JPH0669271A - Electronic device, wire bonding apparatus used for manufacturing the same, electronic component assembled in the same device and circuit board - Google Patents

Electronic device, wire bonding apparatus used for manufacturing the same, electronic component assembled in the same device and circuit board

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JPH0669271A
JPH0669271A JP21898192A JP21898192A JPH0669271A JP H0669271 A JPH0669271 A JP H0669271A JP 21898192 A JP21898192 A JP 21898192A JP 21898192 A JP21898192 A JP 21898192A JP H0669271 A JPH0669271 A JP H0669271A
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JP
Japan
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bonding
wire
wire bonding
dirt
dust
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JP21898192A
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Japanese (ja)
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Eiji Takei
栄治 武井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain an electronic device having high reliability of wire bonding by forming a bonding unit of a plurality of wire bonding regions electrically connected thereto as an object to be solely connected, and connecting an end of the wire to the one region. CONSTITUTION:A bonding part to become a wire connecting part of an electronic component 4 to a circuit board is connected to a bonding part to become a wire connecting part of the board to a lead 3 via a conductive wire 6. In such an electronic device, its bonding part is formed of a plurality of wire bonding regions 10 to be electrically connected as a connecting object of a single wire 6, and an end of the wire 6 is connected to the one region 10 of the bonding part. For example, the two regions 10 to be an object to be connected to the single wire 6 are formed on the semiconductor element 4, and the three regions 10 are formed on the lead 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子装置およびこの電子
装置を製造するワイヤボンディング装置に関し、特にワ
イヤボンディングの信頼性向上が図れるワイヤボンディ
ング技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device and a wire bonding apparatus for manufacturing the electronic device, and more particularly to a wire bonding technique capable of improving reliability of wire bonding.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体装置，混成集積回路装置等電子装
置の組立において、半導体素子（チップ）や配線基板の
電極（パッド）等の第１ボンディング部と、リード等の
第２ボンディング部とをワイヤで接続する工程がある。
このワイヤボンディング工程において、前記第１ボンデ
ィング部と第２ボンディング部を金線やアルミニウム線
で自動的に接続する装置として、ワイヤボンディング装
置（ワイヤボンダ）が知られている。従来のワイヤボン
ダについては、たとえば、工業調査会発行「電子材料１
９９１年別冊号、平成３年１１月２２日発行、Ｐ９２〜
Ｐ９７に記載されている。この文献には、超音波熱圧着
法（ＴＳ法）、熱圧着法（ＴＣ法）および超音波法（Ｕ
Ｓ法）の内、特に超音波熱圧着法について記載されてい
る。また、この文献には、ワイヤボンダ主要ユニットに
おける認識装置にあっては、「現在ほとんどのワイヤボ
ンダがＣＣＤカメラを搭載し，記憶したパターンと明暗
度の一致度が高いパターンを画素毎にスキャン，演算検
出し位置決定する多値化相関方式をとっている。また、
階調や画素数を増加させ，認識分解能０．２μｍを達成
するメーカーもある。」旨記載されている。2. Description of the Related Art In the assembly of electronic devices such as semiconductor devices and hybrid integrated circuit devices, first bonding portions such as semiconductor elements (chips) and electrodes (pads) of wiring boards and second bonding portions such as leads are wired. There is a step of connecting with.
In this wire bonding step, a wire bonding device (wire bonder) is known as a device for automatically connecting the first bonding portion and the second bonding portion with a gold wire or an aluminum wire. Regarding the conventional wire bonder, for example, “Electronic Material 1” issued by Industrial Research Board
991 separate issue, published on November 22, 1991, P92-
P97. In this document, ultrasonic thermocompression bonding method (TS method), thermocompression bonding method (TC method) and ultrasonic wave method (U
S method), especially the ultrasonic thermocompression bonding method is described. In addition, in this document, the recognition device in the main unit of the wire bonder is described as follows. The multi-valued correlation method is used to determine the position.
Some manufacturers can increase the gradation and the number of pixels to achieve recognition resolution of 0.2 μm. Is stated. "

【０００３】一方、九州松下電器株式会社発行のカタロ
グ「ＳＭＴ高密度実装システム’９１−１１」のＰ２９
には、プラズマクリーニング装置が紹介されている。こ
のカタログには、このプラズマクリーニング装置は、セ
ンサ，サーマル，各種ＣＯＢ，ＨＩＣ等のボンディング
パッド表面洗浄活性化を目的として開発された装置であ
る旨記載されている。そして、ダイマウンタ，ワイヤボ
ンダの前工程として、アルゴンプラズマ中で基板をドラ
イ洗浄することにより、高いボンディング信頼性が実現
できると記載されている。On the other hand, P29 of the catalog "SMT high-density mounting system '91 -11" issued by Kyushu Matsushita Electric Co., Ltd.
Introduces a plasma cleaning device. This catalog describes that this plasma cleaning device is a device developed for the purpose of activating the cleaning of the bonding pad surface of sensors, thermals, various COBs, HICs and the like. It is described that high bonding reliability can be realized by dry-cleaning the substrate in argon plasma as a pre-process of the die mounter and the wire bonder.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のワイヤボンディ
ング装置は、ローディング位置にある半導体素子（チッ
プ）が固定されたリードフレームを、ローダによって順
次ワイヤボンディング位置に送り出すとともに、認識装
置によってチップやリードフレームのワイヤボンディン
グ位置を検出し、かつワイヤボンディング位置を自動的
にアライメントしてワイヤボンディングする構造となっ
ている。また、ワイヤボンディング処理されたリードフ
レームは、順次アンローダによってアンローディング位
置に送られて所定のマガジン等に収容されるようになっ
ている。このようなワイヤボンディング装置にあって
は、チップやリードフレームのボンディング領域（パッ
ド：ボンディング点）に塵や汚れが付いていてもワイヤ
ボンディングが行われる。塵や汚れが付いている部分に
ワイヤが接続されるとボンディングの信頼度が低下す
る。ワイヤボンディング後に目視によって外観検査を行
い、ワイヤボンディング領域に塵や汚れの有るものは不
良として排除できるが、ボンディング部分に隠れた塵や
汚れがある場合は目視できないため次工程に運ばれてし
まう。これにより、ボンディングの信頼性が低くなると
ともに、ワイヤボンディング歩留りも低下してしまう。In a conventional wire bonding apparatus, a lead frame having a semiconductor element (chip) at a loading position fixed thereto is sequentially sent to a wire bonding position by a loader, and a chip and a lead frame are recognized by a recognition device. The wire bonding position is detected, and the wire bonding position is automatically aligned to perform wire bonding. Further, the lead frame subjected to the wire bonding process is sequentially sent to the unloading position by the unloader and accommodated in a predetermined magazine or the like. In such a wire bonding apparatus, wire bonding is performed even if the bonding area (pad: bonding point) of the chip or the lead frame is dusty or dirty. If a wire is connected to a dusty or dirty part, the reliability of bonding will be reduced. After wire bonding, a visual inspection is visually performed to remove dust or dirt in the wire bonding area as a defect, but if there is dust or dirt hidden in the bonding portion, it cannot be visually observed and is taken to the next step. This lowers the reliability of bonding and also lowers the wire bonding yield.

【０００５】一方、ワイヤボンディングの信頼性を高く
するために、前記文献に記載されているように、ワイヤ
ボンディング前にワイヤボンディングパッド表面を清浄
化し、その後ワイヤボンディングを行う技術が開発され
ている。On the other hand, in order to increase the reliability of wire bonding, a technique has been developed in which the surface of the wire bonding pad is cleaned before the wire bonding and then the wire bonding is performed, as described in the above document.

【０００６】本発明の目的は、ワイヤボンディングの信
頼性が高い電子装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electronic device with high reliability of wire bonding.

【０００７】本発明の目的は、ワイヤボンディングの信
頼性が高いワイヤボンディング装置を提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a wire bonding apparatus with high reliability of wire bonding.

【０００８】本発明の目的は、電子装置におけるワイヤ
ボンディングの信頼性を高めることができる電子部品お
よび配線基板を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electronic component and a wiring board which can improve the reliability of wire bonding in an electronic device.

【０００９】本発明の他の目的は、ワイヤボンディング
歩留りの向上を達成できるワイヤボンディング技術を提
供することにある。本発明の前記ならびにそのほかの目
的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から
あきらかになるであろう。Another object of the present invention is to provide a wire bonding technique capable of improving the wire bonding yield. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。半導体素子等の電子部品や配線基板
のワイヤ接続部（ボンディング部：第１ボンディング
部）と、配線基板の配線層やリードフレームにおけるリ
ードのワイヤ接続部（ボンディング部：第２ボンディン
グ部）をワイヤで接続してなる電子装置において、前記
ボンディング部は単一のワイヤの接続対象として相互に
電気的に繋がる複数のワイヤボンディング領域で構成さ
れているとともに、前記ワイヤの先端は前記ボンディン
グ部における複数のワイヤボンディング領域の一つに接
続されている。ワイヤが接続されたワイヤボンディング
領域は塵や汚れが存在しない面となっている。このよう
な電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板なら
びにリードフレームのボンディング部は、単一のワイヤ
の接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイヤボ
ンディング領域で構成されている。前記電子部品の一つ
として半導体素子があり、半導体素子の各ボンディング
部もそれぞれ複数のワイヤボンディング領域で形成され
ている。The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. Wires are used to connect electronic components such as semiconductor elements and the wire connection part of the wiring board (bonding part: first bonding part) and the wire connection part of the wiring layer of the wiring board and lead in the lead frame (bonding part: second bonding part). In the connected electronic device, the bonding portion is composed of a plurality of wire bonding regions electrically connected to each other as a single wire connection target, and the tip of the wire is a plurality of wires in the bonding portion. It is connected to one of the bonding areas. The wire bonding area to which the wires are connected is a surface free from dust and dirt. The electronic parts, the wiring board, and the bonding portion of the lead frame incorporated in such an electronic device are composed of a plurality of wire bonding regions electrically connected to each other as a single wire connection target. A semiconductor element is one of the electronic components, and each bonding portion of the semiconductor element is also formed of a plurality of wire bonding regions.

【００１１】前記電子装置の製造に使用される本発明の
ワイヤボンディング装置は、前記ワイヤ接続部の表面を
検出する表面検出装置と、この表面検出装置による情報
によってワイヤボンディングをしないことを含みワイヤ
ボンディング箇所を決定する制御部と、前記制御部の制
御によって所望のワイヤボンディング領域間のワイヤボ
ンディングを行うボンディングツールとを有し、塵や汚
れのないワイヤボンディング領域にワイヤを接続するよ
うになっている。The wire bonding apparatus of the present invention used for manufacturing the electronic device includes a surface detecting device for detecting the surface of the wire connecting portion, and a wire bonding method in which wire bonding is not performed based on information from the surface detecting device. It has a control unit that determines the location and a bonding tool that performs wire bonding between desired wire bonding regions under the control of the control unit, and connects wires to a wire bonding region that is free from dust and dirt. .

【００１２】本発明の他のワイヤボンディング装置は、
前記ワイヤ接続部（ボンディング部）の表面の塵や汚れ
を検出する表面検出装置と、前記ワイヤ接続部表面に塵
や汚れが存在した際動作して前記ワイヤ接続部表面にレ
ーザ光を照射して塵や汚れを消滅させるレーザ装置とを
有し、塵や汚れのないワイヤ接続部にワイヤを接続する
ようになっている。Another wire bonding apparatus of the present invention is
A surface detection device for detecting dust or dirt on the surface of the wire connection portion (bonding portion), and operating when dust or dirt is present on the surface of the wire connection portion to irradiate the surface of the wire connection portion with laser light. A laser device for eliminating dust and dirt is provided, and the wire is connected to a wire connection portion free from dust and dirt.

【００１３】[0013]

【作用】上記した手段によれば、本発明の電子装置にあ
っては、第１ボンディング部および第２ボンディング部
は単一のワイヤの接続対象として相互に電気的に繋がる
複数のワイヤボンディング領域で構成されていて、塵や
汚れの存在しないワイヤボンディング領域にワイヤが接
続されていることから、ワイヤボンディングの信頼性が
高くなる。また、この電子装置に組み込まれる半導体素
子等の電子部品および配線基板ならびにリードフレーム
は、そのワイヤ接続部が、単一のワイヤの接続対象とな
る複数のワイヤボンディング領域で構成されていること
から、塵や汚れのないワイヤボンディング領域を探して
ワイヤボンディングできるため、電子装置の組み立てに
使用された場合、電子装置におけるワイヤボンディング
の信頼度を高くできる。According to the above-mentioned means, in the electronic device of the present invention, the first bonding portion and the second bonding portion are the plurality of wire bonding regions electrically connected to each other as a single wire connection target. Since the wire is connected to the wire bonding area free from dust and dirt, the reliability of wire bonding is increased. Further, in the electronic component such as a semiconductor element and the wiring board and the lead frame to be incorporated in this electronic device, since the wire connection portion is composed of a plurality of wire bonding regions to which a single wire is connected, Since wire bonding can be performed by searching for a wire bonding area free of dust and dirt, the reliability of wire bonding in an electronic device can be increased when it is used for assembling an electronic device.

【００１４】上記した手段によれば、本発明のワイヤボ
ンディング装置は、単一のワイヤの接続対象となる相互
に電気的に繋がる複数のワイヤボンディング領域で構成
されたボンディング部に対してワイヤボンディングを行
うようになっているとともに、ワイヤボンディング領域
の表面の塵や汚れの有無を検出し、塵や汚れの存在しな
いワイヤボンディング領域にワイヤを接続するため、ワ
イヤボンディングの信頼性の高い電子装置を製造するこ
とができる。According to the above-mentioned means, the wire bonding apparatus of the present invention performs the wire bonding on the bonding portion composed of the plurality of wire bonding regions electrically connected to each other, which are the objects of connection of the single wire. In addition, it detects the presence or absence of dust or dirt on the surface of the wire bonding area and connects the wire to the wire bonding area where there is no dust or dirt, thus manufacturing an electronic device with high wire bonding reliability. can do.

【００１５】上記した手段によれば、本発明の他のワイ
ヤボンディング装置は、ワイヤ接続部の表面の塵や汚れ
の有無を検出し、塵や汚れが存在した場合、塵や汚れに
レーザ光を照射して前記塵や汚れを消滅させ、その後ワ
イヤを接続するため、ワイヤボンディングの信頼性の高
い電子装置を製造することができる。According to the above means, the other wire bonding apparatus of the present invention detects the presence or absence of dust or dirt on the surface of the wire connecting portion, and when dust or dirt is present, the dust or dirt is irradiated with a laser beam. Since the dust and dirt are erased by irradiation to connect the wires thereafter, it is possible to manufacture an electronic device with high reliability of wire bonding.

【００１６】[0016]

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明による半導体装置の要部を示
す平面図、図２は同じく模式的断面図、図３は同じく半
導体装置の断面図、図４は本発明による半導体素子およ
び一部のリードの模式的平面図、図５は本発明のワイヤ
ボンディング装置の要部を示す正面図、図６は同じくワ
イヤボンディング装置の平面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a plan view showing an essential part of a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view of the same, FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor device of the same, and FIG. 4 is a schematic view of a semiconductor element and some leads according to the present invention. FIG. 5 is a front view showing a main part of the wire bonding apparatus of the present invention, and FIG. 6 is a plan view of the wire bonding apparatus.

【００１７】本発明の電子装置、すなわち集積回路装置
等からなる半導体装置１は、外観的には図３に示すよう
に、パッケージ２と、このパッケージ２の周囲から突出
するリード３とからなっている。また、前記パッケージ
２内の中央には半導体素子（チップ）４が位置してい
る。前記チップ４はタブ５上に固定されている。このチ
ップ４の表面には多数のワイヤ接続部（ワイヤボンディ
ング領域）が設けられているが、これらのワイヤボンデ
ィング領域の幾つかに、図１に示すようにワイヤ６の一
端が固定されている。前記ワイヤ６の他端は図１にも示
すように、前記タブ５の周囲に内端を臨ますリード３の
内端部分に接続されている。An electronic device of the present invention, that is, a semiconductor device 1 comprising an integrated circuit device or the like, as shown in FIG. 3 in appearance, comprises a package 2 and leads 3 projecting from the periphery of the package 2. There is. A semiconductor element (chip) 4 is located in the center of the package 2. The tip 4 is fixed on the tab 5. Although many wire connecting portions (wire bonding areas) are provided on the surface of the chip 4, one end of the wire 6 is fixed to some of these wire bonding areas as shown in FIG. The other end of the wire 6 is connected to the inner end portion of the lead 3 which faces the inner end around the tab 5 as shown in FIG.

【００１８】半導体装置１にあっては、図１に示すよう
に、ワイヤ６は半導体素子４およびリード３において、
あらかじめ設定された複数のワイヤボンディング領域の
どれかに接続されている。すなわち、ワイヤボンディン
グにおいて、たとえば半導体素子４のワイヤボンディン
グパッド（ワイヤ接続部）を第１ボンディング部（ボン
ディング部）とし、リード３の内端部分表面（ワイヤ接
続部）を第２ボンディング部（ボンディング部）とした
場合、従来は前記第１ボンディング部および第２ボンデ
ィング部は、単一のワイヤボンディング領域となってい
る。これに対して本発明では第１ボンディング部および
第２ボンディング部は、単一のワイヤの接続対象とする
ワイヤボンディング領域１０が、図４において示すよう
に、半導体素子４においては２箇所、リード３において
は３箇所設定されている。このワイヤボンディング領域
１０は、ワイヤ６の太さによっても異なるが、たとえば
直径２５μｍの場合には、一辺が８０〜１００μｍの正
方形領域となる。In the semiconductor device 1, as shown in FIG.
It is connected to one of a plurality of preset wire bonding areas. That is, in wire bonding, for example, the wire bonding pad (wire connection part) of the semiconductor element 4 is used as the first bonding part (bonding part), and the inner end surface (wire connection part) of the lead 3 is used as the second bonding part (bonding part). In the above, the first bonding portion and the second bonding portion are conventionally a single wire bonding region. On the other hand, in the present invention, in the first bonding portion and the second bonding portion, the wire bonding region 10 to which a single wire is connected has two positions in the semiconductor element 4 and the leads 3 as shown in FIG. In, three locations are set. Although this wire bonding region 10 varies depending on the thickness of the wire 6, for example, when the diameter is 25 μm, it is a square region having one side of 80 to 100 μm.

【００１９】本発明の半導体素子４にあっては、単一の
ワイヤの接続対象となる第１ボンディング部（ボンディ
ング部）は、２箇所のワイヤボンディング領域１０で形
成されている。この２つのワイヤボンディング領域１０
は、長方形パターン内に隣合って設けられるパターン
（隣接パターン１１）と、離れた位置に設けられたパタ
ーン（分離パターン１２）とからなっている。前記分離
パターン１２では、相互に離れた位置に設けられたワイ
ヤボンディング領域１０は、連結部１３によって電気的
に接続されている。なお、説明の便宜上、隣接パターン
１１においては、隣合う二つのワイヤボンディング領域
１０の境界を示すため線を記入してある。また、前記隣
接パターン１１および分離パターン１２において、１つ
は正式ボンディング箇所となり、他は予備ボンディング
箇所となっている。図４において、正式ボンディング箇
所にはＡなる文字を付し、予備ボンディング箇所にはＢ
なる文字を付してある。この例では説明の便宜上、予備
ボンディング箇所は１つとなっているが、半導体素子４
の表面の面積によってはさらに多数設けるのが望まし
い。また、この例では、図１および図２に示すように、
半導体素子４における右側中央の第１ボンディング部に
おいて予備ボンディング箇所にワイヤ６が接続され、他
の第１ボンディング部においては全て正式ボンディング
箇所にワイヤ６が接続された例を示す。したがって、前
記予備ボンディング箇所にワイヤ６が接続された右側中
央の第１ボンディング部の正式ボンディング箇所には汚
れ（塵）１５が存在していることになる。しかし、半導
体素子４において、ワイヤ６の全ては塵や汚れのないワ
イヤボンディング領域１０に接続されていることにな
る。ワイヤボンディングはクリーンルームやクリーンな
雰囲気で行われるが、クリーン化は必ずしも完全ではな
く、前記のように一部で塵等が付着する場合がある。ま
た、リードフレームの取扱時に塵や汚れが付着する場合
もある。In the semiconductor element 4 of the present invention, the first bonding portion (bonding portion) to which a single wire is connected is formed of two wire bonding regions 10. These two wire bonding areas 10
Is composed of a pattern (adjacent pattern 11) provided adjacent to each other in the rectangular pattern and a pattern (separation pattern 12) provided at a distant position. In the separation pattern 12, the wire bonding regions 10 provided at positions separated from each other are electrically connected by the connecting portion 13. For convenience of explanation, in the adjacent pattern 11, a line is drawn to indicate the boundary between two adjacent wire bonding regions 10. In the adjacent pattern 11 and the separation pattern 12, one is a formal bonding site and the other is a preliminary bonding site. In FIG. 4, the letter A is attached to the formal bonding portion and B is attached to the preliminary bonding portion.
Is attached. In this example, the number of pre-bonding points is one for convenience of description, but the semiconductor element 4
It is desirable to provide a larger number depending on the surface area of the. Further, in this example, as shown in FIG. 1 and FIG.
An example is shown in which the wire 6 is connected to the preliminary bonding portion in the first bonding portion at the center of the right side of the semiconductor element 4, and the wire 6 is connected to all the official bonding portions in the other first bonding portions. Therefore, the dirt (dust) 15 is present at the formal bonding portion of the first bonding portion at the center on the right side where the wire 6 is connected to the preliminary bonding portion. However, in the semiconductor element 4, all the wires 6 are connected to the wire bonding region 10 free from dust and dirt. Although wire bonding is performed in a clean room or a clean atmosphere, the cleaning is not always complete, and dust or the like may adhere to a part of the area as described above. In addition, dust or dirt may adhere when handling the lead frame.

【００２０】一方、前記リード３の内端表面部分もワイ
ヤ接続部（ボンディング部：第２ボンディング部）とな
る。この第２ボンディング部は、一般にリード３が長く
かつその幅も０．１５〜０．２５ｍｍと広い。したがっ
て、従来の場合は、第２ボンディング部として所定の一
箇所をワイヤ接続部として設定している。これに対して
本発明では、実際には線で示されているわけではない
が、説明の便宜上枠線で示すが、図４に示すように、リ
ード３の第２ボンディング部には三つのワイヤボンディ
ング領域１０が設けられている。このワイヤボンディン
グ領域１０は、実施例では連続的に設けられているが、
リードにあってはボンディング部としての面積に余裕が
あることから、連続的に設けられていても良く、また一
定間隔離して設けられていても良い。図４において、リ
ードにおける正式ボンディング箇所にはＡなる文字を付
し、予備ボンディング箇所にはＢなる文字を付してあ
る。そして、たとえば先端側のワイヤボンディング領域
１０が正式ボンディング箇所となり、残りの二つのワイ
ヤボンディング領域１０が予備ボンディング箇所となっ
ている。ワイヤ６は正式ボンディング箇所に優先的に接
続されるが、正式ボンディング箇所に塵や汚れがある場
合は、二つの予備ボンディング箇所のいずれにか接続さ
れる。そして、製品状態にある半導体装置１にあって
は、ワイヤ６は全て塵や汚れのないリード３におけるワ
イヤボンディング領域１０に接続されている。この例で
は、図１および図２に示すように、ワイヤ６は左側中央
のリード３にあっては予備ボンディング箇所に接続され
ているが、他のリード３では全て正式ボンディング箇所
に接続されている。したがって、図１に示す左側中央の
リード３の正式ボンディング箇所には、汚れ（塵）１５
が存在していることになる。また、図２における破線で
示すワイヤ６は、半導体素子４およびリード３の正式ボ
ンディング箇所にワイヤ６が接続される場合の状態を示
すものである。On the other hand, the inner end surface portion of the lead 3 also serves as a wire connecting portion (bonding portion: second bonding portion). In this second bonding portion, the lead 3 is generally long and its width is wide, 0.15-0.25 mm. Therefore, in the conventional case, a predetermined one portion is set as the wire connecting portion as the second bonding portion. On the other hand, in the present invention, although not actually shown by a line, it is shown by a frame line for convenience of description, but as shown in FIG. 4, the second bonding portion of the lead 3 has three wires. A bonding area 10 is provided. Although the wire bonding region 10 is continuously provided in the embodiment,
Since the lead has a sufficient area as a bonding portion, it may be continuously provided or may be provided with a certain interval. In FIG. 4, the letter A is attached to the formal bonding portion of the lead, and the letter B is attached to the preliminary bonding portion. Then, for example, the wire bonding region 10 on the tip side is a formal bonding site, and the remaining two wire bonding regions 10 are preliminary bonding sites. The wire 6 is preferentially connected to the formal bonding site, but if dust or dirt is found at the formal bonding site, it is connected to either of the two preliminary bonding sites. Then, in the semiconductor device 1 in the product state, all the wires 6 are connected to the wire bonding region 10 in the lead 3 free from dust and dirt. In this example, as shown in FIGS. 1 and 2, the wire 6 is connected to the pre-bonding point in the left center lead 3, but is connected to all the official bonding points in the other leads 3. . Therefore, dirt (dust) 15 is formed on the formal bonding portion of the lead 3 at the left center shown in FIG.
Will exist. Further, the wire 6 shown by the broken line in FIG. 2 shows a state in which the wire 6 is connected to the formal bonding portion of the semiconductor element 4 and the lead 3.

【００２１】このような半導体装置１にあっては、半導
体素子４における第１ボンディング部と、リード３にお
ける第２ボンディング部とを接続するワイヤ６は、塵や
汚れのないワイヤボンディング領域に接続されているこ
とから、ワイヤボンディングの信頼性が高くなる。In such a semiconductor device 1, the wire 6 connecting the first bonding portion of the semiconductor element 4 and the second bonding portion of the lead 3 is connected to the wire bonding area free from dust and dirt. Therefore, the reliability of wire bonding is increased.

【００２２】前記半導体装置１に組み込まれる半導体素
子４は、半導体装置１の組立におけるワイヤボンディン
グにおいて、塵や汚れの存在しないワイヤボンディング
領域にワイヤ６を接続できるため、ワイヤボンディング
の信頼性の高い半導体装置１を製造できることになると
ともに、半導体装置１の製造歩留りを向上させることが
できる。In the semiconductor element 4 incorporated in the semiconductor device 1, the wire 6 can be connected to the wire bonding region where dust and dirt do not exist in wire bonding in the assembly of the semiconductor device 1, so that the semiconductor having high reliability of wire bonding can be obtained. The device 1 can be manufactured, and the manufacturing yield of the semiconductor device 1 can be improved.

【００２３】前記半導体装置１の組立に使用されるリー
ドフレームは、半導体装置１の組立におけるリードフレ
ームのリードに対するワイヤボンディングにおいて、塵
や汚れの存在しないワイヤボンディング領域にワイヤ６
を接続できるため、ワイヤボンディングの信頼性の高い
半導体装置１を製造できることになるとともに、半導体
装置１の製造歩留りを向上させることができる。The lead frame used for assembling the semiconductor device 1 has a wire 6 in a wire bonding area free from dust or dirt in wire bonding to the lead of the lead frame in assembling the semiconductor device 1.
Therefore, the semiconductor device 1 with high reliability of wire bonding can be manufactured, and the manufacturing yield of the semiconductor device 1 can be improved.

【００２４】つぎに、このような半導体装置１、すなわ
ち、ボンディング部が複数のワイヤボンディング領域で
形成されている半導体素子４やリード３を有する半導体
装置１の製造に使用されるワイヤボンディング装置につ
いて説明する。ワイヤボンディング装置は、図５の正面
図および図６の平面図に示すように、左側から右側に向
かってローダ２０，ガイドテーブル２１，アンローダ２
２が並ぶとともに、前記ガイドテーブル２１の後側には
表面検査機構２５，ワイヤボンディング機構２６，制御
部２７が配設されている。また、前記ガイドテーブル２
１の両側には、フレームフィーダ２８が設けられ、前記
ローダ２０の図示しないマガジンから送り出されたリー
ドフレーム３０をガイドテーブル２１に沿って間欠的に
移動させるようになっている。前記リードフレーム３０
は、前記表面検査機構２５が配設された検査ステーショ
ンでワイヤボンディング領域に塵や汚れが存在するか否
かを検査され、前記ワイヤボンディング機構２６が配設
されたボンディングステーションでワイヤボンディング
がなされるようになっている。また、前記ワイヤボンデ
ィングステーション部分においては、前記フレームフィ
ーダ２８から水素等の還元ガスが噴射され、リードフレ
ーム３０は還元性ガス雰囲気に晒される。一方、ワイヤ
ボンディングが終了したリードフレーム３０は、前記フ
レームフィーダ２８によってアンローダ２２の図示しな
いマガジンに順次収容されるようになっている。Next, a description will be given of a wire bonding apparatus used for manufacturing such a semiconductor device 1, that is, a semiconductor device 1 having a semiconductor element 4 and leads 3 each having a bonding portion formed by a plurality of wire bonding regions. To do. As shown in the front view of FIG. 5 and the plan view of FIG. 6, the wire bonding apparatus includes a loader 20, a guide table 21, and an unloader 2 from left to right.
The two are arranged side by side, and on the rear side of the guide table 21, a surface inspection mechanism 25, a wire bonding mechanism 26, and a control unit 27 are arranged. In addition, the guide table 2
Frame feeders 28 are provided on both sides of the lead frame 1, and lead frames 30 fed from a magazine (not shown) of the loader 20 are intermittently moved along the guide table 21. The lead frame 30
Is inspected for dust or dirt in the wire bonding area at an inspection station provided with the surface inspection mechanism 25, and wire bonding is performed at a bonding station provided with the wire bonding mechanism 26. It is like this. Further, in the wire bonding station portion, a reducing gas such as hydrogen is injected from the frame feeder 28, and the lead frame 30 is exposed to a reducing gas atmosphere. On the other hand, the lead frame 30 on which wire bonding has been completed is sequentially accommodated in a magazine (not shown) of the unloader 22 by the frame feeder 28.

【００２５】前記表面検査機構２５は、ＸＹテーブル３
１上に設置された本体３２と、この本体３２から前記ガ
イドテーブル２１の上方に延在するアーム３３と、この
アーム３３の先端に取り付けられた表面検査装置３４と
からなっている。前記表面検査装置３４は、検査ステー
ションに静止したリードフレーム３０を検査する。すな
わち、この表面検査装置３４は、前記リードフレーム３
０のタブ５上に固定された半導体素子４およびリード３
を検出し、かつ半導体素子４およびリード３におけるワ
イヤボンディング領域１０の表面の塵や汚れの有無を検
出する。そして、これらワイヤボンディング領域１０の
塵や汚れの有無の情報は、前記制御部２７に入力され
る。前記表面検査装置３４は、たとえば多値化パターン
認識装置やレーザ光変位センサ等で構成され、微細パタ
ーンの認識も可能となっている。The surface inspection mechanism 25 includes an XY table 3
1, a main body 32 installed on the upper surface of the guide 1, an arm 33 extending from the main body 32 to above the guide table 21, and a surface inspection device 34 attached to the tip of the arm 33. The surface inspection device 34 inspects the lead frame 30 stationary at the inspection station. That is, the surface inspection device 34 is configured so that the lead frame 3
Semiconductor element 4 and lead 3 fixed on tab 5 of 0.
In addition, the presence or absence of dust or dirt on the surface of the wire bonding region 10 in the semiconductor element 4 and the lead 3 is detected. Then, information on the presence or absence of dust or dirt in the wire bonding area 10 is input to the control unit 27. The surface inspection device 34 is composed of, for example, a multi-valued pattern recognition device, a laser light displacement sensor, etc., and is also capable of recognizing a fine pattern.

【００２６】前記ワイヤボンディング機構２６は、ＸＹ
テーブル３６上に設置されたボンディングヘッド３７
と、このボンディングヘッド３７から前記ガイドテーブ
ル２１上方に延在するボンディングアーム３８と、この
ボンディングアーム３８の先端に取り付けられたボンデ
ィングツール３９とからなっている。また、前記ボンデ
ィングヘッド３７からアーム４０が延在するとともに、
このアーム４０の先端には認識カメラ４１が取り付けら
れている。この認識カメラ４１は、ボンディングステー
ションに位置した半導体素子４やリード３のワイヤボン
ディング領域１０の位置を検出（認識）し、前記ボンデ
ィングツール３９によるワイヤボンディングが正しく行
われるようになっている。前記ボンディングツール３９
は、たとえば、ワイヤ６を案内する筒状のキャピラリー
となっている。なお、このワイヤボンディング機構２６
は、超音波熱圧着式であるが、熱圧着式あるいは超音波
式であっても良い。The wire bonding mechanism 26 is XY
Bonding head 37 installed on the table 36
And a bonding arm 38 extending from the bonding head 37 to above the guide table 21 and a bonding tool 39 attached to the tip of the bonding arm 38. In addition, the arm 40 extends from the bonding head 37,
A recognition camera 41 is attached to the tip of the arm 40. The recognition camera 41 detects (recognizes) the position of the semiconductor element 4 and the wire bonding region 10 of the lead 3 located at the bonding station, and the wire bonding by the bonding tool 39 is correctly performed. The bonding tool 39
Is, for example, a cylindrical capillary that guides the wire 6. The wire bonding mechanism 26
Is an ultrasonic thermocompression bonding type, but may be a thermocompression bonding type or an ultrasonic type.

【００２７】前記ワイヤボンディング機構２６は、前記
表面検査機構２５による情報に基づいて第１ボンディン
グ部および第２ボンディング部におけるワイヤ接続箇所
を選択する。これらの制御は制御部２７によって行われ
る。すなわち、半導体素子４にあっては、第１ボンディ
ング部はそれぞれ二つのワイヤボンディング領域１０に
よって形成されている。そこで、前記表面検査機構２５
は二つのワイヤボンディング領域１０のうち正式ボンデ
ィング箇所の表面を検査し、この正式ボンディング箇所
の表面に塵や汚れが存在するか否かを検出する。塵や汚
れが存在しない場合は、正式ボンディング箇所がワイヤ
ボンディングに適した第１ボンディング部と決定され
る。そして、表面検査はリードまたは半導体素子の他の
ボンディング部の検査に移る。また、塵や汚れが存在し
た場合は、前記表面検査機構２５は残りの予備ボンディ
ング箇所の表面を検出し、塵や汚れが存在するか否かを
検出する。塵や汚れが存在しない場合は、ワイヤボンデ
ィングに適した第１ボンディング部と決定される。しか
し、この予備ボンディング箇所の表面に塵や汚れが存在
した場合には、前記制御部２７において第１ボンディン
グ部にはワイヤボンディングに適した第１ボンディング
部が存在しないと判断される。したがって、この半導体
素子４がボンディングステーションに到った際、ワイヤ
ボンディング作業は停止される。また、この際、作業者
に異常を知らせる異常警報が作動する。The wire bonding mechanism 26 selects wire connection points in the first bonding portion and the second bonding portion based on the information from the surface inspection mechanism 25. These controls are performed by the control unit 27. That is, in the semiconductor element 4, each first bonding portion is formed by two wire bonding regions 10. Therefore, the surface inspection mechanism 25
Of the two wire bonding regions 10 inspects the surface of the formal bonding portion and detects whether or not dust or dirt is present on the surface of the formal bonding portion. When there is no dust or dirt, the official bonding location is determined as the first bonding section suitable for wire bonding. Then, the surface inspection shifts to inspection of the lead or other bonding portion of the semiconductor element. Further, when dust or dirt is present, the surface inspection mechanism 25 detects the surface of the remaining preliminary bonding portion to detect whether or not dust or dirt is present. When there is no dust or dirt, the first bonding portion suitable for wire bonding is determined. However, if dust or dirt is present on the surface of the preliminary bonding portion, the controller 27 determines that the first bonding portion does not have the first bonding portion suitable for wire bonding. Therefore, when the semiconductor element 4 reaches the bonding station, the wire bonding work is stopped. Further, at this time, an abnormality alarm is activated to inform the operator of the abnormality.

【００２８】このようなワイヤボンディング領域１０の
表面の塵や汚れの有無の検出は、リード３における第２
ボンディング部においても同様に行われる。すなわち、
リード３の第２ボンディング部は正式ボンディング箇所
および二つの予備ボンディング箇所からなっている。そ
こで、最初に正式ボンディング箇所の表面の塵や汚れの
有無が検出され、塵や汚れが存在しない場合はワイヤボ
ンディングに適した第２ボンディング部と決定されて表
面検査動作は次のワイヤ張り箇所に移る。しかし、正式
ボンディング箇所に塵や汚れが存在した場合には二つの
予備ボンディング箇所の一方の表面の検出がなされる。
塵や汚れが存在しなければ、この予備ボンディング箇所
がワイヤボンディングに適した第２ボンディング部と決
定され、塵や汚れが存在する場合には残っている予備ボ
ンディング箇所の表面の検出が行われる。塵や汚れが存
在しなければ、この予備ボンディング箇所が第２ボンデ
ィング部と決定され、塵や汚れが存在する場合にはこの
リード３には、ワイヤボンディングに適する第２ボンデ
ィング部が存在しないと判断される。The presence or absence of dust or dirt on the surface of the wire bonding area 10 is detected by the second lead 3
The same applies to the bonding section. That is,
The second bonding portion of the lead 3 comprises a formal bonding portion and two preliminary bonding portions. Therefore, the presence or absence of dust or dirt on the surface of the officially bonded portion is first detected, and if there is no dust or dirt, it is determined as the second bonding portion suitable for wire bonding, and the surface inspection operation is performed on the next wire tensioned portion. Move. However, if dust or dirt is present at the official bonding location, the surface of one of the two preliminary bonding locations is detected.
If there is no dust or dirt, this preliminary bonding portion is determined as the second bonding portion suitable for wire bonding, and if there is dust or dirt, the surface of the remaining preliminary bonding portion is detected. If there is no dust or dirt, this preliminary bonding portion is determined to be the second bonding portion, and if there is dust or dirt, it is determined that this lead 3 does not have a second bonding portion suitable for wire bonding. To be done.

【００２９】このようなワイヤボンディング装置にあっ
ては、検査ステーションで半導体素子４の第１ボンディ
ング部およびリード３の第２ボンディング部が検査さ
れ、次のボンディングステーションで塵や汚れが存在し
ないワイヤボンディング領域１０にワイヤボンディング
がなされる。また、第１ボンディング部または第２ボン
ディング部におけるワイヤボンディング領域１０が、ワ
イヤボンディングに適さない塵や汚れがある面である場
合は、自動的にワイヤボンディングが停止される。した
がって、一連のワイヤボンディングが終了して製造され
た半導体装置１にあっては、ワイヤボンディング部分に
は塵や汚れが介在しないため、ワイヤボンディング各部
の信頼性は高いものとなる。In such a wire bonding apparatus, the first bonding portion of the semiconductor element 4 and the second bonding portion of the lead 3 are inspected at the inspection station, and the next bonding station is free from dust and dirt. Wire bonding is performed on the region 10. Further, when the wire bonding region 10 in the first bonding portion or the second bonding portion is a surface having dust or dirt that is not suitable for wire bonding, wire bonding is automatically stopped. Therefore, in the semiconductor device 1 manufactured after a series of wire bonding is completed, dust and dirt are not present in the wire bonding portion, so that the reliability of each wire bonding portion is high.

【００３０】[0030]

【発明の効果】（１）本発明の電子装置は、ワイヤは塵
や汚れの存在しないワイヤ接続部に接続されていること
から、ワイヤボンディングの信頼性が高くなるという効
果が得られる。(1) In the electronic device of the present invention, since the wire is connected to the wire connecting portion free from dust and dirt, the reliability of wire bonding is enhanced.

【００３１】（２）本発明の半導体素子は、ワイヤを接
続する第１ボンディング部が複数のワイヤボンディング
領域で形成されていることから、半導体装置（電子装
置）の組立におけるワイヤボンディングにおいて、塵や
汚れの存在しないワイヤボンディング領域を選択してワ
イヤ接続できるため、半導体装置におけるワイヤボンデ
ィングの信頼性を高めることができるとともに、半導体
装置の製造歩留りを向上させることができるという効果
が得られる。(2) In the semiconductor element of the present invention, since the first bonding portion for connecting the wire is formed of a plurality of wire bonding regions, dust or dust may be generated during wire bonding in the assembly of the semiconductor device (electronic device). Since it is possible to select a wire bonding region where there is no dirt and connect the wires, the reliability of wire bonding in the semiconductor device can be improved, and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.

【００３２】（３）本発明のリードフレームは、ワイヤ
を接続するリードにおける第２ボンディング部が複数の
ワイヤボンディング領域を有するように形成されている
ことから、半導体装置（電子装置）の組立におけるワイ
ヤボンディングにおいて、塵や汚れの存在しないワイヤ
ボンディング領域を選択してワイヤ接続できるため、半
導体装置におけるワイヤボンディングの信頼性を高める
ことができるとともに、半導体装置の製造歩留りを向上
させることができるという効果が得られる。(3) Since the lead frame of the present invention is formed so that the second bonding portion of the lead connecting the wire has a plurality of wire bonding regions, the wire in the assembly of the semiconductor device (electronic device) In the bonding, since wire bonding regions free of dust and dirt can be selected and connected by wires, the reliability of wire bonding in the semiconductor device can be improved and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved. can get.

【００３３】（４）本発明のワイヤボンディング装置
は、第１ボンディング部および第２ボンディング部にお
ける正式ボンディング箇所の表面状態を検出し、塵や汚
れが存在しない場合はボンディング部と決定し、塵や汚
れが存在する場合は予備ボンディング箇所の表面検出に
移行する。そして、第１ボンディング部および第２ボン
ディング部に塵や汚れが存在しないワイヤボンディング
領域が存在するときにのみワイヤボンディングを行うよ
うになっていることから、半導体装置（電子装置）にお
けるワイヤボンディングの信頼性が向上するという効果
が得られる。(4) The wire bonding apparatus of the present invention detects the surface condition of the officially bonded portions in the first bonding portion and the second bonding portion, determines that there is no dust or dirt, and determines that it is the bonding portion. If dirt is present, the process proceeds to surface detection of the preliminary bonding portion. Since the wire bonding is performed only when the first and second bonding portions have the wire bonding region where dust and dirt are not present, the reliability of the wire bonding in the semiconductor device (electronic device) is improved. The effect that the property is improved is obtained.

【００３４】（５）本発明のワイヤボンディング装置
は、第１ボンディング部または第２ボンディング部のワ
イヤボンディング領域、すなわち、一組の正式ボンディ
ング箇所および予備ボンディング箇所が何れも塵や汚れ
が存在している場合、ワイヤボンディング動作を終了し
て作業者に知らせるようになっていることから、その後
の調整（修正）が可能となるため、ワイヤボンディング
の歩留り向上が達成できるという効果が得られる。(5) In the wire bonding apparatus of the present invention, the wire bonding area of the first bonding portion or the second bonding portion, that is, both the formal bonding portion and the preliminary bonding portion are dusty or dirty. If so, the wire bonding operation is terminated and the operator is notified, so that subsequent adjustment (correction) is possible, and the yield of wire bonding can be improved.

【００３５】（６）上記（１）〜（５）により、本発明
によればワイヤボンディングの信頼性が高い電子装置を
高歩留りで製造できるという相乗効果が得られる。(6) Due to the above (1) to (5), according to the present invention, a synergistic effect that an electronic device having high reliability of wire bonding can be manufactured with a high yield is obtained.

【００３６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では、第１ボンディング部においては二つの
ワイヤボンディング領域を用意するとともに、第２ボン
ディング部においては三つのワイヤボンディング領域を
用意したが、さらに多くのワイヤボンディング領域を用
意しても良い。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say, for example,
In the above-described embodiment, two wire bonding areas are prepared in the first bonding section and three wire bonding areas are prepared in the second bonding section, but more wire bonding areas may be prepared.

【００３７】図７は本発明によるワイヤボンディング装
置によって製造された混成集積回路装置の要部を示す模
式的平面図である。この図では、タブ５上に固定された
配線基板４３と、前記タブ５の周囲に内端を臨ませるリ
ード３の一部と、前記配線基板４３の表面に固定された
半導体素子４と、前記配線基板４３の一部の配線層等を
示すものである。この混成集積回路装置にあっては、ワ
イヤ接続部は、配線基板４３の周囲に設けられた第１ボ
ンディング部となるアウターボンディングパッド４４
と、前記タブ５の周囲に内端を臨ませるリード３の先端
表面部で形成される第２ボンディング部とがある。ま
た、配線基板４３内におけるワイヤ接続部は、前記配線
基板４３に固定された半導体素子４等の電子部品の電
極、すなわち第１ボンディング部となるボンディングパ
ッド４５と、このボンディングパッド４５にワイヤ６を
介して接続される導体層４６で形成される第２ボンディ
ング部となるインナーボンディングパッド４７がある。
そして、この例では前記第１ボンディング部および第２
ボンディング部は、何れも二つのワイヤボンディング領
域１０で形成されている。また、二つのワイヤボンディ
ング領域１０は、一方が正式ボンディング箇所となり、
他方が予備ボンディング箇所となる。図７において丸印
を付けたワイヤボンディング領域１０が正式ボンディン
グ箇所である。したがって、第１ボンディング部および
第２ボンディング部が複数のワイヤボンディング領域１
０で形成される混成集積回路装置は、その組立において
前記実施例と同様にワイヤ接続箇所を選択するワイヤボ
ンディングが可能となる。この結果、このような混成集
積回路装置のワイヤボンディングにあっては、塵や汚れ
の存在しないワイヤボンディング領域１０にワイヤ６を
接続することができる。なお、図７においては、電子部
品として半導体素子４のみを示してあるが、ワイヤボン
ディングを必要とする他の電子部品、たとえば、コンデ
ンサー等においても同様に適用できる。FIG. 7 is a schematic plan view showing a main part of a hybrid integrated circuit device manufactured by the wire bonding apparatus according to the present invention. In this figure, the wiring board 43 fixed on the tab 5, a part of the lead 3 whose inner end is exposed around the tab 5, the semiconductor element 4 fixed on the surface of the wiring board 43, It shows a part of the wiring layer of the wiring board 43. In this hybrid integrated circuit device, the wire connecting portion is the outer bonding pad 44 that is the first bonding portion provided around the wiring board 43.
And a second bonding portion formed on the tip surface portion of the lead 3 which faces the inner end around the tab 5. Further, the wire connecting portion in the wiring board 43 is an electrode of an electronic component such as the semiconductor element 4 fixed to the wiring board 43, that is, a bonding pad 45 serving as a first bonding portion, and a wire 6 on the bonding pad 45. There is an inner bonding pad 47 serving as a second bonding portion formed of the conductor layer 46 connected via the inner bonding pad 47.
In this example, the first bonding portion and the second bonding portion
Each of the bonding parts is formed of two wire bonding regions 10. In addition, one of the two wire bonding regions 10 is a formal bonding portion,
The other becomes the preliminary bonding location. The wire bonding region 10 marked with a circle in FIG. 7 is a formal bonding site. Therefore, the first bonding portion and the second bonding portion have a plurality of wire bonding regions 1.
In the assembly, the hybrid integrated circuit device formed by 0 can be wire bonded by selecting the wire connection point as in the above-described embodiment. As a result, in wire bonding of such a hybrid integrated circuit device, the wire 6 can be connected to the wire bonding region 10 free from dust and dirt. Note that, in FIG. 7, only the semiconductor element 4 is shown as an electronic component, but the same applies to other electronic components that require wire bonding, such as a capacitor.

【００３８】前記混成集積回路装置に組み込まれる配線
基板にあっては、ワイヤを接続する第１ボンディング部
および第２ボンディング部が、複数のワイヤボンディン
グ領域で形成されていることから、混成集積回路装置
（電子装置）の組立におけるワイヤボンディングにおい
て、塵や汚れの存在しないワイヤボンディング領域を選
択してワイヤ接続できるため、混成集積回路装置におけ
るワイヤボンディングの信頼性を高めることができると
ともに、混成集積回路装置の製造歩留りを向上させるこ
とができるという効果が得られる。In the wiring board incorporated in the hybrid integrated circuit device, since the first bonding portion and the second bonding portion for connecting the wires are formed by a plurality of wire bonding regions, the hybrid integrated circuit device is formed. In wire bonding in the assembly of (electronic device), a wire bonding region free from dust and dirt can be selected and connected to a wire, so that reliability of wire bonding in the hybrid integrated circuit device can be improved and the hybrid integrated circuit device The effect that the manufacturing yield of can be improved is obtained.

【００３９】図８〜図１０は本発明の他の実施例による
ワイヤボンディング装置を示すものである。このワイヤ
ボンディング装置は、構成的には前記図５および図６で
示すワイヤボンディング装置と略同様であるが、図８お
よび図９に示すように、検査ステーションに配設された
表面検査機構２５において、アーム３３の先端に表面検
査装置３４と並んでレーザ装置５０を配設した点が異な
る。このワイヤボンディング装置は、前記ワイヤボンデ
ィング装置のようにワイヤボンディング領域を選択しな
い。すなわち、図８および図９で示されるこの実施例の
ワイヤボンディング装置は、第１ボンディング部および
第２ボンディング部がそれぞれ一箇所となる従来の電子
装置の組立（製造）に使用される。このワイヤボンディ
ング装置は、検査ステーションにおいて表面検査装置３
４によって第１ボンディング部（ボンディング部）およ
び第２ボンディング部（ボンディング部）の表面の検出
を行う。そして、塵や汚れが存在した場合には、前記レ
ーザ装置５０からレーザ光を照射して瞬時に塵や汚れを
消滅させる。すなわち、図１０は概念的な図であるが、
ボンディング部５１の表面に汚れ（塵）１５が存在して
いる場合、上方のレーザ装置５０からレーザ光５２が汚
れ（塵）１５に対して照射される。この結果、前記汚れ
（塵）１５は灰化しかつ気化して消滅する。なお、前記
リードフレーム３０の表面には、前記フレームフィーダ
２８から窒素等の還元ガスが噴射されているため、レー
ザ光５２が半導体素子４やリード３のワイヤボンディン
グ領域１０に照射されても、レーザ光照射によって製品
が損なわれることはない。このようなワイヤボンディン
グ装置によれば、ワイヤボンディングの寸前でワイヤボ
ンディング領域１０の表面の塵や汚れが除去されること
から、ワイヤボンディング前の段階で半導体素子やリー
ドのワイヤボンディング領域に塵や汚れが付着した場合
でも、塵や汚れの存在しないワイヤボンディング領域
（ボンディング部）にワイヤを接続でき、ワイヤボンデ
ィングの信頼性を高めることができるとともに、ワイヤ
ボンディングの歩留りも向上することになる。8 to 10 show a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention. This wire bonding apparatus is structurally almost the same as the wire bonding apparatus shown in FIGS. 5 and 6, but as shown in FIGS. 8 and 9, in the surface inspection mechanism 25 provided in the inspection station. The difference is that a laser device 50 is arranged at the tip of the arm 33 along with the surface inspection device 34. This wire bonding apparatus does not select the wire bonding area unlike the wire bonding apparatus. That is, the wire bonding apparatus of this embodiment shown in FIGS. 8 and 9 is used for assembling (manufacturing) a conventional electronic device in which the first bonding portion and the second bonding portion are each located at one place. This wire bonding apparatus has a surface inspection apparatus 3 at an inspection station.
4, the surfaces of the first bonding portion (bonding portion) and the second bonding portion (bonding portion) are detected. If dust or dirt is present, laser light is emitted from the laser device 50 to instantly eliminate the dust or dirt. That is, although FIG. 10 is a conceptual diagram,
When the dirt (dust) 15 is present on the surface of the bonding portion 51, the laser light 52 is emitted from the laser device 50 above to the dirt (dust) 15. As a result, the dirt (dust) 15 is ashed and vaporized to disappear. Since a reducing gas such as nitrogen is jetted from the frame feeder 28 onto the surface of the lead frame 30, even if the laser light 52 is applied to the wire bonding region 10 of the semiconductor element 4 or the lead 3, the laser beam 52 is emitted. Light irradiation does not damage the product. According to such a wire bonding apparatus, dust and dirt on the surface of the wire bonding region 10 are removed just before wire bonding, so that dust and dirt on the wire bonding region of the semiconductor element and the lead before the wire bonding. Even when adhered, the wire can be connected to the wire bonding region (bonding portion) where dust or dirt does not exist, the reliability of wire bonding can be improved, and the yield of wire bonding is also improved.

【００４０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＩＣ等
の半導体装置の製造技術や混成集積回路装置の製造技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、他の電子装置の製造技術にも
適用できる。本発明は少なくとも二点間をワイヤで接続
する技術には適用できる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the manufacturing technology of the semiconductor device such as IC and the manufacturing technology of the hybrid integrated circuit device, which is the field of use in the background, has been described. The present invention is not limited to this, and can be applied to, for example, manufacturing techniques of other electronic devices. The present invention can be applied to a technique for connecting at least two points with a wire.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明による半導体装置の要部を示す平面図
である。FIG. 1 is a plan view showing a main part of a semiconductor device according to the present invention.

【図２】 本発明による半導体装置の要部を示す模式図
である。FIG. 2 is a schematic view showing a main part of a semiconductor device according to the present invention.

【図３】 本発明による半導体装置の模式的断面図であ
る。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention.

【図４】 本発明による半導体素子および一部のリード
の模式的平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view of a semiconductor device and some leads according to the present invention.

【図５】 本発明のワイヤボンディング装置の要部を示
す正面図である。FIG. 5 is a front view showing a main part of the wire bonding apparatus of the present invention.

【図６】 本発明のワイヤボンディング装置の要部を示
す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a main part of the wire bonding apparatus of the present invention.

【図７】 本発明の他の実施例による混成集積回路装置
の要部を示す模式的平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view showing a main part of a hybrid integrated circuit device according to another embodiment of the present invention.

【図８】 本発明の他の実施例によるワイヤボンディン
グ装置の要部を示す正面図である。FIG. 8 is a front view showing a main part of a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図９】 本発明の他の実施例によるワイヤボンディン
グ装置の要部を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing an essential part of a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図１０】 本発明の他の実施例によるワイヤボンディ
ング装置における塵や汚れの消滅状態を示す模式図であ
る。FIG. 10 is a schematic view showing a disappeared state of dust and dirt in a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…半導体装置、２…パッケージ、３…リード、４…半
導体素子、５…タブ、６…ワイヤ、１０…ワイヤボンデ
ィング領域、１１…隣接パターン、１２…分離パター
ン、１３…連結部、１５…汚れ（塵）、２０…ローダ、
２１…ガイドテーブル、２２…アンローダ、２５…表面
検査機構、２６…ワイヤボンディング機構、２７…制御
部、２８…フレームフィーダ、３０…リードフレーム、
３１…ＸＹテーブル、３２…本体、３３…アーム、３４
…表面検査装置、３６…ＸＹテーブル、３７…ボンディ
ングヘッド、３８…ボンディングアーム、３９…ボンデ
ィングツール、４０…アーム、４１…認識カメラ、４３
…配線基板、４４…アウターボンディングパッド、４５
…ボンディングパッド、４６…導体層、４７…インナー
ボンディングパッド、５０…レーザ装置、５１…ボンデ
ィング部、５２…レーザ光。1 ... Semiconductor device, 2 ... Package, 3 ... Lead, 4 ... Semiconductor element, 5 ... Tab, 6 ... Wire, 10 ... Wire bonding area, 11 ... Adjacent pattern, 12 ... Separation pattern, 13 ... Connection part, 15 ... Dirt (Dust), 20 ... loader,
21 ... Guide table, 22 ... Unloader, 25 ... Surface inspection mechanism, 26 ... Wire bonding mechanism, 27 ... Control unit, 28 ... Frame feeder, 30 ... Lead frame,
31 ... XY table, 32 ... Main body, 33 ... Arm, 34
... Surface inspection device, 36 ... XY table, 37 ... Bonding head, 38 ... Bonding arm, 39 ... Bonding tool, 40 ... Arm, 41 ... Recognition camera, 43
... Wiring board, 44 ... Outer bonding pad, 45
... bonding pad, 46 ... conductor layer, 47 ... inner bonding pad, 50 ... laser device, 51 ... bonding part, 52 ... laser light.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 電子部品や配線基板のワイヤ接続部とな
るボンディング部と、配線基板やリードのワイヤ接続部
となるボンディング部を導電性のワイヤで接続してなる
電子装置であって、前記ボンディング部は単一のワイヤ
の接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイヤボ
ンディング領域で構成されているとともに、前記ワイヤ
の先端は前記ボンディング部の一つのワイヤボンディン
グ領域に接続されていることを特徴とする電子装置。1. An electronic device in which a bonding portion serving as a wire connecting portion of an electronic component or a wiring board and a bonding portion serving as a wire connecting portion of a wiring substrate or a lead are connected by a conductive wire. The part is composed of a plurality of wire bonding regions electrically connected to each other as a connection target of a single wire, and the tip of the wire is connected to one wire bonding region of the bonding part. And electronic device. 【請求項２】 ワイヤ接続部となるボンディング部を有
する電子部品であって、前記ボンディング部は単一のワ
イヤの接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイ
ヤボンディング領域で構成されていることを特徴とする
電子部品。2. An electronic component having a bonding portion serving as a wire connecting portion, wherein the bonding portion is composed of a plurality of wire bonding regions electrically connected to each other as a connection target of a single wire. Characteristic electronic parts. 【請求項３】 ワイヤ接続部となるボンディング部を有
する配線基板であって、前記ボンディング部は単一のワ
イヤの接続対象として相互に電気的に繋がる複数のワイ
ヤボンディング領域で構成されていることを特徴とする
配線基板。3. A wiring board having a bonding portion to be a wire connecting portion, wherein the bonding portion is composed of a plurality of wire bonding regions electrically connected to each other as a connection target of a single wire. Characteristic wiring board. 【請求項４】 電子部品や配線基板のワイヤ接続部とな
るボンディング部と、配線基板やリードのワイヤ接続部
となるボンディング部を導電性のワイヤで接続してな
り、かつ前記ボンディング部は単一のワイヤの接続対象
として相互に電気的に繋がる複数のワイヤボンディング
領域で構成されている電子装置の製造に用いられるワイ
ヤボンディング装置であって、前記ボンディング部にお
けるワイヤ接続部の表面を検出する表面検出装置と、こ
の表面検出装置による情報によってワイヤボンディング
をしないことを含みワイヤボンディング箇所を決定する
制御部と、前記制御部の制御によって所望のワイヤボン
ディング領域間のワイヤボンディングを行うボンディン
グツールとを有することを特徴とするワイヤボンディン
グ装置。4. A bonding part, which serves as a wire connection part of an electronic component or a wiring board, and a bonding part, which serves as a wire connection part of a wiring board or a lead, are connected by a conductive wire, and the bonding part is a single piece. A wire bonding apparatus used in the manufacture of an electronic device including a plurality of wire bonding regions electrically connected to each other as a wire connection target, the surface detecting detecting a surface of a wire connecting part in the bonding part. An apparatus, a control unit that determines a wire bonding location including not performing wire bonding based on information from the surface detection device, and a bonding tool that performs wire bonding between desired wire bonding regions under the control of the control unit. A wire bonding device. 【請求項５】 二箇所のワイヤ接続部をワイヤで接続す
るワイヤボンディング装置であって、前記ワイヤ接続部
のボンディング表面の塵や汚れを検出する表面検出装置
と、前記ボンディング表面に塵や汚れが存在した際動作
して前記ボンディング表面にレーザ光を照射して塵や汚
れを消滅させるレーザ装置とを有することを特徴とする
ワイヤボンディング装置。5. A wire bonding apparatus for connecting two wire connecting portions with a wire, the surface detecting apparatus detecting dust and dirt on a bonding surface of the wire connecting portion, and dust and dirt on the bonding surface. And a laser device that operates when present to irradiate the bonding surface with laser light to eliminate dust and dirt.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003067649A1 (en) * 2002-02-05 2003-08-14 Toray Engineering Co., Ltd. Chip mounting method and device using it
JP2021027256A (en) * 2019-08-07 2021-02-22 浜松ホトニクス株式会社 Wire bonding device and semiconductor device manufacturing method
JP2022024646A (en) * 2020-07-28 2022-02-09 三菱電機株式会社 Manufacturing method of semiconductor device

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