CN113508113A - 组合物、有机半导体层和电子器件 - Google Patents

组合物、有机半导体层和电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN113508113A
CN113508113A CN202080011511.7A CN202080011511A CN113508113A CN 113508113 A CN113508113 A CN 113508113A CN 202080011511 A CN202080011511 A CN 202080011511A CN 113508113 A CN113508113 A CN 113508113A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
aryl
heteroaryl
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080011511.7A
Other languages
English (en)
Inventor
伊莱纳·加兰
本杰明·舒尔策
弗朗索瓦·卡尔迪纳利
金亨宣
李承宰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NovaLED GmbH
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
NovaLED GmbH
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NovaLED GmbH, Samsung SDI Co Ltd filed Critical NovaLED GmbH
Publication of CN113508113A publication Critical patent/CN113508113A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
Figure DDA0003186243610000011

Description

组合物、有机半导体层和电子器件
技术领域
本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含所述组合物的有机半导体层，其适合用作电子器件中的有机半导体层，以及其制造方法。
背景技术
作为自发光器件的有机电子器件如有机发光二极管OLED具有宽视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。+在这方面，所述HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。所述空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。应该平衡空穴和电子的注入和流动，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。
有机发光二极管的性能可以受有机半导体层的特性影响，并且其中，可以受有机半导体层的有机材料的特性影响。
特定地，需要开发能够增加电子迁移率并同时增加电化学稳定性的有机半导体层，使得有机电子器件如有机发光二极管可以应用到大尺寸平板显示器。
另外，需要开发能够在较高电流密度下且由此在较高亮度下具有延长的寿命的有机半导体层。
仍然需要改进有机半导体材料、有机半导体层及其有机电子器件的性能，特别是通过改进其中包含的化合物的特性来实现增加的寿命。
发明内容
本发明的一方面涉及一种组合物，其包含：
a)式1的化合物：
Figure BDA0003186243590000021
其中
R1和R2独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
R3或R4具有通式2：
Figure BDA0003186243590000022
其中
星号“*”表示基团R3或R4的键合位置；
L1、L2和L3独立地选自取代或未取代的C6至C13芳亚基或取代或未取代的C3至C12杂芳亚基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素；
n为1或0；
m为1或0；
Ar1选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，优选Ar1的取代或未取代的C5至C24杂芳基的C5至C24杂芳基或Ar1的取代或未取代的C5至C24杂芳基包含至少一个杂芳基环、至少一个杂芳基环和至少一个非杂芳基环、至少两个杂芳基环和至少一个非杂芳基环、至少三个杂芳基环和至少一个非杂芳基环、至少一个杂芳基环和至少两个非杂芳基环，或者取代或未取代的杂芳基为稠环，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
其中Ar1不含螺环基团；
Ar2具有通式3：
Figure BDA0003186243590000031
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C12杂芳基，
其中取代的芳基环或取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代，其中取代基通过单键与所述取代的芳基环或取代的杂芳基环键合；
或者
Ar2选自包含一至四个取代或未取代的6元芳基环和零至两个取代或未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系，
其中取代的芳基环被C1至C12烷基基团取代，并且取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代；
条件是：
i)R3为式2，并且R4选自C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
或者
ii)R4为式2，并且R3为H或D；以及
b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
如果没有另外说明，否则杂原子可以单独地选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选选自N、O和S，且更优选为N。
根据一个实施方式，Ar1的取代或未取代的C5至C24杂芳基可以选自或可以包含至少一个取代或未取代的杂芳基环、至少一个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环、至少两个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环、至少三个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环、至少一个取代或未取代的杂芳基环和至少两个取代或未取代的非杂芳基环，或者取代或未取代的C5至C24杂芳基是稠环。
根据一个实施方式，Ar1的取代或未取代的C5至C24杂芳基的C5至C24杂芳基可以选自或可以包含至少一个取代或未取代的杂芳基环、至少一个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环、至少两个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环、至少三个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环、至少一个取代或未取代的杂芳基环和至少两个取代或未取代的非杂芳基环，或者取代或未取代的C5至C24杂芳基是稠环。
根据一个实施方式，所述组合物包含：
a)式1的化合物：
Figure BDA0003186243590000051
其中
R1和R2独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、包含1至3个6-元芳基环的取代或未取代的C6至C18芳基、包含1至4个6-元杂芳基环或至少一个6-元杂芳基环和1至3个6-元芳基环的取代或未取代的C3至C24杂芳基，其中环可以是稠合的，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
R3或R4具有通式2：
Figure BDA0003186243590000052
其中
星号“*”表示基团R3或R4的键合位置；
L1、L2和L3独立地选自包含1至3个6-元芳基环的取代或未取代的C6至C13芳亚基、或包含1至2个6-元杂芳基环或一个6-元杂芳基环和一个6-元芳基环的取代或未取代的C3至C12杂芳亚基，其中它们的环可以是稠合的，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素；
n为1或0；
m为1或0；
Ar1选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，其包含至少1至3个杂芳基环和1至4个芳基环，优选至少1至2个杂芳基环和1至4个芳基环，更优选至少1至2个5-元杂芳基环和1至2个6-元芳基环，以及另外优选一个5-元杂芳基环和1至4个6-元芳基环，其中它们的环可以是稠合的，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
其中Ar1不含螺环基团；
Ar2具有通式3：
Figure BDA0003186243590000061
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、包含1至2个6-元芳基环的取代或未取代的C6至C12芳基、包含1至2个杂芳基环或至少一个杂芳基环和一个6-元芳基环的取代或未取代的C3至C12杂芳基，其中它们的环可以是稠合的，
其中取代的芳基环或取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代，其中取代基通过单键与所述取代的芳基环或取代的杂芳基环键合；
或
Ar2选自包含一至四个取代或未取代的6元芳基环和零至两个取代或未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系，其中它们的环可以是稠合的，
其中取代的芳基环被C1至C12烷基基团取代，并且取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代；
条件是：
i)R3为式2，并且R4选自C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
或
ii)R4为式2，并且R3为H或D；以及
b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
如果没有另外说明，H可以表示氢或氘。
所述组合物可以是有机半导体。
根据一个实施方式，所述组合物包含：
a)式1的化合物：
Figure BDA0003186243590000081
其中
R1和R2独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
R3或R4具有通式2：
Figure BDA0003186243590000082
其中
星号“*”表示基团R3或R4的键合位置；
L1、L2和L3独立地选自取代或未取代的C6至C13芳亚基或取代或未取代的C3至C12杂芳亚基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素；
n为1或0；
m为1或0；
Ar1选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
Ar2具有通式3：
Figure BDA0003186243590000091
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C12杂芳基，
其中取代的芳基环或取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代，其中取代基通过单键与所述取代的芳基环或取代的杂芳基环键合；
或
Ar2选自包含一至四个取代或未取代的6元芳基环和零至两个取代或未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系，
其中取代的芳基环被C1至C12烷基基团取代，并且取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代；
条件是：
i)R3为式2，并且R4选自C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
或
ii)R4为式2，并且R3为H或D；
其中式1的化合物不含螺环基团；以及
b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
根据一个实施方式，所述组合物包含：
a)式1的化合物：
Figure BDA0003186243590000101
其中
R1和R2独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
R3或R4具有通式2：
Figure BDA0003186243590000102
其中
星号“*”表示基团R3或R4的键合位置；
L1、L2和L3独立地选自取代或未取代的C6至C13芳亚基或取代或未取代的C3至C12杂芳亚基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素；
n为1或0；
m为1或0；
Ar1选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
Ar2具有通式3：
Figure BDA0003186243590000111
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、未取代的C6至C12芳基或未取代的C3至C12杂芳基；
或
Ar2选自包含一至四个未取代的6元芳基环和零至两个未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系；
条件是：
i)R3为式2，并且R4选自C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
或
ii)R4为式2，并且R3为H或D；
其中式1的化合物不含螺环基团；以及
b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
根据一个实施方式，所述组合物包含：
a)式1的化合物：
Figure BDA0003186243590000121
其中
R1和R2独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、未取代的C6至C18芳基、未取代的C3至C24杂芳基；
R3或R4具有通式2：
Figure BDA0003186243590000122
其中
星号“*”表示基团R3或R4的键合位置；
L1、L2和L3独立地选自未取代的C6至C13芳亚基或未取代的C3至C12杂芳亚基；
n为1或0；
m为1或0；
Ar1选自未取代的C5至C24杂芳基；
其中Ar1不含螺环基团，或者式1的化合物不含螺环基团；
Ar2具有通式3：
Figure BDA0003186243590000131
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、未取代的C6至C12芳基、未取代的C3至C12杂芳基；
或
Ar2选自包含一至四个未取代的6元芳基环和零至两个未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系；
条件是：
iii)R3为式2，并且R4选自C1至C12烷基、未取代的C6至C18芳基、未取代的C3至C24杂芳基；
或
iv)R4为式2，并且R3为H或D；以及
b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中C3至C24杂芳基、C3至C12杂芳基、C3至C12杂芳亚基的杂原子可以选自N、O或S。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中C3至C24杂芳基、C3至C12杂芳基、C3至C12杂芳亚基的杂原子可以选自N或O。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2可以独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C17杂芳基，其中取代的C6至C12芳基和取代的C3至C17杂芳亚基的取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2可以独立地选自H、D、未取代的C6至C18芳基或未取代的C3至C24杂芳基。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2可以优选独立地选自H、D或未取代的C6至C18芳基。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2可以进一步优选独立地选自H、D或未取代的C6芳基。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1可以另外优选独立地选自H或D，并且R2为未取代的C6芳基。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R2另外优选选自H或D，并且R1为未取代的C6芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2独立地选自H、D、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、吡啶基、喹啉基、喹唑啉基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2独立地选自H、D、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2独立地选自H、D、未取代的C6至C12芳基、未取代的C3至C17杂芳基，且优选选自H、D、苯基和联苯基，且更优选选自H、D和苯基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，其中取代的C5至C24杂芳基的取代基可以选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自取代或未取代的C5至C18杂芳基，其中取代的C5至C18杂芳基的取代基可以选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自取代或未取代的C5至C18杂芳基，其中取代的C5至C18杂芳基的取代基可以选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自取代或未取代的C5至C18杂芳基，其中取代的C5至C18杂芳基的取代基可以选自C1至C12烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自未取代的C5至C24杂芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，其包含至少一个选自O、S、Se或N的杂原子，优选地，所述至少一个杂原子选自O、S、Se，并且另外优选地，所述至少一个杂原子为O。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自未取代的C5至C18杂芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中
Ar1可以具有通式4：
Figure BDA0003186243590000161
其中星号“*”表示基团Ar1与部分L1的键合位置；
X选自O、S、Se或NR15，
其中R15独立地选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
R10至R14独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C6至C18芳基或C3至C24杂芳基；
其中优选的R10和R11、R11和R12或R12和R13形成5至7元取代或未取代的芳基环，或5至7元取代或未取代的杂芳基环，并且另外优选的R10和R11、R11和R12或R12和R13形成两个稠合的5至7元取代或未取代的芳基环或两个稠合的5至7元取代或未取代的杂芳基环，
其中取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳基或C3至C24杂芳基基团。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中通式4中的X可以选自O、S或NR15，更优选的X选自O或S，并且还优选X为O。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中通式4中的X可以选自O、S或NR15，并且R10至R14为H。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以独立地选自D1至D16：
Figure BDA0003186243590000171
在另一个实施方式中，Ar1可以选自D1至D14。在另一个实施方式中，Ar1可以优选选自D1、D3、D5、D7、D8至D14。在另一个实施方式中，Ar1可以更优选选自D1至D7。在另一个实施方式中，Ar1可以更优选选自D1或D3。在另一个实施方式中，Ar1可以此外优选选自D1。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以具有通式3：
Figure BDA0003186243590000181
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C12杂芳基，
其中取代的芳基环或取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代，
其中取代基通过单键与取代的芳基环或取代的杂芳基环键合。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以具有通式3：
Figure BDA0003186243590000182
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C12杂芳基，
其中取代的芳基环或取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代，
其中取代基通过单键与取代的芳基环或取代的杂芳基环键合；并且其中基团Ar2可以不含芴基团。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以选自包含一至四个取代或未取代的6元芳基环和零至两个取代或未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系，
其中取代的芳基环被C1至C12烷基基团取代，并且取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代；
并且R3为式2，且R4选自C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以选自包含一至四个取代或未取代的6元芳基环和零至两个取代或未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系，
其中取代的芳基环被C1至C12烷基基团取代，并且取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代；
并且R4为式2，且R3为H或D。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2不含芴基团。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以选自E1至E44：
Figure BDA0003186243590000201
Figure BDA0003186243590000211
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以优选选自E1至E26和E31至E44。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以更优选选自以下：E1至E12、E17至E19和E31至E37。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2也可以优选选自以下：E1至E12、E17至E19和E31至E37。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar2可以最优选选自以下：E1至E4和E17至E18。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中
L1、L2和L3独立地选自取代或未取代的C6至C13芳亚基或取代或未取代的C3至C12杂芳亚基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中
L1、L2和L3独立地选自取代或未取代的C6芳亚基或取代或未取代的C3至C5杂芳亚基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中
L1、L2和L3独立地选自未取代的C6至C13芳亚基或未取代的C3至C12杂芳亚基，优选独立地选自未取代的C6芳亚基或未取代的C3至C5杂芳亚基。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中
a)L1、L2和/或L3可以独立地选自F1至F11：
Figure BDA0003186243590000221
优选地，L1、L2和/或L3可以选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L1、L2和/或L3可以选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L1、L2和/或L3可以选自F2或F3；或
b)对于L1，n为1，且对于L2，m为0，L1可以选自F1至F11，优选地，L1可以选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L1可以选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L1可以选自F2或F3；或
c)对于L1，n为0，且对于L2，m可以为1，L2选自F1至F11，优选地，L2可以选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L2可以选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L2可以选自F2或F3；或
d)对于L1，n为0，且对于L2，m为0，并且L3可以选自F1至F11，优选地，L3可以选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L3可以选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L3选自F2或F3。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中n＝1且m＝0。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中n＝0且m＝1。根据式1的化合物的另一个更优选的实施方式，其中n＝0且m＝0。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中n＝1且m＝0并且L3为取代或未取代的苯亚基或取代或未取代的联苯亚基基团，其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中n＝0且m＝1并且L3为取代或未取代的苯亚基或取代或未取代的联苯亚基基团，其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素。根据式1的化合物的另一个更优选的实施方式，其中n＝0且m＝0并且L3为取代或未取代的苯亚基或取代或未取代的联苯亚基基团，其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其中n＝1且m＝0并且L3为未取代的苯亚基或未取代的联苯亚基基团。根据式1的化合物的另一个实施方式，其中n＝0且m＝1并且L3为未取代的苯亚基或未取代的联苯亚基基团。根据式1的化合物的另一个更优选的实施方式，其中n＝0且m＝0并且L3为未取代的苯亚基或未取代的联苯亚基基团。
根据式1的化合物的另一个实施方式，其可以选自G1至G31：
Figure BDA0003186243590000241
Figure BDA0003186243590000251
Figure BDA0003186243590000261
Figure BDA0003186243590000271
Figure BDA0003186243590000281
根据一个实施方式，组合物包含b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自碱金属或碱土金属，更优选所述金属是锂、镁或钙，进一步优选所述金属是锂。
根据一个实施方式，所述组合物包含一种有机金属络合物。
根据一个实施方式，所述组合物由式(1)的化合物和有机金属络合物组成，其中所述有机金属络合物的金属选自碱金属、碱土金属或稀土金属，更优选所述金属是碱金属或碱土金属，进一步优选所述金属是锂。
根据一个实施方式，所述组合物包含b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物包含至少一种配体，其中所述配体选自喹啉盐根或硼酸盐根基团，优选喹啉盐根基团。
可以适合使用的喹啉盐根公开于WO 2013079217 A1中，并且通过引用并入本文。
可以适合使用的硼酸盐根基团公开于WO 2013079676 A1中。
根据一个实施方式，所述组合物包含至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物具有下式5
Figure BDA0003186243590000291
其中M是金属离子，A1-A4中的每一个独立地选自H、取代或未取代的C6至C20芳基和取代或未取代的C2至C20杂芳基，并且n是金属离子的化合价。
根据式(5)的一个实施方式，其中n为1或2。
根据式(5)的一个实施方式，其中M是碱金属、碱土金属或稀土金属，或者是碱金属或碱土金属，或者选自锂、镁或钙。
根据式(5)的一个实施方式，其中至少三个选自A1至A4的基团是含氮杂芳基。
根据一个实施方式，其中式(5)的杂芳基含有氮，且所述含氮杂芳基经由N-N键与中心硼原子键合，优选式(5)中的杂芳基为吡唑基。
式(1)的化合物和/或有机金属络合物可以基本上是非发光性的。
根据一个实施方式，本发明的组合物可以用于电子传输层中。优选地，包含式1的化合物和至少一种有机金属络合物的本发明的组合物可以用于电子传输层中，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
根据另一方面，有机半导体层可以包含至少一种本发明的组合物。
包含本发明的组合物的有机半导体层可以基本上是非发光性的。
有机半导体层的厚度可以为约0.5nm至约100nm，例如约2nm至约40nm。当有机半导体层的厚度在这些范围内时，有机半导体层可以具有改进的电荷传输能力，而工作电压不会显著增加。
包含本发明的组合物的有机半导体层可以具有强电子传输特性以增加电荷迁移率和/或稳定性。
根据本发明的一个实施方式，有机半导体层是电子传输层。
根据另一方面，电子器件可以包括至少一个本发明的有机半导体层。
根据另一方面，电子器件可以包括至少一个阳极和至少一个阴极，优选地，有机半导体层布置在阳极和阴极之间。
包含本发明的组合物的有机半导体层可以具有强电子传输特性，以增加电荷迁移率和/或稳定性，从而改进电子器件的发光效率、电压特性和/或寿命特性。
本发明的电子器件还可以包括光活性层，其中本发明的有机半导体层布置在光活性层和阴极层之间，优选在发光层或光吸收层和阴极层之间，优选有机半导体层是电子传输层。
根据一个实施方式的有机电子器件包括本发明的有机半导体层、至少一个阳极层、至少一个阴极层和至少一个发光层，其中所述有机半导体层优选布置在发光层和阴极层之间。
根据一个实施方式的有机电子器件可以是发光器件、薄膜晶体管、电池、显示器件或光伏电池，并且优选是发光器件。发光器件可以是OLED。
根据一个实施方式，所述OLED可以具有以下层结构，其中所述层具有以下顺序：
阳极层、空穴注入层、任选的第一空穴传输层、任选的第二空穴传输层、发光层、包含根据本发明的组合物的电子传输层、电子注入层和阴极层。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机电子器件的方法，所述方法使用：
-至少一个沉积源，优选地两个沉积源，且更优选地至少三个沉积源。
可以适合的沉积方法包括：
-通过真空热蒸发沉积；
-经由溶液加工进行沉积，优选地所述加工选自旋涂、印刷、浇铸；和/或
-狭缝式模头涂覆。
根据本发明的多种实施方式，提供了一种使用以下的方法：
-第一沉积源，以释放根据本发明的式1的化合物，和
-第二沉积源，以释放所述至少一种有机金属络合物；
所述方法包括形成电子传输层叠层结构的步骤；由此对于有机发光二极管(OLED)：
-通过从第一沉积源释放式1的化合物并从第二沉积源释放有机金属络合物来形成第一电子传输层。
根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括在阳极上形成发光层和在阳极和有机半导体层之间形成选自以下的至少一层：空穴注入层、空穴传输层或空穴阻挡层。
根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括形成有机发光二极管(OLED)的步骤，其中
-在基底上形成第一阳极，
-在所述第一阳极上形成发光层，
-在所述发光层上形成电子传输层叠层结构，优选在发光层上形成第一电子传输层，和在第一电子传输层上形成第二电子传输层，并且第二电子传输层包含根据本发明的组合物，
-并且最后形成阴极，
-在第一阳极和发光层之间按顺序形成任选的空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层，
-在电子传输层叠层结构和阴极之间形成任选的电子注入层。
根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括在第一电子传输层上形成电子注入层。然而，根据本发明的OLED的多种实施方式，所述OLED可以不包括电子注入层。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子器件，其包括至少一个根据本申请通篇描述的任何实施方式的有机发光器件，优选地，所述电子器件包括本申请通篇描述的实施方式之一中的有机发光二极管。更优选地，所述电子器件是显示器件。
术语“有机金属络合物”是指包含一种或多种金属和一种或多种有机基团的化合物。所述金属可以经由共价键或离子键与有机基团键合。有机基团是指主要包含共价键合的碳原子和氢原子的基团。有机基团还可以包含选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选选自B、N、O和S的杂原子。
在本说明书的上下文中，术语“基本上非发光性的”或“不发光”是指相对于可见发光光谱，来自器件中的a)式1的化合物和b)至少一种有机金属络合物的组合物或层的可见发光光谱小于10％，优选小于5％，进一步优选小于1％，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。可见发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。优选地，有机半导体层或包括层的器件基本上是非发光性的或不发光的，所述层包含a)式1的化合物和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除在沉积之前可以存在于化合物中的杂质。杂质对于本发明所实现的目的没有技术影响。
工作电压，也称为U，以伏特(V)为单位在10毫安/平方厘米(mA/cm2)下度量。
坎德拉/安培效率，也称为cd/A效率，以坎德拉/安培为单位在10毫安/平方厘米(mA/cm2)下度量。
外量子效率，也称为EQE，以百分比(％)为单位度量。
色彩空间通过坐标CIE-x和CIE-y(国际照明委员会1931)来描述。对于蓝色发光，CIE-y是特别重要的。较小的CIE-y表示较深的蓝色。
最高占据分子轨道，也称为HOMO，以及最低未占分子轨道，也称为LUMO，以电子伏特(eV)为单位度量。
标准起始温度以℃度量，并且描述了VTE源温度，化合物在所述温度下在小于10-5毫巴的压力下开始可测量的蒸发。
术语“OLED”、“有机发光二极管”、“有机发光器件”、“有机光电子器件”和“有机发光二极管”同时使用并且具有相同的含义。
术语“过渡金属”是指且包括周期表的d区中的任何元素，其包括周期表上的第3至12族元素。
术语“第III至VI族金属”是指且包括元素周期表的第III至VI族中的任何金属。
如本文所用，“重量百分比”、“重量％”、“百分比重量”、“％重量”及其变体是指将组合物、组分、物质或试剂表示为相应电子传输层的组合物、组分、物质或试剂的重量除以其组合物的总重量，并且乘以100。应当理解，选择相应电子传输层的所有组分、物质或试剂的总重量百分比的量，使得其不超过100重量％。
如本文所用，“体积百分比”、“体积％”、“百分比体积”、“％体积”及其变体是指将元素金属、组合物、组分、物质或试剂表示为相应电子传输层的元素金属、组分、物质或试剂的体积除以相应电子传输层的总体积，并且乘以100。应当理解，选择相应阴极层的所有元素金属、组分、物质或试剂的总体积百分比的量，使得其不超过100体积％。
无论是否明确指出，本文中假设所有数值均由术语“约”修饰。如本文所用，术语“约”是指可发生的数量的变化。
不论是否由术语“约”修饰，权利要求都包括所述数量的等同量。
应当注意，除非内容另有明确说明，否则如本说明书和权利要求中所使用的单数形式“一个”、“一种”、“该”和“所述”包括复数个指示物。
应当注意，如本说明书和权利要求中所使用，如果没有另外定义，则“*”表示化学键合位置。
阳极和阴极可以被描述为阳极/阴极或阳极电极/阴极电极或阳极层/阴极层。
在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”可以指脂族烃基。烷基基团可以指没有任何双键或三键的“饱和烷基基团”。烷基基团可以是直链、环状或支链烷基基团。
烷基基团可以是C1至C16烷基基团，或优选C1至C12烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C14烷基基团，或优选C1至C10烷基基团或C1至C6烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团、环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团等。
在本说明书中，“芳基”和“芳亚基基团”可以指包含至少一个烃芳族部分的基团，并且烃芳族部分的所有元素可以具有形成共轭的p-轨道，例如苯基基团、萘基基团、蒽基基团、菲基基团、芘基基团、芴基基团等。
术语“杂芳基”和“杂芳亚基”可以指具有至少一个杂原子的芳族杂环，并且芳族杂环的所有元素可以具有形成共轭的p轨道，例如吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、吡咯基、咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基等。优选地，芳族杂环不含sp3-杂化的碳原子。
术语“取代或未取代的杂芳基”、“取代或未取代的C5至C24杂芳基”、“取代或未取代的C3至C24杂芳基”、“取代或未取代的C5至C18杂芳基”、“取代或未取代的C5至C17杂芳基”、“取代或未取代的C3至C17杂芳基”、“取代或未取代的C3至C12杂芳亚基”等是指所述取代或未取代的杂芳基包含至少一个杂芳基环；或至少一个杂芳基环和至少一个非杂芳基环；或至少两个杂芳基环和至少一个非杂芳基环；或至少三个杂芳基环和至少一个非杂芳基环；或至少一个杂芳基环和至少两个非杂芳基环。取代或未取代的杂芳基的环可以是稠合的。
术语“杂芴环”是指二苯并[d,d]呋喃基、二苯并[b,d]噻吩基或二苯并[b,d]硒吩基。
杂原子可以选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选选自N、O和S。
杂芳亚基环可以包含至少1至3个杂原子。优选地，杂芳亚基环可以包含至少1至3个独立地选自N、S和/或O的杂原子。
还优选地，除了式1的化合物之外，至少一个另外的杂芳基/杂芳亚基环可以包含至少1至3个N-原子，或至少1至2个N-原子或至少一个N-原子。
还优选地，除了式1的化合物之外，至少一个另外的杂芳基/杂芳亚基环可以包含至少1至3个O-原子，或至少1至2个O-原子或至少一个O-原子。
还优选地，除了式1的化合物之外，至少一个另外的杂芳基/杂芳亚基环可以包含至少1至3个S-原子，或至少1至2个S-原子或至少一个S-原子。
根据另一个优选的实施方式，根据式1的化合物可以包含：
-至少6至25个芳族环，优选至少7至22个芳族环，进一步优选至少8至20个芳族环，另外优选至少9至15个芳族环，并且更优选至少10至14个芳族环；其中
-至少2至5个，优选3至4个或2至3个芳族环是杂芳族环。
根据一个实施方式，根据式1的化合物：
-包含至少约6至约20个芳族环，优选至少约7至约18个芳族环，进一步优选至少约9至约16个芳族环，另外优选至少约10至约15个芳族环，并且更优选至少约11至约14个芳族环；和/或
-式1的化合物包含至少约2至约6个，优选约3至约5个或约2至约4个杂芳族环，其中杂原子可以选自N、O、S。
根据一个实施方式，根据式1的化合物可以不含芴环且不含杂芴环。
根据一个实施方式，根据式1的化合物可以不含螺环基团。
根据进一步优选的实施方式，式1的化合物包含至少2至7个，优选2至5个，或2至3个杂芳族环。
根据进一步优选的实施方式，式1的化合物包含至少2至7个，优选2至5个，或2至3个杂芳族环，其中至少一个芳族环是五元杂芳族环。
根据进一步优选的实施方式，式1的化合物包含至少3至7个，优选3至6个，或3至5个杂芳族环，其中至少两个杂芳族环是五元杂芳族环。
根据一个实施方式，根据式1的化合物可以包含至少6至12个非杂芳族环和2至3个杂芳族环。
根据一个优选的实施方式，根据式1的化合物可以包含至少7至12个非杂芳族环和2至5个杂芳族环。
根据一个优选的实施方式，根据式1的化合物可以包含至少7至11个非杂芳族环和2至3个杂芳族环。
熔点
熔点(mp)是由上述TGA-DSC测量的DSC曲线或由单独的DSC测量(Mettler ToledoDSC822e，在纯氮气流下以10K/min的加热速率将样品从室温加热至熔融完全。将量为4mg至6mg的样品置于40μL带盖的Mettler Toledo铝盘中，在盖中刺穿＜1mm的孔)而确定的峰值温度。
根据另一个实施方式，式1的化合物可以具有约≥250℃且约≤380℃，优选约≥260℃且约≤370℃，进一步优选约≥265℃且约≤360℃的熔点。
玻璃化转变温度
如在2010年3月公布的DIN EN ISO 11357中所述，在Mettler Toledo DSC 822e差示扫描量热计中在氮气下并使用10K/min的加热速率测量玻璃化转变温度。
根据另一个实施方式，式1的化合物可以具有约≥105℃且约≤380℃，优选约≥110℃且约≤350℃的玻璃化转变温度Tg。
标准起始温度
标准起始温度通过将100mg化合物装载到VTE源中来确定。作为VTE源，使用KurtJ.Lesker Company(www.lesker.com)或CreaPhys GmbH(http://www.creaphys.com)供应的有机材料的点源。在低于10-5毫巴的压力下以15K/min的恒定速率加热VTE源，并且用热电偶测量源内部的温度。用QCM检测器检测化合物的蒸发，所述QCM检测器检测化合物在检测器的石英晶体上的沉积。石英晶体上的沉积速率以
Figure BDA0003186243590000391
/秒度量。为了确定标准起始温度，将沉积速率绘制成与VTE源温度相对应的曲线。标准起始是QCM检测器上发生明显沉积的温度。为了得到精确的结果，VTE源被加热和冷却三次，并且仅使用第二次运行和第三次运行的结果来确定标准起始温度。
为了实现对有机化合物的蒸发速率的良好控制，标准起始温度可以在200℃至255℃的范围内。如果标准起始温度低于200℃，则蒸发可能太快，因此难以控制。如果标准起始温度高于255℃，蒸发速率可能太低，这可能导致低节拍时间，并且由于长时间暴露于高温，可能发生VTE源中的有机化合物的分解。
标准起始温度是化合物挥发性的间接量度。标准起始温度越高，化合物的挥发性越低。
根据另一个实施方式，式1的化合物可以具有约≥200℃且约≤260℃，优选约≥220℃且约≤260℃，进一步优选约≥220℃且约≤260℃，另外优选约≥230℃且约≤255℃的标准起始温度TRO。
偶极矩
含有N个原子的分子的偶极矩
Figure BDA0003186243590000401
由以下给出：
Figure BDA0003186243590000402
Figure BDA0003186243590000403
其中qi和
Figure BDA0003186243590000404
是分子中原子i的部分电荷和位置。
偶极矩由半经验分子轨道法确定。使用如在程序包TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLEGmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)中实施的在气相中杂化泛函B3LYP与6-31G*基组来优化分子结构的几何结构。如果多于一种构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象来确定分子的键长。
根据一个实施方式，根据式1的化合物可以具有在约≥1.2至约≤4，优选约≥1.3至约≤3.8，进一步优选约≥1.4至约≤3.6范围内的偶极矩(德拜)。
计算的HOMO和LUMO
HOMO和LUMO用程序包TURBOMOLE V6.5计算。通过在气相中应用杂化泛函B3LYP与6-31G*基组，确定分子结构的优化几何结构以及HOMO和LUMO能级。如果多于一种构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象。
根据一个实施方式，根据式1的化合物可以具有在约-2.20eV至约-1.90eV，优选约-2.1eV至约-1.91eV，进一步优选约-2.08eV至约-1.92eV，还优选约-2.06eV至约-1.95eV范围内的LUMO能级(eV)。
技术效果
令人惊奇地，发现根据本发明的化合物和本发明有机电子器件通过特别是在寿命方面优于本领域已知的有机电致发光器件和组合物解决了本发明的问题。同时，工作电压保持在类似或甚至改进的水平，这对于降低功耗和增加电池寿命是重要的，例如移动显示装置的功耗和电池寿命。高电流密度下的长寿命对于在高亮度下运行的器件的寿命是重要的。
另外，令人惊奇地发现，式1的化合物的计算出的LUMO能级显著比现有技术的LUMO更负。更负的LUMO可以有益于改进从阴极到发光层的电子转移。
此外，令人惊奇地发现，式1的化合物的标准起始温度显著低于现有技术的标准起始温度。较低的标准起始温度对于大规模生产可以是有益的，因为可以提高沉积速率而不增加VTE源中的化合物的分解。
本发明人已经惊奇地发现，当使用有机电致发光器件作为蓝色荧光器件时，可以实现特别好的性能。
发现本文中作为优选而提及的具体布置是特别有利的。
同样，已经令人惊奇地发现，落入本发明最广泛定义范围内的一些化合物在cd/A效率和/或寿命的所述性质方面表现特别好。这些化合物在本文被论述为特别优选的。
另外，可以获得具有高效率和/或长寿命的有机光电子器件。
阳极
用于阳极的材料可以是金属或金属氧化物，或有机材料，优选逸出功高于约4.8eV，更优选高于约5.1eV，最优选高于约5.3eV的材料。优选的金属是贵金属，如Pt、Au或Ag，优选的金属氧化物是透明金属氧化物，如ITO或IZO，它们可以有利地用于具有反射阴极的底部发光OLED中。
在包括透明金属氧化物阳极或反射性金属阳极的器件中，阳极可以具有约50nm至约100nm的厚度，而半透明金属阳极可以薄至约5nm至约15nm，并且不透明金属阳极可以具有约15nm至约150nm的厚度。
空穴注入层(HIL)
空穴注入层可以改进阳极和用于空穴传输层的有机材料之间的界面性质，并且被施加在非平坦的阳极上，因此可以使阳极的表面平坦化。例如，空穴注入层可以包括其最高占据分子轨道(HOMO)的能级中值在阳极材料的逸出功和空穴传输层的HOMO能级之间的材料，以调节阳极的逸出功和空穴传输层的HOMO能级之间的差异。
当空穴传输区域包括空穴注入层36时，空穴注入层可以通过多种方法中的任一种形成在阳极上，例如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗杰特(LB)方法等。
当使用真空沉积形成空穴注入层时，真空沉积条件可以根据用于形成空穴注入层的材料以及要形成的空穴注入层的所需结构和热性质而变化，并且例如真空沉积可以在约100℃至约500℃的温度，约10-6Pa至约10-1Pa的压力和约0.1nm/sec至约10nm/sec的沉积速率下进行，但是沉积条件不限于此。
当使用旋涂形成空穴注入层时，涂覆条件可以根据用于形成空穴注入层的材料以及要形成的空穴注入层的所需结构和热性质而变化。例如，涂覆速率可以在约2000rpm至约5000rpm的范围内，并且在涂覆之后进行热处理以去除溶剂的温度可以在约80℃至约200℃的范围内，但是涂覆条件不限于此。
空穴注入层还可以包含p型掺杂剂以改进导电性和/或来自阳极的空穴注入。
p型掺杂剂
在另一方面，p型掺杂剂可以均匀地分散在空穴注入层中。
在另一方面，p型掺杂剂可以存在于空穴注入层中，其中越靠近阳极浓度越高而越靠近阴极浓度越低。
p型掺杂剂可以是醌衍生物或轴烯化合物中的一种，但不限于此。p型掺杂剂的非限制性实例是醌衍生物，例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯并醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4',4”-((1E,1'E,1”E)-环丙烷-1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基))-三(2,3,5,6-四氟苄腈)。
根据另一个实施方式，包括包含根据本发明的组合物的有机半导体层的有机电子器件可以另外包括包含轴烯化合物和/或醌二甲烷化合物的层。
在另一个实施方式中，轴烯化合物和/或醌二甲烷化合物可以被一个或多个卤素原子和/或一个或多个吸电子基团取代。吸电子基团可以选自腈基、卤化烷基基团，或者选自全卤化烷基基团，或者选自全氟化烷基基团。吸电子基团的其它实例可以是酰基、磺酰基基团或磷酰基基团。
或者，酰基基团、磺酰基基团和/或磷酰基基团可以包含卤化和/或全卤化烃基。在一个实施方式中，全卤化烃基可以是全氟化烃基。全氟化烃基的实例可以是全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟异丙基、全氟丁基、全氟苯基、全氟甲苯基；包含卤化烃基的磺酰基基团的实例可以是三氟甲基磺酰基、五氟乙基磺酰基、五氟苯基磺酰基、七氟丙基磺酰基、九氟丁基磺酰基等。
在一个实施方式中，轴烯和/或醌二甲烷化合物可以包含在空穴注入层、空穴传输层和/或空穴产生层中。
在一个实施方式中，轴烯化合物可以具有式(XX)和/或醌二甲烷化合物可以具有式(XXIa)或(XXIb)：
Figure BDA0003186243590000441
其中R1”、R2”、R3”、R4”、R5”、R6、R7、R8、R11、R12、R15、R16、R20、R21独立地选自吸电子基团，并且R9、R10、R13、R14、R17、R18、R19、R22、R23和R24独立地选自H、卤素和吸电子基团。可以适合使用的吸电子基团是上文所述的。
空穴传输层(HTL)
可以基于上述空穴注入层的形成条件来限定用于形成空穴传输层和电子阻挡层的条件。
电荷传输区域的空穴传输部分的厚度可以为约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm。当电荷传输区域的空穴传输部分包括空穴注入层和空穴传输层时，空穴注入层的厚度可以为约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm，并且空穴传输层的厚度可以为约5nm至约200nm，例如约10nm至约150nm。当电荷传输区域的空穴传输部分、HIL和HTL的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而工作电压没有显著增加。
对在空穴传输区域中使用的空穴传输基质材料没有特别限制。优选的是包含具至少6个离域电子的共轭体系的共价化合物，优选包含至少一个芳族环的有机化合物，更优选包含至少两个芳族环的有机化合物，甚至更优选包含至少三个芳族环的有机化合物，最优选包含至少四个芳族环的有机化合物。广泛用于空穴传输层中的空穴传输基质材料的典型实例是多环芳烃、三芳亚基胺化合物和杂环芳族化合物。可用于空穴传输区域的各个层中的空穴传输基质的前沿轨道能级的合适范围是众所周知的。就氧化还原对HTL基质/HTL基质的阳离子自由基的氧化还原电位而言，优选值(例如，通过循环伏安法相对于作为参考的二茂铁/二茂铁
Figure BDA0003186243590000451
氧化还原对进行测量)可以在0.0-1.0V范围内，更优选在0.2-0.7V范围内，甚至更优选在0.3-0.5V范围内。
缓冲层
电荷传输区域的空穴传输部分还可以包括缓冲层。
可以适合使用的缓冲层公开在US 6 140 763、US 6 614 176和US2016/248022中。
缓冲层可以根据从EML发射的光的波长来补偿光的光学共振距离，因此可以提高效率。
发光层(EML)
发光层可以通过使用真空沉积、旋涂、浇铸、LB法等形成在空穴传输区域上。当使用真空沉积或旋涂形成发光层时，沉积和涂覆的条件可以与用于形成空穴注入层的条件相似，但沉积和涂覆的条件可以根据用于形成发光层的材料而变化。发光层可以包括发光体主体(EML主体)和发光体掺杂剂(另外的单纯发光体)。
发光层的厚度可以为约
Figure BDA0003186243590000461
至约
Figure BDA0003186243590000462
例如约
Figure BDA0003186243590000463
至约
Figure BDA0003186243590000464
当发光层的厚度在这些范围内时，发光层可以具有改进的发光特性，而工作电压没有显著增加。
发光体主体
根据另一个实施方式，发光层包含式1的化合物作为发光体主体。
发光体主体化合物具有至少三个芳族环，所述芳族环独立地选自碳环和杂环。
可以用作发光体主体的其它化合物为由下式400表示的蒽基质化合物：
Figure BDA0003186243590000465
在式400中，Ar111和Ar112可以各自独立地为取代或未取代的C6-C60芳亚基基团；Ar113至Ar116可以各自独立地为取代或未取代的C1-C10烷基基团或取代或未取代的C6-C60芳亚基基团；并且g、h、i和j可以各自独立地为0至4的整数。
在一些实施方式中，式400中的Ar111和Ar112可以各自独立地为苯亚基基团、萘基基团、菲亚基基团或芘亚基基团中的一种；或
苯亚基基团、萘基基团、菲亚基基团、芴基基团或芘亚基基团，各自被苯基基团、萘基基团或蒽基基团中的至少一种取代。
在式400中，g、h、i和j可以各自独立地为0、1或2的整数。
在式400中，Ar113至Ar116可以各自独立地为以下之一
-被苯基基团、萘基基团或蒽基基团中的至少一种取代的C1-C10烷基基团；
-苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团或芴基基团；
-苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团或芴基基团，各自被氘原子、卤素原子、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基、腙基、羧基基团或其盐中的至少一种取代，
-磺酸基或其盐、磷酸基或其盐，
-C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团，或
-芴基基团
Figure BDA0003186243590000471
或
-式7或8
Figure BDA0003186243590000481
其中在式7和8中，X选自氧原子和硫原子，但本发明的实施方式不限于此。
在式7中，R11至R14中的任一个用于键合到Ar111。不用于键合到Ar111的R11至R14以及R15至R20与R1至R8相同。
在式8中，R21至R24中的任一个用于键合到Ar111。不用于键合到Ar111的R21至R24以及R25至R30与R1至R8相同。
优选地，EML主体包含一至三个选自N、O或S的杂原子。更优选地，EML主体包含一个选自S或O的杂原子。
发光体掺杂剂
掺杂剂以少量混合以引起发光，并且通常可以是诸如通过多重激发成为三重态或更高态而发光的金属络合物的材料。掺杂剂可以是例如无机、有机或有机/无机化合物，并且可以使用其中的一种或多种。
发光体可以是红色、绿色或蓝色发光体。
掺杂剂可以是荧光掺杂剂，例如三联芴，结构如下所示。4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBI)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)和下面的化合物8是荧光蓝色掺杂剂的实例。
Figure BDA0003186243590000491
化合物8
掺杂剂可以是磷光掺杂剂，并且磷光掺杂剂的实例可以是包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是例如由式Z表示的化合物，但不限于此：
J2MX(Z)。
在式Z中，M为金属，并且J和X相同或不同，并且是与M形成配位化合物的配体。
M可以是例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合，并且J和X可以是例如双齿配体。
一个或多个发光层可以布置在阳极和阴极之间。为了提高整体性能，可以存在两个或更多个发光层。
电荷产生层
电荷产生层(也称为CGL)可以布置在第一发光层和第二发光层之间，并且如果存在第三发光层的话，可以布置在第二发光层和第三发光层之间。通常，CGL包括n型电荷产生层(也称为n-CGL或电子产生层)和p型电荷产生层(也称为p-CGL或空穴产生层)。夹层可以布置在n型CGL和p型CGL之间。
在一个方面，n型CGL可以包含基质化合物和金属、金属盐或有机金属络合物，优选金属。所述金属可以选自碱金属、碱土金属或稀土金属。包含根据本发明的组合物的有机半导体层可以布置在第一发光层和n-CGL之间和/或在第二发光层和/或第三发光层和阴极之间。
p型CGL可以包含二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉、醌化合物或轴烯化合物，优选二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈或式(XX)的化合物和/或式(XXIa)或(XXIb)的化合物。
电子传输层(ETL)
根据另一个实施方式，包含所述组合物的有机半导体层是电子传输层。在另一个实施方式中，电子传输层可以由根据本发明的组合物组成。
在另一个实施方式中，有机电子器件包括由两个或更多个电子传输层形成的有机层的叠层结构的电子传输区域，其中至少一个电子传输层包含所述组合物。
电子传输层可以包含一种或两种或更多种不同的式(1)的化合物和/或有机金属络合物。
电子传输层的厚度可以是约0.5nm至约100nm，例如约2nm至约40nm。当电子传输层的厚度在这些范围内时，电子传输层可以具有改进的电子传输能力，而工作电压没有显著增加。
电子注入层(EIL)
根据本发明的另一个方面，有机电致发光器件还可以包括在电子传输层(第一ETL)和阴极之间的电子注入层。
电子注入层(EIL)可以促进电子从阴极注入。
根据本发明的另一个方面，电子注入层包含：
(i)正电性金属，其选自基本上为元素形式的碱金属、碱土金属和稀土金属，优选选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Eu和Yb，更优选选自Li、Na、Mg、Ca、Sr和Yb，甚至更优选选自Li和Yb，最优选Yb；和/或
(ii)碱金属络合物和/或碱金属盐，优选锂络合物和/或盐，更优选喹啉锂，甚至更优选8-羟基喹啉锂，最优选第二电子传输层(第二ETL)的碱金属盐和/或络合物与注入层的碱金属盐和/或络合物相同。
电子注入层可以包含选自LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO中的至少一种。
EIL的厚度可以为约0.1nm至约10nm，或约0.3nm至约9nm。当电子注入层的厚度在这些范围内时，电子注入层可以具有令人满意的电子注入能力，而工作电压没有显著增加。
电子注入层可以包含根据本发明的组合物或由根据本发明的组合物组成。
阴极
用于阴极的材料可以是具有低逸出功的金属、合金、或导电化合物、或其组合。用于阴极的材料的具体实例可以是锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、银(Ag)等。为了制造具有沉积在基底上的反射阳极的顶部发射发光器件，阴极可以由例如氧化锡铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)或银(Ag)形成为透光电极。
在包括透明金属氧化物阴极或反射金属阴极的器件中，阴极可以具有约50nm至约100nm的厚度，而半透明金属阴极可以薄至约5nm至约15nm。
基底
基底可以进一步设置在阳极下方或阴极上。所述基底可以是用于一般有机发光二极管中的基底，并且可以是具有强机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易于处理和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。
下文中，参考实施例对实施方式进行更详细的说明。然而，本公开不限于下列实施例。
附图说明
通过以下结合附图对示例性实施方式的描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得清楚，并且更加容易理解，其中：
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图，其具有发光层、一个电子传输层和电子注入层；
图2是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图，其具有发光层和两个电子传输层；
图3是根据本发明的一个示例性实施方式的OLED的示意性截面图，其具有发光层和三个电子传输层；
图4是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图，其具有发光层和一个电子传输层；
图5是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图，其具有发光层和两个电子传输层；
图6是根据本发明的一个示例性实施方式的OLED的示意性截面图，其具有发光层和三个电子传输层。
具体实施方式
现在将详细参考示例性方面，其实施例在附图中示出，其中，相同的附图标记始终指相同的元件。下面通过参考附图描述示例性实施方式，以解释这些方面。
在本文中，当第一元件被称为形成或设置在第二元件“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者一个或多个其它元件可以设置在它们之间。当第一元件被称为“直接”形成或设置在第二元件上时，在它们之间没有设置其它元件。
术语“接触夹入”是指中间的层与两个相邻层直接接触的三层布置。
根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管可以包括空穴传输区域；发光层；和包含根据本发明的组合物的第一电子传输层。
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性截面图。OLED 100包括发光层150、包含根据本发明的组合物的电子传输层(ETL)161和电子注入层180，其中第一电子传输层161直接设置在发光层150上，并且电子注入层180直接设置在第一电子传输层161上。
图2是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性截面图。OLED 100包括发光层150和电子传输层叠层结构(ETL)160，所述电子传输层叠层结构(ETL)160包括第一电子传输层161和包含根据本发明的组合物的第二电子传输层162，其中第二电子传输层162直接设置在第一电子传输层161上。
图3是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性截面图。OLED 100包括发光层150和电子传输层叠层结构(ETL)160，所述ETL电子传输层叠层结构(ETL)160包括第一电子传输层161、第二电子传输层162和第三电子传输层163，其中第二电子传输层162直接设置在第一电子传输层161上，并且第三电子传输层163直接设置在第二电子传输层162上。第一电子传输层和/或第二电子传输层和/或第三电子传输层包含根据本发明的组合物。
图4是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性截面图。OLED 100包括基底110、第一阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、一个第一电子传输层(ETL)161、电子注入层(EIL)180和阴极190。第一电子传输层(ETL)161包含根据本发明的组合物。电子传输层(ETL)161直接形成在EML 150上。
图5是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性截面图。OLED 100包括基底110、第一阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层叠层结构(ETL)160、电子注入层(ETL)180和阴极190。电子传输层(ETL)160包括第一电子传输层161和第二电子传输层162，其中第一电子传输层靠近阳极(120)布置，并且第二电子传输层靠近阴极(190)布置。第一电子传输层和/或第二电子传输层包含根据本发明的组合物。
图6是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性截面图。OLED 100包括基底110、第一阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层叠层结构(ETL)160、电子注入层(ETL)180和第二阴极190。电子传输层叠层结构(ETL)160包括第一电子传输层161、第二电子传输层162和第三电子传输层163。第一电子传输层161直接形成在发光层(EML)150上。第一电子传输层、第二电子传输层和/或第三电子传输层包含根据本发明的组合物。
下文中，参考实施例对实施方式进行更详细的说明。然而，本公开不限于下列实施例。现在将详细参考示例性方面。
式1的化合物的制备
式1的化合物可以如US 2015171340中所述制备。LiQ是市售的(CAS 25387-93-3)。金属硼酸盐可以如WO2013079676A1中所述合成。
制造OLED的一般程序
对于顶部发光器件，实施例1至4和比较例1至2，将玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇超声清洗5分钟，然后用纯水超声清洗5分钟，再用UV臭氧清洗30分钟，以制备第一电极。在10-5毫巴至10-7毫巴的压力下在玻璃基底上沉积100nm Ag以形成阳极。
然后，将92体积％联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺(CAS 1242056-42-3)与8体积％2,2',2”-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-对氰基四氟苯基)乙腈)在阳极上真空沉积，形成厚度为10nm的HIL。
然后，将联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺真空沉积在HIL上，形成厚度为118nm的HTL。
然后，将N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1':4',1”-三联苯]-4-胺(CAS 1198399-61-9)真空沉积在HTL上，形成厚度为5nm的电子阻挡层(EBL)。
随后，将97体积％H09(Sun Fine Chemicals，韩国)作为EML主体和3体积％BD200(Sun Fine Chemicals，韩国)作为荧光蓝色掺杂剂沉积在EBL上，形成厚度为20nm的发蓝光的EML。
然后，通过在发光层上沉积2,4-二苯基-6-(4',5',6'-三苯基-[1,1':2',1”:3”,1”':3”',1””-五联苯]-3””-基)-1,3,5-三嗪，形成厚度为5nm的空穴阻挡层。
然后，在根据实施例1至4和比较例1至2的空穴阻挡层上形成电子传输层，厚度为31nm。电子传输层包含50重量％的基质化合物和50重量％的碱金属有机络合物，参见表1。在比较例2中，电子传输层包含100重量％的MX3的式1的化合物。
然后，通过沉积Yb，在电子传输层上形成厚度为2nm的电子注入层。
在10-7毫巴下以
Figure BDA0003186243590000561
至
Figure BDA0003186243590000562
的速率蒸发AgMg合金(90:10体积％)，形成厚度为11nm的阴极。
在阴极上形成联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺的覆盖层，厚度为75nm。
通过用载玻片封装器件来保护OLED叠层结构免受环境条件的影响。由此，形成空腔，其包括用于进一步保护的吸气材料。
为了评估发明例与现有技术相比的性能，在20℃下测量电流效率。使用Keithley2635源测量单元通过提供以V计的电压并测量流过被测器件的以mA计的电流来确定电流-电压特性。施加到器件的电压以0.1V的步长在0V和10V之间变化。同样，通过使用Instrument Systems CAS-140CT阵列光谱仪(已经由德国Akkreditierungsstelle(DAkkS)校准)测量亮度(cd/m2)为每个电压值确定亮度-电压特性和CIE坐标。通过分别内插亮度-电压和电流-电压特性来确定10mA/cm2下的cd/A效率。
使用Keithley 2400源度计，在环境条件(20℃)和30mA/cm2下测量器件的寿命LT，并以小时记录。
使用校准的光电二极管测量器件的亮度。寿命LT定义为直到器件的亮度降低到其初始值的97％的时间。
顶部发光器件
表1中显示包括包含式1的化合物和碱金属有机络合物的有机半导体层的有机电子器件的性能。
在比较例1中，化合物ETM-1用作基质化合物：
Figure BDA0003186243590000571
化合物ETM-1不含咔唑基。有机半导体层包含50体积％ETM-1和50体积％LiQ。工作电压为3.55V，并且cd/A效率为7.3cd/A。在30mA/cm2下的寿命LT97为62小时。
在比较例2中，有机半导体层包含100重量％的MX3。工作电压非常高，为6V。cd/A效率降低到5cd/A。寿命LT97降低到11小时。
在实施例1中，有机半导体层包含50体积％的MX1的式1的化合物
Figure BDA0003186243590000581
和50体积％LiQ。工作电压为3.6V，并且cd/A效率为7.0cd/A。寿命改进到78小时。
在实施例2中，有机半导体层包含50体积％的MX2的式1的化合物
Figure BDA0003186243590000582
和50体积％LiQ。工作电压为3.5V，并且cd/A效率为7.0cd/A。寿命改进到79小时。
在实施例3中，有机半导体层包含50体积％的MX3的式1的化合物
Figure BDA0003186243590000583
和50体积％LiQ。工作电压为3.6V，并且cd/A效率为7.2cd/A。寿命改进到100小时。
在实施例4中，有机半导体层包含50体积％的MX4的式1的化合物
Figure BDA0003186243590000591
和50体积％LiQ。工作电压为3.5V，并且cd/A效率为7.1cd/A。寿命改进到91小时。
Figure BDA0003186243590000601
Figure BDA0003186243590000611
Figure BDA0003186243590000621
Figure BDA0003186243590000631
总之，当有机半导体层包含式1的化合物和有机金属络合物时，可以实现改进的寿命。
尽管已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明旨在涵盖包括在权利要求的主旨和范围内的多种修改和等同布置。因此，前述实施方式应当被理解为示例性的，而不是以任何方式限制本发明。

Claims (16)

1.一种组合物，所述组合物包含：
a)式1的化合物：
Figure FDA0003186243580000011
其中
R1和R2独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
R3或R4具有通式2：
Figure FDA0003186243580000012
其中
星号“*”表示基团R3或R4的键合位置；
L1、L2和L3独立地选自取代或未取代的C6至C13芳亚基或取代或未取代的C3至C12杂芳亚基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C18芳基、全卤化C6至C18芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素；
n为1或0；
m为1或0；
Ar1选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；并且
其中Ar1不含螺环基团；
Ar2具有通式3：
Figure FDA0003186243580000021
其中星号“*”表示基团Ar2与部分L2的键合位置；
R5至R9独立地为H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C12杂芳基，
其中取代的芳基环或取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代，其中取代基是通过单键与所述取代的芳基环或取代的杂芳基环键合；
或
Ar2选自包含一至四个取代或未取代的6元芳基环和零至两个取代或未取代的5至7元杂芳基环的稠环体系，
其中所述取代的芳基环被C1至C12烷基基团取代，并且所述取代的杂芳基环被一个或多个C1至C12烷基、C6至C12芳基或C3至C12杂芳基基团取代；
条件是：
i)R3为式2，并且R4选自C1至C12烷基、取代或未取代的C6至C18芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，
其中取代基选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、全卤化C1至C12烷氧基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基、CN、卤素、P(＝O)R'R”、C(＝O)R'或C(＝O)OR'，
其中R'和R”独立地选自C1至C16烷基、C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
或
ii)R4为式2，并且R3为H或D；以及
b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中Ar1的取代或未取代的C5至C24杂芳基的C5至C24杂芳基或Ar1的取代或未取代的C5至C24杂芳基包含：
-至少一个取代或未取代的杂芳基环，
-至少一个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环，
-至少两个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环，
-至少三个取代或未取代的杂芳基环和至少一个取代或未取代的非杂芳基环，
-至少一个取代或未取代的杂芳基环和至少两个取代或未取代的非杂芳基环，或
-所述取代或未取代的C5至C24杂芳基为稠环。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中所述有机金属络合物的金属选自碱金属或碱土金属，更优选地，所述金属是锂、镁或钙。
4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的组合物，其中所述有机金属络合物包含至少一种配体，其中所述配体选自喹啉盐根或硼酸盐根基团。
5.根据前述权利要求1至4中的任一项所述的组合物，其中R1和R2独立地选自H、D、未取代的C6至C18芳基或未取代的C3至C24杂芳基；优选的R1和R2独立地选自H、D或未取代的C6至C18芳基；还优选的R1和R2独立地选自H、D或未取代的C6芳基，并且另外优选的R1选自H或D，且R2为未取代的C6芳基，或R2选自H或D，且R1为未取代的C6芳基。
6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的组合物，其中Ar1选自取代或未取代的C5至C24杂芳基，所述取代或未取代的C5至C24杂芳基包含至少一个选自O、S、Se或N的杂原子，优选地，所述至少一个杂原子选自O、S、Se，并且另外优选地，所述至少一个杂原子为O。
7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的组合物，其中Ar1具有通式4：
Figure FDA0003186243580000041
其中星号“*”表示基团Ar1与部分L1的键合位置；
X选自O、S、Se或NR15，
其中R15独立地选自C1至C12烷基、全卤化C1至C12烷基、C6至C24芳基、全卤化C6至C24芳基、C3至C24杂芳基；
R10至R14独立地选自H、D、CN、卤素、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C6至C18芳基或C3至C24杂芳基；
其中优选地R10和R11、R11和R12或R12和R13形成5至7元取代或未取代的芳基环，或5至7元取代或未取代的杂芳基环，并且另外优选的R10和R11、R11和R12或R12和R13形成两个稠合的5至7元取代或未取代的芳基环或两个稠合的5至7元取代或未取代的杂芳基环，
其中取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳基或C3至C24杂芳基基团。
8.根据前述权利要求1至7中的任一项所述的组合物，其中通式4的X选自O、S或NR15，更优选的X选自O或S，并且还优选X为O。
9.根据前述权利要求1至8中的任一项所述的组合物，其中Ar1选自D1至D16：
Figure FDA0003186243580000051
优选的Ar1选自D1至D14，还优选的Ar1选自D1、D3、D5、D7、D8至D14，更优选的Ar1选自D1或D3，最优选的Ar1选自D1。
10.根据前述权利要求1至9中的任一项所述的组合物，其中Ar2选自E1至E44：
Figure FDA0003186243580000061
Figure FDA0003186243580000071
优选的Ar2选自E1至E26和E31至E44；更优选的Ar2选自E1至E12、E17至E19和E31至E37；还优选的Ar2选自E1至E12、E17至E19和E31至E37；最优选的Ar2选自E1至E4和E17至E18。
11.根据前述权利要求1至10中的任一项所述的组合物，其中
e)L1、L2和/或L3独立地选自F1至F11：
Figure FDA0003186243580000072
优选地，L1、L2和/或L3选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L1、L2和/或L3选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L1、L2和/或L3选自F2或F3；或
f)对于L1，n为1，且对于L2，m为0，L1选自F1至F11，优选地，L1选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L1选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L1选自F2或F3；或
g)对于L1，n为0，且对于L2，m为1，L2选自F1至F11，优选地，L2选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L2选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L2选自F2或F3；或
h)对于L1，n为0，且对于L2，m为0，并且L3选自F1至F11，优选地，L3选自F2、F3、F4、F5或F7，更优选地，L3选自F2、F3、F5或F7，更优选地，L3选自F2或F3。
12.根据前述权利要求1至11中的任一项所述的组合物，其中所述式1的化合物选自G1至G31：
Figure FDA0003186243580000081
Figure FDA0003186243580000091
Figure FDA0003186243580000101
Figure FDA0003186243580000111
Figure FDA0003186243580000121
Figure FDA0003186243580000131
13.一种有机半导体层，所述有机半导体层包含至少一种根据前述权利要求1至12中的任一项所述的组合物。
14.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括至少一个根据权利要求13所述的有机半导体层。
15.根据权利要求14所述的有机电子器件，所述有机电子器件还包括至少一个阳极和至少一个阴极，优选地，所述有机半导体层布置在所述阳极和所述阴极之间。
16.根据前述权利要求14或15中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件为发光器件、薄膜晶体管、电池、显示器件或光伏电池，优选发光器件。
CN202080011511.7A 2019-01-30 2020-01-30 组合物、有机半导体层和电子器件 Pending CN113508113A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19154592.0A EP3689867B1 (en) 2019-01-30 2019-01-30 Composition, organic semiconductor layer and electronic device
EP19154592.0 2019-01-30
PCT/EP2020/052300 WO2020157204A1 (en) 2019-01-30 2020-01-30 Composition, organic semiconductor layer and electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113508113A true CN113508113A (zh) 2021-10-15

Family

ID=65268855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080011511.7A Pending CN113508113A (zh) 2019-01-30 2020-01-30 组合物、有机半导体层和电子器件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220102647A1 (zh)
EP (1) EP3689867B1 (zh)
KR (1) KR20210121190A (zh)
CN (1) CN113508113A (zh)
WO (1) WO2020157204A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113563357A (zh) * 2020-04-28 2021-10-29 三星Sdi株式会社 用于有机光电设备的化合物、用于有机光电设备的组合物、有机光电设备和显示设备
CN117447458A (zh) * 2023-12-20 2024-01-26 江苏三月科技股份有限公司 一种有机化合物、组合物及有机电致发光器件

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190198772A1 (en) 2017-06-22 2019-06-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, composition for organic optoelectronic device and organic optoelectronic device and display deivce
KR102008897B1 (ko) 2017-06-22 2019-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101947747B1 (ko) 2018-05-04 2019-02-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102506584B1 (ko) * 2019-10-24 2023-03-03 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20220050419A (ko) * 2020-10-16 2022-04-25 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20230006389A (ko) * 2021-07-02 2023-01-10 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 및 유기물층용 조성물

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150171340A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
WO2018110958A1 (ko) * 2016-12-15 2018-06-21 주식회사 두산 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2018236093A1 (ko) * 2017-06-22 2018-12-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2019009591A1 (ko) * 2017-07-04 2019-01-10 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140763A (en) 1998-07-28 2000-10-31 Eastman Kodak Company Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure
KR100329571B1 (ko) 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자
WO2013079676A1 (en) 2011-11-30 2013-06-06 Novaled Ag Organic electronic device
CN104247070B (zh) 2011-11-30 2017-04-12 诺瓦尔德股份有限公司 显示器
KR102321381B1 (ko) 2015-02-23 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150171340A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
WO2018110958A1 (ko) * 2016-12-15 2018-06-21 주식회사 두산 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2018236093A1 (ko) * 2017-06-22 2018-12-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2019009591A1 (ko) * 2017-07-04 2019-01-10 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113563357A (zh) * 2020-04-28 2021-10-29 三星Sdi株式会社 用于有机光电设备的化合物、用于有机光电设备的组合物、有机光电设备和显示设备
CN117447458A (zh) * 2023-12-20 2024-01-26 江苏三月科技股份有限公司 一种有机化合物、组合物及有机电致发光器件
CN117447458B (zh) * 2023-12-20 2024-02-27 江苏三月科技股份有限公司 一种有机化合物、组合物及有机电致发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
EP3689867A1 (en) 2020-08-05
WO2020157204A1 (en) 2020-08-06
KR20210121190A (ko) 2021-10-07
EP3689867B1 (en) 2021-12-15
US20220102647A1 (en) 2022-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107978684B (zh) 用于有机发光二极管的电子传输层叠层
CN109216571B (zh) 包括空穴注入层和具有零价金属的电子注入层的有机电致发光器件
EP3689867B1 (en) Composition, organic semiconductor layer and electronic device
CN110892545B (zh) 包括有机半导体层的有机电子器件和装置
CN112514097A (zh) 化合物以及包含所述化合物的有机半导体层、有机电子器件、显示装置和照明装置
KR102450200B1 (ko) 전자 장치용 화합물, 전자 장치 및 디스플레이 장치
EP4073061A1 (en) Acridine compound and organic semiconducting layer, organic electronic device and display device comprising the same
WO2018158438A1 (en) Acridine compound for use in an electronic device and display device
CN113646916A (zh) 制备有机半导体层的方法、用于该方法的组合物以及有机电子器件
CN116529304A (zh) 包含式(1)化合物的有机电子器件、包括有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物
CN111630676A (zh) 有机半导体层
US20240116848A1 (en) Organic compound of formula (i) for use in organic electronic devices, an organic electronic device comprising a compound of formula (i) and a display device comprising the organic electronic device
CN109761920B (zh) 包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物
CN116584178A (zh) 用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件
CN113597420A (zh) 化合物和包含该化合物的有机半导体层、有机电子器件和显示或照明装置
EP3483157A1 (en) Compounds comprising triazine group, fluorene-group and hetero-fluorene group
CN109761919B (zh) 包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物
US20230240132A1 (en) Organic Electronic Device Comprising a Compound of Formula (1), Display Device Comprising the Organic Electronic Device as Well as Compounds of Formula (1) for Use in Organic Electronic Devices
EP4356447A1 (en) Method for preparation of a p-type semiconducting layer, p-type semiconducting layer, organic electronic device, display device, metal compound and use of said metal compound
CN111087424A (zh) 有机化合物、有机半导体层和有机电子器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination