JP2011210745A - パワーモジュール用基板及びその製造方法 - Google Patents
パワーモジュール用基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011210745A JP2011210745A JP2010073782A JP2010073782A JP2011210745A JP 2011210745 A JP2011210745 A JP 2011210745A JP 2010073782 A JP2010073782 A JP 2010073782A JP 2010073782 A JP2010073782 A JP 2010073782A JP 2011210745 A JP2011210745 A JP 2011210745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- power module
- ceramic substrate
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】反りや表面のしわの問題を解消し、信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板であって、金属層は、その結晶粒の平均粒径が0.5μm以下であり、金属層及びセラミックス基板の表面に真空雰囲気中で表面浄化エッチングを施した後に、真空雰囲気中でセラミックス基板と金属層とのエッチングした面どうしを重ね合わせることにより、セラミックス基板の表面に金属層が直接接合されている。
【選択図】 図1
【解決手段】セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板であって、金属層は、その結晶粒の平均粒径が0.5μm以下であり、金属層及びセラミックス基板の表面に真空雰囲気中で表面浄化エッチングを施した後に、真空雰囲気中でセラミックス基板と金属層とのエッチングした面どうしを重ね合わせることにより、セラミックス基板の表面に金属層が直接接合されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板及びその製造方法に関する。
従来のパワーモジュールとして、セラミックス基板の一方の面に、回路層となるアルミニウム金属層を積層し、この回路層の上に半導体チップ等の電子部品がはんだ付けされ、一方、セラミックス基板の他方の面に放熱層となるアルミニウム金属層が形成され、この金属層にヒートシンクが接合された構成のものが知られている。
このようなセラミックス基板に回路層又は放熱層となるアルミニウム金属層を積層状態に形成する方法として、例えば特許文献1では、セラミックス基板に、Al−Si系又はAl−Ge系のろう材を介在させてアルミニウム金属層を重ね合わせ、その積層体を加圧、加熱することにより、ろう材を溶融させて、セラミックス基板とアルミニウム金属層とを接合するようにしている。
この場合、回路層及び放熱層とも同じ板厚で形成されるのが一般的であったが、近年では、放熱層とヒートシンクとの間の熱伸縮を緩和するための緩衝機能を放熱層自身に持たせるために、放熱層を厚肉に形成することが検討されている。その結果、回路層と放熱層との厚さに差が生じることから、ろう付けのための加熱処理を経由すると、全体に反りが生じて、その後のヒートシンクへの取り付けを阻害するという問題が生じてきた。
また、回路層及び放熱層のアルミニウム金属として、応力緩和のために高純度のアルミニウムが用いられる傾向にあるが、厳しい熱サイクル環境下であると、アルミニウム金属層の表面にしわが生じて、電子部品との接合性への悪影響が懸念される。
また、回路層及び放熱層のアルミニウム金属として、応力緩和のために高純度のアルミニウムが用いられる傾向にあるが、厳しい熱サイクル環境下であると、アルミニウム金属層の表面にしわが生じて、電子部品との接合性への悪影響が懸念される。
さらに、放熱層とヒートシンクとの間の接合方法として、高価な設備が不要で比較的容易に安定したろう付けが可能なフラックスろう付け法としてノコロックろう付け法の適用が検討されているが、この接合方法であると、そのろう付け時に、セラミックス基板と放熱層との間にフラックスが侵食して接合部にクラックを生じさせるおそれがある。
また、ろう付けに依存しない接合方法としては特許文献2記載の技術がある。この接合方法では、セラミックス基板を鋳型内に設置して、その鋳型内に溶融状態のアルミニウム合金を注入することにより、セラミックス基板の両面にアルミニウム金属層を形成している。
しかしながら、このようにして形成される回路層及び放熱層は、アルミニウムを溶融して凝固させたものであるため、結晶粒径が例えば数百μmと大きくなり、反りの問題を解消することはできない。また、高純度のアルミニウムを用いるため、前述した表面のしわの問題も生じ易い。
しかしながら、このようにして形成される回路層及び放熱層は、アルミニウムを溶融して凝固させたものであるため、結晶粒径が例えば数百μmと大きくなり、反りの問題を解消することはできない。また、高純度のアルミニウムを用いるため、前述した表面のしわの問題も生じ易い。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、反りや表面のしわの問題を解消し、信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
従来の接合方法では、ろう付け時に例えば650℃の温度に加熱されることから、回路層や放熱層のアルミニウム金属の結晶粒径が大きくなり、これが原因で機械的性質が低下し、反りや表面のしわに影響しているものと考えられる。
そこで、セラミックス基板と回路層や放熱層の金属層とを加熱しないで接合することにより、結晶組織を微細なままで接合することができ、反りやしわの問題を解消できると考えた。
そこで、セラミックス基板と回路層や放熱層の金属層とを加熱しないで接合することにより、結晶組織を微細なままで接合することができ、反りやしわの問題を解消できると考えた。
すなわち、本発明のパワーモジュール用基板は、セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板であって、前記金属層は、その結晶粒の平均粒径が0.5μm以下であり、前記セラミックス基板の表面に直接接合されていることを特徴とする。
また、その製造方法は、セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、結晶粒の平均粒径が0.5μm以下である金属層及びセラミックス基板の表面に真空雰囲気中で表面浄化エッチングを施した後に、前記真空雰囲気中で前記セラミックス基板と前記金属層とのエッチングした面どうしを重ね合わせて接合することを特徴とする。
また、その製造方法は、セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、結晶粒の平均粒径が0.5μm以下である金属層及びセラミックス基板の表面に真空雰囲気中で表面浄化エッチングを施した後に、前記真空雰囲気中で前記セラミックス基板と前記金属層とのエッチングした面どうしを重ね合わせて接合することを特徴とする。
本発明では、セラミックス基板及び金属層の表面にイオンビームやプラズマを照射して表面浄化エッチングすることにより、セラミックス基板及び金属層の表面を活性化させ、その活性化状態で直接接合しており、常温で接合できて、熱処理を伴わないことから、微細組織のまま接合することができる。直接接合とは、セラミックス基板と金属層との界面に何の反応層も介在させずに、それらの原子間を異種元素を介在させないで結合するものであり、その接合状態はTEMによる断面観察で確認することができる。
また、本発明のパワーモジュール用基板において、前記金属層は、純度99.99wt%以上のアルミニウムからなるものとされる。
この高純度アルミニウムとすることにより、ヒートシンクとの間の熱伸縮差に起因する応力を緩和することができ、しかも、結晶粒が微細であるので、表面のしわの発生も抑制でき、電子部品との接合信頼性を向上させることができる。
そして、本発明のパワーモジュール用基板において、28mm長さ当たりの反り量が30μm以下であるのが好ましい。
28mm長さ当たりの反り量が30μm以下であると、その後に接合されるヒートシンクとも高精度に位置合わせすることができ、これらを緊密に接触させて放熱特性を向上させることができる。
この高純度アルミニウムとすることにより、ヒートシンクとの間の熱伸縮差に起因する応力を緩和することができ、しかも、結晶粒が微細であるので、表面のしわの発生も抑制でき、電子部品との接合信頼性を向上させることができる。
そして、本発明のパワーモジュール用基板において、28mm長さ当たりの反り量が30μm以下であるのが好ましい。
28mm長さ当たりの反り量が30μm以下であると、その後に接合されるヒートシンクとも高精度に位置合わせすることができ、これらを緊密に接触させて放熱特性を向上させることができる。
そして、本発明のパワーモジュールは、上記のパワーモジュール用基板の前記金属層のうちの一方に電子部品がはんだ付けにより接合され、他方の金属層にヒートシンクが接合されていることを特徴とする。
本発明によれば、結晶粒の平均粒径が0.5μm以下の金属層及びセラミックス基板の表面を活性化状態で直接接合しており、金属層が微細組織のまま接合されるため、その後の温度変化に伴う反りの発生を防止するとともに、電子部品とのはんだ接合面のしわの発生もなく、その接合信頼性を向上させることができる。
以下、本発明の一実施形態を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明に係るパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示している。この図1に示されるパワーモジュール1は、セラミックス等からなるセラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3の裏面に接合されたヒートシンク5とから構成されている。
図1は、本発明に係るパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示している。この図1に示されるパワーモジュール1は、セラミックス等からなるセラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3の裏面に接合されたヒートシンク5とから構成されている。
パワーモジュール用基板3は、セラミックス基板2の両面に金属層6,7が積層されており、その一方の金属層6が回路層となり、その表面に電子部品4がはんだ付けされる。また、他方の金属層7は放熱層とされ、その表面にヒートシンク5が取り付けられる。
また、セラミックス基板2は、例えばAlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、若しくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスにより形成される。
金属層6,7は、いずれも純度99.99wt%以上のアルミニウムが用いられ、JIS規格では1N99を用いることができる。また、この金属層6,7は、その結晶粒の平均粒径が0.5μm以下の微細な結晶組織とされる。好ましくは、0.05〜0.2μmの平均結晶粒径とされる。
また、セラミックス基板2は、例えばAlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、若しくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスにより形成される。
金属層6,7は、いずれも純度99.99wt%以上のアルミニウムが用いられ、JIS規格では1N99を用いることができる。また、この金属層6,7は、その結晶粒の平均粒径が0.5μm以下の微細な結晶組織とされる。好ましくは、0.05〜0.2μmの平均結晶粒径とされる。
この場合、各層の厚さについて、個々の寸法は限定されるものではないが、セラミックス基板2の厚さは例えば635μm、回路層となる金属層6の厚さは600μmとされ、放熱層となる金属層7の厚さが1600μmとされる。
また、これら金属層6,7は、プレス加工により所望の外形に打ち抜いたものをセラミックス基板2に接合するか、あるいは、平板状のものをセラミックス基板2に接合した後に、エッチング加工により所望の外形に形成するか、いずれの方法も採用することができる。
また、これら金属層6,7は、プレス加工により所望の外形に打ち抜いたものをセラミックス基板2に接合するか、あるいは、平板状のものをセラミックス基板2に接合した後に、エッチング加工により所望の外形に形成するか、いずれの方法も採用することができる。
そして、これらセラミックス基板2と回路層及び放熱層となる両金属層6,7との相互間の接合界面には、これらセラミックス基板2及び両金属層6,7の構成元素以外の異種元素が介在せず、セラミックス基板2と金属層6,7とが直接接合されている。
なお、金属層6と電子部品4との接合には、Sn−Ag−Cu系、Zn−Al系若しくはPb−Sn系等のはんだ材が用いられる。図中符号8がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品4と金属層6の端子部との間は、アルミニウムからなるボンディングワイヤ(図示略)により接続される。
一方、放熱層となる金属層7とヒートシンク5との間の接合法としては、前述したノコロックろう付け法、Sn−Ag−Cu系、Zn−Al系若しくはPb−Sn系等のはんだ材によるはんだ付け法が用いられ、あるいは、シリコングリースによって密着させた状態でねじによって機械的に固定される。図ではろう付けした例を示している。
一方、放熱層となる金属層7とヒートシンク5との間の接合法としては、前述したノコロックろう付け法、Sn−Ag−Cu系、Zn−Al系若しくはPb−Sn系等のはんだ材によるはんだ付け法が用いられ、あるいは、シリコングリースによって密着させた状態でねじによって機械的に固定される。図ではろう付けした例を示している。
ヒートシンク5は、その形状等は特に限定されないが、アルミニウム合金の押し出し成形によって形成され、パワーモジュール用基板3に接合される筒体15と、筒体15の内部を複数の流路16に区画する縦壁17とが一体に形成された構成とされている。筒体15の天板部15aは、パワーモジュール用基板3の金属層7より大きい四角形状の平面形状を有しており、各縦壁17は、筒体15の幅方向に等間隔で相互に平行に並べられ、筒体15の長さ方向に沿って設けられている。
そして、このような構成のパワーモジュール用基板3を製造するには、セラミックス基板2及び各金属層6,7をそれぞれ形成し、これらの接合表面を次のようにして活性化して接合する。
まず、セラミックス基板2及び一方の金属層6を図2に示す接合装置21の真空チャンバ22内に配置する。この接合装置21は、真空チャンバ22内に、水平なステージ23と、このステージ23の上方でステージ23に対して離間接近する方向に駆動される上ラム24とが備えられており、これらステージ23の上面と上ラム23の下端面とが対向配置され、これらの対向面に向けてイオンビームをそれぞれ照射するイオンビーム源25が設けられている。
まず、セラミックス基板2及び一方の金属層6を図2に示す接合装置21の真空チャンバ22内に配置する。この接合装置21は、真空チャンバ22内に、水平なステージ23と、このステージ23の上方でステージ23に対して離間接近する方向に駆動される上ラム24とが備えられており、これらステージ23の上面と上ラム23の下端面とが対向配置され、これらの対向面に向けてイオンビームをそれぞれ照射するイオンビーム源25が設けられている。
そして、ステージ23上に例えばセラミックス基板2を載置するとともに、上ラム24の下端面に金属層6を保持し、これらセラミックス基板2の上面と金属層6の下面とにイオンビームを照射することにより、これらの表面を浄化エッチングする。例えば、イオンビームの場合であると、アルゴンなどの不活性ガスが用いられ、印加電圧1.5keV程度のアルゴン原子ビームをセラミックス基板2及び金属層6の表面に10分間程度照射することにより、セラミックス基板2及び金属層6に不安定で活性な表面が露出される。
そして、この活性化処理の後、その真空チャンバ22内で上ラム24を下降して、セラミックス基板2及び金属層6の活性化処理された表面どうしを重ね合わせることにより、これらを接合する。
そして、この活性化処理の後、その真空チャンバ22内で上ラム24を下降して、セラミックス基板2及び金属層6の活性化処理された表面どうしを重ね合わせることにより、これらを接合する。
次に、この金属層6を片面に接合したセラミックス基板2の反対面をステージ23の上方に向けるようにして保持し、もう一方の金属層7を上ラム24の下端面に保持し、同様にセラミックス基板2と金属層7との対向面にイオンビームを照射して表面浄化エッチングを施した後に、上ラム24を下降して、セラミックス基板2に金属層7を接合する。
このようにしてセラミックス基板2の両面に金属層6,7を接合したパワーモジュール用基板3は、セラミックス基板2と金属層6,7とが、その界面に異種元素を介在させないで直接接合されており、強固に接合される。
そして、この接合処理において金属層6,7が加熱されないので、反りが生じることはない。また、加熱されないことから、結晶粒が平均粒径0.5μm以下の微細組織のまま接合されている。
そして、この接合処理において金属層6,7が加熱されないので、反りが生じることはない。また、加熱されないことから、結晶粒が平均粒径0.5μm以下の微細組織のまま接合されている。
次いで、このようにして製造したパワーモジュール用基板3に、放熱層となる金属層7にヒートシンク5がろう付けされる。このろう付けをノコロックろう付け法で行う場合は、ヒートシンク5の上面にKAlF4系のフラックスを塗布して、その上にパワーモジュール用基板3の金属層7を載置して加圧した状態で、窒素ガス雰囲気炉内で550〜630℃に加熱する。
一方、回路層となる金属層6の上に電子部品4がはんだ付けされる。これらのはんだ付け作業は窒素と水素を混合した還元ガス雰囲気中で行われる。また、その後、大気中で電子部品4と金属層6との間でワイヤボンディングされる。
この一連の工程によってパワーモジュール1が完成する。
一方、回路層となる金属層6の上に電子部品4がはんだ付けされる。これらのはんだ付け作業は窒素と水素を混合した還元ガス雰囲気中で行われる。また、その後、大気中で電子部品4と金属層6との間でワイヤボンディングされる。
この一連の工程によってパワーモジュール1が完成する。
このようにして製造されたパワーモジュール1は、金属層6,7が微細組織となっていることから、金属層6,7の表面にしわが生じることが防止される。しかも、軟質の純アルミニウム金属であるから、ヒートシンク5との熱伸縮差に基づく応力を緩和することができ、接合部の信頼性を長期に維持することができる。
なお、パワーモジュール用基板3にヒートシンク5をノコロックろう付け法等によって接合する場合には、全体が加熱されるが、パワーモジュール用基板3のセラミックス基板2と金属層6,7との接合部においては、これらを常温の直接接合としたことから、従来のろう付けによる場合に比べて、熱処理が1回で済み、しかもセラミックス基板と金属層とをろう付けする場合よりも温度は低く、この熱による影響は少ない。したがって、パワーモジュール用基板3の接合部にしわ等が生じることを防止することができる。
なお、パワーモジュール用基板3にヒートシンク5をノコロックろう付け法等によって接合する場合には、全体が加熱されるが、パワーモジュール用基板3のセラミックス基板2と金属層6,7との接合部においては、これらを常温の直接接合としたことから、従来のろう付けによる場合に比べて、熱処理が1回で済み、しかもセラミックス基板と金属層とをろう付けする場合よりも温度は低く、この熱による影響は少ない。したがって、パワーモジュール用基板3の接合部にしわ等が生じることを防止することができる。
本発明の効果確認のために、アルミニウム純度が99.99wt%の金属層と、窒化アルミニウムのセラミックス基板とを使用し、これらの表面に印加電圧1.5keVのアルゴン原子ビームを10分間照射して接合した。比較例として、これら金属層とセラミックス基板とをAl−Si系ろう材を用いて630℃に加熱して接合したものも作製した。金属層は、一方が600μm、他方が1600μmの厚さとした。いずれも金属層の平均結晶粒径は0.5μm以下のものを用いた。その結晶粒径は、金属層の表面をバレット氏液(塩酸、硝酸、フッ酸の混合液)にてマクロエッチングし、その面積率を偏光顕微鏡を用いて評価した。具体的には、材料表面において、直線で切り取った各粒子の線分の長さと、一定の長さの線分で切り取られる粒子数から粒径を見積もる方法(インターセプト法)により求めた。
このようにして作製したパワーモジュール用基板について、全体の反りを測定したところ、実施例のものは28mm長さ当たり30μm以下であったが、比較例のものは28mm長さ当たり30μmを超えていた。
また、金属層の平均結晶粒径を測定したところ、実施例のものは0.5μm以下で変化していなかったが、比較例のものは3.0μmと大きくなっていた。
このようにして作製したパワーモジュール用基板について、全体の反りを測定したところ、実施例のものは28mm長さ当たり30μm以下であったが、比較例のものは28mm長さ当たり30μmを超えていた。
また、金属層の平均結晶粒径を測定したところ、実施例のものは0.5μm以下で変化していなかったが、比較例のものは3.0μmと大きくなっていた。
次に、そのパワーモジュール用基板において、1600μmの厚さの金属層にヒートシンクをノコロックろう付け法により接合し、他方の600μmの厚さの金属層に電子部品として半導体チップをはんだ付けにより接合した後、熱サイクル試験を実施した。熱サイクル試験としては、−40℃から125℃の温度範囲で昇温と冷却とを3000サイクル繰り返した。
試験後、電子部品と金属層との接合部及びセラミックス基板と金属層との接合部を断面観察した結果、実施例のものには特に異常は認められなかったが、比較例のものは、電子部品とのはんだ接合部における金属層の表面の一部に皺が認められたもの、及びセラミックス基板とヒートシンク側の金属層との接合部にわずかにクラックが認められたものがあった。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
1 パワーモジュール
2 セラミックス基板
3 パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
6,7 金属層
8 はんだ接合層
15 筒体
16 流路
17 縦壁
21 接合装置
22 真空チャンバ
23 ステージ
24 上ラム
25 イオンビーム源
2 セラミックス基板
3 パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
6,7 金属層
8 はんだ接合層
15 筒体
16 流路
17 縦壁
21 接合装置
22 真空チャンバ
23 ステージ
24 上ラム
25 イオンビーム源
Claims (5)
- セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板であって、前記金属層は、その結晶粒の平均粒径が0.5μm以下であり、前記セラミックス基板の表面に直接接合されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
- 前記金属層は、純度99.99wt%以上のアルミニウムからなることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール用基板。
- 28mm長さ当たりの反り量が30μm以下である請求項1又は2記載のパワーモジュール用基板。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板の前記金属層のうちの一方に電子部品がはんだ付けにより接合され、他方の金属層にヒートシンクが接合されていることを特徴とするパワーモジュール。
- セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、結晶粒の平均粒径が0.5μm以下である金属層及びセラミックス基板の表面に真空雰囲気中で表面浄化エッチングを施した後に、前記真空雰囲気中で前記セラミックス基板と前記金属層とのエッチングした面どうしを重ね合わせて接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010073782A JP2011210745A (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010073782A JP2011210745A (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011210745A true JP2011210745A (ja) | 2011-10-20 |
Family
ID=44941535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010073782A Pending JP2011210745A (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011210745A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013089099A1 (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、フラックス成分侵入防止層形成用ペーストおよび接合体の接合方法 |
WO2013141110A1 (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 日本軽金属株式会社 | 放熱器一体型基板の製造方法および放熱器一体型基板 |
JP2014017319A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003063879A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Dowa Mining Co Ltd | 金属と金属またはセラミックスとの接合方法 |
JP2003183730A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Nobuyasu Tsuji | 表層超微細粒材料 |
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2010073782A patent/JP2011210745A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003063879A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Dowa Mining Co Ltd | 金属と金属またはセラミックスとの接合方法 |
JP2003183730A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Nobuyasu Tsuji | 表層超微細粒材料 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013089099A1 (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、フラックス成分侵入防止層形成用ペーストおよび接合体の接合方法 |
WO2013141110A1 (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 日本軽金属株式会社 | 放熱器一体型基板の製造方法および放熱器一体型基板 |
US9474146B2 (en) | 2012-03-19 | 2016-10-18 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Manufacturing method of radiator-integrated substrate and radiator-integrated substrate |
JP2014017319A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201626513A (zh) | 功率模組用基板單元及功率模組 | |
CN102574361B (zh) | 层合材料及其制造方法 | |
JP2004115337A (ja) | アルミニウム−セラミックス接合体 | |
JP2014183119A (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5829403B2 (ja) | 放熱用絶縁基板及びその製造方法 | |
JP6256176B2 (ja) | 接合体の製造方法、パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2021132238A (ja) | 回路基板および半導体モジュール | |
JP6011552B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP5966512B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2019081690A (ja) | 接合体、及び、絶縁回路基板 | |
JP5786569B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5987418B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP7052374B2 (ja) | セラミックス/アルミニウム接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法 | |
JP2011210745A (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP2019085327A (ja) | 接合体、及び、絶縁回路基板 | |
JP5467407B2 (ja) | アルミニウム−セラミックス接合体 | |
JP5772088B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 | |
JP6259625B2 (ja) | 絶縁基板と冷却器の接合構造体、その製造方法、パワー半導体モジュール、及びその製造方法 | |
US9349704B2 (en) | Jointed structure and method of manufacturing same | |
JP6221590B2 (ja) | 絶縁基板と冷却器の接合構造体、その製造方法、パワー半導体モジュール、及びその製造方法 | |
JP2004055576A (ja) | 回路基板及びそれを用いたパワーモジュール | |
JP5614127B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
TWI598929B (zh) | A method of manufacturing a power module substrate | |
JP2011210746A (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP2016048789A (ja) | アルミニウム−セラミックス接合体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131126 |