JPH08236583A - フレキシブルフィルム及び半導体装置 - Google Patents
フレキシブルフィルム及び半導体装置Info
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- JPH08236583A JPH08236583A JP4066395A JP4066395A JPH08236583A JP H08236583 A JPH08236583 A JP H08236583A JP 4066395 A JP4066395 A JP 4066395A JP 4066395 A JP4066395 A JP 4066395A JP H08236583 A JPH08236583 A JP H08236583A
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- Japan
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- flexible film
- electrode pad
- wiring pattern
- insulating film
- solder
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
-
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- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フレキシブルフィルムに半田バンプを形成す
る過程で、フラックスから発生するガスにより半田バン
プが押し流されるのを防止する。 【構成】 フレキシブルフィルム４において、カバーポ
リイミド５に円形の開孔部を設けて電極パッド１に外方
に開口したスリット２を設ける。これにより、加熱した
際、フラックス８から発生するガス１０をスリット２を
通して抜き、半田バンプ９の不着不良を低減する。
る過程で、フラックスから発生するガスにより半田バン
プが押し流されるのを防止する。 【構成】 フレキシブルフィルム４において、カバーポ
リイミド５に円形の開孔部を設けて電極パッド１に外方
に開口したスリット２を設ける。これにより、加熱した
際、フラックス８から発生するガス１０をスリット２を
通して抜き、半田バンプ９の不着不良を低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にフレキシブルフィルム、及びフレキシブルフィルムを
用いた半導体装置に関する。
にフレキシブルフィルム、及びフレキシブルフィルムを
用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、共晶半田等の金属ロー材をバンプ
状にした外部端子（以下、半田バンプという）を有する
構造の半導体装置では、半導体装置基体であるフレキシ
ブルフィルムの電極パッドに金属ロー材を仮付けし、そ
の後金属ロー材の融点以上の温度にリフローし、接続し
ていた。
状にした外部端子（以下、半田バンプという）を有する
構造の半導体装置では、半導体装置基体であるフレキシ
ブルフィルムの電極パッドに金属ロー材を仮付けし、そ
の後金属ロー材の融点以上の温度にリフローし、接続し
ていた。
【０００３】従来のフレキシブルフィルムは、図４
（ａ），（ｂ）に示すように銅配線６の両面にポリイミ
ドフィルム７とカバーポリイミド５を被覆して電気的に
絶縁した構造のものであり、半導体素子と接続された銅
配線６に外部端子を形成するため、カバーポリイミド５
にエッチングにより銅配線に達する円形の開孔部を開
け、円形の開孔部内に臨む銅配線６の一部を利用して電
極パッド１を設ける。外部端子用の半田バンプ９を形成
するため、フレキシブルフィルム４の表面にロジン系フ
ラックス等の比較的粘着力の高いフラックス８をディス
ペンサ，スピンコートあるいは印刷等により塗布し、半
田を球状にした半田ボール１４を真空ピンセット１５を
用いて電極パッド１に搭載する。
（ａ），（ｂ）に示すように銅配線６の両面にポリイミ
ドフィルム７とカバーポリイミド５を被覆して電気的に
絶縁した構造のものであり、半導体素子と接続された銅
配線６に外部端子を形成するため、カバーポリイミド５
にエッチングにより銅配線に達する円形の開孔部を開
け、円形の開孔部内に臨む銅配線６の一部を利用して電
極パッド１を設ける。外部端子用の半田バンプ９を形成
するため、フレキシブルフィルム４の表面にロジン系フ
ラックス等の比較的粘着力の高いフラックス８をディス
ペンサ，スピンコートあるいは印刷等により塗布し、半
田を球状にした半田ボール１４を真空ピンセット１５を
用いて電極パッド１に搭載する。
【０００４】次に図５（ａ），（ｂ）に示すように、加
熱処理を行い、半田ボール１４を電極パッド１に接続
し、球状の半田バンプ９を形成する。
熱処理を行い、半田ボール１４を電極パッド１に接続
し、球状の半田バンプ９を形成する。
【０００５】しかし、電子部品の高密度実装化に伴い、
微細ピッチの電極に対応するため半田バンプ９の微細化
が要求されてきたが、半田ボール１４は小さい径になる
と、取扱いが難しく微細ピッチには向いていない。
微細ピッチの電極に対応するため半田バンプ９の微細化
が要求されてきたが、半田ボール１４は小さい径になる
と、取扱いが難しく微細ピッチには向いていない。
【０００６】そこで、微細な半田バンプを形成するた
め、図６（ａ），（ｂ）に示すようにリボン状の半田か
らポンチ，ダイスを用いて打ち抜いた円筒状の半田片３
をフラックス８の粘着力により電極パッド１に仮付け
し、図６（ｃ）に示すように加熱処理を行い半田片３を
電極パッド１に接続し、球状の半田バンプ９を形成して
いた。
め、図６（ａ），（ｂ）に示すようにリボン状の半田か
らポンチ，ダイスを用いて打ち抜いた円筒状の半田片３
をフラックス８の粘着力により電極パッド１に仮付け
し、図６（ｃ）に示すように加熱処理を行い半田片３を
電極パッド１に接続し、球状の半田バンプ９を形成して
いた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図６に示
すフレキシブルフィルムでは、打ち抜いた半田片３が外
部接続パッドより大きい場合、電極パッド１を完全に覆
ってしまうため、加熱処理し球状の半田バンプ９を形成
する過程において、フラックス等が気化して発生するガ
スにより半田バンプ９が電極パッド１に接続する前に押
し流され、電極パッド１から外れたり、浮いた状態にな
ったりして、半田バンプ９の不着不良が起きるという問
題があった。
すフレキシブルフィルムでは、打ち抜いた半田片３が外
部接続パッドより大きい場合、電極パッド１を完全に覆
ってしまうため、加熱処理し球状の半田バンプ９を形成
する過程において、フラックス等が気化して発生するガ
スにより半田バンプ９が電極パッド１に接続する前に押
し流され、電極パッド１から外れたり、浮いた状態にな
ったりして、半田バンプ９の不着不良が起きるという問
題があった。
【０００８】本発明の目的は、半田バンプの不着不良を
防止したフレキシブルフィルム及び半導体装置を提供す
ることにある。
防止したフレキシブルフィルム及び半導体装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るフレキシブルフィルムは、配線パター
ンとバンプとを有するフレキシブルフィルムであって、
配線パターンは、半導体素子と電気的に接続可能であっ
て、両面が絶縁膜により絶縁されたものであり、バンプ
は、前記絶縁膜の一部を切り欠いて前記配線パターンを
露出して形成された電極パッドに設けられたものであ
り、前記電極パッドは、前記絶縁膜の一部を切り欠いて
外方に開口したスリットを有するものである。
め、本発明に係るフレキシブルフィルムは、配線パター
ンとバンプとを有するフレキシブルフィルムであって、
配線パターンは、半導体素子と電気的に接続可能であっ
て、両面が絶縁膜により絶縁されたものであり、バンプ
は、前記絶縁膜の一部を切り欠いて前記配線パターンを
露出して形成された電極パッドに設けられたものであ
り、前記電極パッドは、前記絶縁膜の一部を切り欠いて
外方に開口したスリットを有するものである。
【００１０】また本発明に係る半導体装置は、半導体素
子とフレキシブルフィルムとを有する半導体装置であっ
て、半導体素子は、フレキシブルフィルムの配線パター
ンと電気的に接続されて該フレキシブルフィルムに搭載
されたものであり、フレキシブルフィルムは、前記配線
パターンの両面が絶縁膜により絶縁されたものであっ
て、バンプを有し、バンプは、前記絶縁膜の一部を切り
欠いて前記配線パターンを露出して形成された電極パッ
ドに設けられたものであり、前記電極パッドは、前記絶
縁膜の一部を切り欠いて外方に開口したスリットを有す
るものである。
子とフレキシブルフィルムとを有する半導体装置であっ
て、半導体素子は、フレキシブルフィルムの配線パター
ンと電気的に接続されて該フレキシブルフィルムに搭載
されたものであり、フレキシブルフィルムは、前記配線
パターンの両面が絶縁膜により絶縁されたものであっ
て、バンプを有し、バンプは、前記絶縁膜の一部を切り
欠いて前記配線パターンを露出して形成された電極パッ
ドに設けられたものであり、前記電極パッドは、前記絶
縁膜の一部を切り欠いて外方に開口したスリットを有す
るものである。
【００１１】また前記スリットは、前記電極パッドを中
心として放射状に設けられたものである。
心として放射状に設けられたものである。
【００１２】また前記バンプは、鉛と錫の合金である。
【００１３】
【作用】バンプは、フレキシブルフィルムの配線パター
ンを覆う絶縁膜の一部を切り欠いて形成された電極パッ
ドに設けられる。その電極パッドは、外方に開口するス
リットを有するものであるから、バンプの接合時に発生
するガスは、スリットを通して排気されることとなり、
前記ガスがバンプ不良不着の原因となることはない。
ンを覆う絶縁膜の一部を切り欠いて形成された電極パッ
ドに設けられる。その電極パッドは、外方に開口するス
リットを有するものであるから、バンプの接合時に発生
するガスは、スリットを通して排気されることとなり、
前記ガスがバンプ不良不着の原因となることはない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１５】（実施例１）図１は、本発明のフレキシブ
ルフィルムに係る実施例を示すものである。
ルフィルムに係る実施例を示すものである。
【００１６】図において、本発明のフレキシブルフィル
ムは基本的構成として、配線パターン６とバンプ３とを
有するものであり、配線パターン６は、半導体素子と電
気的に接続可能であって、両面が絶縁膜５，７により絶
縁されたものであり、バンプ３は、絶縁膜５又は７の一
部を切り欠いて配線パターン６を露出して形成された電
極パッド１に設けられたものであり、電極パッド１は、
絶縁膜５又は７の一部を切り欠いて外方に開口したスリ
ットを有したものである。
ムは基本的構成として、配線パターン６とバンプ３とを
有するものであり、配線パターン６は、半導体素子と電
気的に接続可能であって、両面が絶縁膜５，７により絶
縁されたものであり、バンプ３は、絶縁膜５又は７の一
部を切り欠いて配線パターン６を露出して形成された電
極パッド１に設けられたものであり、電極パッド１は、
絶縁膜５又は７の一部を切り欠いて外方に開口したスリ
ットを有したものである。
【００１７】次に図１に示した具体例を用いて本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１８】図１に示す本発明に係るフレキシブルフィ
ルム４は、図１（ｂ）に示すように配線パターン６とし
て銅配線を用い、銅配線６の両面を絶縁膜であるポリイ
ミドフィルム７とカバーポリイミド５で被覆し電気的に
絶縁した層状の構造のものである。半導体素子と接続さ
れる銅配線６に外部端子を形成する構造として、カバー
ポリイミド５の一部にエッチングにより円形の開孔部を
開けて銅配線６の一部を露出させ電極パッド１を設け、
さらに図１（ａ）に示すように露出パッド１に、カバー
ポリイミド５の一部を電極パッド１の外周部側に向けて
切欠き外方に開口した複数のスリット２を備えている。
実施例では、スリット２は放射状に設けられており、バ
ンプ９の外形より外側の位置まで延在し外方に開口して
いる。
ルム４は、図１（ｂ）に示すように配線パターン６とし
て銅配線を用い、銅配線６の両面を絶縁膜であるポリイ
ミドフィルム７とカバーポリイミド５で被覆し電気的に
絶縁した層状の構造のものである。半導体素子と接続さ
れる銅配線６に外部端子を形成する構造として、カバー
ポリイミド５の一部にエッチングにより円形の開孔部を
開けて銅配線６の一部を露出させ電極パッド１を設け、
さらに図１（ａ）に示すように露出パッド１に、カバー
ポリイミド５の一部を電極パッド１の外周部側に向けて
切欠き外方に開口した複数のスリット２を備えている。
実施例では、スリット２は放射状に設けられており、バ
ンプ９の外形より外側の位置まで延在し外方に開口して
いる。
【００１９】半田片３を用いて外部端子用のバンプ９を
形成するためには、図１（ａ），（ｂ）に示すようにフ
レキシブルフィルム４の表面にロジン系フラックス等の
比較的粘着力の高いフラックス８をスピンコートあるい
は印刷等により塗布し、リボン状の半田からポンチ，ダ
イスを用いて打ち抜いた半田片３をフラックス８の粘着
力により電極パッド１に仮付けする。その後、図１
（ｃ）に示すように加熱処理を行い、半田片３を溶融さ
せて電極パッド１に接合するとともに、フレキシブルフ
ィルム４から外方に突出する球状のバンプ９を形成す
る。その際、フラックス８から発生するガス１０は、電
極パッド１の周辺からスリット２を通して電極パッド１
の外方に抜け出ることとなり、そのガス１０により、バ
ンプ９の形成用半田片３が押し流されることがなく、バ
ンプ９が電極パッド１に確実に定着される。
形成するためには、図１（ａ），（ｂ）に示すようにフ
レキシブルフィルム４の表面にロジン系フラックス等の
比較的粘着力の高いフラックス８をスピンコートあるい
は印刷等により塗布し、リボン状の半田からポンチ，ダ
イスを用いて打ち抜いた半田片３をフラックス８の粘着
力により電極パッド１に仮付けする。その後、図１
（ｃ）に示すように加熱処理を行い、半田片３を溶融さ
せて電極パッド１に接合するとともに、フレキシブルフ
ィルム４から外方に突出する球状のバンプ９を形成す
る。その際、フラックス８から発生するガス１０は、電
極パッド１の周辺からスリット２を通して電極パッド１
の外方に抜け出ることとなり、そのガス１０により、バ
ンプ９の形成用半田片３が押し流されることがなく、バ
ンプ９が電極パッド１に確実に定着される。
【００２０】本実施例での半田片３の大きさは直径１２
０μｍ，厚さ７５μｍ，電極パッド１の大きさは直径８
０μｍとしてあり、バンプ９は鉛と錫との合金からなる
半田片３により製造している。
０μｍ，厚さ７５μｍ，電極パッド１の大きさは直径８
０μｍとしてあり、バンプ９は鉛と錫との合金からなる
半田片３により製造している。
【００２１】図１ではスリットを放射状に設けたが、図
２に示すように電極パッド１から外側に１本のスリット
２を備えるようにしてもよい。本実施例によれば、高密
度化により配線パターンが細くなりスリット２の入る方
向に制限がある場合に有利である。
２に示すように電極パッド１から外側に１本のスリット
２を備えるようにしてもよい。本実施例によれば、高密
度化により配線パターンが細くなりスリット２の入る方
向に制限がある場合に有利である。
【００２２】（実施例２）図２は、本発明の半導体装置
に係る実施例を示す図である。
に係る実施例を示す図である。
【００２３】図において、本発明の半導体装置は、基本
的構成として、半導体素子１１とフレキシブルフィルム
４とを有するものであり、半導体素子１１は、フレキシ
ブルフィルム４の配線パターン６と電気的に接続されて
フレキシブルフィルム４に搭載されたものであり、フレ
キシブルフィルム４は、配線パターン６の両面が絶縁膜
５又は７により絶縁されたものであって、バンプ９を有
し、バンプ９は、前記絶縁膜５又は７の一部を切り欠い
て前記配線パターン６を露出して形成された電極パッド
１に設けられたものであり、電極パッド１は、前記絶縁
膜５又は７の一部を切り欠いて外方に開口したスリット
２を有したものである。
的構成として、半導体素子１１とフレキシブルフィルム
４とを有するものであり、半導体素子１１は、フレキシ
ブルフィルム４の配線パターン６と電気的に接続されて
フレキシブルフィルム４に搭載されたものであり、フレ
キシブルフィルム４は、配線パターン６の両面が絶縁膜
５又は７により絶縁されたものであって、バンプ９を有
し、バンプ９は、前記絶縁膜５又は７の一部を切り欠い
て前記配線パターン６を露出して形成された電極パッド
１に設けられたものであり、電極パッド１は、前記絶縁
膜５又は７の一部を切り欠いて外方に開口したスリット
２を有したものである。
【００２４】本実施例のフレキシブルフィルム４は、ボ
ンディングパッド１３を備えている以外は実施例１の構
成と同じである。本発明に係るフレキシブルフィルム４
を有する半導体装置は、半導体素子１１の電極とフレキ
シブルフィルム４のボンディングパッド１３を接合し電
気的接続をとり、熱可塑性の接着フィルム１２によりフ
レキシブルフィルム４と半導体チップ１１を熱圧着す
る。その後、実施例１のフレキシブルフィルム４にバン
プ９を形成する方法と同じ工程を経て、フレキシブルフ
ィルム４の電極パッド１に半田片３を用いてバンプ９を
形成する。
ンディングパッド１３を備えている以外は実施例１の構
成と同じである。本発明に係るフレキシブルフィルム４
を有する半導体装置は、半導体素子１１の電極とフレキ
シブルフィルム４のボンディングパッド１３を接合し電
気的接続をとり、熱可塑性の接着フィルム１２によりフ
レキシブルフィルム４と半導体チップ１１を熱圧着す
る。その後、実施例１のフレキシブルフィルム４にバン
プ９を形成する方法と同じ工程を経て、フレキシブルフ
ィルム４の電極パッド１に半田片３を用いてバンプ９を
形成する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半田片を
加熱処理し球状の半田バンプを形成する過程において、
フラックスから発生するガスを電極パッド外周に設けた
スリットから抜くことができるため、半田バンプが電極
パッドに接続する前にフラックスから発生するガスによ
り押し流されるのを防止することができ、半田バンプの
不着不良を従来の１／２０〜１／１０に低減でき、バン
プを電極パッドに確実に定着することができる。
加熱処理し球状の半田バンプを形成する過程において、
フラックスから発生するガスを電極パッド外周に設けた
スリットから抜くことができるため、半田バンプが電極
パッドに接続する前にフラックスから発生するガスによ
り押し流されるのを防止することができ、半田バンプの
不着不良を従来の１／２０〜１／１０に低減でき、バン
プを電極パッドに確実に定着することができる。
【図１】（ａ）は本発明に係るフレキシブルフィルムの
具体例を示す部分拡大図、（ｂ），（ｃ）は同部分断面
図である。
具体例を示す部分拡大図、（ｂ），（ｃ）は同部分断面
図である。
【図２】本発明に係るフレキシブルフィルムにおけるス
リットの別の実施例を示す部分拡大図である。
リットの別の実施例を示す部分拡大図である。
【図３】（ａ）は本発明に係る半導体装置の具体例を示
す側面図、（ｂ）は同平面図である。
す側面図、（ｂ）は同平面図である。
【図４】（ａ）は従来の半田バンプを示す部分斜視図、
（ｂ）は同部分断面図である。
（ｂ）は同部分断面図である。
【図５】（ａ）は従来の半田バンプを示す部分斜視図、
（ｂ）は同部分断面図である。
（ｂ）は同部分断面図である。
【図６】（ａ）は従来のフレキシブルフィルムを示す部
分拡大図、（ｂ），（ｃ）は同部分断面図である。
分拡大図、（ｂ），（ｃ）は同部分断面図である。
【符号の説明】 １ 電極パッド ２ スリット ３ 半田片 ４ フレキシブルフィルム ５ カバーポリイミド ６ 銅配線 ７ ポリイミドフィルム ８ フラックス ９ バンプ １０ ガス １１ 半導体素子 １２ 接着フィルム １３ ボンディングパッド １４ 半田ボール １５ 真空ピンセット
Claims (4)
- 【請求項１】 配線パターンとバンプとを有するフレキ
シブルフィルムであって、 配線パターンは、半導体素子と電気的に接続可能であっ
て、両面が絶縁膜により絶縁されたものであり、 バンプは、前記絶縁膜の一部を切り欠いて前記配線パタ
ーンを露出して形成された電極パッドに設けられたもの
であり、 前記電極パッドは、前記絶縁膜の一部を切り欠いて外方
に開口したスリットを有するものであることを特徴とす
るフレキシブルフィルム。 - 【請求項２】 半導体素子とフレキシブルフィルムとを
有する半導体装置であって、 半導体素子は、フレキシブルフィルムの配線パターンと
電気的に接続されて該フレキシブルフィルムに搭載され
たものであり、 フレキシブルフィルムは、前記配線パターンの両面が絶
縁膜により絶縁されたものであって、バンプを有し、 バンプは、前記絶縁膜の一部を切り欠いて前記配線パタ
ーンを露出して形成された電極パッドに設けられたもの
であり、 前記電極パッドは、前記絶縁膜の一部を切り欠いて外方
に開口したスリットを有するものであることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 前記スリットは、前記電極パッドを中心
として放射状に設けられたものであることを特徴とする
請求項１に記載のフレキシブルフィルム又は半導体装
置。 - 【請求項４】 前記バンプは、鉛と錫の合金であること
を特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブルフィ
ルム又は半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7040663A JP2682496B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | フレキシブルフィルム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7040663A JP2682496B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | フレキシブルフィルム及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236583A true JPH08236583A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2682496B2 JP2682496B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=12586778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7040663A Expired - Fee Related JP2682496B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | フレキシブルフィルム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682496B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100357757B1 (ko) * | 1997-11-21 | 2003-01-24 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체장치및그제조방법 |
| JP2008277720A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Powertech Technology Inc | 半導体チップパッケージ基板とそのソルダーパッド |
| KR100973287B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2010-07-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 범프들이 형성되는 반도체 패키지용 기판, 이 반도체패키지용 기판에 의하여 형성된 반도체 패키지, 및 이반도체 패키지의 제조 방법 |
| JP2010225690A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Panasonic Corp | 半導体装置および半導体基板、並びに半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP7040663A patent/JP2682496B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2682496B2 (ja) | 1997-11-26 |
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