JPS6335099B2 - - Google Patents
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- JPS6335099B2 JPS6335099B2 JP56017094A JP1709481A JPS6335099B2 JP S6335099 B2 JPS6335099 B2 JP S6335099B2 JP 56017094 A JP56017094 A JP 56017094A JP 1709481 A JP1709481 A JP 1709481A JP S6335099 B2 JPS6335099 B2 JP S6335099B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、はんだ付方法、特に被接合部材に
あらかじめ形成したはんだ突起を溶融して被接合
部材を接合するリフロ付け方法に関する。
あらかじめ形成したはんだ突起を溶融して被接合
部材を接合するリフロ付け方法に関する。
従来、この種のはんだ付方法において、各部材
に形成するはんだ突起は、第１図に示すものがあ
つた。図において、１ａ，１ｂは被接合部材、２
ａ，２ｂはこの各被接合部材のはんだ突起が形成
される部分に予め接合された突起形成用導電薄
膜、３ａ，３ｂははんだ突起、４ａ，４ｂはフラ
ツクスである。薄膜２ａ，２ｂ上にあらかじめ形
成された半球状のはんだ突起３ａ，３ｂをフラツ
クス４ａ，４ｂが被包している。ただしリフロ付
けに際して、水素炉などのように還元性雰囲気あ
るいは窒素炉などのように不活性雰囲気中にては
んだ付する方法においては必ずしもフラツクス４
ａ，４ｂを採用しない。はんだ突起３ａ，３ｂ同
志を会合せしめた両部材１ａ，１ｂは図の状態で
所定温度の炉内を通すなどしてリフロ付けされる
が、その結果、しばしば薄膜２ａ，２ｂの過剰溶
解（溶食）現象を発生する。
に形成するはんだ突起は、第１図に示すものがあ
つた。図において、１ａ，１ｂは被接合部材、２
ａ，２ｂはこの各被接合部材のはんだ突起が形成
される部分に予め接合された突起形成用導電薄
膜、３ａ，３ｂははんだ突起、４ａ，４ｂはフラ
ツクスである。薄膜２ａ，２ｂ上にあらかじめ形
成された半球状のはんだ突起３ａ，３ｂをフラツ
クス４ａ，４ｂが被包している。ただしリフロ付
けに際して、水素炉などのように還元性雰囲気あ
るいは窒素炉などのように不活性雰囲気中にては
んだ付する方法においては必ずしもフラツクス４
ａ，４ｂを採用しない。はんだ突起３ａ，３ｂ同
志を会合せしめた両部材１ａ，１ｂは図の状態で
所定温度の炉内を通すなどしてリフロ付けされる
が、その結果、しばしば薄膜２ａ，２ｂの過剰溶
解（溶食）現象を発生する。
第２図は、この状態を説明する模式図である。
図に示すように薄膜２がはんだ突起３中に過剰溶
解し局部的にははんだと部材１が直接に接触する
に至る。薄膜２の主たる目的は、はんだ付性の劣
悪な部材１のはんだ付性を確保することにあるた
め、はんだが部材１に直接接触した部分は接合に
寄与していないことになる。このように、薄膜２
の上に形成されたはんだ突起３を、炉など通常の
はんだ付に用いるのと同様の加熱源を用いてリフ
ロ付けする場合、如何に温度、時間などのはんだ
付条件を管理しても、薄膜２の厚さ、熱容量次第
では、薄膜２の過剰溶解は避け得ないことにな
る。このため、はんだ付性の良好な材質で一般的
に用いられるCu，Cu合金、Ag，Ag合金あるい
はAuなどの薄膜２の下層にCr，Cr合金等のなじ
み性の不良な金属薄膜を形成する手段も構じられ
ているが、はんだのなじみ状態の安定性の面で、
実用上の障害をきたしている。
図に示すように薄膜２がはんだ突起３中に過剰溶
解し局部的にははんだと部材１が直接に接触する
に至る。薄膜２の主たる目的は、はんだ付性の劣
悪な部材１のはんだ付性を確保することにあるた
め、はんだが部材１に直接接触した部分は接合に
寄与していないことになる。このように、薄膜２
の上に形成されたはんだ突起３を、炉など通常の
はんだ付に用いるのと同様の加熱源を用いてリフ
ロ付けする場合、如何に温度、時間などのはんだ
付条件を管理しても、薄膜２の厚さ、熱容量次第
では、薄膜２の過剰溶解は避け得ないことにな
る。このため、はんだ付性の良好な材質で一般的
に用いられるCu，Cu合金、Ag，Ag合金あるい
はAuなどの薄膜２の下層にCr，Cr合金等のなじ
み性の不良な金属薄膜を形成する手段も構じられ
ているが、はんだのなじみ状態の安定性の面で、
実用上の障害をきたしている。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、接合したいはん
だ突起３の先端部近傍をより高温に加熱すること
により、突起基部側におけるはんだと薄膜２の界
面近傍の温度上昇を極力抑制して薄膜２の過剰溶
解を安定に防止できるはんだ付方法を提供するこ
とを目的としている。
除去するためになされたもので、接合したいはん
だ突起３の先端部近傍をより高温に加熱すること
により、突起基部側におけるはんだと薄膜２の界
面近傍の温度上昇を極力抑制して薄膜２の過剰溶
解を安定に防止できるはんだ付方法を提供するこ
とを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第３図において破線５はマイクロ波を示す。
図に示すように、各はんだ突起３の会合部に比較
的多量のフラツクス４を存在せしめた状態で、マ
イクロ波５を照射することにより、被接合部材
１、薄膜２およびはんだ突起３のマイクロ波に対
する誘電損失がフラツクス４のそれに比べて低い
ためフラツクス４が優先的に発熱し、したがつて
接合したいはんだ突起３の各々の先端部近傍が基
部よりも優先的に加熱されるため局部溶融に至
る。この様に互いに突起部先端が融合して部材１
ａ，１ｂは接合されるがこの過程において薄膜２
およびはんだ突起３の境界においてははんだ突起
３が固相状態のままかあるいは融点近傍の低温溶
融状態にあるため、拡散または薄膜２の溶解がき
わめて微少であるため、従来のこの種はんだ付に
おいて発生した薄膜２の過剰溶解損失がきわめて
効果的に防止でき第４図に示すように良好な接合
結果が得られる。なお、この際用いる誘電加熱用
熱源としては一般にマイクロ波と呼ばれる1GHz
〜10GHzの周波数帯の誘導電流の他、1GHz末満
のいわゆるサブミリ波なども含まれる。
る。第３図において破線５はマイクロ波を示す。
図に示すように、各はんだ突起３の会合部に比較
的多量のフラツクス４を存在せしめた状態で、マ
イクロ波５を照射することにより、被接合部材
１、薄膜２およびはんだ突起３のマイクロ波に対
する誘電損失がフラツクス４のそれに比べて低い
ためフラツクス４が優先的に発熱し、したがつて
接合したいはんだ突起３の各々の先端部近傍が基
部よりも優先的に加熱されるため局部溶融に至
る。この様に互いに突起部先端が融合して部材１
ａ，１ｂは接合されるがこの過程において薄膜２
およびはんだ突起３の境界においてははんだ突起
３が固相状態のままかあるいは融点近傍の低温溶
融状態にあるため、拡散または薄膜２の溶解がき
わめて微少であるため、従来のこの種はんだ付に
おいて発生した薄膜２の過剰溶解損失がきわめて
効果的に防止でき第４図に示すように良好な接合
結果が得られる。なお、この際用いる誘電加熱用
熱源としては一般にマイクロ波と呼ばれる1GHz
〜10GHzの周波数帯の誘導電流の他、1GHz末満
のいわゆるサブミリ波なども含まれる。
なお、以上の説明においては、突起会合部に存
在せしめたフラツクス４を優先的に発熱せしめる
例を述べたが、この他の材料をフラツクス４中に
混入せしめ、同様にリフロ付けを行う方法も含ま
れる。
在せしめたフラツクス４を優先的に発熱せしめる
例を述べたが、この他の材料をフラツクス４中に
混入せしめ、同様にリフロ付けを行う方法も含ま
れる。
また接合したいはんだ部分を局部的に溶融にい
たらしめ、薄膜２とはんだの界面においては可能
な限り温度上昇およびそれにともなう拡散、溶解
の傾向を抑制する効果を損なわない範囲で炉など
の併用によつて例えば50℃以上に予熱を行うこと
も実用上有利である。
たらしめ、薄膜２とはんだの界面においては可能
な限り温度上昇およびそれにともなう拡散、溶解
の傾向を抑制する効果を損なわない範囲で炉など
の併用によつて例えば50℃以上に予熱を行うこと
も実用上有利である。
第５図に示す実施例ははんだ突起３ａ，３ｂを
柱状に形成し、このはんだ突起３ａ，３ｂの対向
対面間にフラツクス４を介在させたものであり、
この場合はんだ突起３ａ，３ｂはメツキにより薄
膜２ａ，２ｂ上に形成することができる。
柱状に形成し、このはんだ突起３ａ，３ｂの対向
対面間にフラツクス４を介在させたものであり、
この場合はんだ突起３ａ，３ｂはメツキにより薄
膜２ａ，２ｂ上に形成することができる。
第６図に示す実施例ははんだ突起３ａ，３ｂを
柱状に形成すると共に、はんだ突起３ａ，３ｂの
相対向する面を凹面３０ａ，３０ｂとし、この凹
面３０ａ，３０ｂ間にフラツクス４を介在させた
ものである。
柱状に形成すると共に、はんだ突起３ａ，３ｂの
相対向する面を凹面３０ａ，３０ｂとし、この凹
面３０ａ，３０ｂ間にフラツクス４を介在させた
ものである。
また、はんだ突起の数は１個に限らず、はんだ
突起数を数個〜数干個とし、半導体集積回路のチ
ツプと基板とをはんだ突起を介して接合するもの
にもこの発明は適用できる。
突起数を数個〜数干個とし、半導体集積回路のチ
ツプと基板とをはんだ突起を介して接合するもの
にもこの発明は適用できる。
以上のように、この発明によれば、各部材に形
成した各はんだ突起３を会合せしめた際、接合に
寄与すべき突起部の先端のみを優先的に加熱し、
突起基部側におけるはんだと薄膜２の界面近傍の
温度上昇を効果的に抑制することにより、薄膜２
の過剰溶解を安定に防止できる効果がある。
成した各はんだ突起３を会合せしめた際、接合に
寄与すべき突起部の先端のみを優先的に加熱し、
突起基部側におけるはんだと薄膜２の界面近傍の
温度上昇を効果的に抑制することにより、薄膜２
の過剰溶解を安定に防止できる効果がある。
第１図は従来のリフロ付けによるはんだ付にお
ける被接合部材のはんだ付部を示す断面図、第２
図は従来のはんだ付法によるリフロはんだ付結果
を示す断面図、第３図はこの発明のはんだ付方法
の一実施例を示す断面図、第４図はこの発明のは
んだ付方法によるリフロはんだ付結果を示す断面
図、第５図および第６図は、それぞれ、この発明
の別の実施例を示す断面図である。 １……被接合部材、２……薄膜、３……はんだ
突起、４……フラツクス、５……マイクロ波。
ける被接合部材のはんだ付部を示す断面図、第２
図は従来のはんだ付法によるリフロはんだ付結果
を示す断面図、第３図はこの発明のはんだ付方法
の一実施例を示す断面図、第４図はこの発明のは
んだ付方法によるリフロはんだ付結果を示す断面
図、第５図および第６図は、それぞれ、この発明
の別の実施例を示す断面図である。 １……被接合部材、２……薄膜、３……はんだ
突起、４……フラツクス、５……マイクロ波。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１、第２の被接合部材の各々に予め突起形
成用導電薄膜を介してはんだ突起を形成してか
ら、これらを会合させてリフロ付を行なうものに
於て、上記被接合部材、導電薄膜及びはんだ突起
よりも誘電損失が大きいフラツクスを各はんだ突
起間に介在させ、マイクロ波またはサブミリ波に
よる誘電加熱により各はんだ突起を加熱し、該は
んだ突起をその先端部が基部より高温度になるよ
うにして接合させることを特徴とするはんだ付方
法。 ２ 各はんだ突起を加熱するのに各はんだ突起を
その融点未満の温度に予熱することを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のはんだ付方法。 ３ 第１の被接合部材が半導体集積回路のチツプ
であり、第２の被接合部材が基板であり、各チツ
プ及び基板に各々複数のはんだ突起を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１〜２項の何れ
かに記載のはんだ付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017094A JPS57132334A (en) | 1981-02-06 | 1981-02-06 | Soldering method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017094A JPS57132334A (en) | 1981-02-06 | 1981-02-06 | Soldering method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132334A JPS57132334A (en) | 1982-08-16 |
| JPS6335099B2 true JPS6335099B2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11934401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56017094A Granted JPS57132334A (en) | 1981-02-06 | 1981-02-06 | Soldering method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57132334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0584935U (ja) * | 1991-05-13 | 1993-11-16 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示素子の駆動回路 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1181716A4 (en) * | 1999-04-22 | 2006-05-24 | California Inst Of Techn | HYPERFREQUENCY LINK OF COMPONENTS OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS |
| GB2376201A (en) * | 2001-09-26 | 2002-12-11 | Bookham Technology Plc | Joining method |
| US6644536B2 (en) * | 2001-12-28 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Solder reflow with microwave energy |
| KR100459546B1 (ko) * | 2002-01-16 | 2004-12-04 | 삼성전자주식회사 | 리플로 솔더링 방법 |
| JP2004152393A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | アームアッセンブリとこのアームアッセンブリを備える記憶装置及び記憶装置の製造方法 |
| CN114473115A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | 深圳市艾贝特电子科技有限公司 | 一种具有密集焊点器件焊接方法 |
| CN114473114A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | 深圳市艾贝特电子科技有限公司 | 一种利用微波焊接器件的焊接装置、系统及方法 |
| CN114473113A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | 深圳市艾贝特电子科技有限公司 | 多焊点同步焊接方法 |
| CN114473112A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | 深圳市艾贝特电子科技有限公司 | 一种拆焊装置、系统及方法 |
| CN114473116A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | 深圳市艾贝特电子科技有限公司 | 一种基于碟型或qfp封装器件的拆焊装置、系统及方法 |
-
1981
- 1981-02-06 JP JP56017094A patent/JPS57132334A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0584935U (ja) * | 1991-05-13 | 1993-11-16 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示素子の駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132334A (en) | 1982-08-16 |
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