JPH0864629A - Wire bonding method - Google Patents

Wire bonding method

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JPH0864629A
JPH0864629A JP6222753A JP22275394A JPH0864629A JP H0864629 A JPH0864629 A JP H0864629A JP 6222753 A JP6222753 A JP 6222753A JP 22275394 A JP22275394 A JP 22275394A JP H0864629 A JPH0864629 A JP H0864629A
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wire
wire bonding
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Abstract

PURPOSE: To obtain a wire bonding method in which the bonding state can be inspected without complicating the apparatus or lowering the productivity while ensuring high quality. CONSTITUTION: A camera 12 detects the positional shift at each bonding point between a plurality of electrodes of a semiconductor pellet 2 and a plurality of leads in a lead frame 3 and wire bonding is effected at actual bonding positions determined based on the positional shift thus detected. In such wire bonding method, the state of wire bonded previously is detected by means of a camera during one wire bonding operation thus deciding GO/NO-GO of wire bonding.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ペレットの電極
とリードフレームのリードとをワイヤボンディングする
ワイヤボンディング方法に係り、特にワイヤボンディン
グ状態の検査を良好に実施できるワイヤボンディング方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire bonding method for wire bonding an electrode of a semiconductor pellet and a lead of a lead frame, and more particularly to a wire bonding method capable of satisfactorily inspecting a wire bonding state.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ペレットの電極とリードフレーム
のリードとをワイヤボンディングした後には、半導体集
積回路の品質を確保するために、ボンディング点に対す
るワイヤの接合状態(以下「ボンディング状態」と称す
る。)を検査している。
2. Description of the Related Art After wire bonding an electrode of a semiconductor pellet and a lead of a lead frame, in order to secure the quality of a semiconductor integrated circuit, a wire is bonded to a bonding point (hereinafter referred to as "bonding state"). Are inspecting.

【0003】従来この検査は、例えば特開昭61ー148828
号公報に記載された技術を用いて行なわれていた。これ
によれば、ワイヤボンディング装置におけるボンディン
グ作業領域に下流側にボンディング状態検査領域を設定
し、この検査領域に設けたボンディング状態検査用カメ
ラにてワイヤボンディングの終了した半導体ペレットの
ボンディング状態を検査するものである。またこの公報
には、ボンディング状態の検査を、ワイヤボンディング
装置とは別個の装置で行なっても良いことが記載されて
いる。
Conventionally, this inspection is carried out, for example, in JP-A-61-148828.
It was carried out using the technique described in the publication. According to this, a bonding state inspection region is set on the downstream side in the bonding work region of the wire bonding apparatus, and the bonding state of the semiconductor pellet after wire bonding is inspected by the bonding state inspection camera provided in this inspection region. It is a thing. Further, this publication describes that the inspection of the bonding state may be performed by an apparatus separate from the wire bonding apparatus.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、ボンディン
グ位置の下流側に検査領域を設けたものにあっては、ワ
イヤボンディング装置に検査カメラ、この検査カメラの
支持手段、及びこの検査カメラ移動用のXYテーブル等
を設ける必要があることから、ワイヤボンディング装置
の部品点数が増え、ワイヤボンディング装置の煩雑化及
び大型化を招いてしまう。また、検査をワイヤボンディ
ング装置とは別個の装置で行なう場合には、ワイヤボン
ディングが完了したリードフレームを検査装置へ移送し
なければならず、検査に時間を要し、生産性が低下して
しまう。しかも、この移送の際に、リードフレームが振
動して、正常なワイヤループまでが変形し、品質が低下
する虞れがある。更に、すべてのリードフレームについ
てボンディング状態の検査を実施すると、ワイヤボンデ
ィングと同程度の時間を要するので、抜き取り検査を実
施する場合が多い。しかし、この抜き取り検査では、製
品の品質を充分に確保できない虞れがある。
However, in the case where the inspection area is provided on the downstream side of the bonding position, the inspection camera, the support means for the inspection camera, and the XY for moving the inspection camera are provided in the wire bonding apparatus. Since it is necessary to provide a table or the like, the number of parts of the wire bonding device increases, and the wire bonding device becomes complicated and large. Further, when the inspection is performed by a device different from the wire bonding device, the lead frame on which the wire bonding is completed must be transferred to the inspection device, which requires time for the inspection and lowers the productivity. . Moreover, during this transfer, the lead frame may vibrate and even normal wire loops may be deformed, resulting in deterioration of quality. Further, if the bonding state inspection is performed on all the lead frames, it takes about the same time as the wire bonding, and therefore the sampling inspection is often performed. However, there is a possibility that the quality of the product cannot be sufficiently ensured by this sampling inspection.

【0005】本発明は、上述の事情を考慮してなされた
ものであり、装置の複雑化や生産性の低下を招くことな
くボンディング状態を検査でき、更に製品の品質を良好
に確保できるワイヤボンディング方法を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and it is possible to inspect the bonding state without complicating the apparatus and lowering the productivity, and further to ensure good product quality. The purpose is to provide a method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、半導体ペレットの複数の電極とリードフレームの複
数のリードとにおける各ボンディング点の位置ずれ状態
をカメラを用いて検出し、検出した位置ずれ状態を用い
て算出した実際の各ボンディング位置にワイヤボンディ
ンを施すワイヤボンディング方法において、一ワイヤボ
ンディング動作中に、それ以前にワイヤボンディングさ
れたワイヤのボンディング状態を上記カメラにて検出
し、そのボンディング状態の良否を判定するようにした
ものである。
According to a first aspect of the present invention, a positional deviation state of each bonding point between a plurality of electrodes of a semiconductor pellet and a plurality of leads of a lead frame is detected and detected using a camera. In the wire bonding method of applying a wire bond to each actual bonding position calculated using the position shift state, during one wire bonding operation, the bonding state of the wire that was previously wire bonded is detected by the camera, The quality of the bonding state is determined.

【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のワイヤボンディング方法において、ボンディング状態
を不良と判定したとき、その後のワイヤボンディング動
作を中止するものである。
According to a second aspect of the present invention, in the wire bonding method according to the first aspect, when it is determined that the bonding state is defective, the subsequent wire bonding operation is stopped.

【0008】[0008]

【作用】従って、本発明に係るワイヤボンディング方法
によれば、ボンディング状態の検査が、ワイヤボンディ
ング位置を検出するカメラにより実施され、ボンディン
グ状態の検査専用のカメラが必要ないので、ワイヤボン
ディング装置の複雑化や大型化を招くことがなく、ワイ
ヤボンディング装置を簡素化できる。
Therefore, according to the wire bonding method of the present invention, the bonding state is inspected by the camera for detecting the wire bonding position, and a dedicated camera for inspecting the bonding state is not required. The wire bonding apparatus can be simplified without increasing the size or size.

【0009】また、ボンディング状態の検査は、その後
に実施されるワイヤボンディング中になされるので、こ
の検査時間をワイヤボンディングとは別枠で設定する必
要がない。このため、生産性を向上させることができ
る。
Since the inspection of the bonding state is carried out during the wire bonding which is carried out thereafter, it is not necessary to set the inspection time in a frame different from that for the wire bonding. Therefore, productivity can be improved.

【0010】更に、ワイヤボンディング状態の検査は、
その後に実施される抜き取り検査とは異なり、全てのワ
イヤボンディング位置について実施することができるの
で、製品の品質を向上させることができる。
Further, the inspection of the wire bonding state is
Unlike the sampling inspection performed after that, since it can be performed for all the wire bonding positions, the quality of the product can be improved.

【0011】また、請求項2に記載のワイヤボンディン
グ方法によれば、ワイヤボンディング状態が不良と判定
されたときに、そのペレットについてのワイヤボンディ
ングをその後中止するので、ワイヤを不必要に消費せず
無駄を省くことができるとともに、不良の原因を即座に
追及して修正できるので、製品の品質を向上させること
ができる。
According to the wire bonding method of the second aspect, when the wire bonding state is determined to be defective, the wire bonding for the pellet is stopped thereafter, so that the wire is not unnecessarily consumed. Waste can be eliminated and the cause of the defect can be immediately investigated and corrected, so that the quality of the product can be improved.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は、本発明に係るワイヤボンディング方法の
一実施例を実施するワイヤボンディング装置を示す構成
図である。図2は、図1のカメラで撮像された半導体ペ
レットの電極周りを示す画像図である。図3は、図1の
カメラで撮像されたリードフレームのリード周りを示す
画像図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a wire bonding apparatus for carrying out an embodiment of a wire bonding method according to the present invention. FIG. 2 is an image view showing the periphery of the electrodes of the semiconductor pellet, which is imaged by the camera of FIG. FIG. 3 is an image diagram showing the periphery of the lead of the lead frame imaged by the camera of FIG.

【0013】ワイヤボンディング装置1は、前工程にて
半導体ペレット2がマウントされたリードフレーム3の
搬送を案内する一対の案内レール4を有し、ボンディン
グ領域に対応するこのガイドレール4の側方に、案内レ
ール4の搬送方向及びこれと直交する方向に移動自在な
XYテーブル5が配置され、このXYテーブル5上にボ
ンディングヘッド6が載置されて構成される。
The wire bonding apparatus 1 has a pair of guide rails 4 for guiding the conveyance of the lead frame 3 on which the semiconductor pellets 2 are mounted in the previous step, and is provided on the side of the guide rail 4 corresponding to the bonding area. An XY table 5 that is movable in the transport direction of the guide rail 4 and a direction orthogonal to the guide rail 4 is arranged, and a bonding head 6 is mounted on the XY table 5.

【0014】ボンディングヘッド6にはボンディングア
ーム9及びトーチ電極10が支持され、ボンディングア
ーム9の先端部に、ワイヤ7を挿通するキャピラリ8が
装着される。このボンディングアーム9は、図示しない
アーム駆動機構により上下動させられる。また、トーチ
電極10は、その先端をキャピラリ8の直下に移動可能
とされて、キャピラリ8から突出したワイヤ7とトーチ
電極10との間に放電を生じさせ、ワイヤ7の先端にボ
ール11を形成する。
A bonding arm 9 and a torch electrode 10 are supported on the bonding head 6, and a capillary 8 through which a wire 7 is inserted is attached to the tip of the bonding arm 9. The bonding arm 9 is moved up and down by an arm driving mechanism (not shown). Further, the torch electrode 10 has its tip movable immediately below the capillary 8 to generate an electric discharge between the wire 7 protruding from the capillary 8 and the torch electrode 10 to form a ball 11 at the tip of the wire 7. To do.

【0015】また、ボンディングヘッド6にはカメラ1
2が固定支持される。このカメラ12は、キャピラリ8
の上方に位置されて、半導体ペレット2やリードフレー
ム3上を撮像可能とし、後述の如く、ボンディング点の
位置ずれの検出や、ボンディング点におけるワイヤボン
ディング状態の検査に用いられる。このカメラ12の視
野A中心は、キャピラリ8の直下に設定(カメラオフセ
ット0という)され、カメラ12の視野Aは、図2及び
図3に示すように、半導体ペレット2の複数の電極13
や、リードフレーム3の複数のリード14を一度に取り
込み可能な大きさに設定される。
The bonding head 6 has a camera 1
2 is fixedly supported. This camera 12 has a capillary 8
Of the semiconductor pellet 2 and the lead frame 3 can be imaged, and is used for detecting the positional deviation of the bonding point and inspecting the wire bonding state at the bonding point, as described later. The center of the field of view A of the camera 12 is set immediately below the capillary 8 (referred to as camera offset 0), and the field of view A of the camera 12 is, as shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of electrodes 13 of the semiconductor pellet 2.
Alternatively, the size is set so that the plurality of leads 14 of the lead frame 3 can be taken in at one time.

【0016】カメラ12で撮像された画像は、画像処理
装置15のA/D(アナログ・デジタル)変換器16へ
出力される。画像処理装置15は上記A/D変換器1
6、画像メモリ17、基準画像メモリ18、ボンディン
グ位置演算部19及びボンディング状態演算部20を有
して構成される。
The image captured by the camera 12 is output to the A / D (analog / digital) converter 16 of the image processing device 15. The image processing device 15 is the A / D converter 1 described above.
6, an image memory 17, a reference image memory 18, a bonding position calculation unit 19, and a bonding state calculation unit 20.

【0017】A/D変換器16が、カメラ12で撮像さ
れた画像をデジタル信号に変換し、画像メモリ17が、
このデジタル信号化された画像データを記憶する。
The A / D converter 16 converts the image picked up by the camera 12 into a digital signal, and the image memory 17
This digital signalized image data is stored.

【0018】ボンディング位置演算部19は、基準画像
メモリ18に予め記憶された基準画像データと、上記画
像メモリ17に記憶された画像データとを比較して、半
導体ペレット2における電極13上のボンディング点、
リードフレーム3におけるリード14上のボンディング
点の各基準位置からの位置ずれ量を求め、実際のボンデ
ィング点位置を演算する。
The bonding position calculation unit 19 compares the reference image data previously stored in the reference image memory 18 with the image data stored in the image memory 17, and determines the bonding point on the electrode 13 in the semiconductor pellet 2. ,
The amount of displacement of the bonding point on the lead 14 in the lead frame 3 from each reference position is obtained, and the actual bonding point position is calculated.

【0019】ボンディング状態演算部20は、基準画像
メモリ18に予め記憶された基準画像データ、すなわち
電極13上にボンディングされた圧着ボール11aの基
準画像データ(圧着ボール11aの大きさや接合位
置)、ボンディング時にリード14に形成される圧痕
(後述)21の基準画像データ(圧痕21の大きさや位
置)と、画像メモリ17に記憶された画像データとを比
較し、圧着ボール11aや圧痕21の良否を判定する。
The bonding state calculation unit 20 stores the reference image data stored in the reference image memory 18 in advance, that is, the reference image data of the pressure bonding ball 11a bonded on the electrode 13 (size and bonding position of the pressure bonding ball 11a), bonding. The reference image data (size and position of the indentation 21) of the indentation (described later) 21 that is sometimes formed on the lead 14 is compared with the image data stored in the image memory 17, and the quality of the crimp ball 11a and the indentation 21 is determined. To do.

【0020】制御装置22は、XYテーブル5、A/D
変換器16、ボンディングアーム9および画像処理装置
15を制御する。つまり、制御装置22は、XYテーブ
ル5を制御してカメラ12を移動させ、また、画像処理
装置15を制御して、電極13に、リード14における
各ボンディング点の位置ずれ量を検出させ、さらに、X
Yテーブル5およびボンディングアーム9を制御して、
キャピラリ8により、対応する電極13とリード14に
おける各ボンディング点間をワイヤボンディングさせ
る。また、制御装置22は、上記ワイヤボンディングと
同時に、その前にワイヤボンディングされたワイヤ7の
ボンディング状態をカメラ12にて取り込み、画像処理
装置15のボンディング状態演算部20によりそのボン
ディング状態を検査し良否を判定させる。
The control device 22 includes an XY table 5 and an A / D.
It controls the converter 16, the bonding arm 9 and the image processing device 15. That is, the control device 22 controls the XY table 5 to move the camera 12, and also controls the image processing device 15 to cause the electrode 13 to detect the positional deviation amount of each bonding point on the lead 14, and , X
By controlling the Y table 5 and the bonding arm 9,
By the capillary 8, wire bonding is performed between the corresponding electrode 13 and each bonding point on the lead 14. At the same time as the wire bonding, the control device 22 takes in the bonding state of the wire 7 previously bonded by the camera 12 and inspects the bonding state by the bonding state calculation unit 20 of the image processing device 15. To judge.

【0021】次に、作用を説明する。リードフレーム3
がボンディング領域に位置決めされると、XYテーブル
5の駆動によってカメラ12が移動し、半導体ペレット
2上の所定部分(例えばコーナ部)を撮像する。そし
て、画像処理装置15のボンディング位置演算部19
は、公知のパターンマッチング法にて画像メモリ17に
記憶されたカメラ12の画像と基準画像メモリ18の基
準画像とを比較し、半導体ペレット2の基準位置からの
位置ずれ量を求め、この位置ずれ量から半導体ペレット
2の各電極13上のボンディング点の位置ずれ量を算出
する。次に、カメラ12は、リードフレーム3のリード
14を順次撮像する。そして、画像処理装置15のボン
ディング位置演算部19は、公知の特徴抽出法にてボン
ディング点の基準位置からの位置ずれ量を算出する。こ
のように各ボンディング点の位置ずれ量が算出される
と、ボンディング位置演算部19では、予め記憶された
基準位置と上記位置ずれ量とから、各ボンディング点の
実際の位置を演算により求める。
Next, the operation will be described. Lead frame 3
Is positioned in the bonding area, the camera 12 is moved by driving the XY table 5, and a predetermined portion (for example, a corner portion) on the semiconductor pellet 2 is imaged. Then, the bonding position calculation unit 19 of the image processing device 15
Compares the image of the camera 12 stored in the image memory 17 with the reference image of the reference image memory 18 by a known pattern matching method, obtains the amount of displacement of the semiconductor pellet 2 from the reference position, and this displacement The amount of displacement of the bonding point on each electrode 13 of the semiconductor pellet 2 is calculated from the amount. Next, the camera 12 sequentially images the leads 14 of the lead frame 3. Then, the bonding position calculation unit 19 of the image processing device 15 calculates the amount of displacement of the bonding point from the reference position by a known feature extraction method. When the positional deviation amount of each bonding point is calculated in this way, the bonding position calculation unit 19 calculates the actual position of each bonding point from the previously stored reference position and the positional deviation amount.

【0022】制御装置22は、上述のようにして求めら
れた半導体ペレット2の電極13並びに、リードフレー
ム3のリード14における実際のボンディング点位置
に、XYテーブル5及びボンディグアーム9を操作する
ことにてキャピラリ8を順次移動させてワイヤボンディ
ングを実施する。
The control device 22 operates the XY table 5 and the bonding arm 9 at the actual bonding point positions on the electrode 13 of the semiconductor pellet 2 and the lead 14 of the lead frame 3 obtained as described above. Then, the capillaries 8 are sequentially moved to perform wire bonding.

【0023】なお、ワイヤボンディング動作は、先端に
ボール11が形成されたワイヤ7を挿通したキャピラリ
8を半導体ペレット2の電極13上に下降させ、ワイヤ
7の先端のボール11をこの電極13に圧接させつつ超
音波振動を加えることにて接合し、その後、キャピラリ
8を所定の移動軌跡に従って、リードフレーム3のリー
ド14上に移動させ、ワイヤ7をこのリード14に圧接
させつつ超音波振動を加えることにて接合し、その後、
所定量キャピラリ8を上昇させ、ワイヤ7を切断するこ
とにてなされる。上記リード14へのボンディングによ
り、リード14には圧痕20(図3)が形成される。
In the wire bonding operation, the capillary 8 in which the wire 7 having the ball 11 formed at the tip is inserted is lowered onto the electrode 13 of the semiconductor pellet 2, and the ball 11 at the tip of the wire 7 is pressed against the electrode 13. While joining, by applying ultrasonic vibration, after that, the capillary 8 is moved onto the lead 14 of the lead frame 3 according to a predetermined movement trajectory, and ultrasonic vibration is applied while the wire 7 is pressed against the lead 14. Especially joined and then
This is done by raising the capillary 8 by a predetermined amount and cutting the wire 7. An indentation 20 (FIG. 3) is formed on the lead 14 by the bonding to the lead 14.

【0024】ところで、図2に示すように電極13bへ
のボンディング時には、カメラ12の視野A内には、電
極13bに隣接したボンディング済の電極13aの画像
も同時に取り込まれている。ボンディング状態演算部2
0は、公知のパターンマッチング法にてこの電極13a
にボンディングされた圧着ボール11aの画像データと
基準画像データとを比較し、圧着ボール11aの有無、
大きさ及び位置から、ボンディング状態を検査し良否を
判定する。また、図3に示すようにリード14bへのボ
ンディング時には、カメラ12の視野A内には、リード
14bに隣接したボンディング済のリード14aの画像
も同時に取り込まれている。ボンディング状態演算部2
0は、このリード14aに形成された圧痕20の画像デ
ータと基準画像データとを比較し、圧痕21の有無、大
きさ及び位置からボンディング状態を検査し良否を判定
する。
By the way, as shown in FIG. 2, at the time of bonding to the electrode 13b, the image of the bonded electrode 13a adjacent to the electrode 13b is also captured in the visual field A of the camera 12 at the same time. Bonding state calculator 2
0 is the electrode 13a according to a known pattern matching method.
The image data of the pressure-bonded ball 11a bonded to the base is compared with the reference image data to determine whether the pressure-bonded ball 11a is present or not,
From the size and the position, the bonding state is inspected to determine the quality. Further, as shown in FIG. 3, at the time of bonding to the lead 14b, the image of the bonded lead 14a adjacent to the lead 14b is also captured in the visual field A of the camera 12 at the same time. Bonding state calculator 2
For 0, the image data of the indentation 20 formed on the lead 14a is compared with the reference image data, and the bonding state is inspected based on the presence / absence, size and position of the indentation 21 to determine the quality.

【0025】なお、制御装置22は、画像処理装置15
が上述のボンディング状態の検査で「良」と判定したと
きにワイヤボンディング動作を続行させ、「不良」と判
定したときにその後のワイヤボンディング動作を中止す
る。尚、「不良」と判定されたときでも、その後のワイ
ヤボンディングを続行しても良い。
The control device 22 controls the image processing device 15
When the above-mentioned inspection of the bonding state determines "good", the wire bonding operation is continued, and when it is determined "bad", the subsequent wire bonding operation is stopped. Even when it is determined as “defective”, the subsequent wire bonding may be continued.

【0026】上記実施例によれば、ボンディング状態の
検査がボンディング位置検出用カメラ12を用いて実施
され、ボンディング状態検査専用のカメラを必要としな
いので、ワイヤボンディング装置1の複雑化や大型化を
招くことがなく、ワイヤボンディング装置1を簡素化で
きる。
According to the above-described embodiment, the bonding state is inspected by using the bonding position detecting camera 12, and a camera dedicated to the inspection of the bonding state is not required. Therefore, the wire bonding apparatus 1 is complicated and large in size. The wire bonding apparatus 1 can be simplified without inviting.

【0027】また、ボンディング状態の検査は、その後
に実施されるワイヤボンディング中になされるので、こ
の検査時間をワイヤボンディングとは別枠で設定する必
要がない。このため、ICなどの半導体集積回路の生産
性を向上させることができる。
Further, since the inspection of the bonding state is carried out during the wire bonding which is carried out thereafter, it is not necessary to set this inspection time separately from the wire bonding. Therefore, the productivity of semiconductor integrated circuits such as ICs can be improved.

【0028】更に、抜き取り検査とは異なり、全てのワ
イヤボンディング位置について実施されるので、製品の
品質を向上させることができる。
Further, unlike the sampling inspection, since it is carried out at all wire bonding positions, the quality of the product can be improved.

【0029】更に、ボンディング状態が不良と判定され
たときに、ワイヤボンディングが動作を中止するので、
ワイヤ7を不必要に消費せず、無駄を省くことができる
とともに、不良の原因を即座に追及して修正できるの
で、製品の品質をより一層向上させることができる。
Furthermore, when the bonding state is judged to be defective, the wire bonding stops its operation.
The wire 7 is not consumed unnecessarily, waste can be eliminated, and the cause of the defect can be immediately investigated and corrected, so that the quality of the product can be further improved.

【0030】なお、上記一実施例においては、直前にワ
イヤボンディングされた電極13、あるいはリード14
のボンディング状態を検出する例で説明したが、カメラ
12の視野A内に複数の電極13、あるいは複数のリー
ド14を同時に撮像可能であれば、複数単位で電極13
あるいはリード14のボンディング状態を検出するよう
にしてもよい。
In the above embodiment, the electrode 13 or the lead 14 which is wire-bonded immediately before is used.
The example in which the bonding state of the camera 12 is detected is described.
Alternatively, the bonding state of the lead 14 may be detected.

【0031】また、電極13とリード14とを同時に撮
像可能であれば、電極13のボンディング中にボンディ
ング済リード14のボンディング状態を、リード14の
ボンディング中にボンディング済電極13のボンディン
グ状態を検出するようにしてもよい。
If the electrodes 13 and the leads 14 can be imaged at the same time, the bonding state of the bonded leads 14 is detected during the bonding of the electrodes 13 and the bonding state of the bonded electrodes 13 is detected during the bonding of the leads 14. You may do it.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように、本発明に係るワイヤボン
ディング方法によれば、装置の複雑化や生産性の低下を
招くことなくボンディング状態を検査でき、更に製品の
品質を良好に確保できる。
As described above, according to the wire bonding method of the present invention, the bonding state can be inspected without complicating the apparatus and lowering the productivity, and the quality of the product can be ensured satisfactorily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、本発明に係るワイヤボンディング方法
の一実施例を実施するワイヤボンディング装置を示す構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a wire bonding apparatus for carrying out an embodiment of a wire bonding method according to the present invention.

【図2】図2は、図1のカメラで撮像された半導体ペレ
ットの電極周りを示す画像図である。
FIG. 2 is an image view showing the periphery of electrodes of a semiconductor pellet imaged by the camera of FIG.

【図3】図3は、図1のカメラで撮像されたリードフレ
ームのリード周りを示す画像図である。
FIG. 3 is an image diagram showing the periphery of a lead of a lead frame imaged by the camera of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ワイヤボンディング装置 2 半導体ペレット 3 リードフレーム 7 ワイヤ 11 ボール 12 カメラ 13 電極 14 リード 15 画像処理装置 20 ボンディング状態演算部 21 圧痕 22 制御装置 1 Wire Bonding Device 2 Semiconductor Pellet 3 Lead Frame 7 Wire 11 Ball 12 Camera 13 Electrode 14 Lead 15 Image Processing Device 20 Bonding State Calculation Unit 21 Indentation 22 Control Device

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ペレットの複数の電極とリードフ
レームの複数のリードとにおける各ボンディング点の位
置ずれ状態をカメラを用いて検出し、検出した位置ずれ
状態を用いて算出した実際の各ボンディング位置にワイ
ヤボンディンを施すワイヤボンディング方法において、
一ワイヤボンディング動作中に、それ以前にワイヤボン
ディングされたワイヤのボンディング状態を上記カメラ
にて検出し、そのボンディング状態の良否を判定するこ
とを特徴とするワイヤボンディング方法。
1. An actual bonding position calculated by using a camera to detect a positional deviation state of each bonding point between a plurality of electrodes of a semiconductor pellet and a plurality of leads of a lead frame, and detecting the positional deviation state using a camera. In the wire bonding method of applying a wire bond to
(1) A wire bonding method, wherein during the wire bonding operation, a bonding state of a wire that has been wire-bonded before that is detected by the camera, and the quality of the bonding state is judged.
【請求項2】 ボンディング状態を不良と判定したと
き、その後のワイヤボンディング動作を中止する請求項
1に記載のワイヤボンディング方法。
2. The wire bonding method according to claim 1, wherein when the bonding state is determined to be defective, the subsequent wire bonding operation is stopped.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2009093358A1 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus, and method for adjusting height of bonding stage on bonding apparatus
WO2022249262A1 (en) * 2021-05-25 2022-12-01 株式会社新川 Wire bonding system, inspection device, wire bonding method, and program

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009093358A1 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus, and method for adjusting height of bonding stage on bonding apparatus
US7886956B2 (en) 2008-01-24 2011-02-15 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus and bonding stage height adjustment method for the bonding apparatus
TWI402924B (en) * 2008-01-24 2013-07-21 Shinkawa Kk Jointing device
WO2022249262A1 (en) * 2021-05-25 2022-12-01 株式会社新川 Wire bonding system, inspection device, wire bonding method, and program

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