JPH0484435A - バンプの整形方法 - Google Patents
バンプの整形方法Info
- Publication number
- JPH0484435A JPH0484435A JP2199416A JP19941690A JPH0484435A JP H0484435 A JPH0484435 A JP H0484435A JP 2199416 A JP2199416 A JP 2199416A JP 19941690 A JP19941690 A JP 19941690A JP H0484435 A JPH0484435 A JP H0484435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bumps
- bump
- flip chip
- heights
- residues
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はバンプの整形方法に係り、バンプの上面にレー
ザ光を照射して、この上面の凹凸部を溶融させることに
より、バンプを整形するようにしたものである。
ザ光を照射して、この上面の凹凸部を溶融させることに
より、バンプを整形するようにしたものである。
（従来の技術）
フリップチップは、電子機器類の小型、高集積化に有利
なことから、近年、次第に注目されるようになってきて
いる。
なことから、近年、次第に注目されるようになってきて
いる。
フリップチップは、その電極にご（小形のバンプを突設
したものであり、このようなバンプはワイヤポンディン
グ手段やメツキ手段などにより形成される。
したものであり、このようなバンプはワイヤポンディン
グ手段やメツキ手段などにより形成される。
第３図は、従来手段により形成されたフリップチップ１
００を示すものであって、１０１はフリップチップ本体
、１０２はバンプ、１０３は電極である。
００を示すものであって、１０１はフリップチップ本体
、１０２はバンプ、１０３は電極である。
ところが、バンプ１０２からは、ワイヤポンディング手
段に付随して生じるワイヤの切れ残り１０２ａが長短様
々に突出しており、このためバンブ高Ｈ１，Ｈ２はかな
り大きくばらつき、すべてのバンプ１０２を基板１０４
に確実に着地させてポンディングしにくいものであった
。
段に付随して生じるワイヤの切れ残り１０２ａが長短様
々に突出しており、このためバンブ高Ｈ１，Ｈ２はかな
り大きくばらつき、すべてのバンプ１０２を基板１０４
に確実に着地させてポンディングしにくいものであった
。
このようなバンブ高のばらつきは、メツキ手段等により
形成されたバンプにも、同様に発生しやすいものである
。
形成されたバンプにも、同様に発生しやすいものである
。
このような問題を解消するために、バンプ１０２を形成
した後、フリップチップ１００をリフロー装置へ送り、
フリップチップ１００を加熱処理することにより、上記
切れ残り１０２ａのような凹凸部を溶融させて、バンブ
高を揃えることが知られている。
した後、フリップチップ１００をリフロー装置へ送り、
フリップチップ１００を加熱処理することにより、上記
切れ残り１０２ａのような凹凸部を溶融させて、バンブ
高を揃えることが知られている。
（発明が解決しようとする課題）
ところが上記従来の整形手段は、フリップチップ全体を
加熱するため、フリップチップが熱ダメージを受けやす
い問題があった。
加熱するため、フリップチップが熱ダメージを受けやす
い問題があった。
そこで本発明は、上記従来手段の問題を解消したバンブ
の整形方法を提供することを目的とする。
の整形方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、フリップチップの１を掻に形成されたバンブ
の上面にレーザ光を照射し、この上面の凹凸部を溶融さ
せて平滑するようにしたものである。
の上面にレーザ光を照射し、この上面の凹凸部を溶融さ
せて平滑するようにしたものである。
（作用）
上記構成によれば、バンブの上面にレーザ光を照射する
ことにより、バンブ上面の凹凸部を溶融させて平滑し、
バンブ高を揃えることができる。
ことにより、バンブ上面の凹凸部を溶融させて平滑し、
バンブ高を揃えることができる。
（実施例）
次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図はフリップチップ１を示すものである。
このフリップチップ本体２の上面には、アルミなどによ
り電極３が形成されており、この電極３上にバンブ４が
突設されている。このバンプ４は、ワイヤボンディング
手段により形成されており、このバンブ４の上面には、
ワイヤの切れ残り４ａが残存突出している。この切れ残
り４ａは長短様々であり、このため、各々のバンプ４の
バンブ高Ｈ１，Ｈ２はばらついている。
り電極３が形成されており、この電極３上にバンブ４が
突設されている。このバンプ４は、ワイヤボンディング
手段により形成されており、このバンブ４の上面には、
ワイヤの切れ残り４ａが残存突出している。この切れ残
り４ａは長短様々であり、このため、各々のバンプ４の
バンブ高Ｈ１，Ｈ２はばらついている。
このようにバンブ高Ｈ１，Ｈ２がばらついていると、す
べてのバンブ４を基板に確実に着地させてボンディング
できないことから、すべてのバンブ高がほぼ揃うように
、バンブ４を整形しなければならない。
べてのバンブ４を基板に確実に着地させてボンディング
できないことから、すべてのバンブ高がほぼ揃うように
、バンブ４を整形しなければならない。
このため本手段は、レーザ照射器５により、バンブ４の
上面にレーザ光を照射し、上記切れ残り４ａを溶融させ
て、バンプ４の上面を平滑する（第２図参照）。このよ
うにすれば、バンプ高Ｈをほぼ揃えて、すべてのバンブ
４を基板に確実に着地させてポンディングすることがで
きる。
上面にレーザ光を照射し、上記切れ残り４ａを溶融させ
て、バンプ４の上面を平滑する（第２図参照）。このよ
うにすれば、バンプ高Ｈをほぼ揃えて、すべてのバンブ
４を基板に確実に着地させてポンディングすることがで
きる。
なお一般に多用されているバンブは金バンブであるが、
金の融点は約１０７０℃であって相当高く、レーザ光に
より溶融させにくいことから、バンブ４は融点の低い素
材により形成することが望ましい。このような融点の低
い素材としては、例えばＡｕ−５ｔ共晶合金（融点３０
０℃）がある、また上記実施例は、ワイヤボンディング
手段により形成されたバンブを例にとって説明したが、
メツキ手段などの他の手段により形成されたバンブの整
形手段にも適用できることは勿論である。
金の融点は約１０７０℃であって相当高く、レーザ光に
より溶融させにくいことから、バンブ４は融点の低い素
材により形成することが望ましい。このような融点の低
い素材としては、例えばＡｕ−５ｔ共晶合金（融点３０
０℃）がある、また上記実施例は、ワイヤボンディング
手段により形成されたバンブを例にとって説明したが、
メツキ手段などの他の手段により形成されたバンブの整
形手段にも適用できることは勿論である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、フリップチップの電極に
形成されたバンブの上面にレーザ光を照射し、この上面
の凹凸部を溶融させて平滑するようにしているので、バ
ンプ高が揃うようにバンブを簡単に整形することができ
る。殊に本手段は、バンブにのみレーザ光を照射するこ
とから、フリップチップ本体は加熱されず、したがって
上記従来手段のように、フリップチップ本体が熱ダメー
ジを受けるのを回避できる利点がある。
形成されたバンブの上面にレーザ光を照射し、この上面
の凹凸部を溶融させて平滑するようにしているので、バ
ンプ高が揃うようにバンブを簡単に整形することができ
る。殊に本手段は、バンブにのみレーザ光を照射するこ
とから、フリップチップ本体は加熱されず、したがって
上記従来手段のように、フリップチップ本体が熱ダメー
ジを受けるのを回避できる利点がある。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はバン
ブの整形中のフリップチップの正面図、第２図は整形後
の正面図、第３図は従来手段の正面図である。 ■・・・フリップチップ ４・・・バンブ ４ａ・・・凹凸部
ブの整形中のフリップチップの正面図、第２図は整形後
の正面図、第３図は従来手段の正面図である。 ■・・・フリップチップ ４・・・バンブ ４ａ・・・凹凸部
Claims (1)
- フリップチップの電極に突設されたバンプの上面にレー
ザ光を照射し、この上面の凹凸部を溶融させて平滑する
ようにしたことを特徴とするバンプの整形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2199416A JPH0484435A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | バンプの整形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2199416A JPH0484435A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | バンプの整形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484435A true JPH0484435A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16407442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2199416A Pending JPH0484435A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | バンプの整形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0484435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080599A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動子とその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP2199416A patent/JPH0484435A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080599A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動子とその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000349123A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| US6173887B1 (en) | Method of making electrically conductive contacts on substrates | |
| JPH0423441A (ja) | セラミックパッケージ半導体装置およびその製造方法 | |
| US6513701B2 (en) | Method of making electrically conductive contacts on substrates | |
| JPH0484435A (ja) | バンプの整形方法 | |
| JPH0312942A (ja) | 半導体装置の封止方法および半導体チップ | |
| JPH0671135B2 (ja) | Ｉｃチップのはんだ付け方法 | |
| JPH088284A (ja) | ワイヤボンディング構造及びその補強方法 | |
| JP3344289B2 (ja) | バンプ付ワークの実装方法 | |
| JPH04162641A (ja) | レーザボンディング法 | |
| JP3218846B2 (ja) | プラズマクリーニング装置及び電子部品製造方法 | |
| JPH0737890A (ja) | 半田ボール接合装置およびその接合方法 | |
| JPH10190209A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JPH02139944A (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
| JPH0729942A (ja) | 電子装置のリペア方法 | |
| JPH05283477A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JPS62276837A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07153764A (ja) | はんだバンプ形成方法 | |
| JPH1092827A (ja) | バンプの形成方法 | |
| JPH02247076A (ja) | レーザはんだ付け装置 | |
| JP2707909B2 (ja) | 集積回路チップのボンディング方法 | |
| JP2003142504A (ja) | ダイボンディング方法 | |
| JPH0982716A (ja) | バンプ付きワークの製造方法 | |
| JPH02125647A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH09129649A (ja) | 接合材料供給方法及び実装方法 |