JP7267030B2 - 金属-セラミックス接合基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1A~図1Bは、本発明による金属-セラミックス接合基板の第1の実施の形態を示し、図2A~図2Bは、その金属-セラミックス接合基板を製造するために使用する鋳型を示している。
図3A~図3Cは、本発明による金属-セラミックス接合基板の第2の実施の形態を示し、図4A~図4Cは、その金属-セラミックス接合基板を製造するために使用する鋳型を示している。
下側鋳型部材の上面に、ベース板の柱状突起部以外の部分(セラミックス基板の一方の面(回路パターン側の面)の周縁部と側面に直接接合した部分と他方の面(裏面)の全面に直接接合した平板状の部分)を形成するための(他方の面(裏面)側の大きさが長さ98mm×幅81mm×厚さ1.3mm、一方の面側の大きさが幅2mm×厚さ1.3mm、長手方向の側面とセラミックス基板の長手方向の側面との距離が14mmで幅方向の側面とセラミックス基板の幅方向の側面との距離が5mmの)(ベース板形成用)凹部(ベース板形成部)が形成され、このベース板形成部の底面の略中央部に、この底面から略垂直方向に隆起した平面形状が略矩形の隆起部(長さ71mm×幅70mm×厚さ0.6mmの大きさの略矩形のセラミックス基板(の対向する部分)を支持する長さ67mm×幅66mm×高さ1.3mmの大きさの隆起部)が形成され、この隆起部の上面の略中央部に、長さ65mm×幅30mm×厚さ1.3mmの大きさの回路パターン用金属板を形成するための2つの(回路パターン形成用)凹部(回路パターン用金属板形成部)がパターン間距離2mm離間して形成され、これらの回路パターン用金属板形成部の各々の底面の略中央部に、長さ14.4mm×幅14mm×厚さ0.2mmの大きさのニッケル板と略等しい形状および大きさの3つの(ニッケル板収容用)凹部(ニッケル板収容部)と14.4mm×9mm×0.2mmの大きさのニッケル板と略等しい形状および大きさの3つの(ニッケル板収容用)凹部(ニッケル板収容部)がそれぞれ離間して2列に形成され、ベース板形成部の底面に、セラミックス基板の長手方向両端部を支持する平面形状が略矩形の2対の基板支持部(長手方向基板支持部)と、セラミックス基板の幅方向両端部を支持する平面形状が略矩形の2対の基板支持部(幅方向基板支持部)が、ベース板形成部の底面から略垂直方向に突出して形成され、これらの基板支持部は、セラミックス基板の一方の面(回路パターン側の面)の周縁部と側面に当接してセラミックス基板を所定の位置で支持するように、それぞれ略L字型の断面を有するように段差(セラミックス基板の一方の面の周縁部に当接する部分の高さが1.3mmでセラミックス基板の側面に当接する部分の高さが1.6mm)が設けられ、上側鋳型部材の底面に、高さ8mm、直径2.4mm、テーパ角度2°の525個の柱状突起部を形成するための(柱状突起形成用)凹部(柱状突起形成部)が形成され、金属ベース板形成部と回路パターン用金属板形成部との間および回路パターン用金属板形成部同士の間に延びる溶湯流路が形成された(図4A~図4Cに示す鋳型120と同様の形状の)カーボン製の鋳型を用意した。
注湯開始から100秒後に、16kPaで加圧しながら冷却して金属溶湯を120秒間で固化(凝固)させた以外は、実施例1と同様の方法により、金属-セラミックス接合基板を作製し、接合状態とを回路パターン用金属板の断面組織を調べるとともに、ビッカース硬さを測定した。その結果、接合状態は良好であり、回路パターン用金属板の断面組織は、亜共晶であり、首都相手、初晶の析出物(Al)と、AlとNiAl3の共晶組織が観察された。また、回路パターン用金属板とニッケル板との接合界面には、ニッケル板側にNiリッチな厚さ数μmの第1のNi-Al合金層が形成され、回路パターン用金属板側に第1のNi-Al合金層よりAlリッチな第2のNi-Al合金層が形成された組織が観察された。また、ニッケル板のビッカース硬さは、厚さ方向中央部で124.2HV、回路パターン用金属板のビッカース硬さは、ニッケル板から100μmの位置で53.2HV、400μmの位置で52.1HV,1000μmの位置で41.0HV、セラミックス基板との界面から25μmの位置で37.5HVであった。また、実施例1と同様の方法により、ニッケル板の半田濡れ性を評価したところ、半田濡れ率は95%以上であり、ニッケル板の半田濡れ性は良好であった。
12、112 ベース板
112a 柱状突起部
14、114 回路パターン用金属板
16、116 ニッケル板
20、120 鋳型
22、122 下側鋳型部材
22a、122a ベース板形成用凹部(ベース板形成部)
22b セラミックス基板収容用凹部(セラミックス基板収容部)
122b 隆起部
22c、122c 回路パターン形成用凹部(回路パターン用金属板形成部)
22d、122d ニッケル板収容用凹部(ニッケル板収容部)
122e 長手方向基板支持部
122f 幅方向基板支持部
24、124 上側鋳型部材
124a 柱状突起形成用凹部(柱状突起形成部)
Claims (13)
- 鋳型内に略水平方向に延びるようにニッケル板とセラミックス基板を互いに離間して配置し、このセラミックス基板の表面に接触するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板をセラミックス基板の一方の面に形成してその回路パターン用金属板の一方の面をセラミックス基板に直接接合させ、その回路パターン用金属板の他方の面にニッケル板を直接接合させるとともに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板の他方の面に形成してセラミックス基板に直接接合させる金属-セラミックス接合基板の製造方法であって、鋳型内への溶湯の注湯開始から10~300秒後に冷却による固化を開始し、冷却による固化の開始から10~300秒間で冷却による固化を終了することを特徴とする、金属-セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記鋳型が上側鋳型部材と下側鋳型部材とからなり、この下側鋳型部材に前記ベース板の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部が形成され、このベース板形成用凹部の底面に、前記セラミックス基板と略等しい形状および大きさのセラミックス基板収容用凹部が形成され、このセラミックス基板収容用凹部の底面に、前記回路パターン用金属板を形成するための回路パターン形成用凹部が形成され、この回路パターン形成用凹部の底面に、前記ニッケル板と略等しい形状および大きさのニッケル板収容用凹部が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記溶湯を冷却して固化させることにより、前記ベース板を前記セラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の全面に形成して前記セラミックス基板に直接接合させ、前記回路パターン用金属板を前記ベース板から離間して前記セラミックス基板の一方の面に形成して前記回路パターン用金属板の一方の面を前記セラミックス基板に直接接合させることを特徴とする、請求項1に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記鋳型が上側鋳型部材と下側鋳型部材とからなり、この下側鋳型部材に前記ベース板の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部が形成され、このベース板形成用凹部の底面に、この底面から略垂直方向に隆起した隆起部が形成され、この隆起部の上面に、前記回路パターン用金属板を形成するための回路パターン形成用凹部が形成され、この回路パターン形成用凹部の底面に、前記ニッケル板と略等しい形状および大きさのニッケル板収容用凹部が形成されていることを特徴とする、請求項3に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記ベース板形成用凹部の底面の周縁部に互いに離間して複数のセラミックス基板支持部が突設され、これらのセラミックス基板支持部に前記セラミックス基板の底面の周縁部が支持されることを特徴とする、請求項4に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記ベース板を形成して前記セラミックス基板に直接接合させる際に、前記ベース板の底面に、互いに離間して突出する多数の柱状突起部を前記ベース板と一体に形成することを特徴とする、請求項3乃至5のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板に直接接合した回路パターン用金属板の表面と、この回路パターン用金属板に直接接合したニッケル板の表面を、薬液でエッチングすることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
- セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に一方の面が直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板と、この回路パターン用金属板の他方の面に直接接合したニッケル板と、セラミックス基板の他方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板とからなり、回路パターン用金属板とニッケル板との接合界面にNi-Al合金層が形成されていることを特徴とする、金属-セラミックス接合基板。
- 前記ベース板が前記セラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の全面に直接接合し、前記回路パターン用金属板の一方の面が前記ベース板から離間して前記セラミックス基板の一方の面に直接接合し、前記セラミックス基板の他方の面の周縁部の一部が外部に露出していることを特徴とする、請求項8に記載の金属-セラミックス接合基板。
- 前記セラミックス基板の側面の一部が外部に露出していることを特徴とする、請求項9に記載の金属-セラミックス接合基板。
- 前記ベース板の前記セラミックス基板と反対側の面に、互いに離間して突出する複数の柱状突起部が、前記ベース板と一体に形成されていることを特徴とする、請求項9または10に記載の金属-セラミックス接合基板。
- 前記回路パターン用金属板のビッカース硬さが、前記セラミックス基板との界面から25μmの位置で70HV以下であることを特徴とする、請求項9乃至11のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板。
- 前記ニッケル板上に、3質量%のAgと0.5質量%のCuを含み、残部がSnからなるフラックス入り半田ペーストを厚さ0.5mmになるように塗布し、半田付け炉により窒素雰囲気において270℃で3分間保持し、放冷した後、ニッケル板の表面が濡れた面積率(半田濡れ率)を測定したときに、半田濡れ率が95%以上であることを特徴とする、請求項9乃至12のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板。
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