funcionar como corpo de suporte.
A figura 3 mostra como exemplo a possibilidade de unir o corpode suporte 1 e/ou os elementos de refrigeração 7 por meio de uma possibili-dade de montagem, por exemplo, parafusos 11, a outros componentes, porexemplo, um outro corpo de suporte ou um elemento construtivo de hierar-quia superior, com a ajuda de uma cola 12 ou semelhantes possibilidades de fixação. Os parafusos 11 são, portanto, uma possibilidade de montagem. Deresto, o corpo de suporte 1 é quase que idêntico ao da figura 2.
A figura 4 mostra como exemplo a possibilidade da disposiçãode elementos de refrigeração 7 iguais ou de forma diferente no corpo de su-porte 1. Os elementos de refrigeração 7 , no que se refere à sua orientação relativamente à superfície do corpo de suporte 1, podem apontar na mesmadireção, ou em combinação disso, em todas as direções espaciais. No caso,um semicondutor 6d é unido ao corpo de suporte 1 com a ajuda de uma jun-ção de soldadura fina 14 através de uma camada 9 contendo metal queconduz eletricidade. O semicondutor 6d também é ligado com um fio 3 à camada contendo metal 9.
As figuras 5 a a 5d mostram diversas possibilidades de aspectosde modificações da superfície. A figura 5a mostra uma modificação da su-perfície feita por meio de cavidades e furos 4 nos elementos de refrigeração7.
A figura 5b mostra uma modificação da superfície por meio decolocação de estrias 13 e/ou espessuras no elemento de refrigeração 7.
A figura 5c mostra uma modificação da superfície pela colocaçãode estrias onduladas 15 nos elementos de refrigeração 7.
A figura 5d mostra uma modificação da superfície por meio de ramificações tipo galhos 16 no elemento de refrigeração 7.
A figura 6 mostra uma superfície não plana, rugosa de um corpode suporte 1, ligada a um componente 6b. O componente 6b e o corpo desuporte 1 possuem uma camada de metalização 51 que pode ser submetidaa soldadura fina. O fecho devido à forma completo é feito por meio de umajunção de soldadura fina 14.
A figura 7 mostra um corpo de suporte 1 onde um componente6b é disposto por meio de uma junção 52 parcialmente com fecho devido àforma. Entre a junção com fecho devido à forma 52 há regiões sem fechodevido à forma.
A figura 8 mostra um desbaste 50 no corpo de suporte 1 e a figu-ra 9 mostra uma elevação 49 em um corpo de suporte 1.
A figura 10 mostra um corpo de suporte 1 com elementos de re-frigeração 7. No corpo de suporte 1 estão dispostos componentes 6b pormeio de uma junção de soldadura fina 14 com diferentes disposições espa-ciais. Os componentes 6b podem ser, por exemplo, LEDs que devem emitirluz para diversas direções.
A figura 11 mostra um corpo de suporte 1 com elementos de re-frigeração 7 unidos inteiriçamente. O corpo de suporte 1 e os elementos derefrigeração 7 consistem em um material cerâmico e ambos são ligados in-teiriçamente por meio de um processo de sinterização, portanto, formandoum único componente. Um elemento de refrigeração 7 a tem uma seçãotransversal em forma de escada, um outro elemento de refrigeração 7b tema seção transversal em forma de munhão e um outro elemento de refrigera-ção 7c tem a forma de um paralelepípedo. Os elementos de refrigeração 7ae 7b estão dispostos no lado inferior 21 do corpo de suporte 1. Um elementode refrigeração 7c está disposto lateralmente no corpo de suporte 1 e ele-mento de refrigeração 7. No lado superior 20 do corpo de suporte 1 estãodispostas vias condutoras 17. O lado inferior 21 é o lado do corpo de suporte1 afastado do lado superior 20. No lado superior 20 do corpo de suporte 1,além das vias condutoras 17, aqui mostradas apenas de modo esquemati-zado, existe como metal cobre 18, aplicado pelo processo DCB em toda asuperfície. Adicionalmente, também é colocado um metal 19 em parte dasuperfície. Preferencialmente a condutibilidade térmica do metal 19 é maisou menos igual condutibilidade térmica do corpo de suporte 1 e/ou dos ele-mentos de refrigeração 7. Condutibilidade térmica é a relação de watt/mK. Élógico, que a condutibilidade térmica do metal 19 também pode ser desigualà condutibilidade do corpo de suporte 1 e/ou dos 7.
A figura 12 mostra um corpo de suporte 1 com elementos de re-frigeração 7 como também é mostrado na figura 11. No lado superior 20 e-xiste sobre um metal 19 uma fonte de calor 22. Esta fonte de calor 22 é ati-vada por meio de vias condutoras 17. As vias condutoras 17 têm a função decondutibilidade térmica e o metal 19 tem a função da propagação térmica ouda condutibilidade elétrica.
A figura 13 mostra um corpo de suporte 1 com elementos de re-frigeração 7 como também é mostrado nas figuras 11 e 12. No lado superior20 do corpo de suporte 1 estão dispostos metais 19 que se distinguem nasua espessura, isto é, altura. O metal 19 a possui um gradiente de espessu-ra, isto é, a espessura aumenta continuamente de um lado para o outro. Osmetais 19 podem ser unidos ao corpo de suporte 1 na superfície inteira ouparcial.
A figura 14 mostra um corpo de suporte 1 com elementos de re-frigeração 7 como também é mostrado nas figuras 11 a 13. No lado superior20 estão dispostos metais 19 em várias camadas. Tanto podem estar dis-postas várias camadas de um único metal como também várias camadas dediversos metais. Algumas camadas podem também ter uma estrutura 24.
A figura 15 a mostra um corpo de suporte 1 com elementos derefrigeração 7 , como mostrado nas figuras 11 a 13. O corpo de suporte 1pode ser colorido (veja a região 48) ou também somente algumas regiões docorpo de suporte 1 podem ser coloridas. A figura 15b mostra um recorte docorpo de suporte 1 ou do elemento de refrigeração 7 ao longo de uma bordade fratura x. Uma coloração uniforme torna-se evidente.
A figura 15 c mostra uma coloração que é executada como gra-diente. Depois da produção do corpo de suporte 1 com os elementos de re-frigeração 7 um corante é aplicado que depois de um processamento térmi-co colora a massa do material.
A figura 15 d mostra um recorte do elemento de refrigeração 7onde a massa do material não é colorida. Para tal é aplicada um revestimen-to da superfície, por exemplo, um verniz. A referência χ define a borda defratura em todas as figuras.
Nas figuras 16 a e 16 b, um corpo de suporte 1 é unido a umoutro corpo de suporte 2. A junção pode ser de diversos tipos e depende dasexigências. A referência 47 marca os materiais de junção. Os elementos derefrigeração 7 são aletas de diversos tipo nas figura 16 a e 16b.
A figura 17 mostra um corpo de suporte 1 com elementos de re-frigeração 7, onde os elementos de refrigeração 7 estão dispostos por meio de materiais de ligação 47, uma base E27 46. Esta base E27 46 serve paraalojar um elemento de luz, por exemplo, uma lâmpada. A base E27 46, nocaso, também serve em geral para todos os conectores, plugues ou buchaselétricos. No lado superior 20 está disposto um LED 6c.
A figura 18 mostra uma forma de execução de acordo com apresente invenção, onde um corpo de suporte 1 é unido a um outro corpo desuporte 2 para formar um arranjo tridimensional. A referência 47 novamentemarca o material de junção. No outro corpo de suporte 2 está disposto umoutro corpo de suporte 3. O corpo de suporte 2 é executado como um corpogeométrico tridimensional.
As figuras 19 a, b, c mostram um corpo de suporte 1 que é intei-riçamente ligado a elementos de refrigeração 7. Toda a superfície do corpode suporte 1 é executada como uma região de metalização 41 sinterizada. Aregião de metalização 41 consiste em tungstênio e é quimicamente niquela-do. A figura 19 a mostra o corpo de suporte 1 com os elementos de refrige-ração 7 em uma vista tridimensional, e a figura 19 b mostra uma vista debaixo dos elementos de refrigeração 7. A figura 19 c mostra uma seçãotransversal de acordo com a linha A - A da figura 19 b.
O corpo de suporte 1 com os elementos de refrigeração 7 possuium comprimento L de 50 mm e uma largura B de 25 mm. A altura H1 doselementos de refrigeração 7 é de 10 mm e a altura H2 de todo o corpo desuporte 1 com os elementos de refrigeração 7 é de 13 mm. Os diversos ele-mentos de refrigeração 7 possuem uma espessura D de 2 mm, e a distânciaA dos elementos de refrigeração 7 entre si é de 2 mm. Os diversos elemen-tos de refrigeração 7 estão levemente arredondados nas suas extremidades.
Nas figuras 20 a, b, c, d é mostrado um corpo de suporte 1 comelementos de refrigeração 7 que possui as dimensões idênticas às do corpode suporte 1 da figura 19. No caso, porém, nem toda a superfície do corpode suporte 1 é executada como uma área de metalização sinterizada, e sim,apenas algumas regiões de metalização 41 circulares estão dispostas queconsistem em tungstênio e são quimicamente niqueladas. A camada detungstênio possui uma espessura de pelo menos 6 pm, e a camada de ní-quel possui uma espessura de no mínimo 2 pm. As diversas regiões de me-talização 41 possuem um diâmetro de 5 mm. Este corpo de suporte 1 serve,por exemplo, para assentar LEDs.

Claims (52)

1. Corpo de suporte (1, 2) para componentes elétricos ou eletrô-nicos (6a, 6b, 6c, 6d) ou circuitos, sendo que o corpo de suporte (1, 2) nãoconduz ou quase que não conduz eletricidade, caracterizado pelo fato deque o corpo de suporte (1, 2) está inteiriçamente dotado de elementos derefrigeração (7) que dissipam ou alimentam calor.
2. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 1, caracteri-zado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) é uma placa de montagem.
3. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, ca-racterizado pelo fato de que os elementos de refrigeração (7) são furos, ca-nais, nervuras e/ou desbastes que podem ser solicitados por um meio deaquecimento ou de refrigeração.
4. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 3, caracteri-zado pelo fato de que o meio de aquecimento ou de refrigeração é um gás,tal como, por exemplo, ar, ou um líquido, tal como, por exemplo, água ouóleo.
5. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1 a-4, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) e/ou o elementode refrigeração (7) consiste em pelo menos um componente cerâmico ou deum composto de diversas cerâmicas.
6. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1 a-5, caracterizado pelo fato de que os elementos de refrigeração (7) são sinte-rizados com o corpo de suporte (1, 2).
7. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1 a-6, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) e/ou o elementode refrigeração (7) consiste em um material composto, e o material compos-to contém materiais de matriz que não conduzem ou que quase que nãoconduzem eletricidade, com aditivos que conduzem calor.
8. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 7, caracteri-zado pelo fato de que como materiais de matriz são usados resinas, políme-ros ou silicones.
9. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 7 ou 8, ca-racterizado pelo fato de que os materiais compostos são sistemas de multi-materiais misturados de polímeros ou silicones com componentes cerâmi-cos, tais como, por exemplo,a) polímeros com AI2O3b) polímeros com AINc) silicones com AI2O3 /AINd) silicone e propileno com ZrO2 / Y2O3
10. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 9, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) e/ou o elementode refrigeração (7) é um composto de metal e/ou de cerâmica ou um com-posto de cerâmica e metal.
11. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 10, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) e/ou o elemen-to de refrigeração (7) tem uma construção de várias camadas.
12. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 11, caracterizado pelo fato de que os componentes (6a, 6b, 6c, 6d) estãojuntados ao corpo de suporte (1, 2) conduzindo eletricidade ou conduzindocalor.
13. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 12, caracterizado pelo fato de que com o corpo de suporte (1, 2) ou o ele-mento de refrigeração (7) é ligada pelo menos uma possibilidade de monta-gem (11).
14. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 13, carac-terizado pelo fato de que através da possibilidade de montagem (11) o corpode suporte (1, 2) é unido a outros corpos de suporte com ou sem componen-tes elétricos ou eletrônicos ou circuitos.
15. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 13 ou 14,caracterizado pelo fato de que a fixação é feita com parafusos, rebites, bor-nes, colagem, grampos, soldadura, soldadura fina ou outras possibilidadesde fixação.
16. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 15, caracterizado pelo fato de que o elemento de refrigeração (7) assumea função do corpo de suporte (1, 2) e vice-versa.
17. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 16, caracterizado pelo fato de que os elementos de refrigeração (7) estãounidos ao corpo de suporte (1, 2) inteiriçamente, em tamanhos iguais ou emquaisquer tamanhos e/ou em alinhamentos espaciais idênticos ou diferentes.
18. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 17, caracterizado pelo fato de que os elementos de refrigeração (7) portamou possuem quaisquer estruturas de superfície que produzem o efeito dealteração da superfície.
19. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 18, carac-terizado pelo fato de que uma ou várias estruturas de superfície ou suascombinações estão dispostas em um ou em vários elementos de refrigera-ção (7), por exemplo, rugosidades, estrias, ondulações, interrupções na su-perfície ou estruturas ramificadas ou derivadas.
20. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 18 ou 19,caracterizado pelo fato de que as estruturas da superfície são, por exemplo,superfícies planas ou não planas ou ásperas de corpos de suporte (1, 2) oude elementos de refrigeração (7) que estão ligadas a superfícies tambémnão-planas ou planas ou ásperas de componentes a serem montados, espe-cialmente com fecho devido à forma e/ou de forma duradoura e/ou temporá-ria.
21. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 20, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) ou os elemen-tos de refrigeração (7) têm fecho devido à forma de superfície inteira ou par-ciai com componentes.
22. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 21, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) ou os elemen-tos de refrigeração (7) são superficiais ou têm desbastes ou elevações, sen-do que estes são feitos inteiriçamente com o corpo de suporte (1, 2) ou comos elementos de refrigeração (7).
23. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 22, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) é unido a ca-madas de metal > 5 μm que são aplicadas, por exemplo, por meio do pro-cesso DCB (Direct Copper Bonding) ou AMB (Active Metall Brasing).
24. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 23, caracterizado pelo fato de que no corpo de suporte (1, 2) estão fixadoscomponentes idênticos ou diferentes em alinhamento espacial idêntico oudiferente.
25. Corpo de suporte ou elemento de refrigeração, de acordocom uma das reivindicações 1 a 24, para ser usado como corpo de monta-gem.
26. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 25, caracterizado pelo fato de que componentes de sensores estão unidosao corpo de suporte (1, 2).
27. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 26, caracterizado pelo fato de que sinais de sensor são deduzidos da de-formação parcial ou total do corpo de suporte (1, 2).
28. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 27, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) possui em par-te áreas metálicas.
29. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 28, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) não estabelecequase que nenhum potencial eletroquímico em relação a outros materiais.
30. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 29, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) é usado comofonte de calor, onde o calor que surge é transferido ao meio a ser temperadoatravés do corpo de suporte ou do elemento de refrigeração (7).
31. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 30, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2), através decalor ou frio alimentado, que é transferido para o corpo de suporte (1, 2) ouque é alimentado através dos elementos de refrigeração (7), possui uma dis-tribuição de calor dirigida.
32. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 31, caracterizado pelo fato de que no corpo de suporte (1, 2) são aplicadosmateriais que permitem processos de bonding.
33. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 32, caracterizado pelo fato de que uma ou várias substâncias que emitemluz ou um ou vários componentes que emitem luz ou combinações destes,são unidos ao corpo de suporte.
34. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 33, caracterizado pelo fato de que os metais ou as camadas de metal inti-mamente ligados ou ligados por meio de fecho devido à forma metálica nasuperfície inteira ou parcial, possuem uma capacidade de conduzir calor i-dêntica ou diferentes a do corpo de suporte (1, 2).
35. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 34, caracterizado pelo fato de que a função dos metais é a capacidade deconduzir eletricidade ou a capacidade de conduzir calor, ou uma alteraçãode cor da superfície, ou expansão térmica ou agente de aderência para ter-ceiros metais, tais como por exemplo, soldadura fina, colagem e quaisquercombinações das funções de áreas de metal idênticas ou diferentes.
36. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 35, caracterizado pelo fato de que os metais são unidos na superfície intei-ra ou parcial em espessuras idênticas ou diferentes (alturas) ao corpo desuporte (1, 2) em áreas de metal idênticas ou diferentes.
37. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 36, caracterizado pelo fato de que metais idênticos ou diferentes estão li-gados ao corpo de suporte (1, 2) com espessuras (alturas) idênticas ou dife-rentes, na superfície inteira ou parcial.
38. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 37, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) porta a colora-ção inerente do material ou dos materiais usado(s) na superfície inteira ouparcial, ou que áreas parciais do corpo de suporte (1, 2) têm uma coloraçãodiferente da coloração inerente.
39. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 38, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) é ligado a pelomenos um outro corpo de suporte (1, 2) de geometria idêntica ou diferentepor meio de materiais de ligação apropriados para formar uma espécie dearranjo tridimensional.
40. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 39, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) é unido a umou a vários materiais que emitem luz ou a um ou vários componentes ecombinações destas, e ao mesmo tempo é dotado de conectores elétricosnormalizados ou não-normalizados.
41. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 40, carac-terizado pelo fato de que os conectores elétricos são bases de lâmpada taiscomo E 27, E 14, série GU, série G, série U, série R.
42. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 41, caracterizado pelo fato de que pelo menos um e/ou diversos ou idênti-cos corpos de suporte (1, 2) estão embutidos em um material de matriz comorientação qualquer ou no mesmo sentido.
43. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 42, caracterizado pelo fato de que em um corpo de suporte (1, 2), atravésde modificação do tamanho ou da coloração ou das áreas metalizadas ou dageometria ou da alteração dos elementos de refrigeração (7)ou do númerodos elementos de refrigeração (7), ou combinações destes, é obtida umaalteração do transporte de calor.
44. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 43, caracterizado pelo fato de que a relação entre as superfícies do corpode suporte (1, 2) e as superfícies do elemento de refrigeração (7) é 1 a x,onde χ > = 1.1.
45. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 44, carac-terizado pelo fato de que χ > = 1,8.
46. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 45, caracterizado pelo fato de que na superfície do corpo de suporte (1, 2)estão aplicadas áreas de metalização (41) sinterizadas.
47. Corpo de suporte, de acordo com a reivindicação 46, carac-terizado pelo fato de que as áreas de metalização (41) consistem em tungs-tênio e são quimicamente niquelados.
48. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 47, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) possui viascondutoras elétricas, através das quais as tensões elétricas podem sertransportadas até para dentro da faixa de kV, sem que ocorra uma saída detensão através do material do corpo de suporte (1, 2).
49. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 48, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) possui nenhumou um efeito de blindagem pequeno diante de campos elétricos ou magnéti-cos ou eletromagnéticos ou combinações destas, e assim estes campostambém podem atravessar o corpo de suporte (1, 2).
50. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 49, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1,2) possui de ma-neira dirigida materiais na superfície toda ou parcial, cuja função é criar á-reas, onde ocorre um efeito de blindagem diferente diante de campos elétri-cos ou magnéticos ou eletromagnéticos ou de combinações destes, emcomparação com o efeito de blindagem do material do corpo de suporte (1,2).
51. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 50, caracterizado pelo fato de que através da aplicação dirigida de materi-ais apropriados, tais como, por exemplo, metais, no corpo de suporte (1, 2)estão dispostas áreas que devido à sua geometria por meio de efeitos indu-tivos ou capacitivos ou combinações destes são capazes de receber ou deemitir sinais elétricos ou magnéticos ou eletromagnéticos.
52. Corpo de suporte, de acordo com uma das reivindicações 1a 51, caracterizado pelo fato de que o corpo de suporte (1, 2) é dotado dafuncionalidade de uma auto-identificação inteligente.
BRPI0709070-6A 2006-03-23 2007-03-22 corpo de suporte para componentes ou circuitos BRPI0709070A2 (pt)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006013873.2 2006-03-23
DE102006013873 2006-03-23
DE102006055965.7 2006-11-24
DE102006055965 2006-11-24
DE102006058417.1 2006-12-08
DE102006058417 2006-12-08
PCT/EP2007/052726 WO2007107601A2 (de) 2006-03-23 2007-03-22 Trägerkörper für bauelemente oder schaltungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BRPI0709070A2 true BRPI0709070A2 (pt) 2011-06-28

Family

ID=38051792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BRPI0709070-6A BRPI0709070A2 (pt) 2006-03-23 2007-03-22 corpo de suporte para componentes ou circuitos

Country Status (19)

Country Link
US (1) US8040676B2 (pt)
EP (11) EP2397754B1 (pt)
JP (1) JP2009531844A (pt)
KR (1) KR101363421B1 (pt)
CN (2) CN101043809A (pt)
AU (1) AU2007228752B2 (pt)
BR (1) BRPI0709070A2 (pt)
CA (1) CA2644433A1 (pt)
DE (1) DE102007014433A1 (pt)
DK (1) DK2397754T3 (pt)
ES (1) ES2536154T3 (pt)
IL (1) IL194282A (pt)
MX (1) MX2008012029A (pt)
MY (1) MY147935A (pt)
NO (1) NO20084351L (pt)
RU (1) RU2434313C2 (pt)
SI (1) SI2397754T1 (pt)
TW (1) TWI449137B (pt)
WO (1) WO2007107601A2 (pt)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008128948A2 (de) * 2007-04-24 2008-10-30 Ceramtec Ag Bauteil mit einem metallisierten keramikkörper
EP2142489A1 (de) * 2007-04-24 2010-01-13 CeramTec AG Bauteil mit einem keramischen körper mit metallisierter oberfläche
JP2010524698A (ja) 2007-04-24 2010-07-22 セラムテック アクチエンゲゼルシャフト 少なくとも1つの非プレート状の構成要素を備えた複合体を製造する方法
CN101801886B (zh) * 2007-04-24 2014-07-16 陶瓷技术有限责任公司 具有其表面已金属化的陶瓷体的结构部件
WO2008128943A1 (de) * 2007-04-24 2008-10-30 Ceramtec Ag Verfahren zur selektiven oberflächenbehandlung von nicht plattenförmigen werkstücken
DE102007055462A1 (de) 2007-11-13 2009-05-20 Adamidis, Antonius Verfahren zur Regelung eines Photovoltaik-Anlage und derartige Anlage
US7940560B2 (en) 2008-05-29 2011-05-10 Advanced Micro Devices, Inc. Memory cells, memory devices and integrated circuits incorporating the same
KR100993059B1 (ko) 2008-09-29 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
TW201039958A (en) 2009-03-31 2010-11-16 Ceramtec Ag Component having an overlapping laser track
DE102009025033A1 (de) 2009-06-10 2010-12-16 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer thermoelektrischen Vorrichtung
TWM378614U (en) * 2009-06-29 2010-04-11 Te-Lung Chen The ceramic radiator with conductive circuit
DE102009033029A1 (de) * 2009-07-02 2011-01-05 Electrovac Ag Elektronische Vorrichtung
DE102009045189A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-28 Sirona Dental Systems Gmbh Beleuchtungsvorrichtung für ein dentales Handstück
TWI525287B (zh) * 2009-10-27 2016-03-11 製陶技術股份有限公司 由具有led的可變規模的陶瓷二極體載體構成的陣列
US10852069B2 (en) * 2010-05-04 2020-12-01 Fractal Heatsink Technologies, LLC System and method for maintaining efficiency of a fractal heat sink
US10041745B2 (en) * 2010-05-04 2018-08-07 Fractal Heatsink Technologies LLC Fractal heat transfer device
US9228785B2 (en) * 2010-05-04 2016-01-05 Alexander Poltorak Fractal heat transfer device
CN102446873A (zh) * 2010-10-07 2012-05-09 卓英社有限公司 散热器
DE102011114882A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Ceramtec Gmbh LED-Leuchte mit integriertem Treiber
DE102011114880A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Ceramtec Gmbh LED-Treiberschaltung
DE102012204851A1 (de) * 2011-03-29 2012-10-04 Ceram Tec Gmbh Spritzguss-Lampenkörper mit keramischen Kühlern und LEDs
DE102012205178A1 (de) 2011-04-04 2012-10-04 Ceramtec Gmbh Keramische Leiterplatte mit Al-Kühler
CN103562632A (zh) 2011-04-04 2014-02-05 陶瓷技术有限责任公司 具有led作为发光器件并且具有由玻璃或塑料制成的灯罩的led灯
TW201320877A (zh) * 2011-11-04 2013-05-16 Most Energy Corp 熱管理裝置及電子設備
GB2497283A (en) * 2011-12-02 2013-06-12 Tzu-Yu Liao Method for assembling LEDs to a ceramic heat conductive member
RU2593829C2 (ru) * 2011-12-14 2016-08-10 Дула-Верке Дустманн Унд Ко. Гмбх Система электрификации
CN104185761A (zh) * 2012-04-05 2014-12-03 皇家飞利浦有限公司 Led照明结构
DE102012103198B4 (de) * 2012-04-13 2019-02-21 Vossloh-Schwabe Deutschland Gmbh Trägereinrichtung für ein Leuchtmodul und Verfahren zu deren Herstellung
KR101499665B1 (ko) * 2012-05-29 2015-03-06 포리프라스틱 가부시키가이샤 복합 성형체의 제조방법
RU2519925C2 (ru) * 2012-06-26 2014-06-20 Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (ОАО "НПП "Алмаз") Устройство для отвода тепла от тепловыделяющих радиоэлементов
US8835299B2 (en) * 2012-08-29 2014-09-16 Infineon Technologies Ag Pre-sintered semiconductor die structure
RU2529852C2 (ru) * 2012-10-18 2014-10-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Прибор" Устройство стабилизации температуры электронных компонентов
US9230889B2 (en) * 2013-01-16 2016-01-05 Infineon Technologies Ag Chip arrangement with low temperature co-fired ceramic and a method for forming a chip arrangement with low temperature co-fired ceramic
FI20135113L (fi) * 2013-02-05 2014-08-06 Tellabs Oy Jäähdytysjärjestelyllä varustettu piirikorttijärjestelmä
JP6251739B2 (ja) * 2013-05-22 2017-12-20 株式会社カネカ 放熱構造体
KR101625895B1 (ko) * 2014-01-22 2016-05-31 안성룡 Uv-led 조사장치
RU2579434C2 (ru) * 2014-03-19 2016-04-10 Михаил Юрьевич Гончаров Планарный индуктивный элемент и способ отвода тепла от его обмоток
EP3123841A1 (de) 2014-03-28 2017-02-01 CeramTec GmbH Transluzente mit led bestückte platinen und/oder kühlkörper
US20170317223A1 (en) * 2014-08-12 2017-11-02 Ceramtec Gmbh Ceramic carrier body having solar cells
US20160061436A1 (en) * 2014-08-27 2016-03-03 Toshiba Lighting & Technology Corporation Socket and Lighting Device
JP6761800B2 (ja) * 2014-09-09 2020-09-30 セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH 多層冷却体
JP2018503217A (ja) * 2014-11-24 2018-02-01 セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH Eモビリティ分野における熱管理
CN105742252B (zh) * 2014-12-09 2019-05-07 台达电子工业股份有限公司 一种功率模块及其制造方法
CN104465975A (zh) * 2014-12-18 2015-03-25 陈畅 一种功率型led集成封装结构
FR3034171B1 (fr) 2015-03-23 2021-03-19 Valeo Vision Support de led avec surface de reception et connexion electrique par pontage
DE102015106552B4 (de) * 2015-04-28 2022-06-30 Infineon Technologies Ag Elektronisches Modul mit Fluid-Kühlkanal und Verfahren zum Herstellen desselben
FR3037634B1 (fr) * 2015-06-22 2019-04-05 Valeo Vision Support polymerique pour dispositif lumineux de vehicule automobile
CN108140626A (zh) * 2015-10-07 2018-06-08 陶瓷技术有限责任公司 在两侧冷却的电路
DE102015118245A1 (de) * 2015-10-26 2017-04-27 Infineon Technologies Austria Ag Thermisches Schnittstellenmaterial mit definierten thermischen, mechanischen und elektrischen Eigenschaften
US10228117B2 (en) 2015-11-06 2019-03-12 Honeywell International Inc. Air mixing methodology and system to reduce the temperature of LEDs of a photocatalytic reactor
DK3206468T3 (en) * 2016-02-15 2019-04-01 Siemens Ag DC converter with DC voltage
US10522251B2 (en) 2016-07-08 2019-12-31 International Business Machines Corporation Infrared detectors and thermal tags for real-time activity monitoring
US10830545B2 (en) * 2016-07-12 2020-11-10 Fractal Heatsink Technologies, LLC System and method for maintaining efficiency of a heat sink
US10376186B2 (en) 2016-10-18 2019-08-13 International Business Machines Corporation Thermal tags for real-time activity monitoring and methods for fabricating the same
DE102017203583A1 (de) * 2017-03-06 2018-09-06 Siemens Aktiengesellschaft Verbund aus Kühlkörper und elektrischer und/oder elektronischer Komponente
DE102017210200A1 (de) * 2017-06-19 2018-12-20 Osram Gmbh Substrat zum aufnehmen eines optoelektronischen bauelements, optoelektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines substrats und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe
JP7148276B2 (ja) * 2018-05-30 2022-10-05 京セラ株式会社 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
JP7147313B2 (ja) * 2018-07-18 2022-10-05 三菱マテリアル株式会社 金属ベース基板
CN109323140A (zh) * 2018-09-12 2019-02-12 上海三思电子工程有限公司 Led照明设备
US20210123570A1 (en) * 2018-09-12 2021-04-29 Shanghai Sansi Electronic Engineering Co. Ltd Led lighting device
JP2020078988A (ja) * 2018-11-12 2020-05-28 株式会社東海理化電機製作所 車両用視認装置
CN110290635A (zh) * 2019-07-26 2019-09-27 中国科学院半导体研究所 一种低热阻电路板
JP7353148B2 (ja) 2019-11-25 2023-09-29 国立大学法人東北大学 ヒートシンクの製造方法
EP3923321A1 (de) * 2020-06-08 2021-12-15 CeramTec GmbH Modul mit anschlusslaschen für zuleitungen
KR20220010361A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 삼성전자주식회사 열적 계면 물질 페이스트 및 반도체 패키지
DE102021213689B4 (de) 2021-12-02 2023-06-22 Zf Friedrichshafen Ag Kühlvorrichtung zum Kühlen einer zu kühlenden Einheit und Verfahren zum Herstellen einer Kühlvorrichtung
US20230378724A1 (en) * 2022-05-23 2023-11-23 Hamilton Sundstrand Corporation Power converter
FR3137743A1 (fr) * 2022-07-11 2024-01-12 Valeo Vision Dissipateur thermique de module lumineux pour véhicule automobile et module lumineux pour véhicule automobile
TWI822346B (zh) * 2022-09-20 2023-11-11 健策精密工業股份有限公司 電子裝置及其製造方法
TWI835404B (zh) * 2022-11-14 2024-03-11 財團法人工業技術研究院 功率模組

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3766440A (en) * 1972-08-11 1973-10-16 Gen Motors Corp Ceramic integrated circuit convector assembly
GB2091635A (en) * 1980-12-15 1982-08-04 Hodgkinson Derek Alan Mountain Soft surface laminate
JPS57104246A (en) * 1980-12-19 1982-06-29 Mitsubishi Electric Corp Cooling body
JPS58223678A (ja) * 1982-06-16 1983-12-26 株式会社日立製作所 金属化層を有するSiC焼結体とその製法
US4681656A (en) * 1983-02-22 1987-07-21 Byrum James E IC carrier system
FR2556503B1 (fr) * 1983-12-08 1986-12-12 Eurofarad Substrat d'interconnexion en alumine pour composant electronique
US5165909A (en) * 1984-12-06 1992-11-24 Hyperion Catalysis Int'l., Inc. Carbon fibrils and method for producing same
DE3604074A1 (de) * 1986-02-08 1987-08-13 Bosch Gmbh Robert Zuendschaltgeraet
DE3709200A1 (de) * 1987-03-20 1988-09-29 Heraeus Gmbh W C Elektronisches bauteil
DE3827893A1 (de) * 1988-08-17 1990-03-01 Hoechst Ceram Tec Ag Verfahren zur stromlosen abscheidung von nickel
DE69000112D1 (de) * 1989-02-03 1992-07-02 Mitsubishi Materials Corp Substrat zur herstellung eines dickschichtschaltkreises.
US5006925A (en) * 1989-11-22 1991-04-09 International Business Machines Corporation Three dimensional microelectric packaging
US5155661A (en) * 1991-05-15 1992-10-13 Hewlett-Packard Company Aluminum nitride multi-chip module
CA2072817A1 (en) * 1991-07-02 1993-01-03 Miksa Desorgo Multi-layer circuit board
US5366688A (en) * 1992-12-09 1994-11-22 Iowa State University Research Foundation, Inc. Heat sink and method of fabricating
DE9307386U1 (de) * 1993-05-14 1993-09-02 Siemens Ag Schaltungsanordnung mit einem elektronischen Leistungsschalter
JPH0794625A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層回路基板及びその製造方法
DE69531126T2 (de) * 1994-04-22 2004-05-06 Nec Corp. Trägerelement für Kühlvorrichtung und elektronisches Gehäuse mit einem solchen Element
US5928768A (en) * 1995-03-20 1999-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board
US6175084B1 (en) * 1995-04-12 2001-01-16 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal-base multilayer circuit substrate having a heat conductive adhesive layer
DE19514018C1 (de) * 1995-04-13 1996-11-28 Hoechst Ceram Tec Ag Verfahren zur Herstellung eines metallbeschichteten, metallisierten Substrats aus Aluminiumnitridkeramik und damit erhaltenes metallbeschichtetes Substrat
JP3100871B2 (ja) * 1995-07-11 2000-10-23 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体
US5798566A (en) * 1996-01-11 1998-08-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic IC package base and ceramic cover
US5649593A (en) * 1996-01-17 1997-07-22 Kitagawa Industries Co., Ltd. Radiator member
US5736786A (en) * 1996-04-01 1998-04-07 Ford Global Technologies, Inc. Power module with silicon dice oriented for improved reliability
US5847929A (en) * 1996-06-28 1998-12-08 International Business Machines Corporation Attaching heat sinks directly to flip chips and ceramic chip carriers
DE19636493C1 (de) * 1996-09-09 1998-03-26 Bosch Gmbh Robert Mit Edelmetallsalzen bekeimte Substrate oder Pulver und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5708566A (en) * 1996-10-31 1998-01-13 Motorola, Inc. Solder bonded electronic module
JPH10284808A (ja) * 1997-04-08 1998-10-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板
JP3948642B2 (ja) * 1998-08-21 2007-07-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置
US6117797A (en) * 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
JP3690278B2 (ja) * 1998-12-07 2005-08-31 株式会社日立製作所 複合材料及びその用途
DE19900603A1 (de) * 1999-01-11 2000-07-13 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Halbleitermodul
US6093961A (en) * 1999-02-24 2000-07-25 Chip Coolers, Inc. Heat sink assembly manufactured of thermally conductive polymer material with insert molded metal attachment
DE19912441A1 (de) * 1999-03-19 2000-09-21 Elfo Ag Sachseln Sachseln Multi-Chip-Modul
JP4360061B2 (ja) * 1999-06-14 2009-11-11 住友電気工業株式会社 半導体装置用部材およびそれを用いた半導体装置
JP2001015882A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Nec Corp 歪みゲージ内蔵回路基板およびその製造方法
JP4649027B2 (ja) * 1999-09-28 2011-03-09 株式会社東芝 セラミックス回路基板
JP2001135758A (ja) * 1999-11-04 2001-05-18 Toyota Autom Loom Works Ltd パワーモジュールの放熱構造
US7033920B1 (en) * 2000-01-10 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a silicon carbide interconnect for semiconductor components
US7083759B2 (en) * 2000-01-26 2006-08-01 A.L.M.T. Corp. Method of producing a heat dissipation substrate of molybdenum powder impregnated with copper with rolling in primary and secondary directions
US7019975B2 (en) * 2000-08-09 2006-03-28 Mitsubishi Materials Corporation Power module and power module with heat sink
FR2814280B1 (fr) * 2000-09-15 2003-05-02 Alstom Substrat pour circuit electronique de puissance et module electronique de puissance utilisant un tel substrat
DE10165080B4 (de) * 2000-09-20 2015-05-13 Hitachi Metals, Ltd. Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
US6582979B2 (en) * 2000-11-15 2003-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier with embedded antenna
DE10062108B4 (de) * 2000-12-13 2010-04-15 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul mit verbessertem transienten Wärmewiderstand
CN100482035C (zh) * 2000-12-27 2009-04-22 松下电器产业株式会社 导热性基板的制造方法
DE10101359A1 (de) * 2001-01-13 2002-07-25 Conti Temic Microelectronic Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe
DE10102621B4 (de) * 2001-01-20 2006-05-24 Conti Temic Microelectronic Gmbh Leistungsmodul
DE10110620A1 (de) * 2001-03-06 2002-09-26 Conti Temic Microelectronic Elekronische Baugruppe
US6418020B1 (en) * 2001-03-30 2002-07-09 Advanced Thermal Technologies Heat dissipation device with ribbed fin plates
US20030112602A1 (en) * 2001-04-06 2003-06-19 Chieh-Wei Lin Structure and designing method of composite heat-dissipating structure
JP2002328775A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Alps Electric Co Ltd 座標入力装置
DE10129006B4 (de) * 2001-06-15 2009-07-30 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektronische Baugruppe
US6756005B2 (en) 2001-08-24 2004-06-29 Cool Shield, Inc. Method for making a thermally conductive article having an integrated surface and articles produced therefrom
JP2003101184A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Kyocera Corp セラミック回路基板およびその製造方法
JP2003124590A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 回路基板とその製造方法及び高出力モジュール
JP2003163315A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Denki Kagaku Kogyo Kk モジュール
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP3758610B2 (ja) * 2002-06-20 2006-03-22 三井金属鉱業株式会社 電子部品実装用フィルムキャリアテープ
US6625028B1 (en) * 2002-06-20 2003-09-23 Agilent Technologies, Inc. Heat sink apparatus that provides electrical isolation for integrally shielded circuit
JP3920746B2 (ja) * 2002-09-02 2007-05-30 信越化学工業株式会社 熱伝導性複合シートおよびその製造方法
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4133170B2 (ja) * 2002-09-27 2008-08-13 Dowaホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体
US7173334B2 (en) * 2002-10-11 2007-02-06 Chien-Min Sung Diamond composite heat spreader and associated methods
US7067903B2 (en) * 2002-11-07 2006-06-27 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Heat spreader and semiconductor device and package using the same
AT412265B (de) * 2002-11-12 2004-12-27 Electrovac Bauteil zur wärmeableitung
CN2583936Y (zh) * 2002-11-21 2003-10-29 陞技电脑股份有限公司 电路板的散热装置
US6919504B2 (en) * 2002-12-19 2005-07-19 3M Innovative Properties Company Flexible heat sink
JP3971296B2 (ja) * 2002-12-27 2007-09-05 Dowaホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
US7015795B2 (en) * 2002-12-30 2006-03-21 Potomac Photonics, Inc. Self-identifying integrated circuits and method for fabrication thereof
JP2007515777A (ja) * 2003-01-28 2007-06-14 アドヴァンスト セラミックス リサーチ インコーポレイテッド マイクロチャネル熱交換器およびその製造方法
US7034345B2 (en) * 2003-03-27 2006-04-25 The Boeing Company High-power, integrated AC switch module with distributed array of hybrid devices
US6976769B2 (en) * 2003-06-11 2005-12-20 Cool Options, Inc. Light-emitting diode reflector assembly having a heat pipe
US20040264195A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-30 Chia-Fu Chang Led light source having a heat sink
KR20060031629A (ko) * 2003-06-30 2006-04-12 켄이치로 미야하라 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자
US7078796B2 (en) * 2003-07-01 2006-07-18 Freescale Semiconductor, Inc. Corrosion-resistant copper bond pad and integrated device
DE10333439A1 (de) * 2003-07-23 2005-02-17 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines aus mehreren Verdrahtungsebenen bestehenden Hybrid-Produktes
JP2005094842A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Toshiba Corp インバータ装置及びその製造方法
DE10344547A1 (de) * 2003-09-24 2005-08-11 Warnking Elektrotechnik Gmbh Leuchtmittel
US6992887B2 (en) * 2003-10-15 2006-01-31 Visteon Global Technologies, Inc. Liquid cooled semiconductor device
US20050083655A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Visteon Global Technologies, Inc. Dielectric thermal stack for the cooling of high power electronics
TWI245436B (en) * 2003-10-30 2005-12-11 Kyocera Corp Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
EP1568978B1 (de) * 2004-02-24 2014-06-04 Siemens Aktiengesellschaft Temperatursensor
TWI309962B (en) * 2004-02-24 2009-05-11 Sanyo Electric Co Circuit device and menufacturing method thereof
KR101108454B1 (ko) * 2004-04-05 2012-01-31 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 Al/AlN 접합체, 전력 모듈용 기판 및 전력 모듈, 그리고 Al/AlN 접합체의 제조 방법
US7036387B2 (en) * 2004-05-11 2006-05-02 Sun Microsystems, Inc. Integrated strain gages for board strain characterization
US7186461B2 (en) * 2004-05-27 2007-03-06 Delaware Capital Formation, Inc. Glass-ceramic materials and electronic packages including same
JP2005347354A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
KR101261064B1 (ko) * 2004-08-23 2013-05-06 제너럴 일렉트릭 캄파니 열 전도성 조성물 및 그의 제조 방법
TWI253161B (en) * 2004-09-10 2006-04-11 Via Tech Inc Chip carrier and chip package structure thereof
US7269017B2 (en) * 2004-11-19 2007-09-11 Delphi Technologies, Inc. Thermal management of surface-mount circuit devices on laminate ceramic substrate
US7521789B1 (en) * 2004-12-18 2009-04-21 Rinehart Motion Systems, Llc Electrical assembly having heat sink protrusions

Also Published As

Publication number Publication date
IL194282A (en) 2013-11-28
US8040676B2 (en) 2011-10-18
KR101363421B1 (ko) 2014-02-14
EP2388811A2 (de) 2011-11-23
MY147935A (en) 2013-02-15
US20090086436A1 (en) 2009-04-02
AU2007228752A1 (en) 2007-09-27
DK2397754T3 (en) 2015-03-30
EP2320457A2 (de) 2011-05-11
RU2008141611A (ru) 2010-04-27
EP2387074A2 (de) 2011-11-16
EP2397754B1 (de) 2014-12-24
EP2398050A2 (de) 2011-12-21
EP2002476A2 (de) 2008-12-17
EP2320457A3 (de) 2014-09-10
EP2387068A2 (de) 2011-11-16
EP2398050A3 (de) 2014-02-26
EP2397754A3 (de) 2013-06-26
NO20084351L (no) 2008-12-18
EP2387071B1 (de) 2021-07-21
EP2387068A3 (de) 2014-04-23
EP2387073A3 (de) 2014-03-26
CN105590901A (zh) 2016-05-18
WO2007107601A3 (de) 2007-12-13
CN101043809A (zh) 2007-09-26
EP2387069A2 (de) 2011-11-16
RU2434313C2 (ru) 2011-11-20
WO2007107601A2 (de) 2007-09-27
SI2397754T1 (sl) 2015-07-31
DE102007014433A1 (de) 2007-10-04
EP2387071A3 (de) 2014-04-23
EP2387074B1 (de) 2020-02-19
CA2644433A1 (en) 2007-09-27
ES2536154T3 (es) 2015-05-20
EP2388811A3 (de) 2014-09-10
MX2008012029A (es) 2008-11-28
EP2397754A2 (de) 2011-12-21
EP2387074A3 (de) 2014-05-07
EP2387072A2 (de) 2011-11-16
JP2009531844A (ja) 2009-09-03
EP2398050B1 (de) 2020-01-15
EP2387072A3 (de) 2014-03-26
AU2007228752B2 (en) 2012-09-20
EP2387069A3 (de) 2014-05-07
TWI449137B (zh) 2014-08-11
EP2387073A2 (de) 2011-11-16
TW200814267A (en) 2008-03-16
EP2387071A2 (de) 2011-11-16
KR20090005047A (ko) 2009-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BRPI0709070A2 (pt) corpo de suporte para componentes ou circuitos
AU2008244383B2 (en) Cooling box for components or circuits
JP5283750B2 (ja) プリント回路基板をヒートシンクに取り付けるための熱伝導取り付け素子
US8803183B2 (en) LED heat-conducting substrate and its thermal module
JP3161113U (ja) Led照明装置
US9024350B2 (en) LED light module
CN108417546B (zh) 电力电子模块
US10236429B2 (en) Mounting assembly and lighting device
CN101740678A (zh) 固态发光元件及光源模组
CN113167446B (zh) 具有散热的电光组件以及制造这种组件的方法
CN201838617U (zh) 应用于发光二极管的散热装置
TWI424593B (zh) Light - emitting diodes of the thermal substrate and thermal module structure
KR101027021B1 (ko) 써멀패드가 확장된 led 등기구의 방열구조
TWM436794U (en) Heat dissipation structure of LED illumination lamp
TWM394423U (en) LED lamp

Legal Events

Date Code Title Description
B07A Application suspended after technical examination (opinion) [chapter 7.1 patent gazette]
B08F Application dismissed because of non-payment of annual fees [chapter 8.6 patent gazette]
B08K Patent lapsed as no evidence of payment of the annual fee has been furnished to inpi [chapter 8.11 patent gazette]