JPS58223678A - 金属化層を有するSiC焼結体とその製法 - Google Patents
金属化層を有するSiC焼結体とその製法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 70
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 64
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 47
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 34
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UQVOJETYKFAIRZ-UHFFFAOYSA-N beryllium carbide Chemical compound [Be][C][Be] UQVOJETYKFAIRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims 1
- JMBPWMGVERNEJY-UHFFFAOYSA-N helium;hydrate Chemical compound [He].O JMBPWMGVERNEJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 2
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
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- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の対象)
本発明は新規な金属化層を有する8iC焼結体とその製
法に関する。
法に関する。
(従来技術)
セラミックス焼結体への金属化はセラミックス多層配線
基板の導体部形成のために欠くことのできない重要な技
術である。この金属化法には厚膜や薄膜を形成する方法
、無電解メッキ法等がある。
基板の導体部形成のために欠くことのできない重要な技
術である。この金属化法には厚膜や薄膜を形成する方法
、無電解メッキ法等がある。
酸化物系のアルミナセラミックス焼一体への金属化法と
して、MO粉末とMn粉末を含む金属化用組成物を焼結
体表面に塗布し、焼成して金属化層を作り、しかる後N
iメッキ、Cuメッキを施してロウ付するのが一般的で
ある。
して、MO粉末とMn粉末を含む金属化用組成物を焼結
体表面に塗布し、焼成して金属化層を作り、しかる後N
iメッキ、Cuメッキを施してロウ付するのが一般的で
ある。
特開昭53−77212・号公報には、アルミナ及びベ
リリア焼結体への金属膜の形成法が示されている。この
方法はセラミックス基体表面に粒状金属粉末の層を配置
し、高温下において結合剤に暴露して、金属粉末と結合
剤との共融溶液を形成させ、その共融溶液が金属粉末及
び基体表面を濡らすことによって金属粉末を基体に直接
結合させるものである。
リリア焼結体への金属膜の形成法が示されている。この
方法はセラミックス基体表面に粒状金属粉末の層を配置
し、高温下において結合剤に暴露して、金属粉末と結合
剤との共融溶液を形成させ、その共融溶液が金属粉末及
び基体表面を濡らすことによって金属粉末を基体に直接
結合させるものである。
しかし、この方法そのままでは非酸化物系セラミックス
焼結体に対して接合強度の高い金属膜が形成できない欠
点があった。
焼結体に対して接合強度の高い金属膜が形成できない欠
点があった。
特開昭55−113683号公報には、非酸化物系セラ
ミックス焼結体への金属化用組成物及びその金属化方法
が示烙れている。この組成物は炭化珪素との濡れ性の高
い金属と低熱膨張、高融点の金属とからなるものであシ
、また、この組成物をペースト状にして焼結体上に塗布
し、非酸化性雰囲気中で焼成する方法が示されている。
ミックス焼結体への金属化用組成物及びその金属化方法
が示烙れている。この組成物は炭化珪素との濡れ性の高
い金属と低熱膨張、高融点の金属とからなるものであシ
、また、この組成物をペースト状にして焼結体上に塗布
し、非酸化性雰囲気中で焼成する方法が示されている。
しかし、この組成物では半田の濡れ性が低い欠点がある
。
。
(発明の要点)
(1)発明の目的
本発明の目的は、半田の濡れ性及び接着強度の高い金属
化層を有するSIC焼結体とその製法を提供するにある
。
化層を有するSIC焼結体とその製法を提供するにある
。
特に、本発明の目的は室温で0.4 cal−/crn
−憫・C以上の熱伝導率及び室温で4X10−”/lT
以下の熱膨張率を有し、室温で電気絶縁性を有する8i
C焼結体に対する半田の濡れ性及び接着強度の高い金属
化層を有する電気的装置の基板用SiC焼結体とその製
法を提供するにある。
−憫・C以上の熱伝導率及び室温で4X10−”/lT
以下の熱膨張率を有し、室温で電気絶縁性を有する8i
C焼結体に対する半田の濡れ性及び接着強度の高い金属
化層を有する電気的装置の基板用SiC焼結体とその製
法を提供するにある。
(2)発明の説明
本発明は、SiCを主成分とする高密度焼結体の所望表
面に金属薄膜を有するものにおいて、周期律表のIb及
び■族から選ばれた1種以上の金属及び合金の1種以上
と、シリコン酸化物とガラス質を形成する結合剤とを含
み、かつ前記焼結体表面に形成されたシリコン酸化膜と
前記結合剤の酸化物との融合層を介して前記焼結体に結
合していることを特徴とする金属化層を有するSiC焼
結体にある。
面に金属薄膜を有するものにおいて、周期律表のIb及
び■族から選ばれた1種以上の金属及び合金の1種以上
と、シリコン酸化物とガラス質を形成する結合剤とを含
み、かつ前記焼結体表面に形成されたシリコン酸化膜と
前記結合剤の酸化物との融合層を介して前記焼結体に結
合していることを特徴とする金属化層を有するSiC焼
結体にある。
酸化物系セラミックス焼結体へのメタライズ層の接合機
構は、W−MOペーストの例をとると、ペースト中に含
むガラス成分を溶融させ、その溶融物と焼結体との反応
を生じさせることによって接着していると考えられてい
る。しかし、SiCを主成分とする焼結体のように酸化
物同志の反応が少ないものではペーストの溶融ガラスは
容易にはその焼結体と反応せず、多くの気泡が発生して
、簡単には結合できなかった。SiC焼結体はその表面
にシリコン酸化物を形成させ、その酸化物と融合してガ
ラス質を形成する結合剤を使用することにより焼結体と
金属薄膜との界面に融合層が形成され、強固な結合が得
られることを見い出した。
構は、W−MOペーストの例をとると、ペースト中に含
むガラス成分を溶融させ、その溶融物と焼結体との反応
を生じさせることによって接着していると考えられてい
る。しかし、SiCを主成分とする焼結体のように酸化
物同志の反応が少ないものではペーストの溶融ガラスは
容易にはその焼結体と反応せず、多くの気泡が発生して
、簡単には結合できなかった。SiC焼結体はその表面
にシリコン酸化物を形成させ、その酸化物と融合してガ
ラス質を形成する結合剤を使用することにより焼結体と
金属薄膜との界面に融合層が形成され、強固な結合が得
られることを見い出した。
(3)金属薄膜
周期律表の1b及び■族から選ばれた1穐以上の金属及
び合金の1種以上はSi C焼結体表面に導体及び抵抗
体等を形成するのに必要なものである。これらの金属及
び合金は主成分とすることが好ましく、より好ましくは
金属薄膜中、80重量%以上である。これらの元素とし
て、Aul CuIAg、、pe、N i l Co、
Pt 、lLh、 Ru。
び合金の1種以上はSi C焼結体表面に導体及び抵抗
体等を形成するのに必要なものである。これらの金属及
び合金は主成分とすることが好ましく、より好ましくは
金属薄膜中、80重量%以上である。これらの元素とし
て、Aul CuIAg、、pe、N i l Co、
Pt 、lLh、 Ru。
1)d、O5,Irがある。金属薄膜の厚さは50μm
以下がよい。
以下がよい。
導体には、Au又はCuを主成分とするのが好ましく、
Cuに対してはcu−p合金及び八〇に対してはB −
P合金、Bi及びQeの1種以上からなる結合剤が好ま
しい。
Cuに対してはcu−p合金及び八〇に対してはB −
P合金、Bi及びQeの1種以上からなる結合剤が好ま
しい。
(4) 融合層
金属薄膜はSiC焼結体にガラス質となシ得る酸化物を
含む融合層によって強固に結合される。
含む融合層によって強固に結合される。
融合層の厚さは処理温度、時間によってコントロールさ
れるが、熱伝導率及び導電率を考慮すると5μITI以
下の厚さが好ましい。融合層はSiC焼結体と金属薄膜
との界面にのみ形成されるもので、8iC焼結体表面に
形成されたシリコン酸化物とP、B、Bi、Zn、8n
、Sb、As、Ge及びTeからなる酸化物の1種以上
との複合酸化物からなり、特に融合したガラス質とする
のが強固な結合が得られ、好ましい。
れるが、熱伝導率及び導電率を考慮すると5μITI以
下の厚さが好ましい。融合層はSiC焼結体と金属薄膜
との界面にのみ形成されるもので、8iC焼結体表面に
形成されたシリコン酸化物とP、B、Bi、Zn、8n
、Sb、As、Ge及びTeからなる酸化物の1種以上
との複合酸化物からなり、特に融合したガラス質とする
のが強固な結合が得られ、好ましい。
[51SiC焼結体
焼結体は、5iC4:主成分とし、室温の熱伝導率が0
.4 cat/ cm−W・C以上及び室温の熱膨張率
が4X10”/C以下のものが好ましい。この焼結体は
、5iC190重量%以上とし、これにBe、Be化合
物及びBNの1種以上を含み、理論密度の90%以上の
密度に焼結することによって得られ、更に室温で107
Ω(7)以上の比抵抗を有する電気絶縁性を有する焼結
体が得られる。また、この焼結体は、B e O,1〜
5重量%のBe。
.4 cat/ cm−W・C以上及び室温の熱膨張率
が4X10”/C以下のものが好ましい。この焼結体は
、5iC190重量%以上とし、これにBe、Be化合
物及びBNの1種以上を含み、理論密度の90%以上の
密度に焼結することによって得られ、更に室温で107
Ω(7)以上の比抵抗を有する電気絶縁性を有する焼結
体が得られる。また、この焼結体は、B e O,1〜
5重量%のBe。
酸化ぺIJ IJウム及び炭化ベリリウムの1種以上、
遊離炭素0.4電歇%、AtO,1重量%及び80.1
重量%、残部が実質的にSiCからなるものが好ましい
。
遊離炭素0.4電歇%、AtO,1重量%及び80.1
重量%、残部が実質的にSiCからなるものが好ましい
。
(6)製法
本発明は、SICを主成分とする高密度焼結体の所望表
面に金属薄膜を形成する方法において、周期律表のIb
及び■族から選ばれた1種以上の金属及び合金粉末の1
種以上と、シリコン酸化物とガラスを形成する結合剤と
を含む混合物を前記焼結体の所望表面に配置し、次いで
前記結合剤表面に酸化物が形成する酸化性雰囲気中で加
熱し、前記焼結体表面に形成された酸化膜と前記結合剤
表面に形成された酸化物とを融合させて前記焼結体と前
記薄膜との界面に融合層を形成させ、前記薄膜を前記焼
結体に結合させることを特徴とする金属化層を有するS
iC焼結体の製法にある。
面に金属薄膜を形成する方法において、周期律表のIb
及び■族から選ばれた1種以上の金属及び合金粉末の1
種以上と、シリコン酸化物とガラスを形成する結合剤と
を含む混合物を前記焼結体の所望表面に配置し、次いで
前記結合剤表面に酸化物が形成する酸化性雰囲気中で加
熱し、前記焼結体表面に形成された酸化膜と前記結合剤
表面に形成された酸化物とを融合させて前記焼結体と前
記薄膜との界面に融合層を形成させ、前記薄膜を前記焼
結体に結合させることを特徴とする金属化層を有するS
iC焼結体の製法にある。
(7) 酸化性雰囲気
酸化性雰囲気は焼成温度で金属及び合金粉末が酸化され
ない程度に酸素及び水分の1種以上を含む雰囲気が好ま
しく、特にAu、Pi、Ag等の大気中での加熱で酸化
しない金属は大気中で行うのが好ましい。大気中で加熱
する場合には、加熱中折しい空気を炉中に送り込むやυ
方が好ましい。
ない程度に酸素及び水分の1種以上を含む雰囲気が好ま
しく、特にAu、Pi、Ag等の大気中での加熱で酸化
しない金属は大気中で行うのが好ましい。大気中で加熱
する場合には、加熱中折しい空気を炉中に送り込むやυ
方が好ましい。
Cu、Ni等の大気中で酸化する金属粉末の場合は、こ
れらの金属粉末が酸化しない程度の酸化性雰囲気中で加
熱するのが好ましく、特にCLI粉全使用する場合には
、水の中を通した加湿不活性ガス中で加熱するのが好ま
しい。
れらの金属粉末が酸化しない程度の酸化性雰囲気中で加
熱するのが好ましく、特にCLI粉全使用する場合には
、水の中を通した加湿不活性ガス中で加熱するのが好ま
しい。
(8)加熱
加熱焼成は金属粉末及び合金粉末の融点より低い温度で
行い、かつ金属粉末及び合金粉末と結合剤とが合金化し
て溶融する温度以上又は結合剤の融点以上の温度で行う
のが好ましい。有機物を含むペースト又は液体を塗布し
たものを焼成温度に加熱された炉中に挿入して急激に加
熱すると塗布剤が剥離するので、ゆっくり加熱するか、
又は100C前後で一旦加熱して有機物を揮発させてか
ら焼成温度に上げるのが好ましい。焼成温度は、Cuの
場合は700〜1050U、 八〇(D場合は700〜
1ooocが好ましい。
行い、かつ金属粉末及び合金粉末と結合剤とが合金化し
て溶融する温度以上又は結合剤の融点以上の温度で行う
のが好ましい。有機物を含むペースト又は液体を塗布し
たものを焼成温度に加熱された炉中に挿入して急激に加
熱すると塗布剤が剥離するので、ゆっくり加熱するか、
又は100C前後で一旦加熱して有機物を揮発させてか
ら焼成温度に上げるのが好ましい。焼成温度は、Cuの
場合は700〜1050U、 八〇(D場合は700〜
1ooocが好ましい。
焼結体は混合物を配置する前に予め酸化処理を施し、焼
結体表面にシリコン酸化物を形成させるのが好ましい。
結体表面にシリコン酸化物を形成させるのが好ましい。
酸化処理は大気中で、その温度を500〜800Cとす
るのが好ましい。
るのが好ましい。
(9)金属粉末及び合金粉末
金属薄膜を構成する金属及び合金粉末は微細なほどよく
、特にそれら平均粒径は5μm以下が好ましい。
、特にそれら平均粒径は5μm以下が好ましい。
(1(η 結合剤
結合剤はSiC焼結体に形成されたシリコン酸化物とガ
ラス質を形成させるものでなければ金属薄膜の強固な結
合が得られない。シリコン酸化物と融合してガラス質を
形成する元素としてP、B。
ラス質を形成させるものでなければ金属薄膜の強固な結
合が得られない。シリコン酸化物と融合してガラス質を
形成する元素としてP、B。
B l、Zn+ Sn、As、Sb、Ge及びPbがあ
り、結合剤としてこれらの金属及び合金の1種以上が好
ましい。これらの金属は酸化性雰囲気中で加熱すること
によって酸化物が形成され、SIC焼結体表面に形成さ
れたシリコン酸化物と焼成温度で複合酸化物となシ、焼
結体と金属薄膜との界面にのみガラス質と層われる融合
層が形成され、金属薄膜を強固に結合される。これらの
結合剤は半田との濡れ性を損うことがない。
り、結合剤としてこれらの金属及び合金の1種以上が好
ましい。これらの金属は酸化性雰囲気中で加熱すること
によって酸化物が形成され、SIC焼結体表面に形成さ
れたシリコン酸化物と焼成温度で複合酸化物となシ、焼
結体と金属薄膜との界面にのみガラス質と層われる融合
層が形成され、金属薄膜を強固に結合される。これらの
結合剤は半田との濡れ性を損うことがない。
結合剤は粉末で使用するのが好ましく、金属薄膜を形成
する金属及び合金粉末に0.01〜30重量%の結合剤
を混合して使用するのが好ましい。
する金属及び合金粉末に0.01〜30重量%の結合剤
を混合して使用するのが好ましい。
特に、この混合粉末に有機物を添加して糊状又はスラリ
ー状ペーストにして用いるのが好ましい。
ー状ペーストにして用いるのが好ましい。
粉末の結合剤は金属及び合金粉末の平均粒径より小さい
ものが好ましい。
ものが好ましい。
09 ペースト
ペーストは、金属薄膜を形成するIb及び■1族から選
ばれた1種以上の金属及び合金粉末の1f!1以上と、
シリコン酸化物とガラス質を形成する結合剤とを含む混
合物に有機物を添加して糊状としたものである。
ばれた1種以上の金属及び合金粉末の1f!1以上と、
シリコン酸化物とガラス質を形成する結合剤とを含む混
合物に有機物を添加して糊状としたものである。
ペーストは、スクリーン印刷、刷毛塗り、ブラシュバン
ド、スプレー、浸漬によって焼結体の所望表面に塗布す
ることができる。
ド、スプレー、浸漬によって焼結体の所望表面に塗布す
ることができる。
有機物には、カルピトールアセテート、ブチルカルピト
ール、テレピネオール等の溶媒で稀釈されたエチルセル
ローズ、ニトロセルロー、(,7クリル樹脂等が用いら
れる。ペーストとして用いられる場合には、有機物は溶
媒で5〜30倍に稀釈して混合粉末中に10〜50重量
%酢加される。
ール、テレピネオール等の溶媒で稀釈されたエチルセル
ローズ、ニトロセルロー、(,7クリル樹脂等が用いら
れる。ペーストとして用いられる場合には、有機物は溶
媒で5〜30倍に稀釈して混合粉末中に10〜50重量
%酢加される。
ペーストとして使用される場合の結合剤として前述の1
)合金が好ましく、P合金は金属薄膜を構成する金属及
び合金より融点が低いものが好ましい。P合金として、
Pb、Pr、Pi、RLI。
)合金が好ましく、P合金は金属薄膜を構成する金属及
び合金より融点が低いものが好ましい。P合金として、
Pb、Pr、Pi、RLI。
R,e、R,h、Pd、Sn、Sb、Ta、Te。
Th、’I’i、V、W、Zn+ Zr、Mo、Nb。
N i、B i、Cd、Co、Ce、Cr、Cu。
Fe、Ge、1.n + ()a、Mg、Mn、At、
Hの1種以上とPとの合金が使用可能であると居われる
。
Hの1種以上とPとの合金が使用可能であると居われる
。
特に、Au粉末と0.1〜3重魁%(B −1) )合
金粉末、0.1〜5重量%Qe粉及び0.5〜10重量
%Bi粉とを含み、これに前述の有機物を含むペースト
は大気中焼成するとSiC焼結体に対する結合性が高く
、かつSi半導体素子の直接4合性が高い。B−P合金
はP40〜60重量%を含む合金粉末が好ましい。
金粉末、0.1〜5重量%Qe粉及び0.5〜10重量
%Bi粉とを含み、これに前述の有機物を含むペースト
は大気中焼成するとSiC焼結体に対する結合性が高く
、かつSi半導体素子の直接4合性が高い。B−P合金
はP40〜60重量%を含む合金粉末が好ましい。
Cu粉末とfcU−5〜20重撒%P合金)粉末5〜2
011%とを含み〜、これに前述の有機物を含むペース
トは加湿不活性ガス中で焼成することによってSiC焼
結体に対する結合性が高く、かつ半田の藺れ性が高いも
のが得られる。
011%とを含み〜、これに前述の有機物を含むペース
トは加湿不活性ガス中で焼成することによってSiC焼
結体に対する結合性が高く、かつ半田の藺れ性が高いも
のが得られる。
02 本発明の応用例
本発明は、SiCを主成分とする焼結体を基板とするそ
の所望表面に、周期律表のIb及び■族から選ばれた1
種以上の金属及び合金の1種以上と、シリコン酸化物と
ガラス質を形成する結合剤とを含む金属薄膜が形成され
、該薄膜にに回路素子が載置されているものであって、
前記薄膜は前記焼結体表面に形成された酸化膜と前記結
合剤表面に形成された酸化膜との融合層によって前記焼
結体に接合していることを特徴とする電気的装置として
適用可能である。
の所望表面に、周期律表のIb及び■族から選ばれた1
種以上の金属及び合金の1種以上と、シリコン酸化物と
ガラス質を形成する結合剤とを含む金属薄膜が形成され
、該薄膜にに回路素子が載置されているものであって、
前記薄膜は前記焼結体表面に形成された酸化膜と前記結
合剤表面に形成された酸化膜との融合層によって前記焼
結体に接合していることを特徴とする電気的装置として
適用可能である。
前記回路素子は導体である前記金属薄膜上に半田で接合
されたコンデンサ及び導体である前記金属薄膜上に該薄
膜と直接反応して接合された半導体素子等からなる。
されたコンデンサ及び導体である前記金属薄膜上に該薄
膜と直接反応して接合された半導体素子等からなる。
前記金属薄膜として、Auに対しBP金合金B1及びQ
eの1種以上を結合剤として用いたものは、該薄膜上に
Siからなる半導体素子を直接強固に接合させることが
できる。
eの1種以上を結合剤として用いたものは、該薄膜上に
Siからなる半導体素子を直接強固に接合させることが
できる。
5ick主成分とする高密度焼結体からなる基板として
、B e O,1〜5重量%のBe、Be酸化物、Be
炭化物の1種以上を含有し、残部が実質的にSICから
なり、理論密度の90%以上に焼結されたものは、室温
の比抵抗が107Ωσ以上、室温の熱伝導率が0.4
cat/ cyn−W・C以上及び室温の熱膨張率が4
X10−’/C以下のものが得られ、電気的装置として
放熱性の高いものが得られる。
、B e O,1〜5重量%のBe、Be酸化物、Be
炭化物の1種以上を含有し、残部が実質的にSICから
なり、理論密度の90%以上に焼結されたものは、室温
の比抵抗が107Ωσ以上、室温の熱伝導率が0.4
cat/ cyn−W・C以上及び室温の熱膨張率が4
X10−’/C以下のものが得られ、電気的装置として
放熱性の高いものが得られる。
前述のBe及び13e化合物の1種以上を含む焼結体は
、その表面に!極として前述の如く、金属化層を設ける
ことによって、室温で1000 V / c7nの電界
で10−’A/Crn”以下の電流密度を有する非直線
抵抗体及び500〜700Cでtooooへ・1600
0のザーミスタ定数を有するザーミスタに使用すること
ができる。
、その表面に!極として前述の如く、金属化層を設ける
ことによって、室温で1000 V / c7nの電界
で10−’A/Crn”以下の電流密度を有する非直線
抵抗体及び500〜700Cでtooooへ・1600
0のザーミスタ定数を有するザーミスタに使用すること
ができる。
03)その他
本発明の金属薄膜上には、必要に応じて他の金属層、例
えばNiめつき、Cuめつき、半田等を形成させること
ができる。
えばNiめつき、Cuめつき、半田等を形成させること
ができる。
本発明の金属薄膜には、更に周期律表の■2゜Va、W
a、Wa族の金属及び合金の1種以」二を含むことがで
きる。これらの金属は半田との濡れ性を撰うので、金属
薄膜中、5重責%以下が好ましい。これらの金属及び合
金は粉末圧して前述のペース)K添加して使用するのが
よい。
a、Wa族の金属及び合金の1種以」二を含むことがで
きる。これらの金属は半田との濡れ性を撰うので、金属
薄膜中、5重責%以下が好ましい。これらの金属及び合
金は粉末圧して前述のペース)K添加して使用するのが
よい。
実施例1
第1表及び第2表に示す組成の各粉末とCIJ粉末との
混合粉末に6体積%エチルセルローズを含むブチルカル
ピトール溶液を20重敞%添加して、スラリーとし、ペ
ーストを炸裂した。Cu粉は平均粒径が5μm、結合剤
の金属及び合金粉末は平均粒径が2〜3μmである。用
いたP合金は、各各ell−14重量%P、l”e−2
5重電電P。
混合粉末に6体積%エチルセルローズを含むブチルカル
ピトール溶液を20重敞%添加して、スラリーとし、ペ
ーストを炸裂した。Cu粉は平均粒径が5μm、結合剤
の金属及び合金粉末は平均粒径が2〜3μmである。用
いたP合金は、各各ell−14重量%P、l”e−2
5重電電P。
Ni−14重量%Pからなる組成含有するものである。
F3 + C焼結体を以下の方法によって製造した。
3F均粒径2μmのSiC粉末に粒径10μm以下の酸
化べIJ IJウムを2重量%酪加して混合した。
化べIJ IJウムを2重量%酪加して混合した。
この混合粉末にキシレンで稀釈したシリコーン樹脂を添
加し、混合した。この混合粉末を室温で1000 Kg
/ cm ’の圧力を加えて成形体とし、これを黒鉛製
ダイスに入れ、減圧雰囲気下でホットプレスした。焼結
圧力は300 KQ/ cm’ 、温度は最高2050
U、保持時間は1時間である。得られた焼結体は、密度
が理論密度の98%以上、室温の熱伝導率が0.6 C
at−/ cM−憂・C以上、比抵抗が1011 Ωの
以上である特性を有する。
加し、混合した。この混合粉末を室温で1000 Kg
/ cm ’の圧力を加えて成形体とし、これを黒鉛製
ダイスに入れ、減圧雰囲気下でホットプレスした。焼結
圧力は300 KQ/ cm’ 、温度は最高2050
U、保持時間は1時間である。得られた焼結体は、密度
が理論密度の98%以上、室温の熱伝導率が0.6 C
at−/ cM−憂・C以上、比抵抗が1011 Ωの
以上である特性を有する。
使用したSIC粉末は、B 17 ppm 、 Mg1
71)pm、 At871)pm、 Ca 51
ppm、 T i12901)pm、 V 540
r+I)m、 Cr 150 ppIll。
71)pm、 At871)pm、 Ca 51
ppm、 T i12901)pm、 V 540
r+I)m、 Cr 150 ppIll。
Ml 7 ppm、 F e 650))
I’1m、 Co L l ppEn。
I’1m、 Co L l ppEn。
N + 240ppm、Z ’ 1 pp”、Na 9
0 pp”。
0 pp”。
遊離SI0.57重量%、遊離co、os重重層1%S
iO,1,4重量%を含むものである。得られた焼結体
中には、遊離Sl及びS10.は5iCK−変り、微量
であった。
iO,1,4重量%を含むものである。得られた焼結体
中には、遊離Sl及びS10.は5iCK−変り、微量
であった。
この焼結体の表面あらさを±3μmとし、脱脂等の表面
清浄をした後、この表面に前述のペーストラスクリーン
印刷し、各種雰囲気中及び各種温度で15分間保持し、
焼成した。焼成に先たち、基板を100Cで10分間保
持し2てペーストラ乾燥させた。
清浄をした後、この表面に前述のペーストラスクリーン
印刷し、各種雰囲気中及び各種温度で15分間保持し、
焼成した。焼成に先たち、基板を100Cで10分間保
持し2てペーストラ乾燥させた。
得られた金属化層の接着強度を第1図に示す方法で求め
た。焼結体lの表面にたて2酵、横3能、厚さ約20μ
mの金属化層2を設け、その上に重量で、Ag2%、5
n62.5%、Pb35.2%。
た。焼結体lの表面にたて2酵、横3能、厚さ約20μ
mの金属化層2を設け、その上に重量で、Ag2%、5
n62.5%、Pb35.2%。
S b O,3%の半田3によって幅1.5咽、厚さ0
.5圏の銅箔4を接合し、図中の矢印の垂直方向に引張
ったときの剥離強さくKg/mm’ )を求めた。更
に半田の濡れ性試験を、手出槽中に焼成した上述の基板
を2〜3秒間浸漬することにより行った。
.5圏の銅箔4を接合し、図中の矢印の垂直方向に引張
ったときの剥離強さくKg/mm’ )を求めた。更
に半田の濡れ性試験を、手出槽中に焼成した上述の基板
を2〜3秒間浸漬することにより行った。
外観から半田の付着面積の非常に小さいものを×印、や
や良好のものをΔ印、良好なものをO印として表わし、
3段階の評価を行った。表中、「接」は接着性を示し、
焼成後の金属化層なピンセットで引掻き、その剥離の状
況から接着性のきわめて悪いものをX印、やや良好のも
のをΔ印、良好のものヲ(、)印として表わし、3段階
の評価を行った。
や良好のものをΔ印、良好なものをO印として表わし、
3段階の評価を行った。表中、「接」は接着性を示し、
焼成後の金属化層なピンセットで引掻き、その剥離の状
況から接着性のきわめて悪いものをX印、やや良好のも
のをΔ印、良好のものヲ(、)印として表わし、3段階
の評価を行った。
「濡」は前述の半田に対する濡れ性を表わす。屋1〜A
30は本発明及びA31,32は比較のものである。
30は本発明及びA31,32は比較のものである。
Ar及びN、雰囲気による焼成は炉中にこれらのガスを
流して空気をこれらのガスによって置換した後所定温度
に昇温したものである。Arガス、− によるものははy完全に置換された。しかし、N!ガス
によるものは表に示す接着性から判断し、十分な置換が
行われなかったため、やや良好な接着性が得られたもの
と居われる。表に示すように、第 1 表 Arガスによる焼成は酸化物によるガラスが形成されな
いため接着性が悪い結果が得られた。
流して空気をこれらのガスによって置換した後所定温度
に昇温したものである。Arガス、− によるものははy完全に置換された。しかし、N!ガス
によるものは表に示す接着性から判断し、十分な置換が
行われなかったため、やや良好な接着性が得られたもの
と居われる。表に示すように、第 1 表 Arガスによる焼成は酸化物によるガラスが形成されな
いため接着性が悪い結果が得られた。
N t +Oを雰囲気は体積比でN! :4及びO!:
1の割合で混合したガスによって空気を置換して焼成し
たものである。結合剤の種類と晧加緻によって接着性及
び半田の濡れ性が劣るものもあるが、本発明のペースト
は良好な接着性及び半田の濡れ性を有する。
1の割合で混合したガスによって空気を置換して焼成し
たものである。結合剤の種類と晧加緻によって接着性及
び半田の濡れ性が劣るものもあるが、本発明のペースト
は良好な接着性及び半田の濡れ性を有する。
Nt+HtO雰囲気は室温の水の中を通した室温のN、
ガス(加湿N、ガス)によって空気を置換して焼成した
ものである。この加湿N、による焼成が他の雰囲気に比
べ接着性及び半田の濡れ性が優れていた。特に、cur
’合金粉を使用したものが最もずぐれ工いた。しかし、
比較のTi及びFeの結合剤を用いたものはいずれも半
田の濡れ性が悪かった。FeP合金は強磁性を示し、半
導体装置は不向きである。
ガス(加湿N、ガス)によって空気を置換して焼成した
ものである。この加湿N、による焼成が他の雰囲気に比
べ接着性及び半田の濡れ性が優れていた。特に、cur
’合金粉を使用したものが最もずぐれ工いた。しかし、
比較のTi及びFeの結合剤を用いたものはいずれも半
田の濡れ性が悪かった。FeP合金は強磁性を示し、半
導体装置は不向きである。
なお、SiC焼結体は熱伝導率が高いので、半田への浸
漬時間は数秒間とする短時間で行う方が接着性の高い金
属化層が維持されることが確認された。また、本発明の
金属化層はいずれも金属光沢を有していた。
漬時間は数秒間とする短時間で行う方が接着性の高い金
属化層が維持されることが確認された。また、本発明の
金属化層はいずれも金属光沢を有していた。
第2図は、屋1のペーストを用い、N t + HtO
中、100OCで焼成したものの金属化層及びSiC焼
結体の断面の走査型電子顕微鐘写真(1000倍)であ
る。図に示すように、Cu膜2と焼結体1との間に約3
μn1の中間層5が形成されていることが確認された。
中、100OCで焼成したものの金属化層及びSiC焼
結体の断面の走査型電子顕微鐘写真(1000倍)であ
る。図に示すように、Cu膜2と焼結体1との間に約3
μn1の中間層5が形成されていることが確認された。
この中間層はX線によるsl、P。
Cu及びO分析の結果、これらの酸化物からなる融合層
であることが確認された。
であることが確認された。
実施例2
実施例1と同様にして、CI粉の代りにA、 u粉(平
均粒径2μm)を用いてペーストラ作り、炉中に空気を
送り込みながら焼成する大気中及び第3表の扁33〜3
7及びA44については実施例1と同様の加湿N、中に
て各種温度でペース)k実施例1に示したSiC基板に
塗布し焼成した。
均粒径2μm)を用いてペーストラ作り、炉中に空気を
送り込みながら焼成する大気中及び第3表の扁33〜3
7及びA44については実施例1と同様の加湿N、中に
て各種温度でペース)k実施例1に示したSiC基板に
塗布し焼成した。
第3表に結合剤の組成及び焼成後の接着性について実施
例1に記載した方法で評価した判定結果を示す。特に、
優れているものは◎印とした。なお、S + C基板に
ペーストラ塗布する前に、600Cで2時間大気中にて
加熱し、その表面に酸化膜を形成させた。BP合金は5
0重量%B−P合金であり、CI−P合金は実施例1に
示したものと同じ組成である。A33〜40及び屋44
は本発明、A41〜43は比較のものである。
例1に記載した方法で評価した判定結果を示す。特に、
優れているものは◎印とした。なお、S + C基板に
ペーストラ塗布する前に、600Cで2時間大気中にて
加熱し、その表面に酸化膜を形成させた。BP合金は5
0重量%B−P合金であり、CI−P合金は実施例1に
示したものと同じ組成である。A33〜40及び屋44
は本発明、A41〜43は比較のものである。
表に示すように、Auペーストでは、結合剤として基板
表面に形成された酸化物と反応して低融点ガラス質を形
成する本発明のB、P、BP合金。
表面に形成された酸化物と反応して低融点ガラス質を形
成する本発明のB、P、BP合金。
Cup合金、Bi、Gei含むものは大気中で高い接着
性が得られるが、ht、Mg、T iの結合剤は大気中
で焼成しても基板の酸化物との間に低融点ガラス質が形
成されず、高い接着性が得られない。本発明の金属化層
はいずれも金属光沢を有するきれいな表面を有していた
。
性が得られるが、ht、Mg、T iの結合剤は大気中
で焼成しても基板の酸化物との間に低融点ガラス質が形
成されず、高い接着性が得られない。本発明の金属化層
はいずれも金属光沢を有するきれいな表面を有していた
。
N!→−H,O雰囲気によって焼成したノF633〜3
7及びA44il−jいずれもΔ印程度のやや悪い接着
性を有していた。ALIペーストの場合には、大気中で
焼成した方が金属化層の結合性が高いものが、得られる
。
7及びA44il−jいずれもΔ印程度のやや悪い接着
性を有していた。ALIペーストの場合には、大気中で
焼成した方が金属化層の結合性が高いものが、得られる
。
大気中及びH,+H,0中のいずれも静止雰囲気での焼
成は接着性が十分でなかった。
成は接着性が十分でなかった。
特に、B−P合金、cu−p合金、 (l e及びBi
を結合剤とするものはきわめて優れた接着性を有してい
た。また、金属化層と焼結体との界面にはいずれも数μ
mの厚さの融合層が形成されていた。
を結合剤とするものはきわめて優れた接着性を有してい
た。また、金属化層と焼結体との界面にはいずれも数μ
mの厚さの融合層が形成されていた。
更に、Si半導体素子をこれらの金属化層上に直接々合
した場合の接着性が優れていることが確認された。特に
、Geを用いたものの接着性が優れていた。この接合方
法は、基板上に形成した金属化層上にSi半導体素子を
載置し、それをヒータ上に乗せて、約430″Cに加熱
するとともに、約300tZ’に加勢したN、ガスを基
板上に吹き付けてシールし、その雰囲気中で81半導体
素子を基板に押圧して行ったものである。
した場合の接着性が優れていることが確認された。特に
、Geを用いたものの接着性が優れていた。この接合方
法は、基板上に形成した金属化層上にSi半導体素子を
載置し、それをヒータ上に乗せて、約430″Cに加熱
するとともに、約300tZ’に加勢したN、ガスを基
板上に吹き付けてシールし、その雰囲気中で81半導体
素子を基板に押圧して行ったものである。
第 3 表
実施例3
次に、本発明の金属化層を有する電気絶縁性SiC焼結
体を基板として用いた半導体装置への応用例について説
明する。
体を基板として用いた半導体装置への応用例について説
明する。
第3図はイグナイタモジュールの断面図である。
この半導体装置は、実施例1に記載した電気絶縁性Si
C焼結体を用いた基板ll上に、実施例1に記載したと
同じCu粉と10重電極の(Cu−14重量%P合金)
とからなるペース)k用いて、実施例1に記載した加湿
Nt中で、1000[で焼成し、厚膜導体17が形成さ
れる。コンデンサ15は半田16によってこの導体17
に接合され、81半導体素子12は厚膜導体17に直接
4合される。14は厚膜抵抗体、13はボンディング用
ワイヤである。このワイヤにはktが好適である。
C焼結体を用いた基板ll上に、実施例1に記載したと
同じCu粉と10重電極の(Cu−14重量%P合金)
とからなるペース)k用いて、実施例1に記載した加湿
Nt中で、1000[で焼成し、厚膜導体17が形成さ
れる。コンデンサ15は半田16によってこの導体17
に接合され、81半導体素子12は厚膜導体17に直接
4合される。14は厚膜抵抗体、13はボンディング用
ワイヤである。このワイヤにはktが好適である。
第4図は放熱フィンなしの論理LSIパッケージの断面
図である。前述と同様にSiC焼結体基板11上には実
施例2に記載したA40のペーストを使用して大気中で
1ooocで焼成し、厚膜導体21が形成される。この
厚膜導体21の上には81半導体素子が実施例2で述べ
た方法と同じ方法によって直接4合される。リードフレ
ーム19と基板11及びキャップ20とはいずれも通常
用いられているガラス18によって接合されシールされ
る。キャップにはA l t O、l焼結体が使用され
る。
図である。前述と同様にSiC焼結体基板11上には実
施例2に記載したA40のペーストを使用して大気中で
1ooocで焼成し、厚膜導体21が形成される。この
厚膜導体21の上には81半導体素子が実施例2で述べ
た方法と同じ方法によって直接4合される。リードフレ
ーム19と基板11及びキャップ20とはいずれも通常
用いられているガラス18によって接合されシールされ
る。キャップにはA l t O、l焼結体が使用され
る。
第5図は電気絶縁性SiC焼結体からなる放熱フィン2
2を設けた論理LSIパッケージの断面図である。
2を設けた論理LSIパッケージの断面図である。
実施例1で記載した8iC焼結体からなる放熱フィン2
2には、第4図の厚膜導体21と同じ組成の厚膜導体2
1が設けられ、その上にSi半導体素子12が実施例2
に記載した方法と同じ方法で直接接合される。リードフ
レーム19と放熱フィン22及びキャップ20とは各々
通常のガラス18によってシールされる。キャップ20
にはA At Os焼結体、ボンデング用ワイヤにはA
tが好適である。
2には、第4図の厚膜導体21と同じ組成の厚膜導体2
1が設けられ、その上にSi半導体素子12が実施例2
に記載した方法と同じ方法で直接接合される。リードフ
レーム19と放熱フィン22及びキャップ20とは各々
通常のガラス18によってシールされる。キャップ20
にはA At Os焼結体、ボンデング用ワイヤにはA
tが好適である。
第6図はAtからなる放熱フィン23i設けた論理LS
Iパッケージの断面図である。この放熱フィン23は樹
脂24によってSiC焼結体基板11に接合される以外
は前述第4図のものと同じである。
Iパッケージの断面図である。この放熱フィン23は樹
脂24によってSiC焼結体基板11に接合される以外
は前述第4図のものと同じである。
実施例1に記載した8iC焼結体を適当な大きさのチッ
プとし、これに実施例1及び2に記載したものの中から
選択した本発明のペーストラ塗布し焼成して電極を形成
すれば、500〜700Cの温度範囲で10000〜1
6000 のサーミスタ定数を有する高温サーミスタ
を得ることができ、更に室温で1000 V / cm
の電界で10−”A/cm’以下の電流密度を有する非
直線抵抗体を得ることができる。
プとし、これに実施例1及び2に記載したものの中から
選択した本発明のペーストラ塗布し焼成して電極を形成
すれば、500〜700Cの温度範囲で10000〜1
6000 のサーミスタ定数を有する高温サーミスタ
を得ることができ、更に室温で1000 V / cm
の電界で10−”A/cm’以下の電流密度を有する非
直線抵抗体を得ることができる。
以上、本発明の金属化層を有する焼結体は厚膜導体につ
いて説明したが、ペーストの主成分となる金属又は合金
粉末を選択すればJl膜抵抗体を導体と同様に形成でき
ることはもちろんである。
いて説明したが、ペーストの主成分となる金属又は合金
粉末を選択すればJl膜抵抗体を導体と同様に形成でき
ることはもちろんである。
(発明の効果)
以上、本発明によれば接着性及び半田との濡れ性の高い
金属化層を有するSiC焼結体が得られ、更にそれを用
いた半導体装置は放熱性が高く、使相中における金属化
層の剥離のない高信頼性の高いものが得られる。
金属化層を有するSiC焼結体が得られ、更にそれを用
いた半導体装置は放熱性が高く、使相中における金属化
層の剥離のない高信頼性の高いものが得られる。
第1図は金属化層の剥離試験方法を説明する試料の断面
図、第2図は本発明の金属化層を有するSiC焼結体の
断面の顕微鏡写真、第3図〜第6図は本発明のSi C
焼結体を適用した各種半導体装置の断面図である。 1.11・・・SIC焼結体、2・・・金属化層、3・
・・半田、4・・・銅箔、12・・・Si素子、13・
・・ボンディングワイヤ、14・・・厚膜抵抗体、17
・・・厚膜導体、t 1図 乎
図、第2図は本発明の金属化層を有するSiC焼結体の
断面の顕微鏡写真、第3図〜第6図は本発明のSi C
焼結体を適用した各種半導体装置の断面図である。 1.11・・・SIC焼結体、2・・・金属化層、3・
・・半田、4・・・銅箔、12・・・Si素子、13・
・・ボンディングワイヤ、14・・・厚膜抵抗体、17
・・・厚膜導体、t 1図 乎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.8ICを主成分とする高密度焼結体の所望表面に金
属薄膜を有するものにおいて、前記金属薄膜は周期律表
のib及び■族から選ばれた1種以上の金属及び合金の
1種以上と、シリコン酸化物とガラスWe形成する結合
剤とを含み、かつ前記焼結体表面に形成されたシリコン
酸化膜と前記結合剤の酸化物との融合層を介して前記焼
結体に結合していることを特徴とする金属化層を有する
SiC焼結体。 2、前記薄膜は導体及び抵抗体の少なくとも1種である
特許請求の範囲第1項に記載の金属化層を有するSiC
焼結体。 3、前記導体はAu又はCuを主成分とする前記金属薄
膜からなる特許請求の範囲第2項に記載の金属化層を有
する8iC焼結体。 4、前記融合層は厚さが5μm以下である特許請求の範
囲第1項〜第3項のいずれかに記載の金属化層を有する
SiC焼結体。 5、前記融合層はシリコン酸化物とP+ B+ B
+ 。 Zn、Pb、As、Sb、Ge、Te及びSnからなる
酸化物の1種以上との複合酸化物からなる特許請求の範
囲第1項〜第4項のいずれかに記載の金属化層を有する
SiC焼結体。 6、前記導体はCuf主成分とし、これに前記結合剤と
してC11−P合金を含む特許請求の範囲第2項又は第
4項に記載の金属化層を有する8iC焼結体。 7、前記導体はAuを主成分とし、これに前記結合剤と
してB−P合金、Bi及びgeの1種以上を含む特許請
求の範囲第2項又は第4項に記載の金属化層を有するS
iC焼結体。 8、前記焼結体は、SiC’z主成分とし、室温の熱伝
導率が0.4 Cal/ cm−1a・C以上及び室温
の熱膨張率が4X10”’/υ以下である特許請求の範
囲第1項〜第7項のいずれかに記載の金属化層を有する
8iC焼結体。 9、前記焼結体は、Be、Be化合物及びBNの少なく
とも1種を含み、3iCが90重量%以上で、理論密度
の90%以上を有し、室温で107Ωα以上の比抵抗を
有する電気絶縁性である特許請求の範囲第1項〜第8項
のいずれかに記載の金属化層を有するSiC焼結体。 10、前記焼結体は、BeO,1〜5重鼠%のBe。 酸化ヘリリウム及び炭化べIJ リウムの1種以上。 遊離炭素0.4重紙%以下、アルミニウム0.1重量%
以下及びBo、1重緻%以下を含み、残部が実質的にS
iCであり、室温で107Ωm以上の比抵抗を有する電
気絶縁性である特許請求の範囲第1項〜第9項のいずれ
かに記載の金属化層を有するSIC焼結体。 11.8iC’i主成分とする高密度焼結体の所望表面
に金属薄膜を形成する方法において、周期律表のIb及
び■族から選ばれた1種以上の金属及び合金粉末の1種
以上と、シリコン酸化物とガラスを形成する結合剤とを
含む混合物を、前記焼結体の用望表面に配置し、次いで
前記結合^りが酸化される酸化性雰囲気中で加熱し、前
記焼結体表面に形成された酸化膜と前記結合剤に形成さ
れた酸化物とを融合させて前記焼結体と前記薄膜との界
面に上記酸化物の融合層を形成させ、前記薄膜を前記焼
結体に結合させることを特徴とする金属化層を有するS
iC焼結体の製法。 12、前記混合物は糊状又はスラリー状ペーストである
特許請求の範囲第11項に記載の金属化層を有するSi
C焼結体の製法。 13、前記混合物は有機物金倉む特許請求の範囲第12
項に記載の金属化層を有するSiC焼結体の製法。 14、前記結合剤は、P、B、B i、Zn、Pb+A
、s、Sb、Ge、Te及びSnの1種以上の金属及び
合金粉末の1種以上を含む特許請求の範囲第11項〜第
13項のいずれかに記載の金属化層を有するSiC焼結
体の製法。 15、前記結合剤の金属及び合金粉末の少なくとも1種
は前記Ib及び■族の金属及び合金粉末の融点より低い
融点を有する特許請求の範囲第11項〜第14項のいず
れかに記載の金属化層を有するSIC焼結体の製法。 16、前記結合剤は前記金属粉末と同じ成分の金属とP
との合金粉末からなる特許請求の範囲第11項〜第15
項のいずれかに記載の金属化層を有するSiC焼結体の
製法。 口、前記混合物は、Cu粉末と25〜20重量%を含む
Cu合金粉末からなる結合剤とを含む特許請求の範囲第
11項〜第13項、第16項のいずれかに記載の金属化
層を有するSiC焼結体の製法。 18、前記混合物は、Au粉末とP40〜60重量%を
含む8合金粉末、Bi粉末及びGe粉末の1種以上から
なる結合剤とを含む特iF 874求の範囲第11項〜
第13項のいずれかに記載の金属化層を有するSaC焼
結体の製法。 19、前記混合物は前記結合剤0.01〜30重置%を
含む混合粉末に前記有機物を含む糊状である特許請求の
範囲第12項〜第18項のいずれかに記載の金属化層を
有するSiC焼結体の製法。 20、前記混合物は、前記結合剤として5〜20重量%
の(CLI−P)合金粉末と残部Cu粉末とからなる混
合粉末に有機物を含む糊状又はスラリー状ペーストであ
る特許請求の範囲第11項、第15・項〜第17項のい
ずれかに記載の金属化層を有するS r C焼結体の製
法。 21、前記混合物は、前記結合剤として0.1〜3重量
%のB−P合金、0.5〜10重臘%の13i及び0.
1〜5N量%のGeの1種以上と残部ALJ粉末との混
合粉末に有機物を含む糊状である特許請求の範囲第11
* l第15項、第18項のいずれかに記載の金属化
層を有するSiC焼結体の製法。 22、前記金属粉末及び合金粉末の平均粒径は5μm以
下でおり、かつ前記結合剤しま粉末からなり、その平均
粒径が前記金属粉末及び合金粉末のそれより小さい特許
請求の範囲第11項〜第21項のいずれかに記載の金属
化層を有する8iC焼結体の製法。 23、前記酸化性雰囲気は焼成温度で前記金属及び合金
粉末が酸化しない程度の酸素及び水分の1種以上を含む
特許請求の範囲第11項又は第22項に記載の金属化層
を有するSiC焼結体の製法。 24、前記加熱は前記金属及び合金粉末の融点より低く
、かつ前記金属及び合金粉末と結合剤とが合金化して溶
融する温度以上又は前記結合剤の融点以上で行う特許請
求の範囲第11項〜第23項のいずれかに記載の金属化
層を有するSiC焼結体の製法。 25、前記焼結体な、前記混合物の配置前に予め酸化処
理し、その表面にシリコン酸化物を形成する特許請求の
範囲第11項〜第24項のいずれかに記載の金属化層を
有するSiC焼結体の製法。 26、前記Au粉末を含む混合物を前記焼結体に配置し
た後、大気中にて加熱する特許請求の範囲第11項〜第
15項、第18項、第19項、第21項〜第25項のい
ずれかに記載の金属化層を有するSiC焼結体の製法。 。 27、前記Cu粉末を含む混合物を前記焼結体に配置し
た後、加湿した不活性ガス中にて加熱する特許請求の範
囲第11項〜第17項、第19項、第20項、第22項
〜第25項のいずれかに記載の金属化層を有する’Si
C焼結体の製法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57102202A JPS58223678A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 金属化層を有するSiC焼結体とその製法 |
DE8383303456T DE3373894D1 (en) | 1982-06-16 | 1983-06-15 | Sic sintered body having metallized layer and production method therefor |
EP83303456A EP0097058B1 (en) | 1982-06-16 | 1983-06-15 | Sic sintered body having metallized layer and production method therefor |
US06/504,787 US4663649A (en) | 1982-06-16 | 1983-06-16 | SiC sintered body having metallized layer and production method thereof |
KR1019830002696A KR840005060A (ko) | 1982-06-16 | 1983-06-16 | 금속화층(金屬化層)을 갖는 sic 소결체(燒結體)와 그 제법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57102202A JPS58223678A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 金属化層を有するSiC焼結体とその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58223678A true JPS58223678A (ja) | 1983-12-26 |
JPS6230159B2 JPS6230159B2 (ja) | 1987-06-30 |
Family
ID=14321076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57102202A Granted JPS58223678A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 金属化層を有するSiC焼結体とその製法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4663649A (ja) |
EP (1) | EP0097058B1 (ja) |
JP (1) | JPS58223678A (ja) |
KR (1) | KR840005060A (ja) |
DE (1) | DE3373894D1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010524736A (ja) * | 2007-04-24 | 2010-07-22 | セラムテック アクチエンゲゼルシャフト | 金属被覆された構成部分を製造するための方法、金属被覆された構成部分、並びに金属被覆の際に構成部分を支持するための支持体 |
JP2019207992A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 京セラ株式会社 | 電気素子搭載用パッケージおよび電気装置 |
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DE3573137D1 (en) * | 1984-10-03 | 1989-10-26 | Sumitomo Electric Industries | Material for a semiconductor device and process for its manufacture |
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JPS6230159B2 (ja) | 1987-06-30 |
EP0097058A2 (en) | 1983-12-28 |
EP0097058A3 (en) | 1984-10-03 |
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US4663649A (en) | 1987-05-05 |
KR840005060A (ko) | 1984-11-03 |
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