JP2004503939A - 赤外線加熱によるはんだバンプおよびワイヤボンディング - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の分野】
この発明はアセンブリ動作の間に半導体装置および回路基板を加熱するための方法および装置に関する。この発明は特に積層されたダイアセンブリのワイヤボンディングおよびフリップチップボンディングに適用され得る。
【0002】
【背景技術】
従来の積層されたダイパッケージング技術では、第1のダイが金属リードフレームまたは積層されたプラスチックまたはセラミック回路基板等の基板にエポキシまたはポリイミドペーストまたはフィルムテープ等により装着され、第2のダイがこれもまたエポキシまたはポリイミドペーストまたはフィルムテープによって第1のダイの上表面に装着される。その後ワイヤボンディング動作が行なわれるが、ここでは金または銅のワイヤが、典型的には超音波および熱を用いて、基板およびダイの上表面のボンディングパッドに溶融される。ワイヤボンディングのために適切な温度、典型的には摂氏約190度まで、基板とダイとを加熱するために、通常はヒータブロックを用いて基板を底から熱伝導により予熱する。言い換えれば、ワイヤボンディング(すなわちワイヤ端部のはんだ付け)が基板とダイとの上表面で生じるにもかかわらず、これらは底から加熱される。
【0003】
ヒータブロックを用いて底から基板を予熱することは、基板が銅のリードフレーム等の熱伝導性のよい薄い金属リードフレームである場合には満足な結果となるが、この従来の技術は他の種類の基板では問題がある。特に、暖まるのが遅い厚い積層されたプラスチックまたはセラミック基板は、予熱のために利用できる時間内(ワイヤボンダーの速さとダイアセンブリごとのワイヤの数に依存して、たとえば約4秒以下)に、ブロックヒータによってワイヤボンディングのための適切な温度まで上昇させることができないであろう。さらに、ダイは基板の底から離れているので、そのボンディング区域は基板よりさらに暖まるのが遅く、したがってブロックヒータによって好ましいワイヤボンディング温度にまで上昇させる可能性はより低いであろう。この結果、ワイヤボンドの品質と製造歩留りが悪影響を受ける。
【0004】
従来のフリップチップアセンブリ方法にも同様の問題が存在するが、ここでは半導体ダイが典型的にはプラスチックまたはセラミック回路基板である基板の上表面に直接はんだ付けされる。基板上のボンディングパッドははんだで覆われ、「はんだバンプ」と呼ばれるはんだの予成形品がアセンブリに先立ってダイに付着される。熱と圧力とを用いて基板上のはんだとダイ上のはんだとを溶かし、ダイを基板に接合する。典型的なフリップチップアセンブリ技術は、上述のとおり、ヒータブロックを用いて基板を予熱し、はんだバンプを部分的に溶かす。しかしながら、積層されたダイアセンブリの場合と同様に、ヒータブロックは基板の上表面およびはんだバンプの温度を、ダイと基板との高品質なはんだによる接続を確実にするほど迅速に上昇させることができないかもしれず、これによって歩留りと信頼性に悪影響を与える。
【0005】
ダイと基板とをフリップチップおよびワイヤボンディングする適切な加熱を確実にして、製造歩留りを改良するとともにコストを下げるための方法が必要である。
【0006】
【発明の概要】
この発明の利点は、基板および/またはダイのボンディング区域を信頼性を持って加熱して、基板とダイとの高品質なはんだまたはワイヤ接合を確実にする方法および装置である。
この発明のさらなる利点および他の特徴は一部は以下の説明で述べられ、一部は以下を検討することにより当業者には明らかになり、またはこの発明の実施から学ばれることであろう。発明の利点は添付の請求項に特に指摘したように実現され獲得される。
この発明によれば、上述の利点および他の利点は、一部には基板に装着された半導体ダイの上表面のボンディング区域を加熱する方法によって達成され、この方法はボンディング区域をダイの上表面に方向付けられた赤外線放射によって加熱するステップを含む。
この発明の別の局面は、上述の発明の方法を実施するための装置である。
この発明のさらなる利点は当業者には以下の詳細な説明から容易に明らかとなるであろう。この説明では単にこの発明を実施するのに考えられるベストモードを例として、この発明の好ましい実施例のみを示し説明している。認められるように、この発明は他の異なる実施例も可能であり、そのいくつかの詳細な点はこの発明から逸脱することなく、さまざまな自明な点において修正が可能である。したがって、図面と説明は例示のためのものであって、限定と見なすべきではない。
同じ参照番号が同様の要素を示す添付の図面を参照する。
【0007】
【発明の説明】
従来の、積層されたダイパッケージをワイヤボンディングするため方法、およびフリップチップパッケージの組立のための方法は、基板および/またはダイのボンディング区域を高品質のはんだ接合またはワイヤボンドを形成するための適切な温度まで信頼性を持って加熱せず、このため製造歩留りを減じさせている。この発明は従来の製造プロセスから由来するこれらの問題に対処しこれを解決する。
【0008】
この発明の一実施例の方法によれば、積層されたダイパッケージのダイのワイヤボンディング区域は、ワイヤボンディングプロセスの前とその間とに、ダイの上表面に方向付けられる従来の赤外ランプまたは赤外線銃等で、赤外線放射により加熱される。加えて、基板のワイヤボンディング区域もまた赤外線放射により上方から加熱することができる。さらに、基板の底は従来の熱伝導性ヒータブロックを用いて予熱され得る。この発明の、ダイおよび基板の上表面に方向付けた赤外線放射加熱の使用により、それぞれのワイヤボンディング区域が約4秒以下の必要な時間期間内に適切なワイヤボンディング温度(すなわち摂氏約190度)まで確実に加熱され、これによって高品質のワイヤボンディングとワイヤボンディング歩留りの増加が可能となる。
【0009】
この発明の別の実施例によれば、フリップチップが取付けられるべき基板の上表面のボンディングパッド区域が、ランプまたは銃からの赤外線放射により上方から、たとえば摂氏約200度の所望の温度まで加熱される。その後フリップチップは圧力と赤外線加熱を用いて接合される。加えて、基板の底を従来の熱伝導性ヒータブロックを用いて予熱することもできる。こうして、この発明により、基板上のはんだは確実に、ボンディング動作の前およびその間にフリップチップボンディングに適切な温度にある。この結果、フリップチップと基板とのはんだ接合の品質が改良される。
【0010】
この発明の実施例を図1に例示する。たとえばPA、ウィローグローブのクリックアンドソファーインダストリー社(Kulicke and Soffa Industries, Inc. Willow Grove)から入手可能なモデル8028ワイヤボンダー等の従来のワイヤボンダーに基づく、ワイヤボンディングのための発明の装置100は、従来の熱伝導性ブロックヒータ110、従来のワイヤボンディングヘッド120および赤外線ヒータ130を含む。発明の方法および装置を用いてワイヤ接合されるべき従来の積層されたダイパッケージ構造は、セラミックまたは積層されたプラスチック回路基板等の基板140と、下側半導体ダイ150と、上側半導体ダイ160とを含み、これらは典型的にはエポキシ接着剤(図示せず)により互いに組立てられている。
【0011】
赤外線ヒータ130はワイヤ接合されるべきパッケージ構造の上方に位置付けられて、各々がボンディングパッドBPを含む、ダイ150の上表面150a、ダイ160の上表面160a、および基板140の「ボンディング区域」、すなわち基板140の上表面140aのボンディングパッドBPを有する部分、を加熱する。ヒータ130は従来の赤外ランプまたは赤外線銃であり、またはワイヤボンダー100で利用可能な限られた空間内で動作するように最適化された特別に設計した赤外線ヒータであってもよい。たとえば、基板140およびダイ150、160に向けて赤外線放射を方向付けるために柔軟な光ファイバ管を用いることもできる。
【0012】
赤外線ヒータ130の強度および波長は用途ごとに特定される。強度は、好ましくは、所望の温度プロファイルが達成できるようなものである、すなわちダイの上表面150a、160aおよび基板140のボンディング区域の温度が、ワイヤボンダー100の速さと所望のスループットとに依存して、約4秒以内の必要なランプアップ時間内に摂氏約190度のワイヤボンディング温度に達するようなものである。赤外線放射の波長は加熱すべき材料によって決まる。なぜなら赤外線波長によってはある材料に吸収されないからである(すなわちそれらはその材料を加熱しない)。したがって、ダイ150、160(主にシリコンからなる)と基板140(プラスチックまたはセラミックからなる)とを加熱するために、異なる波長の赤外線放射を提供することが必要であるか、または望ましいであろう。
【0013】
積層されたダイパッケージに依存して、所望のワイヤボンディング温度および温度プロファイルを達成するのを容易にするために、赤外線ヒータ130と関連させて熱伝導性ヒータ110を用いることができる。たとえばもしワイヤ接合されるべき積層されたダイパッケージ100がセラミックまたはプラスチック基板140を含む場合、パッケージの予熱のために熱伝導性ヒータ110を用いるのが好ましく、赤外線ヒータ130は上述のとおり、基板140およびダイ150、160のボンディング区域を加熱するのに用いられる。しかしながら、もし積層されたダイパッケージ100が金属リードフレーム基板140を含む場合、赤外線ヒータ130をダイ表面150a、160aの加熱のために方向付けることができるが、基板表面140aを加熱することは必要でない、なぜなら、熱伝導性ヒータ110のみでも薄い金属基板を適切に加熱することができるからである。
【0014】
動作において、積層されたダイパッケージは、たとえば別のパッケージがワイヤボンドされている間に、熱伝導性ヒータ110で予熱され、その後ワイヤボンディングヘッド120下の位置まで移動される。その後赤外線ヒータ130が動作して、ボンディングパッドBPを含む基板140およびダイ150、160の区域を摂氏約190度まで加熱し、この間にボンディングヘッド120がワイヤ170をボンディングパッドBPに付着させる。ボンディングパッドBPは熱伝導性ヒータ110および/または赤外線ヒータ130によって適切に加熱されているので、ワイヤ170は信頼性を持ってボンディングパッドBPに接合される。
【0015】
この発明の別の実施例が図2Aおよび2Bに例示される。スイスのESECから入手可能なモデルミクロン2(Micron 2)等の従来のフリップチップダイボンダーに基づく、フリップチップボンディングのための発明の装置200は、従来の熱伝導性ヒータ210、従来のボンディングヘッド220および赤外線ヒータ230を含む。フリップチップダイ250に接合されるべき従来のフリップチップ基板240が、セラミックまたは積層されたプラスチック回路基板等のダイボンダー200で示される。
【0016】
赤外線ヒータ230は基板240の上方に位置付けられ、ダイ250を基板240に押圧するに先立って、はんだ240cで覆われたボンディングパッド240bを含む基板240の上表面240aを加熱する。上述の実施例と同様に、ヒータ230は従来の赤外ランプまたは赤外線銃であり、またはダイボンダー200で利用可能な限られた空間内で動作するように最適化された、特別に設計された赤外線ヒータであってもよい。上で議論したとおり、赤外線ヒータ230の強度と波長とは、所望の温度プロファイルが得られるように、すなわち基板の上表面240aの温度が、ダイボンダー200の速さと所望のスループットに依存して、たとえば約0.66秒の必要なランプアップ時間内に摂氏約200度のボンディング温度に達するように定められる。赤外線放射の波長は基板240の材料によって決定される。熱伝導性ヒータ210が赤外線ヒータ230と関連して用いられて、所望のダイボンディング温度および温度プロファイルを達成するのを容易にする。
【0017】
図2Aを参照して、動作において、基板240はたとえば別のアセンブリがダイボンドされている間に熱伝導性ヒータ210によって予熱され、ボンディングパッド240bに対応するはんだバンプ260を含むフリップチップ250を保持するボンディングヘッド220の下の位置まで移動される。その後赤外線ヒータ230が動作して、パッド240bを含む上表面240aを摂氏約200度まで加熱し、ボンディングパッド240b上のはんだ240cを少なくとも部分的に溶かす。その後ダイボンディングヘッド220が下降して(図2Bを参照)、ボンディングパッド240bをはんだバンプ260に押付ける。こうしてはんだバンプ260はボンディングパッド240bを覆うはんだ240cとともに溶けて、フリップチップ250を基板240に接合する。ボンディングパッド240bは熱伝導性ヒータ210と赤外線ヒータ130とによってダイボンディングに先立って適切に加熱されているので、フリップチップ250とボンディングパッド240bとの接続の品質は高く、この結果製造歩留りと信頼性が改善される。
【0018】
この発明は従来の材料、方法および設備を用いて実施することが可能である。したがってこのような材料、設備および方法の詳細はここでは詳細に述べない。上述の説明では、特定の材料、構成、化学薬品、処理等の特定の詳細が、この発明の十分な理解を提供するために述べられた。しかしながら、この発明は具体的に述べた詳細に頼ることなく実施できることを認識すべきである。別の部分では、この発明を不必要に曖昧にするのを避けるために、周知の処理構造は詳細に説明していない。
【0019】
この発明の好ましい実施例とその多様性のわずかな例のみをこの開示で示し説明した。この発明はさまざまな他の組合せおよび環境とともに用いることが可能であり、ここで示された発明の概念の範囲内で変更または修正が可能であることが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例に従った装置の側面図である。
【図2A】この発明の実施例に従った方法の連続した段階を概略的に示す図である。
【図2B】この発明の実施例に従った方法の連続した段階を概略的に示す図である。
Claims (10)
- 基板に装着される半導体ダイの上表面のボンディング区域を加熱する方法であって、ボンディング区域をダイの上表面に方向付けられた赤外線放射によって加熱するステップを含む、方法。
- 基板の上表面のボンディング区域に赤外線放射を方向付けるステップを含む、請求項1に記載の方法。
- ダイの上表面に赤外線放射を方向付けながらボンディング区域にワイヤを付着させるステップを含む、請求項1に記載の方法。
- フリップチップを基板に組立てる方法であって、基板の上表面のボンディング区域を上表面に方向付けられた赤外線放射で加熱するステップを含む、方法。
- ボンディング区域がはんだを含み、さらに
ボンディング区域上にはんだを含むフリップチップを配置するステップと、
フリップチップを押圧してボンディング区域とフリップチップのはんだを溶かし、フリップチップを基板に付着させるステップとを含む、請求項4に記載の方法。 - 基板に装着された半導体ダイの上表面のボンディング区域を加熱するための装置であって、ダイの上表面に方向付けられた赤外線放射でボンディング区域を加熱するための赤外ヒータを含む、装置。
- 基板の底表面を加熱するための第2のヒータを含む、請求項6に記載の装置。
- 赤外ヒータは基板の上表面のボンディング区域を加熱するためのものでもある、請求項6に記載の装置。
- 赤外ヒータと第2のヒータとはボンディング区域を約4秒以内に摂氏約190度まで加熱するためのものである、請求項7に記載の装置。
- 赤外ヒータは赤外ランプまたは赤外線銃を含む、請求項6に記載の装置。
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