JP6776801B2 - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面(23)と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面(24)と、を有する支持部材(2)と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材(5)と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕(26)によって形成された粗面(25)を有し、
前記面内方向について前記搭載面における前記封止面に隣接する部分である境界部(231)は、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、レーザー照射により発生する堆積物が除去されている。
前記非照射領域の外縁部を含む境界部(231)における、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームを前記境界部に照射し、
前記後処理ビームを前記境界部に照射することで、前記導電性接合層に接合される金属質表面であって前記境界部及び前記非照射領域を含む搭載面(23)を前記支持部材に形成し、
前記搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材(5)を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。
図1〜図4を参照しつつ、本実施形態の電子装置1の構成について説明する。図1に示されているように、電子装置1は、支持部材2と、電子部品3と、導電性接合層4と、樹脂部材5とを備えている。なお、図示及び説明の便宜のため、電子装置1に通常設けられる、保護膜、配線部、等の細部については、各図において図示及び説明が省略されている。また、同様の理由のため、図2の平面図においては、樹脂部材5の図示が省略されている。
上記構成を有する電子装置1は、以下のようにして製造することができる。なお、電子装置1に通常設けられる上記の細部に関しては、製造工程の説明を省略する。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾又は特段の説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。
2 支持部材 20 実装面
21 本体部 22 メタライズ層
23 搭載面 24 封止面
25 粗面 26 レーザー照射痕
261 第一凸部 262 第二凸部
27 非照射領域
28 第一領域 29 第二領域
3 電子部品 4 導電性接合層
5 樹脂部材
Claims (8)
- 導電性接合層(4)を介して電子部品(3)を搭載した構成を有する電子装置(1)であって、
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面(23)と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面(24)と、を有する支持部材(2)と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材(5)と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕(26)によって形成された粗面(25)を有し、
前記面内方向について前記搭載面における前記封止面に隣接する部分である境界部(231)は、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、レーザー照射により発生する堆積物が除去された、
電子装置。 - 前記境界部は、前記レーザー照射痕を有しない非照射領域(27)を含む、請求項1に記載の電子装置。
- 前記境界部は、前記非照射領域の外縁部、及び前記面内方向について前記外縁部に隣接する複数の前記レーザー照射痕を含む、請求項2に記載の電子装置。
- 前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
前記境界部は、少なくとも前記矩形状における角部に対応する位置にて、前記濡れ性が前記封止面における前記粗面よりも良好となるように形成された、
請求項1〜3のいずれか1つに記載の電子装置。 - 前記支持部材は、
金属製の本体部(21)と、
前記本体部上に形成された金属薄膜であって前記搭載面及び前記封止面を有するメタライズ層(22)と、
を有する、
請求項1〜4のいずれか1つに記載の電子装置。 - 導電性接合層(4)を介して電子部品(3)を搭載した構成を有する電子装置(1)の製造方法であって、
前記電子部品を搭載する支持部材(2)の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域である非照射領域(27)よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームである粗面化ビームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕(26)によって形成された粗面(25)を有する金属質表面である封止面(24)を、前記レーザー照射痕を有しない前記非照射領域よりも前記面内方向における外側に形成し、
前記非照射領域の外縁部を含む境界部(231)における、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームを前記境界部に照射し、
前記後処理ビームを前記境界部に照射することで、前記導電性接合層に接合される金属質表面であって前記境界部及び前記非照射領域を含む搭載面(23)を前記支持部材に形成し、
前記搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材(5)を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する、
電子装置の製造方法。 - 前記後処理ビームを前記境界部に照射することは、前記非照射領域の前記外縁部、及び前記面内方向について前記外縁部に隣接する複数の前記レーザー照射痕に、前記後処理ビームを照射することである、請求項6に記載の電子装置の製造方法。
- 前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
前記後処理ビームを前記境界部に照射することは、前記境界部の、少なくとも前記矩形状における角部に対応する位置に前記後処理ビームを照射することである、請求項6又は7に記載の電子装置の製造方法。
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