JPH03241755A - 電子回路装置の製造方法 - Google Patents
電子回路装置の製造方法Info
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- JPH03241755A JPH03241755A JP2036033A JP3603390A JPH03241755A JP H03241755 A JPH03241755 A JP H03241755A JP 2036033 A JP2036033 A JP 2036033A JP 3603390 A JP3603390 A JP 3603390A JP H03241755 A JPH03241755 A JP H03241755A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、２つの異なる材料あるいは部材をろう付した
電子回路装置の製造方法において、ノンフラックスで接
合した電子回路装置の製造方法に関する。
電子回路装置の製造方法において、ノンフラックスで接
合した電子回路装置の製造方法に関する。
従来、イオンビームを用いたノンフラックス接合方法に
ついては、ジェイ・バキューム・サイエンス・テクノロ
ジー、 ２０（３）、 ３月号、 １９８２年、第３５
９頁から第３６３頁（Ｊ 、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ、。
ついては、ジェイ・バキューム・サイエンス・テクノロ
ジー、 ２０（３）、 ３月号、 １９８２年、第３５
９頁から第３６３頁（Ｊ 、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ、。
２０（３）、 Ｍａｒｃｈ、 １９８２． ｐｐ３５９
−３６３）において論じられている。
−３６３）において論じられている。
また、通常、ろう材を用いて２つの異なる材料あるいは
部材を接合する場合、フラックスが用いられている。フ
ラックスを用いることにより、材料あるいは部材および
ろう材の表面の酸化皮膜を除去し、再酸化を防止して表
面の清浄さを保ち、ろう材の材料あるいは部材へのぬれ
を促進させることができる。しかし、従来、フラックス
を用いて接合を行った場合、第１図に示すように、フラ
ックスの気化によるボイドが発生し接合強度が低下する
という問題があった。
部材を接合する場合、フラックスが用いられている。フ
ラックスを用いることにより、材料あるいは部材および
ろう材の表面の酸化皮膜を除去し、再酸化を防止して表
面の清浄さを保ち、ろう材の材料あるいは部材へのぬれ
を促進させることができる。しかし、従来、フラックス
を用いて接合を行った場合、第１図に示すように、フラ
ックスの気化によるボイドが発生し接合強度が低下する
という問題があった。
ノンフラックスを用いて部材を接合する場合、スパッタ
クリーニング後ろう材表面に酸化皮膜が成長するのを防
止するために、部材等の位置合わせを非酸化雰囲気中で
行っていた。
クリーニング後ろう材表面に酸化皮膜が成長するのを防
止するために、部材等の位置合わせを非酸化雰囲気中で
行っていた。
上記従来技術は、以下の点について配慮されておらず、
信頼性の高い接合部形成ができない事、およびフラック
スの洗浄作業による環境汚染（オゾン層の破壊）という
問題があった。
信頼性の高い接合部形成ができない事、およびフラック
スの洗浄作業による環境汚染（オゾン層の破壊）という
問題があった。
（１）接合中に、フラックスの気化によるボイドが発生
し、接合信頼性を低下させる。
し、接合信頼性を低下させる。
（２）フラックスを、フレオンおよび塩素系有機溶剤で
洗浄する工程が必要である。また、フラックス残渣を完
全に洗浄することが難しい。
洗浄する工程が必要である。また、フラックス残渣を完
全に洗浄することが難しい。
上記従来技術は、非酸化雰囲気中で位置合わせ及び加熱
を行っていたので、設備が複雑かつ大型になるという問
題があった。また、非酸化雰囲気中での位置合わせは非
常に困難であった。
を行っていたので、設備が複雑かつ大型になるという問
題があった。また、非酸化雰囲気中での位置合わせは非
常に困難であった。
本発明の目的は、ノンフラックスで接合を行うことにあ
る。
る。
本発明の他の目的は、作業性を良くするため、材料ある
いは部材およびろう材を大気中で位置合わせ等の作業を
行い、これをノンフラックス接合することにある。
いは部材およびろう材を大気中で位置合わせ等の作業を
行い、これをノンフラックス接合することにある。
上記目的を達成するために、被接合材およびろう材の表
面の汚染層、酸化層を原子あるいはイオンでスパッタク
リーニングで除去し、非酸化性雰囲気中で加熱溶融した
ものである。
面の汚染層、酸化層を原子あるいはイオンでスパッタク
リーニングで除去し、非酸化性雰囲気中で加熱溶融した
ものである。
上記他の目的を達成するために、大気中での保持時間と
ろう材の再酸化、再汚染との関係から、大気中で作業可
能な時間を求めたものである。
ろう材の再酸化、再汚染との関係から、大気中で作業可
能な時間を求めたものである。
第２図（ａ）に示すように、ろう材の表面には、厚い酸
化層および有機物汚染層が存在する。そのため、スパッ
タクリーニングしないで、Ｈ２／ Ｎ２゜Ｎ２等の非酸
化性雰囲気中で加熱溶融接合した場合、第２図（ｂ）、
（Ｃ）に示すように、ぬれ。
化層および有機物汚染層が存在する。そのため、スパッ
タクリーニングしないで、Ｈ２／ Ｎ２゜Ｎ２等の非酸
化性雰囲気中で加熱溶融接合した場合、第２図（ｂ）、
（Ｃ）に示すように、ぬれ。
溶融はんだの表面張力によるフィレット形成９球重化お
よびセルフアライメントが不十分である。
よびセルフアライメントが不十分である。
上記の問題点を解決するために、第３図に示すような手
段を採用した。第３図（、）は初期のろう材表面状態、
第３図（ｂ）はスパッタクリーニング後の表面状態、第
３図（ｃ）は大気中での再酸化状態、第３図（ｄ）は加
熱溶融した時の表面状態、第３図（ｅ）は溶融接合後の
表面状態を示している。第３図（ｂ）に示すように、ろ
う材表面の酸化層および有機物汚染層を除去する。その
後、大気中で作業をした後、非酸化性雰囲気中でノンフ
ラックス接合を行うものである。スパッタクリーニング
後、大気中を経過させても、ろう材表面に生成する再酸
化層、再汚染層は、第３図（ｃ）に示すように、クリー
ニング前の初期の状態と比較して非常に薄い。そこで、
第３図（ｄ）に示すように、非酸化性雰囲気中で加熱溶
融した際、ろう材が膨張して薄い酸化皮膜が破れ表面が
再酸化しないので、新生な露出面が現れる。この状態で
接合すると、メタライズ等の被接合材に新生面がぬれ初
め、全体にスムーズにぬれ拡がり、第３図（ｅ）に示す
ように、良好な接合が得られる。
段を採用した。第３図（、）は初期のろう材表面状態、
第３図（ｂ）はスパッタクリーニング後の表面状態、第
３図（ｃ）は大気中での再酸化状態、第３図（ｄ）は加
熱溶融した時の表面状態、第３図（ｅ）は溶融接合後の
表面状態を示している。第３図（ｂ）に示すように、ろ
う材表面の酸化層および有機物汚染層を除去する。その
後、大気中で作業をした後、非酸化性雰囲気中でノンフ
ラックス接合を行うものである。スパッタクリーニング
後、大気中を経過させても、ろう材表面に生成する再酸
化層、再汚染層は、第３図（ｃ）に示すように、クリー
ニング前の初期の状態と比較して非常に薄い。そこで、
第３図（ｄ）に示すように、非酸化性雰囲気中で加熱溶
融した際、ろう材が膨張して薄い酸化皮膜が破れ表面が
再酸化しないので、新生な露出面が現れる。この状態で
接合すると、メタライズ等の被接合材に新生面がぬれ初
め、全体にスムーズにぬれ拡がり、第３図（ｅ）に示す
ように、良好な接合が得られる。
原子あるいはイオンで、被接合材およびろう材をスパッ
タクリーニングすることにより、表面の酸化層および汚
染層を除去することができる。
タクリーニングすることにより、表面の酸化層および汚
染層を除去することができる。
また、非酸化性雰囲気中でろう材を加熱溶融させること
により、再酸化を防止して表面の清浄さを保ち、ろう材
のぬれ性を良好な状態に保つことができる。
により、再酸化を防止して表面の清浄さを保ち、ろう材
のぬれ性を良好な状態に保つことができる。
大気中で位置合わせ作業を行うことができるので、容易
は作業及び簡単な設備で位置合わせ作業を行うことがで
きる。
は作業及び簡単な設備で位置合わせ作業を行うことがで
きる。
大気中で、ろう材が再酸化、再汚染しても、ノンフラッ
クス接合可能な限界の経過時間を求めることにより、そ
の時間内で大気中作業後、非酸化性雰囲気炉中で接合を
行うことにより、ノンフラックス接合を可能にしている
。
クス接合可能な限界の経過時間を求めることにより、そ
の時間内で大気中作業後、非酸化性雰囲気炉中で接合を
行うことにより、ノンフラックス接合を可能にしている
。
以下、本発明の実施例を第４図、第５図により説明する
。
。
第４図は、本発明の第１の実施例を示したものである。
半導体集積回路１を、セラミック基板３の作成工程にお
いてタングステンやモリブデンを焼付けその上にＮｉ、
Ａｕを順次めっきを施して形成したメタライゼーション
パッド８に、Ｐｂ５Ｓｎはんだ９を用いて接合したもの
である。第４図（ａ）に示すように、Ｐｂ５Ｓｎはんだ
９．メタライゼーションパッド８ともに、Ａｒ原子７に
よりスパッタクリーニングし、酸化層および有機物汚染
層を除去する。次に、第４図（ｂ）に示すように、大気
中で３０分以内で位置合わせた後、Ｈ２／Ｎ２（Ｈ２：
Ｎ２＝１ ： ３）炉中で加熱溶融し。
いてタングステンやモリブデンを焼付けその上にＮｉ、
Ａｕを順次めっきを施して形成したメタライゼーション
パッド８に、Ｐｂ５Ｓｎはんだ９を用いて接合したもの
である。第４図（ａ）に示すように、Ｐｂ５Ｓｎはんだ
９．メタライゼーションパッド８ともに、Ａｒ原子７に
よりスパッタクリーニングし、酸化層および有機物汚染
層を除去する。次に、第４図（ｂ）に示すように、大気
中で３０分以内で位置合わせた後、Ｈ２／Ｎ２（Ｈ２：
Ｎ２＝１ ： ３）炉中で加熱溶融し。
接合を行い、ノンフラックスで第４図（ｃ）に示すよう
な良好な接合部を得ることができた。本実施例の全体像
を第４図（ｄ）に示している。同様に、大気中で１時間
、２時間、５時間、８時間暴露後、Ｈ２／ Ｎ Ｚ炉中
で加熱接合を行った結果、５時間までは良好な接続を示
したが、８時間では接合はするが、形状が球帯形状から
はずれることがわかった。この程度の時間が接合限界と
推定される。
な良好な接合部を得ることができた。本実施例の全体像
を第４図（ｄ）に示している。同様に、大気中で１時間
、２時間、５時間、８時間暴露後、Ｈ２／ Ｎ Ｚ炉中
で加熱接合を行った結果、５時間までは良好な接続を示
したが、８時間では接合はするが、形状が球帯形状から
はずれることがわかった。この程度の時間が接合限界と
推定される。
次に、本発明の第２の実施例を第５図に示す。
ＡＱＮキャップ７をセラミック基板３に、５ｎ３７Ｐｂ
ｌＯを用いて接合する封止構造体を示したものである。
ｌＯを用いて接合する封止構造体を示したものである。
第５図（ａ）に示すように、ＡＱＮキャップ１１．セラ
ミック基板３に供給されている５ｎ３７Ｐｂはんだ１０
の表面をスパッタクリーニングし、酸化層、汚染層を除
去する。次に、第５図（ｂ）に示すように、大気中で３
０分以内で位置合わせた後、Ｈ２／Ｎ２炉中で加熱溶融
し、ノンフラックス接合を行うことにより、第５図（、
）に示すような良好な接合部を得ることができる。同様
に、大気中暴露時間を変えて接合した結果、第４図の例
と同じ傾向を示した。被接合材へのろう材の供給も同様
にノンフラックスで行う。
ミック基板３に供給されている５ｎ３７Ｐｂはんだ１０
の表面をスパッタクリーニングし、酸化層、汚染層を除
去する。次に、第５図（ｂ）に示すように、大気中で３
０分以内で位置合わせた後、Ｈ２／Ｎ２炉中で加熱溶融
し、ノンフラックス接合を行うことにより、第５図（、
）に示すような良好な接合部を得ることができる。同様
に、大気中暴露時間を変えて接合した結果、第４図の例
と同じ傾向を示した。被接合材へのろう材の供給も同様
にノンフラックスで行う。
・ ７ ・
同様にして、ＰｂとＳｎとからなる他のろう材、Ｓｎと
Ａｇ、ＡｕとＳｎ、ＡｕとＧｅおよびＡｕとＳｉからな
る他のろう材についてもノンフラックスで接合できる。
Ａｇ、ＡｕとＳｎ、ＡｕとＧｅおよびＡｕとＳｉからな
る他のろう材についてもノンフラックスで接合できる。
上記の結果のように、大きな熱容量をもつ被接合材のノ
ンフラックス接合と接合時の位置合わせ作業を容易かつ
簡単な設備で行うためには、大気中での作業と従来から
使用されている非酸化性雰囲気炉とにより、加熱溶融で
きることが重要である。そこで、これを可能とするため
、ろう材の許容酸化皮膜の観点から酸化特性を調べたの
が、第６図である。その酸化に対する大気中暴露時間の
限界は、大気中暴露時間と酸化膜厚との関係から定量的
に求めることができ、第４，５図で示した結果とほぼ一
致する約６時間以上である。また、Ｐｂ５Ｓｎの１００
℃と１５０℃の結果より温度上昇に伴い酸化膜厚の成長
速度が大きくなるため、高温環境では大気中暴露時間を
短くする必要がある。
ンフラックス接合と接合時の位置合わせ作業を容易かつ
簡単な設備で行うためには、大気中での作業と従来から
使用されている非酸化性雰囲気炉とにより、加熱溶融で
きることが重要である。そこで、これを可能とするため
、ろう材の許容酸化皮膜の観点から酸化特性を調べたの
が、第６図である。その酸化に対する大気中暴露時間の
限界は、大気中暴露時間と酸化膜厚との関係から定量的
に求めることができ、第４，５図で示した結果とほぼ一
致する約６時間以上である。また、Ｐｂ５Ｓｎの１００
℃と１５０℃の結果より温度上昇に伴い酸化膜厚の成長
速度が大きくなるため、高温環境では大気中暴露時間を
短くする必要がある。
スパッタクリーニング後の、この酸化膜厚で接合するに
は、さらに以下の特性を満足しなければならなかった。
は、さらに以下の特性を満足しなければならなかった。
各種のろう材に対して、接合として必要な特性は、ぬれ
性が良好なこと、ボイドが少ないこと、接合形状が溶融
はんだの表面張力に従った形状になること、位置合わせ
ずれを溶融接合時に修正するセルフアライメントが起こ
ること、および信頼性（’ｌ’ ｏｏ 、高温放置強度
）が良好なことである。本発明を用いた接合（Ｈ２／Ｎ
２雰囲気）と従来法（スパッタクリーニング無、フラシ
クス有無）を用いた接合−について、これらの特性を比
較したのが第１表である。
性が良好なこと、ボイドが少ないこと、接合形状が溶融
はんだの表面張力に従った形状になること、位置合わせ
ずれを溶融接合時に修正するセルフアライメントが起こ
ること、および信頼性（’ｌ’ ｏｏ 、高温放置強度
）が良好なことである。本発明を用いた接合（Ｈ２／Ｎ
２雰囲気）と従来法（スパッタクリーニング無、フラシ
クス有無）を用いた接合−について、これらの特性を比
較したのが第１表である。
以下余白
−〜〉
第１表
本発明を用いた接合は、ぬれ性、接合形状およびセルフ
アライメント性において、従来法のフラックス有での接
合と同程度の優れた特性を示している。ボイドに関して
は、発生が少なくノンフラックスの効果が表われている
。また、温度サイクル寿命についても、従来法のフラッ
クス有の場合よりもさらに優れた特性をもっている。こ
れに対して、フラックスを用いない従来の方法では、い
ずれの特性も悪い。さらに、Ａ ｒ 、 Ｈｅ 、Ｎ２
雰囲気炉、フレオンペーパー炉でも同様な傾向を示す。
アライメント性において、従来法のフラックス有での接
合と同程度の優れた特性を示している。ボイドに関して
は、発生が少なくノンフラックスの効果が表われている
。また、温度サイクル寿命についても、従来法のフラッ
クス有の場合よりもさらに優れた特性をもっている。こ
れに対して、フラックスを用いない従来の方法では、い
ずれの特性も悪い。さらに、Ａ ｒ 、 Ｈｅ 、Ｎ２
雰囲気炉、フレオンペーパー炉でも同様な傾向を示す。
但し、この場合は、酸素濃度を約１０ｐｐｍ以下に押さ
える必要がある。
える必要がある。
以上の特性の比較より、本発明を用いた接合は、従来法
より優れており、すべての特性を満足する。
より優れており、すべての特性を満足する。
本発明は、他の電子回路２部品９例えば、ＬＳＩパッケ
ージ等のはんだ接続に適用し同様な結果が得られている
。
ージ等のはんだ接続に適用し同様な結果が得られている
。
本発明によれば、２つの異なる材料あるいは部材をろう
材で接合する場合に、接合に必要な特性をすべて満足で
きるので、ノンフラックス接合で大気中での位置合わせ
作業で、かつ熱容量の大きな被接合材も接合することが
できるという効果が・ １１・ ・ １２゜ ある。これにより、益々増加する電子回路装置を組立て
る際、容易な作業、簡単な設備により無公害で、信頼性
の向上が図れる。
材で接合する場合に、接合に必要な特性をすべて満足で
きるので、ノンフラックス接合で大気中での位置合わせ
作業で、かつ熱容量の大きな被接合材も接合することが
できるという効果が・ １１・ ・ １２゜ ある。これにより、益々増加する電子回路装置を組立て
る際、容易な作業、簡単な設備により無公害で、信頼性
の向上が図れる。
第１図は従来のフラックスを用いた接合の１例を示した
断面図、第２図はろう材表面をスパッタクリーニングし
ないでノンフラックス接合を行った１例を示した断面図
、第３図はろう材表面をスパッタクリーニング後、ノン
フラックス接合を行った１例を示した断面図、第４図は
本発明の第１の実施例の半導体集積回路とセラミック基
板との接合を示した断面図、第５図は本発明の第２の実
施例の封止構造体における接合を示した断面図、第６図
は各種ろう材のスパッタクリーニング後の大気中暴露時
間と酸化膜厚との関係を示した図である。 １・・・半導体集積回路、 ２・・・はんだ、３・・・
セラミック基板、 ４・・・フラックス、５・・・ボイ
ド、 ６・・・酸化層及び有機物汚染層。 ７・・・Ａｒ原子、 ８・・・メタライゼーションパッドＷ ／ Ｈｉ ／
Ａ ｕ、９− Ｐ ｂ ５ Ｓ ｎはんだ、 １０−
Ｓ ｎ ３７Ｐ ｂはんだ、１１・・・ＡＱＮキャップ
。 Ｎ 像 ロ 怖 殺 西 刈 峻 聰４ 鴨 噌
断面図、第２図はろう材表面をスパッタクリーニングし
ないでノンフラックス接合を行った１例を示した断面図
、第３図はろう材表面をスパッタクリーニング後、ノン
フラックス接合を行った１例を示した断面図、第４図は
本発明の第１の実施例の半導体集積回路とセラミック基
板との接合を示した断面図、第５図は本発明の第２の実
施例の封止構造体における接合を示した断面図、第６図
は各種ろう材のスパッタクリーニング後の大気中暴露時
間と酸化膜厚との関係を示した図である。 １・・・半導体集積回路、 ２・・・はんだ、３・・・
セラミック基板、 ４・・・フラックス、５・・・ボイ
ド、 ６・・・酸化層及び有機物汚染層。 ７・・・Ａｒ原子、 ８・・・メタライゼーションパッドＷ ／ Ｈｉ ／
Ａ ｕ、９− Ｐ ｂ ５ Ｓ ｎはんだ、 １０−
Ｓ ｎ ３７Ｐ ｂはんだ、１１・・・ＡＱＮキャップ
。 Ｎ 像 ロ 怖 殺 西 刈 峻 聰４ 鴨 噌
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの異なる材料あるいは部材をろう材で接合する
電子回路装置の製造方法において、被接合材およびろう
材の表面の汚染層、酸化層を、原子あるいはイオンでス
パッタクリーニング除去後、大気中で位置合わせ作業し
、非酸化性雰囲気中でろう材を加熱溶融することにより
、ノンフラックスで接合したことを特徴とする電子回路
装置の製造方法。 ２、ろう材がＰｂとＳｎ、ＳｎとＡｇ、ＡｕとＳｎ、Ａ
ｕとＧｅ、ＡｕとＳｉ、およびこれらの組合せからなり
、スパッタクリーニング後の大気中暴露時間が６時間以
内であることを特徴とする請求項１記載の製造方法。 ３、雰囲気が、フロリナート蒸気であることを特徴とす
る請求項１記載の製造方法。 ４、雰囲気が、Ｎ＿２、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性雰囲気で
あるとを特徴とする請求項１記載の製造方法。 ５、雰囲気が、Ｈ＿２／Ｎ＿２、Ｈ＿２等の活性雰囲気
であることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036033A JP2865770B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 電子回路装置の製造方法 |
| US07/890,255 US5341980A (en) | 1990-02-19 | 1992-05-29 | Method of fabricating electronic circuit device and apparatus for performing the same method |
| US08/578,054 US5816473A (en) | 1990-02-19 | 1995-12-22 | Method of fabricating electronic circuit device and apparatus for performing the same method |
| US08/753,018 US5878943A (en) | 1990-02-19 | 1996-11-19 | Method of fabricating an electronic circuit device and apparatus for performing the method |
| US09/160,288 US6227436B1 (en) | 1990-02-19 | 1998-09-25 | Method of fabricating an electronic circuit device and apparatus for performing the method |
| US09/585,391 US6471115B1 (en) | 1990-02-19 | 2000-06-02 | Process for manufacturing electronic circuit devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036033A JP2865770B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 電子回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241755A true JPH03241755A (ja) | 1991-10-28 |
| JP2865770B2 JP2865770B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=12458404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036033A Expired - Lifetime JP2865770B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 電子回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2865770B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06246478A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-06 | Techno Oote:Kk | イオン洗浄によるろう付け装置及びろう付け方法 |
| JPH0758149A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Nec Corp | チップ部品の実装方法 |
| EP0625796A3 (en) * | 1993-05-18 | 1995-03-22 | Hitachi Ltd | Welding method and apparatus for connecting electrical circuit devices. |
| JP2000049450A (ja) * | 1998-05-25 | 2000-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の半田付け方法 |
| US6471115B1 (en) * | 1990-02-19 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuit devices |
| US6996889B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part mounting apparatus and method |
| JP2007266054A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Shinko Seiki Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016201501A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 東レエンジニアリング株式会社 | 半導体チップの実装方法および半導体装置 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP2036033A patent/JP2865770B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6471115B1 (en) * | 1990-02-19 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuit devices |
| JPH06246478A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-06 | Techno Oote:Kk | イオン洗浄によるろう付け装置及びろう付け方法 |
| EP0625796A3 (en) * | 1993-05-18 | 1995-03-22 | Hitachi Ltd | Welding method and apparatus for connecting electrical circuit devices. |
| JPH0758149A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Nec Corp | チップ部品の実装方法 |
| JP2000049450A (ja) * | 1998-05-25 | 2000-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の半田付け方法 |
| US6996889B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part mounting apparatus and method |
| JP2007266054A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Shinko Seiki Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016201501A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 東レエンジニアリング株式会社 | 半導体チップの実装方法および半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2865770B2 (ja) | 1999-03-08 |
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