WO2018236093A1 - 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

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WO2018236093A1
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강기욱
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정성현
정호국
조영경
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • An organic optoelectronic diode is an element that can switch between electric energy and light energy.
  • Organic optoelectronic devices can be roughly classified into two types according to the operating principle.
  • One is an optoelectronic device in which an exciton formed by light energy is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to generate electric energy, and the other is a voltage or current is supplied to the electrode And is a light emitting element that generates light energy from electric energy.
  • organic optoelectronic devices examples include organic optoelectronic devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photo conductor drums.
  • organic light emitting diodes In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have attracted considerable attention due to the demand for flat panel display devices.
  • the organic light emitting diode is a device that converts electric energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting diode has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode
  • the organic layer may include a light emitting layer and an optional auxiliary layer.
  • the auxiliary layer may include, for example, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, And a hole blocking layer.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the characteristics of the organic layer, and the organic layer is highly affected by the organic material contained in the organic layer.
  • One embodiment provides a highly efficient and long lasting organic optoelectronic device.
  • Another embodiment provides a display device comprising the organic opto-electronic device.
  • the organic electroluminescent device includes a polar face, an opposing anode and a cathode, and an organic layer positioned between the anode and the cathode, wherein the organic layer includes at least one of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer,
  • the light emitting layer comprises a host having a structure represented by the following formula (1), a second host represented by the following formula (2), and a phosphorescent dye represented by the following formula (3).
  • X < 1 > is O or S
  • Z 1 to Z 3 are each independently N or CR a ,
  • At least two of Z 1 to Z 3 are N,
  • L 1 and. L 2 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group
  • A is a substituted or unsubstituted carbazolyl group
  • R 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a substituted or unsubstituted
  • a dibenzofuranyl group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group,
  • R a and R 2 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group;
  • R a and R 2 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group;
  • Y 1 and Y 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • L 3 and L 4 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group
  • R b and R 5 to R 8 are each independently hydrogen, deuterium, cyano, substituted or unsubstituted An unsubstituted CI to CIO alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • n is an integer from 0 to 2;
  • Z 4 to Z 11 are each independently N, C or CR C ,
  • Ring C is bonded to ring B through a C-C bond
  • Iridium is coupled to ring B via an Ir-C bond
  • X < 2 > is O or S
  • R c and R 14 to R 19 each independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a germanium group, a cyano group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • n is an integer of 1 to 3;
  • a display device including the organic opto-electronic device.
  • FIG. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting device according to one embodiment.
  • substitution means that at least one hydrogen in a substituent or a compound is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a hydroxyl group, an amino group, a pyridine ring or an unsubstituted C1 to C30 amine group, A substituted or unsubstituted C1 to C40 silyl group, a C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C6 to C30 arylsilyl group, a C3 to C30
  • substituted means that at least one hydrogen in the substituent or compound is deuterium, a C1 to C10 alkyl group, a C6 to C20 aryl group,
  • substituted means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, C1 to C4 alkyl group, C6 to C12 aryl group or C2 to C12 heterocyclic group. More specifically, " substituted " means that at least one hydrogen in the substituent or the compound is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, C1 to C5 alkyl groups, phenyl groups, biphenyl groups, terphenyl groups, naphthyl groups, A thiophene group or a carbazolyl group.
  • substituted means that at least one hydrogen in a substituent or a compound is substituted with a substituent selected from the group consisting of deuterium, methyl, ethyl, propanyl, butyl, phenyl, para- A furanyl group, a dibenzothiophenyl group or a carbazolyl group.
  • alkyl group As used herein, unless otherwise defined, the term "alkyl group"
  • the alkyl group may be a " saturated alkyl group " which does not contain any double or triple bonds.
  • the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C30. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C20 alkyl group or a C1 to C10 alkyl group.
  • C1 to C4 alkyl groups mean that from 1 to 4 carbon atoms are included in the alkyl chain and include methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, isobutyl, sec-butyl and t- In the army Selected.
  • alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a nucleus group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, And the like.
  • aryl group refers to a grouping of groups having one or more hydrocarbon aromatic moieties
  • a structure in which two or more hydrocarbon aromatic moieties are connected through a sigma bond such as a biphenyl group, a terphenyl group, a quarter-phenyl group,
  • Two or more hydrocarbon aromatic moieties may also include non-aromatic fused rings fused directly or indirectly.
  • the aryl group may be monocyclic, polycyclic or fused ring polycyclic (i. E.
  • heterocyclic group is a superordinate concept including a heteroaryl group, and includes N, O, N, and O substituents in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, Means at least one heteroatom selected from the group consisting of S, P and Si.
  • the heterocyclic group is a fused ring, the heterocyclic group or the ring may include one or more heteroatoms.
  • heteroaryl group means containing at least one heteroatom selected from the group consisting of N, O, S, P and Si in an aryl group.
  • Two or more heteroaryl groups may be directly connected through a sigma bond, or when the heteroaryl group includes two or more rings, two or more rings may be fused together.
  • the heteroaryl group is a fused ring, it may contain 1 to 3 heteroatoms for each ring and each ring.
  • the heterocyclic group may include, for example, a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group and the like.
  • the hole property refers to a property of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and has a conduction property along the HOMO level so that the injection of holes formed in the anode into the light emitting layer, Quot; refers to the property of facilitating the movement of the hole formed in the light emitting layer to the anode and the movement of the hole in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic that electrons can be received when an electric field is applied.
  • the electron characteristic has a conduction characteristic along the LUMO level to inject electrons formed in the cathode into the light emitting layer, move electrons formed in the light emitting layer to the cathode, Facilitate movement .
  • an organic optoelectronic device according to one embodiment will be described.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as it is an element capable of converting electric energy and optical energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device include organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photoconductor drums.
  • an organic light emitting device 100 includes an anode 120 and a cathode 110 facing each other, and an organic layer 105 between the anode 120 and the cathode 110. [ ).
  • the anode 120 may be made of a conductor having a high work function to facilitate, for example, hole injection, and may be made of, for example, a metal, a metal oxide, and / or a conductive polymer.
  • the anode 120 is made of a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); A combination of ZnO and Al or a metal and an oxide such as SnO 2 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDT), polypyrrole and polyaniline, It is not.
  • the cathode 110 may be made of a conductor having a low work function, for example, to facilitate electron injection, and may be made of, for example, a metal, a metal oxide, and / or a conductive polymer.
  • the cathode 110 is made of a metal or an alloy of sons such as, for example, magnesium, fowl, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, Layer structure materials such as LiF / Al, LiO 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al and BaF 2 / Ca.
  • the organic layer 105 includes a light emitting layer 130.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device according to another embodiment.
  • the organic light emitting diode 200 further includes a hole-assist layer 140 in addition to the light-emitting layer 130.
  • the hole-assist layer 140 is formed by injecting holes between the anode 120 and the light- And / or hole mobility can be further enhanced and electrons can be blocked.
  • the hole-assist layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • 1 or 2 may further include an electron injection layer, an electron transport layer, an electron transporting auxiliary layer, a hole transporting layer, a hole transporting auxiliary layer, a hole injecting layer, or a combination layer thereof have.
  • the organic light emitting devices 100 and 200 may be formed by forming an anode or a cathode on a substrate and then performing a dry deposition method such as evaporation, sputtering, plasma plating, and ion plating; Or a wet film formation method such as spin coating, dipping or flow coating, and then forming a cathode or anode on the organic layer.
  • An organic optoelectronic device includes an anode and a cathode facing each other, and an organic layer positioned between the anode and the cathode,
  • the organic layer includes at least one of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer.
  • the light emitting layer includes a U host represented by the following formula (1), a second host represented by the following formula (2), and a phosphorescent dopant.
  • X < 1 > is O or S
  • Z 1 to Z 3 are each independently N or CR a ,
  • At least two of Z 1 to Z 3 are N,
  • L 1 and L 2 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group
  • A is a substituted or unsubstituted carbazolyl group
  • R 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group
  • R a and R 2 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group;
  • Y 1 and Y 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • L 3 and L 4 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group
  • R b and R 5 to R 8 are each independently hydrogen, deuterium, cyano, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl groups, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl groups, or substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Lt; / RTI >
  • n is an integer of 0 to 2.
  • the stability of the material is enhanced by introducing triazine or a pyrimidine moiety in which dibenzofuran (or dibenzothiophene) is connected as a first host, and at the same time, by introducing a carbazole moiety, To obtain additional stability. Since introduction of the carbazole moiety has an effect of improving the glass transition temperature relative to the molecular weight, heat resistance can be secured.
  • the first host represented by Formula 1 may be any one of the following Formulas 1-1 to 1-4 according to the specific position where dibenzofuran (or dibenzothiophene) is linked to the nitrogen-containing hexagonal ring through L 2 Can be expressed.
  • the crab host may be represented by Formula 1-1, Formula 1-3, or Formula 1-4, preferably Formula 1-3 or Formula 1-4 have.
  • the formula 1-1 may be represented by any one of the following formulas 1-la, 1-lb and 1-lc according to L 2 .
  • Formula 1-2 may be represented by one of the following formulas 1-2a, 1-2b and 1-2c according to L 2 .
  • Formula 1-3 may be represented, for example, by any one of the following formulas I-3a, I-3b and I-3c according to L 2 .
  • the above-mentioned formula 1-4 may be represented by, for example, any one of the following formulas i-4a, l-4b and l-4c according to L 2 .
  • [Formula I- 4 ] [Formula I-4b]
  • the first host may be represented by any one of formulas la-la, la-3a, l-4a and l-4b, (I-3a) in which the position 3 of dibenzofuran (or dibenzothiophene) is directly linked to the nitrogen-containing hexagonal ring can be represented by any one of formulas (I-4a) and . ≪ / RTI >
  • the extension of LUMO By including a structure in which the first host is directly bonded to the triazine or pyrimidine moiety at the 3-dibenzofuran (or 3-dibenzothiophene) position as in the above formula (I-3a), the extension of LUMO, It is possible to increase the injection rate of holes and electrons through the planar expansion of ET moieties such as Middin and the like. By providing the bipolar characteristics by introducing carbazole moiety, it is possible to secure additional stability and increase the glass transition temperature A material having heat resistance can be designed.
  • the substituent A is a substituted or unsubstituted
  • each of R 9 to R 13 is independently hydrogen, deuterium, cyano, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group , * Is the connection point with L 1 .
  • each of R 9 to R 13 may independently be hydrogen, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group. More specifically, R 9 to R 13 may each independently be hydrogen or a phenyl group ,
  • R 9 to R 12 may all be hydrogen, or one or both of R 9 to R 12 may be a phenyl group.
  • R 13 is phenyl
  • each of R 10 to R 12 is hydrogen, or at least one of R 11 and R 12 is a phenyl group have.
  • the compound represented by formula (I-3a) is a compound represented by the following formula (I-3a-I), (I-3a- V, < / RTI >
  • the first host is preferably a compound represented by any one of the above formulas I-3a-I, I-3a-II, I-3a-I I, I-4a-I, I- And may be represented by any one of the above formulas I-3a-I, I-3a-II and I-3a-m.
  • the hexagonal ring composed of Z 1 to Z 3 may be pyrimidine or triazine.
  • Z 1 and Z 2 are pyrimidine
  • Z 1 and Z 3 are N Pyrimidine
  • Z 2 and Z 3 may be pyrimidine
  • Z 1 to Z 3 may all be triazines, preferably Z 1 to Z 3 are triazines.
  • R < 1 &gt is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted Or an unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiopheny group, and more specifically, R 1 is substituted or unsubstituted A substituted phenyl group, a substituted or unsubstituted
  • a dibenzofuranyl group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and may be selected from the substituents listed in the following Group I, for example.
  • * is a connecting point with a nitrogen-containing hexagonal ring.
  • the R 1 may be most preferably a phenyl group, a dibenzofuranyl group, or a dibenzothiophenyl group.
  • R a and R 2 to R 4 may each independently be hydrogen, deuterium, cyano, or a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, more specifically, R a and R 2 to R 4 may each independently be hydrogen, deuterium, or cyano group, and preferably, R a and R 2 to R 4 may all be hydrogen.
  • L 1 and L 2 may each independently be a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C12 arylene group, and more specifically, L 1 and L 2 are each independently May be a single bond, a meta-phenylene group or a para-phenylene group.
  • R 9 to R 11 may each independently be hydrogen, deuterium, cyano, or a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, more specifically, R 9 to R 11 may each independently be hydrogen, deuterium, cyano group or phenyl group.
  • R 9 to R 11 are all hydrogen or at least one of R 9 to R 11 may be a phenyl group. More preferably, R 9 to R 11 are both
  • Hydrogen, or any one of R 9 to R 11 may be a phenyl group.
  • the crab host may be selected from the compounds listed in the following Group 1, but is not limited thereto.
  • Y 1 and ⁇ 2 in Formula 2 are each independently a substituted or unsubstituted heptyl, substituted or unsubstituted biphenyl-substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, L 3 and L 4 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted pyridinyl group, Or unsubstituted biphenylene group, and R 5 to R 8 are each
  • Substituted in the above formula (2) is, at least one of hydrogen is meant that the heavy hydrogen, C1 to C4 alkyl group, a substituted C6 to C18 aryl group, or a C2 to C30 heteroaryl group "eu
  • the formula (2) is one of the structures listed in the following group ⁇ , and the ⁇ 1 and * -L 4 -Y 2 may be any of the substituents listed in the following group m.
  • the formula 2 is represented by the formula c-8 or the formula c-17 of the group ⁇ , and the symbols ⁇ ⁇ 1 and * -L 4 -Y 2 are selected from the group m Can,
  • Y 1 and Y 2 in Formula 2 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group Or an unsubstituted dibenzothiopheny group, and more preferably, the above-mentioned ⁇ ⁇ 1 and * -L 4 -Y 2 are selected from the group consisting of ⁇ -1, ⁇ -2, ⁇ -3, -16 and B-17.
  • the crab host may be selected from, for example, the compounds listed in the following group 2, but is not limited thereto.
  • the crab host and the crab host may be applied in the form of a composition.
  • the phosphorescent dopant may be a red or green phosphorescent dopant.
  • the phosphorescent dopant may be an organometallic compound represented by the following general formula (3).
  • Z 4 to Z 11 are each independently N, C or CR C ,
  • Ring C is bonded to ring B through a C-C bond
  • Iridium is coupled to ring B via an Ir-C bond
  • X < 2 > is O or S
  • R c and R 14 to R 19 each independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a germanium group, a cyano group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • n is an integer of 1 to 3;
  • the advantages of combination of packing and energy transfer of the host and the dopant material can be secured through combination with the phosphorescent dopant containing the dibenzothiophenylene derivative, thereby achieving low driving, long life and high efficiency characteristics .
  • any one of Z 4 to Z 11 in Formula 3 is preferably N, and N may be 2, 3, or 4.
  • the phosphorescent dopant may be represented by any of the following formulas (3-1) to (3-6).
  • each of R c , R c1 , R c2 , R c3 and R 14 to R 19 independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted silyl group, C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl silyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to can be an C20 aryl such as the R c, R cl, R c2, R c3 and R 14 to R 19 each independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted silyl group : a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylsilyl group, C12 aryl group may be group, preferably from the R c, R cl, R
  • the phosphorescent dopant may be selected from, for example, compounds listed in the following Group 3, but is not limited thereto.
  • a composition comprising a first host represented by Formula 1-3, Crab 2 host represented by Formula 2A, and a phosphorescent scintillator represented by the formula 3 -1 is added to the light- Lt; / RTI >
  • the formula (1) may be the formula (1-3a) above.
  • Z 1 to Z 3 in the general formula (I-3a) are all N
  • R 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group is
  • L 1 may John meta- phenylene date or a single bond
  • Y 1 and Y 2 in Formula 2A are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted meta-biphenyl group, a substituted or unsubstituted para-biphenyl group, a substituted Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophen yl group
  • L 3 and L 4 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C30 aliphatic group, C20 < / RTI > arylene group,
  • R c1 , R c2 , R c3 and R 14 to R 19 in Formula 3-1 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylsilyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group.
  • the first host and the second host may be included in a weight ratio range of 1: 9 to 6: 4, 2: 8 to 6: 4, 3: 7 to 6: 4, And the second host may be included in a weight ratio range of 1: 9 to 5: 5, 2: 8 to 5: 5, 3: 7 to 5: 5, 7 to 5: 5 by weight.
  • the phosphorescent dopant may be included in an amount of about 0.1% to 15% by weight, preferably 1% to 15% by weight based on 100% by weight of the composition of the first host and the second host, May range from 5% to 15% by weight.
  • the first host and the second host is 3: 7 may be included in a weight ratio, the phosphorescent dopyeon teuneun comprise from 5% to 15% by weight with respect to said first host and to second composition 100 parts by weight 0/0 of the host of .
  • composition of the first host and the second host according to the present invention can be used in combination with a phosphorescent dopant other than the phosphorescent dopant described above.
  • Known phosphorescent dopants are commonly used with organometallic compounds containing one of Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd or combinations thereof. .
  • the dopant which has the best effect in combination with the composition of the first host and the second host according to the present invention is the phosphorescent dopant expressed by the above-described formula (3).
  • M is selected from Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb and Tm;
  • X401 to O40 are, independently of each other, nitrogen or carbon;
  • the A4 01 and A402 rings may be, independently of one another, substituted or unsubstituted benzene, substituted or unsubstituted naphthalene, substituted or unsubstituted fluorene, substituted or unsubstituted spirofluorene, substituted or unsubstituted indene, Substituted or unsubstituted pyrazoles, substituted or unsubstituted thiols, substituted or unsubstituted thiophenes, substituted or unsubstituted furans, substituted or unsubstituted imidazoles, substituted or unsubstituted pyrazoles, substituted or unsubstituted thiols, substituted Substituted or unsubstituted pyrimidines, substituted or unsubstituted pyrimidines, substituted or unsub
  • the L 40r may be any monovalent, divalent or trivalent organic ligand.
  • L4 () l may be a halogen ligand (e.g., C1, F), a diketone ligand (e.g.,
  • carboxylic acid ligands E.g., picolinate, dimethyl-3-pyrazole carboxylate, benzoate
  • carbon monoxide ligands isonitrile ligands
  • cyano ligands and phosphorus ligands e.g., phosphine, Phosphite
  • the Q 401 to Q 407, Q 41 1 to Q4n and Q 421 to Q 427 are independently hydrogen, C1 to C60 alkyl, C2 to C60 alkenyl groups, C6 to C60 aryl group and a C2 to C60 to choose from for interrogating an aryl group do.
  • A402 in the above formula (401) has two or more substituents
  • two or more substituents of A 402 may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring.
  • the organic light emitting device described above can be applied to an organic light emitting display.
  • Compound C-17 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 2, using 1 equivalent of each of Intermediate C-1-1 and 3-phenyl-9H-carbazole.
  • the reaction product was poured into methane to filter the solid, and the obtained solid was washed with water and methanol, and dried.
  • the resultant was heated to 700 mL of chlorobenzene and dissolved.
  • the solution was then filtered through a silica gel filter to remove the solvent completely.
  • the solvent was then dissolved in 400 mL of chlorobenzene by heating and then recrystallized to obtain 18.52 g (yield 69%) of the compound D-129 .
  • the dopant compound E-24 was prepared in the same manner as the dopant compound E-24 except that the iridium complex described in the following reaction scheme 16 was used as the starting material in the process for producing the compound ⁇ -1 of US2014-0131676.
  • ITO indium tin oxide
  • isopropyl alcohol was ultrasonically washed with a solvent such as acetone or methanol, dried, and transferred to a plasma cleaner. Then, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 10 minutes, and the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • Compound A was vacuum-deposited on the ITO substrate using the ⁇ key transparent electrode as an anode to form a hole injection layer having a thickness of 700 A and a compound B was deposited to a thickness of 50 A on the injection layer. To form a hole transporting layer.
  • Compound C-1 was used as a first host
  • Compound D-99 was used as a first host
  • compound E-24 was doped with 10 wt% of a phosphorescent compound to form a 400 A thick light emitting layer on the hole transporting layer.
  • the compound C-1 and the compound D-99 were used in a weight ratio of 3: 7, and the ratios were separately described in the following examples.
  • Compound D and Liq were simultaneously vacuum-deposited on the light emitting layer at a ratio of 1: 1 to form an electron transporting layer having a thickness of 300 A, and Liq l5 A and Al 1200 A were successively vacuum-deposited on the electron transporting layer to form a cathode, The device was fabricated.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers. Specifically, the organic light emitting device has the following structure.
  • Compound D-99 Compound E-24 (10 wt%) (400 A) I Compound D: Liq (10 wt%) ITO / Compound A (700A) / Compound B (50A) / Compound C (300A) I Liq (15A) I A1 (1200A).
  • the current flowing through the unit device was measured using a current-voltmeter (Keithley 2400) while raising the voltage from 0 V to 10 V, and the measured current value was divided by the area to obtain the result.
  • luminance was measured using a luminance meter (Minolta Cs-IOOOA) while increasing the voltage from 0 V to 10 V, and the result was obtained.
  • the current efficiency (cd / A) at the same current density (10 mA / cm 2 ) was calculated using the luminance, current density and voltage measured from the above (1) and (2).
  • the initial luminance (cd / m 2) the elements of a 5000cd / m 2 and time for the manufacture of organic light emitting devices And the time point at which the luminance decreased to 90% of the initial luminance was measured as the T90 lifetime.
  • the driving voltage of each device was measured at 15 mA / cm 2 using a current-voltage meter (Keithley 2400). [Table i]
  • Example 12 C-12 D-99 3: 7 E-24 No 67 67 580 3.8
  • Example 13 C-16 D-99 3: 7 E-24 No Afl 69 650 3.8
  • Example 14 C -17 D-99 3: 7 E-24 No 69 69 570 3.9
  • Example 15 C-21 D-99 3: 7 E-24 No 67 550 3.9
  • Example 16 C- 24 No 69 620 4.0
  • Example 17 C-25 D-99 3: 7 E-24 No Al 72 650 4.0
  • Example 18 B-1 D-99 3: 7 E-24 No 68 410 4.2
  • Example 19 B- 7 E-24 No 67 37 350 4.3
  • Example 20 B-17 D-99 3: 7 E-24 No Afl 67 370 4.1
  • Example 23 B-25 D-31 3 7 E-24 Noshi; 65 310 4.5
  • the first host may be used singly or as a second host of CBP3 ⁇ 4 And it shows a great advantage in terms of driving and life span.
  • the compound E-24 which is a phosphorescent dopant containing a DBX skeleton, is used, the lifetime and efficiency are significantly increased in comparison with the case of using Ir (ppy) 3 which is a phosphorescent dopant not containing DBX skeleton.

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Abstract

서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 발광층은 화학식 1로 표현되는 제 1 호스트 화학식 2로 표현되는 제 2 호스트, 및 화학식 3으로 표현되는 인광 도펀트를 포함하는 유기 광전자 소자, 및 이를 포함하는 표시장치를 제공한다. 상기 화학식 1 내지 화학식 3에 대한 상세 내용은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자 소자 및 표시 장치
/ 【기술분야]
유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 액시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자， 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로
이루어져 있다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며， 상기 보조층은 예컨대 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층， 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며, 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
【발명의 상세한 설명】
[기술적 과제] 일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 제공한다ᅳ
다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 【기술적 해결방법】 ―
일 구현예에 파르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표현되는 게 1 호스트, 하기 화학식 2로 표현되는 제 2 호스트， 및 하기 화학식 3으로 표현되는 인광 도편트를 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
[화학식 1] [화학식 2] [화
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 1에서，
X1는 0 또는 S이고，
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
Z1 내지 Z3 중 적어도 둘은 N이고,
L1 및. L2는 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
A는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된
디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고，
Ra, 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고; 상기 화학식 2에서, .
Y1 및 Y2는 각각독립적으로 치환 또는 비치환된 C6.내지 C20 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
L3 및 L4은 각각 독립적으로 단일결합， 또는 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
Rb 및 R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 CI 내지 CIO 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
m은 0내지 2의 정수이며;
상기 화학식 3에서,
Z4 내지 Z11은 각각 독립적으로 N, C 또는 CRC이고,
고리 C는 C-C 결합을 통해 고리 B에 결합되고，
이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 B에 결합되며,
X2는 0 또는 S이고,
Rc 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 게르마늄기, 시아노기， 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
n은 1 내지 3의 정수 중 하나이다.
다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【발명의 효과】
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
<부호의 설명 >
100, 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한， 치환기 또는 화합물 중의 적어도하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록실기， 아미노기, 치'환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30
시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10 트리플루오로알킬기, 시아노기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C20 아릴기, 또는 C2 내지 C20
헤테로고리기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서， 상기 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C4 알킬기, C6 내지 C12 아릴기 또는 C2 내지 C12 헤테로고리기로 치환된 것을 의미한다. 더욱 구체적으로 "치환 "은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기， 나프틸기, 벤조퓨란일기, 벤조티오펜일기， 디벤조퓨란일기, 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 가장 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， 메틸기, 에틸기, 프로판일기, 부틸기， 페닐기， para-바이페닐기, meta- 바이페닐기, 디벤조퓨란일기, 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 Ν, Ο, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한， 지방족
탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 "일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며， 메틸, 에틸， 프로필, 이소-프로필 , η-부틸, 이소-부틸, sec—부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기， 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기， 핵실기， 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기 , 시클로핵실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서,
탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 P-오비탈을 가지면서， 이들 P- 오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 형태， 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고,
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기， 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며,
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리도 포함할 수 있다. 예컨대， 플루오레닐기 등을 들 수 있다. 아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉,
탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서， 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
일 예로 "해테로아릴 (heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다 . 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나， 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가융합고리인 경우, 각각와 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
상기 헤테로고리기는 구체적인 예를 들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기， 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된
페난트레닐기, 치환또는 비치환된 나프타세닐기， 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기 , 치환 또는 비치환된 0-터페닐기 , 치환 또는 비치환된
크리세닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기 , 치환 또는 비치환된 인데닐기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비^환된 티오페닐기， 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기， 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기， 치환 또는 비치환된
티아디아졸일기， 치환 또는 비치환된 피리딜기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기 , 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기， 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된
아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 다벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란， 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자를 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자 (100)는 서로 마주하는 양극 (120)과 음극 (1 10)， 그리고 양극 (120)과 음극 (1 10) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬， 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물， 인듐주석산화물 (ITO),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1 ,2- 디옥시)티오펜 Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 (1 10)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예¾대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘， 칼슴， 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄， 알루미늄, 은， 주석, 납, 세슴， 바륨 등과 같은 금속 또는 아들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아나다.
유기층 (105)은 발광층 (130)을 포함한다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자 (200)는 발광층 (130) 외에 정공 보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130) 사이의 정공 주입 및 /또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공 수송층， 정공 주입층 및 /또는 전자 차단층일 수 있으며， 적어도 1층을 포함할 수 있다.
도 1 또는 도 2의 유기층 (105)은 도시하지는 않았지만, 전자주입층， 전자수송층， 전자수송보조층， 정공수송층, 정공수송보조층, 정공주입층 또는 이들의 조합층을 추가로 더 포함할 수 있다.
유기 발광 소자 (100, 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 ; 또는 스핀코팅 (spin coating), 침지법 (dipping), 유동코팅법 (flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다. 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자는, 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 유기층을 포함하고， 상기
유기층은정공 주입층， 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표현되는 거 U 호스트, 하기 화학식 2로 표현되는 제 2 호스트， 및 인광 도펀트를 포함한다.
Figure imgf000010_0001
상기 화학식 1에서,
X1는 O 또는 S이고,
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N또는 CRa이고，
Z1 내지 Z3 중 적어도 둘은 N이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고，
A는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이고，
R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고， Ra, 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고; 상기 화학식 2에서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
L3 및 L4은 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고，
Rb 및 R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소， 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 , 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
m은 0 내지 2의 정수이다.
본 발명에 따른 유기 광전자 소자는, 제 1 호스트로서 디벤조퓨란 (또는 디벤조티오펜)이 연결된 트리아진 또는 피리미딘 모이어티를 도입하여 재료의 안정성을 높였고, 동시에 카바졸 모이어티를 도입함으로써 바이폴라 특성을 통하여 추가적인 안정성을 얻고자 하였다. 카바졸 모이어티의 도입으로 분자량 대비 유리 전이 온도가 향상되는 효과가 있으므로, 내열성이 확보될 수 있다.
특히, 제 2 호스트로서 비스카바졸을 조합함으로써, 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있으므로, 장수명 저구동의 특성이 구현될 수 있다.
동시에, 인광 도펀트를 추가적으로 조합함으로써， 호스트 및 도펀트 재료의 패킹， 에너지 전달 등 조합 매칭에서의 장점을 확보할 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 제 1 호스트는 디벤조퓨란 (또는 디벤조티오펜)이 L2를 통해 함질소 육각환에 연결되는 구체적인 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3] [화학식 1-4]
Figure imgf000011_0001
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서， Χ', Ζ1 내지 Z3, L1, L2, A, R1 내지 R4 전술한 바와 같다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 게 1 호스트는 상기 화학식 1-1, 화학식 1-3 또는 화학식 1-4로 표현될 수 있고， 좋게는 상기 화학식 1-3 또는 화학식 1-4로 표현될 수 있다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 1-1은 L2에 따라 예컨대 하기 화학식 1-la, 화학식 1-lb 및 화학식 1-lc 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
1-la] [화학식 1-lb] [화학식 1-lc]
Figure imgf000012_0001
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 1-2는 L2에 따라 예컨대 하기 화학식 l-2a, 화학식 l-2b 및 화학식 l-2c 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
i_2 a] [화학식 l-2b] [화학식 l-2c]
Figure imgf000012_0002
본 발명의 구체적인 일 실시예메서, 상기 화학식 1-3은 L2에 따라 예컨대 하기 화학식 l-3a, 화학식 l-3b 및 화학식 l-3c 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 화학식 1- ] [화학식 l b] [화학식 l-3c]
Figure imgf000012_0003
본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 상기 화학식 1-4는 L2에 따라 예컨대 하기 화학식 i-4a, 화학식 l-4b 및 화학식 l-4c 중 어느 하나로 표현될 수 있다. [화학식 1-ᅳ¼] [화학식 l-4b] [화학식 l-4c]
Figure imgf000013_0001
상기 화학식 1-la 내지 화학식 1-lc, 화학식 l-2a 내지 화학식 l-2c, 화학식 1- 3a 내지 화학식 l-3c, 그리고 화학식 l-4a 내지 화학식 l-4c에서, X^ Z1 내지 Z3, L1, A, R1 내지 R4는 전술한 바와 같다.
본 발명의 더욱 구체적인 일 실시예에서， 상기 제 1 호스트는 상기 화학식 1- la, 화학식 l-3a, 화학식 l-4a 및 화학식 l-4b 중 어느 하나로 표현될 수 있고, 좋게는 상기 화학식 l-3a, 화학식 l-4a 및 화학식 l-4b 중 어느 하나로 표현될 수 있으며, 더욱 좋게는 디벤조퓨란 (또는 디벤조티오펜)의 3번 위치가 함질소 육각환에 직접 연결된 형태인 상기 화학식 l-3a로 표현될 수 있다.
제 1 호스트가 상기 화학식 l-3a와 같이 3-디벤조퓨란 (또는 3-디벤조티오펜) 위치에서 트리아진 또는 피리미딘 모이어티에 직접 결합하는 구조를 포함함으로써, LUMO의 확장 및 트리아진, 피리미딘 등과 같은 ET 모이어티의 평면성 확장을 통하여 정공 및 전자의 주입 속도를 증가시킬 수 있고， 카바졸 모이어티의 도입으로 바이폴라 특성을 부여함으로써 추가적인 안정성 확보 및 분자량 대비 유리 전이 온도가 향상되는 효과를 통해 내열성이 확보된 재료를 디자인 할 수 있다.
이와 함께, 제 2 호스트로서 비스카바졸을 조합함으로써, 빠르고 안정한 전자 전달 특성을 갖는 제 1 호스트 재료와 빠르고 안정한 정공 전달 특성을 갖는 제 2 호스트 재료로써 균형을 맞출 수 있고, 이를 통해 분자량 대비 높은 유리전이 온도를 같는 저구동 장수명의 호스트 세트 (set)를 확보할 수 있다.
동시에， 인광 도펀트와의 조합을 통해 호스트 및 도펀트 재료의 패킹， 에너지 전달 등 조합 매칭에서의 장점을 확보할 수 있고, 이를 통해 저구동, 장수명, 고효율의 특성을 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서， 상기 치환기 A는 치환 또는 비치환된
카바졸일기로서, 구체적인 치환 지점에 따라 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-5 중 어느 하나로 표현될 수 있다. -l] [화학식 A-2] [화학식 A-3] [화학식 A-4] [화학식 A-5]
Figure imgf000014_0001
상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-5에서, R9 내지 R13은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고, *은 L1과의 연결 지점이다.
구체적인 일 실시예에서， 상기 R9 내지 R13은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기일 수 있고, 더욱 구체적으로 R9 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있으며,
예컨대 상기 A가 화학식 A-1로 표현될 경우, 상기 R9 내지 R12은 모두 수소이거나, R9 내지 R12 중 하나 또는 둘이 페닐기일 수 있다.
또한, 상기 A가 화학식 A— 2 내지 화학식 A-5 중 어느 하나로 표현될 경우, R13는 페닐가이고, 상기 R10 내지 R12은 모두 수소이거나, R11 및 R12 중 적어도 하나가 페닐기일 수 있다.
특히， 상가화학식 l-3a는 치환기 A의 구체적인 구조에 따라 예컨대 하기 화학식 l-3a- I , 화학식 l-3a- II , 화학식 l-3a-HI, 화학식 l-3a-IV 및 화학식 l-3a- V 중 어느 하나로 표현될 수 있고，
상기 화학식 l-4a는 치환기 A의 구체적인 구조에 따라 예컨대 하기 화학식 l-4a- I , 화학식 l-4a- II , 화학식 l-4a-m, 화학식 l-4a-IV 및 화학식 l-4a-V 중 어느 하나로 표현될 수 있으며,
상기 화학식 1 -4b는 치환기 A의 구체적인 구조에 따라 예컨대 하가화학식 l-4b- I , 화학식 l-4b- II , 화학식 l-4b-III, 화학식 l-4b-IV 및 화학식 l-4b- V 중 어느 하나로 표현될 수 있다. [화학식 l-3a- I ] [화학식 l-3a-n] [화학식 l-3a-m]
Figure imgf000015_0001
[화학식 1 -4a- IV] [화학식 l-4a-V]
Figure imgf000015_0002
[화학식 i_4b-I] [화학식 l-4b-II] [화학식 l-4b-m]
Figure imgf000016_0001
l-4b-IV] [화학식 l-4b-V]
Figure imgf000016_0002
상기 화학식 l-3a-I 내지 화학식 l-3a-V, 화학식 l-4a- I 내지 화학식 l-4a-
V, 그리고 화학식 l-4b-I 내지 화학식 l-4b-V에서, X^Z1 내지 Z3, L^R1 내지 R4, 그리고 R9 내지 R13은 전술한 바와 같다.
상기 제 1 호스트는 좋게는 상기 화학식 l-3a-I, 화학식 l-3a-II, 화학식 l-3a- ΠΙ, 화학식 l-4a-I, 화학식 l-4b-I 및 화학식 l-4b-II 중 어느 하나로 표현될 수 있고, 더욱 좋게는 상기 화학식 l-3a-I, 화학식 l-3a-II 및 화학식 l-3a-m 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서 상기 Z1 내지 Z3으로 이루어진 육각환은 피리미딘 또는 트리아진일 수 있고, 구체적인 일 실시예에서 Z1 및 Z2가 N인 피리미딘 ,Ζ1 및 Ζ3이 Ν인 피리미딘 ,Ζ2 및 Ζ3이 Ν인 피리미딘이거나 Ζ1 내지 Ζ3이 모두 Ν인 트리아진일 수 있으며, 좋게는 Ζ1 내지 Ζ3이 모두 Ν인 트리아진일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 R1은 치환또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있고, 더욱 구체적으로 상기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된
디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있으며, 예컨대 하기 그룹 I에 나열된 치환기에서 선택될 수 있다.
그룹 I
Figure imgf000017_0001
상기 그룹 I에서, *은 함질소 육각환과의 연결 지점이다.
상기 R1은 가장 좋게는 페닐기, 디벤조퓨란일기, 또는 디벤조티오펜일기일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서， 상기 Ra 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기일 수 있고, 더욱 구체적으로 상기 Ra 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소， 중수소, 또는 시아노기일 수 있으며， 좋게는 상기 Ra 및 R2 내지 R4는 모두 수소일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴렌기일 수 있고, 더욱 구체적으로 상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, meta-페닐렌기 또는 para-페닐렌기일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서, 상기 R9 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소， 중수소， 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기일 수 있고, 더욱 구체적으로 상기 R9 내지 R11은 각각 독립적으로, 수소, 중수소， 시아노기 또는 페닐기일 수 있으며， 좋게는 상기 R9 내지 R11은 모두 수소이거나 R9 내지 R11 중 적어도 하나가 페닐기일 수 있다. 더욱 좋게는 상기 R9 내지 R11은 모두
수소이거나 R9 내지 R11 중 어느 하나가 페닐기일 수 있다.
상기 게 1 호스트는 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1] 
Figure imgf000018_0001
 
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000020_0001
o
Figure imgf000021_0001
[ L-D] [LL- -D] [it'D [W ]
Figure imgf000021_0002
-D] [ZL-D] [ - ] [OL-D] [69-3]
Figure imgf000021_0003
-3] [179-0] [Z9-D] [Z9-J] [l9"Dl
Figure imgf000021_0004
-3] [6S- ] [ S-D] [LS-j]
Figure imgf000021_0005
[9S-3] [ζζ-D] [ s-D] ίζς-D] izs-D]
61
6L900/8lOZW^/13d C609CZ/8T0Z OAV [C-80] [C-81] [C-82]
Figure imgf000022_0001
-83] [C-84] [C-85] [C-86]
Figure imgf000022_0002
-87] [C-88] [C-89] [C-90] [C-91]
Figure imgf000022_0003
-92] [C-93] [C-94] [C-95] [C-96]
Figure imgf000022_0004
-97] [C-98] [C-99] [C-100] [C-101]
Figure imgf000022_0005
[C-102] [C-103] [C-104] [C-105] [C-106]
Figure imgf000022_0006
-107] [C-108] [C-109] [C-110] [C-l l l]
Figure imgf000023_0001
본 발명의 일 실시예에서， 게 2 호스트와 관련하여, 상기 화학식 2의 Y1 및 γ2는 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 꽤닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 치환 또는 비치환된 터페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기，또는 치환 또는 비치환된 피리디닐기이고, L3 및 L4은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이고, R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소， 중수소， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기이며, m은 0 또는 1일 수 있다.
상기 화학식 2의 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C4 알킬기， C6 내지 C18 아릴기， 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴기로 '치환된 것을 의미한다ᅳ
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 2는 하기 그룹 Π에 나열된 구조 중 하나이고, 상기 ^ΙΛΥ1 및 *-L4-Y2은 하기 그룹 m에 나열된 치환기 중 하나일 수 있다.
[그룹 Π ]
Figure imgf000023_0002
그룹 m
Figure imgf000024_0001
상기 그룹 n 및 그룹 m에서, *은 연결 지점이다.
본 발명의 더욱 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 2는 상기 그룹 π의 화학식 c-8 또는 화학식 c-17로 표현되고, 상기 ^ΐΛΥ1 및 *-L4-Y2은 상기 그룹 m에서 선택될 수 있다,
좋게는 상기 화학식 2의 Y1 및 Y2은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있으며, 더욱 좋게는 상기 ^ΐΛΥ1 및 *-L4-Y2은 상기 그룹 ΠΙ의 Β-1, Β-2, Β-3, B-11, B-16 및 B-17에서 선택될 수 있다.
상기 게 2 호스트는 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
[D-l] [D-2] [D-3] . [D-4] [D-5]
Figure imgf000024_0002
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000025_0002
Figure imgf000025_0003
Figure imgf000025_0004
[D-31] [D-32] [D-33] [D-34] [D-35]
Figure imgf000025_0005
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000027_0002
Figure imgf000027_0003
[D-96] [D-97] [D-98] [D-99] [D-100]
Figure imgf000027_0004
Figure imgf000028_0001
[οει-α] [6ζι iszi-al [LZI-Q] [9π-α]
Figure imgf000028_0002
-α] [6ΐ ΐ-α] [8ΐι-α] [ιπ-αΐ [9π
Figure imgf000028_0003
-ο] [η ι-α\ [ειι-α] [πι-α] [ιπ
Figure imgf000028_0004
-α] [60ΐ-α] [80ΐ-α] [LO \-Q] [90 Ι
Figure imgf000028_0005
[ςοι-α\ [wn-α] [εοι-α] [πη-α] [ΚΗ
91
6L900/8lOZW^/13d C609CZ/8T0Z OAV -131] [D-132] [D-133] [D-134] [D-135]
Figure imgf000029_0001
상기 게 1 호스트 및 게 2 호스트는 조성물의 형태로 적용될 수 있다.
상기 인광 도편트는 적색 또는 녹색의 인광 도편트일 수 있으며， 본 발명의 일 실시예에서， 상기 인광 도편트는 하기 화학식 3으로 표현되는 유기금속화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 3]
Figure imgf000029_0002
상기 화학식 3에서,
Ζ4 내지 Ζ11은 각각 독립적으로 N, C 또는 CRC이고，
고리 C는 C-C 결합을 통해 고리 B에 결합되고，
이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 B에 결합되며,
X2는 0 또는 S이고,
Rc 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기, 게르마늄기, 시아노기， 치환 또는 비치환된 실릴기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기, 치환 또는비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
n은 1 내지 3의 정수 중 하나이다. 전술한 게 1 호스트 및 게 2 호스트를 포함하는 조성물과 함께 디벤조퓨란일기, 디벤조티 또는 디벤조퓨란일기 및 디벤조티오펜일기의 육각환에 적어도 하나의 N을 함유하는 디벤조퓨란일기 및 디벤조티오펜일기의 유도체가 포함된 인광 도펀트와의 조합을 통해 호스트 및 도펀트 재료의 패킹, 에너지 전달 등 조합 매칭에서의 장점을 확보할 수 있고, 이를 통해 저구동, 장수명, 고효율의 특성을 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 3의 Z4 내지 Z11 중 어느 하나가 N인 것이 바람직하며 , Ν이 2개, 3개, 또는 4개일 수 있다.
상기 인광 도펀트는 예컨대 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-6 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
화학식 3-1] [화학식 3-2] 화학식 3-3]
Figure imgf000030_0001
[화학식 3_4] [화학식 3_5] [화학식 3— 6]
Figure imgf000030_0002
화학식 3_i 내지 화학식 3-6에서, X2, R14 내지 R19 및 n은 전술한 바와 같고, Rcl, c2 및 Rc3는 전술한 Rc의 정의와 같다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 상기 Rc, Rcl, Rc2, Rc3 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기일 수 있고, 예컨대 상기 Rc, Rcl, Rc2, Rc3 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기， 치환 또는 비치환된 실릴기: 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기일 수 있으며， 좋게는 상기 Rc, Rcl, Rc2, Rc3 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 증수소, 할로겐기, 중수소 또는 할로겐기로 차환도ᅵ거나 비치환된 실릴기， 중수소 또는 할로겐기로 치환되거나 비치환된 메틸기, 중수소 또는 할로겐기로 치환되거나 비치환된 이소프로필기, 중수소 또는 할로겐기로 치환되거나 비치환된 tert-부틸기, 또는 C1 내지 C4 알킬기로 치환되거나 비치환된 실릴기일 수 있다.
상기 인광 도편트는 예컨대 하기 그룹 3에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 3]
-1][Ε-2][Ε-3][Ε-4]
Figure imgf000031_0001
[E-17][E-18][E-19][E-20]
Figure imgf000031_0002
Figure imgf000032_0001
-25][E-26][E-27][E-28]
Figure imgf000032_0002
-37][E-38] [E-39][E-40]
Figure imgf000032_0003
본 발명의 더욱 바람직한 일 실시예에서 발광층에는 상기 화학식 1-3으로 표현되는 제 1 호스트, 상기 화학식 2A로 표현되는 게 2 호스트 및 상기 화학삭 3-1로 표현되는 인광 도편트를 포함하는 조성물이 적용될 수 있고,
상기 화학식 1ᅳ 3은 예캰대 상기 화학식 l-3a일 수 있다.
상기 화학식 l-3a의 Z1 내지 Z3은모두 N이고, R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이며, L1욘 단일결합이거나 meta-페닐렌기일 수 있고,
상기 화학식 2A의 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 meta-바이페닐기， 치환 또는 비치환된 para-바이페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고， L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합이거나 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있으며 ,
상기 화학식 3-1의 상기 Rcl, Rc2, Rc3 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 실릴기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기일 수 있다.
더욱 구체적으로， 상기 제 1 호스트 및 게 2 호스트는 1 :9 내지 6:4, 2:8 내지 6:4 3:7 내지 6:4의 중량비 범위로 포함될 수 있고, 더욱 좋게는 상기 게 1 호스트 및 제 2 호스트는 1 :9 내지 5:5, 2:8 내지 5:5, 3:7 내지 5:5의 중량비 범위로 포함될 수 있으며， 가장 좋게는 상기 게 1 호스트 및 제 2 호스트는 3:7 내지 5:5의 중량비 범위로 포함될 수 있다.
또한， 상기 인광 도편트는 상기 제 1 호스트 및 제 2 호스트의 조성물 100 중량%에 대하여 약 0.1 중량 % 내지 15 중량%로 포함될 수 있고， 좋게는 1 중량 % 내지 15 중량 %로 포함될 수 있으며, 가장 좋게는 5 중량% 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 예컨대 상기 제 1 호스트 및 제 2 호스트는 3:7의 중량비로 포함될 수 있으며， 상기 인광 도편트는 상기 제 1 호스트 및 게 2 호스트의 조성물 100 중량0 /0에 대하여 5 중량% 내지 15 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 상기 제 1 호스트 및 제 2 호스트의 조성물은 전술한 인광 도편트 외에 공지의 인광 도편트와 함께 사용될 수 있다.
공지의 인광 도편트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합 중 하나를 포함하는 유기금속화합물과 흔합하여 사용할 수 있다.
그러나， 이들은 단지 예시에 불과하며, 본 발명에 따른 제 1 호스트 및 제 2 호스트의 조성물과 조합하여 가장 우수한 효과를 내는 도펀트는 앞서 설명한 화학식 3으로 표현되는 인광 도펀트이다.
이하, 공지의 인광 도펀트의 일 예로 화학식 4이로 표시되는
유기금속화합물을 들 수 있다. < 401>
Figure imgf000034_0001
상기 화학식 401 중 , Μ은 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm 중에서 선택되고;
X401 내지 ¾04는 서로 독립적으로, 질소 또는 탄소이고; A401 및 A402 고리는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 벤젠, 치환 또는 비치환된 나프탈렌, 치환 또는 비치환된 플루오렌, 치환 또는 비치환된 스파이로 -플루오렌, 치환 또는 비치환된 인덴， 치환 또는 비치환된 피롤, 치환 또는 비치환된 티오펜， 치환 또는 비치환된 퓨란 (foran), 치환 또는 비치환된 이미다졸, 치환 또는 비치환된 피라졸, 치환 또는 비치환된 티아졸, 치환 또는 비치환된 이소티아졸, 치환 또는 비치환된 옥사졸, 치환 또는 비치환된 이속사졸 (isooxazole), 치환 또는 비치환된 피리딘, 치환 또는 비치환된 피라진， 치환 또는 비치환된 피리미딘, 치환 또는 비치환된 피리다진， 치환 또는 비치환된 퀴놀린, 치환 또는비치환된 이소퀴놀린, 치환또는 비치환된 벤조퀴놀린， 치환 또는 비치환된 퀴녹살린, 치환 또는 비치환된 퀴나졸린, 치환 또는 비치환된 카바졸, 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란 (benzoforan), 치환또는 비치환된 벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 이소벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸, 치환 또는 비치환된 이소벤조옥사졸, 치환 또는 비치환된 트리아졸, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸, 치환 또는 비치환된 트리아진, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 (dibenzoforan) 및 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜 중에서 선택되고; 여기서 "치환 "이란 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30
시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기， 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미하고; 1^401은 유기 리간드이고; xcl은 1 , 2 또는 3이고; xc2는 0, 1, 2 또는 3이다.
상기 L40r 임의의 1가， 2가 또는 3가의 유기 리간드일 수 있다. 예를 들어, L4()l은 할로겐 리간드 (예를 들면, C1, F), 디케톤 리간드 (예를 들면,
아세틸아세토네이트, 1,3-디페닐 -1,3-프로판디오네이트, 2,2,6,6-테트라메틸 -3,5- 헵탄디오네이트, 핵사플루오로아세토네이트), 카르복실산 리간드 (예를 들면, 피콜리네이트， 디메틸 -3-피라졸카르복실레이트， 벤조에이트), 카본 모노옥사이드 리간드, 이소니트릴 리간드, 시아노 리간드 및 포스포러스 리간드 (예를 들면, 포스핀 (phosphine), 포스파이트 (phosphite)) 중 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 Q401 내지 Q407, Q41 1 내지 Q4n 및 Q421 내지 Q427은 독립적으로， 수소, C1 내지 C60 알킬기, C2 내지 C60 알케닐기， C6 내지 C60 아릴기 및 C2 내지 C60 해테로아릴기 중에서 선택된다.
상기 화학식 401 중 A401가 2 이상의 치환기를 가질 경우，入401의 2 이상의 치환기를 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다ᅳ .
상기 화학식 401 중 A402가 2 이상의 치환기를 가질 경우 , A402의 2 이상의 치환기를 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다.
학식 401 중 xcl이 2 이상일 경우, 화학식 401 중 복수의 리간드
Figure imgf000035_0001
서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 화학식 401 중 xcl이 2 이상일 경우 , A401 및 A402는 각각 이웃하는 다른 리간드의 A401 및 A402와 각각 직접 (directly) 또는 연결기 (예를 들면, C1 내지 C5 알킬렌기， -N(R')- (여기서, R'은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C20 아릴기임) 또는 -C(=0)-)를 사이에 두고 연결될 수 있다.
예컨대， 하기 화합물 PD1 내지 PD75 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure imgf000036_0001
Figure imgf000036_0002
PD73 PD74 PD75
전술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만， 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
이하, 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반웅물질은 특별한 언급이 없는 한， Sigma-Aldrich 社 또는 TCI 社에서 구입하였거나， 공지된 방법을 통해 합성하였다. 본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물을 하기 단계를 통해 합성하였다.
(제 1 호스트의 제조)
합성예 1: 화합물 B-1의 합성
Figure imgf000037_0001
a) 중간체 B-1-1의 합성
500 mL의 등근 바닥 플라스크에 2,4-bis(3-bromophenyl)-6-phenyl-l,3,5-triazine 30.0g (64.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 100 mL, 를루엔 100 mL, 증류수 100 mL에 넣고, 디벤조퓨란 -4-보론산 1.0 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류하였다. 6 시간 후 반응액을 넁각시키고, 물층을 제거한 후, 유기층을 감압하에서 건조시켰다. 얻어진 고체를 물과 핵산으로 씻어준 후， 고체를 를루엔 300 mL로 재결정하여 중간체 B-1-1을 21.4 g(60% 수율) 얻었다. b) 중간체 B-1-2의 합성
500 mL등근 바닥 플라스크에 4-브로모 -9-페닐카바졸 (cas: 1097884-37-1) 15 g (46.55 mmol)을 를루엔 200 mL에 넣고, 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론 1.2 당량, 초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다. 반응액올 넁각시키고, 물 1 L에 적하시켜 고체를 잡는다. 얻어진 고체를 끓는 를루엔에 녹여 활성탄소를 처리 후
실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축하였다. 농축된 고체를 소량의 핵산과 교반 후, 고체를 여과하여 중간체 B-1-2를 80%의 수율로 얻었다.
0 화합물 B-1의 합성
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 B-1— 1 20g (36.1 mmol)을 테트라하이드로퓨란 lOO mL, 증류수 50 mL에 넣고， 중간체 B-1-2 1.1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소
대기하에서 가열 환류하였다. 18 시간 후 반응액을 넁각시키고, 석출된 고체를 여과하고， 물 500 mL로 씻었다. 고체를 모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 B-1을 24 g 얻었다.
LC/MS calculated for: C51H32N40 Exact Mass: 716.2576 found for: 717.26 [M+H] 합성예 2: 화합물 B-13의 합성
2]
Figure imgf000038_0001
중간체 B-1-1 1 당량과 카바졸 1 당량을 소듐 t-부특사이드 2eq 및 Pd2(dba)3 0.05eq를 자일렌에 0.2M이 되도록 현탁시킨 후 트리 -터셔리부틸포스핀 0.15eq를 넣고 18 시간 동안 환류 교반하였다. 용매 1.5배의 메탄올을 가하여 교반한 후 얻어진 고체를 여과하고 물 300mL로 씻어주었다. 고체를 모노클로로벤젠을 사용하여 재결정하여 화합물 B-13을 85%의 수율로 얻었다.
LC/MS calculated for: C45H28N40 Exact Mass: 640.2263 found for: 641.23 [M+H] 합성예 3: 화합물 B-17의 합성
반응식 3]
Figure imgf000038_0002
a) 중간체 B-17-1의 합성 . .
500 mL등근 바닥 플라스크에 4-(3-브로모페닐) -디벤조퓨란 (cas: 887944-90-3) 15 g (46.4 mmol)을 를루엔 200 mL에 넣고, 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론 1.2 당량, 초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다. 용액을 추출을 통해 물로 씻어준 후, 유기층을 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축하였다. 농축된 고체를 소량의 핵산과 교반후, 고체를 여과하여 중간체 B-17-1를 85%의 수율로 얻었다. b) 중간체 B-17-2의 합성
500 mL의 등근 바닥 플라스크에 2,4-디클로로 -6-페닐트리아진 9.04g (40 mmol)을 테트라하이드로퓨란 60 mL, 를루엔 60 mL, 증류수 60 mL에 넣고, 중간체 B- 17-1 0.9 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류하였다. 6 시간 후 반응액을 냉각시키고， 물층을 제거한 후， 유기층을 감압하에서 건조시켰다. 얻어진 고체를 물과 핵산으로 씻어준 후, 고체를 를루엔 300 mL로 재결정하여 중간체 B-17-2를 40%의 수율로 얻었다. c) 화합물 B-17와 합성
중간체 B-17-2 1 당량과 카바졸 1.1 당량을 소듐 t-부특사이드 2eq 및
Pd2(dba)3 ().05eq를 자일렌에 0.2M이 되도록 현탁시킨 후 트리 -터셔리부틸포스핀
0.15eq를 넣고 18 시간 동안 환류 교반하였다. 용매 1.5배의 메탄올을 가하여 교반한 후 얻어진 고체를 여과하고 물 300mL로 씻어주었다. 고체를 모노클로로벤젠을 사용하여 재결정하여 화합물 B-17을 80%의 수율로 얻었다ᅳ
LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.21 [M+H] 합성예 4: 화합물 C-l의 합성
Figure imgf000039_0001
a) 중간체 C-1-1의 합성
500 mL의 등근 바닥 플라스크에 2,4-디클로로 -6-페닐트리아진 22.6g (100 mmol)을 테트라하이드로퓨란 100 mL, 를루엔 100 mL, 증류수 100 mL에 넣고， 디벤조퓨란 -3-보론산 0.9 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류하였다. 6 시간 후 반응액을 넁각시키고, 물층을 제거한 후， 유기층을 감압하에서 건조시켰다. 얻어진 고체를 물과 핵산으로 씻어준 후， 고체를 를루엔 200 mL로 재결정하여 중간체 C-1-1을 21.4 g(60% 수율) 얻었다. b) 화합물 C-1-2의 합성
500 mL의 등근 바닥 플라스크에 4-브로모 -9-페닐카바졸 (cas: 1097884-37-1) 15 g (46.55 mmol)을 테트라하이드로퓨란 140 mL, 증류수 70 mL에 넣고， 3-클로로페닐 보론산 1.1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류하였다. 12 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 유기층을 추출하여 용매를 감압하에서 제거하였다. 농축된 화합물을 실리카 컬럼크로마토 그래피를 통해 증간체 C-1-2를 85%의 수율로 얻었다. c) 중간체 C-1-3의 합성
500 mL등근 바닥 플라스크에 중간체 C-1-2 12 g (33.9 mmol)을 자일렌 150 mL에 넣고， 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량， 비스피나콜라도 다이보론 1.2 당량, 초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다. 반웅액을 냉각시키고， 용액을 추출을 통해 물로 씻어준 후, 유기층을 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축하였다. 농축된 고체를 소량의 핵산과 교반 후, 고체를 여과하여 중간체 C-1-3를 75%의 수율로 얻었다. d) 화합물 C-1의 합성
500 mL의 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 C-1-1 8g (22.4 mmol)을 테트라하이드로퓨란 80 mL, 증류수 40 mL에 넣고, 중간체 C-1-3 1.0 당량,
테트라키스트리페닐포스핀 팔라듬 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소
대기하에서 가열 환류하였다. 18 시간 후 반응액을 냉각시키고, 석출된 고체를 여과하고, 물 500 mL로 씻었다. 고체를 모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물
C-1을 12 g 얻었다.
LC/MS calculated for: C45H28N40 Exact Mass: 640.2263 found for: 641.24
합성예 5: 화합물 C-2의 합성
Figure imgf000041_0001
a) 중간체 C-2-1의 합성
500 mL등근 바닥 플라스크에 3-(3-브로모페닐) -9-페닐카바졸 (cas: 854952-59-3) 15 g (46.4 mmol)을 를루엔 200 mL에 넣고， 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량， 비스피나콜라도 다이보론 1.2 당량, 초산칼륨 2 당량을 넣고 질소
대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다. 반응액을 냉각시키고， 물 1 L에 적하시켜 고체를 잡는다. 얻어진 고체를 끓는 를루엔에 녹여 활성탄소를 처리 후
실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축하였다. 농축된 고체를 소량의 핵산과 교반 후, 고체를 여과하여 중간체 C-2-1를 85%의 수율로 얻었다. b) 화합물 C-2의 합성
500 mL의 등근 바닥 플라스크에 상기 합성예 4의 증간체 C-l-1 8g (22.4 mmol)을 테트라하이드로퓨란 80 mL, 증류수 40 mL에 넣고, 중간체 C-2-1 1.0 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소
대기하에서 가열 환류하였다. 18 시간 후 반웅액을 넁각시키고, 석출된 고체를 여과하고， 물 500 mL로 씻었다. 고체를 모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물
C-1을 13 g 얻었다.
LC/MS calculated for: C45H28N40 Exact Mass: 640.2263 found for: 641.24 합성예 6: 화합물 C-12의 합성 6]
Figure imgf000042_0001
500 mL의 등근 바닥 플라스크에 상기 합성예 4의 중간체 C-l-1 8g (22.4 mmol)을 테트라하이드로퓨란 80 mL, 증류수 40 mL에 넣고, 9— phenyl- ^A^S- tetramethyl-HS— dioxaborolan— 2— yl)-carbazole(cas: 1246669— 45-3) 1.0 .당량,
테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류하였다. 18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 석출된 고체를 여과하고, 물 500 mL로 씻었다. 고체를 모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 C-12을 11 g 얻었다.
LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.20 합성예 Ί: 화합물 C-16의 합성
Figure imgf000042_0002
a) 중간체 C-16-1의 합성
질소 환경에서 magnesium(7.86 g, 323 mmol)과 iodine(1.64 g, 6.46 mmol)을 tetrahydroforan(THF) 0.1 L에 넣고 30분간 교반시킨 후, 여기에 THF 0.3 L에 녹아있는
3-브로모 디벤조퓨란 (80 g, 323 mmol)을 0 °C에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 이렇게 만들어진 흔합액을 THF 0.5 L에 녹아있는 시아누 ^클로라이드 29.5 g (160 mmol) 용액에 0 °C에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 반응을 상온으로 올려 lh 교반 후, 환류조건하에서 12h을 추가로 교반하였다. 반웅을 냉각 시킨 후， 천천히 물을 가하여 반웅을 종료시키고， 유기용매를 감압하에서 농축하여 고체를 얻는다. 이를 아세톤 200mL와 교반 후， 여과하여 중간체 C-16-1을 40%의 수율로 얻었다. b) 화합물 C-16의 합성
중간체 C-16-1을 사용하여 상기 합성예 2와 같은 방법으로 화합물 C-16을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H22N402 Exact Mass: 578.1743 found for 579.20 합성예 8: 화합물 C-17의 합성
반웅식 8]
Figure imgf000043_0001
중간체 C-1-1과 3-페닐 -9H-카바졸을 각 1당량씩 사용하여 상기 합성예 2와 같은 방법으로 화합물 C-17을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.20 합성예 9: 화합물 C-21의 합성
9]
Figure imgf000043_0002
상기 합성된 중간체 C-1-1와 9-(4-(4,4,5,54etramethyl-l
Figure imgf000043_0003
phenyl)-carbazole(cas:785051-54:9)을 각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 6과 같은 방법으로 화합물 C-21을 합성하였다. LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.20 합성예 10: 화합물 C-22의 합성
10]
Figure imgf000044_0001
상기 합성된 중간체 C-1-1와 9-(3-(4,4;5,5-tetramethyl-l,3,2-dioxaborolan-2-yl)- phenyl)-carbazole(cas:8701 19-58ᅳ 7)을 각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 6과 같은 방법으로 화합물 C-22을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.20 합성예 11: 화합물 C-25의 합성
반웅식 11]
Figure imgf000044_0002
a) 중간체 C-25- 1의 합성
3ᅵ페닐ᅵ 9H-카바졸 1당량과 3-클로로 -1-브로모벤젠 1.2당량을 사용하여 상기 합성예 2와 같은 방법으로 중간체 C-25-1을 합성하였다. b) 중간체 C-25-2의 합성
상가합성된 중간체 C— 25-1을 사용하여 상기 합성예 5의 a)와 같은 방법으로 중간체 C-25-2을 합성하였다.
0 화합물 C-25의 합성
상기 합성된 중간체 C-25-2과 중간체 C-1-1을 각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 6과 같은 방법으로 화합물 C-25를 합성하였다. LC/MS calculated for: C45H28N40 Exact Mass: 640.2263 found for: 641.23 합성예 12: 화합물 B-14의 합성
12]
Figure imgf000045_0001
a) 중간체 B-14-1의 합성
2,4-디클로로 -6-페닐트리아진 1 당량과 디벤조퓨란 -4-보론산 0.9 당량을 사용하여 상기 합성예 4의 a)와 같은 방법으로 중간체 B-14-1을 합성하였다. b) 화합물 B-14의 합성
상기 합성된 중간체 B-14-1과 9— (3-(4,4,5,5-tetramethyl-l,3,2-dioxaborolan-2-yl)— phenyl)-carbazole(cas:870119-58-7)을 각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 6과 같은 방법으로 화합물 B-14을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.20 합성예 13: 화합물 B-22의 합성
13]
Figure imgf000045_0002
a) 중간체 B-22-1의 합성
2,4-디클로로 -6—페닐트리아진 1 당량과 디벤조퓨란 -2-보론산 으9 당량을 사용하여 상기 합성예 4의 a)와 같은 방법으로 중간체 B-22-1을 합성하였다. b) 화합물 B-22의 합성
상기 합성된 중간체 B-22-l과 9— (3-(4,4,5,5— tetomethyl-1,3,2— dioxaborolan— 2-yl)- phenyl)-carbazole(cas:870119-58-7)을 각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 6과 같은 방법으로 화합물 B-22을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.21 합성예 14: 화합물 B-25의 합성
[반웅식 14]
Figure imgf000046_0001
a) 중간체 B-25-1의 합성
2,4-디클로로 -6-페닐트리아진 1 당량과 디벤조퓨란 -1-보론산으9 당량을 사용하여 상기 합성예 4의 a)와 같은 방법으로 중간체 B-25-1을 합성하였다. b) 화합물 B-25의 합성
상기 합성된 중간체 B-25-1과 9-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-l,3,2-dioxaborolan— 2-yl)— phenyl)-carbazole(cas:870119-58-7)을 각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 6과 같은 방법으로 화합물 B-25을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H24N40 Exact Mass: 564.1950 found for: 565.20
(제 2호스트의 제조)
합성예 15: 화합물 D-129의 합성
[반웅식 15]
Figure imgf000046_0002
질소 분위기 하 교반기가 부착된 500 mL 등근바닥 플라스크에 3-브로모 -6- 페닐 -N-메타바이페닐카바졸 20.00 g(42.16 mmol), N-페닐카바졸 -3-보로닉에스터 17.12 g(46.38 mmol) 및 테트라하이드로퓨란:를루엔 (1 : 1) 175 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 75 mL를 흔합한 후, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듬 (0) 1.46 g(l .26 mmol)을 넣고 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반웅 종결 후 반웅물을 메탄을에 부어 고형물을 여과한 다음 수득한 고형물을 물과 메탄올로 층분히 세정하고 건조하였다. 이로부터 수득한 결과물을 700 mL의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 용액을 실리카겔 필터하고 용매를 완전히 제거한 후， 400mL의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 재결정 하여 화합물 D-129 18.52 g (수율 69%)을 수득하였다.
LC/MS calculated for: C42H32N2 Exact Mass: 636.2565 found for: 636.27 합성예 16: 화합물 D-137의 합성
Figure imgf000047_0001
250 mL 둥근 플라스크에서 N-페닐 -3,3-바이카바졸 6.3 g (15.4 mmol), 4-(4- 브로모페닐)다이벤조 [b,d]퓨란 5.0 g (15.4 mmol), 소듐 t-부특사이드 3.0 g (30.7 mmol), 트리스 (다이벤질리덴아세톤)다이팔라디움 0.9 g (l .5 mmol) 및 트리 t-부틸포스핀 1.2 mL (50% in를루엔)를 자일렌 100 mL과 흔합하고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 300 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄올로 재결정하여 중간체 D-137 (7.3 g, 73%의 수율)를 수득하였다.
LC/MS calculated for: C48H30N2O Exact Mass: 650.2358 found for: 650.24 합성예 17: 화합물 D-40의 합성 17]
Figure imgf000048_0001
250 mL등근 플라스크에서 N-페닐 -3,3-바이카바졸 1당량, 3-브로모 -9- 페닐카바졸 1당량을 소듐 t-부특사이드 1.5 당량과,
트리스 (다이벤질리덴아세톤)다이팔라디움 0.03 당량 및 트리 t-부틸포스핀 0.06 당량을 자일렌 (0.3M)과 흔합하고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여
환류하였다ᅳ 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 300 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 화합물 D-40을 60%의 수율로 수득하였다.
LC/MS calculated for: C48H31N3 Exact Mass: 649.2518 found for: 649.25
(인광도편트의 제조)
합성예 18: 화합물 E-24의 합성
도편트 화합물 E-24는 US2014-0131676의 화합물 Π -l의 제조방법에서 출발물질로 하기 반웅식 16에 기재된 이리듐 착물을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 반웅하여 도판트 화합물 E-24를 제조하였다.
18]
Figure imgf000048_0002
(유기 발광소자의 제작)
실시예 1:
ΠΌ (Indium tin oxide)가 1500A 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코을, 아세톤， 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700A 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한 후, 화합물 C를 1020A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 제 1 호스트로 화합물 C— 1을 제 2 호스트로 화합물 D-99을 사용하고 인광 도편트로 화합물 E-24를 10wt%로 도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 C-1와 화합물 D-99은 3:7 중량비로 사용되었으며, 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1 : 1 비율로 진공 증착하여 300A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq l5 A과 A1 1200A을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며， 구체적으로 다음과 같다.
ITO/화합물 A(700A)/화합물 B(50A)/화합물 C(1020A)/EML [화합물 C-1： 화합물 D-99： 화합물 E-24 (10wt%)] (400 A) I 화합물 D： Liq(300A) I Liq(15 A) I A1(1200A)의 구조로 제작하였다.
화합물 A: N4,N4,-diphenyl-N4,N4,-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'- diamine
화합물 B: 1 ,4,5,8,9, 11 -hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN),
화합물 C: N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)- 9H-fluoren-2-amine
화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinolone
[ir(PPy N PB BAI
Figure imgf000049_0001
실시예 2 내지 실시예 23 및 비교예 1 내지 6
거 U 호스트, 제 2 호스트 및 인광 도펀트의 조성을 하기 표 1에 기재한 것과 같이 변경한 것을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 평가 1: 발광효율및 수명 상승효과확인
상기 실시예 1 내지 23， 및 비교예 1 내지 6에 따른 유기 발광 소자의 발광 효율 및 수명 특성을 평가하였다. 구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고， 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-IOOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광 효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
제조된 유기발광소자에 대해 폴라로닉스 수명측정 시스템을 사용하여 실시예 1 내지 24 및 비교예 1 내지 비교예 6의 소자를 초기휘도 (cd/m2)를 5000cd/m2로 발광시키고 시간경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 90%로 휘도가 감소된 시점을 T90 수명으로 측정하였다.
(5) 구동전압 측정
전류—전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 15 mA/cm2에서 각 소자의 구동전압을 측정하여 결과를 얻었다. [표 i ]
거 1 1 제 2 제 1, 제 2 rd
효율 丁¾ 구동 도편트 ~ r
호入 E 호 E 호 비율 Cd/A (T90) (Vd) 비교예 1 C-1 - 다도 Ε-24 노 A¾ 56 30 4.1 비교예 2 C-1 CBP 3:7 Ε-24 노 Afl 61 60 4.8 실시예 1 C-1 D-99 3:7 Ε-24 노시 70 600 3.9 비교예 3 C-1 D-99 3:7 Ir(ppy)3 노 Λ¾ 49 220 4.2 비교예 4 C-22 - 다도 E-24 노 H
ᅳ， ᅳ 53 40 4.0 비교예 5 C-22 CBP 3:7 E-24 노 fl 60 80 4.7 실시예 2 C-22 D-99 3:7 E-24 노 fl 71 640 3.9 비교예 6 C-22 D-99 3:7 Ir(ppy 노 Afl
)3 49 240 4.3 실시예 3 C-1 D-40 3:7 E-24 노 fl
"Ί 69 380 3.7 실시예 4 C-22 D-40 3:7 E-24 노 fl 70 420 3.7 실시예 5 C-1 D-137 3:7 E-24 노 Afl 68 580 4.2 실시예 6 C-22 D-137 3:7 E-24 노 rt 67 620 4.3 실시예 7 C-1 D-31 3:7 E-24 노 Afl 72 620 4.1 실시예 8 C-22 D-31 3:7 E-24 노 fl 72 700 4.2 실시예 9 C-1 D-129 3:7 E-24 노 All
~τ ~ 69 600 4.2 실시예 10 C-22 D-129 3:7 E-24 노 fl 67 610 4.4 실시예 11 C-2 D-99 3:7 E-24 노 AH
~i - 71 590 4.0 실시예 12 C-12 D-99 3:7 E-24 노 ll 67 580 3.8 실시예 13 C-16 D-99 3:7 E-24 노 Afl 69 650 3.8 실시예 14 C-17 D-99 3:7 E-24 노 fl 69 570 3.9 실시예 15 C-21 D-99 3:7 E-24 노 fl 67 550 3.9 실시예 16 C-22 D-99 3:7 E-24 노 69 620 4.0 실시예 17 C-25 D-99 3:7 E-24 노 Al 72 650 4.0 실시예 18 B-1 D-99 3:7 E-24 노 68 410 4.2 실시예 19 B-13 D-99 3:7 E-24 노 ΪΙ 67 350 4.3 실시예 20 B-17 D-99 3:7 E-24 노 Afl 67 370 4.1 실시예 21 B-14 D-99 3:7 E-24 노 Afl 65 380 4.2 실시예 22 B-14 D-31 3:7 E-24 노 Λ11 66 440 4.3 실시예 23 B-25 D-31 3:7 E-24 노시; 65 310 4.5 표 1을 참고하면, DBX와 카바졸을 포함하는 재료를 게 1 호스트로 사용하고, 비스카바졸을 게 2 호스트로 사용한 경우 제 1 호스트를 단독으로 사용하거나 CBP¾ 제 2 호스트로 사용한 경우보다 구동과 수명의 측면에서 큰 장점을 보인다. 또한 DBX 골격을 포함하지 않는 인광 도편트인 Ir(ppy)3를 사용할 때 보다, DBX 골격을 포함하는 인광 도펀트인 화합물 E-24를 사용하였을 때, 수명과 효율 측면에서 크게 증가됨을 확인할 수 있다. 특히 게 1 호스트로 트리아진에 디벤조퓨란 3번 위치가 직접 연결된 구조를 사용할 경우, 구동전압의 추가적인 감소와 수명의 추가적인 증가 효과를 확인할 수 있었다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며， 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【청구의 범위】 【청구항 1】 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 유가층을 포함하고, 상기 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 중 적어도 하나를 포함하며， 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표현되는 게 1 호스트, 하기 화학식 2로 표현되는 게 2 호스트, 및 하기 화학식 3으로 표현되는 인광 도편트를 포함하는 유기 광전자 소자: ■
[화학식 1] [화학식 2] [화학식 3]
Figure imgf000053_0001
상기 화학식 1에서,
X1는 0 또는 S이고,
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또二 CRa이고
Z1 내지 Z3 중 적어도 둘은 N이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
A는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이고,
R i은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,
Ra, 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 사아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고; 상기 화학식 2에서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
L3 및 L4은 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고， R 및 R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
m은 0 내지 2의 정수이며;
상기 화학식 3에서,
Z4 내지 Z11은 각각 독립적으로 N, C 또는 CR°이고,
고리 C는 C-C 결합을 통해 고리 B에 결합되고，
이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 B에 결합되며,
X2는 O 또는 S이고,
Rc 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐기， 게르마늄기， 시아노기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
n은 1 내지 3의 정수 중 하나이다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서,
상기 제 1 호스트는 하기 화학식 1-3 또는 하기 화학식 1-4로 표현되는 유기 광전자 소자: - 화학식 1_3] [화학식 1-4]
Figure imgf000054_0001
상기 화학식 1-3 및 화학식 1-4에서,
X1는 O 또는 S이고,
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
Z1 내지 Z3 중 적어도 둘은 N이고，
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내 C20 아릴렌기이고， A는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,
Ra, 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
【청구항 3】
제 1항에 있어서，
상기 제 1 호스트는 하기 화학식 l-3a, 화학식 l-4a 및 화학식 l-4b 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자:
[ [화학식 l-4a] [화학식 l-4b]
Figure imgf000055_0001
상기 화학식 i-3a, 화학식 l-4a 및 화학식 l-4b에서,
X1는 O 또는 S이고,
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
Z1 내지 Z3 중 적어도 둘은 N이고,
L1은 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고, A는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이며,
Ra, R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다. 【청구항 4]
제 3항에 있어서, - 상기 제 1 호스트는 하기 화학식 l-3a- I , 화학식 l-3a- II , 화학식 l-3a-m, 화학식 i-4a- I , 화학식 l-4b- I 및 화학식 l-4b- II 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자:
. 3a- I ] [화학식 l-3a-n] [화학식 l-3a-m] [화학식 l-4a- I
Figure imgf000056_0001
l-4b- I ] [화학식 l-4b- n]
Figure imgf000056_0002
상기 화학식 l-3a- I , 화학식 l-3a-n, 화학식 l-3a-m, 화학식 l-4a- I , 화학식 l-4b- I 및 화학식 l-4b-n에서，
X1는 O 또는 S이고，
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고，
Z1 내지 Z3 중 적어도 둘은 N이고,
L1은 단일결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고, R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고，
Ra, R2 내지 R4 및 R9 내지 R13은 각각 독립적으로 수소， 중수소， 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
【청구항 5】
거 11항에 있어서,
상기 화학식 1의 Z1 내지 Z3은 모두 N인 유기 광전자 소자.
【청구항 6]
거 U항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 하가그룹 I에 나열된 치환기에서 선택되는 것인 유기 광전자 소자:
Figure imgf000057_0001
상기 그룹 I에서, *은 연결 지점이다.
【청구항 7】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 2는 하기 그룹 Π에 나열된 구조 중 하나이고,
상기 ^ΙΛΥ1 및 *-L4-Y2은 하기 그룹 m에 나열된 치환기 중 하나인 유 7 광전자 소자:
[그룹 Π ]
Figure imgf000057_0002
그룹 m]
Figure imgf000058_0001
상기 그룹 n 및 그룹 m에서, *은 연결 지점이다.
【청구항 8】
저 17항에 있어서,
상기 화학식 2는 상기 그룹 Π의 화학식 c-8 또는 화학식 c-17로 표현되고， 상기 ^ΐΛΥ1 및 *-L4-Y2은 상기 그룹 ΙΠ에서 선택되는 유기 광전자 소자.
【청구항 9】
거 17항에 있어서，
상기 화학식 2는 상기 그룹 Π의 화학식 c-8 또는 화학식 c-17로 표현되고, 상기 ^ΐΛΥ1 및 *-L4-Y2은 상기 그룹 ΠΙ의 B-1, B-2, B-3, B-11, B-16 및 B- 17에서 선택되는 유기 광전자 소자.
【청구항 10】
제 1항에 있어서,
상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-6 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자: 화학식 3-1] [화학식 3-2] 화학식 3-3]
Figure imgf000059_0001
[화학식 3-4] [화학식 3-5] [화학식 3-6]
Figure imgf000059_0002
화학식 3-1 내지 화학식 3-6에서,
X2는 0 또는 S이고，
Rcl, Rc2, Rc3 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기， 게르마늄기, 시아노기， 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
n은 1 내지 3의 정수 중 하나이다.
【청구항 111
제 1항에 있어서，
상기 제 1 호스트는 하기 화학식 1-3으로 표현되고,
상기 게 2 호스트는 하기 화학식 2A로 표현되는 유기 광전자 소자:
1-3] [화학식 2A]
Figure imgf000059_0003
상기 화학식 1-3 및 화학식 2 A에서,
X1는 0 또는 S이고，
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고 Z1 내지 Z3 중 적어도 둘은 N이고,
A는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이고，
R i은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고，
L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
Ra 및 R2 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고, γι 및 γ2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이다.
【청구항 12】
제 11항에 있어서,
상기 제 1 호스트는 하기 화학식 l-3a로 표현되는 유기 광전자 소자:
화학식 l-3a]
Figure imgf000060_0001
상기 화학식 l-3a에서，
X1는 O 또는 S이고，
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N이고，
L1은 단일결합, 또는 meta-페닐렌기이고,
A는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이고,
R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,
R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
【청구항 13】
제 11항에 었어서，
상기 화학식 3는 하기 화학식 3-1로 표현되는 유기 광전자 소자: [화학식 3-1]
Figure imgf000061_0001
상기 화학식 3-1에서
X2는 O 또는 S이고,
Rcl, Rc2, Rc3 및 R14 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬실릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
n은 1 내지 3의 정수 중 하나이며,
상기 "치환"이란, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， C1 내지 C4 알킬기， 또는 C6 내지 C12 아릴기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 14】
제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치 .
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200350501A1 (en) * 2017-06-22 2020-11-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, composition for organic optoelectronic device and organic optoelectronic device and display deivce
CN112599710A (zh) * 2019-10-01 2021-04-02 三星Sdi株式会社 有机光电装置与显示装置
CN113508113A (zh) * 2019-01-30 2021-10-15 诺瓦尔德股份有限公司 组合物、有机半导体层和电子器件

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102008897B1 (ko) * 2017-06-22 2019-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101947747B1 (ko) 2018-05-04 2019-02-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20190114764A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102044943B1 (ko) 2018-05-28 2019-11-14 삼성에스디아이 주식회사 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20210047817A (ko) * 2019-10-22 2021-04-30 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102506584B1 (ko) * 2019-10-24 2023-03-03 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US20230232717A1 (en) * 2020-09-28 2023-07-20 Lt Materials Co., Ltd. Organic light-emitting device, composition for organic layer of organic lightemitting device, and method for manufacturing organic light-emitting device
TWI819501B (zh) * 2021-02-22 2023-10-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 新穎化合物以及包括其之有機發光元件
JP2024504543A (ja) * 2021-02-22 2024-02-01 エルジー・ケム・リミテッド 新規な化合物およびこれを利用した有機発光素子

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140131676A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
US20140231769A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic device
KR20160001103A (ko) * 2014-06-26 2016-01-06 주식회사 우남케미코 우레탄계 약액주입패커를 이용한 연약지반 보강공법
KR20160010373A (ko) * 2014-07-18 2016-01-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
US20160093808A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20160064955A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525473A (en) 1975-07-01 1977-01-17 Siemens Ag Control switch for high pressure gas breaker or the like
JPS59471A (ja) 1982-06-21 1984-01-05 新明和工業株式会社 循環移動式駐車設備
JPH0195973A (ja) 1987-10-09 1989-04-14 Isuzu Motors Ltd 舵角比制御装置
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3065125B2 (ja) 1991-07-03 2000-07-12 三井化学株式会社 有機電界発光素子
JP3065130B2 (ja) 1991-07-22 2000-07-12 三井化学株式会社 有機電界発光素子
WO1995009147A1 (fr) 1993-09-29 1995-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Element electroluminescent organique et derive d'arylenediamine
JP3194657B2 (ja) 1993-11-01 2001-07-30 松下電器産業株式会社 電界発光素子
JPH1095973A (ja) 1996-07-24 1998-04-14 Mitsui Petrochem Ind Ltd 走行制御用発光性化合物及び該化合物を用いた走行制御方法
US6939624B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
TW545080B (en) * 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003133075A (ja) * 2001-07-25 2003-05-09 Toray Ind Inc 発光素子
AU2003302950A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent component with triplet emitter complex
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US20060088728A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Raymond Kwong Arylcarbazoles as hosts in PHOLEDs
US20070252516A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices including organic EIL layer
JP5338184B2 (ja) 2008-08-06 2013-11-13 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
JP5707665B2 (ja) 2008-12-03 2015-04-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置
KR101212670B1 (ko) * 2009-11-03 2012-12-14 제일모직주식회사 유기광전소자용 조성물, 이를 이용한 유기광전소자 및 이를 포함하는 표시장치
TW201301598A (zh) 2010-11-22 2013-01-01 Idemitsu Kosan Co 有機電激發光元件
KR20140043043A (ko) 2011-02-11 2014-04-08 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 발광 디바이스 및 이것에 사용되는 재료
CN103459375B (zh) 2011-04-07 2016-10-12 三菱化学株式会社 有机化合物、电荷传输材料、含有该化合物的组合物、有机场致发光元件、显示装置及照明装置
CN107342368B (zh) 2011-11-22 2019-05-28 出光兴产株式会社 芳香族杂环衍生物、有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件
KR102261235B1 (ko) 2011-11-22 2021-06-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 복소 고리 유도체, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 재료 및 유기 일렉트로루미네선스 소자
KR20130074765A (ko) 2011-12-26 2013-07-04 제일모직주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
US9773985B2 (en) 2012-05-21 2017-09-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101423067B1 (ko) * 2012-10-04 2014-07-29 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20140144550A (ko) 2013-06-11 2014-12-19 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN104812750A (zh) 2012-10-04 2015-07-29 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置
US8946697B1 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
KR102191019B1 (ko) 2012-12-26 2020-12-14 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
US20160141521A1 (en) * 2013-03-20 2016-05-19 Basf Se White organic light-emitting device
CN103435597A (zh) * 2013-09-04 2013-12-11 中国科学院理化技术研究所 1,3,5-三嗪衍生物及其在白光有机电致发光二极管中的应用
KR101618409B1 (ko) 2013-10-10 2016-05-04 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US10985329B2 (en) 2013-12-17 2021-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
KR102140018B1 (ko) * 2013-12-17 2020-07-31 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20150071624A (ko) * 2013-12-18 2015-06-26 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102177213B1 (ko) * 2014-01-20 2020-11-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20150099192A (ko) * 2014-02-21 2015-08-31 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101754715B1 (ko) * 2014-04-08 2017-07-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수종의 호스트 재료와 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102491209B1 (ko) * 2014-04-29 2023-01-26 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20160010333A (ko) 2014-07-17 2016-01-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 전자전달재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101835502B1 (ko) 2014-07-21 2018-03-07 삼성에스디아이 주식회사 유기광전자소자용 조성물, 유기광전자소자 및 표시 장치
KR102357467B1 (ko) * 2014-07-22 2022-02-04 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
US20160049597A1 (en) 2014-08-07 2016-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI543205B (zh) 2014-09-19 2016-07-21 台虹科技股份有限公司 訊號傳輸線之絕緣膜及包含該絕緣膜的訊號傳輸線
WO2016080791A1 (en) * 2014-11-20 2016-05-26 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. A plurality of host materials and an organic electroluminescent device comprising the same
KR101560102B1 (ko) 2014-11-20 2015-10-13 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR101818579B1 (ko) 2014-12-09 2018-01-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2016208873A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Multi-component host material and organic electroluminescent device comprising the same
US11302872B2 (en) 2015-09-09 2022-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101948709B1 (ko) 2015-09-25 2019-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
TWI582081B (zh) 2016-03-25 2017-05-11 昱鐳光電科技股份有限公司 用於有機電激發光元件之化合物及使用該化合物之有機電激發光元件
KR102005012B1 (ko) 2016-03-28 2019-07-30 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102044942B1 (ko) 2016-05-02 2019-11-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20180007617A (ko) 2016-07-13 2018-01-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102064298B1 (ko) 2016-07-22 2020-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102054277B1 (ko) 2016-07-29 2019-12-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20180022189A (ko) 2016-08-23 2018-03-06 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101744248B1 (ko) 2016-09-06 2017-06-07 주식회사 엘지화학 유기발광 소자
KR20180069475A (ko) 2016-12-15 2018-06-25 주식회사 두산 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR102084990B1 (ko) 2017-04-17 2020-03-05 두산솔루스 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102098447B1 (ko) 2017-06-20 2020-04-07 주식회사 엘지화학 고분자 전해질막, 이를 포함하는 전기화학 전지 및 흐름 전지, 고분자 전해질막용 조성물, 및 고분자 전해질막의 제조방법
KR102008897B1 (ko) 2017-06-22 2019-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US20190198772A1 (en) * 2017-06-22 2019-06-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, composition for organic optoelectronic device and organic optoelectronic device and display deivce
KR101947747B1 (ko) * 2018-05-04 2019-02-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102487503B1 (ko) 2017-07-04 2023-01-12 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR102162402B1 (ko) 2017-07-21 2020-10-06 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102530155B1 (ko) 2017-10-23 2023-05-10 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20190058748A (ko) 2017-11-21 2019-05-30 주식회사 두산 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR102044943B1 (ko) 2018-05-28 2019-11-14 삼성에스디아이 주식회사 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
EP3689867B1 (en) * 2019-01-30 2021-12-15 Novaled GmbH Composition, organic semiconductor layer and electronic device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140131676A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
US20140231769A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic device
KR20160001103A (ko) * 2014-06-26 2016-01-06 주식회사 우남케미코 우레탄계 약액주입패커를 이용한 연약지반 보강공법
KR20160010373A (ko) * 2014-07-18 2016-01-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
US20160093808A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20160064955A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3643762A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200350501A1 (en) * 2017-06-22 2020-11-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, composition for organic optoelectronic device and organic optoelectronic device and display deivce
US11800794B2 (en) * 2017-06-22 2023-10-24 Samsung Sdi Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, composition for organic optoelectronic device and organic optoelectronic device and display device
CN113508113A (zh) * 2019-01-30 2021-10-15 诺瓦尔德股份有限公司 组合物、有机半导体层和电子器件
CN112599710A (zh) * 2019-10-01 2021-04-02 三星Sdi株式会社 有机光电装置与显示装置

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