JPH0669271A - 電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板 - Google Patents

電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板

Info

Publication number
JPH0669271A
JPH0669271A JP21898192A JP21898192A JPH0669271A JP H0669271 A JPH0669271 A JP H0669271A JP 21898192 A JP21898192 A JP 21898192A JP 21898192 A JP21898192 A JP 21898192A JP H0669271 A JPH0669271 A JP H0669271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
wire bonding
dirt
dust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21898192A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Takei
栄治 武井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP21898192A priority Critical patent/JPH0669271A/ja
Publication of JPH0669271A publication Critical patent/JPH0669271A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494Connecting portions
    • H01L2224/4943Connecting portions the connecting portions being staggered
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7865Means for transporting the components to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子装置におけるワイヤボンディングの信頼
性の向上。 【構成】 第1ボンディング部となる半導体素子4のボ
ンディング部を複数のワイヤボンディング領域10で構
成するとともに、第2ボンディング部となるリード3の
ボンディング部を複数のワイヤボンディング領域10で
構成する。前記ワイヤボンディング領域10は正式ボン
ディング箇所および予備ボンディング箇所からなる。正
式ボンディング箇所に汚れ(塵)15が存在した場合、
ワイヤ6は予備ボンディング箇所に接続される。正式・
予備ボンディング箇所が何れも汚れ(塵)がある場合
は、ワイヤボンディングはされない。別の手段として
は、汚れ(塵)をレーザ光照射によって消滅させ、その
後ワイヤボンディングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子装置およびこの電子
装置を製造するワイヤボンディング装置に関し、特にワ
イヤボンディングの信頼性向上が図れるワイヤボンディ
ング技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置,混成集積回路装置等電子装
置の組立において、半導体素子(チップ)や配線基板の
電極(パッド)等の第1ボンディング部と、リード等の
第2ボンディング部とをワイヤで接続する工程がある。
このワイヤボンディング工程において、前記第1ボンデ
ィング部と第2ボンディング部を金線やアルミニウム線
で自動的に接続する装置として、ワイヤボンディング装
置(ワイヤボンダ)が知られている。従来のワイヤボン
ダについては、たとえば、工業調査会発行「電子材料1
991年別冊号、平成3年11月22日発行、P92〜
P97に記載されている。この文献には、超音波熱圧着
法(TS法)、熱圧着法(TC法)および超音波法(U
S法)の内、特に超音波熱圧着法について記載されてい
る。また、この文献には、ワイヤボンダ主要ユニットに
おける認識装置にあっては、「現在ほとんどのワイヤボ
ンダがCCDカメラを搭載し,記憶したパターンと明暗
度の一致度が高いパターンを画素毎にスキャン,演算検
出し位置決定する多値化相関方式をとっている。また、
階調や画素数を増加させ,認識分解能0.2μmを達成
するメーカーもある。」旨記載されている。
【0003】一方、九州松下電器株式会社発行のカタロ
グ「SMT高密度実装システム’91−11」のP29
には、プラズマクリーニング装置が紹介されている。こ
のカタログには、このプラズマクリーニング装置は、セ
ンサ,サーマル,各種COB,HIC等のボンディング
パッド表面洗浄活性化を目的として開発された装置であ
る旨記載されている。そして、ダイマウンタ,ワイヤボ
ンダの前工程として、アルゴンプラズマ中で基板をドラ
イ洗浄することにより、高いボンディング信頼性が実現
できると記載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のワイヤボンディ
ング装置は、ローディング位置にある半導体素子(チッ
プ)が固定されたリードフレームを、ローダによって順
次ワイヤボンディング位置に送り出すとともに、認識装
置によってチップやリードフレームのワイヤボンディン
グ位置を検出し、かつワイヤボンディング位置を自動的
にアライメントしてワイヤボンディングする構造となっ
ている。また、ワイヤボンディング処理されたリードフ
レームは、順次アンローダによってアンローディング位
置に送られて所定のマガジン等に収容されるようになっ
ている。このようなワイヤボンディング装置にあって
は、チップやリードフレームのボンディング領域(パッ
ド:ボンディング点)に塵や汚れが付いていてもワイヤ
ボンディングが行われる。塵や汚れが付いている部分に
ワイヤが接続されるとボンディングの信頼度が低下す
る。ワイヤボンディング後に目視によって外観検査を行
い、ワイヤボンディング領域に塵や汚れの有るものは不
良として排除できるが、ボンディング部分に隠れた塵や
汚れがある場合は目視できないため次工程に運ばれてし
まう。これにより、ボンディングの信頼性が低くなると
ともに、ワイヤボンディング歩留りも低下してしまう。
【0005】一方、ワイヤボンディングの信頼性を高く
するために、前記文献に記載されているように、ワイヤ
ボンディング前にワイヤボンディングパッド表面を清浄
化し、その後ワイヤボンディングを行う技術が開発され
ている。
【0006】本発明の目的は、ワイヤボンディングの信
頼性が高い電子装置を提供することにある。
【0007】本発明の目的は、ワイヤボンディングの信
頼性が高いワイヤボンディング装置を提供することにあ
る。
【0008】本発明の目的は、電子装置におけるワイヤ
ボンディングの信頼性を高めることができる電子部品お
よび配線基板を提供することにある。
【0009】本発明の他の目的は、ワイヤボンディング
歩留りの向上を達成できるワイヤボンディング技術を提
供することにある。本発明の前記ならびにそのほかの目
的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から
あきらかになるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。半導体素子等の電子部品や配線基板
のワイヤ接続部(ボンディング部:第1ボンディング
部)と、配線基板の配線層やリードフレームにおけるリ
ードのワイヤ接続部(ボンディング部:第2ボンディン
グ部)をワイヤで接続してなる電子装置において、前記
ボンディング部は単一のワイヤの接続対象として相互に
電気的に繋がる複数のワイヤボンディング領域で構成さ
れているとともに、前記ワイヤの先端は前記ボンディン
グ部における複数のワイヤボンディング領域の一つに接
続されている。ワイヤが接続されたワイヤボンディング
領域は塵や汚れが存在しない面となっている。このよう
な電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板なら
びにリードフレームのボンディング部は、単一のワイヤ
の接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイヤボ
ンディング領域で構成されている。前記電子部品の一つ
として半導体素子があり、半導体素子の各ボンディング
部もそれぞれ複数のワイヤボンディング領域で形成され
ている。
【0011】前記電子装置の製造に使用される本発明の
ワイヤボンディング装置は、前記ワイヤ接続部の表面を
検出する表面検出装置と、この表面検出装置による情報
によってワイヤボンディングをしないことを含みワイヤ
ボンディング箇所を決定する制御部と、前記制御部の制
御によって所望のワイヤボンディング領域間のワイヤボ
ンディングを行うボンディングツールとを有し、塵や汚
れのないワイヤボンディング領域にワイヤを接続するよ
うになっている。
【0012】本発明の他のワイヤボンディング装置は、
前記ワイヤ接続部(ボンディング部)の表面の塵や汚れ
を検出する表面検出装置と、前記ワイヤ接続部表面に塵
や汚れが存在した際動作して前記ワイヤ接続部表面にレ
ーザ光を照射して塵や汚れを消滅させるレーザ装置とを
有し、塵や汚れのないワイヤ接続部にワイヤを接続する
ようになっている。
【0013】
【作用】上記した手段によれば、本発明の電子装置にあ
っては、第1ボンディング部および第2ボンディング部
は単一のワイヤの接続対象として相互に電気的に繋がる
複数のワイヤボンディング領域で構成されていて、塵や
汚れの存在しないワイヤボンディング領域にワイヤが接
続されていることから、ワイヤボンディングの信頼性が
高くなる。また、この電子装置に組み込まれる半導体素
子等の電子部品および配線基板ならびにリードフレーム
は、そのワイヤ接続部が、単一のワイヤの接続対象とな
る複数のワイヤボンディング領域で構成されていること
から、塵や汚れのないワイヤボンディング領域を探して
ワイヤボンディングできるため、電子装置の組み立てに
使用された場合、電子装置におけるワイヤボンディング
の信頼度を高くできる。
【0014】上記した手段によれば、本発明のワイヤボ
ンディング装置は、単一のワイヤの接続対象となる相互
に電気的に繋がる複数のワイヤボンディング領域で構成
されたボンディング部に対してワイヤボンディングを行
うようになっているとともに、ワイヤボンディング領域
の表面の塵や汚れの有無を検出し、塵や汚れの存在しな
いワイヤボンディング領域にワイヤを接続するため、ワ
イヤボンディングの信頼性の高い電子装置を製造するこ
とができる。
【0015】上記した手段によれば、本発明の他のワイ
ヤボンディング装置は、ワイヤ接続部の表面の塵や汚れ
の有無を検出し、塵や汚れが存在した場合、塵や汚れに
レーザ光を照射して前記塵や汚れを消滅させ、その後ワ
イヤを接続するため、ワイヤボンディングの信頼性の高
い電子装置を製造することができる。
【0016】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図1は本発明による半導体装置の要部を示
す平面図、図2は同じく模式的断面図、図3は同じく半
導体装置の断面図、図4は本発明による半導体素子およ
び一部のリードの模式的平面図、図5は本発明のワイヤ
ボンディング装置の要部を示す正面図、図6は同じくワ
イヤボンディング装置の平面図である。
【0017】本発明の電子装置、すなわち集積回路装置
等からなる半導体装置1は、外観的には図3に示すよう
に、パッケージ2と、このパッケージ2の周囲から突出
するリード3とからなっている。また、前記パッケージ
2内の中央には半導体素子(チップ)4が位置してい
る。前記チップ4はタブ5上に固定されている。このチ
ップ4の表面には多数のワイヤ接続部(ワイヤボンディ
ング領域)が設けられているが、これらのワイヤボンデ
ィング領域の幾つかに、図1に示すようにワイヤ6の一
端が固定されている。前記ワイヤ6の他端は図1にも示
すように、前記タブ5の周囲に内端を臨ますリード3の
内端部分に接続されている。
【0018】半導体装置1にあっては、図1に示すよう
に、ワイヤ6は半導体素子4およびリード3において、
あらかじめ設定された複数のワイヤボンディング領域の
どれかに接続されている。すなわち、ワイヤボンディン
グにおいて、たとえば半導体素子4のワイヤボンディン
グパッド(ワイヤ接続部)を第1ボンディング部(ボン
ディング部)とし、リード3の内端部分表面(ワイヤ接
続部)を第2ボンディング部(ボンディング部)とした
場合、従来は前記第1ボンディング部および第2ボンデ
ィング部は、単一のワイヤボンディング領域となってい
る。これに対して本発明では第1ボンディング部および
第2ボンディング部は、単一のワイヤの接続対象とする
ワイヤボンディング領域10が、図4において示すよう
に、半導体素子4においては2箇所、リード3において
は3箇所設定されている。このワイヤボンディング領域
10は、ワイヤ6の太さによっても異なるが、たとえば
直径25μmの場合には、一辺が80〜100μmの正
方形領域となる。
【0019】本発明の半導体素子4にあっては、単一の
ワイヤの接続対象となる第1ボンディング部(ボンディ
ング部)は、2箇所のワイヤボンディング領域10で形
成されている。この2つのワイヤボンディング領域10
は、長方形パターン内に隣合って設けられるパターン
(隣接パターン11)と、離れた位置に設けられたパタ
ーン(分離パターン12)とからなっている。前記分離
パターン12では、相互に離れた位置に設けられたワイ
ヤボンディング領域10は、連結部13によって電気的
に接続されている。なお、説明の便宜上、隣接パターン
11においては、隣合う二つのワイヤボンディング領域
10の境界を示すため線を記入してある。また、前記隣
接パターン11および分離パターン12において、1つ
は正式ボンディング箇所となり、他は予備ボンディング
箇所となっている。図4において、正式ボンディング箇
所にはAなる文字を付し、予備ボンディング箇所にはB
なる文字を付してある。この例では説明の便宜上、予備
ボンディング箇所は1つとなっているが、半導体素子4
の表面の面積によってはさらに多数設けるのが望まし
い。また、この例では、図1および図2に示すように、
半導体素子4における右側中央の第1ボンディング部に
おいて予備ボンディング箇所にワイヤ6が接続され、他
の第1ボンディング部においては全て正式ボンディング
箇所にワイヤ6が接続された例を示す。したがって、前
記予備ボンディング箇所にワイヤ6が接続された右側中
央の第1ボンディング部の正式ボンディング箇所には汚
れ(塵)15が存在していることになる。しかし、半導
体素子4において、ワイヤ6の全ては塵や汚れのないワ
イヤボンディング領域10に接続されていることにな
る。ワイヤボンディングはクリーンルームやクリーンな
雰囲気で行われるが、クリーン化は必ずしも完全ではな
く、前記のように一部で塵等が付着する場合がある。ま
た、リードフレームの取扱時に塵や汚れが付着する場合
もある。
【0020】一方、前記リード3の内端表面部分もワイ
ヤ接続部(ボンディング部:第2ボンディング部)とな
る。この第2ボンディング部は、一般にリード3が長く
かつその幅も0.15〜0.25mmと広い。したがっ
て、従来の場合は、第2ボンディング部として所定の一
箇所をワイヤ接続部として設定している。これに対して
本発明では、実際には線で示されているわけではない
が、説明の便宜上枠線で示すが、図4に示すように、リ
ード3の第2ボンディング部には三つのワイヤボンディ
ング領域10が設けられている。このワイヤボンディン
グ領域10は、実施例では連続的に設けられているが、
リードにあってはボンディング部としての面積に余裕が
あることから、連続的に設けられていても良く、また一
定間隔離して設けられていても良い。図4において、リ
ードにおける正式ボンディング箇所にはAなる文字を付
し、予備ボンディング箇所にはBなる文字を付してあ
る。そして、たとえば先端側のワイヤボンディング領域
10が正式ボンディング箇所となり、残りの二つのワイ
ヤボンディング領域10が予備ボンディング箇所となっ
ている。ワイヤ6は正式ボンディング箇所に優先的に接
続されるが、正式ボンディング箇所に塵や汚れがある場
合は、二つの予備ボンディング箇所のいずれにか接続さ
れる。そして、製品状態にある半導体装置1にあって
は、ワイヤ6は全て塵や汚れのないリード3におけるワ
イヤボンディング領域10に接続されている。この例で
は、図1および図2に示すように、ワイヤ6は左側中央
のリード3にあっては予備ボンディング箇所に接続され
ているが、他のリード3では全て正式ボンディング箇所
に接続されている。したがって、図1に示す左側中央の
リード3の正式ボンディング箇所には、汚れ(塵)15
が存在していることになる。また、図2における破線で
示すワイヤ6は、半導体素子4およびリード3の正式ボ
ンディング箇所にワイヤ6が接続される場合の状態を示
すものである。
【0021】このような半導体装置1にあっては、半導
体素子4における第1ボンディング部と、リード3にお
ける第2ボンディング部とを接続するワイヤ6は、塵や
汚れのないワイヤボンディング領域に接続されているこ
とから、ワイヤボンディングの信頼性が高くなる。
【0022】前記半導体装置1に組み込まれる半導体素
子4は、半導体装置1の組立におけるワイヤボンディン
グにおいて、塵や汚れの存在しないワイヤボンディング
領域にワイヤ6を接続できるため、ワイヤボンディング
の信頼性の高い半導体装置1を製造できることになると
ともに、半導体装置1の製造歩留りを向上させることが
できる。
【0023】前記半導体装置1の組立に使用されるリー
ドフレームは、半導体装置1の組立におけるリードフレ
ームのリードに対するワイヤボンディングにおいて、塵
や汚れの存在しないワイヤボンディング領域にワイヤ6
を接続できるため、ワイヤボンディングの信頼性の高い
半導体装置1を製造できることになるとともに、半導体
装置1の製造歩留りを向上させることができる。
【0024】つぎに、このような半導体装置1、すなわ
ち、ボンディング部が複数のワイヤボンディング領域で
形成されている半導体素子4やリード3を有する半導体
装置1の製造に使用されるワイヤボンディング装置につ
いて説明する。ワイヤボンディング装置は、図5の正面
図および図6の平面図に示すように、左側から右側に向
かってローダ20,ガイドテーブル21,アンローダ2
2が並ぶとともに、前記ガイドテーブル21の後側には
表面検査機構25,ワイヤボンディング機構26,制御
部27が配設されている。また、前記ガイドテーブル2
1の両側には、フレームフィーダ28が設けられ、前記
ローダ20の図示しないマガジンから送り出されたリー
ドフレーム30をガイドテーブル21に沿って間欠的に
移動させるようになっている。前記リードフレーム30
は、前記表面検査機構25が配設された検査ステーショ
ンでワイヤボンディング領域に塵や汚れが存在するか否
かを検査され、前記ワイヤボンディング機構26が配設
されたボンディングステーションでワイヤボンディング
がなされるようになっている。また、前記ワイヤボンデ
ィングステーション部分においては、前記フレームフィ
ーダ28から水素等の還元ガスが噴射され、リードフレ
ーム30は還元性ガス雰囲気に晒される。一方、ワイヤ
ボンディングが終了したリードフレーム30は、前記フ
レームフィーダ28によってアンローダ22の図示しな
いマガジンに順次収容されるようになっている。
【0025】前記表面検査機構25は、XYテーブル3
1上に設置された本体32と、この本体32から前記ガ
イドテーブル21の上方に延在するアーム33と、この
アーム33の先端に取り付けられた表面検査装置34と
からなっている。前記表面検査装置34は、検査ステー
ションに静止したリードフレーム30を検査する。すな
わち、この表面検査装置34は、前記リードフレーム3
0のタブ5上に固定された半導体素子4およびリード3
を検出し、かつ半導体素子4およびリード3におけるワ
イヤボンディング領域10の表面の塵や汚れの有無を検
出する。そして、これらワイヤボンディング領域10の
塵や汚れの有無の情報は、前記制御部27に入力され
る。前記表面検査装置34は、たとえば多値化パターン
認識装置やレーザ光変位センサ等で構成され、微細パタ
ーンの認識も可能となっている。
【0026】前記ワイヤボンディング機構26は、XY
テーブル36上に設置されたボンディングヘッド37
と、このボンディングヘッド37から前記ガイドテーブ
ル21上方に延在するボンディングアーム38と、この
ボンディングアーム38の先端に取り付けられたボンデ
ィングツール39とからなっている。また、前記ボンデ
ィングヘッド37からアーム40が延在するとともに、
このアーム40の先端には認識カメラ41が取り付けら
れている。この認識カメラ41は、ボンディングステー
ションに位置した半導体素子4やリード3のワイヤボン
ディング領域10の位置を検出(認識)し、前記ボンデ
ィングツール39によるワイヤボンディングが正しく行
われるようになっている。前記ボンディングツール39
は、たとえば、ワイヤ6を案内する筒状のキャピラリー
となっている。なお、このワイヤボンディング機構26
は、超音波熱圧着式であるが、熱圧着式あるいは超音波
式であっても良い。
【0027】前記ワイヤボンディング機構26は、前記
表面検査機構25による情報に基づいて第1ボンディン
グ部および第2ボンディング部におけるワイヤ接続箇所
を選択する。これらの制御は制御部27によって行われ
る。すなわち、半導体素子4にあっては、第1ボンディ
ング部はそれぞれ二つのワイヤボンディング領域10に
よって形成されている。そこで、前記表面検査機構25
は二つのワイヤボンディング領域10のうち正式ボンデ
ィング箇所の表面を検査し、この正式ボンディング箇所
の表面に塵や汚れが存在するか否かを検出する。塵や汚
れが存在しない場合は、正式ボンディング箇所がワイヤ
ボンディングに適した第1ボンディング部と決定され
る。そして、表面検査はリードまたは半導体素子の他の
ボンディング部の検査に移る。また、塵や汚れが存在し
た場合は、前記表面検査機構25は残りの予備ボンディ
ング箇所の表面を検出し、塵や汚れが存在するか否かを
検出する。塵や汚れが存在しない場合は、ワイヤボンデ
ィングに適した第1ボンディング部と決定される。しか
し、この予備ボンディング箇所の表面に塵や汚れが存在
した場合には、前記制御部27において第1ボンディン
グ部にはワイヤボンディングに適した第1ボンディング
部が存在しないと判断される。したがって、この半導体
素子4がボンディングステーションに到った際、ワイヤ
ボンディング作業は停止される。また、この際、作業者
に異常を知らせる異常警報が作動する。
【0028】このようなワイヤボンディング領域10の
表面の塵や汚れの有無の検出は、リード3における第2
ボンディング部においても同様に行われる。すなわち、
リード3の第2ボンディング部は正式ボンディング箇所
および二つの予備ボンディング箇所からなっている。そ
こで、最初に正式ボンディング箇所の表面の塵や汚れの
有無が検出され、塵や汚れが存在しない場合はワイヤボ
ンディングに適した第2ボンディング部と決定されて表
面検査動作は次のワイヤ張り箇所に移る。しかし、正式
ボンディング箇所に塵や汚れが存在した場合には二つの
予備ボンディング箇所の一方の表面の検出がなされる。
塵や汚れが存在しなければ、この予備ボンディング箇所
がワイヤボンディングに適した第2ボンディング部と決
定され、塵や汚れが存在する場合には残っている予備ボ
ンディング箇所の表面の検出が行われる。塵や汚れが存
在しなければ、この予備ボンディング箇所が第2ボンデ
ィング部と決定され、塵や汚れが存在する場合にはこの
リード3には、ワイヤボンディングに適する第2ボンデ
ィング部が存在しないと判断される。
【0029】このようなワイヤボンディング装置にあっ
ては、検査ステーションで半導体素子4の第1ボンディ
ング部およびリード3の第2ボンディング部が検査さ
れ、次のボンディングステーションで塵や汚れが存在し
ないワイヤボンディング領域10にワイヤボンディング
がなされる。また、第1ボンディング部または第2ボン
ディング部におけるワイヤボンディング領域10が、ワ
イヤボンディングに適さない塵や汚れがある面である場
合は、自動的にワイヤボンディングが停止される。した
がって、一連のワイヤボンディングが終了して製造され
た半導体装置1にあっては、ワイヤボンディング部分に
は塵や汚れが介在しないため、ワイヤボンディング各部
の信頼性は高いものとなる。
【0030】
【発明の効果】(1)本発明の電子装置は、ワイヤは塵
や汚れの存在しないワイヤ接続部に接続されていること
から、ワイヤボンディングの信頼性が高くなるという効
果が得られる。
【0031】(2)本発明の半導体素子は、ワイヤを接
続する第1ボンディング部が複数のワイヤボンディング
領域で形成されていることから、半導体装置(電子装
置)の組立におけるワイヤボンディングにおいて、塵や
汚れの存在しないワイヤボンディング領域を選択してワ
イヤ接続できるため、半導体装置におけるワイヤボンデ
ィングの信頼性を高めることができるとともに、半導体
装置の製造歩留りを向上させることができるという効果
が得られる。
【0032】(3)本発明のリードフレームは、ワイヤ
を接続するリードにおける第2ボンディング部が複数の
ワイヤボンディング領域を有するように形成されている
ことから、半導体装置(電子装置)の組立におけるワイ
ヤボンディングにおいて、塵や汚れの存在しないワイヤ
ボンディング領域を選択してワイヤ接続できるため、半
導体装置におけるワイヤボンディングの信頼性を高める
ことができるとともに、半導体装置の製造歩留りを向上
させることができるという効果が得られる。
【0033】(4)本発明のワイヤボンディング装置
は、第1ボンディング部および第2ボンディング部にお
ける正式ボンディング箇所の表面状態を検出し、塵や汚
れが存在しない場合はボンディング部と決定し、塵や汚
れが存在する場合は予備ボンディング箇所の表面検出に
移行する。そして、第1ボンディング部および第2ボン
ディング部に塵や汚れが存在しないワイヤボンディング
領域が存在するときにのみワイヤボンディングを行うよ
うになっていることから、半導体装置(電子装置)にお
けるワイヤボンディングの信頼性が向上するという効果
が得られる。
【0034】(5)本発明のワイヤボンディング装置
は、第1ボンディング部または第2ボンディング部のワ
イヤボンディング領域、すなわち、一組の正式ボンディ
ング箇所および予備ボンディング箇所が何れも塵や汚れ
が存在している場合、ワイヤボンディング動作を終了し
て作業者に知らせるようになっていることから、その後
の調整(修正)が可能となるため、ワイヤボンディング
の歩留り向上が達成できるという効果が得られる。
【0035】(6)上記(1)〜(5)により、本発明
によればワイヤボンディングの信頼性が高い電子装置を
高歩留りで製造できるという相乗効果が得られる。
【0036】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では、第1ボンディング部においては二つの
ワイヤボンディング領域を用意するとともに、第2ボン
ディング部においては三つのワイヤボンディング領域を
用意したが、さらに多くのワイヤボンディング領域を用
意しても良い。
【0037】図7は本発明によるワイヤボンディング装
置によって製造された混成集積回路装置の要部を示す模
式的平面図である。この図では、タブ5上に固定された
配線基板43と、前記タブ5の周囲に内端を臨ませるリ
ード3の一部と、前記配線基板43の表面に固定された
半導体素子4と、前記配線基板43の一部の配線層等を
示すものである。この混成集積回路装置にあっては、ワ
イヤ接続部は、配線基板43の周囲に設けられた第1ボ
ンディング部となるアウターボンディングパッド44
と、前記タブ5の周囲に内端を臨ませるリード3の先端
表面部で形成される第2ボンディング部とがある。ま
た、配線基板43内におけるワイヤ接続部は、前記配線
基板43に固定された半導体素子4等の電子部品の電
極、すなわち第1ボンディング部となるボンディングパ
ッド45と、このボンディングパッド45にワイヤ6を
介して接続される導体層46で形成される第2ボンディ
ング部となるインナーボンディングパッド47がある。
そして、この例では前記第1ボンディング部および第2
ボンディング部は、何れも二つのワイヤボンディング領
域10で形成されている。また、二つのワイヤボンディ
ング領域10は、一方が正式ボンディング箇所となり、
他方が予備ボンディング箇所となる。図7において丸印
を付けたワイヤボンディング領域10が正式ボンディン
グ箇所である。したがって、第1ボンディング部および
第2ボンディング部が複数のワイヤボンディング領域1
0で形成される混成集積回路装置は、その組立において
前記実施例と同様にワイヤ接続箇所を選択するワイヤボ
ンディングが可能となる。この結果、このような混成集
積回路装置のワイヤボンディングにあっては、塵や汚れ
の存在しないワイヤボンディング領域10にワイヤ6を
接続することができる。なお、図7においては、電子部
品として半導体素子4のみを示してあるが、ワイヤボン
ディングを必要とする他の電子部品、たとえば、コンデ
ンサー等においても同様に適用できる。
【0038】前記混成集積回路装置に組み込まれる配線
基板にあっては、ワイヤを接続する第1ボンディング部
および第2ボンディング部が、複数のワイヤボンディン
グ領域で形成されていることから、混成集積回路装置
(電子装置)の組立におけるワイヤボンディングにおい
て、塵や汚れの存在しないワイヤボンディング領域を選
択してワイヤ接続できるため、混成集積回路装置におけ
るワイヤボンディングの信頼性を高めることができると
ともに、混成集積回路装置の製造歩留りを向上させるこ
とができるという効果が得られる。
【0039】図8〜図10は本発明の他の実施例による
ワイヤボンディング装置を示すものである。このワイヤ
ボンディング装置は、構成的には前記図5および図6で
示すワイヤボンディング装置と略同様であるが、図8お
よび図9に示すように、検査ステーションに配設された
表面検査機構25において、アーム33の先端に表面検
査装置34と並んでレーザ装置50を配設した点が異な
る。このワイヤボンディング装置は、前記ワイヤボンデ
ィング装置のようにワイヤボンディング領域を選択しな
い。すなわち、図8および図9で示されるこの実施例の
ワイヤボンディング装置は、第1ボンディング部および
第2ボンディング部がそれぞれ一箇所となる従来の電子
装置の組立(製造)に使用される。このワイヤボンディ
ング装置は、検査ステーションにおいて表面検査装置3
4によって第1ボンディング部(ボンディング部)およ
び第2ボンディング部(ボンディング部)の表面の検出
を行う。そして、塵や汚れが存在した場合には、前記レ
ーザ装置50からレーザ光を照射して瞬時に塵や汚れを
消滅させる。すなわち、図10は概念的な図であるが、
ボンディング部51の表面に汚れ(塵)15が存在して
いる場合、上方のレーザ装置50からレーザ光52が汚
れ(塵)15に対して照射される。この結果、前記汚れ
(塵)15は灰化しかつ気化して消滅する。なお、前記
リードフレーム30の表面には、前記フレームフィーダ
28から窒素等の還元ガスが噴射されているため、レー
ザ光52が半導体素子4やリード3のワイヤボンディン
グ領域10に照射されても、レーザ光照射によって製品
が損なわれることはない。このようなワイヤボンディン
グ装置によれば、ワイヤボンディングの寸前でワイヤボ
ンディング領域10の表面の塵や汚れが除去されること
から、ワイヤボンディング前の段階で半導体素子やリー
ドのワイヤボンディング領域に塵や汚れが付着した場合
でも、塵や汚れの存在しないワイヤボンディング領域
(ボンディング部)にワイヤを接続でき、ワイヤボンデ
ィングの信頼性を高めることができるとともに、ワイヤ
ボンディングの歩留りも向上することになる。
【0040】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるIC等
の半導体装置の製造技術や混成集積回路装置の製造技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、他の電子装置の製造技術にも
適用できる。本発明は少なくとも二点間をワイヤで接続
する技術には適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による半導体装置の要部を示す平面図
である。
【図2】 本発明による半導体装置の要部を示す模式図
である。
【図3】 本発明による半導体装置の模式的断面図であ
る。
【図4】 本発明による半導体素子および一部のリード
の模式的平面図である。
【図5】 本発明のワイヤボンディング装置の要部を示
す正面図である。
【図6】 本発明のワイヤボンディング装置の要部を示
す平面図である。
【図7】 本発明の他の実施例による混成集積回路装置
の要部を示す模式的平面図である。
【図8】 本発明の他の実施例によるワイヤボンディン
グ装置の要部を示す正面図である。
【図9】 本発明の他の実施例によるワイヤボンディン
グ装置の要部を示す平面図である。
【図10】 本発明の他の実施例によるワイヤボンディ
ング装置における塵や汚れの消滅状態を示す模式図であ
る。
【符号の説明】
1…半導体装置、2…パッケージ、3…リード、4…半
導体素子、5…タブ、6…ワイヤ、10…ワイヤボンデ
ィング領域、11…隣接パターン、12…分離パター
ン、13…連結部、15…汚れ(塵)、20…ローダ、
21…ガイドテーブル、22…アンローダ、25…表面
検査機構、26…ワイヤボンディング機構、27…制御
部、28…フレームフィーダ、30…リードフレーム、
31…XYテーブル、32…本体、33…アーム、34
…表面検査装置、36…XYテーブル、37…ボンディ
ングヘッド、38…ボンディングアーム、39…ボンデ
ィングツール、40…アーム、41…認識カメラ、43
…配線基板、44…アウターボンディングパッド、45
…ボンディングパッド、46…導体層、47…インナー
ボンディングパッド、50…レーザ装置、51…ボンデ
ィング部、52…レーザ光。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子部品や配線基板のワイヤ接続部とな
    るボンディング部と、配線基板やリードのワイヤ接続部
    となるボンディング部を導電性のワイヤで接続してなる
    電子装置であって、前記ボンディング部は単一のワイヤ
    の接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイヤボ
    ンディング領域で構成されているとともに、前記ワイヤ
    の先端は前記ボンディング部の一つのワイヤボンディン
    グ領域に接続されていることを特徴とする電子装置。
  2. 【請求項2】 ワイヤ接続部となるボンディング部を有
    する電子部品であって、前記ボンディング部は単一のワ
    イヤの接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイ
    ヤボンディング領域で構成されていることを特徴とする
    電子部品。
  3. 【請求項3】 ワイヤ接続部となるボンディング部を有
    する配線基板であって、前記ボンディング部は単一のワ
    イヤの接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイ
    ヤボンディング領域で構成されていることを特徴とする
    配線基板。
  4. 【請求項4】 電子部品や配線基板のワイヤ接続部とな
    るボンディング部と、配線基板やリードのワイヤ接続部
    となるボンディング部を導電性のワイヤで接続してな
    り、かつ前記ボンディング部は単一のワイヤの接続対象
    として相互に電気的に繋がる複数のワイヤボンディング
    領域で構成されている電子装置の製造に用いられるワイ
    ヤボンディング装置であって、前記ボンディング部にお
    けるワイヤ接続部の表面を検出する表面検出装置と、こ
    の表面検出装置による情報によってワイヤボンディング
    をしないことを含みワイヤボンディング箇所を決定する
    制御部と、前記制御部の制御によって所望のワイヤボン
    ディング領域間のワイヤボンディングを行うボンディン
    グツールとを有することを特徴とするワイヤボンディン
    グ装置。
  5. 【請求項5】 二箇所のワイヤ接続部をワイヤで接続す
    るワイヤボンディング装置であって、前記ワイヤ接続部
    のボンディング表面の塵や汚れを検出する表面検出装置
    と、前記ボンディング表面に塵や汚れが存在した際動作
    して前記ボンディング表面にレーザ光を照射して塵や汚
    れを消滅させるレーザ装置とを有することを特徴とする
    ワイヤボンディング装置。
JP21898192A 1992-08-18 1992-08-18 電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板 Pending JPH0669271A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21898192A JPH0669271A (ja) 1992-08-18 1992-08-18 電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21898192A JPH0669271A (ja) 1992-08-18 1992-08-18 電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0669271A true JPH0669271A (ja) 1994-03-11

Family

ID=16728401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21898192A Pending JPH0669271A (ja) 1992-08-18 1992-08-18 電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0669271A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003067649A1 (fr) * 2002-02-05 2003-08-14 Toray Engineering Co., Ltd. Procede de montage d'une puce et dispositif d'utilisation associe
JP2021027256A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 浜松ホトニクス株式会社 ワイヤボンディング装置及び半導体装置の製造方法
JP2022024646A (ja) * 2020-07-28 2022-02-09 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003067649A1 (fr) * 2002-02-05 2003-08-14 Toray Engineering Co., Ltd. Procede de montage d'une puce et dispositif d'utilisation associe
JP2021027256A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 浜松ホトニクス株式会社 ワイヤボンディング装置及び半導体装置の製造方法
JP2022024646A (ja) * 2020-07-28 2022-02-09 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4970365A (en) Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate
JP4547330B2 (ja) ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法
US5294038A (en) Method of and apparatus for manufacturing semiconductor device
JPH11509375A (ja) 基板またはチップにフラックスなしで半田付けする方法および装置
JPH0737926A (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2771154B2 (ja) ボンディングワイヤの断線を感知する接地端子を有する回路基板を用いたワイヤボンディング装置
JPH0737923A (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JPH0669271A (ja) 電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板
JPH0737925A (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JPH0793305B2 (ja) バンプ形成方法およびバンプ形成装置
JP2722886B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2009212258A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006032873A (ja) ストラップボンディング装置及びストラップボンディング方法
JPH0682701B2 (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
JP2000223524A (ja) ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法
JPS63283140A (ja) ワイヤボンディング装置
KR19990082843A (ko) 반도체 다이본다용 위치인식과 검사장치 및 그 방법
JPH11150146A (ja) 外観検査機能付きワイヤボンディング装置
JPS63232438A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3891689B2 (ja) ボンディング装置及び方法
JPH0864629A (ja) ワイヤボンディング方法
KR100431282B1 (ko) 반도체칩의 픽업 방법 및 이를 위한 클램프
JPH09280850A (ja) 異方性導電膜の貼付装置
JPS58225328A (ja) ワイヤボンデングの温度検出方法
JP2000003928A (ja) ワイヤボンディングの良否判別方法