JP2000286301A - 半導体チップ組立方法及び組立装置 - Google Patents

半導体チップ組立方法及び組立装置

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JP2000286301A
JP2000286301A JP11091035A JP9103599A JP2000286301A JP 2000286301 A JP2000286301 A JP 2000286301A JP 11091035 A JP11091035 A JP 11091035A JP 9103599 A JP9103599 A JP 9103599A JP 2000286301 A JP2000286301 A JP 2000286301A
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Tadashi Morisawa
匡史 森澤
Kazunori Nitta
一法 新田
Hideo Kageyama
秀生 蔭山
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Towa Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アンダーフィル樹脂のキュアと、半導体チッ
プ及び回路基板の電極同士の電気的接続とを連続して行
う、生産効率のよい組立方法を提供する。 【解決手段】 回路基板1における電極2が形成された
領域を覆ってアンダーフィル材3Aを貼付し、アンダー
フィル材3Aが貼付された回路基板1をベーキングし、
電極2と半導体チップ5の半田バンプ6Aとを位置合わ
せし、回路基板1に半導体チップ5を圧接して電極2と
半田バンプ6Aとを接触させ、それぞれ組立装置7によ
り半導体チップ5を介して、第1の温度でアンダーフィ
ル材3Aを加熱して硬化させてアンダーフィル樹脂3B
を形成し、第2の温度で半田バンプ6Aを加熱して溶融
する。硬化後の半田バンプ6Bにより、半導体チップ5
と回路基板1との電極同士を溶着して電気的接続を確保
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LSI等の半導体
チップを回路基板に実装して組み立てる組立方法と、そ
の際に使用される組立装置とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップを回路基板に実装する方法
の一つとして、いわゆるフリップチップボンディング法
が提案されている。このフリップチップボンディング法
は、チップ側の電極に予め半田バンプを装着し、そし
て、このチップをフェースダウンの状態で回路基板に重
ね合わせてその半田バンプと回路基板側の電極とを合致
させ、次に、この状態で所要の加熱及び加圧力を加える
ことにより半田バンプを溶融して電極同士を半田付けす
るものであり、これによって高密度の実装が可能となっ
ている。また、上述の回路基板と半導体チップとは熱膨
張係数が異なる。これに起因して、回路基板と半導体チ
ップとが一体となった製品において、加熱によって反り
が発生し、電極接合部における接続抵抗の増加や損傷等
の不具合が発生する。したがって、このような不具合を
解消する目的で、回路基板と半導体チップとの間隙に樹
脂材料を充填してこの充填樹脂にて両者を接着してい
る。これにより、熱膨張係数が異なることに起因する上
述の不具合の発生を抑制して、製品の信頼性を向上させ
ている。更に、回路基板と半導体チップとの間に樹脂材
料を充填する方法として、例えば、以下のような方法が
提案されている。まず、回路基板に半導体チップを装着
した後に、その両者間にアンダーフィル材として液状樹
脂材をディスペンスして毛細管現象により充填させ、更
にこの充填樹脂材のキュアを行う液状樹脂ディスペンス
法がある。次に、予め回路基板に金属めっき樹脂粒子入
りフィルムを貼着して、この回路基板に半導体チップを
装着した後に、そのフィルムを加熱硬化させるACF(A
nisotropic Conductive Film) 法がある。次に、予め回
路基板に液状の熱硬化性樹脂材をディスペンスして、こ
の回路基板に半導体チップを装着した後に、熱硬化性樹
脂材を硬化させるESC(Epoxy Encapsulated Solder C
onnection)法がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】回路基板と半導体チッ
プとの間に樹脂材料を充填する従来の方法、例えば、上
述の液状樹脂ディスペンス法においては、半導体チップ
の装着時に用いられたフラックス等を除去するための洗
浄工程が必要であること、樹脂充填に長時間を要するこ
と、充填樹脂のキュアが必要であること等から生産効率
が悪い。更に、専用のフラックス塗布装置・アンダーフ
ィル装置・キュア装置等が必要になることにより、装置
コストが高くなるという問題が指摘されている。また、
上述のACF法においては、フラックス塗布工程やディ
スペンス工程が不要になるという利点があるが、この方
法に使用される金属めっき樹脂粒子入りフィルムのコス
トが高価であることや、電極同士の接続抵抗にバラツキ
が多く、更に、高温高湿下において接続抵抗の増加が大
きくなる等の問題が指摘されている。また、上述のES
C法においては、フラックス塗布工程が不要になる他、
樹脂充填時間が短くなるという利点があるが、高品質を
備えた製品の高能率生産等を達成するためには、ディス
ペンサの性能に大きく依存するという問題が指摘されて
いる。
【0004】ところで、フリップチップを組み立てるに
は、上述のように、回路基板に半導体チップを電気的に
接続する工程と、接続した回路基板と半導体チップとの
間隙に樹脂材料を充填して充填樹脂により両者を接着さ
せる工程との処理工程を経る必要がある。そこで、本発
明は、上記従来の問題に鑑み、ディスペンサを使用せず
に回路基板と半導体チップとの間隙に短時間に樹脂材料
を充填することによって高い生産効率を実現し、充填樹
脂のキュアと電極同士の電気的接続とを同一装置を使用
して行うことによって装置コストを抑制し、熱溶融性の
突起状電極を使用することによって低い接続抵抗を安定
して確保することができる半導体チップ組立方法を提供
することを第1の目的とする。更に、本発明は、充填樹
脂のキュアと電極同士の電気的接続とを併せて行うこと
ができる組立装置を提供することを第2の目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
することを目的として、本発明に係る半導体チップの組
立方法は、半導体チップが有する熱溶融性かつ突起状の
第1の電極と回路基板が有する第2の電極とを相対向さ
せて電気的に接続する半導体チップの組立方法であっ
て、回路基板における第2の電極が形成されている領域
にシート状樹脂を載置して押圧し、該シート状樹脂を回
路基板に貼付する工程と、第1の電極と第2の電極とを
相対向させて位置合わせする工程と、シート状樹脂を介
して半導体チップと回路基板とを接触させ、半導体チッ
プ又は回路基板のうち少なくとも一方を押圧することに
より第1の電極と第2の電極とを接触させる工程と、第
1の電極と第2の電極とを接触させた状態において、第
1の温度によってシート状樹脂を加熱して硬化させるこ
とにより回路基板に半導体チップを圧着する工程と、回
路基板に半導体チップを圧着した状態において、第1の
温度よりも高い第2の温度によって第1の電極を加熱し
て溶融する工程と、溶融した第1の電極を硬化させるこ
とにより第1の電極と第2の電極とを溶着する工程とを
備えたことを特徴とするものである。
【0006】また、本発明に係る半導体チップの組立装
置は、半導体チップが有する熱溶融性かつ突起状の第1
の電極と回路基板が有する第2の電極とを相対向させて
電気的に接続する際に使用される半導体チップの組立装
置であって、半導体チップと回路基板とがシート状樹脂
を介して接触している状態において、第1の電極と第2
の電極とが接触するように半導体チップ又は回路基板の
うち少なくとも一方を押圧する押圧手段と、第1の温度
によってシート状樹脂を加熱した後に第2の温度によっ
て第1の電極を加熱溶融する加熱手段とを備えたことを
特徴とするものである。
【0007】また、本発明に係る半導体チップの組立装
置は、上述の組立装置において、第1の温度は、シート
状樹脂を硬化させるのに十分な温度であるとともに第1
の電極を溶融させない温度であり、第2の温度は、第1
の電極を溶融させ、かつ硬化したシート状樹脂の状態を
維持するのに十分な温度であることを特徴とするもので
ある。
【0008】
【作用】本発明に係る半導体チップ組立方法によれば、
シート状樹脂を第1の温度によって加熱し硬化させるこ
とにより半導体チップを回路基板に圧着し、更に第2の
温度によって加熱することにより熱溶融性かつ突起状の
第1の電極を溶融する。したがって、硬化によりアンダ
ーフィル樹脂を形成して半導体チップを回路基板に圧着
する工程と、電極同士の電気的接続とを行う工程とを、
連続して同じ装置を使用して加熱温度を変更することに
よって容易に実現することができる。また、本発明に係
る組立装置によれば、第1の温度によって回路基板に半
導体チップを圧着し、更に第2の温度によって電極同士
の電気的接続を連続して行うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体チップ
組立方法について、図面を参照しながら説明する。図1
(1)〜(5)は、それぞれ本実施形態に係る半導体チ
ップ組立方法の各工程を示す断面図である。
【0010】まず、図1(1)において、回路基板1上
における電極2が設けられている領域を完全に覆うよう
にして、回路基板1の上方に、例えばエポキシ系樹脂等
の熱硬化性樹脂からなるシート状のアンダーフィル材3
Aを保持する。アンダーフィル材3Aは、テープ状で剥
離容易性を有するベースフイルム4に予め貼付され、常
温ではまだ硬化していない。つまり、アンダーフィル材
3Aを、テープ状のベースフイルム4に貼付された状態
で供給する。
【0011】次に、図1(2)において、回路基板1に
アンダーフィル材3Aを圧接・加熱して貼付した後に、
ベースフイルム4を剥離して除去する。このことによ
り、回路基板1における電極2が形成された面は、アン
ダーフィル材3Aによって覆われる。更に、アンダーフ
ィル材3Aが貼付された回路基板1を高温雰囲気中でベ
ーキングして、アンダーフィル材3Aから水分を除去す
る。
【0012】次に、図1(3)において、アンダーフィ
ル材3Aが貼付された回路基板1の上方に、半導体チッ
プ5を、回路基板1に対して位置合わせした後に保持す
る。ここで、半導体チップ5の電極(図示なし)上には
予め半田バンプ6Aを形成しておき、半導体チップ5と
回路基板1との電極同士を対向させた後に、これらの電
極同士を位置合わせする。
【0013】次に、図1(4)において、組立装置7を
使用して、回路基板1に対して半導体チップ5を圧接す
る。これによって、半田バンプ6Aが、未硬化状態のア
ンダーフィル材3Aを突き破って回路基板1の電極2に
接触する。そして、圧接した状態で、組立装置7を使用
して、半導体チップ5の背面(半田バンプ6Aが形成さ
れた面の反対面)から、半導体チップ5を介して第1の
温度によりアンダーフィル材3Aを加熱する。ここで、
第1の温度を、熱硬化性樹脂からなるアンダーフィル材
3Aをゲル化させた後に硬化させるのに十分であって、
かつ半田バンプ6Aを溶融させない程度の温度、例えば
175℃に設定しておく。したがって、圧接した状態で
第1の温度によって所定の時間、例えば50秒間加熱す
ることにより、回路基板1と半導体チップ5との間にお
けるアンダーフィル材3Aをゲル化させた後に硬化させ
て、アンダーフィル樹脂3Bを形成することができる。
そして、硬化したアンダーフィル樹脂3Bにより、半導
体チップ5と回路基板1とを圧着する。
【0014】次に、図1(5)において、回路基板1に
半導体チップ5を圧着した状態を維持したまま、組立装
置7を使用して、半導体チップ5を介して第2の温度に
より半田バンプ6Aを所定の時間だけ加熱する。ここ
で、第2の温度を、アンダーフィル樹脂3Bを硬化した
状態に保ち、かつ半田バンプ6Aを溶融させるのに十分
な程度の温度、例えば250℃に設定しておく。したが
って、アンダーフィル樹脂3Bを硬化した状態のまま、
半田バンプ6Aを第2の温度により所定の時間、例えば
60秒間加熱して溶融して、更に自然冷却により硬化さ
せて硬化後の半田バンプ6Bにさせることになる。これ
により、硬化後の半田バンプ6Bによって、半導体チッ
プ5の電極(図示なし)と回路基板1の電極2とを溶着
して確実に接続することができる。
【0015】以上説明したように、本発明に係る半導体
チップ組立方法によれば、回路基板1上にシート状のア
ンダーフィル材3Aを載置し、回路基板1に半導体チッ
プ5を圧接した後に、それぞれ組立装置7を使用して、
第1の温度で加熱してアンダーフィル材3Aをゲル化さ
せた後に硬化させてアンダーフィル樹脂3Bを形成し第
2の温度で加熱して半田バンプ6Aを溶融する。更に、
自然冷却により半田を硬化させて硬化後の半田バンプ6
Bを形成して、回路基板1と半導体チップ5との電極同
士を溶着して電気的に接続する。これにより、ディスペ
ンサを使用せずに、回路基板1と半導体チップ5との間
に短時間にアンダーフィル材3Aを設けることができ
る。また、それぞれ組立装置7により、アンダーフィル
材3Aの硬化、つまりキュアを行った後に、半田バンプ
6Aの溶融・硬化による回路基板1と半導体チップ5と
の電極同士の電気的接続を、連続して行うことができ
る。したがって、ディスペンサを使用せず、同一の組立
装置によりアンダーフィル樹脂の形成と電極同士の電気
的接続とを連続して行うので、生産効率を向上させ装置
コストを削減する半導体チップ組立方法を実現できる。
更に、半田バンプを溶融・硬化させ電極同士を溶着して
電気的接続を行うので、低い接続抵抗を安定して得るこ
とができるとともに、製品の機械的強度を向上すること
ができる半導体チップ組立方法を実現できる。
【0016】以下、本発明に係る組立装置について、図
1(4),(5)を参照しながら説明する。図1(4),
(5)における組立装置7は、セラミックヒータ(図示
なし)を内蔵するとともに、下面が半導体チップ5の大
きさと形状とに対応する平面になるように形成されてい
る。そして、セラミックヒータは、温度コントローラに
よって温度制御される。半導体チップを組み立てる際に
は、組立装置7は、半導体チップ5を吸着した後に回路
基板1に対して圧接する。その後に、組立装置7は、セ
ラミックヒータによって第1の温度まで加熱され、所定
時間経過後に更に第2の温度にまで加熱される。ここ
で、第1の温度は、熱硬化性樹脂からなるアンダーフィ
ル材3Aをゲル化させた後に硬化させるのに十分であっ
て、かつ半田バンプ6Aを溶融させない程度の温度、例
えば175℃に予め設定されている。そして、第2の温
度は、アンダーフィル樹脂3Bを硬化した状態に保ち、
かつ半田バンプ6Aを溶融させるのに十分な程度の温
度、例えば250℃に予め設定されている。これによ
り、組立装置7は、アンダーフィル材3Aを硬化してア
ンダーフィル樹脂3Bを形成して半導体チップ5と回路
基板1とを圧着し、その後に半田バンプ6Aを溶融す
る。更に、組立装置7は、セラミックヒータに対する通
電が停止されて組立装置7の温度が低下することによ
り、半田を硬化させて硬化後の半田バンプ6Bを形成す
る。
【0017】本発明に係る組立装置によれば、アンダー
フィル材3Aを硬化させて、つまりキュアして半導体チ
ップ5と回路基板1とを圧着し、更に、半導体チップ5
と回路基板1との電極同士を電気的に接続することがで
きる。これにより、アンダーフィル樹脂のキュアと電極
同士の電気的接続とが連続して行われるので、生産効率
の向上と装置コストの削減とを可能にする組立装置が得
られる。
【0018】なお、ここまでの説明では、半導体チップ
5の背面(半田バンプ6Aが形成された面の反対面)に
対して加圧・加熱したが、回路基板1の背面(電極2が
形成された面の反対面)に対して加圧・加熱することも
できる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップを回路基
板に圧着する工程と、電極同士の電気的接続を行う工程
とを、同じ装置を連続して使用して加熱温度を変更する
ことにより容易に実現することができる。これによっ
て、本発明の半導体チップ組立方法によれば、生産効率
を向上させ、装置コストを削減することができるとい
う、優れた実用的な効果を奏するものである。また、本
発明によれば、第1の温度によって半導体チップを回路
基板に圧着した後に、第2の温度によって電極同士の電
気的接続を連続して行うことができる組立装置が、確実
に実現される。これにより、本発明の組立装置によれ
ば、生産効率を向上させ、装置コストを削減することが
できるという、優れた実用的な効果を奏するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(1)〜(5)は、それぞれ本発明に係る半導
体チップ組立方法の各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1 回路基板 2 電極(第2の電極) 3A アンダーフィル材(シート状樹脂) 3B アンダーフィル樹脂 4 ベースフイルム 5 半導体チップ 6A 半田バンプ(第1の電極) 6B 硬化後の半田バンプ 7 組立装置

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップが有する熱溶融性かつ突起
    状の第1の電極と回路基板が有する第2の電極とを相対
    向させて電気的に接続する半導体チップの組立方法であ
    って、 前記回路基板における前記第2の電極が形成されている
    領域にシート状樹脂を載置して押圧し、該シート状樹脂
    を前記回路基板に貼付する工程と、 前記第1の電極と第2の電極とを相対向させて位置合わ
    せする工程と、 前記シート状樹脂を介して前記半導体チップと回路基板
    とを接触させ、前記半導体チップ又は回路基板のうち少
    なくとも一方を押圧することにより前記第1の電極と第
    2の電極とを接触させる工程と、 前記第1の電極と第2の電極とを接触させた状態におい
    て、第1の温度によって前記シート状樹脂を加熱して硬
    化させることにより前記回路基板に前記半導体チップを
    圧着する工程と、 前記回路基板に前記半導体チップを圧着した状態におい
    て、前記第1の温度よりも高い第2の温度によって前記
    第1の電極を加熱して溶融する工程と、 前記溶融した第1の電極を硬化させることにより前記第
    1の電極と第2の電極とを溶着する工程とを備えたこと
    を特徴とする半導体チップの組立方法。
  2. 【請求項2】 半導体チップが有する熱溶融性かつ突起
    状の第1の電極と回路基板が有する第2の電極とを相対
    向させて電気的に接続する際に使用される半導体チップ
    の組立装置であって、 前記半導体チップと回路基板とがシート状樹脂を介して
    接触している状態において、前記第1の電極と第2の電
    極とが接触するように前記半導体チップ又は回路基板の
    うち少なくとも一方を押圧する押圧手段と、 第1の温度によって前記シート状樹脂を加熱した後に第
    2の温度によって前記第1の電極を加熱溶融する加熱手
    段とを備えたことを特徴とする半導体チップの組立装
    置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の半導体チップの組立装置
    において、 前記第1の温度は、前記シート状樹脂を硬化させるのに
    十分な温度であるとともに前記第1の電極を溶融させな
    い温度であり、 前記第2の温度は、前記第1の電極を溶融させ、かつ前
    記硬化したシート状樹脂の状態を維持するのに十分な温
    度であることを特徴とする半導体チップの組立装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030014861A (ko) * 2001-08-13 2003-02-20 삼성전자주식회사 언더필 테입 및 그 언더필 테입을 사용한 플립칩 본딩 방법
JP2006511964A (ja) * 2002-12-23 2006-04-06 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド フリップチップ及びフリップチップアセンブリのための選択的アンダーフィル
JP2014096608A (ja) * 2008-11-06 2014-05-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 電子装置の製造方法と樹脂組成物

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