JPS63232438A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法Info
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- JPS63232438A JPS63232438A JP62066400A JP6640087A JPS63232438A JP S63232438 A JPS63232438 A JP S63232438A JP 62066400 A JP62066400 A JP 62066400A JP 6640087 A JP6640087 A JP 6640087A JP S63232438 A JPS63232438 A JP S63232438A
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置内に設けられた電極間を導ＷＬＩ
ＩＡにて結線するワイヤボンディング方法に関する。
ＩＡにて結線するワイヤボンディング方法に関する。
従来の技術
従来のワイヤボンディング方法は、第２図及び第３図に
示すように、ヒートブロック２１上に基ング１Ｊ！域を
加熱するとともにボンディングヘッド２３に超音波を印
加してボンディングを行っていた。２４はヒートブロッ
ク２１にＮ設されたヒータ、２５はＩＣ部品、２Ｇは半
田付けされた電子部品、２７はＷ＆極部、２８は導電線
である。
示すように、ヒートブロック２１上に基ング１Ｊ！域を
加熱するとともにボンディングヘッド２３に超音波を印
加してボンディングを行っていた。２４はヒートブロッ
ク２１にＮ設されたヒータ、２５はＩＣ部品、２Ｇは半
田付けされた電子部品、２７はＷ＆極部、２８は導電線
である。
又、本出願人が提案した特開昭５９−１８４５３７号公
報には、加熱エヤ、レーザ光、赤外線等をボンディング
１ｉ域に噴射あるいは照射してボンディング領域を加熱
し、ワイヤボンディングツールにてワイヤボンディング
する方法が開示されている。
報には、加熱エヤ、レーザ光、赤外線等をボンディング
１ｉ域に噴射あるいは照射してボンディング領域を加熱
し、ワイヤボンディングツールにてワイヤボンディング
する方法が開示されている。
発明が解決しようとする間邂点
ところが、上記従来のボンディング方法では、基＠２２
を介してボンディング領域を加熱するので、基板２２上
に半田付けされた他の電子部品２６が存在する場合には
、加熱温度を高くすると半田が溶けてしまうため、ボン
ディングに必要な十分な温度まで高くすることはできず
、そのためボンディングの信頼性を高めるためには超音
波を印置が高価になるという問題があった。また、ヒー
トブロック２１にて基板２２を介して加熱するので熱効
率が極めて悪く、加熱に要する時間も長くかかり、生産
性も低いという問題もあった。さらに、基板２２の両面
にＩＣ部品２５や電子部品２６が装着されている場合に
はヒートブロック２１上にａＷｌできないため、基板両
面に電子部品等を装着した後、ワイヤボンディングする
という製造工程を採用できず、製造工程に制約を受け、
生産能率が悪くなるという開運があった。
を介してボンディング領域を加熱するので、基板２２上
に半田付けされた他の電子部品２６が存在する場合には
、加熱温度を高くすると半田が溶けてしまうため、ボン
ディングに必要な十分な温度まで高くすることはできず
、そのためボンディングの信頼性を高めるためには超音
波を印置が高価になるという問題があった。また、ヒー
トブロック２１にて基板２２を介して加熱するので熱効
率が極めて悪く、加熱に要する時間も長くかかり、生産
性も低いという問題もあった。さらに、基板２２の両面
にＩＣ部品２５や電子部品２６が装着されている場合に
はヒートブロック２１上にａＷｌできないため、基板両
面に電子部品等を装着した後、ワイヤボンディングする
という製造工程を採用できず、製造工程に制約を受け、
生産能率が悪くなるという開運があった。
これに対して、上記特開昭５９−１８４５３７号公報に
開示された方法ではこれら問題点を解消することはでき
るが、間接的な加熱であるため、温度管理が十分に行え
ず、ボンディングの信頼性に問題があった。また、その
ために信頼性を高めるべく超音波を印加すると、装置が
高価となるという問題があった。
開示された方法ではこれら問題点を解消することはでき
るが、間接的な加熱であるため、温度管理が十分に行え
ず、ボンディングの信頼性に問題があった。また、その
ために信頼性を高めるべく超音波を印加すると、装置が
高価となるという問題があった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、信頼性の高いボン
ディングを安価に能率良く行うことができるワイヤボン
ディング方法を提供することを目的とする。
ディングを安価に能率良く行うことができるワイヤボン
ディング方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記目的を達成するため、基板上のワイヤボ
ンディングすべき領域を熱線又は光線を照射する加熱手
段にて加熱し、この領域の温度を非接触温度計にて検出
し、その検出信号に基づいて、前記領域の温度が所定温
度以上の温度に達した状態でボンディングを行うように
ボンディングヘッドを作動させることを特徴とする。
ンディングすべき領域を熱線又は光線を照射する加熱手
段にて加熱し、この領域の温度を非接触温度計にて検出
し、その検出信号に基づいて、前記領域の温度が所定温
度以上の温度に達した状態でボンディングを行うように
ボンディングヘッドを作動させることを特徴とする。
作用
本発明によれば、加熱手段にて非接触で直接ボンディン
グ領域を加熱することができるので、熱効率よく短時間
でボンディング領域を加熱することができるとともに、
基板上に電子部品等が半田付けされていてもその半田が
熱を受けて溶ける虞れはなく、また基板の両面にＩＣ部
品や電子部品が装着されていでも基板面から伝熱にて加
熱するものでないので支障なく加熱できる。また、ボン
ディング領域の温度を検出して、導電線の再結晶温度等
の所定温度以上の温度に達した状態でボンディングを行
うようにボンディングヘッドを作動させるので、信頼性
の高いワイヤボンディングを確保することができ、品質
の安定したワイヤボンディングを安価に実施することが
できる。
グ領域を加熱することができるので、熱効率よく短時間
でボンディング領域を加熱することができるとともに、
基板上に電子部品等が半田付けされていてもその半田が
熱を受けて溶ける虞れはなく、また基板の両面にＩＣ部
品や電子部品が装着されていでも基板面から伝熱にて加
熱するものでないので支障なく加熱できる。また、ボン
ディング領域の温度を検出して、導電線の再結晶温度等
の所定温度以上の温度に達した状態でボンディングを行
うようにボンディングヘッドを作動させるので、信頼性
の高いワイヤボンディングを確保することができ、品質
の安定したワイヤボンディングを安価に実施することが
できる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。１はＸ−Ｙテーブルで、基板３の周縁部を載置支持
する支持台２が設けられ、この支持台２と固定具４にて
基板３を挟圧固定するように構成されている。前記基板
２には、その上面と下面の両面に、ワイヤボンディング
すべきＩＣ部品５と半田付けされた電子部品６が装着さ
れている。７は半田で、前記電子部品６を機械的に固定
するとともに基板３上に形成されたプリント配線に電気
的に接続している。８はボンディングヘッドであり、ボ
ンディングツール８ａが基板３のボンディング位置まで
延出されている。ボンディングへラド８は、ヘッドコン
トローラ９にて制御されて上下動作し、ボンディングを
行うように構成熱する加熱手段であって、レーザ光線や
赤外線、遠赤外線等の熱線を照射する装置から成り、前
記ＩＣ部品５又は基板３上に形成された電極部１２をｉ
接加熱するように構成されでいる。この加熱手段１０に
よる加熱領域は、例えば直径略０．２ｍｍ程度である。
る。１はＸ−Ｙテーブルで、基板３の周縁部を載置支持
する支持台２が設けられ、この支持台２と固定具４にて
基板３を挟圧固定するように構成されている。前記基板
２には、その上面と下面の両面に、ワイヤボンディング
すべきＩＣ部品５と半田付けされた電子部品６が装着さ
れている。７は半田で、前記電子部品６を機械的に固定
するとともに基板３上に形成されたプリント配線に電気
的に接続している。８はボンディングヘッドであり、ボ
ンディングツール８ａが基板３のボンディング位置まで
延出されている。ボンディングへラド８は、ヘッドコン
トローラ９にて制御されて上下動作し、ボンディングを
行うように構成熱する加熱手段であって、レーザ光線や
赤外線、遠赤外線等の熱線を照射する装置から成り、前
記ＩＣ部品５又は基板３上に形成された電極部１２をｉ
接加熱するように構成されでいる。この加熱手段１０に
よる加熱領域は、例えば直径略０．２ｍｍ程度である。
１０ａは前記熱線又は光線を電極部１２に集光する光学
系である。１１は、加熱された電極部１２から放出され
る赤外線を検出する赤外線検出器１１ａｆｉ−備えた赤
外線温度計等の非接触温度計であり、加熱された電極部
１２が所定の温度以上に達すると、前記ヘッドコントロ
ーラ９に対してスタート信号を出力するように構成され
ている。
系である。１１は、加熱された電極部１２から放出され
る赤外線を検出する赤外線検出器１１ａｆｉ−備えた赤
外線温度計等の非接触温度計であり、加熱された電極部
１２が所定の温度以上に達すると、前記ヘッドコントロ
ーラ９に対してスタート信号を出力するように構成され
ている。
以上の構成において、ワイヤボンディングを行うには、
Ｘ−Ｙテーブル１の支持台２上に基板３を載置して固定
具４にて固定し、Ｘ−Ｙテーブル１にてＩＣ部品５のボ
ンディングすべき電極部１２をボンディングツール８ａ
の下方位置に位置決めし、加熱手段１０にてこの電極部
１２を加熱す７＋”１ｌＦｊａｉｉ黙１ ９．Ａｃ
拐＋１ ↓ ｌぞｉｔ Ｍ Ａｍ Ｉ Ｑ −Ａ
ｔ ｌ？＞ Ｍｌ ｍ ＭＬ今にその再結晶温度以上の
温度である３５０℃まで加熱されると、これを非接触温
度計１１で検出し、ヘッドコント、＋７−ラ９にスター
ト信号を出力する。この温度検出の応答速度は、２０ｍ
５程度であり、動作遅れの要因となることはない。次に
、ヘッドコントローラ９にてボンディングヘッド８を下
降させ、導電＃ｉ１３の一端をこの電極部１２に押圧し
てボンディングする。その後、ボンディングヘッド８を
適当距離上昇させ、次にＸ−Ｙテーブル１を動作させて
前記ＩＣ部品５の電極部１２と接続すべき基板３上の配
線パターンの電極部１２をボンディングツール８ａの下
方位置に位置決めし、加熱手段１０にて同様に加熱した
後ボンディングヘッド８を下降させてボンディングし、
その後導’ｌｌ＠１３を切断してボンディングヘッド８
を上昇させる。以下、同様にＩＣ部品５の各電極部１２
と基Ｒ３の対応する電極部１２を順次ワイヤボンディン
グして電気的に接続する。この間、加熱手段１０にてボ
ンディングすべき電極部１２の領域だけが加熱されるの
で、電子部品６の半田７が溶けるというようなことはな
い。
Ｘ−Ｙテーブル１の支持台２上に基板３を載置して固定
具４にて固定し、Ｘ−Ｙテーブル１にてＩＣ部品５のボ
ンディングすべき電極部１２をボンディングツール８ａ
の下方位置に位置決めし、加熱手段１０にてこの電極部
１２を加熱す７＋”１ｌＦｊａｉｉ黙１ ９．Ａｃ
拐＋１ ↓ ｌぞｉｔ Ｍ Ａｍ Ｉ Ｑ −Ａ
ｔ ｌ？＞ Ｍｌ ｍ ＭＬ今にその再結晶温度以上の
温度である３５０℃まで加熱されると、これを非接触温
度計１１で検出し、ヘッドコント、＋７−ラ９にスター
ト信号を出力する。この温度検出の応答速度は、２０ｍ
５程度であり、動作遅れの要因となることはない。次に
、ヘッドコントローラ９にてボンディングヘッド８を下
降させ、導電＃ｉ１３の一端をこの電極部１２に押圧し
てボンディングする。その後、ボンディングヘッド８を
適当距離上昇させ、次にＸ−Ｙテーブル１を動作させて
前記ＩＣ部品５の電極部１２と接続すべき基板３上の配
線パターンの電極部１２をボンディングツール８ａの下
方位置に位置決めし、加熱手段１０にて同様に加熱した
後ボンディングヘッド８を下降させてボンディングし、
その後導’ｌｌ＠１３を切断してボンディングヘッド８
を上昇させる。以下、同様にＩＣ部品５の各電極部１２
と基Ｒ３の対応する電極部１２を順次ワイヤボンディン
グして電気的に接続する。この間、加熱手段１０にてボ
ンディングすべき電極部１２の領域だけが加熱されるの
で、電子部品６の半田７が溶けるというようなことはな
い。
上記実施例では非接触温度計１１により再結晶温度以上
の温度に達したことを検知してからヘッドコントローラ
９をスタートさせるようにしたが、ボンディング時に再
結晶温度以上であればよいので、温度上昇速度と動作に
要する時間を考慮してそれより低い所定温度を検知する
と、スタート信号を発するようにしてもよい。
の温度に達したことを検知してからヘッドコントローラ
９をスタートさせるようにしたが、ボンディング時に再
結晶温度以上であればよいので、温度上昇速度と動作に
要する時間を考慮してそれより低い所定温度を検知する
と、スタート信号を発するようにしてもよい。
発明の効果
本発明のワイヤボンディング方法によれば、以上のよう
に非接触°で直接ボンディング盟域を加熱するので、熱
効率よく短時間でボンディング領域を加熱することがで
きるとともに、基板上に半田付けした電子部品等が装着
され−でいても半田が溶ける虞れはなく、かつ基板の両
面にＩＣや電子部品が装着されていても支障なく加熱で
きる。しかも、ボンディング置載の温度を検出して所定
温度以上に達した状態でボンディングを行うようにボン
ディングヘッドを作動させるので、超音波を印加しなく
ても信頼性の高いワイヤボンディングを確保することが
でき、品質の安定したワイヤボンディングを安価に能率
的に実施することができるという効果がある。
に非接触°で直接ボンディング盟域を加熱するので、熱
効率よく短時間でボンディング領域を加熱することがで
きるとともに、基板上に半田付けした電子部品等が装着
され−でいても半田が溶ける虞れはなく、かつ基板の両
面にＩＣや電子部品が装着されていても支障なく加熱で
きる。しかも、ボンディング置載の温度を検出して所定
温度以上に達した状態でボンディングを行うようにボン
ディングヘッドを作動させるので、超音波を印加しなく
ても信頼性の高いワイヤボンディングを確保することが
でき、品質の安定したワイヤボンディングを安価に能率
的に実施することができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図及ゾ第
３図は従来例を示し、ｗＩＪ２図は要部の斜視図、第３
図は全体概略構成図である。 ３・・・・・・・・・基板 ８・・・・・・・・・ボンディングヘッド９・・・・・
・・・・ヘッドコントローラ１０・・・・・・・・・加
熱手段 １１・・・・・・・・・非接触温度計。 代理人の酩 弁理士 中尾敏男 はｈ４名第１図 ３一基板
３図は従来例を示し、ｗＩＪ２図は要部の斜視図、第３
図は全体概略構成図である。 ３・・・・・・・・・基板 ８・・・・・・・・・ボンディングヘッド９・・・・・
・・・・ヘッドコントローラ１０・・・・・・・・・加
熱手段 １１・・・・・・・・・非接触温度計。 代理人の酩 弁理士 中尾敏男 はｈ４名第１図 ３一基板
Claims (1)
- 基板上のワイヤボンディングすべき領域を熱線又は光線
を照射する加熱手段にて加熱し、この領域の温度を非接
触温度計にて検出し、その検出信号に基づいて、前記領
域の温度が所定温度以上の温度に達した状態でボンディ
ングを行うようにボンディングヘッドを作動させること
を特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066400A JPS63232438A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066400A JPS63232438A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232438A true JPS63232438A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13314723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066400A Pending JPS63232438A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63232438A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181451A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンディング装置 |
| KR970053199A (ko) * | 1995-12-30 | 1997-07-29 | 황인길 | 반도체 제조공정의 와이어본딩시 패키지의 열 가열방법 |
| JP2004503939A (ja) * | 2000-06-12 | 2004-02-05 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 赤外線加熱によるはんだバンプおよびワイヤボンディング |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188233A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-17 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 半導体ボンデイング装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066400A patent/JPS63232438A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188233A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-17 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 半導体ボンデイング装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181451A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンディング装置 |
| KR970053199A (ko) * | 1995-12-30 | 1997-07-29 | 황인길 | 반도체 제조공정의 와이어본딩시 패키지의 열 가열방법 |
| JP2004503939A (ja) * | 2000-06-12 | 2004-02-05 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 赤外線加熱によるはんだバンプおよびワイヤボンディング |
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