CN109003969A - 一种基于高密度显示的cob封装方法、系统及cob器件 - Google Patents

一种基于高密度显示的cob封装方法、系统及cob器件 Download PDF

Info

Publication number
CN109003969A
CN109003969A CN201810951373.5A CN201810951373A CN109003969A CN 109003969 A CN109003969 A CN 109003969A CN 201810951373 A CN201810951373 A CN 201810951373A CN 109003969 A CN109003969 A CN 109003969A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit board
multilayer circuit
led chip
cob
high density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810951373.5A
Other languages
English (en)
Inventor
李宗涛
梁观伟
黄依婷
袁毅凯
李宏浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Foshan NationStar Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Foshan NationStar Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Foshan NationStar Optoelectronics Co Ltd filed Critical Foshan NationStar Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201810951373.5A priority Critical patent/CN109003969A/zh
Publication of CN109003969A publication Critical patent/CN109003969A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于高密度显示的COB封装方法,包括:S1,在多层线路板的底部电路上贴装驱动控制器件,所述多层线路板的底部电路上预留有探针测试触点;S2,将LED芯片固晶于多层线路板的表面电路上;S3,对多层线路板进行焊线处理以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极;S4,通过预留探针测试触点测试多层线路板上LED芯片的发光特性,并对发光特性异常的LED芯片进行更换或修复;S5,将修复后的多层线路板进行封装。本发明还公开了一种基于高密度显示的COB测试系统及COB器件。采用本发明,可在LED芯片封胶前先进行发光特性测试,提前发现LED芯片不良进而修复。

Description

一种基于高密度显示的COB封装方法、系统及COB器件
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域,尤其涉及一种基于高密度显示的COB封装方法、一种基于高密度显示的COB封装系统及一种COB器件。
背景技术
随着电子产品向高精度高密度的方向发展,COB封装已成为行业中主要的一体化产物。
现有的RGB COB封装技术多采用先封装LED芯片后贴装驱动控制原件的工艺流程。如,中国专利(申请号201210541191.3)“一种基于COB技术的LED显示屏封装工艺及LED显示屏”中明确记载了COB封装方法包括:清洗PCB—>扩张LED晶片—>固晶—>焊接LED晶片—>点胶—>刷锡膏并焊接控制器件—>测试并固化。因此,当贴装驱动控制原件后发现LED晶片不良时,已无法对LED晶片进行更换和修复,良率低。
同时,现有的焊线技术若将RGB COB贴装驱动控制原件后进行焊线,加热装置为了避让已贴装的驱动控制原件,加热面积将大大减少,加热装置将导致封装基板加热不充分,引线键合力不足。
另外,现有的测试技术通常对RGB显示像素单点进行测试,测试效率极低,在对高密度RGB COB进行测试时需要耗费的时间较长,测试成本较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种基于高密度显示的COB封装方法、系统及COB器件,可在LED芯片封胶前先进行发光特性测试,提前发现LED芯片不良进而修复。
本发明所要解决的技术问题还在于,提供一种基于高密度显示的COB封装方法、系统及COB器件,可采用红外加热方法对多层线路板进行辅助加热,实现焊线区的温度预热,避免焊线不良。
本发明所要解决的技术问题还在于,提供一种基于高密度显示的COB封装方法、系统及COB器件,可采用摄像头分区识别LED芯片的发光特性,大大提高测试效率。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种基于高密度显示的COB封装方法,包括:
S1,在多层线路板的底部电路上贴装驱动控制器件,所述多层线路板的底部电路上预留有探针测试触点;
S2,将LED芯片固晶于多层线路板的表面电路上;
S3,对多层线路板进行焊线处理以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极;
S4,通过预留探针测试触点测试多层线路板上LED芯片的发光特性,并对发光特性异常的LED芯片进行更换或修复;
S5,将修复后的多层线路板进行封装。
作为上述方案的改进,所述步骤S3包括:将多层线路板固定于加热基座上,并通过加热基座将多层线路板加热至设定温度;将红外加热器设于表面电路的上方,并通过红外加热器对多层线路板的表面电路进行辐射加热;利用焊线瓷嘴焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极。
作为上述方案的改进,所述红外加热器包括反射基板和设置于所述反射基板下方的红外线发热丝,所述反射基板设置有通孔;利用焊线瓷嘴焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极时,所述焊线瓷嘴置于通孔内。
作为上述方案的改进,所述加热基座包括用于固定多层线路板的轨道及用于支撑多层线路板的加热块,所述加热块上设有至少一个支撑脚,所述加热块通过支撑脚与多层线路板的底部连接。
作为上述方案的改进,所述步骤S4包括:通过测试装置对多层线路板上的LED芯片进行分区点亮;通过摄像头识别已点亮的区域内LED芯片的发光特性;根据发光特性对发光特性异常的LED芯片进行更换或修复。
作为上述方案的改进,所述测试装置包括探针台、探针及控制芯片,所述探针及控制芯片固定于探针台上;所述通过测试装置对多层线路板上的LED芯片进行分区点亮的方法包括:将多层线路板置于探针台上;将探针测试触点与探针接触;通过控制芯片控制多层线路板上的LED芯片分区点亮。
作为上述方案的改进,所述步骤S5包括:将修复后的多层线路板置于模具的下模具上;在多层线路板的表面电路上注入封装材料;将模具的上模具压合于封装材料的上方,通过上模具与下模具的合模运动使封装材料包覆LED芯片;对多层线路板进行脱模处理,形成COB显示模组。
作为上述方案的改进,所述下模具的顶部设有与驱动控制器件相匹配的下腔体,将修复后的多层线路板置于模具的下模具上时,驱动控制器件嵌于下腔体内,所述驱动控制器件与下腔体一一对应。
相应地,本发明还提供了一种COB封装器件,所述COB器件由上述的COB封装方法封装而成。
相应地,本发明还提供了一种基于高密度显示的COB封装系统,包括:贴装设备,用于在多层线路板的底部电路上贴装驱动控制器件,所述多层线路板的底部电路上预留有探针测试触点;固晶设备,用于将LED芯片固晶于经贴装设备处理后的多层线路板的表面电路上;焊线设备,用于对经固晶设备处理后的多层线路板进行焊线处理以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极;测试设备,用于通过预留探针测试触点测试经焊线设备处理后的多层线路板上LED芯片的发光特性;封装设备,用于将修复后的多层线路板进行封装。
作为上述方案的改进,所述焊线设备包括:加热基座,用于固定多层线路板,并将多层线路板加热至设定温度;设于表面电路的上方的红外加热器,用于通过红外加热器对多层线路板的表面电路进行辐射加热;焊线瓷嘴,用于焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极。
作为上述方案的改进,所述红外加热器包括反射基板和设置于所述反射基板下方的红外线发热丝,所述反射基板设置有通孔;利用焊线瓷嘴焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极时,所述焊线瓷嘴置于通孔内。
作为上述方案的改进,所述加热基座包括用于固定多层线路板的轨道及用于支撑多层线路板的加热块,所述加热块上设有至少一个支撑脚,所述加热块通过支撑脚与多层线路板的底部连接。
作为上述方案的改进,所述测试设备包括:测试装置,用于对多层线路板上的LED芯片进行分区点亮;摄像头,用于识别已点亮的区域内LED芯片的发光特性。
作为上述方案的改进,所述测试装置包括:探针台,用于固定多层线路板;固定于探针台上的探针,用于与探针测试触点接触;固定于探针台上的控制芯片,用于控制多层线路板上的LED芯片分区点亮。
作为上述方案的改进,所述封装设备包括:注塑装置,用于在多层线路板的表面电路上注入封装材料。模具,用于将封装材料压合于多层线路板的表面电路上。
作为上述方案的改进,所述模具包括上模具及下模具;所述下模具的顶部设有与驱动控制器件相匹配的下腔体,将封装材料压合于多层线路板的表面电路上时,多层线路板置于模具的下模具上,驱动控制器件嵌于下腔体内,所述驱动控制器件与下腔体一一对应。
实施本发明,具有如下有益效果:
(1)本发明创造性地提出一种先贴驱动控制器件,后进行LED芯片封装的COB封装方法,使COB在进行LED芯片封胶前,可先进行LED芯片发光特性的测试,提前发现LED芯片的不良情况,进而修复;
(2)本发明在焊线过程中,引入结构独特的红外加热器,在红外加热器的辅助下,红外加热器与加热基座共同对焊线区进行温度预热,避免了由于避让驱动控制原件而带来的多层线路板加热不充分的问题,进而避免出现焊线不良的情况;
(3)本发明在测试过程中,对多层线路板上LED芯片进行分区点亮,并结合摄像头分区识别LED芯片的发光特性,大大提高了高密度显示测试的效率。
附图说明
图1是本发明基于高密度显示的COB封装方法的流程图;
图2是本发明基于高密度显示的COB封装系统的结构示意图;
图3是本发明中多层线路板的主视图;
图4是本发明中多层线路板的俯视图;
图5是本发明中多层线路板贴装驱动控制器后的俯视图;
图6是本发明中对多层线路板进行固晶处理时的示意图;
图7是本发明中对多层线路板进行焊线处理时的示意图;
图8是图7中红外加热器的结构示意图;
图9是本发明中对多层线路板进行测试处理时的示意图;
图10是本发明中LED芯片的分区示意图;
图11是本发明中对多层线路板进行合模处理前的示意图;
图12是本发明中对多层线路板进行合模处理时的示意图;
图13是本发明中对多层线路板进行脱模处理后的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。仅此声明,本发明在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词,仅以本发明的附图为基准,其并不是对本发明的具体限定。
参见图1,图1显示了本发明基于高密度显示的COB封装方法的流程,其包括:
S1,在多层线路板的底部电路上贴装驱动控制器件,所述多层线路板的底部电路上预留有探针测试触点(参见图5);
需要说明的是,本发明的多层线路板1具有表面电路2及底部电路3(参见图3及图4)。
具体地,所述步骤S1包括:在多层线路板1的底部电路3上贴装驱动控制器件4(如,IC、电阻、电容等);同时,在底部电路3上预留探针测试触点3a。
S2,将LED芯片固晶于多层线路板的表面电路上(参见图6);
固晶时,将多层线路板1固定于加热基座上,并利用吸嘴7即可将LED芯片8固晶于多层线路板1的表面电路2上。
具体地,所述加热基座(5,6)包括用于固定多层线路板1的轨道5及用于支撑多层线路板1的加热块6,所述加热块6上设有至少一个支撑脚,所述加热块6通过支撑脚与多层线路板1的底部连接。其中,将多层线路板1置于轨道5中,并配合加热块6即可实现多层线路板1的固定,轨道5及加热块6均具有加热功能。需要说明的是,所述轨道5下方及加热块6内部均设置有加热元件(如发热丝、发热棒等),通过加热元件可实现对多层线路板1的加热,使得轨道5及加热块6在具有固定/支撑作用的同时,兼具加热功能。
S3,对多层线路板进行焊线处理以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极(参见图7);
具体地,所述步骤S3包括:
S301,将多层线路板固定于加热基座上,并通过加热基座将多层线路板1加热至设定温度;
S302,将红外加热器设于表面电路的上方,并通过红外加热器对多层线路板的表面电路进行辐射加热;
如图8所示,所述红外加热器(9,10)包括反射基板9和设置于所述反射基板9下方的红外线发热丝10,所述反射基板9设置有通孔20;利用焊线瓷嘴21焊接导线22以连接LED芯片8的表面电极及多层线路板1的表面电极时,所述焊线瓷嘴21置于通孔20内。
S303,利用焊线瓷嘴焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极。
焊线时,利用轨道5和加热块6的加热功能将多层线路板1加热至设定温度(80-180℃);利用焊线瓷嘴21将导线22(金线)连接LED芯片8的表面电极和多层线路板1的表面电极,焊线瓷嘴21置于反射基板9的通孔20中,反射基板9的下方沿边缘设置有红外线发热丝10,焊线过程中,红外线发热丝10在反射基板9的配合下实现对多层线路板1的表面电路进行辐射加热,加热后使得焊接电极温度升高,有利于提高导线22焊接的结合强度。
需要说明的是,本发明中红外加热器(9,10)和焊线瓷嘴21采用独立的运动控制,在焊线过程中,红外加热器(9,10)会先于焊线瓷嘴21移动到即将焊线的区域对该区域提前加热,以确保焊线的时候焊接电极的温度达到焊接要求。
S4,通过预留探针测试触点测试多层线路板上LED芯片的发光特性,并对发光特性异常的LED芯片进行更换或修复(参见图9);
具体地,所述步骤S4包括:
S401,通过测试装置对多层线路板上的LED芯片进行分区点亮;
所述测试装置包括探针台11、探针13及控制芯片12,所述探针13及控制芯片12固定于探针台11上;具体地,所述通过测试装置对多层线路板1上的LED芯片8进行分区点亮的方法包括:(1)将多层线路1板置于探针台11上;(2)将探针测试触点3a与探针13接触;(3)通过控制芯片12控制多层线路板1上的LED芯片8分区点亮。
S402,通过摄像头识别已点亮的区域内LED芯片的发光特性;
S403,根据发光特性对发光特性异常的LED芯片进行更换或修复。
测试时,首先将多层线路板1置于探针台11上,将步骤S1中预留的探针测试触点3a与探针13接触,探针台11上安装有控制芯片12,在控制芯片12的控制下,多层线路板1上的LED芯片8可以仅点亮指定区域内的LED芯片8(如图10所示,所述的指定区域15可以是1行N列,也可以是N行N列,或者M行N列,每次被点亮的芯片不少于2颗,也可以是RGB中的相同或不同发光颜色的LED芯片);点亮LED芯片8后,摄像头14对已点亮的LED芯片8进行图像采集,从而根据图像识别出LED芯片8的发光波长、亮度、闪烁等特性,并记录发光特性异常的LED芯片编号及异常种类,以便于工程人员进行更换或修复。
S5,将修复后的多层线路板进行封装(参见图11~13)。
具体地,所述步骤S5包括:
S501,将修复后的多层线路板置于模具的下模具上;
需要说明的是,模具包括上模具19及下模具16。所述下模具16的顶部设有与驱动控制器件4相匹配的下腔体17,将修复后的多层线路板1置于模具的下模具16上时,驱动控制器件4嵌于下腔体17内,所述驱动控制器件4与下腔体17一一对应,且多层线路板1上无驱动控制器件的区域与下模具16直接贴合,保证多层线路板1能够平整的放置在模具中。
S502,在多层线路板的表面电路上注入封装材料(参见图11);
S503,将模具的上模具压合于封装材料的上方,通过上模具与下模具的合模运动使封装材料包覆LED芯片(参见图12);
S504,对多层线路板进行脱模处理,形成COB显示模组(参见图13)。
封装时,将完成修复的多层线路板1置于模具中,通过注塑装置注入封装材料18,通过上模具19与下模具16的合模运动将封装材料18压合平整,脱模后可以得到用于显示的COB显示模组。
因此,与现有技术不同的是,本发明创造性地提出一种先贴驱动控制器件,后进行LED芯片封装的COB封装方法,使COB在进行LED芯片封胶前,可先进行LED芯片发光特性的测试,提前发现LED芯片的不良情况,进而修复,大大地节省了人力、物力,更符合实际生产。
参见图2,图2显示了本发明基于高密度显示的COB封装系统100的具体结构,其包括:
贴装设备101,用于在多层线路板1的底部电路3上贴装驱动控制器件4(如,IC、电阻、电容等),所述多层线路板1的底部电路3上预留有探针测试触点3a(参见图5)。
固晶设备102,用于将LED芯片8固晶于经贴装设备101处理后的多层线路板1的表面电路2上。固晶时,利用吸嘴7即可将LED芯片8固晶于多层线路板1的表面电路2上(参见图6)。
焊线设备103,用于对经固晶设备102处理后的多层线路板1进行焊线处理以连接LED芯片8的表面电极及多层线路板的表面电极(参见图7及图8)。
测试设备104,用于通过预留探针测试触点3a测试经焊线设备103处理后的多层线路板1上LED芯片8的发光特性(参见图9及图10)。
封装设备105,用于将修复后的多层线路板1进行封装(参见图11~13)。
工作时,多层线路板1依次通过贴装设备101、固晶设备102、焊线设备103、测试设备104及封装设备105进行处理后,即可形成COB器件。
如图7所示,所述焊线设备103包括:
加热基座(5,6),用于固定多层线路板1,并将多层线路板1加热至设定温度;
设于表面电路2的上方的红外加热器(9,10),用于通过红外加热器(9,10)对多层线路板1的表面电路2进行辐射加热;
焊线瓷嘴21,用于焊接导线22以连接LED芯片8的表面电极及多层线路板1的表面电极。
具体地,所述加热基座(5,6)包括用于固定多层线路板1的轨道5及用于支撑多层线路板1的加热块6,所述加热块6上设有至少一个支撑脚,所述加热块6通过支撑脚与多层线路板1的底部连接。
如图8所示,所述红外加热器(9,10)包括反射基板9和设置于所述反射基板9下方的红外线发热丝10,所述反射基板9设置有通孔20;利用焊线瓷嘴21焊接导线22以连接LED芯片8的表面电极及多层线路板1的表面电极时,所述焊线瓷嘴21置于通孔20内。
优选地,所述通孔20设置于反射基板9的中部位置,以使反射基板9形成环状结构;另外,所述反射基板9也可由多块独立的基板拼合而成,灵活性强。同时,所述反射基板9由耐高温材料制成,具体可以为金属基板或陶瓷基板,但不以此为限制。
焊线时,利用加热基座中的轨道5和加热块6的加热功能将多层线路板1加热至设定温度(80-180℃);利用焊线瓷嘴将21导线22(金线)连接LED芯片8的表面电极和多层线路板1的表面电极,焊线瓷嘴21置于红外加热器的反射基板9的通孔20中,反射基板9的下方沿边缘设置有红外线发热丝10,焊线过程中,红外线发热丝10在反射基板9的配合下实现对多层线路板1的表面电路进行辐射加热,加热后使得焊接电极温度升高,有利于提高导线22焊接的结合强度。
需要说明的是,本发明中红外加热器(9,10)和焊线瓷嘴21采用独立的运动控制,在焊线过程中,红外加热器(9,10)会先于焊线瓷嘴21移动到即将焊线的区域对该区域提前加热,以确保焊线的时候焊接电极的温度达到焊接要求。
如图9所示,所述测试设备104包括:
测试装置,用于对多层线路板1上的LED芯片8进行分区点亮;
摄像头14,用于识别已点亮的区域内LED芯片8的发光特性。
具体地,所述测试装置包括:
探针台11,用于固定多层线路板1;
固定于探针台11上的探针13,用于与探针测试触点3a接触;
固定于探针台11上的控制芯片12,用于控制多层线路板1上的LED芯片8分区点亮。
测试时,首先将多层线路板1置于测试装置的探针台11上,将步骤S1中预留的探针测试触点3a与探针13接触,探针台11上安装有控制芯片12,在控制芯片12的控制下,多层线路板1上的LED芯片8可以仅点亮指定区域内的LED芯片8(如图10所示,所述的指定区域15可以是1行N列,也可以是N行N列,或者M行N列,每次被点亮的芯片不少于2颗,也可以是RGB中的相同或不同发光颜色的LED芯片8);点亮LED芯片8后,摄像头14对已点亮的LED芯片8进行图像识别,从而识别出LED芯片8的发光波长、亮度、闪烁等特性,并记录发光特性异常的LED芯片编号及异常种类,以便于工程人员进行更换或修复。
如图11及图12所示,所述封装设备105包括:
注塑装置,用于在多层线路板1的表面电路上注入封装材料18。
模具,用于将封装材料18压合于多层线路板1的表面电路2上。
具体地,所述模具包括上模具19及下模具16;其中,所述下模具16的顶部设有与驱动控制器件4相匹配的下腔体17,将封装材料18压合于多层线路板1的表面电路2上时,多层线路板1置于模具的下模具16上,驱动控制器件4嵌于下腔体17内,所述驱动控制器件4与下腔体17一一对应。所述上模具的19底部设有上腔体,将模具的上模具19压合于封装材料18的上方时,LED芯片8嵌于上腔体内,封装材料18在上腔体的作用下包覆LED芯片8。
封装时,将完成修复的多层线路板1置于模具中,通过注塑装置注入封装材料18,通过上模具19与下模具16的合模运动将封装材料18压合平整,脱模后可以得到用于显示的COB显示模组。
相应地,图13显示了本发明COB器件的具体结构,所述COB器件由上文所述的COB封装方法及系统封装而成。
因此,本发明在焊线过程中,引入结构独特的红外加热器,在红外加热器的辅助下,红外加热器与加热基座共同对焊线区进行温度预热,避免了由于避让驱动控制原件而带来的多层线路板加热不充分的问题,进而避免出现焊线不良的情况;另外,本发明在测试过程中,对多层线路板上LED芯片进行分区点亮,并结合摄像头分区识别LED芯片的发光特性,大大提高了高密度显示测试的效率。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (17)

1.一种基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,包括:
S1,在多层线路板的底部电路上贴装驱动控制器件,所述多层线路板的底部电路上预留有探针测试触点;
S2,将LED芯片固晶于多层线路板的表面电路上;
S3,对多层线路板进行焊线处理以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极;
S4,通过预留探针测试触点测试多层线路板上LED芯片的发光特性,并对发光特性异常的LED芯片进行更换或修复;
S5,将修复后的多层线路板进行封装。
2.如权利要求1所述的基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,所述步骤S3包括:
将多层线路板固定于加热基座上,并通过加热基座将多层线路板加热至设定温度;
将红外加热器设于表面电路的上方,并通过红外加热器对多层线路板的表面电路进行辐射加热;
利用焊线瓷嘴焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极。
3.如权利要求2所述的基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,所述红外加热器包括反射基板和设置于所述反射基板下方的红外线发热丝,所述反射基板设置有通孔;
利用焊线瓷嘴焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极时,所述焊线瓷嘴置于通孔内。
4.如权利要求2所述的基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,所述加热基座包括用于固定多层线路板的轨道及用于支撑多层线路板的加热块,所述加热块上设有至少一个支撑脚,所述加热块通过支撑脚与多层线路板的底部连接。
5.如权利要求1所述的基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,所述步骤S4包括:
通过测试装置对多层线路板上的LED芯片进行分区点亮;
通过摄像头识别已点亮的区域内LED芯片的发光特性;
根据发光特性对发光特性异常的LED芯片进行更换或修复。
6.如权利要求5所述的基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,所述测试装置包括探针台、探针及控制芯片,所述探针及控制芯片固定于探针台上;
所述通过测试装置对多层线路板上的LED芯片进行分区点亮的方法包括:
将多层线路板置于探针台上;
将探针测试触点与探针接触;
通过控制芯片控制多层线路板上的LED芯片分区点亮。
7.如权利要求1所述的基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,所述步骤S5包括:
将修复后的多层线路板置于模具的下模具上;
在多层线路板的表面电路上注入封装材料;
将模具的上模具压合于封装材料的上方,通过上模具与下模具的合模运动使封装材料包覆LED芯片;
对多层线路板进行脱模处理,形成COB显示模组。
8.如权利要求7所述的基于高密度显示的COB封装方法,其特征在于,所述下模具的顶部设有与驱动控制器件相匹配的下腔体,将修复后的多层线路板置于模具的下模具上时,驱动控制器件嵌于下腔体内,所述驱动控制器件与下腔体一一对应。
9.一种COB器件,其特征在于,所述COB器件由权利要求1~8任一项所述的COB封装方法封装而成。
10.一种基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,包括:
贴装设备,用于在多层线路板的底部电路上贴装驱动控制器件,所述多层线路板的底部电路上预留有探针测试触点;
固晶设备,用于将LED芯片固晶于经贴装设备处理后的多层线路板的表面电路上;
焊线设备,用于对经固晶设备处理后的多层线路板进行焊线处理以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极;
测试设备,用于通过预留探针测试触点测试经焊线设备处理后的多层线路板上LED芯片的发光特性;
封装设备,用于将修复后的多层线路板进行封装。
11.如权利要求10所述的基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,所述焊线设备包括:
加热基座,用于固定多层线路板,并将多层线路板加热至设定温度;
设于表面电路的上方的红外加热器,用于通过红外加热器对多层线路板的表面电路进行辐射加热;
焊线瓷嘴,用于焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极。
12.如权利要求11所述的基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,所述红外加热器包括反射基板和设置于所述反射基板下方的红外线发热丝,所述反射基板设置有通孔;
利用焊线瓷嘴焊接导线以连接LED芯片的表面电极及多层线路板的表面电极时,所述焊线瓷嘴置于通孔内。
13.如权利要求11所述的基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,所述加热基座包括用于固定多层线路板的轨道及用于支撑多层线路板的加热块,所述加热块上设有至少一个支撑脚,所述加热块通过支撑脚与多层线路板的底部连接。
14.如权利要求10所述的基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,所述测试设备包括:
测试装置,用于对多层线路板上的LED芯片进行分区点亮;
摄像头,用于识别已点亮的区域内LED芯片的发光特性。
15.如权利要求14所述的基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,所述测试装置包括:
探针台,用于固定多层线路板;
固定于探针台上的探针,用于与探针测试触点接触;
固定于探针台上的控制芯片,用于控制多层线路板上的LED芯片分区点亮。
16.如权利要求10所述的基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,所述封装设备包括:
注塑装置,用于在多层线路板的表面电路上注入封装材料;
模具,用于将封装材料压合于多层线路板的表面电路上。
17.如权利要求16所述的基于高密度显示的COB封装系统,其特征在于,所述模具包括上模具及下模具;
所述下模具的顶部设有与驱动控制器件相匹配的下腔体,将封装材料压合于多层线路板的表面电路上时,多层线路板置于模具的下模具上,驱动控制器件嵌于下腔体内,所述驱动控制器件与下腔体一一对应。
CN201810951373.5A 2018-08-21 2018-08-21 一种基于高密度显示的cob封装方法、系统及cob器件 Pending CN109003969A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810951373.5A CN109003969A (zh) 2018-08-21 2018-08-21 一种基于高密度显示的cob封装方法、系统及cob器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810951373.5A CN109003969A (zh) 2018-08-21 2018-08-21 一种基于高密度显示的cob封装方法、系统及cob器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109003969A true CN109003969A (zh) 2018-12-14

Family

ID=64592879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810951373.5A Pending CN109003969A (zh) 2018-08-21 2018-08-21 一种基于高密度显示的cob封装方法、系统及cob器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109003969A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111271617A (zh) * 2020-03-29 2020-06-12 江门罗普来特照明科技有限公司 一种cob灯带的制作方法
CN111462649A (zh) * 2020-04-23 2020-07-28 惠州雷曼光电科技有限公司 Led集成封装显示模组及其维修方法以及显示装置
CN112786516A (zh) * 2019-11-04 2021-05-11 台湾爱司帝科技股份有限公司 具有芯片吸附功能的芯片承载结构
CN112951972A (zh) * 2021-02-02 2021-06-11 东莞市中麒光电技术有限公司 一种cob模块修复方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5907786A (en) * 1992-11-11 1999-05-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process for manufacturing a flip-chip integrated circuit
US6384366B1 (en) * 2000-06-12 2002-05-07 Advanced Micro Devices, Inc. Top infrared heating for bonding operations
CN103887407A (zh) * 2014-03-19 2014-06-25 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 一种微型贴片发光二极管及其生产工艺
CN104316295A (zh) * 2014-11-03 2015-01-28 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led器件的光电测试方法及装置
CN104483106A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 华中科技大学 一种倒装led芯片在线检测装置
CN106252343A (zh) * 2016-07-27 2016-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 一种光电一体化cob光源及其制备方法
KR101858367B1 (ko) * 2016-12-08 2018-05-16 한국생산기술연구원 근적외선 히터를 갖는 금형 예열 장치
CN108389950A (zh) * 2018-02-12 2018-08-10 深圳韦侨顺光电有限公司 一种高防护性透风透光cob集成显示面板的制造方法
CN208908220U (zh) * 2018-08-21 2019-05-28 佛山市国星光电股份有限公司 一种基于高密度显示的cob封装系统

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5907786A (en) * 1992-11-11 1999-05-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process for manufacturing a flip-chip integrated circuit
US6384366B1 (en) * 2000-06-12 2002-05-07 Advanced Micro Devices, Inc. Top infrared heating for bonding operations
CN103887407A (zh) * 2014-03-19 2014-06-25 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 一种微型贴片发光二极管及其生产工艺
CN104316295A (zh) * 2014-11-03 2015-01-28 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led器件的光电测试方法及装置
CN104483106A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 华中科技大学 一种倒装led芯片在线检测装置
CN106252343A (zh) * 2016-07-27 2016-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 一种光电一体化cob光源及其制备方法
KR101858367B1 (ko) * 2016-12-08 2018-05-16 한국생산기술연구원 근적외선 히터를 갖는 금형 예열 장치
CN108389950A (zh) * 2018-02-12 2018-08-10 深圳韦侨顺光电有限公司 一种高防护性透风透光cob集成显示面板的制造方法
CN208908220U (zh) * 2018-08-21 2019-05-28 佛山市国星光电股份有限公司 一种基于高密度显示的cob封装系统

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786516A (zh) * 2019-11-04 2021-05-11 台湾爱司帝科技股份有限公司 具有芯片吸附功能的芯片承载结构
CN111271617A (zh) * 2020-03-29 2020-06-12 江门罗普来特照明科技有限公司 一种cob灯带的制作方法
CN111462649A (zh) * 2020-04-23 2020-07-28 惠州雷曼光电科技有限公司 Led集成封装显示模组及其维修方法以及显示装置
CN112951972A (zh) * 2021-02-02 2021-06-11 东莞市中麒光电技术有限公司 一种cob模块修复方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109003969A (zh) 一种基于高密度显示的cob封装方法、系统及cob器件
CN105518888B (zh) 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置及电子设备
TWI619181B (zh) Installation method and installation device
CN105810115A (zh) 新型cob全彩led发光面板及其制造方法
CN111462649A (zh) Led集成封装显示模组及其维修方法以及显示装置
CN103137832A (zh) Led一体化制造工艺
US8487419B2 (en) Method of manufacturing semiconductor apparatus, the semiconductor apparatus, and ignitor using the semiconductor apparatus
CN208908220U (zh) 一种基于高密度显示的cob封装系统
KR100919931B1 (ko) 레이저 솔더링 장치 및 방법과 이를 이용한 전력용 반도체모듈의 제조방법
CN103363366A (zh) 一种led软灯条及其制造方法
CN106783828A (zh) 一种倒装led车灯
CN205508876U (zh) 车灯装置及其发光模块
CN111653210A (zh) 一种cob集成板的制备方法及其获得的灯板、显示模组
CN204167356U (zh) 一种基于氧化铍陶瓷基板的cob式led封装件
CN109728153A (zh) 芯片级封装led光源及其制作方法
CN111525015B (zh) 一种led全彩显示面板及其封装方法
CN109587970A (zh) 一种灯珠焊接方法
CN106299079A (zh) 一种复合led玻璃基面板的封装方法和面板
CN109950181B (zh) 一种led数码管生产加工工艺流程
CN106299039B (zh) 一种复合led玻璃基面板的封装工艺方法和面板
TW201811130A (zh) 金屬配線接合構造及其製法
CN208753313U (zh) 一种基于高密度显示的cob器件的加热设备
CN108645544A (zh) 一种检测封装胶的应力的方法及装置
WO2014169819A1 (zh) Led多杯集成一体化cob光源及其封装方法
CN211743152U (zh) 一种基于csp与aca封装技术的led全彩显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination