JPS6347142B2 - - Google Patents
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- JPS6347142B2 JPS6347142B2 JP56019108A JP1910881A JPS6347142B2 JP S6347142 B2 JPS6347142 B2 JP S6347142B2 JP 56019108 A JP56019108 A JP 56019108A JP 1910881 A JP1910881 A JP 1910881A JP S6347142 B2 JPS6347142 B2 JP S6347142B2
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- thermode
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- materials
- bonding
- solder
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はボンデイング方法の改良に関するもの
である。
である。
半導体を製造するボンデイング方法には、フイ
ルムキヤリアを用いて多数のリードを加熱された
電極チツプ（サーモード）でICチツプに押付け、
同時にボンデイングする熱圧着方法がある。この
熱圧着方法には、被接合材同志の材質がAu―
Sn、Au―Auというように450℃以上の高温で行
なうボンデイング方法と、はんだを介在させて
250℃以下の低温で行なうボンデイング方法とが
ある。しかるに、高温ボンデイング方法は、フイ
ルムとリードとを貼り合せた接着剤がボンデイン
グ時の高温によつて変質あるいはフイルムが熱変
形を生じ、電気的特性、寸法的特性にも悪影響を
及ぼすので、この点でははんだ方式によるボンデ
イング方法が好ましい。本発明もこのはんだ方式
を対象とする。しかしながら、このはんだ方式は
次のような欠点がある。
ルムキヤリアを用いて多数のリードを加熱された
電極チツプ（サーモード）でICチツプに押付け、
同時にボンデイングする熱圧着方法がある。この
熱圧着方法には、被接合材同志の材質がAu―
Sn、Au―Auというように450℃以上の高温で行
なうボンデイング方法と、はんだを介在させて
250℃以下の低温で行なうボンデイング方法とが
ある。しかるに、高温ボンデイング方法は、フイ
ルムとリードとを貼り合せた接着剤がボンデイン
グ時の高温によつて変質あるいはフイルムが熱変
形を生じ、電気的特性、寸法的特性にも悪影響を
及ぼすので、この点でははんだ方式によるボンデ
イング方法が好ましい。本発明もこのはんだ方式
を対象とする。しかしながら、このはんだ方式は
次のような欠点がある。
第１図はフイルムキヤリア方式のチツプとフイ
ルムキヤリアの例を示し、１はフイルムキヤリア
で、一般にポリイミドフイルムを使用している。
２は銅の上にSnあるいはAuめつきが施されたリ
ードで、接着剤でフイルムキヤリア１に貼り合わ
せてある。３はICチツプ、４はICチツプ３上に
設けられたバンプで、このバンプ４にははんだめ
つきが施されており、リード２とはんだ付けが行
なわれる。
ルムキヤリアの例を示し、１はフイルムキヤリア
で、一般にポリイミドフイルムを使用している。
２は銅の上にSnあるいはAuめつきが施されたリ
ードで、接着剤でフイルムキヤリア１に貼り合わ
せてある。３はICチツプ、４はICチツプ３上に
設けられたバンプで、このバンプ４にははんだめ
つきが施されており、リード２とはんだ付けが行
なわれる。
このはんだ付け方法は、第２図に示すように上
下動可能なシヤフト５に固定されたサーモード６
をリード２に押付けてリード２をはんだめつきし
たバンプ４に押し当て、サーモード６よりリード
２を通した熱ではんだを溶融させ、リード２とバ
ンプ４とをボンデイングする。しかしながら、こ
のようなはんだ付け方法は、サーモード６が上昇
する時にははんだが溶融状態にあり、凝固するま
で時間を要するので、この間はリード２とバンプ
４との間は固定状態になく、リード２のスプリン
グバツクなどによりリード２とバンプ４との間に
隙間が生じ、冷はんだができ、ボンデイング不良
が生じる欠点があつた。なお、サーモード６の加
熱方法としては、一般にサーモード６を通電加熱
するパルス加熱方法と、サーモード６にヒータを
内蔵した常時加熱方法とが用いられる。
下動可能なシヤフト５に固定されたサーモード６
をリード２に押付けてリード２をはんだめつきし
たバンプ４に押し当て、サーモード６よりリード
２を通した熱ではんだを溶融させ、リード２とバ
ンプ４とをボンデイングする。しかしながら、こ
のようなはんだ付け方法は、サーモード６が上昇
する時にははんだが溶融状態にあり、凝固するま
で時間を要するので、この間はリード２とバンプ
４との間は固定状態になく、リード２のスプリン
グバツクなどによりリード２とバンプ４との間に
隙間が生じ、冷はんだができ、ボンデイング不良
が生じる欠点があつた。なお、サーモード６の加
熱方法としては、一般にサーモード６を通電加熱
するパルス加熱方法と、サーモード６にヒータを
内蔵した常時加熱方法とが用いられる。
本発明は上記した従来技術の欠点を解消し、冷
はんだを防止することができるボンデイング方法
を提供することを目的とする。
はんだを防止することができるボンデイング方法
を提供することを目的とする。
以下、本発明を図示の好適な実施例により説明
する。第３図は本発明になるボンデイング方法の
一実施例を示す。なお、第２図と同じ部材には同
一符号を付しその説明を省略する。シヤフト５に
はスプリング取付板１０が固定され、このスプリ
ング取付板１０にスプリング１１の上端が固定さ
れている。そして、スプリング１１の自然長Ｌ
は、同図ｂに示すようにサーモード６の下面がリ
ード２よりΔL1だけ上方に位置した時にスプリン
グ１１の下端がフイルムキヤリア１に接するよう
に設定されている。
する。第３図は本発明になるボンデイング方法の
一実施例を示す。なお、第２図と同じ部材には同
一符号を付しその説明を省略する。シヤフト５に
はスプリング取付板１０が固定され、このスプリ
ング取付板１０にスプリング１１の上端が固定さ
れている。そして、スプリング１１の自然長Ｌ
は、同図ｂに示すようにサーモード６の下面がリ
ード２よりΔL1だけ上方に位置した時にスプリン
グ１１の下端がフイルムキヤリア１に接するよう
に設定されている。
次に作用について説明する。同図ａに示すよう
に、サーモード６はフイルムキヤリア１の上方に
位置しており、サーモード６の下方にICチツプ
３が供給位置決めされ、続いてICチツプ３の上
方にフイルムキヤリア１に固定されたリード２が
供給位置決めされると、サーモード６はエアシリ
ンダ、カム機構などの駆動部によつて下降させら
れる。これにより、同図ｂに示すようにスプリン
グ１１がフイルムキヤリア１に圧接し、続いて同
図ｃに示すようにサーモード６の下面がリード２
に圧接してリード２を通じた熱によりバンプ４の
はんだを一定時間溶融する。この状態において
は、スプリング１１はΔL1だけたわんだ状態にあ
る。次に同図ｄに示すようにサーモード６はΔL1
より小さいΔL2だけ上昇して一定時間その位置に
停止する。この状態においては、スプリング１１
はΔL1―ΔL2だけたわんだ状態にあり、このたわ
み量でフイルムキヤリア１を付勢している。この
ため、リード２はバンプ４に密着した固定状態に
あり、この間はんだが凝固し、はんだ付けが終了
して完全なボンデイングが得られる。このはんだ
凝固時間はエアシリンダのコントロール又はカム
の形状を変えることにより設定できる。その後、
サーモード６は上昇し、同図ａの状態となつて１
サイクルが終了する。
に、サーモード６はフイルムキヤリア１の上方に
位置しており、サーモード６の下方にICチツプ
３が供給位置決めされ、続いてICチツプ３の上
方にフイルムキヤリア１に固定されたリード２が
供給位置決めされると、サーモード６はエアシリ
ンダ、カム機構などの駆動部によつて下降させら
れる。これにより、同図ｂに示すようにスプリン
グ１１がフイルムキヤリア１に圧接し、続いて同
図ｃに示すようにサーモード６の下面がリード２
に圧接してリード２を通じた熱によりバンプ４の
はんだを一定時間溶融する。この状態において
は、スプリング１１はΔL1だけたわんだ状態にあ
る。次に同図ｄに示すようにサーモード６はΔL1
より小さいΔL2だけ上昇して一定時間その位置に
停止する。この状態においては、スプリング１１
はΔL1―ΔL2だけたわんだ状態にあり、このたわ
み量でフイルムキヤリア１を付勢している。この
ため、リード２はバンプ４に密着した固定状態に
あり、この間はんだが凝固し、はんだ付けが終了
して完全なボンデイングが得られる。このはんだ
凝固時間はエアシリンダのコントロール又はカム
の形状を変えることにより設定できる。その後、
サーモード６は上昇し、同図ａの状態となつて１
サイクルが終了する。
なお、上記実施例においてはスプリング１１の
端部を直接フイルムキヤリア１に当てたが、スプ
リング１１の端部に押圧板を固定し、この押圧板
をフイルムキヤリア１に当ててもよい。またサー
モード６は上下動しないで、ICチツプ３が上下
動するようにしても、またサーモード６とICチ
ツプ３が共に上下動するようにしてもよい。また
はんだめつきに限らず、置はんだ方式でもよい。
端部を直接フイルムキヤリア１に当てたが、スプ
リング１１の端部に押圧板を固定し、この押圧板
をフイルムキヤリア１に当ててもよい。またサー
モード６は上下動しないで、ICチツプ３が上下
動するようにしても、またサーモード６とICチ
ツプ３が共に上下動するようにしてもよい。また
はんだめつきに限らず、置はんだ方式でもよい。
以上述べたように、本発明ははんだが凝固する
まで被接合材同志を押圧してボンデイングするの
で、完全なボンデイングができる。
まで被接合材同志を押圧してボンデイングするの
で、完全なボンデイングができる。
第１図はフイルムキヤリア方法によるボンデイ
ング部の１例を示し、ａは平面図、ｂは断面図、
第２図は従来のボンデイング方法の説明図、第３
図ａ〜ｄは本発明になるボンデイング方法の一実
施例を示す作動説明図である。 １……フイルムキヤリア、２……リード、３…
…ICチツプ、４……バンプ、５……シヤフト、
６……サーモード、１０……スプリング取付板、
１１……スプリング。
ング部の１例を示し、ａは平面図、ｂは断面図、
第２図は従来のボンデイング方法の説明図、第３
図ａ〜ｄは本発明になるボンデイング方法の一実
施例を示す作動説明図である。 １……フイルムキヤリア、２……リード、３…
…ICチツプ、４……バンプ、５……シヤフト、
６……サーモード、１０……スプリング取付板、
１１……スプリング。
Claims (1)
- １ サーモードを被接合材に押付けて被接合材に
施されたはんだめつきあるいは被接合材間の置き
はんだを溶融して被接合材同志をボンデイングす
るボンデイング方法において、はんだが溶融中に
前記サーモードを被接合材より相対的にわずか上
昇させた状態で一定時間前記被接合材同志を押圧
し、その後被接合材の押圧を解除することを特徴
とするボンデイング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56019108A JPS57133643A (en) | 1981-02-13 | 1981-02-13 | Bonding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56019108A JPS57133643A (en) | 1981-02-13 | 1981-02-13 | Bonding method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57133643A JPS57133643A (en) | 1982-08-18 |
| JPS6347142B2 true JPS6347142B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=11990278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56019108A Granted JPS57133643A (en) | 1981-02-13 | 1981-02-13 | Bonding method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57133643A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970011649B1 (ko) * | 1988-03-10 | 1997-07-12 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 반도체 장치의 제조방법 |
| JPH0225057A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2010114482A1 (en) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | Trimech Technology Pte Ltd | Long thermode assembly |
-
1981
- 1981-02-13 JP JP56019108A patent/JPS57133643A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57133643A (en) | 1982-08-18 |
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