WO2022004758A1

WO2022004758A1 - 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法

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Publication number: WO2022004758A1
Application number: PCT/JP2021/024649
Authority: WO
Inventors: まい齊藤; 昭彦岩谷; 瑶子中村; 竜彦浅井; 広道郷原; 翼渡壁; 成実佐藤
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2020-06-30
Filing date: 2021-06-29
Publication date: 2022-01-06
Anticipated expiration: 2022-12-30
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Abstract

一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、絶縁回路基板に載置された半導体チップと、半導体チップおよび回路パターンを電気的に接続する配線部とを備え、配線部は、半導体チップと接続するチップ接続部を有し、チップ接続部の表面は、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを有する半導体モジュールを提供する。

Description

半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法

　本発明は、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法に関する。

　従来から、半導体チップを絶縁回路基板に搭載し、半導体チップと絶縁回路基板の回路パターンとをリードフレーム等の配線部で接続した半導体モジュールが知られている。このような半導体モジュールでは、半導体チップを保護するために、種々の樹脂パッケージが用いられている。（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１　ＷＯ２０１７／１６３５８３

解決しようとする課題

　リードフレーム等の配線部と樹脂パッケージとの剥離を抑制することが好ましい。

一般的開示

　上記課題を解決するために、本発明の一つの態様においては、半導体モジュールを提供する。半導体モジュールは、一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、絶縁回路基板に載置された半導体チップと、半導体チップおよび回路パターンを電気的に接続する配線部とを備えてよい。配線部は、半導体チップと接続するチップ接続部を有してよい。チップ接続部の表面は、複数の凹部を有してよい。チップ接続部の表面は、２つの凹部の間に配置された平面部を有してよい。

　本発明の第２の態様においては、半導体モジュールを提供する。半導体モジュールは、一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、絶縁回路基板に載置された半導体チップと、表面の少なくとも一部分において展開面積比が０．２以上である粗面領域を有し、半導体チップと回路パターンとを接続する配線部と、半導体チップを保護する樹脂パッケージとを備えてよい。

　本発明の第３の態様においては、半導体モジュールを提供する。半導体モジュールは、一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、絶縁回路基板に載置された半導体チップと、半導体チップと回路パターンとを接続する配線部と、半導体チップを保護する樹脂パッケージと、を備えてよい。配線部は、半導体チップと接続するチップ接続部と、回路パターンと接続する回路パターン接続部と、チップ接続部および回路パターン接続部を接続する架橋部とを有してよい。チップ接続部は、半導体チップと向かい合う下面を有してよい。チップ接続部の下面は、架橋部から最も離れた第１の辺を有してよい。チップ接続部の下面には、第１の辺の半分以上の長さにわたって、第１の辺に沿った段差または傾斜が設けられていてよい。

　本発明の第４の態様においては、半導体モジュールを提供する。半導体モジュールは、一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、絶縁回路基板に載置された半導体チップと、半導体チップおよび回路パターンを電気的に接続する配線部とを備えてよい。配線部は、半導体チップと接続するチップ接続部を有してよい。チップ接続部は、主材部を有してよい。チップ接続部は、主材部よりもはんだ濡れ性が低い材料で形成され、先端面において露出して配置された阻害部を有してよい。

　本発明の第５の態様においては、半導体モジュールの製造方法を提供する。半導体モジュールは、一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、絶縁回路基板に載置された半導体チップと、半導体チップおよび回路パターンを電気的に接続する配線部とを備え、配線部は、半導体チップと接続するチップ接続部を有してよい。製造方法においては、チップ接続部の表面に対してレーザー照射し、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成してよい。

　本発明の第６の態様においては、半導体モジュールの製造方法を提供する。半導体モジュールは、一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、絶縁回路基板に載置された半導体チップと、半導体チップおよび回路パターンを電気的に接続する配線部とを備え、配線部は、半導体チップと接続するチップ接続部を有してよい。製造方法においては、チップ接続部の上面に対して、金型により形状を転写し、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成してよい。

本発明の一つの実施形態に係る半導体モジュール１００の一例を示す図である。絶縁回路基板１６０の一例を示す図である。図２のＡ－Ａ断面図である。図３のリードフレーム５０の拡大図である。回路パターン接続部５６の近傍の拡大図である。図３の先端面６６の近傍の拡大図である。リードフレーム５０における展開面積比と、密着強度との関係を示す図である。リードフレーム５０の他の構造例を示す斜視図である。図８のチップ接続部５２の下面６２を示す図である。図９におけるＢ－Ｂ断面を示す図である。図９におけるＣ－Ｃ断面を示す図である。図８のリードフレーム５０を適用した場合の先端面６６の近傍の拡大図である。チップ接続部５２の下面６２の他の例を示す図である。図１３におけるＤ－Ｄ断面を示す図である。図１３におけるＥ－Ｅ断面を示す図である。チップ接続部５２の下面６２の他の例を示す図である。図１６におけるＦ－Ｆ断面を示す図である。図１６におけるＧ－Ｇ断面を示す図である。チップ接続部５２の下面６２の他の例を示す図である。図１９におけるＨ－Ｈ断面を示す図である。図１９におけるＩ－Ｉ断面を示す図である。参考例に係るチップ接続部１５２を示す図である。チップ接続部１５２の頂点２０１近傍の拡大図である。リードフレーム５０の他の例を示す図である。チップ接続部５２の先端面６６の近傍を拡大した図である。先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の一例を示す図である。先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の配置例を示す図である。先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。半導体モジュール１００の製造方法における一部の工程を示す図である。本実施例１～３と参考例１～３との測定結果を示す図である。チップ接続部５２へのレーザー照射を説明する図である。図２９のＳ３４１におけるレーザー照射の一例を示す図である。図２９のＳ３４１におけるレーザー照射の他の例を示す図である。図２９のＳ３４１におけるレーザー照射の他の例を示す図である。図２９のＳ３４１におけるレーザー照射の他の例を示す図である。先端面６６および上面６４の凹部２１０の表面形状の一例を示す図である。先端面６６および上面６４の凹部２１０の形状を説明する図である。上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。半導体モジュール１００の製造方法における一部の工程を示す図である。チップ接続部５２への金型３２０による形状転写を説明する図である。上面６４の凹部２１０および平面部２１２の配置の一例を示す図である。上面６４の凹部２１０および平面部２１２の形状を詳細に説明する図である。半導体モジュール１００の製造方法における一部の工程を示す図である。チップ接続部５２の形状を説明する図である。チップ接続部５２の形状を説明する図である。上面６４および先端面６６の凹部２１０および平面部２１２の配置の一例を示す図である。阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図５４における上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。比較例に係るチップ接続部５２の一例を示す図である。阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図５８における上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。比較例に係るチップ接続部５２へのレーザー照射を説明する図である。阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図６３における上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。重なり部３３２の形状を説明する図である。リードフレーム５０の他の例を示す図である。チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の配置例を示す図である。リードフレーム５０の他の例を示す図である。図３７のチップ接続部５２を拡大した模式図である。リードフレーム５０の他の例を示す図である。チップ接続部５２の下面６２における、阻害部２３０の配置例を示す図である。図３９および図４０のチップ接続部５２を拡大した模式図である。チップ接続部５２の下面６２における、阻害部２３０の他の配置例を示す図である。チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の他の配置例を示す図である。チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の他の配置例を示す図である。チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の他の配置例を示す図である。

　以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、又、本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。また、１つの図面において、同一の機能、構成を有する要素については、代表して符合を付し、その他については符合を省略する場合がある。

　本明細書においては半導体チップの深さ方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、層またはその他の部材の２つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」の方向は、重力方向または半導体モジュールの実装時における方向に限定されない。

　本明細書では、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の直交座標軸を用いて技術的事項を説明する場合がある。直交座標軸は、構成要素の相対位置を特定するに過ぎず、特定の方向を限定するものではない。例えば、Ｚ軸は地面に対する高さ方向を限定して示すものではない。なお、＋Ｚ軸方向と－Ｚ軸方向とは互いに逆向きの方向である。正負を記載せず、Ｚ軸方向と記載した場合、＋Ｚ軸および－Ｚ軸に平行な方向を意味する。本明細書では、半導体チップの上面および下面に平行な直交軸をＸ軸およびＹ軸とする。また、半導体基板の上面および下面と垂直な軸をＺ軸とする。本明細書では、Ｚ軸の方向を深さ方向と称する場合がある。また、本明細書では、Ｘ軸およびＹ軸を含めて、半導体基板の上面および下面に平行な方向を、水平方向と称する場合がある。

　本明細書において「同一」または「等しい」のように称した場合、製造ばらつき等に起因する誤差を有する場合も含んでよい。当該誤差は、例えば１０％以内である。

＝＝本実施形態＝＝
　図１は、本発明の一つの実施形態に係る半導体モジュール１００の一例を示す図である。半導体モジュール１００は、インバータ等の電力変換装置として機能してよい。半導体モジュール１００は、１つ以上の絶縁回路基板１６０を備える。本明細書では、１つ以上の絶縁回路基板１６０が設けられる面における直交軸をＸ軸およびＹ軸とし、ＸＹ面と垂直な軸をＺ軸とする。図１においては、ＸＹ面における各部材の配置例を示している。

＜＜半導体モジュール１００の説明＞＞
　本例の半導体モジュール１００は、それぞれがＵ層、Ｖ層、Ｗ層のアームを構成する３つの絶縁回路基板１６０を備えている。絶縁回路基板１６０には、１つ以上の半導体チップ４０が載置される。半導体チップ４０は、絶縁回路基板１６０を囲む樹脂ケース１０や樹脂ケース１０に充填される封止樹脂１２といった樹脂パッケージ１４により保護される。

　半導体チップ４０は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、ＦＷＤ（Ｆｒｅｅ　Ｗｈｅｅｌ　Ｄｉｏｄｅ）等のダイオードおよびこれらを組み合わせたＲＣ（Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）－ＩＧＢＴ、並びにＭＯＳトランジスタ等を含んでよい。

　樹脂ケース１０は、絶縁回路基板１６０を収容する空間９４を囲むように設けられる。１つ以上の端子８６が、樹脂ケース１０から露出して設けられてよい。端子８６は、端子接続部１９８を介して、絶縁回路基板１６０と電気的に接続されてよい。また、樹脂ケース１０には、冷却装置等を固定するねじ等の締結部材が挿入される貫通孔８４が設けられてよい。

　本例において、樹脂ケース１０は、射出成形により形成可能な熱硬化型樹脂、または、ＵＶ成形により形成可能な紫外線硬化型樹脂、等の樹脂により成形される。当該樹脂は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂、ポリアミド（ＰＡ）樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）樹脂およびアクリル樹脂等から選択される１又は複数の高分子材料を含んでよい。

　本例において、封止樹脂１２は、樹脂ケース１０の内部に設けられる。封止樹脂１２は、例えばエポキシ樹脂やシリコーンゲルであるが、これに限定されない。封止樹脂１２により、絶縁回路基板１６０を保護できる。

　図２は、絶縁回路基板１６０の一例を示す図である。ここでは、代表して１つの相のアームを構成する絶縁回路基板１６０を例示するが、その他の相の絶縁回路基板１６０も同様の構成である。本例の絶縁回路基板１６０は、絶縁基板２０のいずれか一方の面に回路パターン２６を設け、他方の面に放熱板２２（図３参照）を設けたものである。回路パターン２６および放熱板２２は、銅板またはアルミ板、あるいはこれらの材料にめっきを施した板を、窒化ケイ素セラミックスや窒化アルミニウムセラミックス等の絶縁基板２０に直接接合あるいはろう材層を介して接合することで、構成されてよい。

　本例の半導体チップ４０は、絶縁基板２０の上面に設けられた回路パターン２６に半田等の接合層３０（図３参照）を介して接合されている。また、半導体チップ４０は、その上面がはんだ等の接合層３２（図３参照）を介して配線部と接続される。本例の配線部は、リードフレーム５０である。リードフレーム５０は、半導体チップ４０をはんだ等の接合層３４（図３参照）を介して回路パターン２６に接続する。リードフレーム５０は、銅またはアルミニウム等の金属材料で形成された部材である。リードフレーム５０は、ニッケル等により表面の少なくとも一部がメッキされていてもよい。また、リードフレーム５０は、樹脂等により表面の少なくとも一部がコーティングされていてもよい。リードフレーム５０は、板状の部分を有してよい。板状とは、対向して配置された２つの主面の面積が、他の面の面積よりも大きい形状を指す。リードフレーム５０は、少なくとも、半導体チップ４０と接続する部分が板状であってよい。リードフレーム５０は、１枚の金属板を折り曲げることで、形成されてよい。

　回路パターン２６は、半導体チップ４０またはリードフレーム５０と電気的に接続されることで、信号または電力を伝送する。回路パターン２６は、複数の島状領域２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃを含んで構成されてよい。また、半導体チップ４０が回路パターン２６の１つの島状領域に複数配置されてよい。図２の例では、島状領域２６Ａ，２６Ｂのそれぞれに、複数の半導体チップ４０が配置されている。また、１つの島状領域に配置された複数の半導体チップ４０が、リードフレーム５０により、同一の島状領域に接続されてよい。図２の例では、島状領域２６Ａに配置された複数の半導体チップ４０が、Ｙ軸方向に並んだ２つのリードフレーム５０により同一の島状領域２６Ｂに並列に接続されている。また、島状領域２６Ｂに配置された複数の半導体チップ４０が、Ｙ軸方向に並んだ２つのリードフレーム５０により同一の島状領域２６Ｃに並列に接続されている。当該２つのリードフレーム５０において、同一の島状領域２６Ｂまたは２６Ｃに接続される接続部分のＹ軸方向の距離Ｙ１が、２つの半導体チップ４０のＹ軸方向の距離Ｙ２より小さくてよい。これにより、離れて配置された２つの半導体チップ４０を通る電流の経路長の差異を低減できる。

　本例の半導体チップ４０は、上面および下面に電極（例えば、エミッタ電極とコレクタ電極）が形成された縦型のチップである。半導体チップ４０は、下面に形成された電極により回路パターン２６と接続され、上面に形成された電極によりリードフレーム５０と接続される。なお、半導体チップ４０は縦型のチップに限定されない。半導体チップ４０は、回路パターン２６と接続される電極を上面に有していてもよい。この場合、回路パターン２６と当該電極は、ワイヤ等により接続されてよい。

　端子接続部１９８は、回路パターン２６と、図１に示した端子８６とを接続する。端子接続部１９８は、金属で形成された板または棒状の部材であってよく、ワイヤ状の部材であってもよい。これにより、半導体チップ４０と端子８６とが電気的に接続される。

　図３は、図２のＡ－Ａ断面図である。図３は、ＸＺ面に対して各部材を投影した場合の、各部材の配置例を示している。当該側面において、半導体モジュール１００は、絶縁基板２０、放熱板２２、接合層２４、冷却部１６、回路パターン２６、接合層３０，３２，３４、半導体チップ４０、リードフレーム５０および封止樹脂１２を備える。

　放熱板２２は、絶縁基板２０の下面の少なくとも一部または全体を覆っていてよい。接合層２４は、放熱板２２を冷却部１６に接合する。接合層２４は、はんだ等である。冷却部１６は、内部に水等の冷媒を含む。冷却部１６は、放熱板２２等を介して、半導体チップ４０を冷却する。

　回路パターン２６は、絶縁基板２０の上面に配置されている。回路パターン２６は、本例では銅等の放熱板２２と同一の材料で形成されてよく、異なる材料で形成されてもよい。本例の半導体チップ４０は、回路パターン２６の島状領域２６Ａ，２６Ｂの上面に、接合層３０により接続されている。接合層３０は、はんだ等の導電材料により、半導体チップ４０を接合する。

　本例のリードフレーム５０は、半導体チップ４０と、回路パターン２６の島状領域２６Ｂ，２６Ｃとを接続する。本例のリードフレーム５０は、チップ接続部５２、回路パターン接続部５６および架橋部５４を有する。チップ接続部５２は、半導体チップ４０の上面に接合層３２により接合される部分である。回路パターン接続部５６は、回路パターン２６の島状領域２６Ｂ，２６Ｃの上面に接合層３４により接続される部分である。チップ接続部５２および回路パターン接続部５６は、ＸＹ面とほぼ平行な板状の部分であってよい。なお、ほぼ平行とは、例えば角度が１０度以下の状態を指す。本例では、チップ接続部５２の面積が、回路パターン接続部５６の面積より大きく構成される。チップ接続部５２の面積、回路パターン接続部５６の面積は、例えば、半導体チップ４０や回路パターン２６の島状領域２６Ｂ，２６Ｃに接続される板状の部分の上面の面積としてよい。

　架橋部５４は、チップ接続部５２および回路パターン接続部５６を接続する。架橋部５４は、回路パターン２６等の導電部材から離れて配置されている。本例の架橋部５４は、回路パターン２６等の上方に配置されており、チップ接続部５２から回路パターン接続部５６まで、回路パターン２６等を跨ぐように設けられている。

　架橋部５４は、ＸＹ面とほぼ平行な板状の部材である架橋面５４Ａ（図４参照）を有してよい。また、架橋部５４は、チップ接続部５２と、架橋面５４Ａとを接続する脚部５４Ｂ（図４参照）を有してよい。また、架橋部５４は、架橋面５４Ａと、回路パターン接続部５６とを接続する脚部５４Ｃ（図４参照）を有してよい。脚部５４Ｂおよび脚部５４Ｃは、ＸＹ面と平行でない板状の部分であってよい。例えば、脚部５４Ｂおよび脚部５４Ｃは、ＸＹ面に対し角度が４５度以上となるように形成されてよい。本例の脚部５４Ｂおよび脚部５４Ｃは、ＸＹ面と垂直な部分を含んでいる。

　架橋部５４には、架橋部５４の下方に封止樹脂１２を注入するための開口部７４（図２参照）が設けられている。本例の架橋部５４には、ＸＹ面における架橋部５４の内側で、且つ、Ｘ軸方向における架橋部５４の中央付近に複数の開口部７４が設けられている。複数の開口部７４は、Ｘ軸方向における架橋部５４の中央付近でない領域に設けられてもよい。なお、開口部７４は、架橋部５４に限らず、チップ接続部５２や回路パターン接続部５６といった、リードフレーム５０のその他の部位に設けられてもよい。これにより、封止樹脂１２をリードフレーム５０の上下に確実に行きわたらせる事ができる。

　封止樹脂１２は、樹脂ケース１０の内部に設けられる。封止樹脂１２は、半導体チップ４０、リードフレーム５０および回路パターン２６が露出しないように、樹脂ケース１０の空間９４に充填されてよい。

　上述の半導体モジュール１００においては、半導体チップ４０が発熱源となり、半導体チップ４０に接続する配線のチップ接続部５２は、温度変化により膨張収縮を繰り返す。チップ接続部５２の周囲の封止樹脂１２も温度変化により膨張収縮を繰り返すため、配線と封止樹脂１２の線膨張係数を合わせることが望ましい。しかしながら、線膨張係数を一致させたとしても、温度分布や収縮速度の違いにより、チップ接続部５２の先端面６６は剥離を生じやすい。さらに、半導体チップ４０が発熱源であることから、チップ接続部５２は回路パターン接続部５６に比べて、繰り返し熱応力にさらされるリスクが高い。加えて、本例では、チップ接続部５２の面積が、回路パターン接続部５６の面積より大きく構成されている。この点でも、チップ接続部５２は、熱応力にさらされた際のリスクが回路パターン接続部５６よりも高い。

　ここで、脚部５４Ｂ（図４参照）は、封止樹脂１２で拘束されており、動きにくい。この脚部５４Ｂが軸として働くため、チップ接続部５２において、応力により相対的に脆弱になり得る部分は先端面６６（図４参照）と考えられる。言い換えれば、半導体モジュール１００において、応力により相対的に脆弱になり得る部分は、この先端面６６と考えられる。

　チップ接続部５２に発生する応力が高くなるほど、チップ接続部５２と樹脂とが剥離する可能性が高まる。チップ接続部５２と樹脂との剥離が生じると、この剥離を起点とした樹脂割れが発生する可能性がある。したがって、耐久性の高い半導体モジュール１００を実現するためには、チップ接続部５２、とりわけ先端面６６への対策を施すことで、樹脂との剥離を防止し、延いては剥離を起点とした樹脂割れを抑制するのがよい。このため、本例の半導体モジュール１００は、以下に説明する構成を有してよい。

＜＜粗面領域５１の説明＞＞
　図４は、図３のリードフレーム５０の拡大図である。リードフレーム５０は、表面の少なくとも一部分において、粗面領域５１を有する。図４においては、粗面領域５１が設けられた表面を、破線で示している。粗面領域５１は、展開面積比（Ｓｄｒ）が０．２以上の領域である。

　展開面積比とは、所定の定義領域において、所定の平面に投影した場合の投影面積に対する、当該定義領域の表面積の増大割合を表している。例えば、完全に平坦な定義領域は、投影面積と表面積が等しいので、展開面積比は０である。定義領域において凹凸が多い場合、投影面積は変化しないが、表面積が増大するので、展開面積比は大きくなる。粗面領域５１の展開面積比は、０．３以上であってよく、０．４以上であってもよい。

　なお、粗面領域５１の算術平均高さ（Ｓａ）は、１０μｍ以下であってよい。算術平均高さは、粗面領域５１の高さを平均化した面に対する、粗面領域５１の各凹凸の高さまたは深さの平均値である。つまり、粗面領域５１は、細かい凹凸により展開面積比が増大した領域である。粗面領域５１の最大高さ（Ｓｚ）は、１００μｍ以下であってよい。最大高さは、粗面領域５１の各凹凸の最も高い点から最も低い点までの距離を表す。

　本実施形態における展開面積比（Ｓｄｒ）、算術平均高さ（Ｓａ）、最大高さ（Ｓｚ）は、国際規格であるISO25178の定義に従うものとしてよい。また、各パラメータの測定環境としては、以下が例示される。しかし、当然ながらこの測定環境下に限らず、同等の測定環境下で測定した値を用いることも可能である。
　［測定環境の例］
　測定器：キーエンス社製VK-X1100
　コントローラ―部：キーエンス社製VK-X1000
　対物レンズ：Apo×50倍
　カットオフ：ガウシアン
　Sフィルター：なし
　Lフィルター：なし
　F-オペレーション：なし

　粗面領域５１は、リードフレーム５０にレーザーを照射することで形成できる。この場合、リードフレーム５０に対して局所的な粗面領域５１を容易に形成できる。また、粗面領域５１は、リードフレーム５０の一部または全体に所定の粒子を噴射することで形成してよく、リードフレーム５０の一部または全体を所定の溶液に浸すことで形成してよく、他の方法で形成してもよい。

　粗面領域５１は、チップ接続部５２に設けられてよい。半導体モジュール１００においては、半導体チップ４０が発熱源となる。このため、半導体チップ４０に接続されるチップ接続部５２に応力がかかりやすい。リードフレーム５０に応力がかかると、リードフレーム５０と封止樹脂１２とが剥離しやすくなる。

　これに対して、チップ接続部５２に粗面領域５１を設けることで、リードフレーム５０と封止樹脂１２との間の接触面積を増大できるので、封止樹脂１２の剥離を抑制できる。また、局所的に粗面領域５１を設けることで、リードフレーム５０の製造コストを低減しやすくなる。

　チップ接続部５２の表面のうち、架橋部５４（本例では脚部５４Ｂ）から最も離れた面を先端面６６とする。また、チップ接続部５２の表面のうち、半導体チップ４０と向かい合う、すなわち、半導体チップ４０に接合される面を下面６２、下面６２とは逆側の面を上面６４、下面６２と上面６４との間の面のうち先端面６６以外の面を側面６８とする。下面６２および上面６４は、ＸＹ面とほぼ平行な面である。先端面６６および側面６８は、ＸＹ面と平行でない面である。先端面６６および側面６８は、ＸＹ面に対してほぼ垂直であってよい。

　粗面領域５１は、先端面６６の少なくとも一部に設けられることが好ましい。上述のとおり、先端面６６は、相対的に脆弱になり得る部分であって、封止樹脂１２との剥離が発生しやすいためである。先端面６６に粗面領域５１を設けることで、リードフレーム５０と封止樹脂１２との剥離を効果的に抑制できる。粗面領域５１は、先端面６６の半分以上にわたって設けられてよく、先端面６６の全体に設けられていてもよい。先端面６６の一部に粗面領域５１を設ける場合、先端面６６のうち、下面６２と接する部分に粗面領域５１を設けることが好ましい。下面６２と接する部分は、はんだ等の接合層３２と接触する可能性がある部分であり、はんだ等の接合層３２は樹脂剥離の起点を生じる可能性があるためである。当該部分に粗面領域５１を設けることで、封止樹脂１２の剥離を効果的に抑制できる。

　粗面領域５１は、上面６４の少なくとも一部に設けられてよい。上面６４に粗面領域５１を設けることで、リードフレーム５０と封止樹脂１２との剥離を更に抑制できる。粗面領域５１は、上面６４の半分以上にわたって設けられてよく、上面６４の全体に設けられていてもよい。上面６４の一部に粗面領域５１を設ける場合、上面６４のうち、先端面６６と接する部分に粗面領域５１を設けることが好ましい。

　粗面領域５１は、側面６８の少なくとも一部に設けられてよい。側面６８に粗面領域５１を設けることで、リードフレーム５０と封止樹脂１２との剥離を更に抑制できる。粗面領域５１は、側面６８の半分以上にわたって設けられてよく、側面６８の全体に設けられていてもよい。側面６８の一部に粗面領域５１を設ける場合、側面６８のうち、先端面６６と接する部分に粗面領域５１を設けてよい。後述する第３の辺８３に接する側面６８に粗面領域５１を設けてもよい。また、側面６８のうち、下面６２と接する部分に粗面領域５１を設けてよい。

　粗面領域５１は、下面６２に設けられなくてよい。下面６２は、接合層３２を介して、半導体チップ４０と接続されるためである。

　本例では、チップ接続部５２の下面６２には、絶縁回路基板１６０すなわち半導体チップ４０に向かって突出する複数の突起部８８が設けられている。回路パターン接続部５６の下面にも同様に、絶縁回路基板１６０すなわち回路パターン２６の島状領域２６Ｂ，２６Ｃに向かって突出する複数の突起部８８が設けられてよい。突起部８８のＸ軸方向の長さは、チップ接続部５２または回路パターン接続部５６のＸ軸方向の長さの１／４以下であってよく、１／８以下であってもよい。また、突起部８８のＹ軸方向の長さは、チップ接続部５２または回路パターン接続部５６のＹ軸方向の長さの１／４以下であってよく、１／８以下であってもよい。突起部８８を設けることで、チップ接続部５２または回路パターン接続部５６の下面６２を半導体チップ４０または回路パターン２６の島状領域２６Ｂ，２６Ｃの上面に平行に配置し、はんだ等の接合層３２を良好に形成できる。なお、理解を容易にするために、図３、図５、図６では、突起部８８の図示を省略している。

　図５は、回路パターン接続部５６の近傍の拡大図である。上述したように、回路パターン２６の島状領域２６Ｂ，２６Ｃは、リードフレーム５０の回路パターン接続部５６と、接合層３４により接合されている。チップ接続部５２の粗面領域５１における展開面積比は、回路パターン２６における展開面積比よりも大きくてよい。一例として、回路パターン２６の展開面積比は、封止樹脂１２と接触する領域３９の値を用いてよい。回路パターン２６の展開面積比は、０．０８以下である。図５では、回路パターン２６の島状領域２６Ｂの展開面積比を例示して説明したが、回路パターン２６の島状領域２６Ａ，２６Ｃの展開面積比も同様であってよい。

　また、回路パターン接続部５６には、粗面領域５１が設けられていてよく、設けられていなくてもよい。本例の回路パターン接続部５６には、粗面領域５１が設けられていない。つまり、本例の回路パターン接続部５６の各面の展開面積比は、チップ接続部５２に設けられた粗面領域５１の展開面積比よりも小さい。回路パターン接続部５６の各面における展開面積比は、０．２より小さくてよい。回路パターン接続部５６の各面の展開面積比は、０．０８以下であってもよい。

　粗面領域５１は、リードフレーム５０の全面に設けられてもよい。これにより、リードフレーム５０の加工が容易となる場合がある。

　図６は、図３の先端面６６の近傍の拡大図である。本例のリードフレーム５０は、表面の少なくとも一部が、コーティング層１３により覆われてよい。コーティング層１３は、樹脂で形成された熱可塑性の高耐熱皮膜である。コーティング層１３は、各部材をはんだ等で接合した後で、且つ、封止樹脂１２の充填前に、スプレー等で各部材に噴射することで形成されてよい。他の例では、コーティング層１３は、各部材をはんだ等で接合する前に、部材ごとに形成されてもよい。コーティング層１３は、高性能制御ディスペンス装置（液体定量吐出装置）を用いて塗布されてよい。コーティング層１３は、封止樹脂１２よりも耐熱性の高い樹脂で形成されてよい。また、コーティング層１３は、封止樹脂１２よりも柔軟性の高い樹脂で形成されてもよい。コーティング層１３は、例えばポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、またはポリイミド系樹脂で形成されるが、材料はこれに限定されない。

　コーティング層１３は、リードフレーム５０の表面のうち、半導体チップ４０と向かい合う面以外の面に設けられてよく、全体に設けられていてもよい。コーティング層１３は、少なくとも粗面領域５１を覆うことが好ましい。チップ接続部５２においては、先端面６６、上面６４および側面６８を覆うようにコーティング層１３が塗布されていてよい。コーティング層１３の膜厚Ｔ１は、例えば１μｍ以上、１００μｍ以下である。コーティング層１３の膜厚Ｔ１は、好ましくは２μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上であってよい。ここで、コーティング層１３の膜厚Ｔ１は、所定範囲の平均の厚みとしてよい。粗面領域５１を覆うコーティング層１３の表面は、粗面領域５１の凹凸に応じた凹凸を有してよく、粗面領域５１よりも平坦であってもよい。コーティング層１３を設けることで、封止樹脂１２の剥離を更に抑制できる。コーティング層１３に粗面領域５１の凹凸に応じた凹凸が設けられているとは、粗面領域５１と垂直な方向から見たときに、粗面領域５１の凹部とコーティング層１３の凹部が重なる位置に配置され、粗面領域５１の凸部とコーティング層１３の凸部が重なる位置に配置されていることを指す。

　コーティング層１３と封止樹脂１２とは化学結合により結合してよい。コーティング層１３と封止樹脂１２との化学的、機械的、物理的結合により、これらの間の強度を確保することができる。

　ここで、封止樹脂１２とリードフレーム５０の間に、接合層３２のはんだ等が入り込む場合がある。例えば、リードフレーム５０を接合するときに、先端面６６をはんだ等が這い上がる場合がある。リードフレーム５０を接合した後にコーティング層１３を塗布し封止樹脂１２を充填した場合、はんだ等の接合層３２と樹脂との密着性が相対的には良くないため、この部分を起点として樹脂（ここではコーティング層１３）が接合層３２から剥離する可能性が高まる。これに対し、本例では、粗面領域５１を設けることで、樹脂とリードフレーム５０との密着性を高めているため、万が一、樹脂が接合層３２から剥離しても、その樹脂剥離が進展して、樹脂がリードフレーム５０からも剥離してしまうことを抑制できる。

　また、チップ接続部５２は、上述の通り応力がかかりやすい場所であり、いわばこのチップ接続部５２が半導体モジュール１００の樹脂剥離の耐久性を左右する部分である。本例では、チップ接続部５２の粗面領域５１における展開面積比を、回路パターン接続部５６における展開面積比よりも大きくしている。これにより、ボトルネックとなっていた、チップ接続部５２の耐久性を高めることができる。また、相対的に脆弱となり得るチップ接続部５２の展開面積比を、回路パターン接続部５６の展開面積比よりも大きくすることは回路パターン接続部５６には加工等を要しないことを意味するので、必要以上の工程が増えることなく、コストの増加も抑制できる。

　図７は、リードフレーム５０における展開面積比と、密着強度との関係を示す図である。図７においては、樹脂（ここではコーティング層１３）とリードフレーム５０とを引き離そうとする力を増加させた場合に、樹脂が剥離するときの力の大きさを、密着強度としている。図７においては、リードフレーム５０の各領域における展開面積比を変化させて、当該領域における密着強度を測定した。なお、本例では、粗面領域５１の算術平均高さ（Ｓａ）を１０μｍ以下、粗面領域５１の最大高さ（Ｓｚ）を１００μｍ以下とし、凹凸が極度にばらつかない、または、凹凸が極度に高くない条件下で実験を行った。このように算術平均高さ（Ｓａ）、粗面領域５１の最大高さ（Ｓｚ）を所定範囲とすることで、他の製品性能へ影響を及ぼすおそれを回避できる。

　図７に示すように、リードフレーム５０の各領域の展開面積比を０．２以上とすることで、樹脂との密着強度を確保できる。このため、リードフレーム５０に、展開面積比が０．２以上の粗面領域５１を設けることで、封止樹脂１２の剥離を抑制できる。なお、変化させるパラメータを粗面領域５１の展開面積比から、粗面領域５１の算術平均高さ（Ｓａ）または最大高さ（Ｓｚ）にも変更して実験を行ったが、この場合の算術平均高さ（Ｓａ）または最大高さ（Ｓｚ）の密着強度への影響は小さく、粗面領域５１の展開面積比が密着強度を確保するためのパラメータであることが確認された。

　リードフレーム５０は、先端面６６におけるはんだ等の這い上がりを抑制する構造を備えることが好ましい。以下では、このはんだ等の這い上がりを抑制する構造について説明する。

＜＜段差７０または傾斜９０の説明＞＞
　図８は、リードフレーム５０の他の構造例を示す斜視図である。本例では、チップ接続部５２において、半導体チップ４０と向かい合う下面６２には、段差７０が設けられていることが好ましい。また、回路パターン接続部５６の下面にも、チップ接続部５２と同様の段差７０が設けられてよい。なお、図８のリードフレーム５０では、チップ接続部５２、回路パターン接続部５６には、突起部８８は設けられない。

　図９は、図８のチップ接続部５２の下面６２を示す図である。下面６２の外形を構成する辺のうち、架橋部５４から最も離れた辺を第１の辺８１とする。本例において下面６２は、互いに平行な２辺を２組有する略長方形であるが、他の形状であってもよい。下面６２の辺は、直線であってよい。第１の辺８１は、先端面６６と接続している。また、下面６２の辺のうち、架橋部５４に最も近い辺を第２の辺８２とする。下面６２の辺のうち、第１の辺８１と、第２の辺８２との間の辺を第３の辺８３とする。第３の辺８３は、側面６８と接続している。第１の辺８１と、第３の辺８３とは、曲線で接続されていてよい。

　第１の辺８１の長さをＬ１とする。本例の第１の辺８１は、Ｙ軸方向に延びる線である。下面６２が長方形の場合、長さＬ１は、２つの第３の辺８３のＹ軸方向における距離である。下面６２には、第１の辺８１の半分以上の長さにわたって、第１の辺８１に沿った段差７０が設けられている。所定の辺に段差７０が沿っているとは、段差７０の延伸方向と、辺の延伸方向とのなす角度が、１５度以下の状態を指してよく、５度以下の状態を指してよく、０度の状態を指してもよい。

　段差７０は、第１の辺８１と接していてもよい。また、段差７０と第１の辺８１との距離は、第１の辺８１と第２の辺８２とのＸ軸方向の距離の半分以下であってよく、１／４以下であってよく、１／１０以下であってもよい。段差７０は、第１の辺８１のＹ軸方向における長さの１／２以上であってよく、３／４以上であってもよい。段差７０は、第１の辺８１の全体にわたって設けられていてもよい。これにより、最も応力がかかりやすい先端面６６に、はんだ等の接合層３２が這い上がることを抑制できる。

　段差７０は、第３の辺８３に沿って設けられていてもよい。下面６２には、第３の辺８３の半分以上の長さにわたって、第３の辺８３に沿った段差７０が設けられてよい。段差７０は、第３の辺８３と接していてもよい。また、段差７０と第３の辺８３との距離は、長さＬ１の半分以下であってよく、１／４以下であってよく、１／１０以下であってもよい。段差７０は、第３の辺８３のＸ軸方向における長さの１／２以上または３／４以上の長さにわたって設けられてよい。段差７０は、第３の辺８３の全体にわたって設けられていてもよい。これにより、側面６８に、はんだ等の接合層３２が這い上がることを抑制できる。

　第２の辺８２には、段差７０が設けられてよく、設けられていなくてもよい。本例では、第２の辺８２の全体に、段差７０が設けられていない。段差７０は、下面６２の辺のうち、第２の辺８２以外の辺に沿って設けられてよい。このような構成により、接合層３２のはんだ等の量が過剰な場合に、第２の辺８２からはんだ等がはみ出すので、先端面６６等にはんだ等がはみ出すことを抑制できる。

　なお、後述するように、上述の段差７０は、傾斜であってもよい。すなわち、第１の辺８１に沿った、第１の辺８１のＹ軸方向における長さの１／２以上または３／４以上の傾斜を設けてよい。また、第３の辺８３に沿った、第３の辺８３のＸ軸方向における長さの１／２以上または３／４以上の傾斜を設けてよい。

　段差７０は、突出部および溝部の少なくとも一方を含む。突出部は、図８に示した例のように、下面６２から半導体チップ４０に向かって突出している。溝部は、下面６２から半導体チップ４０から離れる方向に窪んでいる。段差７０の側壁は、下面６２に対して垂直であってよく、角度を有したテーパー形状であってもよい。

　図１０は、図９におけるＢ－Ｂ断面を示す図である。Ｂ－Ｂ断面は、ＸＺ断面である。また、本例の段差７０は突出部であるが、溝部であってもよい。段差７０は、先端面６６に沿って配置されている。

　図１１は、図９におけるＣ－Ｃ断面を示す図である。Ｃ－Ｃ断面は、ＹＺ断面である。段差７０は、先端面６６と接続する側面６８に沿って配置されている。

　図１２は、図８のリードフレーム５０を適用した場合の先端面６６の近傍の拡大図である。本例の段差７０は、先端面６６と接して配置された突出部である。下面６２に対する段差７０のＺ軸方向の高さ（または深さ）は、チップ接続部５２のＺ軸方向の厚みの半分以下であってよく、１／４以下であってもよい。図１２に示すように、段差７０を設けることで、はんだ等の接合層３２の端部の位置を規定しやすくなる。つまり、接合層３２の端部の位置は、段差７０の端部の位置と一致しやすくなる。これにより、接合層３２が先端面６６等を這い上がるのを抑制できる。

　段差７０を有するリードフレーム５０は、粗面領域５１が設けられてよく、設けられていなくてもよい。また、リードフレーム５０は、コーティング層１３に覆われてよく、覆われていなくてもよい。

　本例では、リードフレーム５０の下面６２のうち、段差７０が設けられた領域の少なくとも一部にも、粗面領域５１が設けられている。段差７０の全体に粗面領域５１を設けてもよい。これにより、封止樹脂１２の剥離を更に抑制できる。また、下面６２のうち、段差７０が設けられた領域の少なくとも一部が、コーティング層１３で覆われていてもよい。

　図１３は、チップ接続部５２の下面６２の他の例を示す図である。本例の段差７０は、先端面６６と接して配置された溝部である。段差７０の他の構図は、図９から図１２において説明した段差７０と同様である。本例においても、段差７０が、第１の辺８１および第３の辺８３に沿って設けられている。詳細には、段差７０が、第１の辺８１および第３の辺８３に接して設けられている。なお、段差７０は、各辺に接していてよく、離れていてもよい。

　本例では、チップ接続部５２の下面６２には、複数の突起部８８が設けられている。突起部８８は、Ｘ軸およびＹ軸方向における各長さが、段差７０よりも短い。突起部８８のＸ軸方向の長さは、チップ接続部５２のＸ軸方向の長さの１／４以下であってよく、１／８以下であってもよい。また、突起部８８のＹ軸方向の長さは、チップ接続部５２のＹ軸方向の長さの１／４以下であってよく、１／８以下であってもよい。また、突起部８８は、Ｚ軸方向における高さが、段差７０よりも低い。突起部８８を設けることで、半導体チップ４０と、チップ接続部５２との距離を維持できる。

　図１４は、図１３におけるＤ－Ｄ断面を示す図である。Ｄ－Ｄ断面は、ＸＺ断面である。図１５は、図１３におけるＥ－Ｅ断面を示す図である。Ｅ－Ｅ断面は、ＹＺ断面である。段差７０は、先端面６６及び先端面６６と接続する側面６８に沿って配置されている。これにより、溝部である段差７０の後退面７１に、はんだ等の接合層３２のフィレット（裾部分）が形成され、先端面６６および側面６８にはんだ等が這い上がるのを抑制できる。

　図１６は、チップ接続部５２の下面６２の他の例を示す図である。本例の段差７０は、先端面６６および先端面６６と接続する側面６８から離れて配置された溝部である。段差７０の他の構図は、図９から図１５において説明した段差７０と同様である。本例においても、段差７０が、第１の辺８１および第３の辺８３に沿って設けられている。段差７０は、各辺に接していてよく、離れていてもよい。本例では、溝部である段差７０は、第１の辺８１および第３の辺８３から離れて設けられている。また、チップ接続部５２の下面６２には、複数の突起部８８が設けられている。

　図１７は、図１６におけるＦ－Ｆ断面を示す図である。Ｆ－Ｆ断面は、ＸＺ断面である。図１８は、図１６におけるＧ－Ｇ断面を示す図である。Ｇ－Ｇ断面は、ＹＺ断面である。段差７０は、先端面６６および先端面６６と接続する側面６８に沿って配置されている。段差７０は、突起部８８と先端面６６または突起部８８と先端面６６と接続する側面６８の間に配置されている。溝部である段差７０にはんだ等の接合層３２が収容され、ここを起点としてはんだ等のフィレットが形成されることで、先端面６６および側面６８にはんだ等が這い上がるのを抑制できる。

　図１９は、チップ接続部５２の下面６２の他の例を示す図である。本例では、チップ接続部５２の下面６２には、傾斜９０が設けられている。傾斜９０は、下面６２の外側に行くほど半導体チップ４０から離れるように、所定の角度で傾いている。他の構造は、上述したチップ接続部５２と同様である。突起部８８は、Ｚ軸方向における高さが、傾斜９０よりも低くてよい。

　図２０は、図１９におけるＨ－Ｈ断面を示す図である。Ｈ－Ｈ断面は、ＸＺ断面である。傾斜９０は、先端面６６に接して配置されている。詳細には、傾斜９０は、下面６２から、先端面６６まで設けられている。つまり、傾斜９０は、下面６２の角部、すなわち、下面６２と先端面６６とを接続する角を面取りすることで形成されている。傾斜９０と下面６２との角度は、２０度以上、７０度以下であってよい。

　テーパー状の傾斜９０を設けることで、接合層３２のフィレットは、傾斜９０の角度に応じた形状で安定化する。このため、接合層３２のフィレットの形状を安定化できる。したがって、接合層３２のフィレット形状のばらつきに起因した、樹脂の剥離を抑制できる。また、傾斜９０は、角の面取りで形成可能なため、加工が容易である。

　図２１は、図１９におけるＩ－Ｉ断面を示す図である。Ｉ－Ｉ断面は、ＹＺ断面である。傾斜９０は、先端面６６と接続する側面６８に接して配置されている。図２０の例と同様に、傾斜９０は、下面６２に対して角度を有している。傾斜９０は、下面６２から、先端面６６と接続する側面６８まで設けられている。つまり、傾斜９０は、下面６２の角部、すなわち、下面６２と、先端面６６と接続する側面６８との角を面取りすることで形成されている。傾斜９０と下面６２との角度は、２０度以上、７０度以下であってよい。これにより、接合層３２のフィレット形状を安定化できる。本例では、傾斜９０は、下面６２の外側に行くほど半導体チップ４０から離れるように、所定の角度で傾いているものとしたが、下面６２の外側に行くほど半導体チップ４０に近づくように形成してもよい。

＜＜阻害領域２５１の説明＞＞
　図２２は、参考例に係るチップ接続部１５２を示す図である。チップ接続部１５２は、粗面領域５１が設けられていない点を除き、チップ接続部５２と同一の構造を有する。チップ接続部１５２の先端面６６または側面６８は、はんだ濡れ性を有する。このため、先端面６６または側面６８に沿って、はんだ３２が這い上がる場合がある。

　先端面６６または側面６８に沿ってはんだ３２が這い上がった後にコーティング層１３を形成すると、チップ接続部１５２の先端面６６または側面６８と、コーティング層１３との間にはんだ３２が介在してしまう。コーティング層１３と、はんだ３２の間の接合力は比較的に弱い。このため、熱応力等によりコーティング層１３が剥離してしまう場合がある。図２２に示すように、はんだ３２が先端面６６の頂点２０１近傍まで這い上がると、チップ接続部５２と先端面６６等が接する面積が小さくなるので、さらにコーティング層１３が剥離しやすくなる。また、コーティング層１３の剥離が進展すると、封止樹脂１２に亀裂が生じる場合もある。

　図２３は、チップ接続部１５２の頂点２０１近傍の拡大図である。上述したように、はんだ３２が頂点２０１の近傍まで這い上がると、頂点２０１の近傍でコーティング層１３が剥離する場合がある。図２３においては、コーティング層１３が剥離したことにより生じた空間２０２を示している。

　コーティング層１３の剥離がさらに進展すると、はんだ３２とコーティング層１３との密着強度が不足するため、熱応力によりはんだ３２が動きやすく、コーティング層１３に亀裂２０３が発生する可能性がある。亀裂２０３が封止樹脂１２まで到達すると、封止樹脂１２にも亀裂２０４が生じる場合がある。亀裂２０４が生じると、リードフレーム５０および半導体チップ４０等を十分に保護できない。

　図２４は、リードフレーム５０の他の例を示す図である。本例のリードフレーム５０は、チップ接続部５２の表面に図１から図２１において説明した粗面領域５１に代えて、阻害領域２５１を備える。阻害領域２５１以外の構造は、図１から図２１において説明したいずれかの形態と同一であってよい。

　阻害領域２５１は、はんだの濡れ広がりを阻害する。つまり阻害領域２５１は、阻害領域２５１が設けられていないリードフレーム５０の表面に比べて、はんだ濡れ性が低い領域である。はんだ濡れ性は、所定質量のはんだを対象面に載置して所定条件で加熱した場合に、はんだが広がった領域を平面に投影した面積の大きさで示されてよい。また、はんだ濡れ性は、垂直に配置した対象面の下端に所定質量のはんだを配置して、所定条件で加熱した場合に、はんだが対象面を這い上がった高さで示されてもよい。

　阻害領域２５１は、少なくともチップ接続部５２の先端面６６に設けられている。阻害領域２５１は、先端面６６の一部の領域に設けられてよく、先端面６６の全体に設けられてもよい。これにより、最も熱応力が集中しやすい先端面６６におけるはんだの這い上がりを抑制でき、コーティング層１３の剥離を抑制できる。阻害領域２５１は、チップ接続部５２の少なくとも一つの側面６８にも設けられてよい。阻害領域２５１は、各側面６８に設けられてよい。阻害領域２５１は、側面６８の一部の領域に設けられてよく、側面６８の全体に設けられてもよい。阻害領域２５１は、チップ接続部５２の上面６４にも設けられてよい。阻害領域２５１は、上面６４の一部の領域に設けられてよく、上面６４の全体に設けられてもよい。阻害領域２５１は、回路パターン接続部５６にも設けられてよく、設けられていなくてもよい。図２４の例では、回路パターン接続部５６には、阻害領域２５１が設けられていない。阻害領域２５１は、リードフレーム５０の表面全体に設けられてもよい。

　図２５は、チップ接続部５２の先端面６６の近傍を拡大した図である。図２５においては、先端面６６および上面６４に設けられた阻害領域２５１を示しており、側面６８の阻害領域２５１を省略している。

　本例の阻害領域２５１は、リードフレーム５０の表面に、複数の凹部２１０と、複数の平面部２１２とが形成された領域である。リードフレーム５０の表面に複数の凹部２１０を設けることで、チップ接続部５２の表面に段差が形成され、はんだ３２が濡れ広がることを抑制できる。

　図２６は、先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の一例を示す図である。なお、他の面に形成された阻害領域２５１も、先端面６６の阻害領域２５１と同様の構造を有してよい。凹部２１０は、先端面６６の表面Ｓよりも窪んだ部分である。平面部２１２は、先端面６６のうち、凹部２１０が形成されずに残存した部分である。複数の平面部２１２は、同一面上（図２６では表面Ｓ上）に配置されてよい。

　所定の方向において隣り合う２つの凹部２１０の間には、平面部２１２が配置されている。複数の凹部２１０は、先端面６６において二次元的に配置されてよい。複数の凹部２１０は、少なくとも２つの方向に沿って周期的に配置されてよい。一つの方向における凹部２１０の周期（または間隔）は、一定であってよく、一定でなくてもよい。図２６においては、高さ方向（Ｚ軸方向）において一定周期で配置された凹部２１０および平面部２１２を示している。

　それぞれの凹部２１０の最大幅Ｗは、１０μｍ以上であってよい。最大幅Ｗは、表面Ｓにおける凹部２１０の幅のうち、最大の幅を指す。例えば、表面Ｓにおける凹部２１０の形状が円の場合、最大幅Ｗは、表面Ｓにおける凹部２１０の直径である。表面Ｓにおける凹部２１０の形状が正方形の場合、最大幅Ｗは、表面Ｓにおける凹部２１０の対角線長である。凹部２１０を大きくすることで、凹部２１０内にはんだを貯留することができ、はんだが濡れ広がることを抑制できる。最大幅Ｗは、１５μｍ以上であってよく、２０μｍ以上であってよく、３０μｍ以上であってもよい。

　それぞれの凹部２１０の深さＤは、１μｍ以上であってよい。深さＤは、表面Ｓに対する、凹部２１０の最大深さを指す。深さＤを大きくすることで、表面Ｓにおける段差を大きくでき、また、凹部２１０の容積を大きくできる。これにより、はんだが濡れ広がることを抑制できる。深さＤは、３μｍ以上であってよく、５μｍ以上であってよく、１０μｍ以上であってもよい。なお、深さＤは、最大幅Ｗよりも小さくてよく、最大幅Ｗの半分よりも小さくてよい。

　隣り合う凹部２１０の中心２１１の間隔Ｐは、１０μｍ以上であってよい。中心２１１は、表面Ｓにおける凹部２１０の中心である。中心２１１は、表面Ｓにおける凹部２１０の幾何学形状の重心を指してよい。間隔Ｐが小さくなりすぎると、はんだの濡れ広がりを抑制できない。例えば間隔Ｐが最大幅Ｗより小さい場合には、凹部２１０が重なりあってしまう。この場合、重なりあった複数の凹部２１０に渡ってはんだが広がりやすくなる。間隔Ｐは、最大幅Ｗより大きいことが好ましい。間隔Ｐは、最大幅Ｗより１μｍ以上大きくてよく、３μｍ以上大きくてよく、５μｍ以上大きくてもよい。平面部２１２の長さＬは、１μｍ以上であってよい。長さＬは、隣り合う２つの凹部２１０の最短距離である。長さＬは、３μｍ以上であってよく、５μｍ以上であってもよい。なお、間隔Ｐ、長さＬともに、深さＤよりも大きくてよい。

　図２７は、先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の配置例を示す図である。なお、各図において、先端面６６に配置されている凹部２１０の個数は一例であり、凹部２１０の個数は図示した例に限定されない。

　凹部２１０は、先端面６６の少なくとも２つの方向において周期的に配置されている。図２７の例では、チップ接続部５２の下面６２と平行な横方向（Ｙ軸方向）と、下面６２と垂直な高さ方向（Ｚ軸方向）の２つの方向において周期的に配置されている。横方向および高さ方向は、互いに垂直な方向である。

　平面部２１２は、任意の方向において隣り合う２つの凹部２１０の間に配置されている。図２７の例では、先端面６６において凹部２１０が形成されていない領域が平面部２１２である。例えば平面部２１２は、横方向において隣り合う２つの凹部２１０の間、および、高さ方向において隣り合う２つの凹部２１０の間に配置されている。また、先端面６６における平面部２１２は、互いに接続されていてよい。

　図２８は、先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。本例の先端面６６は、凹部２１０が周期的に配置される方向が、図２７の例と相違する。他の構造は、図２７の例と同様である。

　凹部２１０は、第１方向および第２方向に沿って周期的に配置されている。図２７の例においては、第１方向および第２方向は直交している。本例では、第１方向および第２方向は、斜めに交差する。一例として第１方向はＹ軸方向であり、第２方向はＹ軸と斜めに交差する方向である。

　複数の凹部２１０は、チップ接続部５２の下面６２と平行な横方向（Ｙ軸方向）において、予め定められた間隙を有して配置される。当該間隙には、平面部２１２が配置されてよい。図２８の例では、凹部２１０－１および凹部２１０－２の間に平面部２１２－１が配置されている。

　複数の凹部２１０は、高さ方向（Ｚ軸方向）において、間隙（平面部２１２－１）と並んで配置された凹部２１０－３を含む。凹部２１０－３は、第２方向において、凹部２１０－１と隣り合う凹部２１０である。凹部２１０－３は、横方向（Ｙ軸方向）において、凹部２１０－１と凹部２１０－２の中央に配置されてよい。

　本例によれば、下面６２から上面６４まで、平面部２１２がＺ軸方向に一直線に配置されることを防げる。このため、はんだが、下面６２から上面６４まで、最短距離で這い上がることを抑制できる。横方向（Ｙ軸方向）において、凹部２１０の幅は、間隙（平面部２１２－１）の幅よりも大きいことが好ましい。間隙（平面部２１２－１）の幅は、横方向において当該間隙を挟む２つの凹部２１０－１および凹部２１０－２の最短距離である。

＜＜粗面領域５１・阻害領域２５１の製造方法;レーザー粗化の説明＞＞
　図２９は、半導体モジュール１００の製造方法における一部の工程を示す図である。本例では、チップ接続部５２の表面、具体的には少なくとも先端面６６に対してレーザー照射し、複数の凹部２１０と、平面部２１２を形成する（Ｓ３４１）。Ｓ３４１においては、各側面６８および上面６４にも、複数の凹部２１０と平面部２１２を形成してよい。

　次に、はんだ３２により、リードフレーム５０を半導体チップ４０にはんだ付けする（Ｓ３４２）。Ｓ３４２の前に、先端面６６等に凹部２１０および平面部２１２を形成しているので、先端面６６等におけるはんだ３２の這い上がりを抑制できる。

　次に、コーティング層１３を形成する（Ｓ３４３）。Ｓ３４３においては、リードフレーム５０およびはんだ３２の表面に、コーティング層１３を形成してよい。Ｓ３４３の後に、封止樹脂１２により、リードフレーム５０および半導体チップ４０等を封止してよい。これにより、半導体モジュール１００を形成できる。

　図３０は、本実施例１～３と参考例１～３との測定結果を示す図である。本実施例１～３では、チップ接続部５２の表面にレーザーが重ならないように照射、すなわち、複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成したものである。なお、本実施例２では、凹部２１０の形状が円であるので、間隔Ｐと最大幅Ｗとが同じであっても、円と円との間には平面部２１２が生じる。上述のように、長さＬは、隣り合う２つの凹部２１０の最短距離であり、言い換えれば最小長さＬとなる。したがって、円と円との間のＺ軸方向における長さは一定ではなく、最短距離でない部分には、平面部２１２が生じる。参考例１～３は、チップ接続部５２の表面にレーザーを重ね打ちしたものである。詳細には、参考例１～３では、２つの凹部２１０の間に平面部２１２が生じないようにレーザーを重ね打ちしている。参考例１では、参考例２や参考例３よりも重ね打ちする際のレーザー照射の間隔Ｐを大きくしている。

　図３０のはんだ広がりは、はんだが広がった面積を示す指標である。図３０において、凹部２１０を形成しない先端面６６のはんだ広がりを０とする。凹部２１０を形成しない先端面６６に比べてはんだ広がりが大きい場合の広がり度合いをプラスの数値、はんだ広がりが小さい場合の広がる度合いをマイナスの数値で示している。図３０に示すように、２つの凹部２１０の間に平面部２１２を設けた実施例１～３では、凹部２１０を形成しない場合に比べてはんだ広がりが小さくなる傾向がみられた。また、２つの凹部２１０の間に平面部２１２を設けた実施例１～３では、平面部２１２を形成せずに凹部２１０のみを設けた参考例１～３に比べてもはんだ広がりが小さくなる傾向がみられた。

　なお、図２４から図２９の例において説明したリードフレーム５０は、図１から図２３において説明した粗面領域５１を有してよい。先端面６６が粗面領域５１を有してよく、側面６８が粗面領域５１を有してよく、上面６４が粗面領域５１を有してもよい。図２４から図２９において説明した阻害領域２５１は、粗面領域５１として機能してもよい。つまり阻害領域２５１は、展開面積比が０．２以上であってよい。また、先端面６６の全体が、展開面積比が０．２以上であってもよい。また、平面部２１２に、粗面領域５１が形成されてもよい。例えば先端面６６に粗面領域５１を形成した後に、レーザー照射等により複数の凹部２１０を形成してもよい。以降に説明する、図３１～図４５のリードフレーム５０も同様である。

　実施例１および実施例２では、阻害領域２５１の展開面積比が０．２以上となり、粗面領域５１として機能する。したがって、はんだの濡れ広がりを阻害するとともに、コーティング層１３等の樹脂とリードフレーム５０との密着性を高めてことが可能となる。

　なお、図２５に示すように、先端面６６における少なくとも一部の凹部２１０は、はんだ３２と接していてよい。はんだ３２と接する領域に凹部２１０を形成することで、はんだ３２の這い上がりを抑制できる。少なくとも一部の凹部２１０において、凹部２１０の内部にはんだ３２（接合層３２）が設けられてよい。先端面６６における一部の凹部２１０は、コーティング層１３と接していてよい。上面６４に最も近い凹部２１０はコーティング層１３と接しており、下面６２に最も近い凹部２１０は、はんだ３２と接していてよい。

　図３１は、チップ接続部５２へのレーザー照射を説明する図である。図３１では、チップ接続部５２の先端面６６の近傍と、光源３１０とを模式的に示している。本例において、光源３１０は、チップ接続部５２の表面にレーザー３１２を照射する。チップ接続部５２の表面にレーザー３１２を１回照射することにより、１つの凹部２１０を形成できる。凹部２１０が形成されずに残存した面が、平面部２１２となる。図３１では、先端面６６に対してレーザー照射し、１つの凹部２１０と、平面部２１２を形成している。

　図３２は、図２９のＳ３４１におけるレーザー照射の一例を示す図である。Ｓ３４１において、光源３１０は、チップ接続部５２の置き換えなしに、チップ接続部５２の表面にレーザー３１２を照射する。つまり本例では、チップ接続部５２の配置を固定している。そして、光源３１０のレーザー照射角度を変更することにより、チップ接続部５２の表面の複数の位置にレーザー３１２を照射する。光源３１０は、チップ接続部５２の表面に複数のレーザー３１２を順次照射する。これにより、チップ接続部５２の表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成し、チップ接続部５２の表面に阻害領域２５１を設けることができる。本例では、先端面６６の表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成している。また、光源３１０は、焦点位置を変えずに、複数のレーザー３１２を照射してよい。本例では、焦点位置を、先端面６６のいずれかの位置に合わせてよい。それぞれの凹部２１０の形状または大きさは異なっていてもよい。

　なお、本例では、先端面６６の表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成しているが、上面６４の表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成してもよい。この場合、先端面６６の表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成し、チップ接続部５２を置き換えることで、上面６４の表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成することができる。なおチップ接続部５２を置き換えるとは、光源３１０に対するチップ接続部５２の各面の相対位置を変更することを指す。また、複数の光源３１０により、チップ接続部５２の表面にレーザー３１２を照射してもよい。例えば、１つの光源３１０は、先端面６６の表面にレーザー３１２を照射し、他の１つの光源３１０は、上面６４の表面にレーザー３１２を照射する。このような構成でも、先端面６６の表面および上面６４の表面に阻害領域２５１を設けることができる。また、図３２における光源３１０は、ＸＺ面内で照射角度を変更しているが、光源３１０は、ＹＺ面内の照射角度を変更してもよい。つまり、図３２における光源３１０は、チップ接続部５２の表面を１つの方向に走査しているが、光源３１０は、チップ接続部５２の表面を複数の方向に走査してもよい。光源３１０は、同時に複数のレーザー３１２を照射できる装置であってもよい。

　図３３は、図２９のＳ３４１におけるレーザー照射の他の例を示す図である。光源３１０は、チップ接続部５２の少なくとも２つの表面に対して共通の光源３１０でチップ接続部５２の置き換えなしにレーザー照射する。本例では、チップ接続部５２のそれぞれの表面に対して、レーザー光源の配置を変えずに照射角度を変更することでレーザー３１２を照射する。つまり、チップ接続部５２の配置を固定し、光源３１０は、光源３１０の照射角度を変更することにより、チップ接続部５２の少なくとも２つの表面に複数のレーザー３１２を照射する。光源３１０は、チップ接続部５２の表面に複数のレーザー３１２を順次照射してよい。このようにすることで、チップ接続部５２の少なくとも２つの表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成し、チップ接続部５２の少なくとも２つの表面に阻害領域２５１を設けることができる。本例では、先端面６６の表面および上面６４の表面に複数の凹部２１０と、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２とを形成している。

　本例において、光源３１０は、チップ接続部のそれぞれの表面に対して、斜めにレーザー３１２を照射する。図３３において、光源３１０は、先端面６６の表面および上面６４の表面に対して、全てのレーザー３１２を斜めに照射している。つまり、レーザー３１２は、先端面６６の表面および上面６４の表面に対して、垂直に照射されていない。斜めにレーザー３１２を照射することにより、チップ接続部５２の少なくとも２つの表面に対して共通の光源３１０でチップ接続部５２の置き換えなしにレーザー３１２を照射することができる。

　光源３１０は、チップ接続部５２のそれぞれの表面に対して、焦点位置を変えずに、複数のレーザー３１２を照射してよい。焦点位置を変えずに、複数のレーザー３１２を照射することにより、複数のレーザー３１２を連続で照射することができ、処理時間の短縮が可能である。焦点位置は、例えば、角６５に合わせる。角６５は、チップ接続部５２の２つの表面が交差する部分である。図３３の例では、上面６４と先端面６６とが交差する部分を角６５としている。焦点位置は、先端面６６のいずれかの位置に合わせてもよい。焦点位置は、上面６４のいずれかの位置に合わせてもよい。焦点位置に近い点にレーザーを照射すると、凹部２１０の深さは深くなる。焦点位置は、角６５に合わせてよい。角６５の近傍の凹部２１０を深く形成することで、応力が集中しやすい角６５の近傍におけるチップ接続部５２と封止樹脂１２との剥離を抑制できる。また焦点位置は、先端面６６に合わせてもよい。先端面６６に形成される凹部２１０を深くすることで、先端面６６においてはんだが這い上がるのを抑制できる。

　図３４、図３５は、図２９のＳ３４１におけるレーザー照射の他の例を示す図である。図３４、図３５は、光源３１０の位置が図３３と異なる。図３４において、光源３１０は、図３３と比べて、先端面６６側に設けられている。図３５において、光源３１０は、図３３と比べて、上面６４側に設けられている。

　図３６は、先端面６６および上面６４の凹部２１０の表面形状の一例を示す図である。図３６において、図３４、図３５の凹部２１０の表面形状の一例を示している。また、図３６において、先端面６６の凹部２１０の表面形状の長手方向（図３４、図３５のＺ軸方向）の長さをＬ１とし、上面６４の凹部２１０の表面形状の長手方向（図３４、図３５のＸ軸方向）の長さをＬ２とする。

　図３４において、光源３１０は、図３３と比べて、先端面６６側に設けられている。したがって、図３３と比べて、上面６４と上面６４に入射するレーザー３１２のなす角度が小さくなっている。そのため、上面６４の凹部２１０の表面形状の長手方向の長さＬ２が先端面６６の凹部２１０の表面形状の長手方向の長さＬ１より大きくなっている。本例において、Ｌ１／Ｌ２は、０．５である。

　図３５において、光源３１０は、図３３と比べて、上面６４側に設けられている。したがって、図３３と比べて、先端面６６と先端面６６に入射するレーザー３１２のなす角度が小さくなっている。そのため、先端面６６の凹部２１０の表面形状の長手方向の長さＬ１が上面６４の凹部２１０の表面形状の長手方向の長さＬ２より大きくなっている。本例において、Ｌ１／Ｌ２は、１．２である。

　光源３１０とチップ接続部５２の相対位置を変更することにより、先端面６６および上面６４の凹部２１０の表面形状を変えることが可能である。Ｌ１／Ｌ２は、０．５以上であってよい。Ｌ１／Ｌ２は、１．２以下であってよい。

　図３７は、先端面６６および上面６４の凹部２１０の形状を説明する図である。図３７において、上面６４には、凹部２１０－１および凹部２１０－２が設けられている。凹部２１０－１は、凹部２１０－２より先端面６６側に設けられている。また、凹部２１０－１のＸ軸方向における中心をＣ１、凹部２１０－１のＸ軸方向における中心をＣ２とする。図３７において、先端面６６には、凹部２１０－３および凹部２１０－４が設けられている。凹部２１０－３は、凹部２１０－４より上面６４側に設けられている。また、凹部２１０－３のＺ軸方向における中心をＣ３、凹部２１０－４のＺ軸方向における中心をＣ４とする。

　本例において、チップ接続部５２のそれぞれの表面に対して、斜めにレーザー３１２を照射する。したがって、凹部２１０の底部３１４の位置は、凹部２１０の中心からずれる。本例において、上面６４に形成された少なくとも１つの凹部２１０の底部３１４は、当該凹部２１０の中心よりチップ接続部５２の先端面６６と逆側に配置されている。つまり、凹部２１０－１の底部３１４－１は、当該凹部２１０－１の中心Ｃ１より先端面６６と逆側に配置されている。凹部２１０－２の底部３１４－２は、当該凹部２１０－２の中心Ｃ２より先端面６６と逆側に配置されている。

　また、先端面６６に形成された少なくとも１つの凹部２１０の底部３１４は、当該凹部２１０の中心よりチップ接続部の上面６４と逆側に配置されていてよい。つまり、凹部２１０－３の底部３１４－３は、当該凹部２１０－３の中心Ｃ３より上面６４と逆側に配置されていてよい。凹部２１０－４の底部３１４－４は、当該凹部２１０－４の中心Ｃ４より上面６４と逆側に配置されていてよい。先端面６６に形成された少なくとも１つの凹部２１０の底部３１４は、当該凹部２１０の中心に略一致して配置されてもよい。

　焦点位置を角６５に合わせた場合、角６５に離れるに従って、凹部２１０の深さは、浅くなる。したがって、上面６４に形成された凹部２１０の深さは、先端面６６と離れるに従って、浅くなる。凹部２１０の深さとは、底部３１４における深さである。本例において、凹部２１０－２の深さＤ２は、凹部２１０－１の深さＤ１より小さい。また、先端面６６に形成された凹部２１０の深さは、上面６４と離れるに従って、浅くなる。つまり、凹部２１０－４の深さＤ４は、凹部２１０－３の深さＤ３より小さい。

　図３３、図３４および図３５に形成された凹部２１０は、上面６４および先端面６６のそれぞれにおいて同一であるが、図３３、図３４および図３５に形成された凹部２１０も図３７の凹部２１０の形状を有していてもよい。つまり、図３３、図３４および図３５において、上面６４に形成された少なくとも１つの凹部２１０の底部３１４は、当該凹部２１０の中心よりチップ接続部５２の先端面６６と逆側に配置されていてもよい。図３３、図３４および図３５において、先端面６６に形成された少なくとも１つの凹部２１０の底部３１４は、当該凹部２１０の中心よりチップ接続部の上面６４と逆側に配置されていてもよい。図３３、図３４および図３５において、上面６４に形成された凹部２１０の深さは、先端面６６と離れるに従って、浅くなってもよい。図３３、図３４および図３５において、先端面６６に形成された凹部２１０のみ図３７の凹部２１０の形状を有していてもよい。

　図３８、図３９、図４０および図４１は、上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。各図において、上面６４および先端面６６のＹ軸方向を共通にして示している。凹部２１０は、図３８に示すように、直線上に配置されてよい。凹部２１０は、図３９に示すように、格子状に配置されてよい。また、凹部２１０は、図４０および図４１に示すように、上面６４の全体に凹部２１０が配置されなくてもよい。図４０および図４１では、上面６４において先端面６６および側面６８近傍にのみ凹部２１０が配置されている。図３８、図３９、図４０および図４１では、上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置を示したが、凹部２１０は、下面６２および先端面６６に配置されてもよい。

　図４２は、先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。本例の先端面６６は、凹部２１０の形状が、図２７または、図２８の例と相違する。他の構造は、図２７または図２８の例と同様である。

　本例の凹部２１０は、横方向（Ｙ軸方向）における幅が、高さ方向（Ｚ軸方向）における幅よりも大きい。本例によれば、平面部２１２を通って下面６２から上面６４まで至る経路を長くできる。このため、はんだの這い上がりを更に抑制できる。凹部２１０は、先端面６６において、長円、楕円、または、長方形等の形状を有してよい。凹部２１０の横方向の幅は、高さ方向の幅の１．５倍以上であってよく、２倍以上であってよく、３倍以上であってもよい。なお、凹部２１０は、横方向において複数設けられる。つまり、凹部２１０の横方向の幅は、先端面６６の横方向の幅の半分よりも小さい。

　図４３は、先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。本例の先端面６６は、凹部２１０の形状が、図２７、図２８、または図４２の例と相違する。他の構造は、図２７、図２８、または図４２の例と同様である。

　本例では、先端面６６における凹部２１０の形状が、窪み部２１４を有する。窪み部２１４は、凹部２１０の下面６２側の端辺が、上面６４側に窪んだ部分である。窪み部２１４に接する平面部２１２は、上側と、横方向における両側の３方向において、凹部２１０に囲まれている。このため、窪み部２１４に到達したはんだが、更に上面６４側に這い上がることを抑制できる。

　図４４は、先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。本例の先端面６６は、凹部２１０の配置が、図２７、図２８、図４２または図４３の例と相違する。他の構造は、図２７、図２８、図４２または図４３の例と同様である。

　本例では、横方向（Ｙ軸方向）における複数の凹部２１０の密度は、高さ方向（Ｚ軸方向）における複数の凹部２１０の密度よりも高い。凹部２１０の密度は、各方向において隣り合う２つの凹部２１０の間隔の逆数であってよい。凹部２１０の間隔は、図２６において説明した間隔Ｐである。図４２の例では、横方向における凹部２１０の間隔ＰＹは、高さ方向における凹部２１０の間隔ＰＺよりも小さい。間隔ＰＺは、間隔ＰＹの１．５倍以上であってよく、２倍以上であってもよい。本例によれば、凹部２１０の横方向における間隔ＰＹが小さいので、はんだが、横方向に並んだ２つの凹部２１０の間を通過することを抑制できる。

　図４５は、先端面６６における凹部２１０および平面部２１２の他の配置例を示す図である。本例の先端面６６は、凹部２１０の配置が、図２７、図２８または図４２から図４４までの例と相違する。他の構造は、図２７、図２８または図４２から図４４までのいずれかの例と同様である。

　本例では、高さ方向（Ｚ軸方向）における複数の凹部２１０の密度は、下面６２から遠いほど高い。一例として、高さ方向において隣り合う一組の凹部２１０の間隔ＰＺのうち、上面６４に最も近い組の間隔をＰＺ１、下面６２に最も近い組の間隔をＰＺ２とする。間隔ＰＺ２は、間隔ＰＺ１よりも大きい。間隔ＰＺ２は、間隔ＰＺ１の１．５倍以上であってよく、２倍以上であってもよい。本例によれば、上面６４の近傍における凹部２１０の間隔ＰＺが小さいので、上面６４に近づくほど、はんだの這い上がりを抑制できる。

　上述の図３１から図４５の例では、先端面６６を例示して説明した。しかし、Ｓ３４１のとおり、先端面６６同様に、各側面６８にも阻害領域２５１が設けられるとよい。すなわち、先端面６６、各側面６８、および上面６４に、複数の凹部２１０と平面部２１２とを形成して阻害領域２５１を構成するとよい。加えて、図３１から図４５の例において説明したリードフレーム５０も、図１から図２３において説明した粗面領域５１を有してよい。阻害領域２５１は、粗面領域５１として機能してもよい。

＜＜粗面領域５１・阻害領域２５１の製造方法;金型粗化の説明＞＞
　図４６は、半導体モジュール１００の製造方法における一部の工程を示す図である。本例では、チップ接続部５２の表面、具体的にはチップ接続部５２の上面６４に対して金型により形状を転写し、複数の凹部２１０と、平面部２１２とが形成された阻害領域２５１を設ける（Ｓ４４１）。

　次に、はんだ３２により、リードフレーム５０を半導体チップ４０にはんだ付けする（Ｓ４４２）。Ｓ４４２の前に、先端面６６等に凹部２１０および平面部２１２を形成しているので、先端面６６等におけるはんだ３２の這い上がりを抑制できる。Ｓ４４２は、図２９のＳ３４２と同一の工程であってよい。

　次に、コーティング層１３を形成する（Ｓ４４３）。Ｓ４４３においては、リードフレーム５０およびはんだ３２の表面に、コーティング層１３を形成してよい。Ｓ４４３の後に、封止樹脂１２により、リードフレーム５０および半導体チップ４０等を封止してよい。これにより、半導体モジュール１００を形成できる。Ｓ４４３は、図２９のＳ３４３と同一の工程であってよい。

　図４７は、チップ接続部５２への金型３２０による形状転写を説明する図である。本例において、金型３２０は、チップ接続部５２の表面に形状を転写する。チップ接続部５２の表面に形状を転写することにより、凹部２１０と、平面部２１２を形成することができる。本例においては、上面６４に対して形状を転写し、３つの凹部２１０と、平面部２１２を形成している。すなわち、本例において、３つの凹部２１０はプレス加工により形成された金型孔である。なお、この３つの凹部２１０を形成するプレス加工は、上面６４の反対側の面である下面６２を押し出さなくてよい。すなわち、金型孔の形成の前後で、チップ接続部５２の下面６２の形状は変化せず、平らなままであってよい。これに対し、突起部８８をプレス加工で形成する際には、上面６４が凹み、その上面６４の凹み分、下面６２を押し出すことで突起部８８となる凸部を形成してよい。

　金型３２０は、第１部分３２２および第２部分３２４を有する。金型３２０は、第１部分３２２の形状を転写することができる。第１部分３２２は、一例として、四角推形状である。第１部分３２２は、形状を転写した後、第１部分３２２を引き抜くことが容易な形状が好ましい。第２部分３２４は、３つの第１部分３２２と接続する。

　本例において、金型３２０で押圧し、チップ接続部５２を圧縮加工することにより、凹部２１０と、平面部２１２を形成している。したがって、凹部２１０は、他の表面と比べて圧縮されている。凹部２１０は、平面部２１２より圧縮されていてよい。凹部２１０が圧縮されているとは、他の表面と比べて凹部２１０の硬度が高いことであってよい。凹部２１０が圧縮されているとは、他の表面と比べて凹部２１０の密度が高いことであってよい。

　チップ接続部５２の表面は、展開面積比が０．１以上である粗面領域であってよい。また、チップ接続部５２の表面は、展開面積比が０．４以下、好ましくは０．３５以下、更に好ましくは０．３以下である粗面領域であってよい。金型３２０により、凹部２１０と、平面部２１２を形成することで、チップ接続部５２の表面を粗面領域とすることができる。

　図４８は、上面６４の凹部２１０および平面部２１２の配置の一例を示す図である。凹部２１０は、図４８に示すように、直線上に配置されてよい。凹部２１０の上面における形状は、多角形状であってよい。本例において、凹部２１０の上面における形状は、四角形状である。

　図４９は、上面６４の凹部２１０および平面部２１２の形状を詳細に説明する図である。図４９では、金型により形成された凹部２１０および平面部２１２の形状を示している。本例において、平面部２１２は、隆起部２１６および標準部２１８を有する。金型により凹部２１０を形成することにより、凹部２１０に隣接して隆起部２１６が形成される。隆起部２１６は、標準部２１８と高さ方向の高さが同じかまたは標準部２１８より高さ方向に隆起した部分である。本例において、隆起部２１６は、標準部２１８より高さ方向に隆起している。標準部２１８は、例えば凹部２１０を形成する前の表面から、高さが変化していない部分である。標準部２１８は、隆起部２１６に隣接している。標準部２１８は、隆起部２１６より高さ方向に窪んでいてよい。また、凹部２１０の少なくとも一部は、高さ方向において標準部２１８より窪んで配置されている。隆起部２１６は、凹部２１０と標準部２１８に挟まれている。

　隆起部２１６、標準部２１８および凹部２１０を判別する方法として、それぞれの高さ方向における高さを比較して判別してよい。標準部２１８と凹部２１０の高さ方向における差ｄ１は、隆起部２１６と標準部２１８の高さ方向における差（凹部２１０の深さとしてもよい）ｄ２より大きい。ｄ２は、ｄ１の３０％以下であってよい。ｄ２は、ｄ１の２０％以下であってよい。ｄ２がｄ１より小さい場合、隆起部２１６、標準部２１８および凹部２１０を判別することができる。隆起部２１６、標準部２１８および凹部２１０を判別する別の方法として、上面６４を観察した際（例えば、図４８参照）に、平面に見える部分を標準部２１８と判別してもよい。

　ｄ１は、２０μｍ以上であってよい。ｄ１は、２００μｍ以下であってよい。ｄ１は、更に好ましくは、５０μｍ以上１５０μｍ以下であってよい。また、凹部２１０の幅ｄ３は、５０μｍ以上であってよい。ｄ３は、２５０μｍ以下であってよい。ｄ３は、更に好ましくは、１００μｍ以上２００μｍ以下である。また、凹部２１０のピッチ幅ｄ４は、２００μｍ以上であってよい。ｄ４は、７００μｍ以下であってよい。ｄ４は、更に好ましくは、３００μｍ以上６００μｍ以下である。また、平面部２１２の最小長さｄ７は、１５０μｍ以上であってよい。ｄ７は、４５０μｍ以下であってよい。ｄ７は、更に好ましくは、２００μｍ以上４００μｍ以下である。最小長さｄ７は、標準部２１８を水平方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸した長さとしてよい。図４９では、平面部２１２の最小長さｄ７を、標準部２１８を水平方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸した際の凹部２１０の間の最小の長さとしている。しかし、最小長さｄ７は、平面視した際に、凹部２１０が形成されていない部分の最小の長さと近似してもよい。

　本例では、金型により形成された凹部２１０および平面部２１２の形状を示したが、レーザー照射により形成された凹部２１０および平面部２１２も同様の形状を有してよい。つまり、レーザー照射により形成された平面部２１２は、隆起部２１６および標準部２１８を有していてもよい。レーザー照射により形成された場合、ｄ１は、一例として、１０μｍである。

　上述の図４６から図４９の例では、Ｓ４４１のとおり、先端面６６、各側面６８、および上面６４に、複数の凹部２１０と平面部２１２とを形成して阻害領域２５１を構成してよく、上面６４のみに阻害領域２５１を構成してもよい。なお、図４６から図４９の例において説明したリードフレーム５０も、図１から図２３において説明した粗面領域５１を有してよい。阻害領域２５１は、粗面領域５１として機能してもよい。

＜＜粗面領域５１・阻害領域２５１の製造方法;液粗化の説明＞＞
　レーザー照射および金型による粗面領域５１の形成方法について説明したが、粗面領域５１は、粗化液を用いて、形成してもよい。粗化液は、市販のものであってよい。粗化液を用いる場合、粗面領域５１を形成しない表面にはマスクを用いてもよいし、マスクを用いずに全面粗化してもよい。

＜＜粗化方法の併用（レーザー粗化、金型粗化、液粗化）＞＞
　図５０は、半導体モジュール１００の製造方法における一部の工程を示す図である。本例では、チップ接続部５２の表面、具体的にはチップ接続部５２の上面６４に対して金型により形状を転写し、複数の凹部２１０と、平面部２１２を形成する（Ｓ５４１）。Ｓ５４１は、図４６のＳ４４１と同一の工程であってよい。

　金型により形状を転写した後（Ｓ５４１）、チップ接続部５２の表面、具体的には少なくとも先端面６６に対してレーザー照射し、複数の凹部２１０と、平面部２１２とを形成し、阻害領域２５１を設ける（Ｓ５４２）。Ｓ５４２においては、各側面６８および上面６４にも、複数の凹部２１０と平面部２１２を形成してよい。

　次に、はんだ３２により、リードフレーム５０を半導体チップ４０にはんだ付けする（Ｓ５４３）。Ｓ５４３の前に、先端面６６等に凹部２１０および平面部２１２を形成しているので、先端面６６等におけるはんだ３２の這い上がりを抑制できる。Ｓ５４３は、図２９のＳ３４２と同一の工程であってよい。

　次に、コーティング層１３を形成する（Ｓ５４４）。Ｓ５４４においては、リードフレーム５０およびはんだ３２の表面に、コーティング層１３を形成してよい。Ｓ５４４の後に、封止樹脂１２により、リードフレーム５０および半導体チップ４０等を封止してよい。これにより、半導体モジュール１００を形成できる。Ｓ５４４は、図２９のＳ３４３と同一の工程であってよい。

　図５１は、チップ接続部５２の形状を説明する図である。本例において、金型により、チップ接続部５２の上面６４に形状を転写する。金型により形状を転写した後、チップ接続部５２の先端面６６にレーザーを照射する。したがって、上面６４に形成された凹部２１０は、金型孔である。また、先端面６６に形成された凹部２１０は、レーザー孔である。

　また、金型孔の深さは、レーザー孔の深さより深い。つまり、上面６４に形成された凹部２１０の深さｄ５は、先端面６６に形成された凹部２１０の深さｄ６より深い。上面６４に金型孔を設け、先端面６６にレーザー孔を設けることで、このような構成とすることができる。

　図５２は、上面６４および先端面６６の凹部２１０および平面部２１２の配置の他の例を示す図である。図５２では、上面６４および先端面６６のＹ軸方向を共通にして示している。凹部２１０は、チップ接続部５２の先端面６６および上面６４に対して、斜めにレーザー３１２を照射することにより形成されている。上面６４では、先端面６６および側面６８近傍にのみレーザー照射により形成された凹部２１０が配置されている。また、上面６４には金型により形成された凹部２１０が配置されている。レーザー照射により形成された凹部２１０は、曲線を有する。本例において、レーザー照射により形成された凹部２１０は、円状である。また、凹部２１０の先端面６６における形状は、曲線を有する。また、金型により形成された凹部２１０は、多角形状を有する。本例において、金型により形成された凹部２１０は、四角形状である。

　本例において、金型により形状を転写した複数の凹部２１０の少なくとも一部に重なるように、レーザー照射している。つまり、上面において、レーザー照射により形成された凹部２１０と金型により形成された凹部２１０は、少なくとも一部が重なっている。このような構成とすることで、上面６４全面に阻害領域２５１を設けることができる。

　図５３は、上面６４、先端面６６および下面６２の凹部２１０の配置の一例を示す図である。図５３では、上面６４、先端面６６および下面６２のＹ軸方向を共通にして示している。凹部２１０は、チップ接続部５２の先端面６６および下面６２に対して、斜めにレーザー３１２を照射することにより形成されている。また、上面６４には金型により形成された凹部２１０が配置されている。このような配置にすることで、上面６４、先端面６６および下面６２に阻害領域２５１を設けることができる。なお、各側面６８は、先端面６６と同様に、阻害領域２５１を形成してよい。

　上述の図５０から図５３の例では、Ｓ５４１、Ｓ５４２のとおり、先端面６６、各側面６８、および上面６４に、複数の凹部２１０と平面部２１２とを形成して阻害領域２５１を構成してよく、上面６４のみに阻害領域２５１を構成してもよい。なお、図５０から図５３の例において説明したリードフレーム５０も、図１から図２３において説明した粗面領域５１を有してよい。阻害領域２５１は、粗面領域５１として機能してもよい。この場合、金型孔が形成される上面６４の領域は、展開面積比が０．１以上であるとよい。レーザー孔が形成される先端面６６、各側面６８の領域は、展開面積比が０．２以上であるとよい。

　上記では、レーザー粗化と金型粗化とを併用する例について説明したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、レーザー粗化と液粗化とを併用してもよいし、金型粗化と液粗化とを併用してもよい。

＜＜阻害領域２５１の配置の他の例の説明＞＞
　図５４は、阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図５４において、チップ接続部５２の上面６４における阻害領域２５１の配置の一例を示している。図５４では、阻害領域２５１をハッチングで示している。阻害領域２５１の配置の他の例では、複数の凹部２１０が、チップ接続部５２の少なくともいずれかの面の少なくとも２つの方向において周期的に配置されている。そして、チップ接続部５２のいずれかの面は、周期的な配置が途切れた未加工部３３６を有する。なお、未加工部３３６は、平面部２１２であってよい。

　図５５は、図５４における上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。図５５では、複数の凹部２１０と平面部２１２の配置を示している。複数の凹部２１０と平面部２１２とを形成することにより、阻害領域２５１を形成してよい。阻害領域２５１は、粗面領域５１として機能してもよい。つまり、阻害領域２５１は、阻害領域２５１として説明する構造および機能等に加えて、粗面領域５１として説明したいずれかの構造および機能を有してよい。

　図５４、図５５に示すように、チップ接続部５２の上面６４に、複数の凹部２１０および平面部２１２が形成されている。また図５５に示すように、チップ接続部５２の先端面６６に、複数の凹部２１０および平面部２１２が形成されている。また図示しないが、先端面６６と同様にチップ接続部５２の側面６８に、複数の凹部２１０および平面部２１２が形成されていてよい。

　上面６４の外形を構成する端辺のうち、架橋部５４から最も離れた端辺を端辺１８１とする。本例において上面６４は、互いに平行な２辺を２組有する略長方形であるが、他の形状であってもよい。上面６４の端辺は、直線であってよい。端辺１８１は、先端面６６と接続している。つまり、上面６４および先端面６６は、端辺１８１で接続している。また、上面６４の端辺のうち、架橋部５４に最も近い端辺を端辺１８２とする。端辺１８２は、側面６８と接続している。つまり、上面６４および側面６８は、端辺１８２で接続している。上面６４の端辺のうち、端辺１８１と、端辺１８２との間の辺を端辺１８３とする。端辺１８３は、側面６８と接続している。つまり、上面６４および側面６８は、端辺１８３で接続している。端辺１８１と、端辺１８３とは、上面視において曲線で接続されていてよい。

　本例において、複数の凹部２１０と平面部２１２は、レーザー粗化により形成される。複数の凹部２１０と平面部２１２は、金型粗化により形成されてもよい。複数の凹部２１０と平面部２１２は、液粗化により形成されてもよい。

　本例において、阻害領域２５１は、端辺１８１および端辺１８３近傍には設けられていない。すなわち、端辺１８１および端辺１８３近傍に未加工部３３６を有してよい。図５５において、凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ１は、隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３より大きい。隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３は、平面部２１２の最小長さ（図４９の例ではｄ７）であってよい。最短距離Ａ１は、間隔Ａ３の２倍以上であってよく、５倍以上であってよく、１０倍以上であってもよい。また図５５において、凹部２１０と端辺１８３の最短距離Ａ２は、隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３より大きい。上面６４に形成された凹部２１０と、表面（上面６４）の少なくとも１つの端辺との最短距離は、隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３より大きくてよい。最短距離Ａ２は、間隔Ａ３の５倍以上であってよく、１０倍以上であってよく、２０倍以上であってもよい。

　図５６は、比較例に係るチップ接続部５２の一例を示す図である。上面６４の端辺（図５６の例では端辺１８１）近傍に阻害領域２５１を設けると、上面６４および先端面６６（または側面６８）の両方に１つの凹部２１０－５が形成されてしまうことがある。凹部２１０－５を設けると、先端面６６（または側面６８）から上面６４にはんだが濡れ広がりやすくなってしまう。図５４、図５５の例では、端辺１８１および端辺１８３近傍に阻害領域２５１を設けないため、当該凹部２１０－５の発生を抑え、はんだの濡れ広がりを抑制することができる。なおはんだの濡れ広がりを抑制するという観点から、複数の凹部２１０が形成された上面６４の展開面積比は０．７以下とすることが好ましい。

　凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ１は、０．３ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下であってよい。凹部２１０との端辺１８３の最短距離Ａ２は、０．３ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下であってよい。隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３は、３０μｍ以上、６０μｍ以下であってよい。

　また、凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ１は、チップ接続部５２のＺ軸方向の厚みより大きくてよい。凹部２１０と端辺１８３の最短距離Ａ２は、チップ接続部５２のＺ軸方向の厚みより大きくてよい。チップ接続部５２のＺ軸方向の厚みは、０．３ｍｍ以上であってよく、好ましくは０．５ｍｍ以上であってよい。

　チップ接続部の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ１は、チップ接続部５２の先端面６６に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離より大きくてよい。図５５に示すように、凹部２１０は、チップ接続部５２の先端面６６において、端辺１８１の近傍に設けられてよい。また、先端面６６と同様にチップ接続部の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８３の最短距離Ａ２は、チップ接続部５２の側面６８に形成された凹部２１０と端辺１８３の最短距離（不図示）より大きくてよい。凹部２１０は、チップ接続部５２の先端面６６において、端辺１８１の近傍に設けられなくてもよい。つまり、チップ接続部５２の先端面６６に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離は、隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３より大きくてもよい。

　図５７は、阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図５７は、阻害領域２５１が端辺１８２近傍には設けられていない点で、図５４と異なる。すなわち、端辺１８２近傍に未加工部３３６を有してよい。図５７のそれ以外の構成は、図５４と同一であってよい。

　凹部２１０と端辺１８２の最短距離Ａ８は、隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３（図５５参照）より大きくてよい。凹部２１０と端辺１８２の最短距離Ａ８は、０．３ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下であってよい。このような構成を有することで架橋部５４近傍におけるはんだの濡れ広がりを抑制することができる。

　図５８は、阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図５８において、チップ接続部５２の上面６４における阻害領域２５１の配置の一例を示している。図５８では、阻害領域２５１をハッチングで示している。

　図５９は、図５８における上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。図５９では、複数の凹部２１０と平面部２１２の配置を示している。複数の凹部２１０と平面部２１２とを形成することにより、阻害領域２５１を形成してよい。阻害領域２５１は、粗面領域５１として機能してもよい。本例において、複数の凹部２１０と平面部２１２は、レーザー粗化により形成される。

　本例において、端辺１８３－１は、端辺１８３－２と対向している。端辺１８３－１は、第１端辺の例である。また、端辺１８３－２は、第２端辺の例である。端辺１８１は、第３端辺の例である。

　本例において、阻害領域２５１は、チップ接続部５２の上面６４の中心線ＣＬ近傍に設けられていない。すなわち、中心線ＣＬ近傍に未加工部３３６を有してよい。中心線ＣＬとは、チップ接続部５２の上面６４の中央Ｃを通る線である。中心線ＣＬはＸ軸方向に平行である。チップ接続部５２の上面６４の中央Ｃとは、チップ接続部５２の上面６４のＸＹ面内における中心であってよく、チップ接続部５２の上面６４の重心であってよい。端辺１８３－１および端辺１８３－２に挟まれた凹部２１０の間隔の内の最大距離Ａ４は、チップ接続部５２の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８３－１の第１最短距離Ａ５（図５９参照）よりも大きい。また、端辺１８３－１および端辺１８３－２に挟まれた凹部２１０の間隔の内の最大距離Ａ４は、チップ接続部５２の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８３－２の第２最短距離（不図示）よりも大きい。

　図６０は、比較例に係るチップ接続部５２へのレーザー照射を説明する図である。図３３のようにチップ接続部５２の少なくとも２つの表面に対して共通の光源３１０でチップ接続部５２の置き換えなしにレーザー照射する場合、例えば、端辺１８３－１および端辺１８３－２に向けてレーザー３１２を斜めに照射する場合を考える。この場合、チップ接続部５２の上面６４の中心線ＣＬ近傍においてレーザー照射のスポット（レーザー照射の照射位置）がそれぞれ重なってしまうことが考えられる。この場合、チップ接続部５２の上面６４の中心線ＣＬ近傍においてはんだが濡れ広がりやすくなってしまう。本例では、阻害領域２５１はチップ接続部５２の上面６４の中心線ＣＬ近傍に設けられないため、チップ接続部５２の上面６４の中心線ＣＬ近傍においてレーザー照射のスポットがそれぞれ重なってしまうことを防ぐことができる。したがって、はんだの濡れ広がりを抑制することができる。

　端辺１８３－１および端辺１８３－２に挟まれた凹部２１０の間隔の内の最大距離Ａ４は、一例として、０．３ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下であってよい。チップ接続部５２の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８３－１の第１最短距離Ａ５は、３０μｍ以上、６０μｍ以下であってよい。チップ接続部５２の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８３－２の第２最短距離は、３０μｍ以上、６０μｍ以下であってよい。

　チップ接続部５２の上面６４の端辺１８３－１および端辺１８３－２の間の中央Ｃにおける凹部２１０の間隔は、第１最短距離Ａ５および第２最短距離よりも大きくてよい。中央における凹部２１０の間隔を第１最短距離Ａ５および第２最短距離よりも大きくすることにより、中央Ｃ近傍においてレーザー照射のスポットがそれぞれ重なってしまうことを防ぐことができる。端辺１８３－１および端辺１８３－２に挟まれた凹部２１０の間隔の内の最大距離Ａ４は、中央Ｃにおける凹部２１０の間隔であってよい。つまり、端辺１８３－１および端辺１８３－２の間の中央Ｃにおいて凹部２１０の間隔が最大であってよい。また、中央Ｃにおいて凹部２１０の間隔が最大でなくてもよい。

　また、チップ接続部５２の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ６は、第１最短距離Ａ５よりも大きい。また、チップ接続部５２の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ６は、第２最短距離よりも大きい。したがって、端辺１８１近傍に阻害領域２５１を設けないため、はんだの濡れ広がりを抑制することができる。

　チップ接続部５２の上面６４に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ６は、チップ接続部５２の先端面６６に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ７より大きい。つまり、先端面６６において、端辺１８１近傍に阻害領域２５１が設けられている。先端面６６において端辺１８１近傍に阻害領域２５１が設けることにより、はんだの濡れ広がりを抑制することができる。なお、チップ接続部５２の先端面６６に形成された凹部２１０と端辺１８１の最短距離Ａ７は、隣り合う凹部２１０の間隔Ａ３より大きくてよい。

　図６１は、阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図６１は、阻害領域２５１が端辺１８２近傍には設けられている点で、図５８と異なる。図６１のそれ以外の構成は、図５８と同一であってよい。このような構成でも、はんだの濡れ広がりを抑制することができる。

　図６２は、阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図６２は、阻害領域２５１が端辺１８３近傍には設けられていない点で、図５８と異なる。すなわち、端辺１８３近傍に未加工部３３６を有してよい。図６２のそれ以外の構成は、図５８と同一であってよい。このような構成でも、はんだの濡れ広がりを抑制することができる。

　図６３は、阻害領域２５１の配置の他の例を示す図である。図６３において、チップ接続部５２の上面６４における阻害領域２５１の配置の一例を示している。図６３において、阻害領域２５１は重なり部３３２、非重複部３３４を有し、それぞれ異なるハッチングで示している。

　図６４は、図６３における上面６４および先端面６６の凹部２１０の配置の一例を示す図である。図６４では、複数の凹部２１０と平面部２１２の配置を示している。複数の凹部２１０と平面部２１２とを形成することにより、阻害領域２５１を形成してよい。阻害領域２５１は、粗面領域５１として機能してもよい。重なり部３３２は、レーザー照射のスポット（レーザー照射の照射位置）を制御することにより、形成することができる。なお、重なり部３３２における凹部２１０の配置とは、レーザー照射の照射位置であってよい。なお、重なり部３３２は、２つの凹部２１０の間に配置された平面部２１２を有さなくてよい。すなわち、阻害領域２５１として機能せず、粗面領域５１として機能してもよい。

　重なり部３３２において、隣り合う凹部２１０が重なっている。図６４では、隣り合う凹部２１０の間に凹部２１０が更に設けられている。重なり部３３２は、隣り合う凹部２１０の間に配置された平面部２１２にレーザーを更に照射することで形成されてよい。重なり部３３２は、隣り合う凹部２１０が連続している部分であってよい。重なり部３３２には、平面部２１２が設けられていても、設けられていなくてもよい。非重複部３３４において、隣り合う凹部２１０の間に平面部２１２が設けられている。重なり部３３２は、非重複部３３４に比べ展開面積比を大きくすることができる。一方で重なり部３３２は、非重複部３３４に比べはんだが濡れ広がりやすい。

　本例において、重なり部３３２は、非重複部３３４と比べ、表面（上面６４）の内側に設けられる。つまり、重なり部３３２は、上面６４の端辺１８１、端辺１８２、端辺１８３近傍に設けられない。重なり部３３２を非重複部３３４よりも内側に設けることにより、展開面積比を大きくしつつ、先端面６６および側面６８からのはんだの濡れ広がりを抑制することができる。

　図６５は、重なり部３３２の形状を説明する図である。本例において、レーザー照射により、チップ接続部５２の上面６４および先端面６６に凹部２１０を形成する。本例における凹部２１０は、レーザー孔である。また、レーザー照射の照射位置を重ならせることにより、チップ接続部５２の上面６４に重なり部３３２を形成する。

　重なり部３３２に設けられた凹部２１０の深さｄ７は、非重複部３３４に設けられた凹部２１０の深さｄ８より深い。深さｄ７は、深さｄ８の１．５倍以上であってよい。また、重なり部３３２に設けられた凹部２１０の深さｄ７は、先端面６６に形成された凹部２１０の深さｄ９より深い。深さｄ７は、深さｄ９の１．５倍以上であってよい。重なり部３３２に設けられた凹部２１０は重なり部３３２以外に設けられた凹部２１０より深くなるため、重なり部３３２と非重複部３３４を区別することができる。

　図５４から図６５では、チップ接続部５２の阻害領域２５１を例示して説明したが、回路パターン接続部５６やその他の面に上述した構成を適用してもよい。

＜＜阻害部２３０の説明＞＞
　図６６は、リードフレーム５０の他の例を示す図である。本例のリードフレーム５０は、チップ接続部５２が、主材部２３１および阻害部２３０を有する点で、図１から図３４の例と相違する。他の構造は、図１から図３４において説明したいずれかの形態と同一であってよい。

　主材部２３１は、下面６２と同一の材料で形成された部分である。複数種類の材料部分が下面６２に露出している場合、主材部２３１は、下面６２において最も面積の大きい部分と同一の材料で形成されている。主材部２３１は、例えば銅、または、銅を含む合金で形成された部分である。主材部２３１は、架橋部５４と同一の材料で形成された部分であってもよい。

　阻害部２３０は、主材部２３１よりもはんだ濡れ性が低い材料で形成された部分である。つまり、阻害部２３０は、主材部２３１よりもはんだが広がりにくい部分である。阻害部２３０は、例えばセラミック、カーボン、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、鉄、または、鉄を含む合金で形成された部分である。

　阻害部２３０は、チップ接続部５２の先端面６６において露出している。これにより、先端面６６におけるはんだの這い上がりを抑制できる。阻害部２３０は、チップ接続部５２の側面６８に露出してもよい。チップ接続部５２は、主材部２３１と阻害部２３０とが積層されたクラッド材で形成されてよい。チップ接続部５２は、２枚の主材部２３１の間に阻害部２３０が設けられていてもよい。

　図６７は、チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の配置例を示す図である。図６７においては、阻害部２３０に斜線のハッチングを付している。また、主材部２３１により覆われている阻害部２３０も、主材部２３１を透過して示している。

　本例におけるチップ接続部５２は、板状の主材部２３１および板状の阻害部２３０が、高さ方向において積層されている。板状とは、上面６４とほぼ平行な主面の面積が、上面６４とほぼ垂直な、いずれの側面の面積よりも大きい形状を指す。図６７に示したチップ接続部５２は、上面６４に露出する主材部２３１－１、下面６２に露出する主材部２３１－２、および、２つの主材部２３１に挟まれた阻害部２３０を有する。阻害部２３０は、先端面６６と、各側面６８に露出している。阻害部２３０は、各面における所定の高さ位置において、各面を横切るように露出している。つまり横方向において、阻害部２３０の幅は、各面の幅と同一である。このような形状により、先端面６６および各側面６８におけるはんだの這い上がりを抑制できる。

　主材部２３１－１、主材部２３１－２、および、阻害部２３０の、高さ方向における幅をそれぞれＺ１、Ｚ２、および、Ｚ３とする。阻害部２３０は、先端面６６および各側面６８において、同一の幅Ｚ３を有してよい。主材部２３１－１も、先端面６６および各側面６８において、同一の幅Ｚ１を有してよい。主材部２３１－２も、先端面６６および各側面６８において、同一の幅Ｚ２を有してよい。

　阻害部２３０の幅Ｚ３は、主材部２３１－１の幅Ｚ１、および、主材部２３１－２の幅Ｚ２のいずれよりも大きい。幅Ｚ３は、幅Ｚ１および幅Ｚ２の和よりも大きくてよい。これにより、各面におけるはんだの這い上がりを抑制しやすくなる。幅Ｚ１は、幅Ｚ２と同一であってよく、大きくてよく、小さくてもよい。

　図６８は、リードフレーム５０の他の例を示す図である。本例では、阻害部２３０が上面６４に露出する点で、図６６および図６７の例と相違する。他の構造は、図６６および図６７の例と同様である。

　図６９は、図６８のチップ接続部５２を拡大した模式図である。上述したように、本例の阻害部２３０は、上面６４に露出している。阻害部２３０は、上面６４の全体に露出してよい。本例のチップ接続部５２は、図６７に示した主材部２３１－１を有さない。

　図７０は、リードフレーム５０の他の例を示す図である。本例では、阻害部２３０の形状が、図６６から図６９の例と相違する。他の構造は、図６６から図６９におけるいずれかの例と同様である。本例の阻害部２３０は、下面６２に露出している。

　図７１は、チップ接続部５２の下面６２における、阻害部２３０の配置例を示す図である。本例の阻害部２３０は、下面６２において、突起部８８よりも外側に配置されている。突起部８８よりも外側とは、突起部８８と、先端面６６または側面６８との間の領域を指す。

　阻害部２３０は、先端面６６と接してよい。阻害部２３０は、先端面６６に露出してよい。阻害部２３０は、側面６８と接してよい。阻害部２３０は、側面６８に露出してよい。阻害部２３０は、突起部８８と離れていてよい。本例によれば、下面６２の大部分をはんだで濡れさせつつ、先端面６６および側面６８におけるはんだの這い上がりを抑制できる。

　図７２は、図７０および図７１のチップ接続部５２を拡大した模式図である。上述したように、本例の阻害部２３０は、下面６２に露出している。また、阻害部２３０は、先端面６６および各側面６８に露出している。図７２に示すように、本例の阻害部２３０は、所定の領域を囲む枠形状である。

　図７３は、チップ接続部５２の下面６２における、阻害部２３０の他の配置例を示す図である。本例の阻害部２３０は、下面６２において、突起部８８よりも外側に配置されている。ただし、阻害部２３０は、先端面６６と接していない。つまり、阻害部２３０は、先端面６６に露出していない。阻害部２３０は、側面６８と接していない。つまり、阻害部２３０は、側面６８に露出していない。阻害部２３０は、突起部８８と離れていてよい。本例によっても、下面６２の大部分をはんだで濡れさせつつ、先端面６６および側面６８におけるはんだの這い上がりを抑制できる。

　図７４は、チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の他の配置例を示す図である。図７４においては、主材部２３１により覆われていない阻害部２３０を示している。本例の阻害部２３０は、チップ接続部５２の先端面６６と垂直な方向（Ｘ軸方向）において、主材部２３１よりも外側に突出している点で、図６６から図７３の例と相違する。他の構造は、図６６から図７３のいずれかの例と同様である。各側面６８においても、阻害部２３０は、主材部２３１よりも外側に突出していてよい。

　本例によれば、先端面６６および側面６８に段差を形成できる。このため、はんだの這い上がりを更に抑制できる。阻害部２３０は、図６７または図６９に示したような板形状を有してよい。この場合、ＸＹ面における阻害部２３０の面積は、主材部２３１の面積よりも大きい。阻害部２３０は、図７２に示したような枠形状を有してよい。この場合、主材部２３１は、阻害部２３０に囲まれた部分を有する。主材部２３１は、先端面６６および側面６８のいずれか一つの面において、阻害部２３０の一部分が挿入される窪みを有してよい。

　図７５は、チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の他の配置例を示す図である。図７５においては、主材部２３１により覆われていない阻害部２３０を示している。本例の阻害部２３０は、チップ接続部５２の先端面６６と垂直な方向（Ｘ軸方向）において、主材部２３１よりも内側に窪んでいる点で、図６６から図７３の例と相違する。他の構造は、図６６から図７３のいずれかの例と同様である。各側面６８においても、阻害部２３０は、主材部２３１よりも内側に窪んでいてよい。

　本例によれば、先端面６６および側面６８に段差を形成できる。このため、はんだの這い上がりを更に抑制できる。阻害部２３０は、図６７または図６９に示したような板形状を有してよい。この場合、ＸＹ面における阻害部２３０の面積は、主材部２３１の面積よりも小さい。阻害部２３０は、図７２に示したような枠形状を有してよい。この場合、主材部２３１は、阻害部２３０に囲まれた部分を有する。

　図７６は、チップ接続部５２における主材部２３１および阻害部２３０の他の配置例を示す図である。図７６においては、主材部２３１により覆われている阻害部２３０も、主材部２３１を透過して示している。

　本例の阻害部２３０は、主材部２３１の表面に積層されている。例えば阻害部２３０は、チップ接続部５２の先端面６６において、先端面６６と垂直な方向に、主材部２３１と積層されている。阻害部２３０は、各側面６８にも積層されてよい。

　本例では、主材部２３１の表面に、所定の材料をスパッタ、溶射等の方法で積層することで、阻害部２３０を形成する。チップ接続部５２の各面において阻害部２３０が露出する領域は、図６６から図７５において説明したいずれかの例と同様である。本例によっても、先端面６６等におけるはんだの這い上がりを抑制できる。

　阻害部２３０は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または、窒化シリコン等のセラミックで形成されてよく、カーボンで形成されてよく、鉄等の金属で形成されてもよい。阻害部２３０をスパッタまたは溶射で形成する際に、主材部２３１に照射される材料の粒形を制御してよい。これにより、阻害部２３０の表面の粗さを制御できる。阻害部２３０の表面には、粗面領域５１が形成されてよい。また、主材部２３１に粗面領域５１を形成してもよい。

　以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。

　本明細書および図面には、以下の各項目に記載された形態も開示されている。
　（項目１）
　一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、
　前記絶縁回路基板に載置された半導体チップと、
　前記半導体チップと前記回路パターンとを接続する配線部と、
　前記半導体チップを保護する樹脂パッケージと
　を備え、
　前記配線部は、
　前記半導体チップと接続するチップ接続部と、
　前記回路パターンと接続する回路パターン接続部と、
　前記チップ接続部および前記回路パターン接続部を接続する架橋部と
　を有し、
　前記チップ接続部は、前記半導体チップと向かい合う下面を有し、
　前記チップ接続部の前記下面は、前記架橋部から最も離れた第１の辺を有し、
　前記チップ接続部の前記下面には、前記第１の辺の半分以上の長さにわたって、前記第１の辺に沿った段差または傾斜が設けられている
　半導体モジュール。
　（項目２）
　前記チップ接続部の前記下面は、前記架橋部に最も近い第２の辺を有し、
　前記傾斜または段差は、前記チップ接続部の前記下面の辺のうち、前記第２の辺以外の辺に沿って設けられている
　項目１に記載の半導体モジュール。
　（項目３）
　前記チップ接続部の前記下面には、前記半導体チップに向かって突出する複数の突起部が設けられていて、
　前記突起部の高さは、前記段差または前記傾斜よりも低い
　項目１または２に記載の半導体モジュール。
　（項目４）
　前記チップ接続部の前記下面には、前記段差が設けられていて、
　前記段差は、前記下面から前記回路パターンに向かって突出した突出部、および、前記下面から前記回路パターンから離れる方向に窪んだ溝部の少なくとも一方を含む
　項目１から３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　（項目５）
　前記段差は、前記突出部であって、前記第１の辺に接して設けられている
　項目４に記載の半導体モジュール。
　（項目６）
　前記段差は、前記溝部であって、前記第１の辺に接して設けられている
　項目４に記載の半導体モジュール。
　（項目７）
　前記段差は、前記溝部であって、前記第１の辺から離れて設けられている
　項目４に記載の半導体モジュール。
　（項目８）
　前記チップ接続部の前記下面には、前記傾斜が設けられていて、
　前記傾斜は、前記下面の角部を面取りしている
　項目１から３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　（項目９）
　一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、
　前記絶縁回路基板に載置された半導体チップと、
　前記半導体チップおよび前記回路パターンを電気的に接続する配線部と
　を備え、
　前記配線部は、前記半導体チップと接続するチップ接続部を有し、
　前記チップ接続部は、
　主材部と、
　前記主材部よりもはんだ濡れ性が低い材料で形成され、先端面において露出して配置された阻害部と
　を有する半導体モジュール。

１０・・・樹脂ケース、１２・・・封止樹脂、１３・・・コーティング層、１４・・・樹脂パッケージ、１６・・・冷却部、２０・・・絶縁基板、２２・・・放熱板、２４・・・接合層、２６・・・回路パターン、３０、３２、３４・・・接合層、３９・・領域、４０・・・半導体チップ、５０・・・リードフレーム（配線部）、５１・・・粗面領域、５２・・・チップ接続部、５４・・・架橋部、５６・・・回路パターン接続部、６２・・・下面、６４・・・上面、６５・・・角、６６・・・先端面、６８・・・側面、７０・・・段差、７１・・・後退面、７４・・・開口部、８１・・第１の辺、８２・・・第２の辺、８３・・・第３の辺、８４・・・貫通孔、８６・・・端子、８８・・・突起部、９０・・・傾斜、９４・・・空間、１００・・・半導体モジュール、１５２・・・チップ接続部、１６０・・・絶縁回路基板、１８１・・・端辺、１８２・・・端辺、１８３・・・端辺、１９８・・・端子接続部、２０１・・・頂点、２０２・・・空間、２０３、２０４・・・亀裂、２１０・・・凹部、２１１・・・中心、２１２・・・平面部、２１４・・・窪み部、２１６・・・隆起部、２１８・・・標準部、２３０・・・阻害部、２３１・・・主材部、２５１・・・阻害領域、３１０・・・光源、３１２・・・レーザー、３１４・・底部、３２０・・・金型、３２２・・・第１部分、３２４・・・第２部分、３３２・・・重なり部、３３４・・・非重複部、３３６・・・未加工部

Claims

　一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、
　前記絶縁回路基板に載置された半導体チップと、
　前記半導体チップおよび前記回路パターンを電気的に接続する配線部と
　を備え、
　前記配線部は、前記半導体チップと接続するチップ接続部を有し、
　前記チップ接続部の表面は、
　複数の凹部と、
　２つの凹部の間に配置された平面部と
　を有する半導体モジュール。
　それぞれの前記凹部の最大幅が１０μｍ以上である
　請求項１に記載の半導体モジュール。
　隣り合う前記凹部の中心の間隔が１０μｍ以上である
　請求項１または２に記載の半導体モジュール。
　前記半導体チップと前記チップ接続部を接合する接合層を更に備え、
　前記複数の凹部の少なくとも一部において、前記凹部の内部に前記接合層が設けられている
　請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部が形成された前記表面は、展開面積比が０．２以上である粗面領域を有する
　請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部が形成された前記表面は、展開面積比が０．７以下である粗面領域を有する
　請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部は、前記チップ接続部の少なくともいずれかの面の少なくとも２つの方向において周期的に配置されていて、
　前記チップ接続部のいずれかの面は、前記周期的な配置が途切れた未加工部を有する
　請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　少なくとも前記チップ接続部の先端面に、前記複数の凹部と前記平面部とが形成されている
請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部は、前記先端面の少なくとも２つの方向において周期的に配置されている
　請求項８に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部は、前記チップ接続部の下面と平行な横方向において、予め定められた間隙を有して配置されており、
　前記複数の凹部は、前記横方向と垂直な高さ方向において、前記間隙と並んで配置された凹部を含む
　請求項９に記載の半導体モジュール。
　前記横方向において、前記凹部の幅は、前記間隙の幅よりも大きい
　請求項１０に記載の半導体モジュール。
　前記凹部は、前記チップ接続部の下面と平行な横方向における幅が、前記横方向と垂直な高さ方向における幅よりも大きい
　請求項９から１１のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の下面と平行な横方向における前記複数の凹部の密度は、前記横方向と垂直な高さ方向における前記複数の凹部の密度よりも高い
　請求項９から１２のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の下面と垂直な高さ方向における前記複数の凹部の密度は、前記下面から遠いほど高い
　請求項９から１３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部は、
　主材部と、
　前記主材部よりもはんだ濡れ性が低い材料で形成され、前記先端面において露出して配置された阻害部と
　を有する請求項８から１４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記先端面において、前記チップ接続部の下面と垂直な高さ方向における前記阻害部の幅は、前記高さ方向における前記主材部の幅より大きい
　請求項１５に記載の半導体モジュール。
　前記阻害部は、前記チップ接続部の下面と垂直な高さ方向において、前記主材部と積層されている
　請求項１５または１６に記載の半導体モジュール。
　前記阻害部は、前記チップ接続部の先端面と垂直な方向において、前記主材部と積層されている
　請求項１５または１６に記載の半導体モジュール。
　前記阻害部は、前記チップ接続部の前記先端面と垂直な方向において、前記主材部よりも突出または窪んでいる
　請求項１５から１８のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の先端面、側面および上面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されている
請求項８から１９のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記配線部は、板状の部分を有するリードフレームであって、
　前記平面部は、
　標準部と、
　前記チップ接続部の表面と垂直な高さ方向の高さが、前記標準部と同じかまたは前記標準部より高さ方向に隆起した隆起部と
　を有し、
　前記凹部の少なくとも一部は、前記高さ方向において前記標準部より窪んで配置されていて、
　前記隆起部は、前記凹部に隣接して設けられる
　請求項１に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部が形成された前記表面は、展開面積比が０．１以上である粗面領域を有する
　請求項２１に記載の半導体モジュール。
　それぞれの前記凹部の深さが、２０μｍ以上でかつ２００μｍ以下ある、
　請求項２１に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の上面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されている
　請求項２２または２３に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の先端面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　前記上面に形成された少なくとも１つの前記凹部の深さは、前記先端面に形成された少なくとも１つの前記凹部の深さよりも深い
　請求項２４に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部は、金型孔を含む
　請求項２１に記載の半導体モジュール。
　前記複数の凹部は、レーザー孔を含む
　請求項２６に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の上面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　それぞれの前記凹部の前記上面における形状は、多角形状である
　請求項２１に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の先端面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　それぞれの前記凹部の前記先端面における形状は、曲線を有する
　請求項２８に記載の半導体モジュール。
　前記凹部は、前記平面部より圧縮されている
　請求項２１に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の上面および先端面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　前記上面に形成された少なくとも１つの前記凹部の底部は、当該前記凹部の中心より前記チップ接続部の先端面と逆側に配置されている
　請求項２１に記載の半導体モジュール。
　前記上面に形成された前記凹部の深さは、前記先端面と離れるに従って、浅くなる
　請求項３１に記載の半導体モジュール。
　前記凹部と前記表面の少なくとも１つの端辺の最短距離は、隣り合う前記凹部の間隔より大きい
　請求項２４に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の先端面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　前記チップ接続部の前記上面および前記チップ接続部の前記先端面は、端辺で接続していて、
　前記チップ接続部の前記上面に形成された前記凹部と前記端辺の最短距離は、前記チップ接続部の前記先端面に形成された前記凹部と前記端辺の最短距離より大きい
　請求項３３に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の側面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　前記チップ接続部の前記上面および前記チップ接続部の前記側面は、端辺で接続していて、
　前記チップ接続部の前記上面に形成された前記凹部と前記端辺の最短距離は、前記チップ接続部の前記側面に形成された前記凹部と前記端辺の最短距離より大きい
　請求項３３または３４に記載の半導体モジュール。
　前記表面には、
　隣り合う前記凹部が重なる重なり部と、
　隣り合う前記凹部の間に前記平面部が設けられる非重複部と
　が設けられ、
　前記重なり部は、前記非重複部と比べ、前記表面の内側に設けられる
　請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の上面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　前記上面は、第１端辺と、前記第１端辺と対向する第２端辺とを有し、
　前記第１端辺および前記第２端辺に挟まれた前記凹部の間隔の内の最大距離は、前記チップ接続部の前記上面に形成された前記凹部と前記第１端辺の第１最短距離および前記チップ接続部の前記上面に形成された前記凹部と前記第２端辺の第２最短距離よりも大きい
　請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の前記上面の前記第１端辺および前記第２端辺の間の中央における前記凹部の間隔は、前記第１最短距離および前記第２最短距離よりも大きい
　請求項３７に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の前記上面の前記第１端辺および前記第２端辺の間の中央において、前記凹部の間隔が前記最大距離となる
　請求項３７または３８に記載の半導体モジュール。
　前記上面は、前記第１端辺および前記第２端辺と接する第３端辺を更に有し、
　前記チップ接続部の前記上面に形成された前記凹部と前記第３端辺の最短距離は、前記第１最短距離および前記第２最短距離よりも大きい
　請求項３７から３９のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の先端面に、前記複数の凹部および前記平面部が形成されていて、
　前記チップ接続部の前記上面および前記チップ接続部の前記先端面は、前記第３端辺で接続していて、
　前記チップ接続部の前記上面に形成された前記凹部と前記第３端辺の最短距離は、前記チップ接続部の前記先端面に形成された前記凹部と前記第３端辺の最短距離より大きい
　請求項４０に記載の半導体モジュール。
　一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、
　前記絶縁回路基板に載置された半導体チップと、
　表面の少なくとも一部分において展開面積比が０．２以上である粗面領域を有し、前記半導体チップと前記回路パターンとを接続する配線部と、
　前記半導体チップを保護する樹脂パッケージと
　を備える半導体モジュール。
　前記粗面領域の前記展開面積比は、前記回路パターンの前記展開面積比よりも大きい
　請求項４２に記載の半導体モジュール。
　前記回路パターンの前記展開面積比は０．０８以下である
　請求項４３に記載の半導体モジュール。
　前記粗面領域の算術平均高さは１０μｍ以下である
　請求項４２から４４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記粗面領域の最大高さは１００μｍ以下である
　請求項４２から４５のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記配線部は、板状の部分を有するリードフレームであって、
　前記半導体チップと接続するチップ接続部と、
　前記回路パターンと接続する回路パターン接続部と、
　前記チップ接続部および前記回路パターン接続部を接続する架橋部と
　を有し、
　前記粗面領域が前記チップ接続部に設けられている
　請求項４２から４６のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の面積が、前記回路パターン接続部の面積より大きい
　請求項４７に記載の半導体モジュール。
　前記回路パターン接続部の前記展開面積比は、前記チップ接続部の前記粗面領域の前記展開面積比よりも小さい
　請求項４７または４８に記載の半導体モジュール。
　前記架橋部は、開口部を有する
　請求項４７から４９のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部の下面または前記回路パターン接続部の下面が、前記絶縁回路基板に向かって突出する突起部を有する
　請求項４７から５０のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記リードフレームの表面の少なくとも一部を覆う、樹脂で形成されたコーティング層を更に備える
　請求項４７から５１のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部は、前記架橋部から最も離れた先端面を有し、
　前記先端面に前記コーティング層が設けられている
　請求項５２に記載の半導体モジュール。
　前記コーティング層の膜厚は、１μｍ以上、１００μｍ以下である
　請求項５２または５３に記載の半導体モジュール。
　前記コーティング層の表面は、前記粗面領域の凹凸に応じた凹凸を有する
　請求項５２から５４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記コーティング層の表面は、前記粗面領域よりも平坦である
　請求項５２から５５のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記樹脂パッケージは、前記絶縁回路基板を囲む樹脂ケースと、前記樹脂ケースに充填される封止樹脂と
を含む請求項４２から５６のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　前記チップ接続部は、前記半導体チップと向かい合う下面を有し、
　前記チップ接続部の前記下面は、前記架橋部から最も離れた第１の辺を有し、
　前記チップ接続部の前記下面には、前記第１の辺の半分以上の長さにわたって、前記第１の辺に沿った段差または傾斜が設けられている
　請求項４７から５６のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
　一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、前記絶縁回路基板に載置された半導体チップと、前記半導体チップおよび前記回路パターンを電気的に接続する配線部とを備え、前記配線部は、前記半導体チップと接続するチップ接続部を有する半導体モジュールの製造方法であって、
　前記チップ接続部の表面に対してレーザー照射し、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成する
　製造方法。
　前記チップ接続部の少なくとも２つの表面に対して共通の光源で前記配線部の置き換えなしにレーザー照射し、それぞれの表面に、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成する
　請求項５９に記載の製造方法。
　前記チップ接続部のそれぞれの表面に対して、斜めにレーザー照射する
　請求項６０に記載の製造方法。
　前記チップ接続部のそれぞれの表面に対して、焦点位置を変えずにレーザー照射する
　請求項６０または６１に記載の製造方法。
　前記チップ接続部のそれぞれの表面に対して、レーザー光源の配置を変えずに照射角度を変更することでレーザー照射する
　請求項６０から６２のいずれか一項に記載の製造方法。
　製造方法。
　前記チップ接続部の上面に対して、金型により形状を転写し、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成し、
　前記金型により形状を転写した後、前記チップ接続部の少なくとも先端面に対してレーザー照射し、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成する
　請求項５９に記載の製造方法。
　前記チップ接続部の上面に対してレーザー照射し、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成する
　請求項６４に記載の製造方法。
　前記金型により形状を転写した前記複数の凹部の少なくとも一部に重なるように、レーザー照射する
　請求項６５に記載の製造方法。
　一方の面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、前記絶縁回路基板に載置された半導体チップと、前記半導体チップおよび前記回路パターンを電気的に接続する配線部とを備え、前記配線部は、前記半導体チップと接続するチップ接続部を有する半導体モジュールの製造方法であって、
　前記チップ接続部の上面に対して、金型により形状を転写し、複数の凹部と、２つの凹部の間に配置された平面部とを形成する
　製造方法。
　前記金型は、四角錐形状を有する
　請求項６７に記載の製造方法。