JPH05283477A - フリップチップ実装方法 - Google Patents
フリップチップ実装方法Info
- Publication number
- JPH05283477A JPH05283477A JP4106139A JP10613992A JPH05283477A JP H05283477 A JPH05283477 A JP H05283477A JP 4106139 A JP4106139 A JP 4106139A JP 10613992 A JP10613992 A JP 10613992A JP H05283477 A JPH05283477 A JP H05283477A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- bumps
- bump
- mounting method
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フリップチップ実装において、チップ部品に
熱を加えないバンプ接合及び高融点金属バンプの接合を
可能にし、個々のバンプのリペアも可能にする。 【構成】 バンプ面を下側に向けてＩＣチップ１を回路
基板３の上に置き、仮固定する。ついで、ＩＣチップ１
の側方からレーザー光５を照射し、レーザー光５をバン
プ２に集光してランド４に接合する。
熱を加えないバンプ接合及び高融点金属バンプの接合を
可能にし、個々のバンプのリペアも可能にする。 【構成】 バンプ面を下側に向けてＩＣチップ１を回路
基板３の上に置き、仮固定する。ついで、ＩＣチップ１
の側方からレーザー光５を照射し、レーザー光５をバン
プ２に集光してランド４に接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフリップチップ実装方法
に関する。具体的にいうと、本発明は、ＩＣチップのよ
うなチップ部品をフェースダウンで基板上に置き、当該
チップ部品のバンプを基板の配線パターンに接合させる
方法に関する。
に関する。具体的にいうと、本発明は、ＩＣチップのよ
うなチップ部品をフェースダウンで基板上に置き、当該
チップ部品のバンプを基板の配線パターンに接合させる
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを基板にフリップチップ実装
する場合、従来にあっては、図３（ａ）に示すように基
板２１の上面に設けられた配線パターンのランド２２の
上にＩＣチップ２３のバンプ２４を載せ、この状態でフ
ラックス等によって基板２１にＩＣチップ２３を仮固定
した後、リフロー炉内においてバンプ２４をリフローさ
せることにより、図３（ｂ）に示すようにＩＣチップ２
３のバンプ２４を基板２１に接合させている。
する場合、従来にあっては、図３（ａ）に示すように基
板２１の上面に設けられた配線パターンのランド２２の
上にＩＣチップ２３のバンプ２４を載せ、この状態でフ
ラックス等によって基板２１にＩＣチップ２３を仮固定
した後、リフロー炉内においてバンプ２４をリフローさ
せることにより、図３（ｂ）に示すようにＩＣチップ２
３のバンプ２４を基板２１に接合させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
実装方法では、リフロー時にＩＣチップ全体をリフロー
炉内で加熱するので、ＩＣチップが熱による損傷を受け
る恐れがあった。
実装方法では、リフロー時にＩＣチップ全体をリフロー
炉内で加熱するので、ＩＣチップが熱による損傷を受け
る恐れがあった。
【０００４】また、ＩＣチップ全体を加熱するため、Ｉ
Ｃチップに用いられている配線材料（例えば、Ａｌ系配
線材料）によって加熱温度の上限が決まるので、バンプ
として使用可能な金属は融点の比較的低い金属に限定さ
れてしまい、ＷやＭｏ等の高融点金属を用いることがで
きなかった。
Ｃチップに用いられている配線材料（例えば、Ａｌ系配
線材料）によって加熱温度の上限が決まるので、バンプ
として使用可能な金属は融点の比較的低い金属に限定さ
れてしまい、ＷやＭｏ等の高融点金属を用いることがで
きなかった。
【０００５】さらに、複数個のバンプのうち例えば１個
のバンプだけが接合不良であった場合、１個づつバンプ
のリペア（再溶融、再接合）を行なうことができず、再
びＩＣチップ全体をリフローさせなければならなかっ
た。
のバンプだけが接合不良であった場合、１個づつバンプ
のリペア（再溶融、再接合）を行なうことができず、再
びＩＣチップ全体をリフローさせなければならなかっ
た。
【０００６】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、チップ部品
に熱を加えることなくバンプ接合を行なえ、また、高融
点金属バンプの接合も行なえ、個々のバンプのリペアも
可能なフリップチップ実装方法を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、チップ部品
に熱を加えることなくバンプ接合を行なえ、また、高融
点金属バンプの接合も行なえ、個々のバンプのリペアも
可能なフリップチップ実装方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフリップチップ
実装方法は、バンプを有するチップ部品をフェースダウ
ンで基板上に実装する方法であって、チップ部品のバン
プを基板の配線パターンの上に置き、レーザー光をバン
プに集光させることによりバンプを配線パターンに接合
させることを特徴としている。
実装方法は、バンプを有するチップ部品をフェースダウ
ンで基板上に実装する方法であって、チップ部品のバン
プを基板の配線パターンの上に置き、レーザー光をバン
プに集光させることによりバンプを配線パターンに接合
させることを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明にあっては、バンプにレーザー光を集光
させることにより配線パターンに接合させているので、
チップ部品に熱が加わらず、チップ部品に熱損傷を与え
る恐れがない。
させることにより配線パターンに接合させているので、
チップ部品に熱が加わらず、チップ部品に熱損傷を与え
る恐れがない。
【０００９】また、レーザー光を用いることにより、従
来のリフロー方式では不可能であった高融点金属で形成
されたバンプも接合可能になる。
来のリフロー方式では不可能であった高融点金属で形成
されたバンプも接合可能になる。
【００１０】さらに、１個１個のバンプにレーザー光を
当てて加工することができるので、例えば１個のバンプ
だけが接合不良であった場合には、接合不良のバンプに
のみレーザー光を再び照射して接合不良部分のリペアを
容易に行なうことができる。
当てて加工することができるので、例えば１個のバンプ
だけが接合不良であった場合には、接合不良のバンプに
のみレーザー光を再び照射して接合不良部分のリペアを
容易に行なうことができる。
【００１１】
【実施例】図１（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例を示す
概略正面図である。１はＩＣチップであって、上面に複
数個のバンプ２が設けられている。このＩＣチップ１
は、図１（ａ）に示すようにバンプ面を下側に向けてフ
ェースダウンで回路基板３の上に置かれ、各バンプ２が
回路基板３の配線パターンのランド４の上に位置するよ
う位置決めされ、仮固定される。この後、ＩＣチップ１
の側方から回路基板３とほぼ平行にレーザー光５を照射
し、集光レンズ６等によってレーザー光５を１個づつの
バンプ２に集光させ、図１（ｂ）に示すように各バンプ
２をランド４に接合させる。
概略正面図である。１はＩＣチップであって、上面に複
数個のバンプ２が設けられている。このＩＣチップ１
は、図１（ａ）に示すようにバンプ面を下側に向けてフ
ェースダウンで回路基板３の上に置かれ、各バンプ２が
回路基板３の配線パターンのランド４の上に位置するよ
う位置決めされ、仮固定される。この後、ＩＣチップ１
の側方から回路基板３とほぼ平行にレーザー光５を照射
し、集光レンズ６等によってレーザー光５を１個づつの
バンプ２に集光させ、図１（ｂ）に示すように各バンプ
２をランド４に接合させる。
【００１２】このようにしてバンプ２をレーザー光５に
より接合させる方式とすることにより、従来のリフロー
方式で不可能であった高融点金属（融点Ｔｍ＞５００
℃）で形成されたバンプ２の接合も可能になる。また、
バンプ２のみを加熱する方法であるので、ＩＣチップ１
に熱が加わらず、ＩＣチップ１に電極材料等のマイグレ
ーションによる不良発生や損傷の可能性も大幅に減少す
る。
より接合させる方式とすることにより、従来のリフロー
方式で不可能であった高融点金属（融点Ｔｍ＞５００
℃）で形成されたバンプ２の接合も可能になる。また、
バンプ２のみを加熱する方法であるので、ＩＣチップ１
に熱が加わらず、ＩＣチップ１に電極材料等のマイグレ
ーションによる不良発生や損傷の可能性も大幅に減少す
る。
【００１３】図２（ａ）（ｂ）は本発明の別な実施例を
示す概略正面図である。この実施例でも、まずバンプ面
を下側に向けてフェースダウンで回路基板３の上にＩＣ
チップ１を置き、各バンプ２を回路基板３のランド４の
上に位置決めする。この後、図２（ａ）に示すように、
ＩＣチップ１のバンプ面と反対側（つまり、回路基板３
と反対側）からレーザー光５を照射し、レーザー光５を
ＩＣチップ１に透過させてバンプ２に集光させ、図２
（ｂ）に示すように各バンプ２をランド４に接合させ
る。
示す概略正面図である。この実施例でも、まずバンプ面
を下側に向けてフェースダウンで回路基板３の上にＩＣ
チップ１を置き、各バンプ２を回路基板３のランド４の
上に位置決めする。この後、図２（ａ）に示すように、
ＩＣチップ１のバンプ面と反対側（つまり、回路基板３
と反対側）からレーザー光５を照射し、レーザー光５を
ＩＣチップ１に透過させてバンプ２に集光させ、図２
（ｂ）に示すように各バンプ２をランド４に接合させ
る。
【００１４】ここで用いているＩＣチップ１は、Ｓｉ基
板の上に集積回路を形成されたものであって、例えば炭
酸ガスレーザー発振器を用いればＩＣチップ（Ｓｉ基
板）１にレーザー光５を透過させることができる。しか
も、レーザー光５の出力エネルギーレベルを調整するこ
とにより、ＩＣチップ１に損傷を与えることなくバンプ
２を溶融させることができるので、図２（ａ）のように
バンプ面と反対側からレーザー光５を照射してバンプ２
を接合させることができる。
板の上に集積回路を形成されたものであって、例えば炭
酸ガスレーザー発振器を用いればＩＣチップ（Ｓｉ基
板）１にレーザー光５を透過させることができる。しか
も、レーザー光５の出力エネルギーレベルを調整するこ
とにより、ＩＣチップ１に損傷を与えることなくバンプ
２を溶融させることができるので、図２（ａ）のように
バンプ面と反対側からレーザー光５を照射してバンプ２
を接合させることができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、チップ部品に熱を加え
ることなく実装することができ、チップ部品に熱損傷を
与える恐れがなく、高品質のフリップチップ実装が可能
になる。
ることなく実装することができ、チップ部品に熱損傷を
与える恐れがなく、高品質のフリップチップ実装が可能
になる。
【００１６】また、レーザー光を用いることにより、従
来のリフロー方式では不可能であった高融点金属で形成
されたバンプでも接合可能になるので、用途が拡大す
る。
来のリフロー方式では不可能であった高融点金属で形成
されたバンプでも接合可能になるので、用途が拡大す
る。
【００１７】さらに、１個１個のバンプにレーザー光を
当てて加工することができるので、例えば１個のバンプ
だけが接合不良であった場合には、接合不良のバンプに
のみレーザー光を再び照射して接合不良部分のリペアを
容易に行なうことができる。
当てて加工することができるので、例えば１個のバンプ
だけが接合不良であった場合には、接合不良のバンプに
のみレーザー光を再び照射して接合不良部分のリペアを
容易に行なうことができる。
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例によるフリッ
プチップ実装方法を示す概略正面図である。
プチップ実装方法を示す概略正面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）は本発明の別な実施例によるフリ
ップチップ実装方法を示す概略正面図である。
ップチップ実装方法を示す概略正面図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は従来のリフローによるフリップ
チップ実装方法を示す概略正面図である。
チップ実装方法を示す概略正面図である。
１ ＩＣチップ ２ バンプ ３ 回路基板 ４ ランド ５ レーザー光
Claims (1)
- 【請求項１】 バンプを有するチップ部品をフェースダ
ウンで基板上に実装する方法であって、 チップ部品のバンプを基板の配線パターンの上に置き、
レーザー光をバンプに集光させることによりバンプを配
線パターンに接合させることを特徴とするフリプチップ
実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106139A JPH05283477A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | フリップチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106139A JPH05283477A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | フリップチップ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283477A true JPH05283477A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14426040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4106139A Pending JPH05283477A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | フリップチップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015199210A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 大日本印刷株式会社 | チップオン基板及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
| JP2016010881A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 大日本印刷株式会社 | チップオン基板及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP4106139A patent/JPH05283477A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015199210A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 大日本印刷株式会社 | チップオン基板及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
| JP2016010881A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 大日本印刷株式会社 | チップオン基板及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
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