JP4133170B2 - アルミニウム−セラミックス接合体 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアルミニウム−セラミックス接合体、特に、電子部品に使用される放熱機能を有するアルミニウム−セラミックス接合体に関するものである。更にはパワーモジュール用電子部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミックス絶縁基板と呼ばれるセラミックスの一方の面に回路金属、他方の面に放熱用の金属を接合させ、上記回路金属上に電流・電圧制御用の半導体チップを半田付けし、これらを単数あるいは複数枚、金属ベース板（ヒートシンク）あるいは複合材上に半田付けし、さらにこのベース板裏面に放熱グリースを介して放熱フィンを取り付けたものは知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
然しながら、この構造の場合、以下の問題点がある。
【０００４】
（１）半田接合を多用しており、鉛フリー化するために新規半田や実装方法の開発が必要である。
【０００５】
（２）半田接合を多用しており、鉛半田による熱伝導の損失がある。
【０００６】
（３）半田接合を多用しており、半田ボイドによる製造上の歩留まりリスクの問題がある。
【０００７】
（４）放熱グリースの熱伝導性が極端に低い。
【０００８】
上述の（１）から（３）の問題点はベース一体型基板すなわち、上記セラミックス絶縁基板を直接ベース板に接合することで解決できる。しかし、（４）については市販の放熱グリースの熱伝導率は高くても数Ｗ／ｍ・Ｋしかなく、他に熱伝導率の高い部材を使用してもベース板と放熱フィンの間の熱抵抗が大きく、性能アップのネックとなっていた。
【０００９】
そこで、特開平4−363052号公報に示すようにろう接法を使いセラミックスに直接フィンを取り付けるという先行技術があるが、線膨張係数の小さく、薄いセラミックスに対し、線膨張係数の大きく、体積の大きいアルミニウムのフィンを直接取り付けると、常温では問題ないが、パワーモジュールを実際に運転した場合のようにスイッチングにより加熱・冷却を何度も受けた場合、両者の線膨張係数による差から生じる応力によりセラミックスとアルミニウムの接合界面で剥離が起きたり、セラミックスが破損してしまう。
【００１０】
本発明は上記の欠点を除くようにしたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のアルミニウム−セラミックス接合体は、セラミックス基板の一方の面に電子部品搭載用導体が形成され、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる放熱フィンが溶湯接合により形成され、前記放熱フィンは前記セラミックス基板より大きい形状であって、前記放熱フィンが前記セラミックス基板を囲む壁およびまたは前記セラミックス基板と高さの異なる端子台を有することを特徴とする。直接接合とはろう材等中間材を使用せずにセラミックス基板と金属を接合する方法を示す。
【００１２】
また、本発明のアルミニウム−セラミックス接合体は、セラミックス基板の一方の面に電子部品搭載用導体が形成され、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる水冷ジャケットが直接接合により形成されていることを特徴とする。
【００１３】
上記放熱フィンまたは水冷ジャケットは銅を含むことを特徴とする。
【００１４】
上記直接接合は、溶湯接合法であることを特徴とする。
【００１５】
上記セラミックス基板の主成分は、アルミナ、窒化アルミ、窒化硅素の一つであることを特徴とする。
【００１６】
上記セラミックス基板は、複数であることを特徴とする。
【００１７】
本発明は、上記アルミニウム−セラミックス接合体をパワーモジュール用電子部品に使用することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下図面によって本発明の実施例を説明する。
【００１９】
（実施例１）
【００２０】
図１に示すようにセラミックス板１として、厚さ0.25mm、40mm×40mmサイズのアルミナ基板を2枚用意した。これをカーボン製の鋳型（図示せず）に10mmの間隔を置いてセットし、炉内に入れた。炉内は窒素雰囲気で酸素濃度100ppm以下にした。この状態でさらに750℃まで加熱し、アルミニウム99.5wt％、銅0.5wt％の溶融状態のものをカーボン製シリンダで圧力をかけることで酸化被膜を取り除き、前記鋳型に流し込んだ。前記鋳型は夫々のセラミックスの一面に39mm×39mm、0.4mm厚の板２状になるようにアルミニウムが流れ込み、他面には夫々のセラミックスを繋げた形で110mm×60mm、厚み5mmの板３状になるようにアルミニウムが流れ込み、さらにこの5mmの板３には基板接触側の縁面に幅3mmの壁９が垂直に30mm立つように、なおかつセラミックスと接触する面と反対側の面に高さ25mm、幅5mmのストレートフィン４がベース長手方向と平行に5mm間隔で形成されるように流れ込む形状にした。この鋳型を冷却し、アルミニウムを凝固、セラミックスと接合させた後、室温まで冷却し、接合体を鋳型より取り出した。この後、0.4mm厚のアルミニウム板表面に所定形状のエッチングレジストを印刷して、塩化第二鉄溶液にてエッチング処理し回路パターンを形成した。次いで、レジストを剥離した後、無電解Ni−Pメッキをアルミニウム上に3μmつけ、セラミックス基板が二枚ベース板に直接接合されたフィン付き壁付きベース一体型基板とした。
【００２１】
評価は以下のように行った。まず、めっき後のセラミックスとアルミニウムの接合界面（アルミニウム回路とセラミックス、アルミニウムベースとセラミックスの両者）を超音波探傷装置により調べたところ、接合欠陥は認められなかった。また、セラミックスについてもクラックは認められなかった。このサンプルに−40℃30分保持、25℃10分、125℃30分保持、25℃10分を1サイクルとするヒートサイクルを3000回与えた。その後、再度セラミックスとアルミニウムの接合界面を超音波探傷装置により調べたところ、接合欠陥は認められなかった。また、セラミックスについてもクラックは認められなかった。
【００２２】
（実施例２）
【００２３】
セラミックス板の厚さが0.635mmで材質が窒化アルミである他は実施例１と同様のものを用いたところ実施例１と同一の効果が得られた。
【００２４】
（実施例３）
【００２５】
セラミックス板の厚さが0.32mmで材質が窒化硅素である他は実施例１と同様のものを用いたところ実施例１と同一の効果が得られた。
【００２６】
（実施例４）
【００２７】
図２に示すように、セラミックス板１として、厚さ0.25mm、40mm×40mmサイズのアルミナ基板を2枚用意した。これをカーボン製の鋳型（図示せず）に10mmの間隔を置いてセットし、炉内に入れた。炉内は窒素雰囲気で酸素濃度100ppm以下にした。この状態でさらに750℃まで加熱し、アルミニウム99.5wt％、銅0.5wt％の溶融状態のものをカーボン製シリンダで圧力をかけることで酸化被膜を取り除き、前記鋳型に流し込んだ。前記鋳型は夫々のセラミックスの一面に39mm×39mm、0.4mm厚の板２状になるようにアルミニウムが流れ込み、他面には夫々のセラミックスを繋げた形で110mm×60mm、厚み5mmの板３状になるようにアルミニウムが流れ込み、さらにこの5mmの板３には基板接触側の面に10mm×20mm、高さ3mmの端子台１０を板２の脇2ヶ所に、流れ込む形状にした。端子台には10mm×20mm×0.635mmのアルミナが接合され、その上には9mm×19mm×0.4mmのアルミニウムが接合される。また、チップと端子を結線するためのアルミニウムワイヤーが超音波ボンディングにより打てるようになっている。前述のアルミナはセラミックス板１と同じように2枚鋳型にセットするが、端子台高さの分セラミックス板１と高さが違う。そして板２と同時にアルミニウムが流れ込み前述の厚みのアルミニウムが形成される。なおかつセラミックスと接触する面と反対側の面に高さ25mm、幅5mmのストレートフィン４がベース長手方向と平行に5mm間隔で形成されるように流れ込む形状にした。この鋳型を冷却し、アルミニウムを凝固、セラミックスと接合させた後、室温まで冷却し、接合体を鋳型より取り出した。この後、0.4mm厚のアルミニウム板表面に所定形状のエッチングレジストを印刷して、塩化第二鉄溶液にてエッチング処理し回路パターンを形成した。次いで、レジストを剥離した後、無電解Ni−Pメッキをアルミニウム上に3μmつけ、セラミックス基板が二枚ベース板に直接接合されたフィン付き端子台付きベース一体型基板とした。
【００２８】
評価は以下のように行った。まず、めっき後のセラミックスとアルミニウムの接合界面（アルミニウム回路とセラミックス、アルミニウムベースとセラミックスの両者）を超音波探傷装置により調べたところ、接合欠陥は認められなかった。また、セラミックスについてもクラックは認められなかった。このサンプルに−40℃30分保持、25℃10分、125℃30分保持、25℃10分を1サイクルとするヒートサイクルを3000回与えた。その後、再度セラミックスとアルミニウムの接合界面を超音波探傷装置により調べたところ、接合欠陥は認められなかった。また、セラミックスについてもクラックは認められなかった。
【００２９】
（実施例５）
【００３０】
セラミックス板の厚さが0.635mmで材質が窒化アルミである他は実施例４と同様のものを用いたところ実施例４と同一の効果が得られた。
【００３１】
（実施例６）
【００３２】
セラミックス板の厚さが0.32mmで材質が窒化硅素である他は実施例４と同様のものを用いたところ実施例４と同一の効果が得られた。
【００３３】
（比較例１）
【００３４】
純度99.7％（JIS1070番）、110mm×60mm、厚み30mmのアルミニウム金属板を用意し、フライス盤による切削加工で一方の面に高さ25mm、幅5mmのストレートフィンを長手方向と平行に5mm間隔で形成し、フィン付きベース板を作成した。セラミックス板として、厚さ0.25ｍｍ、40mm×40mmサイズのアルミナ基板を2枚用意した。次に純度4Nの39mm×39mm、0.4mm厚のアルミニウム金属板を2枚、前記フィン付きベース板を1枚用意した。ろう材合金箔として、アルミニウム95wt％、銅4wt％、マグネシウム1wt％の組成で厚み20μmのものを作製した。前記夫々のセラミックス板の片面に0.4mm厚みのアルミニウム金属板を、他面に厚み5mmのアルミニウム金属板を前記20μmろう材合金箔を介して重ねた（5mm厚のアルミニウム金属板上に前記セラミックスが10mmの間隔置く形で）。これを20kgf／cm2で加圧しながら、10-4Torrの真空中、630℃でアルミニウム板とセラミックスを接合させた。接合後、0.4mm厚のアルミニウム板表面に所定形状のエッチングレジストを印刷して、塩化第二鉄溶液にてエッチング処理し回路パターンを形成した。次いで、レジストを剥離した後、無電解Ni−Pメッキをアルミニウム上に3μmつけ、セラミックス基板が二枚ベース板に直接接合されたベース一体型基板とした。
【００３５】
評価は以下のように行った。まず、めっき後のセラミックスとアルミニウムの接合界面（アルミニウム回路とセラミックス、アルミニウムベースとセラミックスの両者）を超音波探傷装置により調べたところ、接合欠陥は認められなかった。また、セラミックスについてもクラックは認められなかった。このサンプルに−40℃30分保持、25℃10分、125℃30分保持、25℃10分を1サイクルとするヒートサイクルを3000回与えた。その後、再度セラミックスとアルミニウムの接合界面を超音波探傷装置により調べたところ、セラミックスとフィン付きアルミニウム金属板の接合界面に基板の縁面より10mm程度の剥離が認められた。セラミックスについてはクラックは認められなかった。
【００３６】
（比較例２）
【００３７】
セラミックス板の厚さが0.635mmで材質が窒化アルミである他は比較例１と同様のものを用いたところ比較例１と同一の効果が得られた。
【００３８】
（比較例３）
【００３９】
セラミックス板の厚さが0.32mmで材質が窒化硅素である他は比較例１と同様のものを用いたところ比較例１と同一の効果が得られた。
【００４０】
（比較例４）
【００４１】
純度4N、110mm×60mm、厚み30mmのアルミニウム金属板を用意し、フライス盤による切削加工で一方の面に高さ25mm、幅5mmのストレートフィンを長手方向と平行に5mm間隔で形成し、フィン付きベース板を作成した。セラミックス板として、厚さ0.25ｍｍ、40mm×40mmサイズのアルミナ基板を2枚用意した。次に純度4Nの39mm×39mm、0.4mm厚のアルミニウム金属板を2枚、前記フィン付きベース板を1枚用意した。ろう材合金箔として、アルミニウム95wt％、銅4wt％、マグネシウム1wt％の組成で厚み20μmのものを作製した。前記夫々のセラミックス板の片面に0.4mm厚みのアルミニウム金属板を、他面に厚み5mmのアルミニウム金属板を前記20μmろう材合金箔を介して重ねた（5mm厚のアルミニウム金属板上に前記セラミックスが10mmの間隔置く形で）。これを20kgf／cm2で加圧しながら、10-4Torrの真空中、630℃でアルミニウム板とセラミックスを接合させた。接合後、0.4mm厚のアルミニウム板表面に所定形状のエッチングレジストを印刷して、塩化第二鉄溶液にてエッチング処理し回路パターンを形成した。次いで、レジストを剥離した後、無電解Ni−Pメッキをアルミニウム上に3μmつけ、セラミックス基板が二枚ベース板に直接接合されたベース一体型基板とした。
【００４２】
評価は以下のように行った。まず、めっき後のセラミックスとアルミニウムの接合界面（アルミニウム回路とセラミックス、アルミニウムベースとセラミックスの両者）を超音波探傷装置により調べたところ、接合欠陥は認められなかった。また、セラミックスについてもクラックは認められなかった。このサンプルに−40℃30分保持、25℃10分、125℃30分保持、25℃10分を1サイクルとするヒートサイクルを3000回与えた。その後、再度セラミックスとアルミニウムの接合界面を超音波探傷装置により調べたところ、セラミックスとフィン付きアルミニウム金属板の接合界面に基板の縁面より10mm程度の剥離が認められた。セラミックスについてはクラックは認められなかった。
【００４３】
（比較例５）
【００４４】
セラミックス板の厚さが0.635mmで材質が窒化アルミである他は比較例４と同様のものを用いたところ比較例４と同一の効果が得られた。
【００４５】
（比較例６）
【００４６】
セラミックス板の厚さが0.32mmで材質が窒化硅素である他は比較例４と同様のものを用いたところ比較例４と同一の効果が得られた。
【００４７】
なお、上記各例を表１に示す。
【００４８】
【表１】
Figure 0004133170
【００４９】
従来のようにセラミックス回路基板を金属ベース板あるいは複合材上に半田付けするのに比べ、本発明は鉛半田を使用しないことから環境に配慮したＰｂフリー化を達成し、また、半田による熱伝導の損失すなわち放熱性の劣化がなく、アセンブリ工程上も半田ボイドによる製造上の歩留まりリスクがなくなる。また金属ベース板あるいは複合材を半田付けするアセンブリ行程も廃止することができる。さらに、放熱フィンとの密着に使用する放熱グリースが不要であるため、熱伝導の劣化を防止できる。
【００５０】
別の従来技術として、窒化アルミニウム等のセラミックス基板に、Ａｌ系ろう材を介して回路形成用アルミニウム板と放熱フィンを接合することで、半田に起因する課題は避けることができる。しかしながら、パワーモジュールを実際に運転した場合や、自動車や電車などの車両にパワーモジュールが使用される場合、スイッチングや外的環境変化により加熱・冷却を繰り返し受けることになるが、実際車両などに使用される場合、その加熱・冷却サイクル即ちヒートサイクルが非常に厳しく、セラミックスとアルミニウムの接合界面で剥離が起きたり、セラミックスが破損する場合がある。原因として、セラミックスと接合される金属であるアルミニウムの熱膨張係数差から発生する熱応力のためであることが知られているが、ろう材の影響も大きい。ろう材は通常数〜数100μmの厚さであり、放熱フィンや放熱板のように数mm〜数10mmといった厚さと比べ影響が少ないように思われるが、ろう材層が固くもろく、また変形の0.2耐力が大きいため発生する熱応力が大きいため、接合界面であるろう材層、またはセラミックスそのものが破壊するといった現象がおこる。
【００５１】
本発明は、ろう材を使用せず、セラミックスとアルミニウムを直接接合し、接合金属の塑性変形を利用し、接合界面に集中する応力を小さくすることを実現した。これにより、ヒートサイクル性がろう材を使用するものに比べ飛躍的にしており、室温→−40℃×30分→室温×10分→＋125℃×30分→室温×10分を1サイクルとする条件で3000サイクル後において、接合界面に変化なし、即ち接合界面やセラミックスの破壊がなく、車両用としても使用可能な非常い高い信頼性を持つ、フィン付きアルミニウム−セラミックス接合体を得ることができる。
【００５２】
セラミックスとアルミニウムを直接接合する方法は、溶湯接合法、アルミニウム部材をセラミックス板上に配置し窒素中等不活性ガス中で加熱接合する直接接合法、さらにはＡｌ−Ｓｉの共晶接合法等がある。溶湯接合法はアルミニウムの溶湯をセラミックス基板が所定の位置に保持された鋳型に流し込み、セラミックス上をその溶湯を移動させ凝固させ接合する。この方法は、鋳型形状により、さまざまなフィン形状に対応することが簡単にできるという特徴がある。その他の方法は、予め機械加工や鋳造等で所定のフィン形状に加工したアルミニウム部材を、窒素中、真空中で接合することが特徴である。フィンの形状は回路板側に搭載する素子の発熱量に左右されるが、通常、図１に示すような高さ数cm、幅数mm、間隔数mm程度のもので対応できることが多く、上記鋳型、機械加工も比較的簡単にできる。
【００５３】
セラミックス基板より大きい形状とすることで、セラミックスよりはみ出した部分を利用し、パワーモジュール作製工程におけるプラスチックパッケージ等の接着部とすることができ、また、冷却時フィン側に圧縮応力がかかる構造となり、耐ヒートサイクル性にも寄与していると思われる。また、モジュールのアセンブリ工程として、加工の基準面として利用でき、半田付け、ワイヤボンディング、パッケジング等のアセンブリ工程に有用である。
【００５４】
また、放熱フィンがセラミックス基板を囲む壁を有することで、その壁を利用し、パワーモジュール作製において、プラスチックパッケージの代わりに絶縁ゲルの容器とすることができ、直接モジュールの構成物として利用できる。
【００５５】
放熱フィンが端子台を有することで、従来行われている半田付けや接着により金属−セラミックス接合基板をパワーモジュール上に構成する工程を削除することができる。また、上記放熱フィンを銅を含むアルミニウムとすることにより、更に耐食性を向上させることができる。
【００５６】
さらに本発明の構成は、セラミックス基板の一方の面に電子部品搭載用導体を形成し、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる水冷ジャケットが直接接合により形成されているアルミニウム−セラミックス接合体である。水冷方式とすることで、更に安定した冷却能力を得ることができ、また水冷ジャケットが銅を含むアルミニウム合金であることが、耐食性の面から好ましい。直接接合方法としては、溶湯接合法であることが、様々な形状に対応可能であること、接合の信頼性が高いことから好ましい。
【００５７】
また、セラミックス基板として、熱伝導の面からは窒化アルミニウム、強度の面から窒化珪素、コストの面からアルミナを、目的に応じ使用することが好ましく、また回路設計上複数の基板を搭載することも可能である。
【００５８】
以上、本発明のアルミニウム−セラミックス接合体を用いることで、放熱性及び耐ヒートサイクル性に優れ、アセンブリコストを抑えたパワーモジュールを提供することができる。
【００５９】
【発明の効果】
上記のように本発明においては、セラミックス基板とアルミニウムの接合力がろう接法よりも強く、接合欠陥が起きにくい。さらにろう接法ではアルミニウムフィンを原料から一度鋳造、加工して作ったものを真空中でろう材を介してセラミックスに接合して作成するのに対し、本発明では接合する際の鋳造でフィン形状を作れることから、セラミックスとアルミニウムの接合と同時にフィン形状にすることが可能で、放熱性、コスト面や生産面で多大なメリットがあり、パワーモジュール等の大電力電子部品に実装に好適な信頼性の秀れたアルミニウム−セラミックス接合体を容易に得ることができる大きな利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のアルミニウム−セラミックス接合体の第１の実施例を示す斜視図である。
【図２】 本発明のアルミニウム−セラミックス接合体の第２の実施例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ セラミックス板
２ アルミニウム板
３ 板
４ ストレートフィン
１０ 端子台

Claims (5)

  1. セラミックス基板の一方の面に電子部品搭載用導体が形成され、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる放熱フィンが溶湯接合により形成され、前記放熱フィンは前記セラミックス基板より大きい形状であって、前記放熱フィンが前記セラミックス基板を囲む壁およびまたは前記セラミックス基板と高さの異なる端子台を有することを特徴とするアルミニウム−セラミックス接合体。
  2. 上記放熱フィンが銅を含むことを特徴とする請求項１記載のアルミニウム−セラミックス接合体。
  3. 上記セラミックス基板の主成分がアルミナ、窒化アルミ、窒化硅素の一つであることを特徴とする請求項１または２記載のアルミニウム−セラミックス接合体。
  4. 上記セラミックス基板が複数であることを特徴とする請求項１、２または３記載のアルミニウム−セラミックス接合体。
  5. 請求項１〜４の何れか一項に記載のアルミニウム−セラミックス接合体を使用したパワーモジュール。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1518847B1 (en) * 2003-09-29 2013-08-28 Dowa Metaltech Co., Ltd. Aluminum/ceramic bonding substrate and method for producing same
JP4806803B2 (ja) * 2003-10-21 2011-11-02 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4543279B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 アルミニウム接合部材の製造方法
WO2006017301A2 (en) * 2004-07-13 2006-02-16 Thorrn Micro Technologies, Inc. Micro-channel heat sink
JP4565249B2 (ja) * 2004-08-26 2010-10-20 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
TWI449137B (zh) * 2006-03-23 2014-08-11 Ceramtec Ag 構件或電路用的攜帶體
JP2007294891A (ja) * 2006-03-30 2007-11-08 Dowa Metaltech Kk 放熱器
EP2012354B1 (en) * 2006-04-26 2016-04-13 Denka Company Limited Method of producing a base plate for a power module
US8198540B2 (en) 2006-06-06 2012-06-12 Mitsubishi Materials Corporation Power element mounting substrate, method of manufacturing the same, power element mounting unit, method of manufacturing the same, and power module
JP2008218938A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板
US9163883B2 (en) 2009-03-06 2015-10-20 Kevlin Thermal Technologies, Inc. Flexible thermal ground plane and manufacturing the same
US8593812B2 (en) * 2009-05-11 2013-11-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Heat exchanger, semiconductor device, method for manufacturing the heat exchanger, and method for manufacturing the semiconductor device
JP5214546B2 (ja) * 2009-07-01 2013-06-19 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 端子付き金属−セラミックス回路基板の製造方法
JP5686606B2 (ja) 2010-01-12 2015-03-18 日本軽金属株式会社 フィン一体型基板の製造方法およびフィン一体型基板
EP2525637B1 (en) * 2010-01-12 2020-10-28 Nippon Light Metal Co., Ltd. Liquid-cooled integrated substrate and method for manufacturing liquid-cooled integrated substrate
WO2011127931A1 (en) * 2010-04-13 2011-10-20 Danfoss Silicon Power Gmbh A flow distributor
US20120026692A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Wolverine Tube, Inc. Electronics substrate with enhanced direct bonded metal
US9681580B2 (en) 2010-07-28 2017-06-13 Wolverine Tube, Inc. Method of producing an enhanced base plate
US9795057B2 (en) 2010-07-28 2017-10-17 Wolverine Tube, Inc. Method of producing a liquid cooled coldplate
US10531594B2 (en) * 2010-07-28 2020-01-07 Wieland Microcool, Llc Method of producing a liquid cooled coldplate
CN102375514A (zh) * 2010-08-19 2012-03-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电子装置
CN102064145A (zh) * 2010-09-28 2011-05-18 蔡乐勤 一种高效复合型散热器及制备方法
JP5633292B2 (ja) * 2010-10-06 2014-12-03 トヨタ自動車株式会社 超音波探傷方法及び被検査対象物構造
JP5743752B2 (ja) * 2011-06-29 2015-07-01 京セラ株式会社 回路基板
KR101255935B1 (ko) * 2011-07-08 2013-04-23 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
TWI541488B (zh) * 2011-08-29 2016-07-11 奇鋐科技股份有限公司 散熱裝置及其製造方法
JP5633496B2 (ja) * 2011-09-29 2014-12-03 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5631446B2 (ja) * 2013-06-13 2014-11-26 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板の製造方法
US10731925B2 (en) 2014-09-17 2020-08-04 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Micropillar-enabled thermal ground plane
CN106794656B (zh) * 2014-09-15 2022-02-15 科罗拉多州立大学董事会法人团体 真空增强散热器
US11598594B2 (en) 2014-09-17 2023-03-07 The Regents Of The University Of Colorado Micropillar-enabled thermal ground plane
JP6729224B2 (ja) * 2015-11-26 2020-07-22 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ｌｅｄモジュール、熱電モジュール
JP6536442B2 (ja) * 2016-03-17 2019-07-03 三菱マテリアル株式会社 めっき付パワーモジュール用基板の製造方法
DE102016220082A1 (de) * 2016-10-14 2018-04-19 Würth Elektronik eiSos Gmbh & Co. KG Verfahren zum Metallisieren von Ferritkeramiken und Bauelement mit einer Ferritkeramik
CN110192273B (zh) 2016-11-08 2023-07-28 开尔文热技术股份有限公司 用于在热接地平面中散布高热通量的方法和设备
EP3595002A1 (de) * 2018-07-12 2020-01-15 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Metall-keramik-substrat mit einer zur direkten kühlung geformten folie als substratunterseite
JP7267030B2 (ja) * 2019-02-20 2023-05-01 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属－セラミックス接合基板およびその製造方法
JP7202213B2 (ja) * 2019-02-22 2023-01-11 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属－セラミックス接合基板およびその製造方法
EP3824494B1 (en) * 2019-07-25 2021-12-22 Hitachi Energy Switzerland AG Power semiconductor module and method of forming the same
RU2724289C1 (ru) * 2019-09-13 2020-06-22 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Корпус полупроводникового прибора из металломатричного композита и способ его изготовления
DE102019135146B4 (de) 2019-12-19 2022-11-24 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrat
WO2021258028A1 (en) 2020-06-19 2021-12-23 Kelvin Thermal Technologies, Inc. Folding thermal ground plane
US20230150884A1 (en) * 2021-11-16 2023-05-18 Goodrich Corporation High temperature oxidation protection for carbon-carbon composites

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3766440A (en) * 1972-08-11 1973-10-16 Gen Motors Corp Ceramic integrated circuit convector assembly
JPS58137285A (ja) * 1982-02-10 1983-08-15 株式会社日立製作所 金属板付セラミック基板の製造法
US4712609A (en) * 1984-11-21 1987-12-15 Iversen Arthur H Heat sink structure
DE3523061A1 (de) * 1985-06-27 1987-01-02 Siemens Ag Halbleiter-chip-anordnung
US4700273A (en) * 1986-06-03 1987-10-13 Kaufman Lance R Circuit assembly with semiconductor expansion matched thermal path
US4788627A (en) * 1986-06-06 1988-11-29 Tektronix, Inc. Heat sink device using composite metal alloy
JPH02187058A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Hitachi Ltd 半導体装置用パッケージ
JP3063299B2 (ja) 1991-03-20 2000-07-12 三菱マテリアル株式会社 半導体装置実装用基板
WO2004074210A1 (ja) * 1992-07-03 2004-09-02 Masanori Hirano セラミックス－金属複合体およびその製造方法
FR2701600B1 (fr) * 1993-02-10 1995-09-08 Gec Alsthom Transport Sa Dispositif de refroidissement de composants electriques de puissance.
US5602720A (en) * 1993-06-25 1997-02-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Mounting structure for semiconductor device having low thermal resistance
JPH07211832A (ja) * 1994-01-03 1995-08-11 Motorola Inc 電力放散装置とその製造方法
US5965193A (en) * 1994-04-11 1999-10-12 Dowa Mining Co., Ltd. Process for preparing a ceramic electronic circuit board and process for preparing aluminum or aluminum alloy bonded ceramic material
US5533257A (en) * 1994-05-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a heat dissipation apparatus
US6033787A (en) * 1996-08-22 2000-03-07 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic circuit board with heat sink
US6245442B1 (en) * 1997-05-28 2001-06-12 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Metal matrix composite casting and manufacturing method thereof
DE19722355A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung elektrischer Baugruppen und elektrische Baugruppe
DE19735531A1 (de) 1997-08-16 1999-02-18 Abb Research Ltd Leistungshalbleitermodul mit in Submodulen integrierten Kühlern
US6280496B1 (en) * 1998-09-14 2001-08-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide based composite material and manufacturing method thereof
US6016007A (en) * 1998-10-16 2000-01-18 Northrop Grumman Corp. Power electronics cooling apparatus
DE19942915A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Still Gmbh Leistungshalbleitermodul

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