JPH03177033A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH03177033A JPH03177033A JP31710389A JP31710389A JPH03177033A JP H03177033 A JPH03177033 A JP H03177033A JP 31710389 A JP31710389 A JP 31710389A JP 31710389 A JP31710389 A JP 31710389A JP H03177033 A JPH03177033 A JP H03177033A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ方式の
半導体装置及び半導体装置の製造方法の改良に関し、 高温に加熱することなく、インナーリードとバンプとを
速やかに且つ確実に接合することが可能となる半導体装
置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とし、 〔１〕中心部に孔を設けたテープの線孔の周囲に形成し
たインナーリードの先端部と、前記孔内に配設する半導
体チップの周縁部に形成されているバンプとを接合して
組み立てる半導体装置であって、前記半導体チップの前
記バンプと接合する前記インナーリードの先端部に孔を
有し、線孔に嵌合する接合用金属を具備するよう構威し
、〔２〕請求項１記載の半導体装置の製造方法であって
、前記インナーリードの先端部の孔内にレーザ光を照射
し、前記接合用金属と前記バンプとを溶融して合金とし
、前記インナーリードと前記バンプとを接合するよう構
成する。
半導体装置及び半導体装置の製造方法の改良に関し、 高温に加熱することなく、インナーリードとバンプとを
速やかに且つ確実に接合することが可能となる半導体装
置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とし、 〔１〕中心部に孔を設けたテープの線孔の周囲に形成し
たインナーリードの先端部と、前記孔内に配設する半導
体チップの周縁部に形成されているバンプとを接合して
組み立てる半導体装置であって、前記半導体チップの前
記バンプと接合する前記インナーリードの先端部に孔を
有し、線孔に嵌合する接合用金属を具備するよう構威し
、〔２〕請求項１記載の半導体装置の製造方法であって
、前記インナーリードの先端部の孔内にレーザ光を照射
し、前記接合用金属と前記バンプとを溶融して合金とし
、前記インナーリードと前記バンプとを接合するよう構
成する。
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に係り
、特にＴａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｐｎｄｉｎｇ
方式（以下、ＴＡＢ方式と呼称する）の半導体装置及び
半導体装置の製造方法の改良に関するものである。
、特にＴａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｐｎｄｉｎｇ
方式（以下、ＴＡＢ方式と呼称する）の半導体装置及び
半導体装置の製造方法の改良に関するものである。
近年、半導体装置の高集積化に伴う取り出し電極数の激
増のためにリード数が激増し、従来のワイヤボンディン
グ方式に替わるＴＡＢ方式の半導体装置の組立方法が広
く採用されるようになっている。
増のためにリード数が激増し、従来のワイヤボンディン
グ方式に替わるＴＡＢ方式の半導体装置の組立方法が広
く採用されるようになっている。
しかしながら、ＴＡＢ方式におけるインナーリードは幅
、厚さともに極めて微小なものとなり、組立工程におけ
る高温の加熱による変形障害が発生している。
、厚さともに極めて微小なものとなり、組立工程におけ
る高温の加熱による変形障害が発生している。
以上のような状況から、ＴＡＢ方式におけるインナーリ
ードの高温加熱による変形障害を防止することが可能な
半導体装置及び半導体装置の製造方法が要望されている
。
ードの高温加熱による変形障害を防止することが可能な
半導体装置及び半導体装置の製造方法が要望されている
。
従来の半導体装置及び半導体装置の製造方法を第３図〜
第４図により詳細に説明する。
第４図により詳細に説明する。
第３図は従来のＴＡＢ方式の半導体装置の平面図、第４
図は従来のＴＡＢ方式の半導体装置の製造方法における
インナーリードボンディング部の側面図である。
図は従来のＴＡＢ方式の半導体装置の製造方法における
インナーリードボンディング部の側面図である。
第３図に示すように従来のＴＡＢ方式の半導体装置は、
テープ１１の中央に孔１１ａを有し、この孔１１ａ内の
中央に半導体チップ１３を配設し、それを取り囲むテー
プ１１には、この孔１１ａの全周にインナーリード１２
が形成されており、このインナーリード１２の先端部と
半導体チ・ノブ１３の周縁に設けられているバンプ１３
ａとが第４図に示すように接合されている。
テープ１１の中央に孔１１ａを有し、この孔１１ａ内の
中央に半導体チップ１３を配設し、それを取り囲むテー
プ１１には、この孔１１ａの全周にインナーリード１２
が形成されており、このインナーリード１２の先端部と
半導体チ・ノブ１３の周縁に設けられているバンプ１３
ａとが第４図に示すように接合されている。
このインナーリード１２は０．２〜０ 、３ 璽ｘ厚の
銅板を０．１ｍ幅にエツチングにより形成した極めて微
小なインナーリードであり、その表面には膜厚５μｍの
錫（Ｓｎ）をめっきにより形成したものである。
銅板を０．１ｍ幅にエツチングにより形成した極めて微
小なインナーリードであり、その表面には膜厚５μｍの
錫（Ｓｎ）をめっきにより形成したものである。
このインナーリード１２とバンプ１３ａとを接合するに
は、第４図（ａｌに示すように４３０±３０℃に加熱し
たボンディングツール１４でインナーリード１２をバン
プ１３ａにｌＯＯμｍ平方当たり（６０±１０）ダラム
の圧力で押圧し、インナーリード１２の表面の錫とバン
プ１３ａの金との合金を形成して接合している。
は、第４図（ａｌに示すように４３０±３０℃に加熱し
たボンディングツール１４でインナーリード１２をバン
プ１３ａにｌＯＯμｍ平方当たり（６０±１０）ダラム
の圧力で押圧し、インナーリード１２の表面の錫とバン
プ１３ａの金との合金を形成して接合している。
しかしながら、この際に加えられる高熱のために第４図
（ｂｌに示すようにインナーリード１２が歪んで変形し
、バンプ１３ａ とインナーリード１２との間に間隙が
生じてリード浮き障害が発生し、接合不良の原因となっ
ている。
（ｂｌに示すようにインナーリード１２が歪んで変形し
、バンプ１３ａ とインナーリード１２との間に間隙が
生じてリード浮き障害が発生し、接合不良の原因となっ
ている。
以上説明した従来の半導体装置の製造方法においては、
半導体チップのバンプとインナーリードの先端部とを接
合するために、加熱したボンディングツールをインナー
リードに押圧してインナーリードの表面の錫とバンプの
金との合金を形成させてインナーリードとバンプを接合
しているので、加熱によりインナーリードが熱膨張して
歪が生して変形し、このためにバンプとインナーリード
との接合が不充分となるリード浮き障害が発生し易くな
るという問題点があった。
半導体チップのバンプとインナーリードの先端部とを接
合するために、加熱したボンディングツールをインナー
リードに押圧してインナーリードの表面の錫とバンプの
金との合金を形成させてインナーリードとバンプを接合
しているので、加熱によりインナーリードが熱膨張して
歪が生して変形し、このためにバンプとインナーリード
との接合が不充分となるリード浮き障害が発生し易くな
るという問題点があった。
本発明は以上のような状況から高温に加熱することなく
、インナーリードとバンプとを速やかに且つ確実に接合
することが可能となる半導体装置及び半導体装置の製造
方法の提供を目的としたものである。
、インナーリードとバンプとを速やかに且つ確実に接合
することが可能となる半導体装置及び半導体装置の製造
方法の提供を目的としたものである。
本発明の半導体装置は、
中心部に孔を設けたテープのこの孔の周囲に形成したイ
ンナーリードの先端部と、この孔内に配設する半導体チ
ップの周縁部に形成されているバンプとを接合して組み
立てる半導体装置であって、この半導体チップのバンプ
と接合するこのインナーリードの先端部に孔を有し、こ
の孔に嵌合する接合用金属を具備するよう構成し、 本発明の半導体装置の製造方法は、 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、このイ
ンナーリードの先端部の孔内にレーザ光を照射し、この
接合用金属とこのバンプとを溶融して合金とし、インナ
ーリードとバンプとを接合するよう構成する。
ンナーリードの先端部と、この孔内に配設する半導体チ
ップの周縁部に形成されているバンプとを接合して組み
立てる半導体装置であって、この半導体チップのバンプ
と接合するこのインナーリードの先端部に孔を有し、こ
の孔に嵌合する接合用金属を具備するよう構成し、 本発明の半導体装置の製造方法は、 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、このイ
ンナーリードの先端部の孔内にレーザ光を照射し、この
接合用金属とこのバンプとを溶融して合金とし、インナ
ーリードとバンプとを接合するよう構成する。
即ち本発明においては、半導体チップのバンプと接合す
るインナーリードの先端部に孔を形成し、インナーリー
ドの下面にバンプと略同−面積の接合用金属を形成して
この孔に嵌合させ、この接合用金属をバンプに接触させ
て、このインナーリードの孔の中に孔径よりも小さく焦
点を絞り込んだレーザ光を照射するので、このレーザ光
によりインナーリードの下面に形成されている接合用金
属とバンプの金とが溶融して合金が形成され、インナー
リードとバンプを確実に接合することが可能となる。
るインナーリードの先端部に孔を形成し、インナーリー
ドの下面にバンプと略同−面積の接合用金属を形成して
この孔に嵌合させ、この接合用金属をバンプに接触させ
て、このインナーリードの孔の中に孔径よりも小さく焦
点を絞り込んだレーザ光を照射するので、このレーザ光
によりインナーリードの下面に形成されている接合用金
属とバンプの金とが溶融して合金が形成され、インナー
リードとバンプを確実に接合することが可能となる。
以下第１図〜第２図により本発明の接合用金属として錫
を用いる一実施例について詳細に説明する。
を用いる一実施例について詳細に説明する。
第１図は本発明による一実施例のＴＡＢ方式の半導体装
置の平面図、第２図は本発明のＴＡＢ方式の半導体装置
の製造方法におけるインナーリードボンディング部の側
面図である。
置の平面図、第２図は本発明のＴＡＢ方式の半導体装置
の製造方法におけるインナーリードボンディング部の側
面図である。
第１図に示す平面図において、従来の半導体装置の平面
図と相違しているのはインナーリード２の先端部のバン
プ３ａと接合する位置に孔径が４０〜５０μｍの孔２ａ
が設けられていることである。
図と相違しているのはインナーリード２の先端部のバン
プ３ａと接合する位置に孔径が４０〜５０μｍの孔２ａ
が設けられていることである。
このインナーリード２の材料１寸法は従来のものと同一
であるが、本実施例においては第２図に示すように先端
部のバンプ３ａと接合する位置に孔２ａが設けられてお
り、インナーリード２の下面にはバンプ３ａと対向する
部分には厚さ５〜１０μｍの錫からなる接合用金属２ｂ
が形成され、この孔２ａ及び座ぐり部に嵌合されている
。
であるが、本実施例においては第２図に示すように先端
部のバンプ３ａと接合する位置に孔２ａが設けられてお
り、インナーリード２の下面にはバンプ３ａと対向する
部分には厚さ５〜１０μｍの錫からなる接合用金属２ｂ
が形成され、この孔２ａ及び座ぐり部に嵌合されている
。
このインナーリード２とバンプ３ａとを接合するには、
第２図に示すようにこの接合用金属２ｂとバンプ３ａと
を接触させ、この孔２ａの中に孔径よりも小さく焦点を
絞り込んだレーザ光４を照射すると、このレーザ光４に
よりインナーリード２の下面に形成されている接合用金
属２ｂの錫とバンプ３ａの金とが溶融して合金が形成さ
れ、インナーリード２とバンプ３ａとを接合することが
可能となる。
第２図に示すようにこの接合用金属２ｂとバンプ３ａと
を接触させ、この孔２ａの中に孔径よりも小さく焦点を
絞り込んだレーザ光４を照射すると、このレーザ光４に
よりインナーリード２の下面に形成されている接合用金
属２ｂの錫とバンプ３ａの金とが溶融して合金が形成さ
れ、インナーリード２とバンプ３ａとを接合することが
可能となる。
この際の加熱温度は最高で２００℃程度のためインナー
リード２には熱的な負荷が加わらないからインナーリー
ド２が変形せず、インナーリード２とバンプ３ａとを接
合するのに必要かつ充分な面積で接合することが可能と
なる。
リード２には熱的な負荷が加わらないからインナーリー
ド２が変形せず、インナーリード２とバンプ３ａとを接
合するのに必要かつ充分な面積で接合することが可能と
なる。
（発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単なインナーリードの構造の変更により、レーザ光に
よりインナーリードの接合用金属と半導体チップのバン
プとを低温で接合させることが可能となる利点があり、
著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導
体装置及び半導体装置の製造方法の提供が可能である。
簡単なインナーリードの構造の変更により、レーザ光に
よりインナーリードの接合用金属と半導体チップのバン
プとを低温で接合させることが可能となる利点があり、
著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導
体装置及び半導体装置の製造方法の提供が可能である。
第１図は本発明による一実施例のＴＡＢ方式の半導体装
置の平面図、 第２図は本発明のＴＡＢ方式の半導体装置の製造方法に
おけるインナーリードボンディング部の側面図、 第３図は従来のＴＡＢ方式の半導体装置の平面図、 第４図は従来のＴＡＢ方式の半導体装置の製造方法にお
けるインナーリードボンディング部の側面図である。 図において、 ｌはテープ、１ａは孔、２はインナーリード、２ａは孔
、 ２ｂは接合用金属、３は半導体チップ、
３ａはバンプ、４はレーザ光、を示す。 本発明による一実施例のＴＡＢ方式の半導体装置の平面
間第 図 従来のＴＡＢ方式の半導体装置の平面間第 図
置の平面図、 第２図は本発明のＴＡＢ方式の半導体装置の製造方法に
おけるインナーリードボンディング部の側面図、 第３図は従来のＴＡＢ方式の半導体装置の平面図、 第４図は従来のＴＡＢ方式の半導体装置の製造方法にお
けるインナーリードボンディング部の側面図である。 図において、 ｌはテープ、１ａは孔、２はインナーリード、２ａは孔
、 ２ｂは接合用金属、３は半導体チップ、
３ａはバンプ、４はレーザ光、を示す。 本発明による一実施例のＴＡＢ方式の半導体装置の平面
間第 図 従来のＴＡＢ方式の半導体装置の平面間第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕中心部に孔（１ａ）を設けたテープ（１）の該孔
（１ａ）の周囲に形成したインナーリード（２）の先端
部と、前記孔（１ａ）内に配設する半導体チップ（３）
の周縁部に形成されているバンプ（３ａ）とを接合して
組み立てる半導体装置であって、 前記半導体チップ（３）の前記バンプ（３ａ）と接合す
る前記インナーリード（２）の先端部に孔（２ａ）を有
し、該孔（２ａ）に嵌合する接合用金属（２ｂ）を具備
することを特徴とする半導体装置。 〔２〕請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、 前記インナーリード（２）の先端部の孔（２ａ）内にレ
ーザ光を照射し、前記接合用金属（２ｂ）と前記バンプ
（３ａ）とを溶融して合金とし、前記インナーリード（
２）と前記バンプ（３ａ）とを接合することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31710389A JPH03177033A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31710389A JPH03177033A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177033A true JPH03177033A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18084474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31710389A Pending JPH03177033A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177033A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582592A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Nec Corp | Ｔａｂテープ |
| JPH05315391A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃ部品のリード接合方法 |
| JP2006302945A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Canon Inc | 記録素子ユニット及びボンディング方法 |
| JP2009076522A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5599731A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Method of assembling electronic device and lead frame used for assembly |
| JPS6420633A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31710389A patent/JPH03177033A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5599731A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Method of assembling electronic device and lead frame used for assembly |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4632429B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-02-16 | キヤノン株式会社 | ボンディング方法 |
| JP2009076522A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4588060B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2010-11-24 | スパンション エルエルシー | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8269343B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-09-18 | Spansion Llc | Semiconductor device including a pressure-contact section |
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