KR20200010208A - 사전 패터닝을 갖지 않는 기판 상의 회로 요소들의 전기적 상호접속 - Google Patents

사전 패터닝을 갖지 않는 기판 상의 회로 요소들의 전기적 상호접속 Download PDF

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KR20200010208A
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dielectric substrate
die
droplets
substrate
integral
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KR1020197031853A
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마이클 제노우
즈비 코틀러
오퍼 포겔
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오르보테크 엘티디.
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Abstract

전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법은 일체형 콘택들을 갖는 전자 컴포넌트를 포함하는 다이를 유전체 기판에 고정하는 단계를 포함한다. 다이를 고정한 후, 전도성 트레이스는, 기판 상의 전도성 트레이스와 전자 컴포넌트 사이에 옴 접속을 생성하기 위해 유전체 기판 및 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 위에 인쇄된다.

Description

사전 패터닝을 갖지 않는 기판 상의 회로 요소들의 전기적 상호접속
본 발명은 일반적으로 전자 디바이스들의 제조에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상의 전도성 트레이스들의 직접 기록에 의해 회로들을 생성하기 위한 방법들 및 장치들에 관한 것이다.
레이저 직접 기록(LDW) 기술들에서는, 레이저 빔을 사용하여, 제어된 재료 절제 또는 증착에 의해 공간적으로 분해된 3D 구조들을 갖는 패터닝된 표면을 생성한다. 레이저 유도 순방향 전사(LIFT: laser-induced forward transfer)는 표면 상에 미세 패턴들을 증착할 때 적용될 수 있는 LDW 기술이다.
LIFT에서, 레이저 광자들은 작은 볼륨의 재료를 도너 필름(donor film)으로부터 억셉터 기판(acceptor substrate)을 향해 방출하기 위한 구동력을 제공한다. 통상적으로, 레이저 빔은 비흡수성 캐리어 기판 상에 코팅된 도너 필름의 내측과 상호작용한다. 즉, 입사 레이저 빔은 광자들이 필름의 내부 표면에 의해 흡수되기 전에 투명 캐리어를 통해 전파된다. 소정의 에너지 임계치 위에서, 재료는 도너 필름으로부터 기판의 표면을 향해 방출되며, 기판은 일반적으로 이 분야에 알려진 LIFT 시스템들에서 도너 필름에 근접하거나 심지어는 접촉하도록 배치된다. 인가되는 레이저 에너지는 조사되는 필름 볼륨 내에서 생성되는 순방향 추진력(thrust of forward propulsion)을 제어하기 위해 변경될 수 있다. 나겔(Nagel) 및 리퍼트(Lippert)는 Nanomaterials: Processing and Characterization with Lasers, Singh et al., eds.(Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2012), pages 255-316에서 발표된 "디바이스들의 제조를 위한 레이저 유도 순방향 전사(Laser-Induced Forward Transfer for the Fabrication of Devices)"에서 미세 제조에서의 LIFT의 원리들 및 응용들을 조사하였다.
금속 도너 필름들을 사용하는 LIFT 기술들은 전기 회로들의 수리와 같은 다양한 응용들을 위해 개발되었다. 예를 들어, 개시내용이 본 명세서에 참고로 통합되는 PCT 국제 공개 WO 2010/100635는 레이저를 사용하여 회로 기판 상에 형성된 도체의 도체 수리 영역을 사전 처리하는 전기 회로 수리 시스템 및 방법을 설명한다. 레이저 빔은 도너 기판의 일부가 그로부터 분리되어 미리 결정된 도체 위치로 전사되게 하는 방식으로 도너 기판에 인가된다.
다른 예로서, 개시내용이 본 명세서에 참고로 통합되는 PCT 국제 공개 WO 2015/181810은 대향하는 제1 표면 및 제2 표면, 및 제2 표면 위에 형성된 금속을 포함하는 도너 필름을 갖는 투명한 도너 기판을 사용하는 재료 증착 방법을 설명한다. 도너 기판은 억셉터 기판에 근접하게 위치설정되며, 제2 표면은 억셉터 기판에 대면한다. 레이저 방사선의 펄스들은 도너 기판의 제1 표면을 통과하고 도너 필름 상에 충돌하도록 지향되어, 용융 재료의 방울들의 도너 필름으로부터 억셉터 기판 상으로의 방출을 유도한다.
LIFT는 다양한 유형의 기판들 상에 금속 트레이스들을 인쇄하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 개시내용이 본 명세서에 참고로 통합되는 PCT 국제 공개 WO 2016/063270은 2 ㎛ 미만의 두께를 갖는 금속을 포함하는 도너 필름이 증착된 투명한 도너 기판을 사용하는 금속화 방법을 설명한다. 도너 기판은 반도체 재료를 포함하는 억셉터 기판에 근접하게 위치설정되며, 도너 필름은 억셉터 기판에 대면하고, 도너 필름과 억셉터 기판 사이에는 적어도 0.1 mm의 갭이 존재한다. 2 ns 미만의 펄스 지속기간을 갖는 일련의 레이저 펄스들이 도너 기판 상에 충돌하도록 지향되어, 금속의 방울들이 도너 층으로부터 방출되고 억셉터 기판 상에 내려앉게 함으로써 반도체 재료와 옴 접촉(ohmic contact)하는 회로 트레이스를 형성한다.
이하에서 설명되는 본 발명의 실시예들은 기판 상에 전자 컴포넌트들을 상호접속하기 위한 새로운 기술들을 제공한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법이 제공된다. 방법은 일체형 콘택들을 갖는 전자 컴포넌트를 포함하는 다이를 유전체 기판에 고정하는 단계를 포함한다. 다이를 고정한 후, 전도성 트레이스는, 유전체 기판 상의 전도성 트레이스와 전자 컴포넌트 사이에 옴 접속을 생성하기 위해 유전체 기판 및 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 위에 인쇄된다.
일부 실시예들에서, 전도성 트레이스를 인쇄하는 단계는 유전체 기판 및 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 상으로 전도성 재료의 방울들을 방출하는 단계를 포함한다. 개시된 실시예들에서, 방울들을 방출하는 단계는 전도성 재료를 포함하는 도너 필름 상에 충돌하도록 펄스형 레이저 빔을 지향시키는 단계를 포함하며, 이에 따라 방울들은 레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 방출된다. 일 실시예에서, 방울들을 방출하는 단계는 방울들이 유전체 기판의 표면에 대해 비스듬한 각도로 다이를 향해 방출되도록 펄스형 레이저 빔을 지향시키는 단계를 포함한다. 추가로 또는 대안으로, 방울들을 방출하는 단계는 전도성 트레이스의 트랙을 따라 유전체 기판 상에 접착층을 형성하기 위해 제1 용융 온도를 갖는 제1 금속을 포함하는 제1 도너 필름 상에 충돌하도록 펄스형 레이저 빔을 지향시킨 후에, 접착층 위에 전도성 트레이스를 형성하기 위해 제1 용융 온도보다 높은 제2 용융 온도를 갖는 제2 금속을 포함하는 제2 도너 필름 상에 충돌하도록 펄스형 레이저 빔을 지향시키는 단계를 포함한다.
통상적으로, 다이는 대향하는 상면 및 하면을 갖고, 하면은 유전체 기판에 고정되며, 일부 실시예들에서, 전도성 트레이스가 인쇄되는 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택은 상면 상에 있다. 개시된 실시예에서, 방울들을 방출하는 단계는 전자 컴포넌트 옆에 유전체 기판으로부터 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택에 이르는 방출된 방울들로부터의 기둥을 형성하는 단계를 포함한다. 대안으로, 전도성 트레이스가 인쇄되는 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택은 상면과 하면 사이의 측면들 중 하나의 측면 상에 있다.
개시된 실시예에서, 방법은 방울들을 방출하기 전에, 유전체 기판으로부터의 방울들의 반동(recoil)을 방지하기 위해 유전체 기판에 구멍들의 어레이를 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 방법은 레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 유전체 기판 상으로 접착성 재료의 방울들을 방출함으로써 유전체 기판 상에 접착제 도트들을 인쇄하는 단계를 포함하며, 다이를 고정하는 단계는 접착제 도트들 상에 다이를 배치하는 단계를 포함한다. 추가로 또는 대안으로, 방법은 다이가 유전체 기판에 고정된 후에 LIFT에 의해 다이의 상면 상으로 접착성 재료의 방울들을 방출하는 단계를 포함한다.
개시된 실시예들에서, 전도성 트레이스는 다이를 고정하기 전에 어떠한 전도성 재료도 존재하지 않는, 유전체 기판 상의 자리 위에 인쇄된다. 일부 실시예들에서, 전도성 트레이스를 인쇄하는 단계는 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택의 위치를 자동으로 감지하고, 자동 감지된 위치에 응답하여 전도성 트레이스를 인쇄하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, 유전체 기판은 중합체들, 종이들 및 직물들로 구성된 재료들의 그룹으로부터 선택된 재료를 포함할 수 있는 가요성 포일을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템이 또한 제공된다. 시스템은 일체형 콘택들을 갖는 전자 컴포넌트를 포함하는 다이를 유전체 기판에 고정하도록 구성되는 배치 스테이션을 포함한다.
인쇄 스테이션은, 유전체 기판 상의 전도성 트레이스와 전자 컴포넌트 사이에 옴 접속을 생성하기 위해 유전체 기판 및 유전체 기판에 고정된 다이의 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 위에 전도성 트레이스를 인쇄하도록 구성된다.
본 발명은 다음의 도면들과 함께 취해지는 본 발명의 실시예들에 대한 다음의 상세한 설명으로부터 더 충분히 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 전자 회로 조립을 위한 시스템의 개략적인 측면도 및 블록도이다.
도 2a-2d는 본 발명의 일 실시예에 따른, 전자 회로의 생성에서의 연속적인 스테이지들을 도시하는 개략적인 도면들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 회로 내에 조립된 전자 컴포넌트의 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 캡처된 이미지이다.
도 4a-4c는 본 발명의 일 실시예에 따른, 회로 트레이스의 전자 컴포넌트에 대한 접속에서의 연속적인 스테이지들을 도시하는, 기판 상의 전자 컴포넌트의 개략적인 측면도들이다.
전자 회로들의 제조를 위한 전통적인 공정들에서는, 먼저 전도성 트레이스들의 패턴이 유전체 기판(예를 들어, 강성 또는 가요성 인쇄 회로 기판) 상에 증착된다. 이어서, 반도체 다이들 및 다른 능동 및 수동 요소들과 같은 회로 컴포넌트들이 기판에 고정되고, 통상적으로 솔더 또는 와이어 본딩에 의해 트레이스들에 접속된다. 이것은 회로 제조 및 조립에서 허용되는 동작들의 순서이다.
그러나, 최신의 전자 제품들에서는, 전자 회로들을 강성 및 가요성의 다른 종류의 기판들 상에 집적하려는 요구가 증가하고 있으며, 이는 전통적인 인쇄 회로 기술과 양립하지 못할 수 있다. 예를 들어, 일부 응용들은 플라스틱 포일들, 종이 또는 직물과 같은 가요성 기판들 상에 전자 디바이스들을 실장하고 상호접속할 것을 요구한다. 그러한 기판들에 전통적인 공정들을 적응시키는 것은 어렵고 비용이 많이 들 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 본 발명의 실시예들은 허용되는 동작들의 순서를 반전시킴으로써 이러한 문제를 해결하는데: 먼저 일체형 콘택들을 갖는 전자 컴포넌트를 포함하는 다이가 예를 들어 적절한 접착제에 의해 유전체 기판에 고정된다. 다이를 고정한 후, 전도성 트레이스가 유전체 기판 및 다이의 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 위에 인쇄되어, 그에 따라 기판 상의 전도성 트레이스와 전자 컴포넌트 사이에 옴 접속을 생성한다. 다른 능동 및 수동 컴포넌트들이 유사한 방식으로 기판에 고정되고 상호접속될 수 있다.
이러한 방식으로 전도성 트레이스들은 다이를 고정하기 전에 어떠한 전도성 재료도 존재하지 않는, 유전체 기판 상의 자리 위에 인쇄될 수 있다. 즉, 개시된 기술들은 트레이스들의 증착 및 트레이스들의 회로 컴포넌트들에 대한 접속 둘 모두를 수행하기 위해 단일 공정 단계만을 필요로 한다. 전도성 트레이스들의 정확한 인쇄를 보장하기 위해, 컴퓨터 비전 시스템과 같은 자동 감지 시스템을 사용하여, 다이가 기판에 고정된 후에 다이의 콘택들의 위치들을 감지할 수 있으며, 이어서 트레이스들의 인쇄가 감지된 위치들로 안내될 수 있다.
개시된 실시예들에서, 전도성 트레이스들은 전도성 재료의 방울들을 유전체 기판 및 다이의 일체형 콘택들 둘 모두 상으로 방출하는 LIFT 공정을 사용하여 인쇄된다. (이러한 실시예들은 다이의 하면이 유전체 기판에 고정되고, 전도성 트레이스가 인쇄되는 일체형 콘택들이 다이들의 상면 또는 측면들에 있다고 가정한다.) 이하에서 상세히 설명되는 바와 같이, 금속 방울들의 LIFT 인쇄는 기판과 다이의 상면의 콘택들 사이의 수백 미크론 정도의 큰 높이 갭들을 극복하는 동시에 매우 미세한 트레이스들을 생성할 수 있다. 그러한 트레이스들은 LIFT에 의해 10-20 ㎛ 이하의 선폭들로 인쇄될 수 있으며, 원하는 경우에 (예를 들어, 인쇄후 레이저 처리에 의해) 훨씬 더 좁은 폭들로 트리밍될 수 있다. 또한, 금속들 및 고점도 페이스트들의 LIFT 인쇄는 다공성, 액체 흡수도 및 표면 에너지와 같은 기판 특성들과 비교적 무관하며, 따라서 종이 및 직물과 같은 다공성 흡수성 기판들 상에도 미세한 트레이스들을 높은 정밀도로 인쇄할 수 있다. 이러한 공정은 나중에 기판의 휨 및 신장을 (한계 내에서) 견딜 회로들을 생성하는 데 사용될 수 있다.
그러나, 대안으로 또는 추가로, 일부 응용들에서는, 전도성 재료들의 직접 기록을 위한, 이 분야에 공지된 다른 기술들이 전도성 트레이스들의 적어도 일부를 생성하는 데 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 전자 회로 조립을 위한 시스템(20)의 블록도 및 측면도이다. 도시된 예에서, 배치 스테이션(26)은 반도체 다이(24)와 같은 컴포넌트를 회로 기판(22) 상에 배치한다. 배치 스테이션(26)은 예를 들어 로봇 팔(28)이 제어 유닛(32)으로부터의 지시하에 미리 정의된 회로 레이아웃에 따라 기판(22) 상에 컴포넌트들을 배치하는 픽 앤 플레이스 기계(pick-and-place machine)를 포함할 수 있다. 통상적으로, 기판(22)은 팔(28)이 모든 원하는 위치들에 도달할 수 있게 하기 위해 병진 스테이지와 같은 위치설정 조립체(30) 상에 장착된다. 그러나, 배치 스테이션(26)의 동작은 다이(24)가 다이에 후속 접속될 전도성 트레이스들의 인쇄 전에 기판(22) 상에 배치된다는 점에서 이 분야에 공지된 픽 앤 플레이스 기계들과 다르다.
선택적으로, 시스템(20)에서 수행되는 후속 동작들의 정확성을 보장하기 위해, 감지 스테이션(34)은 다이(24)가 기판(22) 상에 배치된 실제 포지션을 검출한다. 감지 스테이션(34)은 예를 들어 기판(22)의 이미지들을 캡처하는 카메라(36)를 포함한다. 제어 유닛(32)은 기판 상의 컴포넌트들의 정확한 포지션들을 확인하기 위해 이러한 이미지들을 처리한다. 감지 스테이션(34)이 개념의 명료화를 위해 도 1에 별개의 유닛으로 도시되지만, 실제로는 그러한 센서들, 예를 들어 카메라(36) 및 감지 기능은 시스템(20) 내의 다른 스테이션들과 통합될 수 있다. 시스템(20) 내의 감지 스테이션(34)의 적용은 이 분야에 공지된 픽 앤 플레이스 도구들의 제한된 정확성뿐만 아니라 조립 공정 중에 가요성 기판의 형상에서 발생할 수 있는 가능한 왜곡들을 극복하는 데 특히 유리하다. 다이(24) 및 다른 컴포넌트들의 포지션들의 정확한 감지는 컴포넌트들이 기판(22)에 고정된 후에 (예를 들어, 20 ㎛ 이하의 폭들을 갖는) 매우 미세한 상호접속 트레이스들의 정확한 인쇄를 가능하게 한다.
더 일반적으로 말하면, 제어 유닛(32)은 다른 회로 컴포넌트들에 관련된 다이들의 실제 포지션들에 따라 인쇄될 트레이스들을 적응시킬 수 있다. 이러한 종류의 적응은 예를 들어 주어진 다이 상에 고밀도의 회로 컴포넌트들 또는 많은 입력/출력 핀들은 물론 좁은 선들이 존재하여 회로의 나머지에 대한 다이의 최종(실제) 포지션을 고려해야 할 때 특히 유용하다. 그러한 경우들에서, 제어 유닛(32)은 전기적 설계 규칙들을 따르고 회로 결함들을 피하도록 트레이스 위치들을 선택한다. 이러한 접근법은 전통적인 제조 공정들을 사용하여 달성할 수 있는 것만큼 큰 또는 훨씬 더 큰 컴포넌트 밀도를 갖는 회로들을 생성하는 데 사용될 수 있다.
기판(22)의 재료 특성들에 따라, 표면 준비 스테이션(38)을 사용하여 기판(22)의 표면을 처리함으로써 그 위의 트레이스들의 접착력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 표면이 매우 평탄할 때, 표면 준비 스테이션(38)은 표면에 통상적으로 수 미크론 깊이 및 수 미크론의 폭을 갖는 작은 구멍들의 어레이를 생성할 수 있으며, 이는 표면을 거칠게 하고, 후속 LIFT 인쇄 스테이지에서의 표면으로부터의 금속 방울들의 반동을 감소시킬 것이다. 구멍들은 특히 기판(22) 상에 인쇄될 전도성 트레이스들의 자리들에 또는 대안으로 기판(22)의 더 넓은 영역들 위에 형성될 수 있다. 구멍들은 기판(22)의 표면에 예를 들어 레이저에 의해 드릴링되거나 기계적으로 압입될 수 있다.
인쇄 스테이션, 예를 들어 LIFT 스테이션(40)은 다이(24) 상의 콘택 패드들과 옴 접속되는 전도성 트레이스들(56)을 기판(22) 상에 인쇄한다. LIFT 스테이션(40)은 레이저(42)가 펄스형 방사선을 방출하는 광학 조립체(41)를 포함한다. 광학부(optics)(46)는 레이저 빔(48)을 적어도 하나의 도너 필름(52)이 증착된 투명 도너 기판(50) 상에 포커싱한다. 위치설정 조립체(30)는 도너 기판(50)이 억셉터 기판의 상부 표면에 근접하도록 도너 기판(50) 및/또는 회로 기판(22)을 위치설정하며, 도너 필름(52)은 회로 기판에 대면하고, 이들 사이에는 작은 갭(통상적으로 수백 미크론 이내 그리고 아마도 그 이하)이 존재한다. 도 1에서는 위치설정 조립체(30)가 간소화를 위해 회로 기판(22) 아래의 기본 X-Y-Z 스테이지로서 도시되지만, 실제로 LIFT 스테이션(40) 내의 위치설정 조립체(30)는 이 분야의 기술자들에게 명백하듯이 추가로 또는 대안으로 광학 조립체(41)의 도너 기판(50) 및/또는 요소들을 위치설정할 수 있다.
도너 기판(50)은 통상적으로 유리 또는 플라스틱 시트 또는 다른 적절한 투명 재료를 포함하는 반면, 도너 필름(52)은 하나 이상의 순수 금속 및/또는 금속 합금과 같은 적절한 도너 재료를 포함한다. 통상적으로, 도너 필름들의 두께는 수 미크론 이내이다.
광학부(46)는 빔(48)을 포커싱하여 도너 기판(50)의 외부 표면을 통과하고 도너 필름(52) 상에 충돌하게 함으로써, 유체의 방울들(54)이 도너 필름(52)으로부터 방출되고 갭을 가로 질러 비행하여 회로 기판(22) 상에 내려앉게 한다. 유체는 도너 필름(52) 내의 용융된 형태의 재료를 포함하고, 이어서 억셉터 표면 상에서 경화되어 인쇄 패턴에 의해 정의된 형상을 갖는 단단한 조각들을 형성한다. 회전 미러 및/또는 음향-광학 빔 편향기와 같은 스캐너(44)는 제어 유닛(32)의 제어하에 레이저 빔(48)을 스캐닝하여 도너 필름(52) 상의 상이한 스폿들을 조사하며, 따라서 회로 기판(22) 상의 적절한 위치들에 전도성 트레이스들(56)을 생성한다.
레이저(42)는 예를 들어 주파수 배가된 출력을 갖는 펄스형 Nd:YAG 레이저를 포함하며, 이는 펄스 진폭이 제어 유닛(32)에 의해 편리하게 제어될 수 있게 한다. 통상적으로, 제어 유닛(32)은 시스템(20)의 광학 조립체(41), 위치설정 조립체(30) 및 다른 요소들을 제어하고 이들로부터 피드백을 수신하기 위한 적절한 인터페이스들을 갖는 범용 컴퓨터를 포함한다. 본 발명자들은 양호한 LIFT 증착 결과들을 위해서는 최적의 펄스 지속기간이 0.1 ns 내지 1 ns의 범위 내이지만 응용 요구들에 따라서는 더 길거나 더 짧은 펄스들이 사용될 수 있다는 것을 발견하였다. 광학부(46)는 도너 필름(52) 상에 레이저 빔에 의해 형성된 초점의 크기를 조정하기 위해 유사하게 제어 가능하다.
방울들(54)의 크기는 특히 레이저 펄스 에너지, 지속기간 및 초점 크기, 및 도너 필름의 두께에 의해 결정된다. 전술한 PCT 국제 공개 WO 2015/181810은 예를 들어 각각의 레이저 펄스가 도너 필름으로부터 단일의 비교적 큰 방울이 방출되게 하도록 적용될 수 있는 LIFT 기술들 및 파라미터들을 설명한다. 이러한 기술들 및 파라미터들은 LIFT 스테이션(40)에서 유리하게 적용될 수 있는데, 이는 방울들이 정확한 방향성을 갖고서 회로 기판(22)을 향해 방출되어, 방울들의 방출 동안 도너 필름(52)을 억셉터 기판으로부터 적어도 100 ㎛의 거리에 유지하고 원하는 구조들을 정밀하게 생성하는 것이 가능하게 되기 때문이다.
일부 실시예들에서, LIFT 스테이션(40)은 상이한 조성들을 갖는 2개 이상의 상이한 유체의 방울들(54)이 상이한 도너 필름들(52)로부터 방출되게 한다. 예를 들어, 상이한 유체들은 상이한 재료들을 포함하는 (동일한 도너 기판(50) 또는 상이한 도너 기판들 상의) 도너 필름들(52)의 상이한 영역들 상에 충돌하도록 레이저(42)로부터의 빔(48)을 지향시킴으로써 방출될 수 있다. 상이한 유체들은 원하는 트레이스들(56)을 인쇄하기 위해 회로 기판(22)상의 동일한 위치를 향해 그리고/또는 상이한 위치들을 향해 순차적으로 방출될 수 있다.
예를 들어, 중합체 기판들과 같은 소정 유형의 회로 기판들에 대한 트레이스들(56)의 접착력을 향상시키기 위해, 주석 또는 주석 합금과 같은 낮은 용융 온도를 갖는 금속을 포함하는 제1 도너 필름(52)이 트레이스들의 자리들을 따라 초기 접착층을 인쇄하는 데 사용된다. 저온 금속 방울들은 빠르게 식는 동시에 중합체를 국부적으로 용융시키며, 따라서 더 높은 온도 및 에너지를 갖는 후속 레이저 방울들이 쉽게 접착될 층을 형성한다. (이 접착층은 조밀하거나 기판을 완전히 코팅할 필요는 없다. 트레이스(56)의 의도된 영역의 20-30 % 이내를 커버하는 저밀도 접착층이 종종 후속 구조 층을 고정하기에 충분하다.) 이어서, 트레이스의 원하는 치수들, 접속성 및 전도성에 도달하기 위해 구리(및/또는 예를 들어 알루미늄 또는 니켈)와 같은 구조적 금속을 갖는 제2 도너 필름(52)이 접착층 위에 인쇄된다. 전술한 바와 같이, 제어 유닛(32)은, 필요에 따라, 증착된 도너 재료의 볼륨을 원하는 두께로 형성하기 위해, 필름들(52)로부터의 도너 재료를 회로 기판(22) 상의 적절한 위치들에 기록하고 다수의 패스(pass)를 수행하도록 광학 조립체(41)의 스캐너(44) 및 다른 요소들을 제어한다.
도 2a-2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 회로의 생성에서의 연속 스테이지들을 도시하는 개략적인 도면들이다. 도 2a에 도시된 예비 단계로서, 기판(22)은 접착제 층(60)으로 코팅되거나, 대안으로는 LIFT 프로세스에 의해 또한 인쇄될 수 있는 접착제 도트들의 어레이(도시되지 않음)와 같은 적절한 패턴의 접착제로 코팅된다. (접착제의 LIFT 인쇄는 필요할 때 다이(24) 및 다른 회로 컴포넌트들의 상단에 접착제의 도트들을 인쇄하는 데 또한 사용될 수 있다.) 이어서, 다이(24)는 도 2b에 도시된 바와 같이 예를 들어 배치 스테이션(26)에 의해 적소에 고정되며, 다이(24)의 하면은 접착제 층(60) 상에 놓인다. 모든 컴포넌트들이 기판(22) 상에 배치된 후에, 컴포넌트들을 안전하게 적소에 유지하기 위해 접착제 층(60)이 (예를 들어, 자외선 또는 열의 인가에 의해) 경화될 수 있다.
필요할 때, 표면 준비 스테이션(38)은 도 2c에 도시된 바와 같이 기판(22) 상에 트랙들(62)을 준비하며, 그 위에는 트레이스들(56)이 후속적으로 인쇄될 것이다. 전술한 바와 같이, 이러한 준비는 LIFT 스테이션(40)에 의해 인쇄된 방울들을 캡처 및 유지하기에는 본질적으로 충분히 거칠지 않은 재료들에 유리하다. 트랙들(62)은 예를 들어 방울들(54)의 직경의 1-2 배인 직경 및 대략 3-6 ㎛의 깊이를 갖는 얕은 구멍들의 어레이를 포함할 수 있다. 대안으로 또는 추가로, LIFT 스테이션은 전술한 바와 같이 초기 금속 접착층을 생성하도록 동작할 수 있다. 한편, 충분히 다공성인 기판 재료들에 대해서는 LIFT 인쇄 전의 표면 준비가 필요하지 않을 수 있다.
마지막으로, 도 2d에 도시된 바와 같이, 전도성 트레이스(56)가 기판(22) 및 다이(24)의 상면의 일체형 콘택들 둘 모두 위에 LIFT 스테이션(40)에 의해 인쇄된다. 트레이스(56)는 다이의 콘택들과 접속하기 위해 다이(24)의 에지들 위에 형성된다. (이 후자의 단계의 구현의 세부 사항들은 도 4a-4c에 도시된다.) LIFT 스테이션(40)은 전술한 바와 같이 매우 미세한 트레이스들을 인쇄할 수 있지만, 일부 경우들에서는, 동작시에 회로 컴포넌트들로부터 열을 제거하기 위해 더 넓고/넓거나 더 두꺼운 전도성 트레이스들이 인쇄될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(22) 상에 조립된 실제 다이(24)의 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 캡처된 이미지이다. 이 예에서 기판(22)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 포일이며, 다이(24)는 표면 실장 패키지 내의 LED를 포함한다. 트레이스들(56)은 LIFT 방울들로부터 형성되고, 다이의 "견부들" 위로 연장되어 상면의 콘택 패드들에 도달한다. 다이(24)의 대향하는 면들 상의 트레이스들(56) 사이의 적절한 전압의 인가는 LED가 발광하게 했다.
도 4a-4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이(24)의 상면 상의 콘택들(70)에 대한 회로 트레이스의 접속에서의 연속적인 스테이지들을 도시하는 기판(22) 상의 다이(24)의 개략적인 측면도들이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 다이(24)의 초기 배치 후, LIFT 스테이션(40)은 도 4b-4c에 도시된 바와 같이 연속적인 방울들(72)을 증착하여 콘택(70)까지 기둥(74)을 생성한다. 본 발명자들은 단일 방울들(54)의 파일(pile)들을 형성함으로써 이러한 종류의 기둥들을 10-20 ㎛의 폭들로 생성하였다. 기둥(74)의 높이가 증가함에 따라, 위치설정 조립체(30)는 도너 및 억셉터 기판들 사이에 충분한 갭을 유지하기 위해 도너 기판(50)을 회로 기판으로부터 멀어지게 이동시킬 수 있다.
기둥과 다이 콘택들 사이에 갭들이 열리는 것을 방지하기 위해 기둥에 (3 도 정도의) 작은 경사를 형성하는 것이 바람직하다. 추가로 또는 대안으로, 방울들이 기판(22)의 표면에 대해 비스듬한(수직이 아닌) 각도로 도너 필름(52)으로부터 방출되는 각진 LIFT 인쇄를 적용하여, 기둥과 다이 사이의 갭 없이 다이의 측면들을 금속으로 등각적으로(conformally) 코팅하고, 따라서 트레이스들 및 접속들의 기계적 강건성을 향상시킬 수 있다. 이와 관련하여 사용될 수 있는 각진 LIFT 인쇄 기술들은 예를 들어 본 명세서에 개시내용이 참고로 통합된 PCT 국제 공개 WO 2016/116921에 설명되어 있다.
기둥(74)은 이 분야에 알려진 전자 디바이스들에서 이러한 종류의 콘택을 생성하는 데 사용되는 와이어 본딩을 대신한다. 이러한 콘택들을 생성하기 위해 LIFT를 사용하는 것은 기계적 충격에 대한 디바이스의 강건성을 향상시킬 뿐만 아니라, 전체 크기도 줄일 수 있는데, 이는 와이어 본드들의 접속을 위해 컴포넌트들 주위에 공간을 남길 필요가 없기 때문이다.
도면들에 도시되고 위에 설명된 예들은 특정 유형의 컴포넌트들과 관련되지만, 본 발명의 원리들은 다음을 포함하는(그러나 이에 한정되지 않는) 다양한 상이한 종류의 컴포넌트들을 포함하는 회로들을 조립하는 데 적용될 수 있다.
Figure pct00001
반도체 다이들.
Figure pct00002
배터리들, 광전지들, 센서들, 포토일렉트로닉스, 박막 디바이스들 및 MEMS 디바이스들과 같은 능동 디바이스들.
Figure pct00003
컴포넌트들이 이미 실장된 강성 또는 가요성 포일들과 같은 사전 조립된 하이브리드 디바이스들.
Figure pct00004
개별 트랜지스터들, 커패시터들, 인덕터들 및 저항기들과 같은 표면 실장 디바이스들.
따라서, 전술한 실시예들은 예로서 인용되며, 본 발명은 특별히 도시되고 위에서 설명된 것으로 한정되지 않음을 이해할 것이다. 오히려, 본 발명의 범위는 전술한 다양한 특징들의 조합들 및 하위 조합들뿐만 아니라 전술한 설명을 읽을 때 이 분야의 기술자들에게 떠오르고 종래 기술에서 개시되지 않은 변형들 및 변경들도 포함한다.

Claims (30)

  1. 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법으로서,
    일체형 콘택들을 갖는 전자 컴포넌트를 포함하는 다이를 유전체 기판에 고정하는 단계 ; 및
    상기 다이를 고정한 후, 상기 유전체 기판 상의 전도성 트레이스와 상기 전자 컴포넌트 사이에 옴 접속을 생성하기 위해 상기 유전체 기판 및 상기 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 위에 상기 전도성 트레이스를 인쇄하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 트레이스를 인쇄하는 단계는 상기 유전체 기판 및 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 상으로 전도성 재료의 방울들을 방출하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 방울들을 방출하는 단계는 상기 전도성 재료를 포함하는 도너 필름 상에 충돌하도록 펄스형 레이저 빔을 지향시키는 단계 ― 이에 따라 상기 방울들은 레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 방출됨 ― 를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 방울들을 방출하는 단계는 상기 방울들이 기판의 표면에 대해 비스듬한 각도로 상기 다이를 향해 방출되도록 상기 펄스형 레이저 빔을 지향시키는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 방울들을 방출하는 단계는 상기 전도성 트레이스의 트랙을 따라 상기 유전체 기판 상에 접착층을 형성하기 위해 제1 용융 온도를 갖는 제1 금속을 포함하는 제1 도너 필름 상에 충돌하도록 상기 펄스형 레이저 빔을 지향시킨 후에, 상기 접착층 위에 상기 전도성 트레이스를 형성하기 위해 상기 제1 용융 온도보다 높은 제2 용융 온도를 갖는 제2 금속을 포함하는 제2 도너 필름 상에 충돌하도록 상기 펄스형 레이저 빔을 지향시키는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 다이는 대향하는 상면 및 하면을 갖고, 상기 하면은 상기 유전체 기판에 고정되며, 상기 전도성 트레이스가 인쇄되는 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택은 상기 상면 상에 있는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 방울들을 방출하는 단계는 상기 전자 컴포넌트 옆에 상기 유전체 기판으로부터 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택에 이르는 상기 방출된 방울들로부터의 기둥을 형성하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 다이는 상면과 하면 사이에 측면들을 갖는 대향하는 상기 상면 및 상기 하면을 갖고, 상기 하면은 상기 유전체 기판에 고정되며, 상기 전도성 트레이스가 인쇄되는 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택은 상기 측면들 중 하나의 측면 상에 있는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 방울들을 방출하기 전에, 상기 유전체 기판으로부터의 상기 방울들의 반동을 방지하기 위해 상기 유전체 기판에 구멍들의 어레이를 형성하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 상기 유전체 기판 상으로 접착성 재료의 방울들을 방출함으로써 상기 유전체 기판 상에 접착제 도트(dot)들을 인쇄하는 단계를 포함하며, 상기 다이를 고정하는 단계는 상기 접착제 도트들 상에 상기 다이를 배치하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 다이는 대향하는 상면 및 하면을 갖고, 상기 하면은 상기 유전체 기판에 고정되며,
    상기 방법은 상기 다이가 상기 유전체 기판에 고정된 후에 레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 상기 다이의 상기 상면 상으로 접착성 재료의 방울들을 방출하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 트레이스는 상기 다이를 고정하기 전에 어떠한 전도성 재료도 존재하지 않는, 상기 유전체 기판 상의 자리(locus) 위에 인쇄되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전도성 트레이스를 인쇄하는 단계는 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택의 위치를 자동으로 감지하고, 상기 자동 감지된 위치에 응답하여 상기 전도성 트레이스를 인쇄하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 기판은 가요성 포일을 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 가요성 포일은 중합체들, 종이들 및 직물들로 구성된 재료들의 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 방법.
  16. 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템으로서,
    일체형 콘택들을 갖는 전자 컴포넌트를 포함하는 다이를 유전체 기판에 고정하도록 구성되는 배치 스테이션; 및
    상기 기판 상의 전도성 트레이스와 상기 전자 컴포넌트 사이에 옴 접속을 생성하기 위해 상기 유전체 기판 및 상기 기판에 고정된 상기 다이의 상기 일체형 콘택들 중 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 위에 전도성 트레이스를 인쇄하도록 구성되는 인쇄 스테이션을 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 인쇄 스테이션은 상기 유전체 기판 및 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택 둘 모두 상으로 전도성 재료의 방울들을 방출함으로써 상기 도전성 트레이스를 인쇄하도록 구성되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 인쇄 스테이션은 상기 전도성 재료를 포함하는 도너 필름 상에 충돌하도록 펄스형 레이저 빔을 방출하여 상기 방울들이 레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 방출되도록 구성되는 레이저를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 인쇄 스테이션은 상기 방울들이 상기 유전성 기판의 표면에 대해 비스듬한 각도로 상기 다이를 향해 방출되도록 상기 펄스형 레이저 빔을 지향시키도록 구성되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 인쇄 스테이션은 상기 전도성 트레이스의 트랙을 따라 상기 유전체 기판 상에 접착층을 형성하기 위해 제1 용융 온도를 갖는 제1 금속을 포함하는 제1 도너 필름 상에 충돌하도록 상기 펄스형 레이저 빔을 지향시킨 후에, 상기 접착층 위에 상기 전도성 트레이스를 형성하기 위해 상기 제1 용융 온도보다 높은 제2 용융 온도를 갖는 제2 금속을 포함하는 제2 도너 필름 상에 충돌하도록 상기 펄스형 레이저 빔을 지향시키도록 구성되는 광학부를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 다이는 대향하는 상면 및 하면을 갖고, 상기 하면은 상기 유전체 기판에 고정되며, 상기 전도성 트레이스가 인쇄되는 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택은 상기 상면 상에 있는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 인쇄 스테이션은 상기 전자 컴포넌트 옆에 상기 유전체 기판으로부터 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택에 이르는 상기 방출된 방울들로부터의 기둥을 형성하도록 구성되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  23. 제17항에 있어서,
    상기 다이는 상면과 하면 사이에 측면들을 갖는 대향하는 상기 상면 및 상기 하면을 갖고, 상기 하면은 상기 유전체 기판에 고정되며, 상기 전도성 트레이스가 인쇄되는 상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택은 상기 측면들 중 하나의 측면 상에 있는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  24. 제17항에 있어서,
    상기 방울들을 방출하기 전에 상기 유전체 기판으로부터의 상기 방울들의 반동을 방지하기 위해 상기 유전체 기판에 구멍들의 어레이를 형성하도록 구성되는 표면 준비 스테이션을 포함하는 시스템.
  25. 제16항에 있어서,
    상기 인쇄 스테이션은 레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 상기 유전체 기판 상으로 접착성 재료의 방울들을 방출함으로써 상기 유전체 기판 상에 접착제 도트들을 인쇄하도록 구성되며, 상기 배치 스테이션은 상기 접착제 도트들 상에 상기 다이를 배치하도록 구성되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  26. 제16항에 있어서,
    상기 다이는 대향하는 상면 및 하면을 갖고, 상기 하면은 상기 유전체 기판에 고정되며, 상기 인쇄 스테이션은 상기 다이가 상기 유전체 기판에 고정된 후에 레이저 유도 순방향 전사(LIFT)에 의해 상기 다이의 상기 상면 상으로 접착성 재료의 방울들을 방출하도록 구성되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  27. 제16항에 있어서,
    상기 전도성 트레이스는 상기 다이를 고정하기 전에 어떠한 전도성 재료도 존재하지 않는, 상기 유전체 기판 상의 자리 위에 인쇄되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 일체형 콘택들 중 상기 적어도 하나의 일체형 콘택의 위치를 자동으로 감지하도록 구성되는 센서를 포함하고, 상기 인쇄 스테이션은 상기 자동 감지된 위치에 응답하여 상기 전도성 트레이스를 인쇄하도록 구성되는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  29. 제16항에 있어서,
    상기 유전체 기판은 가요성 포일을 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 가요성 포일은 중합체들, 종이들 및 직물들로 구성된 재료들의 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는, 전자 디바이스들을 생성하기 위한 시스템.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3939394A1 (en) * 2019-05-01 2022-01-19 IO Tech Group, Ltd. Method to electrically connect chip with top connectors using 3d printing
EP3852132A1 (en) 2020-01-20 2021-07-21 Infineon Technologies Austria AG Additive manufacturing of a frontside or backside interconnect of a semiconductor die
US11446750B2 (en) 2020-02-03 2022-09-20 Io Tech Group Ltd. Systems for printing solder paste and other viscous materials at high resolution
US11622451B2 (en) 2020-02-26 2023-04-04 Io Tech Group Ltd. Systems and methods for solder paste printing on components
US11627667B2 (en) * 2021-01-29 2023-04-11 Orbotech Ltd. High-resolution soldering
US11497124B2 (en) 2020-06-09 2022-11-08 Io Tech Group Ltd. Methods for printing conformal materials on component edges at high resolution
US11691332B2 (en) 2020-08-05 2023-07-04 Io Tech Group Ltd. Systems and methods for 3D printing with vacuum assisted laser printing machine
CN114126248B (zh) * 2022-01-21 2022-05-24 深圳原驰三维技术有限公司 一种印刷线路板焊盘、线路缺陷修复方法

Family Cites Families (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963852A (en) 1973-08-04 1976-06-15 Moore Business Forms, Inc. Clay-coated record material of improved image durability
JPS61260603A (ja) 1985-05-14 1986-11-18 三菱電機株式会社 電子部品
US4752455A (en) 1986-05-27 1988-06-21 Kms Fusion, Inc. Pulsed laser microfabrication
US4891183A (en) 1986-12-03 1990-01-02 Chrysler Motors Corporation Method of preparing alloy compositions
US4970196A (en) 1987-01-15 1990-11-13 The Johns Hopkins University Method and apparatus for the thin film deposition of materials with a high power pulsed laser
US4931323A (en) 1987-12-10 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Thick film copper conductor patterning by laser
US4895735A (en) 1988-03-01 1990-01-23 Texas Instruments Incorporated Radiation induced pattern deposition
US4977038A (en) 1989-04-14 1990-12-11 Karl Sieradzki Micro- and nano-porous metallic structures
US4987006A (en) 1990-03-26 1991-01-22 Amp Incorporated Laser transfer deposition
US5173441A (en) 1991-02-08 1992-12-22 Micron Technology, Inc. Laser ablation deposition process for semiconductor manufacture
JPH04269801A (ja) 1991-02-25 1992-09-25 Juichiro Ozawa 抵抗膜作成用材料
US5292559A (en) 1992-01-10 1994-03-08 Amp Incorporated Laser transfer process
JPH0634283A (ja) 1992-06-16 1994-02-08 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 宇宙用熱交換器の製作方法
US5420611A (en) 1992-06-29 1995-05-30 Eastman Kodak Company Apparatus and method for eliminating feedback noise in laser thermal printing
DE4232373A1 (de) 1992-09-03 1994-03-10 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Verfahren zum Auftragen strukturierter Schichten
DE4229399C2 (de) 1992-09-03 1999-05-27 Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Funktionsstruktur eines Halbleiterbauelements
US5308737A (en) 1993-03-18 1994-05-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser propulsion transfer using black metal coated substrates
US5683601A (en) 1994-10-24 1997-11-04 Panasonic Technologies, Inc. Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding
WO1996014670A1 (en) 1994-11-04 1996-05-17 Deltec New Zealand Limited An antenna control system
US5935758A (en) 1995-04-20 1999-08-10 Imation Corp. Laser induced film transfer system
WO1998041189A1 (en) 1997-03-20 1998-09-24 Therics, Inc. Fabrication of tissue products using a mold formed by solid free-form methods
US6025110A (en) 1997-09-18 2000-02-15 Nowak; Michael T. Method and apparatus for generating three-dimensional objects using ablation transfer
US6159832A (en) 1998-03-18 2000-12-12 Mayer; Frederick J. Precision laser metallization
JP3871096B2 (ja) 1998-05-21 2007-01-24 株式会社ティラド 蒸発器、吸収器および過冷却器の組合せ一体型熱交換器と、その製造方法
US6155330A (en) 1998-11-04 2000-12-05 Visteon Global Technologies, Inc. Method of spray forming metal deposits using a metallic spray forming pattern
US6815015B2 (en) 1999-01-27 2004-11-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Jetting behavior in the laser forward transfer of rheological systems
US6177151B1 (en) 1999-01-27 2001-01-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write
US6805918B2 (en) 1999-01-27 2004-10-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser forward transfer of rheological systems
US6348295B1 (en) 1999-03-26 2002-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods for manufacturing electronic and electromechanical elements and devices by thin-film deposition and imaging
US6792326B1 (en) 1999-05-24 2004-09-14 Potomac Photonics, Inc. Material delivery system for miniature structure fabrication
US6583381B1 (en) 1999-05-24 2003-06-24 Potomac Photonics, Inc. Apparatus for fabrication of miniature structures
US6440503B1 (en) 2000-02-25 2002-08-27 Scimed Life Systems, Inc. Laser deposition of elements onto medical devices
US6649861B2 (en) 2000-05-24 2003-11-18 Potomac Photonics, Inc. Method and apparatus for fabrication of miniature structures
WO2002026419A1 (de) 2000-09-25 2002-04-04 Generis Gmbh Verfahren zum herstellen eines bauteils in ablagerungstechnik
DE10062683A1 (de) 2000-12-15 2002-06-20 Heidelberger Druckmasch Ag Mehrstrahl-Abtastvorrichtung
US6412143B1 (en) 2001-01-08 2002-07-02 Cheng-Lu Chen Structure of material for forming a stop at an end of lashing string
WO2003000480A1 (en) 2001-06-22 2003-01-03 The Regents Of The University Of Michigan Methods of designing and fabricating molds
GB2379083A (en) 2001-08-20 2003-02-26 Seiko Epson Corp Inkjet printing on a substrate using two immiscible liquids
JPWO2003026368A1 (ja) 2001-09-11 2005-01-06 大研化学工業株式会社 回路基板を含む物体表面への画像形成方法
SG122749A1 (en) 2001-10-16 2006-06-29 Inst Data Storage Method of laser marking and apparatus therefor
GR1004059B (el) 2001-12-31 2002-11-15 Ιωαννα Ζεργιωτη Κατασκευη βιοπολυμερικων σχηματων μεσω εναποθεσης με λειζερ.
US7188492B2 (en) 2002-01-18 2007-03-13 Linde Aktiengesellschaft Plate heat exchanger
DE10210146A1 (de) 2002-03-07 2003-09-25 Aurentum Innovationstechnologi Qualitätsdruckverfahren und Druckmaschine sowie Drucksbustanz hierfür
US7316748B2 (en) 2002-04-24 2008-01-08 Wisconsin Alumni Research Foundation Apparatus and method of dispensing small-scale powders
DE10237732B4 (de) 2002-08-17 2004-08-26 BLZ Bayerisches Laserzentrum Gemeinnützige Forschungsgesellschaft mbH Laserstrahlmarkierungsverfahren sowie Markierungsvorrichtung zur Laserstrahlmarkierung eines Zielsubstrats
US6921626B2 (en) 2003-03-27 2005-07-26 Kodak Polychrome Graphics Llc Nanopastes as patterning compositions for electronic parts
US6873398B2 (en) 2003-05-21 2005-03-29 Esko-Graphics A/S Method and apparatus for multi-track imaging using single-mode beams and diffraction-limited optics
US6899988B2 (en) 2003-06-13 2005-05-31 Kodak Polychrome Graphics Llc Laser thermal metallic donors
US7277770B2 (en) 2003-07-15 2007-10-02 Huang Wen C Direct write process and apparatus
US7682970B2 (en) 2003-07-16 2010-03-23 The Regents Of The University Of California Maskless nanofabrication of electronic components
WO2005024908A2 (en) 2003-09-05 2005-03-17 Si2 Technologies, Inc. Laser transfer articles and method of making
US7521651B2 (en) 2003-09-12 2009-04-21 Orbotech Ltd Multiple beam micro-machining system and method
US20050095367A1 (en) 2003-10-31 2005-05-05 Babiarz Alec J. Method of noncontact dispensing of viscous material
US7540996B2 (en) 2003-11-21 2009-06-02 The Boeing Company Laser sintered titanium alloy and direct metal fabrication method of making the same
US7294449B1 (en) 2003-12-31 2007-11-13 Kovio, Inc. Radiation patternable functional materials, methods of their use, and structures formed therefrom
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
EP2650907A3 (en) 2004-06-04 2014-10-08 The Board of Trustees of the University of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US7236334B2 (en) 2004-08-31 2007-06-26 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Repeatable ESD protection utilizing a process for unshorting a first shorting material between electrical pads and reshorting by recreating the short
WO2006033822A2 (en) 2004-09-07 2006-03-30 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of electronic and photonic systems on flexible substrates by layer transfer method
US8216931B2 (en) 2005-03-31 2012-07-10 Gang Zhang Methods for forming multi-layer three-dimensional structures
US7358169B2 (en) 2005-04-13 2008-04-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laser-assisted deposition
US7396631B2 (en) 2005-10-07 2008-07-08 3M Innovative Properties Company Radiation curable thermal transfer elements
US7784173B2 (en) 2005-12-27 2010-08-31 Palo Alto Research Center Incorporated Producing layered structures using printing
US9327056B2 (en) 2006-02-14 2016-05-03 Washington State University Bone replacement materials
US20070224235A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Barron Tenney Medical devices having nanoporous coatings for controlled therapeutic agent delivery
US7608308B2 (en) 2006-04-17 2009-10-27 Imra America, Inc. P-type semiconductor zinc oxide films process for preparation thereof, and pulsed laser deposition method using transparent substrates
TWI431380B (zh) 2006-05-12 2014-03-21 Photon Dynamics Inc 沉積修復設備及方法
TWI348338B (en) 2006-05-24 2011-09-01 Unimicron Technology Corp Method for repairing the circuitry of circuit board
US20080006966A1 (en) 2006-07-07 2008-01-10 Stratasys, Inc. Method for building three-dimensional objects containing metal parts
US7569832B2 (en) 2006-07-14 2009-08-04 Carestream Health, Inc. Dual-screen digital radiographic imaging detector array
WO2008014519A2 (en) 2006-07-28 2008-01-31 Microcontinuum, Inc. Addressable flexible patterns
US7935242B2 (en) 2006-08-21 2011-05-03 Micron Technology, Inc. Method of selectively removing conductive material
US20080099515A1 (en) 2006-10-11 2008-05-01 Nordson Corporation Thin line conformal coating apparatus and method
US8420978B2 (en) 2007-01-18 2013-04-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates
US20080233291A1 (en) 2007-03-23 2008-09-25 Chandrasekaran Casey K Method for depositing an inorganic layer to a thermal transfer layer
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8101247B2 (en) 2007-06-19 2012-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Sub-micron laser direct write
WO2009018340A2 (en) 2007-07-31 2009-02-05 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical device coating by laser cladding
US20090061112A1 (en) 2007-08-27 2009-03-05 Mu-Gahat Enterprises, Llc Laser circuit etching by subtractive deposition
US20090068790A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 Vertical Circuits, Inc. Electrical Interconnect Formed by Pulsed Dispense
US8728589B2 (en) 2007-09-14 2014-05-20 Photon Dynamics, Inc. Laser decal transfer of electronic materials
US7534544B2 (en) 2007-10-19 2009-05-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Method of separating an exposed thermal transfer assemblage
GB2453774B (en) 2007-10-19 2013-02-20 Materials Solutions A method of making an article
US20090130427A1 (en) 2007-10-22 2009-05-21 The Regents Of The University Of California Nanomaterial facilitated laser transfer
US7938855B2 (en) 2007-11-02 2011-05-10 Boston Scientific Scimed, Inc. Deformable underlayer for stent
DE102007055019B4 (de) 2007-11-14 2019-04-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer nanoporösen Schicht
TWI375498B (en) 2007-11-21 2012-10-21 Ind Tech Res Inst High perfromance laser-assisted transferring system and transfer component
TW200945339A (en) 2007-12-19 2009-11-01 Koninkl Philips Electronics Nv Optical disk format for direct writing materials on a substrate
JP5659020B2 (ja) 2008-01-10 2015-01-28 オルボテック リミテッド 多重ビーム穿孔システム
US8056222B2 (en) 2008-02-20 2011-11-15 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Laser-based technique for the transfer and embedding of electronic components and devices
US8215371B2 (en) 2008-04-18 2012-07-10 Stratasys, Inc. Digital manufacturing with amorphous metallic alloys
KR101529111B1 (ko) 2008-06-16 2015-06-16 도레이 카부시키가이샤 패터닝 방법, 이것을 사용한 디바이스의 제조방법 및 디바이스
CN102131950B (zh) 2008-06-19 2014-05-28 实用光有限公司 光感应图案
US7942987B2 (en) 2008-06-24 2011-05-17 Stratasys, Inc. System and method for building three-dimensional objects with metal-based alloys
US20100022078A1 (en) 2008-07-24 2010-01-28 Joerg Rockenberger Aluminum Inks and Methods of Making the Same, Methods for Depositing Aluminum Inks, and Films Formed by Printing and/or Depositing an Aluminum Ink
US20100021638A1 (en) 2008-07-28 2010-01-28 Solidscape, Inc. Method for fabricating three dimensional models
CN102203674B (zh) 2008-09-22 2015-08-12 Asml荷兰有限公司 光刻设备、可编程图案形成装置和光刻方法
JP2010098526A (ja) 2008-10-16 2010-04-30 Sony Corp 受信装置、コンテンツ受信方法、およびプログラム
IL197349A0 (en) 2009-03-02 2009-12-24 Orbotech Ltd A method and system for electrical circuit repair
US8663754B2 (en) 2009-03-09 2014-03-04 Imra America, Inc. Pulsed laser micro-deposition pattern formation
US20120025182A1 (en) 2009-04-03 2012-02-02 Sharp Kabushiki Kaisha Donor substrate, process for production of transfer film, and process for production of organic electroluminescent element
DE102009020774B4 (de) 2009-05-05 2011-01-05 Universität Stuttgart Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates
US8262916B1 (en) 2009-06-30 2012-09-11 Microfabrica Inc. Enhanced methods for at least partial in situ release of sacrificial material from cavities or channels and/or sealing of etching holes during fabrication of multi-layer microscale or millimeter-scale complex three-dimensional structures
US8129088B2 (en) 2009-07-02 2012-03-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode and method for manufacturing the same
US20110136162A1 (en) 2009-08-31 2011-06-09 Drexel University Compositions and Methods for Functionalized Patterning of Tissue Engineering Substrates Including Bioprinting Cell-Laden Constructs for Multicompartment Tissue Chambers
US8743165B2 (en) 2010-03-05 2014-06-03 Micronic Laser Systems Ab Methods and device for laser processing
US20130029480A1 (en) 2010-04-09 2013-01-31 Frank Niklaus Free form printing of silicon micro- and nanostructures
GB201009847D0 (en) 2010-06-11 2010-07-21 Dzp Technologies Ltd Deposition method, apparatus, printed object and uses
KR101114256B1 (ko) 2010-07-14 2012-03-05 한국과학기술원 패턴 제조 방법
GB201019579D0 (en) 2010-11-19 2010-12-29 Lingvitae Holding As Method and apparatus for direct writing
JP2012190877A (ja) 2011-03-09 2012-10-04 Fujifilm Corp ナノインプリント方法およびそれに用いられるナノインプリント装置
TW201238738A (en) 2011-03-25 2012-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Products shell manufacturing method and structure
US20120247740A1 (en) 2011-03-31 2012-10-04 Denso International America, Inc. Nested heat exchangers
US8815345B2 (en) 2011-05-26 2014-08-26 Solidscape, Inc. Method for fabricating three dimensional models
KR101982887B1 (ko) 2011-07-13 2019-05-27 누보트로닉스, 인크. 전자 및 기계 구조체들을 제조하는 방법들
US9034674B2 (en) 2011-08-08 2015-05-19 Quarkstar Llc Method and apparatus for coupling light-emitting elements with light-converting material
KR101616761B1 (ko) 2011-08-16 2016-04-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 프로그램가능한 패터닝 디바이스 및 리소그래피 방법
PT2751081T (pt) 2011-09-12 2017-04-04 D O O Farma Grs Forma polimórfica de pitavastatina cálcica
RU2539135C2 (ru) 2012-02-27 2015-01-10 Юрий Александрович Чивель Способ получения объемных изделий из порошков и устройство для его осуществления
NL2010176A (en) 2012-02-23 2013-08-26 Asml Netherlands Bv Device, lithographic apparatus, method for guiding radiation and device manufacturing method.
DE102012003866B4 (de) * 2012-02-23 2013-07-25 Universität Stuttgart Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Kontaktieren von Solarzellen, sowie Solarzellen
EP2660352A1 (en) * 2012-05-02 2013-11-06 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Donor sheet and method for light induced forward transfer manufacturing
WO2013168223A1 (ja) * 2012-05-08 2013-11-14 富士機械製造株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
GB2501918B (en) 2012-05-11 2014-06-18 Rolls Royce Plc Casing
US9044805B2 (en) 2012-05-16 2015-06-02 Apple Inc. Layer-by-layer construction with bulk metallic glasses
US9943996B2 (en) 2012-05-22 2018-04-17 University Of Southern California Process planning of meniscus shapes for fabricating smooth surfaces in mask image projection based additive manufacturing
US9090095B2 (en) 2012-06-04 2015-07-28 Micronic Mydata AB Optical writer for flexible foils
US11376349B2 (en) 2012-10-05 2022-07-05 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Biodegradable iron-containing compositions, methods of preparing and applications therefor
US9446618B2 (en) 2012-10-21 2016-09-20 Photon Jet Ltd Multi-technology printing system
ES2471568B1 (es) * 2012-11-22 2015-08-21 Abengoa Solar New Technologies S.A. Procedimiento para la creación de contactos eléctricos y contactos así creados
WO2014126837A2 (en) 2013-02-12 2014-08-21 Eipi Systems, Inc. Continuous liquid interphase printing
WO2014125470A1 (en) 2013-02-18 2014-08-21 Orbotech Ltd. Two-step, direct- write laser metallization
US9249015B2 (en) 2013-02-27 2016-02-02 International Business Machines Corporation Mold for forming complex 3D MEMS components
US9192999B2 (en) 2013-07-01 2015-11-24 General Electric Company Methods and systems for electrochemical machining of an additively manufactured component
US20150024317A1 (en) 2013-07-17 2015-01-22 Stratasys, Inc. High-Performance Consumable Materials for Electrophotography-Based Additive Manufacturing
US9029058B2 (en) 2013-07-17 2015-05-12 Stratasys, Inc. Soluble support material for electrophotography-based additive manufacturing
US9023566B2 (en) 2013-07-17 2015-05-05 Stratasys, Inc. ABS part material for electrophotography-based additive manufacturing
EP3058113B1 (en) 2013-10-14 2020-12-02 Orbotech Ltd. Lift printing of multi-composition material structures
JP6665386B2 (ja) 2013-12-15 2020-03-13 オーボテック リミテッド プリント回路配線の修復
US20150197063A1 (en) 2014-01-12 2015-07-16 Zohar SHINAR Device, method, and system of three-dimensional printing
US9920433B2 (en) 2014-01-13 2018-03-20 Incodema3D, LLC Additive metal deposition process
US9840789B2 (en) 2014-01-20 2017-12-12 City University Of Hong Kong Etching in the presence of alternating voltage profile and resulting porous structure
KR102345450B1 (ko) 2014-04-10 2021-12-29 오르보테크 엘티디. 펄스-모드 직접-기록 레이저 금속화
CN106414791A (zh) 2014-05-27 2017-02-15 奥博泰克有限公司 藉由激光诱发正向转印以印刷三维结构
JP6600351B2 (ja) 2014-08-07 2019-10-30 オルボテック リミテッド Ｌｉｆｔプリント・システム
US10193004B2 (en) 2014-10-19 2019-01-29 Orbotech Ltd. LIFT printing of conductive traces onto a semiconductor substrate
KR102282860B1 (ko) 2015-01-19 2021-07-28 오르보테크 엘티디. 희생 지지부를 가진 3차원 금속 구조물의 프린팅
CN107206548B (zh) 2015-01-21 2019-08-13 奥博泰克有限公司 倾斜的激光诱导前向转换喷射
US9887356B2 (en) 2015-01-23 2018-02-06 The Trustees Of Princeton University 3D printed active electronic materials and devices
EP3253901A2 (en) * 2015-02-05 2017-12-13 Mycronic AB Recurring process for laser induced forward transfer and high throughput and recycling of donor material by the reuse of a plurality of target substrate plates or forward transfer of a pattern of discrete donor dots
US9842831B2 (en) * 2015-05-14 2017-12-12 Mediatek Inc. Semiconductor package and fabrication method thereof
KR20180030609A (ko) * 2015-07-09 2018-03-23 오르보테크 엘티디. Lift 토출 각도의 제어
US20170021014A1 (en) 2015-07-21 2017-01-26 The Johns Hopkins University Vaccine adjuvants for cytomegalovirus prevention and treatment
EP3166143A1 (fr) * 2015-11-05 2017-05-10 Gemalto Sa Procede de fabrication d'un dispositif a puce de circuit integre par depot direct de matiere conductrice
KR102546450B1 (ko) 2015-11-22 2023-06-21 오르보테크 엘티디. 프린팅된 3-차원 구조들의 표면 특성들의 제어

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