JPH06246478A

JPH06246478A - イオン洗浄によるろう付け装置及びろう付け方法

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Publication number: JPH06246478A
Application number: JP4152093A
Authority: JP
Inventors: Tsugio Watanabe; 二夫渡辺
Original assignee: TECHNO OOTE KK
Current assignee: TECHNO OOTE KK
Priority date: 1993-03-02
Filing date: 1993-03-02
Publication date: 1994-09-06

Abstract

(57)【要約】【目的】洗浄後の接合面に酸化膜や油脂が再生成しな
い。【構成】真空チャンバー２内にろう付け加熱用のヒータ
１３を固定する。ヒータ１３からずれた位置でワーク２
０，２５をイオン洗浄及びエッチングするための、イオ
ン銃８の銃口８ａを装着する。ワーク２０，２５を移動
させる上部及び下部マニュピレーター６，７のロッド１
９，２４とワークベース２１，２６をチャンバー２内に
位置させ、接合面２０ｂ，２５ａをチャンバー２内のイ
オン照射位置と加熱位置とに、選択的に保持する。【効果】フラックスを使用しなくても母材へのなじみが
良く、ボイド、ろうの回り不良をなくす。比較的低温で
ろう付けできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数の接合部材を互い
にろう付けして接合するためのろう付け装置及びろう付
け方法に関するものであって、特に硬ろう付けのろう付
け装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ろう付けの種類として、ろう材の
溶融点により、溶融温度が４５０℃以下のろう材による
軟ろう付け（ハンダ付け：ソルダー）と、溶融温度が４
５０℃を越えるろう材による硬ろう付け（ブレージン
グ）とがある。本発明は硬ろう付けに関するものである
が、一般に、超硬合金、セラミック、金属複合材料等の
高機能材料はろう付けが比較的難しかった。硬ろう付け
を行なう場合、各接合部材の接合面には空気中で酸化膜
や汚れが付着しており、そのままの状態でろう付けを行
なうと、ろう材（溶融金属）が接合面になじまず、良好
なろう付けができない。これを取り除くための手段とし
て、研磨布、グラインダー、ワイヤーブラシ等の機械的
な表面除去手段、酸洗い等の化学的手段、更には超音波
洗浄等の物理的手段等があり、これらの手段を組み合わ
せて酸化膜や汚れ等を除去するようにしている。しかし
ながら、除去後に再び生成される酸化膜及び他の気体分
子による汚れを、ろう付け時まで完全に防ぐことは不可
能であった。そのために、通常はフラックスを使用して
接合面を活性化するようにしている。硬ろう付けのフラ
ックスとして代表的なものに、ほう砂、ほう酸がある。
しかし、フラックスの使用により、スラグ（溶滓）が接
合面周囲に発生することになる。

【０００３】又、フラックスを使用しないで済むろう付
け方法として、水素ガス、不活性ガス等の雰囲気でのろ
う付けや真空中でのろう付け等がある。従来における真
空ろう付けは、まず空気中で接合部材の接合面上の酸化
膜等を上述のやすり等で除去し、次いでアセトン等のフ
ラックスで脱脂作業を行なうなどして洗浄し、その後に
これらを真空中に導入して、ろう付けを行なうようにし
ていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そのため、空気中で酸
化膜の除去や脱脂作業等の洗浄を行なった後、真空中に
接合部材を導入する前の段階で、酸化膜が再生成するこ
とを避けられず、更に油脂による再汚染の問題を解決で
きなかった。この場合、接合面を活性化させるためにフ
ラックスを用いることもあるが、上述のようにフラック
スの使用によってスラグ（溶滓）が発生するという問題
があり、その上、酸化膜や油脂による接合欠陥は依然と
して十分には解決できなかった。

【０００５】本発明は、このような課題に鑑みて、フラ
ックスを用いることなく、真空中で接合面の洗浄とろう
付けを良好に行えるようにした、イオン洗浄によるろう
付け装置及びろう付け方法を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によるイオン洗浄
によるろう付け装置は、複数の接合部材の接合面を洗浄
し、加熱手段で加熱してろう付けするろう付け装置にお
いて、接合部材の接合面をろう付けするろう付け手段が
内部に収納された真空チャンバーと、この真空チャンバ
ー内に位置する把持部によって複数の接合部材をそれぞ
れ把持して外部から移動操作する操作手段と、銃口が真
空チャンバー内に開口していて各接合部材の接合面にイ
オン流を照射して洗浄するイオン銃と、が備えられたこ
とを特徴とするものである。

【０００７】又、本発明によるイオン洗浄によるろう付
け方法は、複数の接合部材の接合面を洗浄し、加熱手段
により加熱してろう付けするろう付け方法において、複
数の接合部材を操作手段の真空チャンバー内に位置する
把持部でそれぞれ把持させ、真空チャンバーの外部から
操作手段を移動操作して接合部材を真空チャンバー内の
イオン照射位置に移動し、真空状態でイオン銃によって
イオン流を接合部材の接合面に照射してこの接合面を洗
浄し、次いで、各接合部材の接合面を対面させた状態に
して、加熱手段によって接合部材の接合面をろう材の溶
融温度まで加熱してろう付けを行なうようにしたことを
特徴とするものである。

【０００８】又、加熱手段は、真空チャンバー内に配置
された抵抗加熱炉又は誘導加熱炉であることを特徴とす
る。

【０００９】又、加熱手段は、真空チャンバー外に位置
するハロゲンランプ又はレーザーであって、覗き窓を介
して真空チャンバー内の各接合面をスポット加熱するよ
うにしたことを特徴とする。

【００１０】又、本発明によるろう付け方法は、接合部
材の接合面に対するイオン流の照射時に、イオン流に対
して各接合面が傾斜する位置に保持されるようにしたこ
とを特徴とする。

【００１１】

【作用】複数の接合部材を操作手段の真空チャンバー内
に位置する把持部でそれぞれ把持させ、真空チャンバー
を真空状態にして、真空チャンバーの外部から操作手段
を移動操作して、接合部材の接合面をイオン銃によるイ
オン流の照射位置に移動し、イオン流を接合面に照射し
て各接合面を洗浄してエッチングし、次いで、各接合部
材を加熱手段による加熱位置まで移動させて、各接合面
を対面する位置に移動し、加熱手段によって接合面をろ
う材の溶融温度まで加熱して、ろう付け手段によってろ
う付けを行なう。

【００１２】イオン流による接合部材の接合面を洗浄し
てエッチングする工程と、加熱してろう付けする工程と
が、真空チャンバー内で連続して行なわれる。

【００１３】抵抗加熱炉又は誘導加熱炉によって、接合
面とろう材をろう材の溶融温度に加熱して、ろう付けす
る。

【００１４】ハロゲンランプ又はレーザーによって、真
空チャンバーの覗き窓を通して接合面とろう材をスポッ
ト照射して、ろう材の溶融温度に加熱して、ろう付けす
る。

【００１５】イオン流に対して接合面を傾斜した状態で
イオン照射することで、エッチングの状態がより良くな
る。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の好適な一実施例を添付図面に
よって説明する。図１は本実施例によるろう付け装置の
概略を示す構成図、図２は図１の真空チャンバーの開閉
蓋を除いた状態の正面図、図３は図２のワーク把持部分
の拡大図、図４はイオン照射位置のワークを示す部分拡
大図、図５は真空チャンバーの略縦断面図である。

【００１７】図１に示すろう付け装置１において、内部
で接合部材の洗浄とろう付けが行なわれる略円筒型の真
空チャンバー２は、チャンバー２内の高真空排気制御を
行なうメインポンプとしてのターボ分子ポンプを内蔵す
る基体３に支持されている。又、真空チャンバー２の高
真空排気システムの補助ポンプとして、図示しない油回
転ポンプが用いられる。又、基体３に隣接して、後述す
るイオン銃の駆動を制御するイオン銃制御盤４、そし
て、真空チャンバー２内の真空圧や後述するヒータの温
度制御等を行なう総合制御盤５が順次接続配置されてい
る。更に図上、真空チャンバー２の垂直方向に対して所
定角度（例えば、略４５゜）傾斜した位置の周側面両側
に、上部マニュピレーター６及び下部マニュピレーター
７が略対向して装着されている。両マニュピレーター
６，７間の周面上には、垂直方向に対して傾斜してイオ
ン銃８がチャンバー２に装着されている。又、円筒型の
真空チャンバー２の円形面はこのチャンバー２の開閉蓋
１０を構成するものであり、この蓋１０上には、外部か
ら真空チャンバー２内に位置する接合部材の接合面への
イオン照射位置を観察するための第一覗き窓１１と、ヒ
ータ加熱部を観察するための第二覗き窓１２とが設置さ
れている。

【００１８】図２は、蓋１０を除いた状態における真空
チャンバー２の内部構造及びその周辺構成を示すもので
ある。図において、真空チャンバー２内の円筒軸線から
下部マニュピレーター７方向寄りにずれた位置に、ろう
材加熱用の、例えば抵抗加熱炉からなるヒータ１３が固
定配置されており、ヒータ１３は、正面視矩形枠状の二
重のモリブデン板とその外側の四重のステンレス板から
なる反射板１３ａ内の中央に、発熱体１３ｂとして高真
空中での１３００℃加熱に耐え得るタンタル線を、両マ
ニュピレーター６，７方向に延びるよう一対平行に架設
して構成されている。尚、この発熱体１３ｂはセラミッ
クで絶縁配置されている。又、反射板１３ａによって、
発熱体１３ｂの輻射熱による放熱が抑制されることにな
る。ヒータ１３は、接続線１４を介してチャンバー２内
外に配設された電流端子１５に接続されることで、外部
の総合制御盤５で作動制御される。

【００１９】又、電流端子１５と上部マニュピレーター
６との間の真空チャンバー２周面には、高真空制御用の
排気口１６が接続されており、上述したターボ分子ポン
プ及び油回転ポンプによって排気口１６から空気が排気
されて高真空（例えば１０^-4Ｐａ、好ましくは１０^-8Ｐ
ａ以下の超高真空）に制御されることになる。又、真空
チャンバー２の排気口１６と略対向するチャンバー周面
領域には、ヒータ１３の温度制御のための電流端子１７
が装着されている。そして、ヒータ１３内部に設置され
た図示しないＲ熱電対温度計によって、ヒータ１３内に
発生する熱起電力を電流端子１７を介して、例えば総合
制御盤５内等の温度調節器に取り込み、ヒータ１３の入
熱コントロールが行なわれるようになっている。そのた
め、正確なろう付け温度制御が可能になる。

【００２０】次に、上部マニュピレーター６は、真空チ
ャンバー２内に延びるロッド１９を有しており、図３に
示すように、その先端面には凹部１９ａが形成されてい
る。接合すべき一方のワーク（ここでは台金）２０を固
定保持するワークベース２１は、その一端面から延びる
嵌合突起２１ａが凹部１９ａに嵌合した状態でセットス
クリュー２２で固定されるようになっていると共に、嵌
合突起２１ａと略対向し且つロッド１９の長手方向に対
して或る角度（例えば、４５゜）に傾斜された端面上
に、ワーク２０のネジ部２０ａが螺合するネジ穴２１ｂ
が形成されている。又、ワーク２０の他端面は接合面２
０ｂを構成する。しかも、このロッド１９を保持する上
部マニュピレーター６は、真空チャンバー２の外部に位
置する回転導入端子２３（図１参照）によってロッド１
９を回転可能であると同時に、ロッド１９を図示しない
操作部によってＸ軸（前後動）、Ｙ軸（左右動）及びＺ
軸（上下動）方向に移動制御可能になっている。又、下
部マニュピレーター７も同様に、ロッド２４、接合面２
５ａを有する他方のワーク２５を螺合保持するワークベ
ース２６、回転導入端子及び操作部をそれぞれ有してい
る。

【００２１】従って、上部マニュピレーター６及び下部
マニュピレーター７は、それぞれ独自にワーク２０，２
５を保持して適宜位置に移動及び回転可能になってい
る。又、本実施例では、図３に示すように、接合すべき
ワークは三個（勿論、二個又は四個以上でもよい）ある
ため、接合面は二つある。しかも、図３では他方のワー
ク２５は、既にワークベース２６に螺合保持された台金
２５ｂとワーク２５ｃとはろう付け接合処理されている
ものとする。又、各ワークベース２１，２６のワーク取
付部の材質は、高温（例えば、最大１３００℃）に耐え
得る材質であることを要し、しかも接合ワークとの関係
から、高純度カーボンを使用し、ロッド１９，２４のヒ
ータ１３の炉内に位置する部分は高温での特性の安定性
を考慮して純モリブデンを使用するものとし、更に各マ
ニュピレーター６，７の移動部とその接続部とには、ス
テンレス棒に二硫化モリブデン皮膜を設けた材質を用い
るものとする。

【００２２】次に、イオン銃８は、その銃口８ａが円筒
真空チャンバー２の円筒中心軸線に対しヒータ１３と反
対側領域にずれた位置に取り付けられており、イオン照
射位置にあるワーク２０，２５の接合面２０ｂ，２５ａ
にイオン流を照射することで、接合面２０ｂ，２５ａの
洗浄及びエッチングに用いられる。そのため、銃口８ａ
から真空チャンバー２内に直線的に照射されるイオン流
の軸線Ｏは、チャンバー２の円筒中心軸線に対しヒータ
１３と反対側に進むことになる。しかも、イオン流は例
えば下向きに或る角度（例えば４５゜）に放射されるよ
う、銃口８ａを設定する。ここで、イオン銃８は、電子
サイクロトロン共鳴を利用したＥＣＲイオン銃を使用す
るものとし、例えば１０^-2Ｐａより高真空な条件でＡｒ
ガスをイオン化して２ｋＶまで加速放出することで、
１．５ｍＡ／ｃｍ²のイオン流密度に設定した。しかし
ながら、接合面の洗浄及びエッチングの時間短縮と照射
面積の増大による処理の効率化を得るために、もっと大
型のものを用いるようにしてもよい。又、放射されるイ
オンビームはＡｒでなくてもよく、他の適宜の気体イオ
ンを用いてよい。

【００２３】又、イオン銃８の銃口８ａの前面近傍に
は、チャンバー２の周側面に沿ってスライドして銃口８
ａを開閉可能な弧状板のシャッター２８が装着されてお
り、このシャッター２８はチャンバー２の外部に取り付
けられた開閉操作部材２９を操作することで連動して、
銃口８ａに対してスライドして進退するようになってい
る。このシャッター２８は、誤動作によるイオン流の誤
射を防止することに役立つ。そして、上部及び下部マニ
ュピレーター６，７は、各ワーク２０，２５のそれぞれ
の接合面２０ｂ，２５ａを、図２及び図３に示すヒータ
１３の一対の発熱体１３ｂ，１３ｂ間中央の加熱位置
と、図４に示すイオン流の軸線Ｏを挟んで軸線Ｏに対し
て等距離にあるイオン流照射位置とに選択的に位置させ
るよう、操作されることになる。これに関連して、各停
止位置を各マニュピレーター６，７上の操作部に表示し
ておくと、位置決めに便利である。

【００２４】又、図５において、真空チャンバー２の蓋
１０とその対向する円形の底面３１には、それぞれイオ
ン照射位置観察用の第一覗き窓１１と第一覗き窓３２と
が対向配置されており、各覗き窓１１，３２の前面に
は、各窓を遮蔽及び開放するための平板状シャッター３
３、３４と、シャッターをスライド回転開閉させるため
の開閉操作部材３５，３６がそれぞれ設けられている。
このシャッター３３，３４はイオン照射時に接合面から
はじけ飛ぶ飛散物から第一覗き窓１１，３２を保護す
る。同様なシャッター３７及び開閉操作部材３８が、ヒ
ータ加熱位置を観察するための第二覗き窓１２に設けら
れている。更に、真空チャンバー２の底面３１には、ろ
う付け後のワーク２０，２５の冷却速度を制御するため
の不活性ガス例えば高純度Ａｒガスをチャンバー２内に
放出するためのバルブ４０が設けられている。又、底面
３１上のバルブ４０に隣接する位置には、真空チャンバ
ー２内の真空圧力を測定するための電離真空計４１が取
り付けられている。この電離真空計４１による測定値は
総合制御盤５に出力されて、各ポンプ駆動による真空チ
ャンバー２内の真空度が制御される。尚、真空チャンバ
ー２内にヒータ１３を収納してあることで、その輻射熱
で真空チャンバー２が過熱することを防止する等のため
に、チャンバー２の外壁には冷却水の管ｐがコイル状に
張りつけられている（図５参照）。そして、冷却水の通
水及びその停止は、ろう付けの段階に応じて総合制御盤
５で自動制御されるようになっている。

【００２５】本実施例は上述のように構成されており、
次にそのろう付け方法を説明する。まず、真空チャンバ
ー２の蓋１０を開けて、各ワーク２０，２５をそれぞれ
ワークベース２１，２６に螺合して固定する。そして、
蓋１０を閉じた後、ターボ分子ポンプ及び油回転ポンプ
によって、真空チャンバー２内の圧力が所定の高真空状
態になるよう、排気口１６からチャンバー２内の空気を
排気する。尚、真空チャンバー２内の真空圧力は電離真
空計４１によって測定できる。又、高真空到達のため
に、ヒータ１３によるチャンバー２の焼きだし（ベーキ
ング）を平行して行なってもよく、この場合には、チャ
ンバー外壁の冷却水の通水を自動的に停止させるものと
する。

【００２６】次に、上部及び下部マニュピレーター６，
７をそれぞれ操作して各ワーク２０，２５をイオン照射
位置に移動させると、図４に示すように、各ワーク２
０，２５の各接合面２０ｂ，２５ａはイオン銃８から照
射されるイオン流の中心軸線Ｏを挟んで軸線Ｏから互い
に等距離のイオン照射領域内にある。しかも、各ワーク
２０、２５の接合面２０ｂ，２５ａは、平行流として放
射されるイオン流に対して、両接合面２０ｂ，２５ａを
互いに内向きに対向させてそれぞれ或る角度（例えば４
５゜）に保持される。この状態で、シャッター２８を開
閉操作部材２９でスライドさせてイオン銃８の銃口８ａ
を開口させ、各接合面２０ｂ，２５ａにイオン流を放射
させる。加速放出されたイオンビームによって、各接合
面２０ｂ，２５ａにイオンが衝突し、各接合面２０ｂ，
２５ａに付着する酸化膜や油脂が除去され、洗浄され
る。更に、各接合面は接合に適した微細な凹凸状態にエ
ッチングされ、ろう付けに最適な活性化した表面状態に
なる。この場合、接合面２０ｂ，２５ａは、イオン流に
対して傾斜しているので、エッチングがより良好にな
る。尚、イオン照射状態は、第一覗き窓１１，３６を通
して観察できる。

【００２７】そして、その後、この真空チャンバー２内
で、上部及び下部マニュピレーター６，７を再び操作し
て、図３に示すように、両ワーク２０，２５をヒータ１
３の発熱体１３ｂ，１３ｂ間の加熱位置に持ち来し、そ
の位置で、いずれか一方又は両方のワークベース２１，
２６を所定角度回転させることで、両ワーク２０，２５
の接合面２０ｂ，２５ａを互いに対面させて加熱位置中
心に位置させ、所定間隔に保持する。この状態で、ヒー
タ１３を加熱し、ろう材の溶融温度までワーク２０，２
５及びろう材を昇温させ、ろう付けを行なう。ろう付け
の方法は一般的な適宜方法を用いるものとする。その一
例として、置きろうによる抵抗加熱方法を説明する。即
ち、各ワーク２０，２５の接合面２０ｂ，２５ａには、
接合面の間隔を一定に保つための高融点金属線（タング
ステン等）の細線によるスペーサを設けておき、その間
隙にろう材である溶融金属を毛細管現象で吸い込ませる
ように、ろう材をリング状線に配置した状態で、ろう付
けを行なう。尚、加熱状態は、第二覗き窓１２から観察
できる。

【００２８】そして、ろう付け後のワーク２０，２５を
冷却するものであるが、真空チャンバー２が真空である
ためにその冷却速度は遅い。そのため、バルブ４０から
高純度Ａｒガスをチャンバー２内に導入し、ワーク２
０，２５を空気に触れさせることなく冷却速度を加速で
きる。

【００２９】以上のように、本実施例によれば、真空チ
ャンバー２内で、空気に触れることなく、真空状態で接
合面２０ｂ，２５ａを洗浄して、そのままろう付け処理
できるため、接合面に酸化膜が再生成されることがな
く、フラックスを使用しなくても溶融ろう材の母材への
なじみが改善され、ろう付けの欠陥である、ボイドやろ
う回りの不良等をなくすことができる。そのため、従
来、ろう付けが比較的難しい超硬合金、セラミック、金
属複合材料等の高機能材料のろう付けを、フラックスな
しで行なうことができる。尚、従来、水素ガス等の還元
雰囲気での高温加熱による接合面酸化膜還元除去による
ろう付け方法では、特に異種金属の接合における各金属
間の熱膨張差によって、接合面に残る残留応力による常
温付近で発生する強度低下に問題があったが、本実施例
によれば、高真空中でのイオン流による酸化膜除去及び
表面のエッチングは、常温で行なわれるために、ろう付
けを比較的低温で行なうことが可能になり、接合面の残
留応力減少によるより高度な接合を可能にする効果が得
られることになる。

【００３０】尚、上述の実施例では、各ワーク２０，２
５を直接真空チャンバー２内に着脱するようにしたが、
このような構造であるとワークの挿脱の際に、チャンバ
ー内部を汚染する恐れがあり、又その都度真空状態でな
くなることになる。そのため、真空チャンバー２内の汚
染防止と真空チャンバー２内を真空状態に保持した状態
で、複数組のワークを順次挿脱とろう付けを行なうこと
が可能なように、真空チャンバー２への導入準備室を隣
接して設置することが好ましい。そして、この導入準備
室を真空状態にしてから真空チャンバー２内にワークを
導入するように構成すればよい。又、ヒータ１３に関
し、真空ろう付けの場合、発熱体１３ｂからのガス発生
及び反射板１３ａ等による基体分子脱離面積増加による
真空への影響を考慮して、誘導加熱を用いることが多
い。本発明においても、加熱部分を誘導加熱に置き換え
ることは可能である。即ち、抵抗加熱炉に代えて誘導加
熱炉を配置すれば、真空チャンバー２内の炉体表面積が
少なくてすみ、炉表面からの脱離分子が少ないために内
部を高真空に保持するのに有利である。或いは、加熱手
段として、ヒータ１３に代えて、真空チャンバー２の外
部にハロゲンランプ又はレーザ等を用い、これらの熱源
から第二覗き窓１２を通してワーク２０，２５の接合面
２０ｂ，２５ａをスポット加熱するようにしてもよい。

【００３１】

【発明の効果】上述のように、本発明によるイオン洗浄
によるろう付け装置及びろう付け方法では、真空チャン
バー内に、ろう付け手段と、接合部材を把持して移動す
る操作手段の把持部と、接合面をイオン洗浄するイオン
銃の銃口とが備えられているから、真空チャンバー内で
接合面を洗浄して、空気等に触れることなくそのままろ
う付け処理でき、接合面に酸化膜や油脂が再生成される
ことがない。そのため、フラックスを使用することなく
溶融ろう材の母材へのなじみが改善され、ろう付けの欠
陥である、ボイドやろう回りの不良等をなくすことがで
きて、良好なろう付けができる。よって、高機能材料の
ろう付けも可能になる。更に、高真空中でのイオン流に
よる酸化膜除去等の洗浄及び表面のエッチングは常温で
行なわれるために、ろう付けを比較的低温で行なうこと
が可能になり、接合面の残留応力減少によるより高度な
接合を可能にする効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるろう付け装置の概略を
示す構成図である。

【図２】図１の真空チャンバーの開閉蓋を取り外した状
態の正面図である。

【図３】図２に示す加熱位置にあるワークの部分拡大図
である。

【図４】イオン照射位置にあるワークを示す部分拡大図
である。

【図５】真空チャンバーの略縦断面図である。

【符号の説明】

２真空チャンバー６上部マニュピレーター７下部マニュピレーター８イオン銃８ａ銃口１３ヒータ２０，２５ワーク２０ｂ，２５ａ接合面

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｊ 61/52 Ｚ 7135−5Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の接合部材の接合面を洗浄し、加熱手
段で加熱してろう付けするろう付け装置において、前記
接合部材の接合面をろう付けするろう付け手段が内部に
収納された真空チャンバーと、該真空チャンバー内に位
置する把持部によって前記複数の接合部材をそれぞれ把
持して外部から移動操作する操作手段と、銃口が前記真
空チャンバー内に開口していて前記各接合部材の接合面
にイオン流を照射して洗浄するイオン銃と、が備えられ
たことを特徴とするイオン洗浄によるろう付け装置。
【請求項２】複数の接合部材の接合面を洗浄し、加熱手
段で加熱してろう付けするろう付け方法において、前記
複数の接合部材を操作手段の真空チャンバー内に位置す
る把持部でそれぞれ把持させ、真空チャンバーの外部か
ら前記操作手段を操作して接合部材を真空チャンバー内
のイオン照射位置に移動し、真空状態でイオン銃によっ
てイオン流を各接合部材の接合面に照射して該接合面を
洗浄し、次いで、前記各接合部材の接合面を対面させた
状態にして、加熱手段によって前記接合部材の接合面を
ろう材の溶融温度まで加熱してろう付けを行なうように
したことを特徴とするイオン洗浄によるろう付け方法。
【請求項３】前記加熱手段は、真空チャンバー内に配置
された抵抗加熱炉又は誘導加熱炉であることを特徴とす
る請求項１又は２に記載のろう付け装置又はろう付け方
法。
【請求項４】前記加熱手段は、真空チャンバー外に位置
するハロゲンランプ又はレーザーであって、覗き窓を介
して前記真空チャンバー内の各接合面をスポット加熱す
るようにしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の
ろう付け装置又はろう付け方法。
【請求項５】前記接合部材の接合面に対するイオン流の
照射時に、イオン流に対して各接合面が傾斜して保持さ
れるようにしたことを特徴とする請求項２乃至４のいず
れかに記載のろう付け方法。