JPH04162641A - レーザボンディング法 - Google Patents
レーザボンディング法Info
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- JPH04162641A JPH04162641A JP28711890A JP28711890A JPH04162641A JP H04162641 A JPH04162641 A JP H04162641A JP 28711890 A JP28711890 A JP 28711890A JP 28711890 A JP28711890 A JP 28711890A JP H04162641 A JPH04162641 A JP H04162641A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ加工に関し、特にＩＣチップのタブボン
ディング法に関する。
ディング法に関する。
従来のタブ（ＴＡＢ）ボンディングとしては、熱圧着法
や超音波ボンディング法が使用されている。また、レー
ザを用いたタブボンディング法としては、第４図に示す
ように、ＴＡＢリード１の上方からレーザ２を照射し、
ＴＡＢ！Ｊ−ド１が溶融した後、ＩＣチップ３上のバン
プ４が溶融し、ＴＡＢ！Ｊ−ド１とバンプ４が接合する
パルス励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたレーザボンディ
ング法が提案されている。
や超音波ボンディング法が使用されている。また、レー
ザを用いたタブボンディング法としては、第４図に示す
ように、ＴＡＢリード１の上方からレーザ２を照射し、
ＴＡＢ！Ｊ−ド１が溶融した後、ＩＣチップ３上のバン
プ４が溶融し、ＴＡＢ！Ｊ−ド１とバンプ４が接合する
パルス励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたレーザボンディ
ング法が提案されている。
しかしながら、上述した従来の熱圧着法や超音波ボンデ
ィング法は、ＩＣチップに高圧をかけたり高温にしたり
して、ポンディングパッドの下層に損傷を与える危険性
があるという欠点があった。
ィング法は、ＩＣチップに高圧をかけたり高温にしたり
して、ポンディングパッドの下層に損傷を与える危険性
があるという欠点があった。
また、従来のレーザ溶接手法を用いた第４図に示すレー
ザボンディング法は、ＴＡＢＩＪ−ド１が溶融した後、
その溶融熱で下層のバンプ４が溶けるため、ＴＡＢリー
ド１に照射されるレーザエネルギは、ＴＡＢ！Ｊ−ド１
を溶融させるエネルギに比べると過大となる。このこと
は、ＴＡＢリード１を必要以上に高温にするだけでなく
、ＩＣチップ３も高温にする原因となり、ＩＣチップ３
とバンプ４との間に位置するポンディングパッド（図示
せず）の下層に損傷を与えるという欠点があった。
ザボンディング法は、ＴＡＢＩＪ−ド１が溶融した後、
その溶融熱で下層のバンプ４が溶けるため、ＴＡＢリー
ド１に照射されるレーザエネルギは、ＴＡＢ！Ｊ−ド１
を溶融させるエネルギに比べると過大となる。このこと
は、ＴＡＢリード１を必要以上に高温にするだけでなく
、ＩＣチップ３も高温にする原因となり、ＩＣチップ３
とバンプ４との間に位置するポンディングパッド（図示
せず）の下層に損傷を与えるという欠点があった。
サラに、レーザボンディングにおいて、熱影響を抑えた
溶接を行うためには、Ｔ Ａ Ｂ ＩＪ−ド１を早く溶
融状態にする必要がある。しかしこのことは逆に、時間
で表面を溶かすことが必要となり、蒸発するという危険
もあり、パルス幅、尖頭出力等照射すべきレーザの条件
も狭く制御が難しいという欠点もあった。
溶接を行うためには、Ｔ Ａ Ｂ ＩＪ−ド１を早く溶
融状態にする必要がある。しかしこのことは逆に、時間
で表面を溶かすことが必要となり、蒸発するという危険
もあり、パルス幅、尖頭出力等照射すべきレーザの条件
も狭く制御が難しいという欠点もあった。
本発明の目的は上述した欠点に鑑みなされたもので、最
小のレーザエネルギでＴＡＢ！Ｉ−ドと／＜ンプの溶接
を行い、ＩＣチップへの熱影響の少ないレーザボンディ
ング法を提供するにある。
小のレーザエネルギでＴＡＢ！Ｉ−ドと／＜ンプの溶接
を行い、ＩＣチップへの熱影響の少ないレーザボンディ
ング法を提供するにある。
前記した目的を達成するために、本発明に係るレーザボ
ンディング法は、ＴＡＢリードにＩＣチップ上のバンプ
より小さい孔を穿設すると共に、この孔とバンプを接触
させ、ＴＡＢ！Ｊ−ドとバンプに同時にレーザ光を照射
するようにしたものである。
ンディング法は、ＴＡＢリードにＩＣチップ上のバンプ
より小さい孔を穿設すると共に、この孔とバンプを接触
させ、ＴＡＢ！Ｊ−ドとバンプに同時にレーザ光を照射
するようにしたものである。
このように本発明によれば、ＴＡＢリードにフイツグよ
り小さい孔を穿設しておくことにより、レーザ光を照射
した時にＴ Ａ Ｂ ！Ｊ−ドとノくンプが同時に溶融
し、最小のレーザエネルギの照射でボンディングを実現
することが可能となる。
り小さい孔を穿設しておくことにより、レーザ光を照射
した時にＴ Ａ Ｂ ！Ｊ−ドとノくンプが同時に溶融
し、最小のレーザエネルギの照射でボンディングを実現
することが可能となる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明のレーザボンディング法を
説明するための断面図で、第１図はレーザ照射前の状態
を示す断面図、第２図はレーザ照射後の状態を示す断面
図、第３図はＴ Ａ Ｂ ＩＪ−ドの要部斜視図である
。
説明するための断面図で、第１図はレーザ照射前の状態
を示す断面図、第２図はレーザ照射後の状態を示す断面
図、第３図はＴ Ａ Ｂ ＩＪ−ドの要部斜視図である
。
ＴＡＢ’Ｊ−ド１０の所定位置に孔１１が穿設されてお
り、この孔１１が設けられたＴＡＢ！Ｉ−ド１０の部分
がＩＣチップ１２上に配設されたノ１′ンプ１３に治具
（図示せず）を介して接触させられた構造となっている
。このＴＡＢ’）−ド１０に設けられた孔１１はバンプ
１３より小さく形成されている。
り、この孔１１が設けられたＴＡＢ！Ｉ−ド１０の部分
がＩＣチップ１２上に配設されたノ１′ンプ１３に治具
（図示せず）を介して接触させられた構造となっている
。このＴＡＢ’）−ド１０に設けられた孔１１はバンプ
１３より小さく形成されている。
したがって、第２図に示すようにこのＴＡＢリード１０
の孔１１より大きなスポット径のレーザ光１４がＴＡＢ
’）−ド１０の上方から照射されると、ＴＡＢリード１
０の一部１５とバンプ１３の一部１６とが溶融して共晶
を作り、これによってＴＡＢリード１０とバンプ１３と
が接合される。
の孔１１より大きなスポット径のレーザ光１４がＴＡＢ
’）−ド１０の上方から照射されると、ＴＡＢリード１
０の一部１５とバンプ１３の一部１６とが溶融して共晶
を作り、これによってＴＡＢリード１０とバンプ１３と
が接合される。
なお、第３図は本発明のＴＡＢ ’Ｊ−ドｌＯの孔１１
とＴＡＢ リード１０の寸法を示したもので、ＴＡＢリ
ード１０の輻Ｗに対しＴＡＢリード１０の孔１１の径り
は、略Ｗ／４≦Ｄ≦３／４Ｗであればよい。また、上述
した実施例においてはＴＡＢ ＩＪ−ド１０の孔１１の
形状は円形状となっているが、別に円形状に限定される
ものではなく角形状でもよいしあるいはその他の形状で
あっても何ら本発明の効果を損うものではない。
とＴＡＢ リード１０の寸法を示したもので、ＴＡＢリ
ード１０の輻Ｗに対しＴＡＢリード１０の孔１１の径り
は、略Ｗ／４≦Ｄ≦３／４Ｗであればよい。また、上述
した実施例においてはＴＡＢ ＩＪ−ド１０の孔１１の
形状は円形状となっているが、別に円形状に限定される
ものではなく角形状でもよいしあるいはその他の形状で
あっても何ら本発明の効果を損うものではない。
以上説明したように本発明によれば、ＴＡＢリードにバ
ンプより小さい孔を穿設し、この孔とＩＣチップのバン
プとを接触させた状態で孔径より大きなスポットのレー
ザ光を照射し、ＴＡＢリードの孔の周辺とバンプとを同
時に溶融させるようにしたことにより、最小のレーザエ
ネルギでＴＡＢ ！Ｊ−ドとバンプの溶接を行うことが
可能となり、これによってＩＣチップへの熱影響の少な
いレーザボンディング法を提供できるという優れた効果
を奏する。
ンプより小さい孔を穿設し、この孔とＩＣチップのバン
プとを接触させた状態で孔径より大きなスポットのレー
ザ光を照射し、ＴＡＢリードの孔の周辺とバンプとを同
時に溶融させるようにしたことにより、最小のレーザエ
ネルギでＴＡＢ ！Ｊ−ドとバンプの溶接を行うことが
可能となり、これによってＩＣチップへの熱影響の少な
いレーザボンディング法を提供できるという優れた効果
を奏する。
第１図〜第３図は本発明のレーザボンディング法の一実
施例を説明するためのもので、このうち第１図はレーザ
照射前の状態を示す断面図、第２図はレーザ照射後の状
態を示す断面図、第３図はＴＡＢ！ｌ−ドの要部斜視図
、第４図は従来のレーザボンディング法を説明するため
の断面図である。 １０・・・・・・ＴＡＢリード、１１・・・・・・孔、
１２・・・・・・ＩＣチップ、１３・・・・・・バンプ
、１４・・・・・・レーザ光。
施例を説明するためのもので、このうち第１図はレーザ
照射前の状態を示す断面図、第２図はレーザ照射後の状
態を示す断面図、第３図はＴＡＢ！ｌ−ドの要部斜視図
、第４図は従来のレーザボンディング法を説明するため
の断面図である。 １０・・・・・・ＴＡＢリード、１１・・・・・・孔、
１２・・・・・・ＩＣチップ、１３・・・・・・バンプ
、１４・・・・・・レーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、タブリードにＩＣチップ上のバンプより小さい孔を
穿設すると共に、この孔とバンプを接触させ、タブリー
ドとバンプに同時にレーザ光を照射するようにしたこと
を特徴とするレーザボンディング法。 ２、タブリードの幅寸法Ｗに対しタブリードの孔径Ｄは
略Ｗ／４≦Ｄ≦３／４Ｗに設定されている請求項１記載
のレーザボンディング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28711890A JPH04162641A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | レーザボンディング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28711890A JPH04162641A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | レーザボンディング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162641A true JPH04162641A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17713300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28711890A Pending JPH04162641A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | レーザボンディング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162641A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10103084A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2007073948A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| DE102006036544A1 (de) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Optoelektronisches Modul |
| JP2012248895A (ja) * | 2005-08-12 | 2012-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| DE102007049481B4 (de) * | 2006-10-16 | 2021-04-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28711890A patent/JPH04162641A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10103084A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6853088B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-02-08 | Eupec Gmbh | Semiconductor module and method for fabricating the semiconductor module |
| DE10103084B4 (de) * | 2001-01-24 | 2006-08-03 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2007073948A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2012248895A (ja) * | 2005-08-12 | 2012-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| DE102006036544A1 (de) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Optoelektronisches Modul |
| US7789573B2 (en) | 2006-08-04 | 2010-09-07 | Osram Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Optoelectronic module |
| DE102007049481B4 (de) * | 2006-10-16 | 2021-04-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes |
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