WO2018074035A1

WO2018074035A1 - 電子装置及びその製造方法

Info

Publication number: WO2018074035A1
Application number: PCT/JP2017/028285
Authority: WO
Inventors: 小林　渉; 和輝神田
Original assignee: 株式会社デンソー
Priority date: 2016-10-18
Filing date: 2017-08-03
Publication date: 2018-04-26
Also published as: US20190237378A1; US20210090967A1; US11901253B2; US10937711B2; CN109891575A; CN109891575B; US11367668B2; US20200328132A1

Abstract

電子装置（１）は、導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、搭載面の面内方向について搭載面に隣接しつつ搭載面を囲むように搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）とを有する支持部材（２）と、合成樹脂成形体であって電子部品を被覆しつつ封止面に接合される樹脂部材（５）とを備える。封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有する。粗面は、第一領域（２８）と、面内方向におけるレーザー照射痕の密度が第一領域よりも高い第二領域（２９）とを含む。

Description

電子装置及びその製造方法

関連出願への相互参照

　本出願は、２０１６年１０月１８日に出願された、日本特許出願番号２０１６－２０４４７９号及び２０１６－２０４４８０号に基づくもので、ここにそれらの記載内容が参照により組み入れられる。

　本開示は、電子装置及びその製造方法に関する。

　金属表面に電子部品（例えばＩＣチップ）を接合するとともに樹脂部材を密着させた構造を有する、半導体装置及びその製造方法が知られている（例えば特開２０１６－２０００１号公報等参照）。また、特開２０１６－２０００１号公報は、金属表面をレーザービーム照射により粗面化して樹脂部材との密着性を向上する技術を開示する。

　例えば、この種の装置において、金属表面と樹脂部材との密着性をよりいっそう向上することが求められている。

　本開示の１つの観点に係る電子装置は、導電性接合層を介して電子部品を搭載した構成を有する。

　この電子装置は、
　前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面と、を有する支持部材と、
　合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材と、
　を備え、
　前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕によって形成された粗面を有し、
　前記粗面は、第一領域と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域と、を含む、
　上記構成においては、前記支持部材に対するレーザービームの照射により、前記支持部材における前記封止面に、複数の前記レーザー照射痕による前記粗面が形成される。かかる粗面には、前記第一領域と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い前記第二領域とが形成される。前記レーザー照射痕の密度が高い前記第二領域は、所望の部分、例えば、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられ得る。これにより、前記支持部材における金属質表面である前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。

　本開示の他の１つの観点に係る電子装置は、導電性接合層を介して電子部品を搭載した構成を有する。

　この電子装置は、
　前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面と、を有する支持部材と、
　合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材と、
　を備えている。

　また、この電子装置においては、
　前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕によって形成された粗面を有し、
　前記粗面は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられている。

　上記構成においては、前記支持部材に対するレーザービームの照射により、前記支持部材における前記封止面に、前記レーザー照射痕による前記粗面が形成される。かかる粗面は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との前記接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられる。これにより、前記支持部材における金属質表面である前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。

　本開示のさらに他の１つの観点に係る製造方法は、導電性接合層を介して電子部品を搭載した構成を有する電子装置の製造方法である。

　この製造方法は、以下の工程を含む。

　前記電子部品を搭載する支持部材の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕によって形成された粗面であって第一領域と前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域とを含む粗面を有する金属質表面である封止面を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に設け、
　前記レーザー非照射領域を含む搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
　合成樹脂成形体である樹脂部材を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。

　かかる製造方法によれば、前記電子装置が、良好に製造され得る。

　この製造方法は、以下の工程を含む。

　前記電子部品を搭載する支持部材の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕によって形成された粗面を、有する金属質表面である封止面を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側であって前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における内部応力が他の部分よりも高くなる部分に対応した位置に設け、
　前記レーザー非照射領域を含む搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
　合成樹脂成形体である樹脂部材を前記粗面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。

　この種の装置において、レーザービーム照射による粗面化の影響が、金属表面における電子部品との密着部分にも及ぶ場合があり得る。この場合、金属表面と電子部品との密着性が低下する懸念がある。本開示のさらに他の１つの観点は、金属表面をレーザービーム照射により粗面化して樹脂部材との密着性を向上しても、金属表面と電子部品との良好な密着性が得られる、構成及びその製造方法を提供する。

　この観点に係る電子装置は、導電性接合層を介して電子部品を搭載した構成を有する。

　この電子装置は、
　前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面と、を有する支持部材と、
　合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材と、
　を備え、
　前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕によって形成された粗面を有し、
　前記面内方向について前記搭載面における前記封止面に隣接する部分である境界部は、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように形成されている。

　この製造方法は、以下の工程を含む。

　前記電子部品を搭載する支持部材の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域である非照射領域よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームである粗面化ビームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕によって形成された粗面を有する金属質表面である封止面を、前記レーザー照射痕を有しない前記非照射領域よりも前記面内方向における外側に形成し、
　前記非照射領域の外縁部を含む境界部における、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームを前記境界部に照射し、
　前記後処理ビームを前記境界部に照射することで、前記導電性接合層に接合される金属質表面であって前記境界部及び前記非照射領域を含む搭載面を前記支持部材に形成し、
　前記搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
　合成樹脂成形体である樹脂部材を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。

　上記構成及び製造方法においては、前記支持部材に対する前記粗面化ビームの照射により、複数の前記レーザー照射痕を有する前記粗面が形成される。これにより、前記支持部材における金属質表面であって前記粗面を有する前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。一方、前記支持部材の、前記面内方向における中心部寄りには、前記非照射領域が形成される。即ち、前記非照射領域よりも、前記面内方向における外側に、前記封止面が形成される。

　このとき、前記レーザー照射痕の内側及び周囲には、堆積物が堆積する。この堆積物を構成する物質は、前記支持部材を構成する金属、及び／又はその化合物（例えば酸化物）等である。かかる堆積物の堆積等に伴い、前記レーザー照射痕の内側及び周囲には、微細な凹凸が発生する。

　上記のような堆積物の堆積及び／又は微細な凹凸は、前記搭載面における、前記面内方向について前記封止面に隣接する前記境界部にも発生し得る。すると、前記化合物等の影響により、前記境界部にて、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が悪化する懸念がある。

　そこで、上記構成及び製造方法においては、前記境界部に、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである前記後処理ビームが照射される。前記後処理ビームの照射により、前記濡れ性の悪化の要因である前記化合物等が、良好に除去される。これにより、前記境界部は、前記濡れ性が前記封止面における前記粗面よりも良好とされる。したがって、前記封止面と前記樹脂部材との良好な密着性を実現しつつ、前記搭載面における前記導電性接合層の密着性が良好に確保され得る。

　なお、請求の範囲欄における各手段に付された括弧付きの参照符号は、同手段と後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

第一実施形態の電子装置の概略構成を示す断面図である。図１に示された電子装置の平面図である。図１に示された支持部材の平面図である。図１に示された支持部材の一部拡大断面図である。図１に示された支持部材の一部拡大断面図である。図１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。図１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の平面図である。第一実施形態の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。図７に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の平面図である。第一実施形態の他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。第一実施形態のさらに他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。第二実施形態の電子装置の概略構成を示す断面図である。図１１に示された電子装置の平面図である。図１１に示された支持部材の平面図である。図１１に示された支持部材の一部拡大断面図である。図１１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。図１１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。図１１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。図１１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。図１１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材等の一部拡大断面図である。図１１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材等の一部拡大断面図である。図１１に示された電子装置の製造工程に対応した、電子装置の一部拡大断面図である。第二実施形態の変形例の電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。上記変形例の電子装置の製造工程に対応した、支持部材の平面図である。上記変形例の電子装置の製造工程に対応した、支持部材等の一部拡大断面図である。第二実施形態の他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。第二実施形態のさらに他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。第二実施形態のさらに他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。第二実施形態のさらに他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。

　以下、実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、複数の実施形態相互間において、また、実施形態と後述の変形例とにおいて、互いに同一又は均等である部分には、同一符号が付されている。この場合、後続の実施形態又は変形例においては、技術的矛盾又は特段の追加説明なき限り、先行する実施形態における説明が適宜援用され得る。

　（第一実施形態の構成）
　図１～図３並びに図４Ａ及び図４Ｂを参照しつつ、本実施形態の電子装置１の構成について説明する。図１に示されているように、電子装置１は、支持部材２と、電子部品３と、導電性接合層４と、樹脂部材５とを備えている。なお、図示及び説明の便宜のため、電子装置１に通常設けられる、保護膜、配線部、等の細部については、各図において図示及び説明が省略されている。また、同様の理由のため、図２の平面図においては、樹脂部材５の図示が省略されている。

　支持部材２は、電子部品３を支持する部材であって、本実施形態においては金属部材として構成されている。具体的には、支持部材２は、いわゆるリードフレームであって、少なくとも電子部品３と接合される部分及びその近傍部分にて平板状に形成されている。支持部材２の構成の詳細については後述する。本実施形態においては、電子部品３は、ＩＣチップであって、図２に示されているように、平面形状が矩形状に形成されている。「平面形状」とは、六面体状に形成された電子部品３における最も大きな面積を有する一対の表面である、一対の主面のうちの一方を、当該一方の主面の法線方向と平行な視線で見た場合の、当該一方の主面の形状をいう。また、「平面形状」は、平面視における形状、即ち平面図中の形状をいう場合もある。

　導電性接合層４は、支持部材２の一表面である実装面２０に電子部品３を接着するための部材であって、ハンダ又は導電性接着剤によって形成されている。実装面２０の面内方向、即ち、実装面２０と平行な方向を、以下単に「面内方向」と称する。樹脂部材５は、合成樹脂成形体であって、エポキシ樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂等の熱硬化性もしくは熱可塑性合成樹脂によって形成されている。電子装置１は、支持部材２の実装面２０に導電性接合層４を介して電子部品３を搭載するとともに、搭載した電子部品３及び実装面２０を樹脂部材５で被覆した構成を有している。

　支持部材２は、本体部２１とメタライズ層２２とを有している。本体部２１は、導電性の良好な金属材料、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、又はこれらの金属元素の少なくとも一種を含む合金（例えば４２アロイ等）によって形成されている。メタライズ層２２は、本体部２１上に形成された金属薄膜であって、実装面２０を有している。即ち、実装面２０は、メタライズ層２２の表面として設けられている。本実施形態においては、メタライズ層２２は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇのうちの少なくとも一つを主成分とする金属材料をメッキ等で成膜することによって形成されている。

　実装面２０は、支持部材２の有する一つの平面状の金属表面の一部に対して、樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するためのレーザービーム照射処理を施すことによって形成されている。具体的には、実装面２０は、搭載面２３と封止面２４とを有している。搭載面２３は、導電性接合層４に接合される金属質表面であって、面内方向における実装面２０の中心部に設けられている。「金属質表面」とは、金属を主成分とする表面であって、金属表面及び金属化合物表面（例えば金属酸化物表面）を含む。本実施形態においては、搭載面２３は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属表面として形成されている。

　図３に示されているように、搭載面２３は、電子部品３における矩形状の平面形状に対応して、矩形状の平面形状に形成されている。封止面２４は、面内方向について搭載面２３に隣接する金属質表面であって、搭載面２３を囲むように搭載面２３の外側に設けられている。樹脂部材５は、電子部品３を被覆しつつ、封止面２４に接合されている。

　封止面２４は、粗面２５を有している。粗面２５は、複数の略円形状のレーザー照射痕２６によって形成されている。レーザー照射痕２６は、外径が５～３００μｍ程度のクレーター状の凹凸部であって、実装面２０にパルス発振のレーザービームを照射することによって形成されている。なお、一つの略円形状のレーザー照射痕２６は、一回のパルス発振のレーザービーム照射に対応する。

　図３に示されているように、本実施形態においては、粗面２５は、平面視にて、所定の線幅、具体的には、レーザー照射痕２６の外径の二倍に相当する幅を有する矩形状に形成されている。即ち、封止面２４の、矩形状の粗面２５よりも面内方向における内側には、レーザー照射痕２６を有しないレーザー非照射領域２７が形成されている。なお、本実施形態においては、封止面２４の、粗面２５よりも面内方向における外側にも、レーザー照射痕２６を有しない領域が形成されている。

　上記の通り、粗面２５は、実装面２０の面内方向における中心部寄りのレーザー非照射領域２７よりも、面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することによって形成されている。このレーザー非照射領域２７によって、搭載面２３の主要部が形成されている。具体的には、本実施形態においては、搭載面２３とレーザー非照射領域２７とは略一致している。

　粗面２５は、第一領域２９１と第二領域２９２とを含む。第一領域２９１及び第二領域２９２には、それぞれ、レーザー照射痕２６が複数形成されている。第二領域２９２は、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い領域である。具体的には、本実施形態においては、第二領域２９２は、レーザービーム照射密度を第一領域２９１の１．２５倍以上とすることで形成されている。

　また、本実施形態においては、第二領域２９２は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられている。具体的には、第二領域２９２は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられている。即ち、第二領域２９２は、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に設けられている。

　図４Ａは、図３におけるIV－IV断面のうちの、第一領域２９１に対応する部分を示す。図４Ｂは、図３におけるIV－IV断面のうちの、第二領域２９２に対応する部分を示す。図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、粗面２５には、第一凸部２６１と第二凸部２６２とが、それぞれ複数形成されている。

　第一凸部２６１は、クレーター状のレーザー照射痕２６の外縁部に対応して形成された凸部であって、０．５～５μｍの高さを有している。第一凸部２６１の高さは、図４Ａ及び図４Ｂにて矢印Ｈ１により示されており、その定義は後述する。

　第二凸部２６２は、第一凸部２６１内及び第一凸部２６１の周囲に形成された凸部であって、１～５００ｎｍの高さ及び１～３００ｎｍの幅を有している。即ち、第二凸部２６２は、レーザー照射痕２６内及びレーザー照射痕２６の周囲に形成されている。また、第二領域２９２における第二凸部２６２は、第一領域２９１における第二凸部２６２よりも高く形成されている。第二凸部２６２の高さは、図４Ａ及び図４Ｂにて矢印Ｈ２により示されており、その定義は後述する。

　第二凸部２６２は、１～３００ｎｍの幅を有している。第二凸部２６２の幅の定義も後述する。粗面２５は、隣り合う２つの第二凸部２６２の間隔が１～３００ｎｍとなるように形成されている。

　上記のように、第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１の高さよりも充分小さい。故に、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２の高さを捨象して定義可能である。即ち、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２を平滑化して第一凸部２６１の仮想的な断面曲線（図４Ａ及び図４Ｂにおける点線参照）を形成した場合の、面内方向と直交する方向、即ち図４Ａ及び図４Ｂにおける上下方向における、第一凸部２６１の最高位置と最低位置との間の距離である。

　第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１における上記の仮想的な断面曲線を水平に伸ばした場合の、水平線と直交する方向における、第二凸部２６２の最高位置と最低位置との間の距離である。第二凸部２６２の幅は、第二凸部２６２の高さを規定する方向と直交する方向における、第二凸部２６２の隣接する２つの最低位置の間の距離である。

　（第一実施形態の構成の製造方法）
　上記構成を有する電子装置１は、以下のようにして製造することができる。なお、電子装置１に通常設けられる上記の細部に関しては、製造工程の説明を省略する。

　まず、支持部材２の一金属表面の一部、即ち、レーザー非照射領域２７よりも面内方向における外側の領域に、パルス発振のレーザービームを走査しつつ多数回照射することで、略円形状のレーザー照射痕２６を多数有する粗面２５が形成される。レーザービームの照射条件は以下の通りである。レーザー光源は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧを用いることが可能である。「Ｎｄ：ＹＡＧ」は「ネオジム：イットリウム・アルミニウム・ガーネット」の略称である。Ｎｄ：ＹＡＧの場合、波長は、基本波長である１０６４μｍ、又はその高調波である５３３μｍ又は３５５μｍの波長を用いることが可能である。レーザービームの照射スポット径は５～３００μｍであり、エネルギー密度は５～１００Ｊ／平方ｃｍであり、パルス幅、即ち、一つのスポットあたりの照射時間は１０～１０００ｎｓである。

　図５は、一回のレーザービーム照射によって一つのレーザー照射痕２６が形成された様子を示す。図中、破線は、レーザービームを示す。レーザービームの照射により、金属の溶融及び／又は気化と、これに伴う金属の凝固及び／又は堆積が生じる。これにより、図５に示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１が平面視にて略円形に形成される。第一凸部２６１の外径は、レーザービームの照射スポット径よりも僅かに大きい。また、第一凸部２６１の内側及び周囲に、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２が形成される。

　レーザービームの走査条件は以下の通りである。本実施形態においては、レーザー光源、光学系、及び支持部材２を着脱可能に支持するためのＸＹステージは、容易には移動しないように固定的に設けられている。支持部材２がＸＹステージ上に装着される。レーザー光源の駆動とＸＹステージの駆動とが同期されつつ、実装面２０上の所望の位置にてレーザービームが照射される。これにより、レーザービームを実装面２０上にて所望のパターンで走査することが可能である。以下の説明では、説明の簡略化のため、レーザービームが実装面２０上を移動するような表現が用いられることがある。

　本実施形態においては、図６に示されているように、まず、位置Ｐ１０を起点として、矩形Ｐ１１－Ｐ１２－Ｐ１３－Ｐ１４上をレーザービームが走査される。これにより、矩形Ｐ１１－Ｐ１２－Ｐ１３－Ｐ１４上に、レーザー照射痕２６が、隙間なく複数形成される。なお、位置Ｐ１０は、辺Ｐ１４－Ｐ１１上における、位置Ｐ１４よりも、レーザービームの照射スポット径の１／２程度、図中Ｘ軸正方向に変位した位置である。

　具体的には、まず、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動により、位置Ｐ１０からＰ１１に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｘ軸正方向に一直線状に走査される。次に、支持部材２の図中Ｙ軸正方向への移動により、位置Ｐ１１からＰ１２に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｙ軸負方向に一直線状に走査される。続いて、支持部材２の図中Ｘ軸正方向への移動により、位置Ｐ１２からＰ１３に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｘ軸負方向に一直線状に走査される。さらに、支持部材２の図中Ｙ軸負方向への移動により、位置Ｐ１３からＰ１４に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｙ軸正方向に一直線状に走査される。

　その後、位置Ｐ２０を起点として、矩形Ｐ２１－Ｐ２２－Ｐ２３－Ｐ２４上をレーザービームが走査される。これにより、矩形Ｐ２１－Ｐ２２－Ｐ２３－Ｐ２４上に、レーザー照射痕２６が、隙間なく複数形成される。なお、矩形Ｐ２１－Ｐ２２－Ｐ２３－Ｐ２４は、矩形Ｐ１１－Ｐ１２－Ｐ１３－Ｐ１４よりも、レーザービームスポット１個分、外側に設けられている。また、辺Ｐ２１－Ｐ２２は辺Ｐ１１－Ｐ１２に隣接し、辺Ｐ２２－Ｐ２３は辺Ｐ１２－Ｐ１３に隣接し、辺Ｐ２３－Ｐ２４は辺Ｐ１３－Ｐ１４に隣接し、辺Ｐ２４－Ｐ２１は辺Ｐ１４－Ｐ１１に隣接している。位置Ｐ２０は、辺Ｐ２４－Ｐ２１上における、位置Ｐ２４よりも、レーザービームの照射スポット径の１／２程度、図中Ｘ軸正方向に変位した位置である。

　具体的には、まず、位置Ｐ２０からＰ２１に向かって、レーザービームが、図中Ｘ軸正方向に一直線状に走査される。次に、位置Ｐ２１からＰ２２に向かって、レーザービームが、図中Ｙ軸負方向に一直線状に走査される。続いて、位置Ｐ２２からＰ２３に向かって、レーザービームが、図中Ｘ軸負方向に一直線状に走査される。さらに、位置Ｐ２３からＰ２４に向かって、レーザービームが、図中Ｙ軸正方向に一直線状に走査される。

　位置Ｐ１０を起点としてＰ１１、Ｐ１２、及びＰ１３を経てＰ１４に至るレーザービームの走査速度は一定ではない。具体的には、位置Ｐ１０におけるレーザービーム照射前においては、支持部材２は停止している。位置Ｐ１０におけるレーザービーム照射時又はその直前にて、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動が開始される。その後、レーザービーム照射位置が位置Ｐ１１に達するまで、支持部材２は連続的に移動する。

　支持部材２の移動開始から所定の加速時間の間、支持部材２の移動速度が加速され、その後、移動速度は一定となる。さらにその後、支持部材２の移動速度が減速され、位置Ｐ１１におけるレーザービーム照射時又はその直後にて、支持部材２の移動方向の転換のため、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動が停止される。このため、走査開始直後の位置Ｐ１０近辺、及び走査終了間際の位置Ｐ１１近辺においては、走査速度が比較的遅くなる。故に、位置Ｐ１０近傍及び位置Ｐ１１近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、Ｐ１０とＰ１１との中間位置近傍にて、走査速度が比較的高くなり、故に、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。

　位置Ｐ１１にて、支持部材２の移動方向が転換される。即ち、支持部材２は、レーザービームの位置Ｐ１１からＰ１２に向かう走査の際に、図中Ｙ軸正方向に移動する。支持部材２が図中Ｙ軸正方向の移動を開始してから、レーザービーム照射位置が位置Ｐ１２に達するまで、支持部材２は連続的に移動する。このとき、上記の位置Ｐ１０－Ｐ１１間の走査と同様に、走査開始直後の位置Ｐ１１近辺、及び走査終了間際の位置Ｐ１２近辺においては、走査速度が比較的遅くなる。故に、位置Ｐ１１近傍及び位置Ｐ１２近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、Ｐ１１とＰ１２との中間位置にて、走査速度が比較的高くなり、故に、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。

　レーザービームの、位置Ｐ１２からＰ１３に向かう走査、及び位置Ｐ１３からＰ１４に向かう走査の際も、上記と同様である。これにより、矩形Ｐ１１－Ｐ１２－Ｐ１３－Ｐ１４の角部にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、矩形Ｐ１１－Ｐ１２－Ｐ１３－Ｐ１４の各辺における中間位置近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。

　位置Ｐ２０を起点としてＰ２１、Ｐ２２、及びＰ２３を経てＰ２４に至るレーザービームの走査についても、上記の位置Ｐ１０を起点としてＰ１１、Ｐ１２、及びＰ１３を経てＰ１４に至るレーザービームの走査と同様である。これにより、矩形Ｐ２１－Ｐ２２－Ｐ２３－Ｐ２４の角部にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、矩形Ｐ２１－Ｐ２２－Ｐ２３－Ｐ２４の各辺における中間位置近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。このようにして、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い第二領域２９２が形成される。

　レーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い第二領域２９２においては、レーザービーム照射による金属の気化量及び堆積量が、比較的多くなる。故に、第二領域２９２における第二凸部２６２は、第一領域２９１における第二凸部２６２よりも、高さが高く形成される。

　上記のようにして、レーザービーム照射により実装面２０に粗面２５が形成された後、レーザー非照射領域２７を含む搭載面２３に、導電性接合層４が接合される。続いて、導電性接合層４における、実装面２０と接合された側と反対側に、電子部品３が接合される。こうして、電子部品３が、導電性接合層４を介して支持部材２に搭載される。

　その後、合成樹脂成形体である樹脂部材５を封止面２４に接合することで、樹脂部材５により電子部品３が被覆される。このとき、封止面２４には、粗面２５が形成されている。この粗面２５は、微視的には、図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１と、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２とを有している。このため、支持部材２と樹脂部材５とが良好に密着する。

　（第一実施形態の効果）
　上記の通り、本実施形態においては、支持部材２に対するレーザービームの照射により、支持部材２における封止面２４に、複数のレーザー照射痕２６による粗面２５が形成される。樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するための粗面２５には、第一領域２９１と、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い第二領域２９２とが形成される。

　レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２は、必要に応じて、所望の部分に設けられ得る。具体的には、例えば、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が高い部分である、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられる。これにより、内部応力に起因する、樹脂部材５の剥離等の不具合の発生が、可及的に抑制される。即ち、支持部材２における金属質表面である封止面２４と、樹脂部材５との密着性が、よりいっそう向上する。

　レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２は、レーザー照射痕２６の密度が低い第一領域２９１よりも、第二凸部２６２の高さが高くなるように形成されている。これにより、内部応力が高い部分における樹脂部材５の密着性が、よりいっそう向上する。

　本実施形態においては、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２は、粗面２５の全部ではなく、必要な一部にのみ設けられる。具体的には、実装面２０上のレーザービームの一方向走査における、始点近傍及び終点近傍に、第二領域２９２が選択的に形成される。したがって、本実施形態によれば、加工時間の増加を最小限に抑えつつ、良好な密着力を確保することが可能となる。

　（第二実施形態の構成）
　図１１～図１４を参照しつつ、本実施形態の電子装置１の構成について説明する。図１１に示されているように、電子装置１は、支持部材２と、電子部品３と、導電性接合層４と、樹脂部材５とを備えている。

　支持部材２は、本体部２１とメタライズ層２２とを有している。本実施形態においては、メタライズ層２２は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属材料（例えばニッケル系金属）をメッキ等で成膜することによって形成されている。

　実装面２０は、支持部材２の有する一つの平面状の金属表面の一部に対して、導電性接合層４及び樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するためのレーザービーム照射処理を施すことによって形成されている。具体的には、実装面２０には、搭載面２３と封止面２４とが含まれる。即ち、メタライズ層２２は、搭載面２３と封止面２４とを有している。　

　封止面２４は、粗面２５を有している。粗面２５は、複数の略円形状のレーザー照射痕２６によって形成されている。粗面２５を形成するためのレーザービームを、以下「粗面化ビーム」と称することがある。

　搭載面２３は、境界部２３１を有している。境界部２３１には、粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームの照射処理が施されている。これにより、境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が、封止面２４における粗面２５よりも良好となるように形成されている。境界部２３１は、搭載面２３における、面内方向について封止面２４に隣接する、平面視にて略矩形状の帯状部分である。具体的には、境界部２３１は、レーザー非照射領域２７の外縁部に設けられている。このように、搭載面２３は、全体として、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属質表面として形成されている。

　図１４は、図１３におけるXIV－XIV断面のうちの一部分を示す。図１４に示されているように、粗面２５には、第一凸部２６１と第二凸部２６２とが、それぞれ複数形成されている。

　（製造方法及び効果）
　上記構成を有する電子装置１は、以下のようにして製造することができる。なお、電子装置１に通常設けられる上記の細部に関しては、製造工程の説明を省略する。

　まず、支持部材２の一金属表面の一部、即ち、レーザー非照射領域２７よりも面内方向における外側の領域に、パルス発振の粗面化ビームを走査しつつ多数回照射することで、略円形状のレーザー照射痕２６を多数有する粗面２５が形成される。粗面化ビームの照射条件は以下の通りである。レーザー光源は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧを用いることが可能である。Ｎｄ：ＹＡＧの場合、波長は、基本波長である１０６４μｍ、又はその高調波である５３３μｍ又は３５５μｍの波長を用いることが可能である。照射スポット径は５～３００μｍであり、エネルギー密度は５～１００Ｊ／平方ｃｍであり、パルス幅、即ち、一つのスポットあたりの照射時間は１０～１０００ｎｓである。

　図１５は、粗面化ビームの一スポット分の照射によって一つのレーザー照射痕２６が形成された様子を示す。図中、破線は、粗面化ビームを示す。粗面化ビームの照射により、金属の溶融及び／又は気化と、これに伴う金属の凝固及び／又は堆積が生じる。これにより、図１５に示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１が平面視にて略円形に形成される。第一凸部２６１の外径は、粗面化ビームの照射スポット径よりも僅かに大きい。また、第一凸部２６１の内側及び周囲に、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２が形成される。

　粗面化ビーム及び後述する後処理ビームの走査方式は以下の通りである。本実施形態においては、レーザー光源、光学系、及び支持部材２を着脱可能に支持するためのＸＹステージは、容易には移動しないように固定的に設けられている。支持部材２がＸＹステージ上に装着される。レーザー光源の駆動とＸＹステージの駆動とが同期されつつ、実装面２０上の所望の位置にてレーザービームが照射される。これにより、レーザービームを実装面２０上にて所望のパターンで走査することが可能である。なお、以下の説明では、説明の簡略化のため、レーザービームが実装面２０上を移動するような表現が用いられることがある。

　図１６は、粗面化ビームの図中左方向に向かう走査によって、複数のレーザー照射痕２６が順に形成される様子を示す。なお、図示及び説明の簡略化のため、図１６においては、粗面２５における第二凸部２６２（図１５参照）の図示は省略されている。

　図１６に示されているように、支持部材２に対する粗面化ビームの照射及び走査により、支持部材２における封止面２４に、複数のレーザー照射痕２６による粗面２５が形成される。一方、支持部材２の面内方向における中心部寄りには、レーザー非照射領域２７が形成される。即ち、レーザー非照射領域２７よりも、面内方向における外側に、封止面２４が形成される。

　粗面化ビームの照射によって複数のレーザー照射痕２６が形成される際に、各レーザー照射痕２６の内側及び周囲には、堆積物２６３が堆積する。堆積物２６３は、メタライズ層２２を構成する金属、及びその化合物（即ち典型的には酸化物）等によって形成される。かかる堆積物２６３の堆積等により、レーザー照射痕２６の内側及び周囲には、微細な凹凸が発生する。即ち、堆積物２６３は、図１５に示された第二凸部２６２を形成する一要因となる。

　堆積物２６３の堆積及びこれに伴う微細な凹凸は、搭載面２３における、面内方向について封止面２４に隣接する境界部２３１にも発生する場合がある。この場合、上述の化合物等の影響により、境界部２３１にて、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が悪化する懸念がある。特に、メタライズ層２２として、ハンダに対する濡れ性が良好なニッケル系の金属メッキを用いた場合、ニッケル酸化物である堆積物２６３の発生により、ハンダに対する濡れ性が大きく悪化する。このような、境界部２３１における濡れ性の悪化を考慮して、搭載面２３と粗面２５との間に所定幅のマージン領域を形成すると、電子装置１が大型化する。

　また、電子部品３の矩形状の平面形状における角部近傍は、熱応力等の内部応力が発生しやすい部分である。この点、上記のような、境界部２３１における濡れ性の悪化、及び／又はマージン領域の形成により、電子部品３の角部近傍における支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との密着性が低下する。これにより、電子部品３の角部近傍にて、導電性接合層４に剥離及び／又はクラックが発生する懸念がある。

　そこで、本実施形態においては、図１７に示されているように、境界部２３１に後処理ビームが照射される。後処理ビームの照射は、粗面化ビームの照射が終了した後、粗面化ビームの照射と同一のレーザー照射設備を用いて行われる。このレーザー照射設備は、レーザー光源、光学系、ＸＹステージ、及びこれらの制御装置等を含む。よって、上記のＸＹステージに支持部材２が一旦装着されると、粗面化ビームの照射とその後の後処理ビームの照射が完了するまで、支持部材２はＸＹステージから取り外されない。

　後処理ビームの照射条件は以下の通りである。後処理ビームの波長、照射スポット径、及びパルス幅は、粗面化ビームと同じ値を用いることが可能である。エネルギー密度は０．５～３Ｊ／平方ｃｍである。濡れ性向上をより良好とするため、照射ピッチ、即ち、連続する二つのスポットの中心間距離は、粗面化ビームよりも短く設定される。具体的には、例えば、粗面化ビームのスポット径が８０μｍで照射ピッチが７０μｍに設定された場合、後処理ビームのスポット径は８０μｍで照射ピッチは３５μｍ以下に設定され得る。

　後処理ビームの照射により、図１８に示されているように、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性の悪化の要因である、上記の化合物等が、境界部２３１から良好に除去される。これにより、境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が、封止面２４における粗面２５よりも良好とされる。

　このように、粗面化ビームの照射により実装面２０に粗面２５が形成された後、後処理ビームが境界部２３１に照射される。これにより、導電性接合層４に接合される金属質表面であって境界部２３１及びレーザー非照射領域２７を含む搭載面２３が、支持部材２に形成される。粗面化ビームの照射と、その後の後処理ビームの照射は、同一のレーザー照射設備を用いて、途中に支持部材２の着脱作業を経ることなく連続的に行われる。故に、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な搭載面２３の形成が、良好な位置精度にて迅速に行われ得る。

　その後、塗布等により、図１９に示されているように、搭載面２３上に導電性接合層４が形成される。続いて、図２０に示されているように、導電性接合層４における、実装面２０と接合された側と反対側に、電子部品３が接合される。こうして、電子部品３が、導電性接合層４を介して支持部材２に搭載される。

　上記の通り、搭載面２３における境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が、封止面２４における粗面２５よりも良好とされている。したがって、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が、良好に確保され得る。

　その後、図２１に示されているように、合成樹脂成形体である樹脂部材５を封止面２４に接合して、電子部品３を樹脂部材５により被覆することで、電子装置１が製造される。このとき、封止面２４には、粗面２５が形成されている。この粗面２５は、微視的には、図１４に示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１と、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２とを有している。このため、支持部材２と樹脂部材５とが、アンカー効果により良好に密着する。

　上記の通り、本実施形態においては、封止面２４と樹脂部材５との良好な密着性を実現しつつ、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が良好に確保され得る。

　（変形例）
　本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾又は特段の説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。

　支持部材２は、リードフレームに限定されない。例えば、支持部材２は、いわゆるＳＯＩ基板であってもよい。ＳＯＩはSilicon　on　Insulatorの略である。一方、本体部２１が金属部材であって、その表面の、導電性接合層４及び樹脂部材５との接合性が所定程度良好であれば、支持部材２は、メタライズ層２２を有していなくてもよい。

　電子部品３は、ＩＣチップに限定されない。即ち、例えば、電子部品３は、コンデンサ素子等であってもよい。

　封止面２４における、粗面２５が設けられていない部分は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。あるいは、粗面２５、即ち複数のレーザー照射痕２６は、封止面２４の全体に形成されていてもよい（図７～図９参照）。粗面２５の一部、即ち、面内方向における外縁部は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。

　図７に示されているように、第二領域２９２は、電子部品３の矩形状における各辺の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図７の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。

　レーザーの種類は、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、等が利用可能である。

　レーザービームの走査方式も、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、支持部材２を固定して、光学系にてレーザービームスポットを実装面２０上にて移動させることが可能である。

　レーザービームの走査方向も、特段の限定はない。即ち、例えば、図６に示されているように、レーザービームは、閉曲線上にて走査され得る。あるいは、例えば、図８にて実線矢印によって示されているように、レーザービームは、多数回、往復走査され得る。具体的には、図８の走査態様においては、副走査方向（図８における破線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際には、レーザービームの照射は行われない。一回の副走査方向の走査と次回の副走査方向の走査との間に行われる、主走査方向（図８における実線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際に、レーザービームの照射が行われる。一回の主走査方向の走査と、次回の主走査方向の走査とでは、支持部材２の相対移動方向が反対となる。

　図９に示されているように、粗面２５が封止面２４の全体に形成されている場合において、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられていてもよい。即ち、第二領域２９２は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分を含み、且つ当該部分から電子部品３の平面視における矩形状の外形形状における一辺（即ち図９における上辺）に沿うような、帯状に形成されていてもよい。図９の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。

　図９の走査態様においても、副走査方向（図９における破線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際には、レーザービームの照射は行われない。一回の副走査方向の走査と次回の副走査方向の走査との間に行われる、主走査方向（図９における実線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際に、レーザービームの照射が行われる。一回の主走査方向の走査と、次回の主走査方向の走査とでは、支持部材２の相対移動方向が反対となる。

　第二凸部２６２は、第一凸部２６１内又は第一凸部２６１の周囲に形成されていればよい。

　レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２の形成方法は、上記実施形態に示された具体例に限定されない。即ち、上記実施形態においては、支持部材２と光学系との相対移動速度の変化を用いてレーザー照射痕２６の疎密を形成したが、本開示はかかる方法に限定されない。具体的には、例えば、粗面２５に相当する実装面２０上の領域内をレーザービームスポットが通過する間、支持部材２と光学系との相対移動速度は一定にされ得る。この場合、レーザービームの発振周波数を調整することで、レーザー照射痕２６の疎密を形成することが可能である。あるいは、支持部材２と光学系との相対移動速度と、レーザービームの発振周波数との双方を制御することによっても、レーザー照射痕２６の疎密を形成することが可能である。

　第一領域２９１及び第二領域２９２におけるレーザー照射痕２６の形成態様も、上記実施形態に示された具体例に限定されない。例えば、第一領域２９１には、レーザー照射痕２６がない部分があってもよい。第二領域２９２におけるレーザー照射痕２６の形成密度も、一定であってもよいし、第二領域２９２内の特定の領域にて形成密度が特に高い部分が存在していてもよい。

　図１０に示されているように、粗面２５は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分のみに対応して設けられていてもよい。具体的には、粗面２５は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図１０の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。かかる構成によっても、上記実施形態と同様の効果が奏され得る。

　図１９に示されている、搭載面２３上への導電性接合層４の形成と、図２０に示されている、搭載面２３への電子部品３の搭載とは、同時に行われ得る。

　粗面化ビームと後処理ビームとで、照射条件、即ち、波長、照射スポット径、パルス幅、等が異なっていてもよい。例えば、酸化物等の除去の観点から、後処理ビームの波長は、短波長（即ち例えば紫外波長）に設定され得る。具体的には、Ｎｄ：ＹＡＧの場合、粗面化ビームでは基本波長の１０６４μｍが用いられ、後処理ビームでは第三高調波の３５５μｍが用いられ得る。この場合、紫外波長の後処理ビームの照射による酸化物等の除去は、熱プロセスを伴わないアブレーション加工となる。このため、酸化物等の除去が、周囲への熱影響を最小限にしつつ可能となる。また、後処理ビームは、パルス発振ではなく、連続照射であってもよい。

　粗面化ビームと後処理ビームとで、異なる種類のレーザーが用いられてもよい。例えば、粗面化ビームとしては、熱プロセスによる金属の溶融が発生しやすい、長波長レーザーが好適に用いられ得る。一方、後処理ビームとしては、上記のように、周囲への熱影響を最小限にしつつ酸化物等を除去する観点から、エキシマレーザー等の短波長レーザーが好適に用いられ得る。

　粗面化ビームの照射と後処理ビームの照射との間に、支持部材２の着脱が行われてもよい。

　図２２に示されているように、後処理ビームは、レーザー非照射領域２７の外縁部に加えて、面内方向についてレーザー非照射領域２７に隣接するレーザー照射痕２６にも照射され得る。この場合、図２３に示されているように、境界部２３１は、レーザー非照射領域２７の外縁部（即ち粗面２５の内縁部）と、面内方向について当該外縁部に隣接しつつ平面視にて矩形状に配列する複数のレーザー照射痕２６の一部とを含む。

　すると、図２４に示されているように、導電性接合層４は、レーザー照射痕２６のうちの、境界部２３１に含まれる部分にも密着する。かかる構成においては、導電性接合層４の外縁部が、レーザー照射痕２６により形成される凹凸により、良好に搭載面２３に固着する。したがって、かかる構成によれば、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が、よりいっそう良好に確保され得る。

　搭載面２３の平面視における外形形状は、図１３に示されているような矩形状に限定されない。但し、上記の通り、内部応力の観点から、電子部品３の角部に対応する位置にて、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好であることが好適である。したがって、搭載面２３における、少なくとも電子部品３の角部に対応する位置にて、後処理ビームが照射されることが好適である。即ち、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な搭載面２３の、平面視における角部は、直角状の部分が面内方向について外側に突出するように形成され得る。

　例えば、図２５に示されている例では、搭載面２３は、矩形状のレーザー非照射領域２７から四つのマージン領域２８１を除外した平面形状を有している。境界部２３１は、矩形状のレーザー非照射領域２７における四つの角部のそれぞれに設けられている。マージン領域２８１は、台形状に形成されていて、下底が上底よりも外側に位置するように配置されている。また、マージン領域２８１は、矩形状のレーザー非照射領域２７の各辺に下底が接するように配置されている。即ち、マージン領域２８１は、図中上下方向又は左右方向に隣接する二つの境界部２３１の間に設けられている。換言すれば、搭載面２３は、レーザー非照射領域２７の内側の矩形状領域と、この矩形状領域における四つの角部のそれぞれから突出するほぼ矩形状の四つの境界部２３１とを重ねた領域として形成されている。

　搭載面２３と粗面２５との間に設けられるマージン領域２８１においては、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が悪化している可能性がある。もっとも、かかる構成においては、マージン領域２８１は、電子部品３の角部に対応する位置には設けられない。即ち、電子部品３の角部に対応する位置の境界部２３１は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好に形成されている。また、境界部２３１の面内方向における外側に隣接する、粗面２５の内縁部における角部は、樹脂部材５と良好に密着する。したがって、かかる構成によれば、電子部品３の角部近傍における、導電性接合層４の剥離及び／又はクラックの発生が、良好に抑制され得る。

　搭載面２３が矩形状であっても、その角部以外の位置には、マージン領域２８１が設けられ得る。例えば、図２６に示されている例では、平面視にて枠状に形成された粗面２５の内縁部における角部（即ち内側の角部）は、搭載面２３側に突出する扇形の形状を有している。即ち、粗面２５における内側の角部には、搭載面２３の面内方向における中央部に向かって突出する扇形の部分が形成されている。境界部２３１は、かかる扇形の部分における一部（即ち突出方向における先端部）に後処理ビームを照射することによって形成されている。かかる構成においても、マージン領域２８１は、電子部品３の角部に対応する位置には設けられない。故に、電子部品３の角部近傍における、導電性接合層４の剥離及び／又はクラックの発生が、良好に抑制され得る。

　図２７に示されているように、粗面２５は、第一領域２９１と第二領域２９２とを含んでいてもよい。第一領域２９１及び第二領域２９２には、それぞれ、レーザー照射痕２６が複数形成されている。第二領域２９２は、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い領域である。具体的には、本変形例においては、第二領域２９２は、レーザービーム照射密度を第一領域２９１の１．２５倍以上とすることで形成されている。

　また、本変形例においては、第二領域２９２は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられている。具体的には、第二領域２９２は、電子部品３の角部近傍に設けられている。即ち、第二領域２９２は、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に設けられている。

　レーザー照射痕２６の密度が第一領域２９１よりも高い第二領域２９２においては、レーザービーム照射による金属の気化量及び堆積量が、比較的多くなる。故に、第二領域２９２における第二凸部２６２は、第一領域２９１における第二凸部２６２よりも、高さが高く形成される。したがって、電子部品３の角部近傍における、支持部材２と樹脂部材５との密着性が、よりいっそう向上する。

　一方、搭載面２３の外縁部である境界部２３１においては、上記の通り、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が悪化する懸念がある。特に、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２の、近傍位置においては、かかる懸念が大きい。しかしながら、本変形例においても、境界部２３１には、後処理ビームが照射される。これにより、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２を電子部品３の角部近傍に設けても、境界部２３１における電子部品３の角部に対応する位置にて、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好となる。したがって、かかる構成によれば、封止面２４と樹脂部材５との良好な密着性を実現しつつ、搭載面２３における導電性接合層４の密着性が良好に確保され得る。また、内部応力に起因する、導電性接合層４の剥離及び／又はクラックの発生、あるいは樹脂部材５の剥離等の発生が、可及的に抑制される。

　本変形例においては、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９２は、粗面２５の全部ではなく、必要な一部にのみ設けられる。具体的には、実装面２０上のレーザービームの一方向走査における、始点近傍及び終点近傍に、第二領域２９２が選択的に形成される。したがって、本変形例によれば、加工時間の増加を最小限に抑えつつ、良好な密着力を確保することが可能となる。

　第一領域２９１及び第二領域２９２におけるレーザー照射痕２６の形成態様も、上記具体例に限定されない。例えば、第一領域２９１には、レーザー照射痕２６がない部分があってもよい。第二領域２９２におけるレーザー照射痕２６の形成密度も、一定であってもよいし、第二領域２９２内の特定の領域にて形成密度が特に高い部分が存在していてもよい。

　図２８に示されているように、粗面２５は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分のみに対応して設けられていてもよい。具体的には、粗面２５は、電子部品３の角部の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図２８の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図１４及び図１５参照）と同様である。

　変形例も、上記の例示に限定されない。即ち、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。また、複数の実施形態が、互いに組み合わされ得る。更に、複数の実施形態の組み合わせに対して、上記変形例の全部又は一部が、適宜組み合わされ得る。

Claims

　導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）であって、
　前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について、前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
　合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
　を備え、
　前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
　前記粗面は、第一領域（２８）と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）と、を含む、
　電子装置。
　前記第二領域は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられた、請求項１に記載の電子装置。
　前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
　前記第二領域は、前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に設けられた、請求項１又は２に記載の電子装置。
　前記第二領域は、前記電子部品の前記矩形状における各辺の近傍部分に設けられた、請求項３に記載の電子装置。
　前記粗面は、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５～５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１～５００ｎｍ及び幅１～３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数有する、
　請求項１～４のいずれか１つに記載の電子装置。
　前記粗面は、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１～３００ｎｍとなるように形成された、
　請求項５に記載の電子装置。
　前記第二領域における前記第二凸部は、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成された、
　請求項５又は６に記載の電子装置。
　導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）であって、
　前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について、前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
　合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
　を備え、
　前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
　前記粗面は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられた、
　電子装置。
　前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
　前記粗面は、前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に設けられた、請求項８に記載の電子装置。
　前記粗面は、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５～５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１～５００ｎｍ及び幅１～３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数有する、
　請求項８又は９に記載の電子装置。
　前記粗面は、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１～３００ｎｍとなるように形成された、
　請求項１０に記載の電子装置。
　導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法であって、
　前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面であって第一領域（２９１）と前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９２）とを含む粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に設け、
　前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
　合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する、
　電子装置の製造方法。
　前記封止面を設けることは、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して、前記第二領域を形成することである、請求項１２に記載の電子装置の製造方法。
　前記封止面を設けることは、平面形状が矩形状の前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に、前記第二領域を形成することである、請求項１２又は１３に記載の電子装置の製造方法。
　前記封止面を設けることは、前記電子部品の前記矩形状における各辺の近傍部分に、前記第二領域を形成することである、請求項１４に記載の電子装置の製造方法。
　前記封止面を設けることは、前記粗面に、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５～５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１～５００ｎｍ及び幅１～３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数形成することである、請求項１２～１５のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
　前記封止面を設けることは、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１～３００ｎｍとなるように、前記粗面を形成することである、請求項１６に記載の電子装置の製造方法。
　前記第二領域における前記第二凸部を、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成する、請求項１６又は１７に記載の電子装置の製造方法。
　導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法であって、
　前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を、有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側であって前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における内部応力が他の部分よりも高くなる部分に対応した位置に設け、
　前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
　合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記粗面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する、
　電子装置の製造方法。
　平面形状が矩形状の前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に、前記粗面を形成する、請求項１９に記載の電子装置の製造方法。
　導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）であって、
　前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
　合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
　を備え、
　前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
　前記面内方向について前記搭載面における前記封止面に隣接する部分である境界部（２３１）は、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように形成された、
　電子装置。
　前記境界部は、前記レーザー照射痕を有しない非照射領域（２７）を含む、請求項２１に記載の電子装置。
　前記境界部は、前記非照射領域の外縁部、及び前記面内方向について前記外縁部に隣接する複数の前記レーザー照射痕を含む、請求項２２に記載の電子装置。
　前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
　前記境界部は、少なくとも前記矩形状における角部に対応する位置にて、前記濡れ性が前記封止面における前記粗面よりも良好となるように形成された、
　請求項２１～２３のいずれか１つに記載の電子装置。
　前記支持部材は、
　金属製の本体部（２１）と、
　前記本体部上に形成された金属薄膜であって前記搭載面及び前記封止面を有するメタライズ層（２２）と、
　を有する、
　請求項２１～２４のいずれか１つに記載の電子装置。
　導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法であって、
　前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域である非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームである粗面化ビームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記非照射領域よりも前記面内方向における外側に形成し、
　前記非照射領域の外縁部を含む境界部（２３１）における、前記導電性接合層を構成する材料の濡れ性が、前記封止面における前記粗面よりも良好となるように、前記粗面化ビームよりも低エネルギーのレーザービームである後処理ビームを前記境界部に照射し、
　前記後処理ビームを前記境界部に照射することで、前記導電性接合層に接合される金属質表面であって前記境界部及び前記非照射領域を含む搭載面（２３）を前記支持部材に形成し、
　前記搭載面に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
　合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する、
　電子装置の製造方法。
　前記後処理ビームを前記境界部に照射することは、前記非照射領域の前記外縁部、及び前記面内方向について前記外縁部に隣接する複数の前記レーザー照射痕に、前記後処理ビームを照射することである、請求項２６に記載の電子装置の製造方法。
　前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
　前記後処理ビームを前記境界部に照射することは、前記境界部の、少なくとも前記矩形状における角部に対応する位置に前記後処理ビームを照射することである、請求項２６又は２７に記載の電子装置の製造方法。