WO2018123207A1 - ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法 - Google Patents

ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018123207A1
WO2018123207A1 PCT/JP2017/037201 JP2017037201W WO2018123207A1 WO 2018123207 A1 WO2018123207 A1 WO 2018123207A1 JP 2017037201 W JP2017037201 W JP 2017037201W WO 2018123207 A1 WO2018123207 A1 WO 2018123207A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
formula
naphthobischalcogenadiazole
compound
atom
reaction
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/037201
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
家　裕隆
安蘇　芳雄
卓司 瀬尾
太一 森山
Original Assignee
国立大学法人大阪大学
石原産業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 国立大学法人大阪大学, 石原産業株式会社 filed Critical 国立大学法人大阪大学
Priority to KR1020197020118A priority Critical patent/KR102468876B1/ko
Priority to EP17889337.6A priority patent/EP3564245A4/en
Priority to CN201780080348.8A priority patent/CN110139867A/zh
Priority to JP2018558836A priority patent/JP6968373B2/ja
Priority to US16/473,886 priority patent/US10793584B2/en
Publication of WO2018123207A1 publication Critical patent/WO2018123207A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D517/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms
    • C07D517/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D517/04—Ortho-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a naphthobischalcogenadiazole derivative into which a fluorine atom is introduced and a method for producing the same.
  • Patent Documents 2 and 3 and Non-Patent Document 2 a donor-acceptor polymer obtained by introducing a naphthobischalcogenadiazole skeleton as an acceptor portion exhibits extremely high photoelectric conversion efficiency.
  • Patent Document 4 describes a polymer for an organic semiconductor device composed of repeating units having a chlorine atom or an alkyl group introduced at the 5-position and 10-position of a naphthobisthiadiazole skeleton. Describes a p-type organic semiconductor material into which fluorine atoms are introduced.
  • Patent Document 4 does not disclose a compound having the modification.
  • Patent Document 5 discloses a compound with the modification, there is no description indicating that the compound is produced through an intermediate having the same naphthobischalcogenadiazole skeleton. Therefore, at present, it is difficult to systematically search and synthesize various naphthobischalcogenadiazole compounds with enhanced electron acceptability.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a naphthobischalcogenadiazole compound into which a fluorine atom which is a powerful electron-withdrawing substituent that improves electron acceptability is introduced.
  • An object of the present invention is to provide a naphthobischalcogenadiazole derivative that can be used as a highly versatile production intermediate for production, and a production method thereof.
  • the naphthobischalcogenadiazole derivative according to the present invention has the formula (I):
  • a 1 and A 2 are each independently an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom or a tellurium atom;
  • X 1 and X 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a boronic acid group, A boronic acid ester group, a boronic acid diaminonaphthalenamide group, a boronic acid N-methyliminodiacetic acid ester group, a trifluoroborate base or a triol borate base
  • a 1 and A 2 in the formula (I) are each independently preferably an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. Moreover, it is preferable that both A 1 and A 2 in the formula (I) are a sulfur atom or a selenium atom. Furthermore, it is more preferable that A 1 and A 2 in the above formula (I) are naphthobisthiadiazole derivatives in which both are sulfur atoms.
  • Both X 1 and X 2 in the above formula (I) are preferably halogen atoms.
  • Specific examples of the halogen atom represented by X 1 and X 2 in the formula (I) are preferably a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and more preferably a bromine atom or an iodine atom.
  • both X 1 and X 2 in the above formula (I) are boronic ester groups.
  • Specific examples of the boronic acid ester group represented by X 1 and X 2 in the above formula (I) include a boronic acid dimethyl ester group, a boronic acid diethyl ester group, a boronic acid dipropyl ester group, and a boronic acid diisopropyl ester group.
  • a boronic acid dialkyl ester group such as a boronic acid dibutyl ester group and a boronic acid dihexyl ester group; a boronic acid dicycloalkyl ester group such as a boronic acid dicyclohexyl ester group; a boronic acid pinacol ester group, a boronic acid neopentyl glycol ester group, boron Acid hexylene glycol ester group, boronic acid catechol ester group, boronic acid ethylene glycol ester group, boronic acid propylene glycol ester group, boronic acid 1,3-propanediol ester group, boronic acid 1,3-butanediol ester group, etc.
  • Cyclic boronate ester groups is preferably a boronic acid dialkyl ester group or cyclic boronate ester groups.
  • naphthobischalcogenadiazole derivative represented by the formula (I) include compounds represented by the following structural formulas 1 to 60.
  • R represents an alkyl group
  • Me represents a methyl group.
  • an alkyl group or an alkyl moiety may be linear or branched, and specific examples thereof include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, C 1 -C 10 alkyl such as sec-butyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, decyl and the like can be mentioned.
  • the production method according to the present invention is a method for producing the naphthobischalcogenadiazole derivative described above, wherein tetraamino-difluoronaphthalene or a hydrochloride thereof is reacted with a sulfurizing agent, a selenizing agent or a tellurizing agent. Including the step of
  • the production method according to the present invention is a method for producing the naphthobischalcogenadiazole derivative described above, and includes a step of oxidizing and then reducing diamino-difluoro-dinitronaphthalene or a hydrochloride thereof.
  • the production method according to the present invention is a method for producing the naphthobischalcogenadiazole derivative described above, wherein tetraamino-difluoronaphthalene or a hydrochloride thereof is reacted with a sulfurizing agent, a selenizing agent or a tellurizing agent. And a step of reacting the obtained naphthobischalcogenadiazole derivative with a halogenating agent or a boronating agent.
  • the production method according to the present invention is a method for producing the above-mentioned naphthobischalcogenadiazole derivative, comprising oxidizing and then reducing diamino-difluoro-dinitronaphthalene or a hydrochloride thereof, and the obtained naphthobiscal Reacting a cogenadiazole derivative with a halogenating agent or a boronating agent.
  • the production method according to the present invention preferably includes a step of producing tetraamino-difluoronaphthalene or its hydrochloride by reducing diamino-difluoro-dinitronaphthalene or its hydrochloride.
  • the production method according to the present invention preferably includes a step of producing diamino-difluoro-dinitronaphthalene or a hydrochloride thereof by nitration reaction of diamino-difluoronaphthalene or a hydrochloride thereof.
  • the production method according to the present invention preferably includes a step of producing a diamino-difluoronaphthalene or a hydrochloride thereof by amination reaction of difluoronaphthalene.
  • the production method according to the present invention preferably includes a step of producing difluoronaphthalene by fluorinating diaminonaphthalene.
  • the naphthobischalcogenadiazole derivative according to the present invention includes a compound having a halogen atom or a boron atom, Suzuki coupling reaction, Stille coupling reaction, Negishi coupling reaction, Sonogashira coupling reaction, or oxidation. It is applicable to organometallic catalyzed reactions such as chemical coupling reactions. Therefore, the naphthobischalcogenadiazole derivative according to the present invention can be converted into various extended ⁇ -electron compounds by the reaction. For example, with reference to the method described in Angelevante Chemie International Edition, Volume 51, pages 5062-5085 (2012), the naphthobischalcogenadiazole derivative according to the present invention can be used to produce a fluorine atom. It is possible to synthesize various naphthobischalcogenadiazole compounds into which is introduced.
  • the naphthobischalcogenadiazole derivative represented by the above formula (I) is obtained by appropriately combining these production methods according to the starting materials (raw materials) according to the methods described in the following production methods [A] to [U]. Can be synthesized.
  • the salts of the respective compounds in the production methods [A] to [U] shown below include all salts allowed in the technical field.
  • Specific examples of such salts include, for example, salts with inorganic acids such as hydrochloric acid, hydrobromic acid, sulfuric acid, phosphoric acid; tartaric acid, formic acid, acetic acid, citric acid, fumaric acid, maleic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid
  • salts with organic carboxylic acids such as methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, mesitylenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid and the like.
  • Production method [A] is a method for producing a naphthobisoxadiazole derivative of formula (II) or formula (I-II) from a compound of formula (II), formula (III) or formula (IV) below, It consists of the following first step, second step and third step.
  • each compound of formulas (II), formula (III) or formula (IV) is reacted with an oxidizing agent (oxidation reaction) to thereby formula (V) and formula (VI).
  • an oxidizing agent oxidation reaction
  • a compound of formula (VII) is prepared.
  • Each compound of formulas (II) to (IV) may be a salt.
  • the oxidizing agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • oxygen gas ozone gas, chromium oxide, potassium permanganate, hydrogen peroxide, m-chloroperbenzoic acid, ruthenium tetroxide, etc. Is mentioned.
  • the oxidizing agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of the above formula (II), formula (III) or formula (IV).
  • the reaction in the first step of the production method [A] can usually be performed in the presence of a base and a solvent, and can be performed in the presence of a phase transfer catalyst, if necessary.
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • alkali metal carbonates such as sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate; sodium methoxide, sodium ethoxide, potassium tertiary butoxide, etc.
  • Alkali metal alkoxides alkali metal hydrogen carbonates such as sodium hydrogen carbonate; alkaline earth metal carbonates such as calcium carbonate; metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide; sodium hydride and potassium hydride Metal hydrides of the above; organic amines such as triethylamine, diisopropylethylamine, pyridine, 4- (N, N-dimethylamino) pyridine; and the like.
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (II), formula (III) or formula (IV).
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and chlorobenzene
  • alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol and isopropyl alcohol
  • hexane and heptane Aliphatic hydrocarbons such as petroleum ether, ligroin and cyclohexane
  • halogenated hydrocarbons such as chloroform, dichloromethane, carbon tetrachloride and 1,2-dichloroethane
  • ethylene Ethers such as glycol dimethyl ether
  • esters such as methyl acetate and ethyl acetate
  • dimethyl sulfoxide, sulfolane dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, pyridine
  • phase transfer catalyst examples include quaternary ammonium salts such as tetrabutylammonium chloride, tetrabutylammonium bromide and tetrabutylammonium iodide; crown ethers such as 18-crown-6; phosphonium salts such as alkyltributylphosphonium bromide; Etc.
  • the reaction temperature in the first step is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • the compound of formula (I-I) is produced by reacting (reducing reaction) the compound of formula (V), formula (VI) or formula (VII) with a reducing agent.
  • the reducing agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include hydroxylamine hydrochloride, trimethyl phosphate, triethyl phosphite, triphenylphosphine, sulfur, and ethylene glycol.
  • the reducing agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (V), formula (VI) or formula (VII).
  • the second step of the production method [A] can usually be performed in the presence of a base and a solvent.
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same bases as those used in the first step.
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (II), formula (III) or formula (IV).
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step can be used.
  • the reaction temperature in the second step is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • the compound of formula (I-II) is reacted with the compound of formula (II) and a halogenating agent or boronating agent (halogenation reaction or boronation reaction). To manufacture.
  • the halogenating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include N-chlorosuccinimide, bromine, N-bromosuccinimide, N-iodosuccinimide and the like.
  • the halogenating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (I-I).
  • the boronating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • the boronating agent can be used in a ratio of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (I-I).
  • the reaction can be carried out in the presence of an organometallic catalyst, an organic ligand and a base as necessary.
  • organometallic catalyst examples include bis (triphenylphosphine) palladium dichloride, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, [1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium (II) dichloride, bis (tri-tert A palladium catalyst such as butylphosphine) palladium; an iridium catalyst such as bis (1,5-cyclooctadiene) di- ⁇ -methoxydiiridium;
  • the organometallic catalyst can be used at a ratio of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, with respect to 1 equivalent of the compound of the formula (I-I).
  • organic ligand examples include 4,4'-di-tert-butyl-2,2'-dipyridyl and the like.
  • the organic ligand can be used in a ratio of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, relative to 1 equivalent of the compound of the formula (I-I).
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same bases as those used in the first step or the second step.
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (I-I).
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step can be used.
  • the reaction temperature in the third step is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • Production method [B] is a method for producing a naphthobischalcogenadiazole derivative of formula (I-III) or formula (I-IV) from a compound of formula (VIII) or a salt thereof. It consists of two steps.
  • the compound of formula (VIII) is reacted with a sulfurizing agent, a selenizing agent or a tellurizing agent (sulfuration reaction, selenization reaction or tellurization reaction) to obtain a formula A compound of (I-III) is produced.
  • the sulfurizing agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • sulfur sulfur monochloride, sulfur dichloride, thionyl chloride, sulfuryl chloride, 2,4-bis (4-methoxyphenyl) ) -1,3,2,4-dithiadiphosphetane-2,4-disulfide.
  • the sulfurizing agent can be used in a ratio of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of the above formula (VIII).
  • the selenizing agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • the selenizing agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (VIII).
  • the tellurium agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include tellurium tetrachloride, tellurium tetrabromide, tellurium tetraiodide, tellurium monoxide, tellurium dioxide, tellurium trioxide, suboxide. Examples include telluric acid.
  • the tellurizing agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (VIII).
  • the reaction in the first step of the production method [B] can usually be performed in the presence of a base and a solvent.
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same bases as those used in the production method [A].
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (VIII).
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature in the first step is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • the compound of formula (I-IV) is reacted with a compound of formula (I-III) and a halogenating agent or boronating agent (halogenation reaction or boronation reaction). A compound is produced.
  • the halogenating agent or boronating agent is not particularly limited as long as it is a halogenating agent or boronating agent in which the reaction proceeds.
  • it is the same as the halogenating agent or boronating agent used in the third step of the production method [A].
  • a halogenating agent or boronating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (I-III).
  • Boronation can be performed in the presence of an organometallic catalyst, an organic ligand, and a base, as necessary.
  • the organometallic catalyst and the organic ligand are not particularly limited as long as the reaction proceeds, and for example, the organometallic catalyst and the organic coordination used in the third step of the production method [A].
  • the same organometallic catalyst and organic ligand as the child are mentioned.
  • the organometallic catalyst can be used at a ratio of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, with respect to 1 equivalent of the compound of the formula (I-III).
  • the organic ligand can be used at a ratio of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, with respect to 1 equivalent of the compound of the formula (I-III).
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same bases as those used in the first step of the production method [A].
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (I-III).
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the second step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature in the second step is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • Production method [C] is a method for producing a compound of formula (II), formula (III), formula (IV) or formula (VIII) from a compound of formula (IX), and comprises the following steps.
  • U, V, W, X, Y and Z represent six substituents bonded to the naphthalene ring at positions other than the positions where hydrogen atoms are originally bonded, and these substituents are each independently , Hydrogen atom, halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.), amino group, nitro group, hydroxy group, trifluoromethanesulfonyl group (OTf), B (OR a ) (OR b ) group, boron Represents an acid diaminonaphthalenamide group, boronic acid N-methyliminodiacetic acid ester group, trifluoroborate base or triol borate base, wherein R a and R b each independently represent a hydrogen atom or a C 1 -C 10 alkyl group in and, (oR a) and (oR b) may form a ring together; substitution position of the U, V, W, X, Y and
  • a necessary step is selected from these steps. It is configured by selecting and combining appropriately. The selection and combination of the necessary steps (the order in which the selected steps are carried out) can be determined by those skilled in the art from the structure of the compound of formula (IX) as the starting material and the formulas (II) and (III) as the target materials. From the structure of the compound of formula (IV) or formula (VIII), it can be easily understood.
  • a compound of formula (XI) is produced by reacting (nitrating) a compound of formula (IX-I) with a nitrating agent.
  • the substitution positions of the U, V, W, X, Y, and Z in the naphthalene ring are not specified, specifically, the structure in which Y and Z in the formula (IX-I) are hydrogen atoms is Of the six substituents bonded to the naphthalene ring, excluding the two hydrogen atoms originally bonded, two represent hydrogen atoms and four represent substituents other than hydrogen atoms. Further, the structure in which U, V, W and X are hydrogen atoms means that four of the six substituents bonded to the naphthalene ring, excluding the two hydrogen atoms originally bonded, are hydrogen atoms, Two represent substituents other than a hydrogen atom.
  • the structure in which Y and Z in formula (XI) are nitro groups means that two of the six substituents bonded to the naphthalene ring, excluding the two hydrogen atoms originally bonded, are nitro groups.
  • 4 represents a substituent other than a nitro group (in the case of n ′ ⁇ n, a hydrogen atom that has not been nitrated is also included).
  • the nitrating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include a nitration material comprising a combination of potassium nitrate / concentrated nitric acid or fuming nitric acid / concentrated sulfuric acid or fuming nitric acid / acetic anhydride. It is done.
  • the nitrating agent can be used in a ratio of 1 to 20 equivalents relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-I).
  • Reaction of manufacturing method [D] can be performed in presence of a solvent as needed.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature is usually ⁇ 30 to 100 ° C., preferably 0 to 50 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of the formula (X-II) is produced by reacting (oxidation) a compound of the formula (IX-II) with an oxidizing agent.
  • oxygen gas for example, oxygen gas, ozone gas, hydrogen peroxide, m-chloroperbenzoic acid, tert-butyl hydroperoxide, sodium perborate, dimethyl
  • oxidizing agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-II).
  • the reaction of the production method [E] can usually be performed in the presence of a solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • reaction of the production method [E] can be performed in the presence of a catalyst, if necessary.
  • the catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include methyltrioxorhenium and zirconium tert-butoxide.
  • the catalyst can be used in a ratio of 0.0001 to 5 equivalents relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-II).
  • the reaction temperature is usually 0 to 120 ° C., preferably 0 to 50 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • the halogenating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same halogenating agents as those used in the third step of the production method [A].
  • the halogenating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-III).
  • the reaction of the production method [F] can usually be performed in the presence of a solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • Manufacturing method [G] In the production method [G], a compound of formula (IX-IV) and an inorganic nitrite or nitrite are reacted (diazotization reaction) to form a diazonium compound, and then reacted with the diazonium compound and a halogenating agent (halogenation). Reaction) to produce a compound of formula (X-IV).
  • the inorganic nitrite is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include sodium nitrite and potassium nitrite.
  • the nitrite is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include tert-butyl nitrite and isoamyl nitrite.
  • Inorganic nitrite or nitrite can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-IV).
  • the halogenating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • fluorine, chlorine, bromine, iodine; potassium halides such as potassium iodide; copper fluoride (I), copper chloride (I), copper (I) halides such as copper (I) bromide, copper (I) iodide; copper (II) fluoride, copper (II) chloride, copper (II) bromide, copper iodide
  • Copper (II) halide salts such as (II); hydrohalic acids such as hydrofluoric acid, hydrochloric acid, hydrobromic acid, hydroiodic acid; tetrafluoroboric acid, silver tetrafluoroborate; etc. Is mentioned.
  • the halogenating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-IV).
  • the reaction of the production method [G] can usually be performed in the presence of a solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the diazotization reaction of the production method [G] can be performed in the presence of a copper catalyst, an acid or a base, if necessary.
  • the copper catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • the copper catalyst can be used in a proportion of 0.01 to 5 equivalents relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-IV).
  • the acid is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include inorganic acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid; organic acids such as acetic acid and methanesulfonic acid.
  • the acid can be used in a ratio of 1 to 20 equivalents relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-IV).
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • alkali metal hydrides such as sodium hydride
  • alkali metal carbonates such as sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate
  • lithium hydroxide lithium hydroxide
  • water alkali metal hydroxides
  • the base can be used at a ratio of 1 to 20 equivalents relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-IV).
  • the reaction temperature of the production method [G] is usually ⁇ 20 to 200 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of formula (XV) is produced by reacting a compound of formula (IX-V) with a halogen substituent (halogen substitution reaction).
  • the reaction of the production method [H] can usually be performed in the presence of a solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and for example, a solvent similar to the solvent used in the production method [G] can be used.
  • the reaction temperature is usually ⁇ 20 to 200 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of the formula (X-VI) is produced by reacting (halogenating) a compound of the formula (IX-VI) with a halogenating agent.
  • halogenating agent manufactured by SIGMA-ALDRICH; trade name: PhenoFluor
  • the halogenating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-VI).
  • the reaction of the production method [I] can usually be performed in the presence of a solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of the formula (X-VII) is produced by reacting (halogenating) a compound of the formula (IX-VII) with a halogenating agent.
  • U, V, W, X, Y and Z are as defined above, and at least one of these substituents is a trifluoromethanesulfonyl group (OTf), and n is , U, V, W, X, Y, Z represents the number of substituents that are trifluoromethanesulfonyl groups, and is an integer satisfying 1 ⁇ n ⁇ 6; in the formula (X-VII), U, V, W, X, Y, and Z are as described above, and at least one of these substituents is a fluorine atom, and n ′ is an integer that satisfies 1 ⁇ n ′ ⁇ n.
  • the halogenating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include cesium fluoride.
  • the halogenating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-VII).
  • the reaction of the production method [J] can usually be performed in the presence of a solvent, a metal catalyst and a ligand.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the metal catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • palladium ( ⁇ -cinnamyl) chloride bis (triphenylphosphine) palladium dichloride, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, [1, And palladium catalysts such as 1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium (II) dichloride and bis (tri-tert-butylphosphine) palladium.
  • ligand examples include 2- (dicyclohexylphosphino) -3,6-dimethoxy-2 ', 4', 6'-triisopropyl-1,1'-biphenyl and the like.
  • Commercially available ligands can also be used.
  • the metal catalyst and the ligand can be used in a ratio of 0.01 to 5 equivalents, preferably 0.05 to 1 equivalent, with respect to 1 equivalent of the compound of formula (IX-VII).
  • the reaction temperature is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of the formula (X-VIII) is produced by reacting (halogenating) a compound of the formula (IX-VIII) with a halogenating agent.
  • n is an integer satisfying n)
  • Specific examples of the B (OR a ) (OR b ) group include a boronic acid group, a boronic acid dimethyl ester group, a boronic acid diethyl ester group, a boronic acid dipropyl ester group, a boronic acid diisopropyl ester group, and a boronic acid dibutyl ester.
  • boronic acid dihexyl ester group boronic acid pinacol ester group, boronic acid neopentyl glycol ester group, boronic acid hexylene glycol ester group, boronic acid catechol ester group, boronic acid ethylene glycol ester group, boronic acid propylene glycol ester group, Examples thereof include a boronic acid 1,3-propanediol ester group and a boronic acid 1,3-butanediol ester group.
  • the halogenating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • the halogenating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-VIII).
  • the reaction of the production method [K] can usually be performed in the presence of a solvent or a metal salt.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the metal salt is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include silver (I) fluoride, copper (I) triflate, bis (pivaloylnitrile) copper (I) triflate, and the like. It is done.
  • the metal salt can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-VIII).
  • the reaction temperature is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • the organic lithium is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include n-butyl lithium and lithium diisopropylamide.
  • the organolithium can be used in a ratio of 1 to 20 equivalents relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-IX).
  • the boronating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • the boronating agent can be used at a ratio of 1 to 20 equivalents relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-IX).
  • the reaction of the production method [L] can usually be performed in the presence of a solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature is usually ⁇ 80 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of formula (XX) is produced by reacting (borating) a compound of formula (IX-X) with a boronating agent.
  • the boronating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane.
  • the boronating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-X).
  • the reaction of the production method [M] can be usually performed in the presence of a solvent, an organometallic catalyst, an organic ligand and a base.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the organometallic catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same organometallic catalysts as those used in the second step of the production method [B].
  • the organometallic catalyst can be used in a proportion of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-X).
  • the organic ligand is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same organic ligands as those used in the third step of the production method [A].
  • the organic ligand can be used in a proportion of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-X).
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same bases as those used in the first step of the production method [A].
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-X).
  • the reaction temperature is usually from 0 ° C to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of the formula (X-XI) is produced by reacting (borating) a compound of the formula (IX-XI) with a boronating agent.
  • the boronating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane.
  • the boronating agent can be used in a ratio of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XI).
  • the reaction of the production method [N] can usually be performed in the presence of a solvent, an organometallic catalyst, an organic ligand, and a base.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the organometallic catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same organometallic catalysts as those used in the second step of the production method [B].
  • the organometallic catalyst can be used in a proportion of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XI).
  • the organic ligand is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same organic ligands as those used in the third step of the production method [A].
  • the organic ligand can be used in a proportion of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XI).
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same bases as those used in the first step of the production method [A].
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XI).
  • the reaction temperature is usually 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, cesium hydroxide; tetrabutylammonium hydroxide , Tetrabutylammonium hydroxide bromide, tetrabutylammonium hydroxide iodide, and the like.
  • the hydroxylating agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XII).
  • the reaction of the production method [O] can usually be performed in the presence of a solvent, and can be performed in the presence of a copper compound, an organic ligand and a phase transfer catalyst, if necessary.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the copper compound is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include copper fluoride (I), copper chloride (I), copper bromide (I), and copper iodide (I).
  • the copper compound can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XII).
  • the organic ligand is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same organic ligands as those used in the third step of the production method [A].
  • the organic ligand can be used in a ratio of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XII).
  • the phase transfer catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same phase transfer catalyst as the phase transfer catalyst used in the first step of the production method [A].
  • the phase transfer catalyst can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XII).
  • the reaction temperature is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • the introduced hydroxy group can be subjected to introduction of a protecting group and cleavage of the protecting group (deprotection reaction) as necessary.
  • a protecting group suitable for protecting a hydroxy group, a method for introducing the protecting group, and a method for cleaving the protecting group are well known to those skilled in the art (for example, Protective Group Synthetic Organic Synthesis 4th Protective Group Synthetic Organic Synthesis). Edition, 2006, see John Wiley & Sons, Inc.).
  • the protecting group for the hydroxy group includes all groups that can be used as a protecting group for a normal hydroxy group.
  • the protective group in Organic Synthesis Protective Groups in Organic Synthesis
  • Specific examples of the protecting group include, for example, a benzyl group (for example, benzyl group, p-methoxybenzyl group, p group) which may be substituted with a substituent selected from a halogen atom, a C 1 -C 6 alkoxy group and a nitro group.
  • -Nitrobenzyl group or p-chlorobenzyl group a C 1 -C 6 alkoxycarbonyl group optionally substituted by 1 to 3 substituents selected from a halogen atom and an aryl group (for example, Methoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonyl group, 2,2,2-trichloroethoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group, 9-fluorenylmethoxycarbonyl group and the like); allyl group; dialkylaminoalkylidene group (for example, Examples include N, N-dimethylaminomethylene group or N, N-diethylaminomethylene group.
  • a formyl group; a C 1 -C 6 alkanoyl group optionally substituted by 1 to 3 halogen atoms for example, acetyl group, chloroacetyl group, trichloroacetyl group, trifluoroacetyl group, pivaloyl group, etc.
  • a compound of the formula (X-XIII) is produced by reacting (amination reaction) a compound of the formula (IX-XIII) and an aminating agent.
  • U, V, W, X, Y and Z are as described above, and at least one of these substituents is a halogen atom (Hal), and n is U , V, W, X, Y, Z represents the number of substituents which are halogen atoms (Hal) and is an integer satisfying 1 ⁇ n ⁇ 6; in formula (X-XIII), U , V, W, X, Y, Z are as described above, at least one of these substituents is an amino group, and n ′ is an integer satisfying 1 ⁇ n ′ ⁇ n)
  • the aminating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include ammonia, aqueous ammonia, ammonium hydroxide, and tetrabutylammonium hydroxide.
  • the aminating agent can be used in an amount of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-
  • the reaction of the production method [P] can usually be performed in the presence of a solvent, and can be performed in the presence of a copper compound, an organic ligand and a phase transfer catalyst, if necessary.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the copper compound is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and for example, the same copper compound as the copper compound used in the production method [O] can be mentioned.
  • the copper compound can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XIII).
  • the phase transfer catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same phase transfer catalyst as the phase transfer catalyst used in the production method [O].
  • the phase transfer catalyst can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XIII).
  • the reaction temperature is usually 0 to 200 ° C., preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • Manufacturing method [Q] In the production method [Q], a compound of formula (IX-XIV) and an iminating agent are reacted (imination reaction) to give an imine, and then the imine is hydrolyzed to give a compound of formula (X-XIV). A compound is produced.
  • U, V, W, X, Y, and Z are as described above, and at least one of these substituents is a halogen atom (Hal), and n is U , V, W, X, Y, Z represents the number of substituents which are halogen atoms (Hal) and is an integer satisfying 1 ⁇ n ⁇ 6; in formula (X-XIV), U , V, W, X, Y, Z are as described above, at least one of these substituents is an amino group, and n ′ is an integer satisfying 1 ⁇ n ′ ⁇ n)
  • the iminating agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include benzophenone.
  • the iminating agent can be used at a ratio of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XIV).
  • the imination reaction of the production method [Q] can usually be performed in the presence of a solvent, a base and an organometallic catalyst.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the base is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same bases as those used in the first step of the production method [A].
  • the base can be used at a ratio of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XIV).
  • the organometallic catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same organometallic catalysts as those used in the second step of the production method [B].
  • the organometallic catalyst can be used in a proportion of 0.001 to 5 equivalents, preferably 0.01 to 1 equivalent, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XIV).
  • the hydrolysis reaction of the production method [Q] can usually be performed in the presence of a solvent and an acid.
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the acid is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include inorganic acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid; organic acids such as acetic acid.
  • the reaction temperature is usually 0 ° C to 200 ° C, preferably 0 to 120 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of the formula (X-XV) is produced by reacting (reducing reaction) a compound of the formula (IX-XV) with a metal or a metal salt.
  • the metal salt is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include tin chloride.
  • the base can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (IX-XV).
  • the reaction of the production method [R] can usually be performed in the presence of an acid, and can be performed in the presence of a solvent, if necessary.
  • the acid is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same acids as those used in the hydrolysis reaction of the production method [Q].
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • ethers such as tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether, and 1,4-dioxane
  • esters such as methyl acetate and ethyl acetate
  • water Species or two or more (mixed solvent) can be appropriately selected.
  • the reaction temperature is usually ⁇ 20 ° C. to 200 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of the formula (X-XVI) is produced by reacting (catalytic reduction reaction) a compound of the formula (IX-XVI) with hydrogen gas or hydrazine.
  • hydrazine When hydrazine is used as a reducing agent, it can be used usually at a ratio of 1 to 25 equivalents per 1 equivalent of the compound of formula (IX-XVI).
  • the reaction of the production method [S] can usually be performed in the presence of a metal catalyst and a solvent.
  • the metal catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • palladium catalyst such as palladium black and palladium-supported carbon
  • platinum catalyst such as platinum-supported carbon and platinum (IV) oxide hydrate
  • a nickel catalyst such as Raney nickel
  • a ruthenium catalyst such as ruthenium-supported carbon
  • a rhodium catalyst such as rhodium-supported carbon
  • an osmium catalyst such as osmium-supported carbon
  • the metal catalyst can be used usually in a ratio of 0.0001 to 5 equivalents per 1 equivalent of the compound of the formula (IX-XVI).
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature is usually 20 to 100 ° C., preferably 40 to 80 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • the introduced amino group can be subjected to introduction of a protecting group and cleavage of the protecting group (deprotection reaction) as necessary.
  • a protecting group suitable for protecting an amino group, a method for introducing the protecting group, and a method for cleaving the protecting group are well known to those skilled in the art (for example, Protective Groups In Organic Synthesis 4th. Edition, 2006, see John Wiley & Sons, Inc.).
  • the amino-protecting group includes all groups that can be used as ordinary amino-protecting groups. Specifically, for example, Protective Group-in Organic-Synthesis The fourth edition, 2006, and the groups described in John Wiley & Sons, Inc. As a specific example of the protecting group, for example, a protecting group similar to the protecting group used in the production method [O] can be used.
  • the compound of the formula (IX) as the starting material is converted into the compound of the formula (II) as the target material.
  • a compound of formula (III), formula (IV) or formula (VIII) can be prepared.
  • the compound of formula (VIII) can also be produced by reacting (reducing reaction) the compound of formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (II) with a reducing agent.
  • the reducing agent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same reducing agents as those used in the second step of the production method [A].
  • the reducing agent can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (II). .
  • a compound of formula (VIII) is obtained by reacting (reducing) a compound of formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (II) with a metal or a metal salt. To manufacture.
  • the metal is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same metals as those used in the production method [R].
  • the metal can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (II).
  • the metal salt is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include tin chloride.
  • the metal salt can be used in a proportion of 1 to 20 equivalents, preferably 1 to 5 equivalents, relative to 1 equivalent of the compound of formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (II). .
  • the reaction of the production method [T] can usually be performed in the presence of an acid, and can be performed in the presence of a solvent, if necessary.
  • the acid is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and examples thereof include the same acids as those used in the hydrolysis reaction of the production method [Q].
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the production method [R] can be used.
  • the reaction temperature is usually ⁇ 20 to 200 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • a compound of formula (VIII) is obtained by reacting a compound of formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (II) with hydrogen gas or hydrazine (catalytic reduction reaction). Manufacturing.
  • the pressure of the hydrogen gas may be appropriately selected in the range of usually 0.1 (normal pressure) to 1 MPa, preferably 0.1 to 0.5 MPa.
  • hydrazine When hydrazine is used as the reducing agent, it is usually used in a ratio of 1 to 25 equivalents per 1 equivalent of the compound of formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (II). it can.
  • the reaction of the production method [U] can usually be performed in the presence of a metal catalyst and a solvent.
  • the metal catalyst is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and for example, a metal catalyst similar to the metal catalyst used in the production method [S] can be mentioned.
  • the metal catalyst can be used usually in a ratio of 0.0001 to 5 equivalents per 1 equivalent of the compound of the formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (I-I).
  • the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds.
  • a solvent similar to the solvent used in the first step of the production method [A] can be used.
  • the reaction temperature is usually 20 to 100 ° C.
  • the reaction time is usually 1 to 48 hours.
  • Diaminonaphthalene is fluorinated to produce difluoronaphthalene.
  • Diaminonaphthalene is aminated to produce diamino-difluoronaphthalene or its hydrochloride.
  • Diamino-difluoronaphthalene or its hydrochloride is nitrated to produce diamino-difluoro-dinitronaphthalene or its hydrochloride.
  • Diamino-difluoro-dinitronaphthalene or its hydrochloride is reduced to produce tetraamino-difluoronaphthalene or its hydrochloride.
  • Tetraamino-difluoronaphthalene or a hydrochloride thereof and a sulfurizing agent, a selenizing agent or a tellurizing agent are reacted to form a naphthobischalcogenadiazole derivative (X 1 and X 2 ) represented by the formula (I) Is a hydrogen atom).
  • the naphthobischalcogenadiazole derivative (A 1 and A 2 are oxygen atoms) represented by the formula (I) by specifically performing the following steps.
  • the diamino-difluoro-dinitronaphthalene or its hydrochloride obtained in the step (3) is oxidized and then reduced to obtain a naphthobischalcogenadiazole derivative (X 1 and X 1 ) represented by the formula (I) 2 is a hydrogen atom, and A 1 and A 2 are oxygen atoms).
  • room temperature refers to 25 ⁇ 15 ° C.
  • the nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum is a product name “JMM-ECS400” manufactured by JEOL (JEOL Ltd.), a product name “JNM-ECA600” manufactured by JEOL (JEOL Ltd.), and JEOL (JEOL Ltd.).
  • the measurement was performed using the product name “ECX (500 MHz)” manufactured by Bruker BioSpin Corporation or the product name “AVANCE III 700” manufactured by Bruker BioSpin Corporation. Chemical shifts are expressed in parts per million (ppm). Tetramethylsilane (TMS) was used as an internal standard (0 ppm).
  • the coupling constant (J) is expressed in hertz, and the abbreviations s, d, t, q, m and br are singlet, doublet, triplet, quadruple respectively. (Quartet), multiple line (multiplet), and wide line (broad).
  • Mass spectrometry was measured by a direct sample introduction (DI) method using a trade name “GCMS-QP5050A” manufactured by Shimadzu Corporation.
  • reaction mixture was separated and purified by silica gel column chromatography using hexane as a moving bed to obtain 1,5-difluoronaphthalene as a white solid (3.048 g, yield 39%).
  • the reaction formula is shown below.
  • reaction mixture was separated and purified by silica gel column chromatography using hexane: ethyl acetate (1: 1) solvent as a moving bed.
  • the reaction product and THF (115 mL) obtained in a 300 mL eggplant-shaped flask were added, 2N hydrochloric acid (23.5 mL) was added at 0 ° C., and the mixture was stirred at 0 ° C. for 1 hour.
  • the precipitate was collected by filtration and washed with tetrahydrofuran.
  • n any number from 0 to 4.
  • reaction mixture was added to ice water, extracted with ethyl acetate, and the organic layer was washed with water. The organic layer was dried over anhydrous sodium sulfate, filtered and the solvent was distilled off under reduced pressure. Diethyl ether was added to the precipitated solid, which was collected by filtration and washed with diethyl ether. Thereafter, drying under reduced pressure gave N, N ′-(4,8-difluoro-2,6-dinitronaphthalene-1,5-diyl) bis (2,2,2-trifluoroacetamide) as a light brown solid. (313 mg, 51% yield). The reaction formula is shown below.
  • n any number from 0 to 4.
  • Example 4 Synthesis of 4,9-dibromo-5,10-difluoronaphtho [1,2-c: 5,6-c ′] bis [1,2,5] thiadiazole obtained in Example 1 in a 20 mL eggplant type flask 5,10-difluoronaphtho [1,2-c: 5,6-c ′] bis [1,2,5] thiadiazole (30 mg), concentrated sulfuric acid (3.2 g), and N-bromosuccinimide (77 mg). After stirring at 60 ° C. for 2 hours, N-bromosuccinimide (77 mg) was further added and stirred at 60 ° C. for 2 hours. Thereafter, the reaction solution was quenched with ice water and extracted with chloroform.
  • the extract was washed with a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution, and then the extract was concentrated under reduced pressure. Methyl alcohol was added to the obtained solid and collected by filtration, and then the collected solid was washed with methyl alcohol. The washed solid was dried to obtain a yellow solid object (24 mg, 51%).
  • the reaction formula is shown below.
  • Example 5 Synthesis of 4,9-dibromo-5,10-difluoronaphtho [1,2-c: 5,6-c ′] bis [1,2,5] thiadiazole 5,10-difluoronaphtho obtained in Example 1 [1,2-c: 5,6-c ′] bis [1,2,5] thiadiazole (90 mg, 0.32 mmol), trifluoroacetic acid (20 mL), and N-bromosuccinimide (77 mg) in a reaction vessel. And stirred at 70 ° C. for 20 hours. Thereafter, water was added to the reaction solution, and the precipitated yellow solid was filtered, washed with methanol and dried to obtain the desired product (100 mg, 72%).
  • a naphthobischalcogenadiazole derivative having a fluorine atom introduced which is useful as an intermediate of an organic semiconductor material having excellent electron accepting properties.
  • a naphthobischalcogenadiazole derivative is a versatile intermediate for the production of naphthobischalcogenadiazole compounds into which fluorine atoms, which are powerful electron-attracting substituents that improve electron acceptability, are introduced. It can be used as a body.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

フッ素原子が導入されたナフトビスカルコゲナジアゾール化合物を製造するための中間体として利用可能なナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を提供することを目的として、本発明のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体は、式（Ｉ）：　（式中、Ａ１及びＡ２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子であり；Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、ボロン酸ジアミノナフタレンアミド基、ボロン酸Ｎ－メチルイミノ二酢酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である）で表される。

Description

ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法
　本発明は、フッ素原子を導入したナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法に関する。
　ナフトビスカルコゲナジアゾールを始めとする種々の電子受容性骨格は、有機半導体高分子材料のアクセプタユニット、及び低分子材料の基本骨格としての応用研究が進められている。このような半導体特性を示す有機材料を含む薄膜は、有機薄膜太陽電池、光センサ等の光電変換素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜トランジスタへの応用が期待されている。ナフトビスカルコゲナジアゾール化合物は、高い電子受容能を反映して、良好なｎ型有機電界効果トランジスタ特性を示すことが報告されている（特許文献１、非特許文献１）。また、ナフトビスカルコゲナジアゾール骨格をアクセプタ部として導入してなるドナー－アクセプタ型高分子は、極めて高い光電変換効率を示すことが報告されている（特許文献２，３、非特許文献２）。さらに、特許文献４には、ナフトビスチアジアゾール骨格の５位及び１０位に塩素原子又はアルキル基が導入された反復単位から構成される有機半導体デバイス用高分子が記載されており、特許文献５には、フッ素原子が導入されたｐ型有機半導体材料が記載されている。
国際公開公報ＷＯ２０１４／１７８４１５ 国際公開公報ＷＯ２０１３／０１５２９８ 国際公開公報ＷＯ２０１５／０２９４３２ 米国特許第８，７３５，５３６号公報 特開２０１４－５３３８３号
Macromolecules, 48, 576 (2015) J. Am. Chem. Soc. 135, 8834 (2013)
　ナフトビスカルコゲナジアゾール骨格の電子受容能をさらに向上させ、有機半導体材料の特性の向上や用途拡大を実現するには、ナフトビスカルコゲナジアゾール骨格の５位及び１０位を強力な電子求引性の置換基であるフッ素原子で修飾することが有効であると考えられる。しかしながら、特許文献４には当該修飾がなされた化合物の開示は無い。また、特許文献５には当該修飾がなされた化合物の開示はあるものの、同じナフトビスカルコゲナジアゾール骨格を有する中間体を経て当該化合物が製造されていることを示す記載は一切無い。従って、現状では、電子受容性を高めた多様なナフトビスカルコゲナジアゾール化合物を系統的に探索合成することが困難な状況にある。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、電子受容性を向上させる強力な電子求引性の置換基であるフッ素原子が導入されたナフトビスカルコゲナジアゾール化合物を製造するための、汎用性の高い製造用中間体として利用可能なナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法を提供することにある。
　即ち、本発明に係るナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体は、式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　（式中、Ａ１及びＡ２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子であり；Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、ボロン酸ジアミノナフタレンアミド基、ボロン酸Ｎ－メチルイミノ二酢酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である）
で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体に関する。
　上記式（Ｉ）中のＡ１及びＡ２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子であることが好ましい。また、上記式（Ｉ）中のＡ１及びＡ２は、共に、硫黄原子又はセレン原子であることが好ましい。さらに、上記式（Ｉ）中のＡ１及びＡ２が共に硫黄原子であるナフトビスチアジアゾール誘導体であることがさらに好ましい。
　上記式（Ｉ）中のＸ１及びＸ２は、共に、ハロゲン原子であることが好ましい。上記式（Ｉ）中のＸ１及びＸ２で表されるハロゲン原子の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、臭素原子又はヨウ素原子がより好ましい。
　また、上記式（Ｉ）中のＸ１及びＸ２は、共に、ボロン酸エステル基であることが好ましい。上記式（Ｉ）中のＸ１及びＸ２で表されるボロン酸エステル基の具体例としては、ボロン酸ジメチルエステル基、ボロン酸ジエチルエステル基、ボロン酸ジプロピルエステル基、ボロン酸ジイソプロピルエステル基、ボロン酸ジブチルエステル基、ボロン酸ジヘキシルエステル基等のボロン酸ジアルキルエステル基；ボロン酸ジシクロヘキシルエステル基等のボロン酸ジシクロアルキルエステル基；ボロン酸ピナコールエステル基、ボロン酸ネオペンチルグリコールエステル基、ボロン酸ヘキシレングリコールエステル基、ボロン酸カテコールエステル基、ボロン酸エチレングリコールエステル基、ボロン酸プロピレングリコールエステル基、ボロン酸１，３－プロパンジオールエステル基、ボロン酸１，３－ブタンジオールエステル基等のボロン酸環状エステル基；等が挙げられるが、ボロン酸ジアルキルエステル基又はボロン酸環状エステル基であることが好ましい。
　式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の具体例としては、例えば、下記構造式１～６０で示される化合物が挙げられる。下記構造式１～６０中のＲは、アルキル基を表し、Ｍｅは、メチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　本明細書において、特に言及しない限り、アルキル基又はアルキル部分は、直鎖状又は分枝状の何れであってもよく、その具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec－ブチル、tert－ブチル、ペンチル、ヘキシル、デシル等のＣ１－Ｃ１０アルキルが挙げられる。
　また、本発明に係る製造方法は、上述のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法であって、テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩と、硫黄化剤、セレン化剤又はテルル化剤とを反応させる工程を含む。
　また、本発明に係る製造方法は、上述のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法であって、ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を酸化し、次いで還元する工程を含む。
　また、本発明に係る製造方法は、上述のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法であって、テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩と硫黄化剤、セレン化剤又はテルル化剤とを反応させる工程と、次いで、得られたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体とハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応させる工程と、を含む。
　また、本発明に係る製造方法は、上述のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法であって、ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を酸化し、次いで還元する工程と、得られたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体とハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応させる工程と、を含む。
　また、本発明に係る製造法では、ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を還元して、テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩を製造する工程を含むことが好ましい。
　また、本発明に係る製造法では、ジアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩をニトロ化反応させて、ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を製造する工程を含むことが好ましい。
　また、本発明に係る製造法では、ジフルオロナフタレンをアミノ化反応させて、ジアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩を製造する工程を含むことが好ましい。
　また、本発明に係る製造法では、ジアミノナフタレンをフッ素化反応させて、ジフルオロナフタレンを製造する工程を含むことが好ましい。
　本発明によれば、電子受容性に優れた有機半導体材料の中間体として有用な、フッ素原子が導入されたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を提供することができるという効果を奏する。
　以下、本発明の好適な実施形態に関して詳細に説明する。
　本発明に係るナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体には、ハロゲン原子やホウ素原子を有する化合物が包含されており、鈴木カップリング反応、Stilleカップリング反応、根岸カップリング反応、薗頭カップリング反応、又は酸化的カップリング反応等の有機金属触媒反応に適用可能である。このことから、本発明に係るナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体は、当該反応によって多様な拡張π電子系化合物への変換が可能である。例えば、アンゲバンテ ケミー インターナショナル エディション（Angewandte Chemie International Edition），第51巻，5062-5085頁（2012年）に記載されている方法を参考にして、本発明に係るナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体から、フッ素原子が導入された種々のナフトビスカルコゲナジアゾール化合物を合成することができる。
　従って、本発明に係るナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を基にして、種々の有機半導体材料等に有用な、フッ素原子が導入されたナフトビスカルコゲナジアゾール骨格を有する低分子化合物や高分子材料の研究、開発、実用化を図ることが可能となる。
　上記式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体は、以下に示す製法［Ａ］～［Ｕ］に記載の方法に従い、出発物質（原料）に応じて、これら製法を適宜組み合わせて行うことによって合成することができる。
　以下に示す製法［Ａ］～［Ｕ］中の各化合物の塩としては、当該技術分野で許容されるあらゆる塩が含まれる。当該塩の具体例としては、例えば、塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸等の無機酸との塩；酒石酸、ギ酸、酢酸、クエン酸、フマル酸、マレイン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機カルボン酸との塩；メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メシチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等のスルホン酸との塩；等が挙げられる。
　製法［Ａ］
　製法［Ａ］は、下記式（II）、式（III）又は式（IV）の化合物から、式（I-I）又は式（I-II）のナフトビスオキサジアゾール誘導体を製造する方法であり、下記第１工程、第２工程及び第３工程からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　製法［Ａ］の第１工程では、式（II）、式（III）又は式（IV）の化合物と、酸化剤とを反応（酸化反応）させることにより、式（Ｖ）、式（VI）又は式（VII）の化合物を製造する。なお、式（II）～（IV）の各化合物は塩であってもよい。
　酸化剤としては、当該反応が進行する酸化剤であれば特に限定はなく、例えば、酸素ガス、オゾンガス、酸化クロム、過マンガン酸カリウム、過酸化水素、ｍ－クロロ過安息香酸、四酸化ルテニウム等が挙げられる。酸化剤は、上記式（II）、式（III）又は式（IV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ａ］の第１工程の反応は、通常、塩基及び溶媒の存在下で行うことができ、必要に応じて、相間移動触媒の存在下で行うことができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム第３級ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド；炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属の炭酸水素塩；炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属の炭酸塩；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の金属水酸化物；水素化ナトリウム、水素化カリウム等の金属水素化物；トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）ピリジン等の有機アミン類；等が挙げられる。塩基は、式（II）、式（III）又は式（IV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；ヘキサン、ヘプタン、石油エーテル、リグロイン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、ピリジン等の極性非プロトン性溶媒；アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；水；塩酸、硫酸等の無機酸；酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸等の有機酸；及びこれら溶媒の混合溶媒；等から１種又は２種以上（混合溶媒）を適宜選択することができる。また、これら溶媒に加えて、上記塩基の中で、有機アミン類を溶媒として使用することもできる。
　相間移動触媒としては、例えば、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムヨージド等の第４級アンモニウム塩；１８－crown－６等のクラウンエーテル；アルキルトリブチルホスホニウムブロミド等のホスホニウム塩；等が挙げられる。
　第１工程の反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ａ］の第２工程では、式（Ｖ）、式（VI）又は式（VII）の化合物と還元剤とを反応（還元反応）させることにより、式（I-I）の化合物を製造する。なお、第１工程の酸化によって式（II）、式（III）又は式（IV）の化合物から直接、式（I-I）の化合物が得られる場合には、第２工程を省略することができる。
　還元剤としては、当該反応が進行する還元剤であれば特に限定はなく、例えば、ヒドロキシルアミン塩酸塩、リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、トリフェニルホスフィン、硫黄、エチレングリコール等が挙げられる。還元剤は、式（Ｖ）、式（VI）又は式（VII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ａ］の第２工程は、通常、塩基及び溶媒の存在下で行うことができる。塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば第１工程で用いる塩基と同様の塩基が挙げられる。塩基は、式（II）、式（III）又は式（IV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　第２工程の反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ａ］の第３工程では、式（I-I）の化合物と、ハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応（ハロゲン化反応又はホウ素化反応）させることにより、式（I-II）の化合物を製造する。
　ハロゲン化剤としては、当該反応が進行するハロゲン化剤であれば特に限定はなく、例えば、Ｎ－クロロスクシンイミド、臭素、Ｎ－ブロモスクシンイミド、Ｎ－ヨードスクシンイミド等が挙げられる。ハロゲン化剤は、式（I-I）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　ホウ素化剤としては、当該反応が進行するホウ素化剤であれば特に限定はなく、例えば、ビス（ピナコラト）ジボロン、ビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロン、ビス（へキシレングリコラト）ジボロン、ビス（カテコラト）ジボロン等が挙げられる。ホウ素化剤は、式（I-I）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　ホウ素化においては、必要に応じて、有機金属触媒、有機配位子及び塩基の存在下で反応を行うことができる。
　有機金属触媒としては、例えば、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリド、ビス（トリ－tert－ブチルホスフィン）パラジウム等のパラジウム触媒；ビス（１，５－シクロオクタジエン）ジ－μ－メトキシジイリジウム等のイリジウム触媒；が挙げられる。有機金属触媒は、式（I-I）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　有機配位子としては、例えば、４，４’－ジ－tert－ブチル－２，２’－ジピリジル等が挙げられる。有機配位子は、式（I-I）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば第１工程又は第２工程で用いる塩基と同様の塩基が挙げられる。塩基は、式（I-I）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　第３工程の反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｂ］
　製法［Ｂ］は、式（VIII）の化合物又はその塩から、式（I-III）又は式（I-IV）のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を製造する方法であり、下記第１工程及び第２工程からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 　製法［Ｂ］の第１工程では、式（VIII）の化合物と、硫黄化剤、セレン化剤又はテルル化剤とを反応（硫黄化反応、セレン化反応又はテルル化反応）させることにより、式（I-III）の化合物を製造する。
　硫黄化剤としては、当該反応が進行する硫黄化剤であれば特に限定はなく、例えば、硫黄、一塩化硫黄、二塩化硫黄、塩化チオニル、塩化スルフリル、２，４－ビス（４－メトキシフェニル）－１，３，２，４－ジチアジホスフェタン－２，４－ジスルフィド等が挙げられる。硫黄化剤としては、上記式（VIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　セレン化剤としては、当該反応が進行するセレン化剤であれば特に限定はなく、例えば、四塩化セレン、六塩化セレン、四臭化セレン、四ヨウ化セレン、亜セレン酸、二酸化セレン、オキシ塩化セレン等が挙げられる。セレン化剤は、式（VIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　テルル化剤としては、当該反応が進行するテルル化剤であれば特に限定はなく、例えば、四塩化テルル、四臭化テルル、四ヨウ化テルル、一酸化テルル、二酸化テルル、三酸化テルル、亜テルル酸等が挙げられる。テルル化剤は、式（VIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｂ］の第１工程の反応は、通常、塩基及び溶媒の存在下で行うことができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］で用いる塩基と同様の塩基が挙げられる。塩基は、式（VIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　第１工程の反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｂ］の第２工程では、式（I-III）の化合物と、ハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応（ハロゲン化反応又はホウ素化反応）させることにより、式（I-IV）の化合物を製造する。
　ハロゲン化剤又はホウ素化剤としては、当該反応が進行するハロゲン化剤又はホウ素化剤であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第３工程で用いるハロゲン化剤又はホウ素化剤と同様のハロゲン化剤又はホウ素化剤が挙げられる。ハロゲン化剤は、式（I-III）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　ホウ素化は、必要に応じて、有機金属触媒、有機配位子及び塩基の存在下で行うことができる。
　有機金属触媒及び有機配位子としては、当該反応が進行する有機金属触媒及び有機配位子であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第３工程で用いる有機金属触媒及び有機配位子と同様の有機金属触媒及び有機配位子が挙げられる。有機金属触媒は、式（I-III）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。有機配位子は、式（I-III）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる塩基と同様の塩基が挙げられる。塩基は、式（I-III）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第２工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　第２工程の反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｃ］
　製法［Ｃ］は、式（IX）の化合物から、式（II）、式（III）、式（IV）又は式（VIII）の化合物を製造する方法であり、下記工程からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 　（式（IX）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは、元々水素原子が結合している位置以外でナフタレン環に結合する６つの置換基を示し、これら置換基は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、アミノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、トリフルオロメタンスルホニル基（OTf）、Ｂ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基、ボロン酸ジアミノナフタレンアミド基、ボロン酸Ｎ－メチルイミノ二酢酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、上記Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子又はＣ１－Ｃ１０アルキル基であり、（ＯＲａ）及び（ＯＲｂ）は一緒になって環を形成していてもよい；ナフタレン環における上記Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚの置換位置は特定されない）
　即ち、式（IX）の化合物から、式（II）、式（III）、式（IV）又は式（VIII）の化合物を製造する工程は、ニトロ化、ハロゲン化、ハロゲン置換、ホウ素化、ヒドロキシル化、アミノ化、保護又は脱保護のうちの少なくとも１つの工程を含むが、特に限定されず、出発物質である式（IX）の化合物の構造に応じて、これら工程のうちから必要な工程を適宜選択して組み合わせて行うことによって構成される。必要な工程の選択および組み合わせ（選択した工程を行う順序）は、当業者であれば、出発物質である式（IX）の化合物の構造と、目的物質である式（II）、式（III）、式（IV）又は式（VIII）の化合物の構造とから、容易に理解することができる。
　式（IX）の化合物としては、例えば、市販の化合物である下記構造式で示される化合物、又はこれら化合物の塩が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　次に、式（II）、式（III）、式（IV）又は式（VIII）の化合物を製造する工程の一部である上記各工程の一例を、以下に製法［Ｄ］～製法［Ｓ］として示す。
　＜ニトロ化の工程＞
　製法［Ｄ］
　製法［Ｄ］では、式（IX-I）の化合物とニトロ化剤とを反応（ニトロ化反応）させることにより、式（X-I）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 　（式（IX-I）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つは水素原子であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちで水素原子となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-I）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはニトロ基であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　従って、例えば、式（IX-I）中のＹ及びＺが水素原子である場合には、式（IX-I）中の置換基の部分は「－（Ｕ）（Ｖ）（Ｗ）（Ｘ）（Ｈ）２」で表され、また、Ｕ，Ｖ，Ｗ及びＸが水素原子である場合には、置換基の部分は「－（Ｙ）（Ｚ）（Ｈ）４」で表される。但し、ナフタレン環における上記Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚの置換位置は特定されないので、具体的には、式（IX-I）中のＹ及びＺが水素原子である構造とは、元々結合している２つの水素原子を除いた、ナフタレン環に結合する６つの置換基のうち、２つが水素原子であり、４つが水素原子以外の置換基であることを表す。また、Ｕ，Ｖ，Ｗ及びＸが水素原子である構造とは、元々結合している２つの水素原子を除いた、ナフタレン環に結合する６つの置換基のうち、４つが水素原子であり、２つが水素原子以外の置換基であることを表す。さらに、例えば、式（X-I）中のＹ及びＺがニトロ基である構造とは、元々結合している２つの水素原子を除いた、ナフタレン環に結合する６つの置換基のうち、２つがニトロ基であり、４つがニトロ基以外の置換基（ｎ’＜ｎである場合はニトロ化されなかった水素原子も含まれる）であることを表す。
　そして、式（II）、式（III）、式（IV）又は式（VIII）の化合物を製造する工程の一部である各工程において、反応させる対象となる置換基（例えば製法［Ｄ］では水素原子）以外の置換基は、副反応を生じないように、当該反応に関与しない置換基から選択される。また、選択される置換基は、反応の結果生じる置換基と異なる置換基であることが好ましい。
　以下の説明では、特に断りの無い限り、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚを含む、後述する他の式においても、「－（Ｕ）（Ｖ）（Ｗ）（Ｘ）（Ｙ）（Ｚ）（○○）ｎ」，「－（Ｕ）（Ｖ）（Ｗ）（Ｘ）（Ｙ）（Ｚ）（○○）ｎ’」との記載は、同様の構造を表現していることとする。また、反応させる対象となる置換基以外の置換基は、当該反応に関与しない置換基から選択されることとする。
　ニトロ化剤としては、当該反応が進行するニトロ化剤であれば特に限定はなく、例えば、硝酸カリウム／濃硝酸又は発煙硝酸／濃硫酸又は発煙硝酸／無水酢酸の組み合わせからなるニトロ化材等が挙げられる。ニトロ化剤は、式（IX-I）の化合物１当量に対して、１～２０当量となる量の割合で使用することができる。
　製法［Ｄ］の反応は、必要に応じて、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、－３０～１００℃、好ましくは０～５０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｅ］
　製法［Ｅ］では、式（IX-II）の化合物と酸化剤とを反応（酸化反応）させることにより、式（X-II）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 　（式（IX-II）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはアミノ基であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでアミノ基となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-II）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはニトロ基であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　酸化剤としては、当該反応が進行する酸化剤であれば特に限定はなく、例えば、酸素ガス、オゾンガス、過酸化水素、ｍ－クロロ過安息香酸、tert－ブチルヒドロペルオキシド、過ホウ酸ナトリウム、ジメチルジオキシラン等が挙げられる。酸化剤は、式（IX-II）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｅ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　また、製法［Ｅ］の反応は、必要に応じて、触媒の存在下で行うことができる。触媒としては、当該反応が進行する触媒であれば特に限定はなく、例えば、メチルトリオキソレニウム、ジルコニウムtert－ブトキシド等が挙げられる。触媒は、式（IX-II）の化合物１当量に対して、０．０００１～５当量の割合で使用することができる。
　反応温度は、通常、０～１２０℃、好ましくは０～５０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　＜ハロゲン化及びハロゲン置換の工程＞
　製法［Ｆ］
　製法［Ｆ］では、式（IX-III）の化合物とハロゲン化剤とを反応（ハロゲン化反応）させることにより、式（X-III）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 　（式（IX-III）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つは水素原子であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちで水素原子となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-III）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはハロゲン原子（Hal）であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　ハロゲン化剤としては、当該反応が進行するハロゲン化剤であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第３工程で用いるハロゲン化剤と同様のハロゲン化剤が挙げられる。ハロゲン化剤は、式（IX-III）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｆ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｇ］
　製法［Ｇ］では、式（IX-IV）の化合物と無機亜硝酸塩又は亜硝酸エステルとを反応（ジアゾ化反応）させてジアゾニウム化合物とした後、当該ジアゾニウム化合物とハロゲン化剤と反応（ハロゲン化反応）させることにより、式（X-IV）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 　（式（IX-IV）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはアミノ基であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでアミノ基となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-IV）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはハロゲン原子（Hal）であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　無機亜硝酸塩としては、当該反応が進行する無機亜硝酸塩であれば特に限定はなく、例えば、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等が挙げられる。亜硝酸エステルとしては、当該反応が進行する亜硝酸エステルであれば特に限定はなく、例えば、亜硝酸tert－ブチル、亜硝酸イソアミル等が挙げられる。無機亜硝酸塩又は亜硝酸エステルは、式（IX-IV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　ハロゲン化剤としては、当該反応が進行するハロゲン化剤であれば特に限定はなく、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素；ヨウ化カリウム等のハロゲン化カリウム；フッ化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）等のハロゲン化銅（Ｉ）塩；フッ化銅（II）、塩化銅（II）、臭化銅（II）、ヨウ化銅（II）等のハロゲン化銅（II）塩；フッ化水素酸、塩化水素酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化水素酸；テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸銀；等が挙げられる。ハロゲン化剤は、式（IX-IV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｇ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　また、製法［Ｇ］のジアゾ化の反応は、必要に応じて、銅触媒、酸又は塩基の存在下で行うことができる。
　銅触媒としては、当該反応が進行する銅触媒であれば特に限定はなく、例えば、上記ハロゲン化銅（Ｉ）塩、上記ハロゲン化銅（II）塩、酸化銅（Ｉ）、硫酸銅（II）五水和物等が挙げられる。銅触媒は、式（IX-IV）の化合物１当量に対して、０．０１～５当量の割合で使用することができる。
　酸としては、当該反応が進行する酸であれば特に限定はなく、例えば、塩酸、硫酸等の無機酸；酢酸、メタンスルホン酸等の有機酸；が挙げられる。酸は、式（IX-IV）の化合物１当量に対して、１～２０当量となる量の割合で使用することができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば、水素化ナトリウム等のアルカリ金属水素化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩；水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；等が挙げられる。塩基は、式（IX-IV）の化合物１当量に対して、１～２０当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｇ］の反応温度は、通常、－２０～２００℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｈ］
　製法［Ｈ］では、式（IX-V）の化合物とハロゲン置換剤とを反応（ハロゲン置換反応）させることにより、式（X-V）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 　（式（IX-V）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つは塩素原子であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちで塩素原子となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-IV）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　ハロゲン置換剤としては、例えば、フッ化セシウム等が挙げられる。ハロゲン置換剤は、式（IX-V）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｈ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｇ］で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、－２０～２００℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｉ］
　製法［Ｉ］では、式（IX-VI）の化合物とハロゲン化剤とを反応（ハロゲン化反応）させることにより、式（X-VI）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 　（式（IX-VI）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはヒドロキシ基であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでヒドロキシ基となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-VI）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　ハロゲン化剤としては、当該反応が進行するハロゲン化剤であれば特に限定はなく、例えば、フッ化セシウム等が挙げられる。また、市販のハロゲン化剤（SIGMA-ALDRICH社製；商品名：PhenoFluor）を用いることもできる。ハロゲン化剤は、式（IX-VI）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｉ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｊ］
　製法［Ｊ］では、式（IX-VII）の化合物とハロゲン化剤とを反応（ハロゲン化反応）させることにより、式（X-VII）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 　（式（IX-VII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはトリフルオロメタンスルホニル基（OTf）であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでトリフルオロメタンスルホニル基となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-VII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　ハロゲン化剤としては、当該反応が進行するハロゲン化剤であれば特に限定はなく、例えば、フッ化セシウム等が挙げられる。ハロゲン化剤は、式（IX-VII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｊ］の反応は、通常、溶媒、金属触媒及び配位子の存在下で行うことができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　金属触媒としては、当該反応が進行する金属触媒であれば特に限定はなく、例えば、パラジウム（π－シンナミル）クロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリド、ビス（トリ－tert－ブチルホスフィン）パラジウム等のパラジウム触媒等が挙げられる。
　配位子としては、例えば、２－（ジシクロヘキシルホスフィノ）－３，６－ジメトキシ－２’，４’，６’－トリイソプロピル－１，１’－ビフェニル等が挙げられる。また，市販の配位子（SIGMA-ALDRICH社製；商品名：AdBrettPhos）を用いることもできる。
　金属触媒及び配位子は、式（IX-VII）の化合物１当量に対して、各々０．０１～５当量、好ましくは０．０５～１当量の割合で使用することができる。
　反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｋ］
　製法［Ｋ］では、式（IX-VIII）の化合物とハロゲン化剤とを反応（ハロゲン化反応）させることにより、式（X-VIII）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 　（式（IX-VIII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはＢ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基であり、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子又はＣ１－Ｃ１０アルキル基であり、（ＯＲａ）及び（ＯＲｂ）は一緒になって環を形成していてもよく、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，ＺのうちでＢ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-VIII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　上記Ｂ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基の具体例としては、ボロン酸基、ボロン酸ジメチルエステル基、ボロン酸ジエチルエステル基、ボロン酸ジプロピルエステル基、ボロン酸ジイソプロピルエステル基、ボロン酸ジブチルエステル基、ボロン酸ジヘキシルエステル基、ボロン酸ピナコールエステル基、ボロン酸ネオペンチルグリコールエステル基、ボロン酸ヘキシレングリコールエステル基、ボロン酸カテコールエステル基、ボロン酸エチレングリコールエステル基、ボロン酸プロピレングリコールエステル基、ボロン酸１，３－プロパンジオールエステル基、ボロン酸１，３－ブタンジオールエステル基等が挙げられる。
　ハロゲン化剤としては、当該反応が進行するハロゲン化剤であれば特に限定はなく、例えば、１－クロロメチル－４－フルオロ－１，４‐ジアゾニアビシクロ［２．２．２］オクタンビス（テトラフルオロボラート）、Ｎ－フルオロベンゼンスルホンイミド、１－フルオロピリジニウムトリフラート、２，６－ジシクロ－１－フルオロピリジニウムトリフラート、１－フルオロ－２，４，６－トリメチルヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。ハロゲン化剤は、式（IX-VIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｋ］の反応は、通常、溶媒又は金属塩の存在下で行うことができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　金属塩としては、当該反応が進行する金属塩であれば特に限定はなく、例えば、フッ化銀（Ｉ）、銅（Ｉ）トリフラート、ビス（ピバロイルニトリル）銅（Ｉ）トリフラート等が挙げられる。金属塩は、式（IX-VIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　＜ホウ素化の工程＞
　製法［Ｌ］
　製法［Ｌ］では、式（IX-IX）の化合物と有機リチウムとを反応（リチオ化反応）させてアリールリチウム化合物とした後、当該アリールリチウム化合物とホウ素化剤と反応（ホウ素化反応）させることにより、式（X-IX）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 　（式（IX-IX）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つは水素原子であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちで水素原子となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-IX）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはＢ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基であり、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子又はＣ１－Ｃ１０アルキル基であり、（ＯＲａ）及び（ＯＲｂ）は一緒になって環を形成していてもよく、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　上記Ｂ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基の具体例としては、製法［Ｋ］で例示した置換基が挙げられる。
　有機リチウムとしては、当該反応が進行する有機リチウムであれば特に限定はなく、例えば、ｎ－ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等が挙げられる。有機リチウムは、式（IX-IX）の化合物１当量に対して、１～２０当量の割合で使用することができる。
　ホウ素化剤としては、当該反応が進行するホウ素化剤であれば特に限定はなく、例えば、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリイソプロピル、４，４，４’，４’，５，５，５’，５’－オクタメチル－２，２’－ビ－１，３，２－ジオキサボロラン、２－イソプロポキシ－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン等が挙げられる。ホウ素化剤は、式（IX-IX）の化合物１当量に対して、１～２０当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｌ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、－８０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｍ］
　製法［Ｍ］では、式（IX-X）の化合物とホウ素化剤とを反応（ホウ素化反応）させることにより、式（X-X）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 　（式（IX-X）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つは水素原子であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちで水素原子となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-X）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはＢ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基であり、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子又はＣ１－Ｃ１０アルキル基であり、（ＯＲａ）及び（ＯＲｂ）は一緒になって環を形成していてもよく、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　上記Ｂ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基の具体例としては、製法［Ｋ］で例示した置換基が挙げられる。
　ホウ素化剤としては、当該反応が進行するホウ素化剤であれば特に限定はなく、例えば、４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン等が挙げられる。ホウ素化剤は、式（IX-X）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｍ］の反応は、通常、溶媒、有機金属触媒、有機配位子及び塩基の存在下で行うことができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　有機金属触媒としては、当該反応が進行する有機金属触媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｂ］の第２工程で用いる有機金属触媒と同様の有機金属触媒が挙げられる。有機金属触媒は、式（IX-X）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　有機配位子としては、当該反応が進行する有機配位子であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第３工程で用いる有機配位子と同様の有機配位子が挙げられる。有機配位子は、式（IX-X）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる塩基と同様の塩基が挙げられる。塩基は、式（IX-X）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　反応温度は、通常、０℃～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｎ］
　製法［Ｎ］では、式（IX-XI）の化合物とホウ素化剤とを反応（ホウ素化反応）させることにより、式（X-XI）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 　（式（IX-XI）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはハロゲン原子（Hal）であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでハロゲン原子となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-XI）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはＢ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基であり、Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素原子又はＣ１－Ｃ１０アルキル基であり、（ＯＲａ）及び（ＯＲｂ）は一緒になって環を形成していてもよく、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　上記Ｂ（ＯＲａ）（ＯＲｂ）基の具体例としては、製法［Ｋ］で例示した置換基が挙げられる。
　ホウ素化剤は、当該反応が進行するホウ素化剤であれば特に限定はなく、例えば、４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン等が挙げられる。ホウ素化剤は、式（IX-XI）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｎ］の反応は、通常、溶媒、有機金属触媒、有機配位子及び塩基の存在下で行うことができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　有機金属触媒としては、当該反応が進行する有機金属触媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｂ］の第２工程で用いる有機金属触媒と同様の有機金属触媒が挙げられる。有機金属触媒は、式（IX-XI）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　有機配位子としては、当該反応が進行する有機配位子であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第３工程で用いる有機配位子と同様の有機配位子が挙げられる。有機配位子は、式（IX-XI）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる塩基と同様の塩基が挙げられる。塩基は、式（IX-XI）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　反応温度は、通常、０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　＜ヒドロキシル化の工程、並びに、保護及び脱保護の工程＞
　製法［Ｏ］
　製法［Ｏ］では、式（IX-XII）の化合物とヒドロキシル化剤とを反応（ヒドロキシル化反応）させることにより、式（X-XII）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
 　（式（IX-XII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはハロゲン原子（Hal）であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでハロゲン原子（Hal）となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-XII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはヒドロキシ基であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　ヒドロキシル化剤は、当該反応が進行するヒドロキシル化剤であれば特に限定はなく、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等の金属水酸化物；水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムブロミド、水酸化テトラブチルアンモニウムヨージド；等が挙げられる。ヒドロキシル化剤は、式（IX-XII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｏ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができ、必要に応じて、銅化合物、有機配位子及び相間移動触媒の存在下で行うことができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　銅化合物としては、当該反応が進行する銅化合物であれば特に限定はなく、例えば、フッ化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）等のハロゲン化銅（Ｉ）塩；フッ化銅（II）、塩化銅（II）、臭化銅（II）、ヨウ化銅（II）等のハロゲン化銅（II）塩；酸化銅（Ｉ）、酸化銅（II）；硫酸銅（II）五水和物；等が挙げられる。銅化合物は、式（IX-XII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　有機配位子としては、当該反応が進行する有機配位子であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第３工程で用いる有機配位子と同様の有機配位子が挙げられる。有機配位子は、式（IX-XII）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　相間移動触媒としては、当該反応が進行する相間移動触媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる相間移動触媒と同様の相間移動触媒が挙げられる。相間移動触媒は、式（IX-XII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　導入したヒドロキシ基に対しては、必要に応じて、保護基の導入及び保護基の開裂（脱保護反応）を行うことができる。ヒドロキシ基の保護に適切な保護基及び当該保護基の導入方法、並びに、保護基の開裂方法は、当業者にとって周知である（例えば、プロテクティブ グループス イン オーガニック シンセシス（Protective Groups ｉn Organic Synthesis）第４版、2006年、ジョン ウィリイ アンド サンズ社（John Wiley &　Sons, INC.）を参照）。
　上記ヒドロキシ基の保護基には、通常のヒドロキシ基の保護基として使用することができる全ての基が含まれ、具体的には、例えば、プロテクティブ グループス イン オーガニック シンセシス（Protective Groups ｉn Organic Synthesis）第４版、2006年、ジョン ウィリイ アンド サンズ社（John Wiley & Sons, INC.）に記載されている基等が挙げられる。保護基の具体例としては、例えば、ハロゲン原子、Ｃ１－Ｃ６アルコキシ基及びニトロ基から選ばれる置換基で置換されていてもよいベンジル基（例えば、ベンジル基、ｐ－メトキシベンジル基、ｐ－ニトロベンジル基又はｐ－クロロベンジル基等が挙げられる）；ハロゲン原子及びアリール基から選ばれる１個から３個の置換基で置換されていてもよいＣ１－Ｃ６アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、tert－ブトキシカルボニル基、２，２，２－トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基又は９－フルオレニルメトキシカルボニル基等が挙げられる）；アリル基；ジアルキルアミノアルキリデン基（例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノメチレン基又はＮ，Ｎ－ジエチルアミノメチレン基等が挙げられる）；ホルミル基；１個から３個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１－Ｃ６アルカノイル基（例えば、アセチル基、クロロアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基又はピバロイル基等が挙げられる）；ベンゾイル基；及び、Ｃ１－Ｃ６アルキル基及びアリール基から選ばれる互いに同一又は異なる３個の置換基を有するシリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、tert－ブチルジメチルシリル基又はtert－ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる）；等が挙げられる。
　＜アミノ化の工程、並びに、保護及び脱保護の工程＞
　製法［Ｐ］
　製法［Ｐ］では、式（IX-XIII）の化合物とアミノ化剤とを反応（アミノ化反応）させることにより、式（X-XIII）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 　（式（IX-XIII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはハロゲン原子（Hal）であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでハロゲン原子（Hal）となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-XIII）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはアミノ基であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　アミノ化剤としては、当該反応が進行するアミノ化剤であれば特に限定はなく、例えば、アンモニア、アンモニア水、水酸化アンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。アミノ化剤は、式（IX-XIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｐ］の反応は、通常、溶媒の存在下で行うことができ、必要に応じて、銅化合物、有機配位子及び相間移動触媒の存在下で行うことができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　銅化合物としては、当該反応が進行する銅化合物であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｏ］で用いる銅化合物と同様の銅化合物が挙げられる。銅化合物は、式（IX-XIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　相間移動触媒としては、当該反応が進行する相間移動触媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｏ］で用いる相間移動触媒と同様の相間移動触媒が挙げられる。相間移動触媒は、式（IX-XIII）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　反応温度は、通常、０～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｑ］
　製法［Ｑ］では、式（IX-XIV）の化合物とイミノ化剤とを反応（イミノ化反応）させてイミンとした後、当該イミンを加水分解反応させることにより、式（X-XIV）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 　（式（IX-XIV）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはハロゲン原子（Hal）であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでハロゲン原子（Hal）となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-XIV）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはアミノ基であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　イミノ化剤としては、当該反応が進行するイミノ化剤であれば特に限定はなく、例えば、ベンゾフェノン等が挙げられる。イミノ化剤は、式（IX-XIV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｑ］のイミノ化の反応は、通常、溶媒、塩基及び有機金属触媒の存在下で反応させることができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　塩基としては、当該反応が進行する塩基であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる塩基と同様の塩基が挙げられる。塩基は、式（IX-XIV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　有機金属触媒としては、当該反応が進行する有機金属触媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｂ］の第２工程で用いる有機金属触媒と同様の有機金属触媒が挙げられる。有機金属触媒は、式（IX-XIV）の化合物１当量に対して、０．００１～５当量、好ましくは０．０１～１当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｑ］の加水分解反応は、通常、溶媒及び酸の存在下で行うことができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　酸としては、当該反応が進行する酸であれば特に限定はなく、例えば、塩酸、硫酸等の無機酸；酢酸等の有機酸；が挙げられる。
　反応温度は、通常、０℃～２００℃、好ましくは０～１２０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｒ］
　製法［Ｒ］では、式（IX-XV）の化合物と金属又は金属塩とを反応（還元反応）させることにより、式（X-XV）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 　（式（IX-XV）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはニトロ基であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでニトロ基となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-XV）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはアミノ基であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　金属としては、当該反応が進行する金属であれば特に限定はなく、例えば、鉄、亜鉛、スズ等が挙げられる。金属は、式（IX-XV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　金属塩としては、当該反応が進行する金属塩であれば特に限定はなく、例えば、塩化スズ等が挙げられる。塩基は、式（IX-XV）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｒ］の反応は、通常、酸の存在下で行うことができ、必要に応じて、溶媒の存在下で行うことができる。
　酸としては、当該反応が進行する酸であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｑ］の加水分解反応で用いる酸と同様の酸が挙げられる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、１，４－ジオキサン等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；水；等から１種又は２種以上（混合溶媒）を適宜選択することができる。
　反応温度は、通常、－２０℃～２００℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｓ］
　製法［Ｓ］では、式（IX-XVI）の化合物と水素ガス又はヒドラジンとを反応（接触還元反応）させることにより、式（X-XVI）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 　（式（IX-XVI）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはニトロ基であり、ｎは、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚのうちでニトロ基となっている置換基の個数を表し、１≦ｎ≦６を満足する整数である；式（X-XVI）中、Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは前述の通りであって、これら置換基のうちの少なくとも１つはアミノ基であり、ｎ’は、１≦ｎ’≦ｎを満足する整数である）
　水素ガスを還元剤として用いる場合における当該水素ガスの圧力に特に制限はなく、必要に応じて加圧してもよい。水素ガスの圧力は、通常、０．１（常圧）～１ＭＰａ、好ましくは０．１～０．５ＭＰａの範囲で適宜選択すればよい。
　ヒドラジンを還元剤として用いる場合には、式（IX-XVI）の化合物１当量に対して、通常、１～２５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｓ］の反応は、通常、金属触媒と溶媒との存在下で行うことができる。
　金属触媒としては、当該反応が進行する金属触媒であれば特に限定はなく、例えば、パラジウムブラック、パラジウム担持炭素等のパラジウム触媒；白金担持炭素、酸化白金（IV）水和物等の白金触媒；ラネーニッケル等のニッケル触媒；ルテニウム担持炭素等のルテニウム触媒；ロジウム担持炭素等のロジウム触媒；オスミウム担持炭素等のオスミウム触媒；等が挙げられる。金属触媒は、式（IX-XVI）の化合物１当量に対して、通常、０．０００１～５当量の割合で使用することができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、２０～１００℃、好ましくは４０～８０℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　導入したアミノ基に対しては、必要に応じて、保護基の導入及び保護基の開裂（脱保護反応）を行うことができる。アミノ基の保護に適切な保護基及び当該保護基の導入方法、並びに、保護基の開裂方法は、当業者にとって周知である（例えば、プロテクティブ グループス イン オーガニック シンセシス（Protective Groups in Organic Synthesis）第４版、2006年、ジョン ウィリイ アンド サンズ社（John Wiley & Sons, INC.）を参照）。
　上記アミノ基の保護基には、通常のアミノ基の保護基として使用することができる全ての基が含まれ、具体的には、例えば、プロテクティブ グループス イン オーガニック シンセシス（Protective Groups in Organic Synthesis）第４版、2006年、ジョン ウィリイ アンド サンズ社（John Wiley & Sons, INC.）に記載されている基等が挙げられる。保護基の具体例としては、例えば製法［Ｏ］で用いる保護基と同様の保護基を使用することができる。
　製法［Ｃ］に包含される前述の製法［Ｄ］～製法［Ｓ］を適宜選択して組み合わせて行うことにより、出発物質である式（IX）の化合物から、目的物質である式（II）、式（III）、式（IV）又は式（VIII）の化合物を製造することができる。なお、式（VIII）の化合物は、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物と還元剤とを反応（還元反応）させることによっても製造することができる。還元剤としては、当該反応が進行する還元剤であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第２工程で用いる還元剤と同様の還元剤が挙げられる。還元剤は、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｔ］
　製法［Ｔ］では、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物と金属又は金属塩とを反応（還元反応）させることにより、式（VIII）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 　金属としては、当該反応が進行する金属であれば特に限定はなく、例えば、製法［Ｒ］で用いる金属と同様の金属が挙げられる。金属は、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　金属塩としては、当該反応が進行する金属塩であれば特に限定はなく、例えば、塩化スズ等が挙げられる。金属塩は、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物１当量に対して、１～２０当量、好ましくは１～５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｔ］の反応は、通常、酸の存在下で行うことができ、必要に応じて、溶媒の存在下で行うことができる。
　酸としては、当該反応が進行する酸であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｑ］の加水分解反応で用いる酸と同様の酸が挙げられる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｒ］で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、－２０～２００℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　製法［Ｕ］
　製法［Ｕ］では、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物と水素ガス又はヒドラジンとを反応（接触還元反応）させることにより、式（VIII）の化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 　水素ガスを還元剤として用いる場合における当該水素ガスの圧力に特に制限はなく、必要に応じて加圧してもよい。水素ガスの圧力は、通常、０．１（常圧）～１ＭＰａ、好ましくは０．１～０．５ＭＰａの範囲で適宜選択すればよい。
　ヒドラジンを還元剤として用いる場合には、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物１当量に対して、通常、１～２５当量の割合で使用することができる。
　製法［Ｕ］の反応は、通常、金属触媒と溶媒との存在下で行うことができる。
　金属触媒としては、当該反応が進行する金属触媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ｓ］で用いる金属触媒と同様の金属触媒が挙げられる。金属触媒は、式（Ｖ）、式（VI）、式（VII）又は式（I-I）の化合物１当量に対して、通常、０．０００１～５当量の割合で使用することができる。
　溶媒は、当該反応が進行する溶媒であれば特に限定はなく、例えば製法［Ａ］の第１工程で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
　反応温度は、通常、２０～１００℃である。反応時間は、通常、１～４８時間である。
　［まとめ］
　前述の製法［Ａ］～製法［Ｕ］を適宜選択して組み合わせて行うことにより、例えば式（IX）の化合物等の種々の出発物質（原料）から、最終の目的物質である式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を製造することができる。具体的には、製法［Ｃ］に包含される製法［Ｄ］～製法［Ｓ］を適宜選択して組み合わせて行うことにより、式（IX）の化合物等の種々の出発物質から、式（II）、式（III）、式（IV）又は式（VIII）の化合物を製造した後、製法［Ａ］，製法［Ｂ］，製法［Ｔ］，製法［Ｕ］を適宜選択して組み合わせて行うことにより、式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を製造することができる。
　具体的に次のステップを行って、ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を製造するのが好ましい。
　（１）ジアミノナフタレンをフッ素化反応させて、ジフルオロナフタレンを製造する。
　（２）ジフルオロナフタレンをアミノ化反応させて、ジアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩を製造する。
　（３）ジアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩をニトロ化反応させて、ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を製造する。
　（４）ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を還元して、テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩を製造する。
　（５）テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩と硫黄化剤、セレン化剤又はテルル化剤とを反応させて、式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体（Ｘ１及びＸ２は水素原子である）を製造する。
　（６）（５）のステップで得られたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体とハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応させて、式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体（Ｘ１及びＸ２は前述の通りであり、ただし水素原子を除く）を製造する。
　また、別の方法として、具体的に次のステップを行って、式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体（Ａ１及びＡ２は酸素原子である）を製造するのが好ましい。
　（７）（３）のステップで得られたジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を酸化し、次いで還元して、式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体（Ｘ１及びＸ２は水素原子であり、Ａ１及びＡ２は酸素原子である）を製造する。
　（８）（７）のステップで得られたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体とハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応させて、式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体（Ｘ１及びＸ２は前述の通りであり、ただし水素原子を除く、Ａ１及びＡ２は酸素原子である）を製造する。
　出発物質である例えば式（IX）の化合物として具体的にどのような構造の化合物を選択するか、選択した化合物にアミノ基、ニトロ基及びフルオロ基等を導入するのに必要な反応をどのように選択するか、選択した反応をどのように組み合わせて行うか（合成経路）等は、当業者であれば、本明細書の記載から、容易に考慮することができ、また理解することができる。それゆえ、前述の製法［Ａ］～製法［Ｕ］を適宜選択して組み合わせて行われる、式（Ｉ）で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法もまた、本発明の範囲内であることは明らかである。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態に関しても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるべきではない。なお、本発明において「室温」とは、２５±１５℃を指す。
　＜物性の測定条件等＞
　核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルは、ＪＥＯＬ（日本電子株式会社）製の商品名「ＪＭＭ－ＥＣＳ４００」、ＪＥＯＬ（日本電子株式会社）製の商品名「ＪＮＭ－ＥＣＡ６００」、ＪＥＯＬ（日本電子株式会社）製の商品名「ＥＣＸ（５００ＭＨｚ）」、又はブルカー・バイオスピン株式会社製の商品名「ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ７００」を用いて測定した。ケミカルシフトは、百万分率（ｐｐｍ）で表す。内部標準（０ｐｐｍ）には、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。結合定数（Ｊ）は、ヘルツで表され、略号ｓ、ｄ、ｔ、ｑ、ｍ及びｂｒは、各々、一重線（singlet）、二重線（doublet）、三重線（triplet）、四重線（quartet）、多重線（multiplet）、及び広幅線（broad）を表す。
　質量分析（ＭＳ）は、株式会社島津製作所製の商品名「ＧＣＭＳ－ＱＰ５０５０Ａ」を用い、直接試料導入（ＤＩ）法によって測定した。
　実施例で用いた全ての化学物質及びカラムクロマトグラフィー分離におけるシリカゲルは、試薬級であり、和光純薬工業株式会社、東京化成工業株式会社、関東化学株式会社、ナカライテスク株式会社、又はシグマアルドリッチジャパン株式会社より購入した。
　〔実施例１〕
　５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾールの合成
　下記反応式に示すように、ニトロ化、ハロゲン化、ホウ素化、ヒドロキシル化又はアミノ化等の前述の製法を適宜選択して組み合わせて行うことにより、市販のナフタレンから式（IX）の化合物を製造した後、前述の製法［Ａ］～製法［Ｕ］を適宜選択して組み合わせて行うことにより、式（IX）の化合物から式（VIII）で表される化合物である１，２，５，６－テトラアミノ－４，８－ジフルオロナフタレンを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 　次に、１００ｍＬナス型フラスコに、得られた１，２，５，６－テトラアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン（１７４ｍｇ）、ピリジン（１８ｍＬ）、及び塩化チオニル（１．１２ｇ）を入れ、９０℃で２時間撹拌した。その後、反応液を減圧下で乾燥して固体を得た。得られた固体にメチルアルコールを加えて濾取した後、濾取した固体をメチルアルコールで洗浄した。洗浄後の固体を乾燥して、褐色で固体の目的物（１３０ｍｇ，９９％）を得た。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝８．０８－８．０３（ｍ，２Ｈ）。１９Ｆ－ＮＭＲ（５６５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝－１０７．７１。
　上記測定結果から、目的物が５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾールであることを確認した。
　〔実施例２〕
　５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾールの合成
　（１，５－ジフルオロナフタレンの合成）
　５００ｍＬナス型フラスコに、１，５－ジアミノナフタレン（７．５ｇ）、及び水（２００ｍＬ）を入れ、０℃に冷却後濃硫酸（１２．６ｍＬ）を入れた。その後、０℃で亜硝酸（８．２１ｇ）の水溶液（２０ｍＬ）を滴下し、滴下終了後０℃で１時間撹拌した。その後、室温で１時間撹拌した。その後、０℃に冷却しＨＢＦ４（３８ｍＬ）を滴下し、滴下終了後０℃で１時間撹拌した。析出物を濾取し、水及びメタノールで洗浄し、減圧下で乾燥して固体を得た。５００ｍＬナス型フラスコに、得られた固体（１７．６ｇ）、及びクロロベンゼン１５０ｍＬを入れ、３時間加熱還流した。その後、０℃に冷却し反応液に水を加え、クロロホルムで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後溶媒を減圧下で留去した。得られた反応混合物を、ヘキサンを移動層とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、１，５－ジフルオロナフタレンを白色固体で得た（３．０４８ｇ，収率３９％）。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝７．８８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４９－７．４４（ｍ，１Ｈ），７．２１（ｄｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１１Ｈｚ，１Ｈ）。
　（１，５－ジブロモ－４，８－ジフルオロナフタレンの合成）
　２００ｍＬナス型フラスコに、１，５－ジフルオロナフタレン（３．０４８ｇ）、及びトリフルオロ酢酸（２５ｍＬ）を入れた後、Ｎ－ブロモスクシンイミド（７．９３９ｇ）を加え７０℃で１６時間撹拌した。その後、０℃に冷却し反応液に水を加え、得られた析出物を濾取し、水及びメタノールで洗浄した。その後減圧下で乾燥し、１，５－ジブロモ－４，８－ジフルオロナフタレンを淡褐色固体で得た（５．３２１ｇ，収率８９％）。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝７．８８（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．１２（ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１２．６Ｈｚ，２Ｈ）。
　（１，５－ジアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン塩酸塩の合成）
　３００ｍＬナス型フラスコに、１，５－ジブロモ－４，８－ジフルオロナフタレン（５．００ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）－クロロホルム付加体（８０２ｍｇ）、ｒａｃ－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）１，１’－ビナフチル（４８３ｍｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（５．９６ｇ）、ベンゾフェノンイミン（８０２ｍｇ）、及びトルエン（８０ｍＬ）を入れてフラスコ内を窒素置換し、１１０℃で１６時間撹拌した。析出物をセライト濾過で取り除き、酢酸エチルで洗浄し、濾液を減圧下で留去した。得られた反応混合物を、ヘキサン：酢酸エチル（１：１）溶媒を移動層とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製した。３００ｍＬナス型フラスコに得られた反応生成物とＴＨＦ（１１５ｍＬ）を入れて、０℃で２規定の塩酸（２３．５ｍＬ）を加えて、０℃で１時間撹拌した。析出物を濾取し、テトラヒドロフランで洗浄した。その後減圧下で乾燥し、１，５－ジアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン塩酸塩を淡褐色固体で得た（２．００ｇ，収率４８％）。反応式を以下に示す。式中、ｎは０～４の任意の数字を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ＝７．３０－７．２５（ｍ，４Ｈ）。
　（Ｎ，Ｎ’－（４，８－ジフルオロナフタレン－１，５－ジイル）ビス（２，２，２－トリフルオロアセトアミド）の合成）
　３００ｍＬナス型フラスコに、１，５－ジアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン塩酸塩（１．９５ｇ）、及びジクロロメタン（８５ｍＬ）を入れ、０℃に冷却した。０℃でトリエチルアミン（２．９５ｇ）、無水トリフルオロ酢酸（７．６７ｇ）を加え、室温で終夜撹拌した。得られた反応混合物を減圧下で乾燥した。析出物にメタノールを加え濾取し、メタノールで洗浄した。その後減圧下で乾燥し、Ｎ，Ｎ’－（４，８－ジフルオロナフタレン－１，５－ジイル）ビス（２，２，２－トリフルオロアセトアミドを白色固体で得た（２．４１０ｇ，収率８６％）。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ＝１０．４３（ｂｒ, ２Ｈ）,７．８４－７．７９（ｍ, ２Ｈ）,７．５０（ｄｄ,Ｊ＝８．４Ｈｚ，１３．６Ｈｚ，２Ｈ）。
　（Ｎ，Ｎ’－（４，８－ジフルオロ－２，６－ジニトロナフタレン－１，５－ジイル）ビス（２，２，２－トリフルオロアセトアミド）の合成）
　５０ｍＬナス型フラスコに、Ｎ，Ｎ’－（４，８－ジフルオロナフタレン－１，５－ジイル）ビス（２，２，２－トリフルオロアセトアミド）（５００ｍｇ）、及び濃硫酸（１０ｍＬ）を入れ、－４５℃に冷却した。その後、硝酸（２．５ｍＬ）を加え、－４５℃で５分間撹拌した。氷水に得られた反応混合物を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過後溶媒を減圧下で留去した。析出した固体にジエチルエーテルを加え濾取し、ジエチルエーテルで洗浄した。その後減圧下で乾燥し、Ｎ，Ｎ’－（４，８－ジフルオロ－２，６－ジニトロナフタレン－１，５－ジイル）ビス（２，２，２－トリフルオロアセトアミド）を淡褐色固体で得た（３１３ｍｇ，収率５１％）。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ａｃｅｔｏｎｅ－ｄ６）：δ＝１１．００（ｂｒ，２Ｈ），８．３１（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，２Ｈ）。
　（１，５－ジアミノ－４，８－ジフルオロ－２，６－ジニトロナフタレン塩酸塩の合成）
　３００ｍＬナス型フラスコに、Ｎ，Ｎ’－（４，８－ジフルオロ－２，６－ジニトロナフタレン－１，５－ジイル）ビス（２，２，２－トリフルオロアセトアミド）（１．３４０ｇ）、メタノール（１１０ｍＬ）、及び濃塩酸（５５ｍＬ）を入れ、９０℃で終夜撹拌した。反応混合物を減圧下で濃縮した。析出した固体を濾取し、濃塩酸とジクロロメタンで洗浄した。その後減圧下で乾燥し、１，５－ジアミノ－４，８－ジフルオロ－２，６－ジニトロナフタレン塩酸塩を暗褐色固体で得た（６７９ｍｇ，収率６８％）。反応式を以下に示す。式中、ｎは０～４の任意の数字を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ＝８．１５（ｂｒ，４Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝１６．４Ｈｚ，２Ｈ）。
　（１，２，５，６－テトラアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン塩酸塩の合成）
　３００ｍＬナス型フラスコに、１，５－ジアミノ－４，８－ジフルオロ－２，６－ジニトロナフタレン塩酸塩（７９７ｍｇ）、濃塩酸（８０ｍＬ）、及び塩化スズ（ＩＩ）（８．４６ｇ）を入れ、７０℃で１時間撹拌した。析出した固体を濾取し、濃塩酸とジクロロメタンで洗浄した。その後、減圧下で乾燥し、１，２，５，６－テトラアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン塩酸塩を褐色固体で得た（７１８ｍｇ，収率８７％）。反応式を以下に示す。式中、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０～４の任意の数字を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ＝６．９４（ｄ，Ｊ＝１６．８Ｈｚ，２Ｈ）。
　（５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾールの合成）
　１００ｍＬナス型フラスコに、得られた１，２，５，６－テトラアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン塩酸塩（１７４ｍｇ）、ピリジン（１８ｍＬ）、及び塩化チオニル（１．１２ｇ）を入れ、９０℃で２時間撹拌した。その後、反応液を減圧下で乾燥して固体を得た。得られた固体にメチルアルコールを加えて濾取した後、濾取した固体をメチルアルコールで洗浄した。洗浄後の固体を乾燥して、淡褐色で５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾール（１３０ｍｇ，９９％）を得た。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝８．０８－８．０３（ｍ，２Ｈ）。１９Ｆ－ＮＭＲ（５６５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝－１０７．７１。
　上記測定結果から、目的物が５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾールであることを確認した。
　〔実施例３〕
　５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］セレナジアゾールの合成
　実施例１と同様にして、１，２，５，６－テトラアミノ－４，８－ジフルオロナフタレンを得た。
　次に、５０ｍＬナス型フラスコに、得られた１，２，５，６－テトラアミノ－４，８－ジフルオロナフタレン塩酸塩（９０ｍｇ）、ピリジン（９ｍＬ）、及びオキシ塩化セレン（８０６ｍｇ）を入れ、９０℃で２時間撹拌した。その後、反応液を減圧下で乾燥して固体を得た。得られた固体にメチルアルコールを加えて濾取した後、濾取した固体をメチルアルコールで洗浄した。洗浄後の固体を乾燥して、褐色で固体の目的物（１１０ｍｇ，９９％）を得た。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＦ３ＣＯ２Ｄ）：δ＝８．０８（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，２Ｈ）。ＭＳ（ＤＩ）ｍ／ｚ＝３７６。
　上記測定結果から、目的物が５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］セレナジアゾールであることを確認した。
　〔実施例４〕
　４，９－ジブロモ－５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾールの合成
　２０ｍＬナス型フラスコに、実施例１で得られた５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾール（３０ｍｇ）、濃硫酸（３．２ｇ）、及びＮ－ブロモスクシンイミド（７７ｍｇ）を入れ、６０℃で２時間撹拌した後、さらにＮ－ブロモスクシンイミド（７７ｍｇ）を入れ、６０℃で２時間撹拌した。その後、反応液を氷水に空けてクエンチし、クロロホルムで抽出した。抽出液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、当該抽出液を減圧下で濃縮した。得られた固体にメチルアルコールを加えて濾取した後、濾取した固体をメチルアルコールで洗浄した。洗浄後の固体を乾燥して、黄色で固体の目的物（２４ｍｇ，５１％）を得た。反応式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
 　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１９Ｆ－ＮＭＲ（４７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝－９９．９（ｓ）。融点（ｍ．ｐ．）＝２７０～２７２℃。
　〔実施例５〕
　４，９－ジブロモ－５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾールの合成
　実施例１で得られた５，１０－ジフルオロナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾール（９０ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）、トリフルオロ酢酸（２０ｍＬ）、及びＮ－ブロモスクシンイミド（７７ｍｇ）を反応容器に入れ、７０℃で２０時間撹拌した。その後、反応溶液に水を加え、析出してきた黄色固体を濾過し、メタノールで洗浄し乾燥して目的物を得た（１００ｍｇ，７２％）。
　得られた目的物の物性を測定した。測定結果を以下に示す。
１９Ｆ－ＮＭＲ（４７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝－９９．９（ｓ）。融点（ｍ．ｐ．）＝２７０～２７２℃。
　本発明によれば、電子受容性に優れた有機半導体材料の中間体として有用な、フッ素原子が導入されたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体を提供することができる。ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体は、電子受容性を向上させる強力な電子求引性の置換基であるフッ素原子が導入されたナフトビスカルコゲナジアゾール化合物を製造するための、汎用性の高い製造用中間体として利用可能である。

Claims (15)

  1. 　式（Ｉ）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　（式中、Ａ１及びＡ２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子であり；Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、ボロン酸ジアミノナフタレンアミド基、ボロン酸Ｎ－メチルイミノ二酢酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である）
    で表されるナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体。
  2. 　Ａ１及びＡ２が、各々独立に、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子である請求項１に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体。
  3. 　Ａ１及びＡ２が、共に、硫黄原子又はセレン原子である請求項１に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体。
  4. 　Ｘ１及びＸ２が、共に、ハロゲン原子である請求項１～３の何れか一項に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体。
  5. 　ハロゲン原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である請求項４に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体。
  6. 　Ｘ１及びＸ２が、共に、ボロン酸エステル基である請求項１～３の何れか一項に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体。
  7. 　ボロン酸エステル基が、ボロン酸ジアルキルエステル基又はボロン酸環状エステル基である請求項６に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体。
  8. 　テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩と、硫黄化剤、セレン化剤又はテルル化剤とを反応させる工程を含む、請求項１に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
  9. 　ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を酸化し、次いで還元する工程を含む、請求項１に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
  10. 　テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩と硫黄化剤、セレン化剤又はテルル化剤とを反応させる工程と、次いで、得られたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体とハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応させる工程と、を含む、請求項１に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
  11. 　ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を酸化し、次いで還元する工程と、得られたナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体とハロゲン化剤又はホウ素化剤とを反応させる工程と、を含む、請求項１に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
  12. 　ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を還元して、テトラアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩を製造する工程を含む、請求項８又は１０に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
  13. 　ジアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩をニトロ化反応させて、ジアミノ－ジフルオロ－ジニトロナフタレン又はその塩酸塩を製造する工程を含む、請求項９、１１又は１２に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
  14. 　ジフルオロナフタレンをアミノ化反応させて、ジアミノ－ジフルオロナフタレン又はその塩酸塩を製造する工程を含む、請求項１３に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
  15. 　ジアミノナフタレンをフッ素化反応させて、ジフルオロナフタレンを製造する工程を含む、請求項１４に記載のナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体の製造方法。
PCT/JP2017/037201 2016-12-27 2017-10-13 ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法 WO2018123207A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020197020118A KR102468876B1 (ko) 2016-12-27 2017-10-13 나프토비스칼코게나디아졸 유도체 및 그 제조 방법
EP17889337.6A EP3564245A4 (en) 2016-12-27 2017-10-13 NAPHTHOBIC ALCOGEN ADIAZOLE DERIVATIVE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
CN201780080348.8A CN110139867A (zh) 2016-12-27 2017-10-13 萘并双硫属二唑衍生物及其制造方法
JP2018558836A JP6968373B2 (ja) 2016-12-27 2017-10-13 ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法
US16/473,886 US10793584B2 (en) 2016-12-27 2017-10-13 Naphthobischalcogenadiazole derivative and production method therefor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-254341 2016-12-27
JP2016254341 2016-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018123207A1 true WO2018123207A1 (ja) 2018-07-05

Family

ID=62707993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/037201 WO2018123207A1 (ja) 2016-12-27 2017-10-13 ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10793584B2 (ja)
EP (1) EP3564245A4 (ja)
JP (1) JP6968373B2 (ja)
KR (1) KR102468876B1 (ja)
CN (1) CN110139867A (ja)
TW (1) TWI745452B (ja)
WO (1) WO2018123207A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020090636A1 (ja) 2018-10-30 2020-05-07 国立大学法人大阪大学 化合物及びその製造方法並びにその化合物を用いた有機半導体材料

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10990524B2 (en) * 2018-10-11 2021-04-27 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation Memory with processing in memory architecture and operating method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120227812A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 Jordan Quinn Naphthobisthiadiazole polymers for use in organic semiconductor devices
WO2013015298A1 (ja) 2011-07-25 2013-01-31 国立大学法人広島大学 有機半導体材料
JP2014053383A (ja) 2012-09-05 2014-03-20 Konica Minolta Inc タンデム型の有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池
WO2014178415A1 (ja) 2013-04-30 2014-11-06 独立行政法人理化学研究所 化合物、高分子化合物、有機半導体材料、有機半導体デバイス、化合物の合成方法、高分子化合物の合成方法
WO2015029432A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 光電変換素子

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3243820B2 (ja) * 1992-02-14 2002-01-07 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
JP6090166B2 (ja) 2011-10-31 2017-03-08 コニカミノルタ株式会社 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池
US9318707B2 (en) 2011-11-15 2016-04-19 Konica Minolta, Inc. Organic photoelectric conversion element, and solar cell and optical sensor array each using same
JP5742705B2 (ja) 2011-12-22 2015-07-01 コニカミノルタ株式会社 有機光電変換素子
TWI635111B (zh) 2012-03-16 2018-09-11 馬克專利公司 共軛聚合物
JP6057364B2 (ja) * 2012-04-26 2017-01-11 国立大学法人広島大学 ナフトビスチアジアゾール誘導体
JP2014009163A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Sankyo Kasei Kk ナフトビスチアジアゾールの製造方法
JP6438946B2 (ja) 2013-06-21 2018-12-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 共役ポリマー
JP6300204B2 (ja) * 2014-07-07 2018-03-28 国立研究開発法人理化学研究所 高分子化合物、有機半導体材料、光電変換素子及びトランジスタ
JP7162847B2 (ja) * 2017-08-23 2022-10-31 国立大学法人広島大学 高分子化合物及びその製造方法、それを含む有機半導体材料並びにそれを含む有機太陽電池

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120227812A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 Jordan Quinn Naphthobisthiadiazole polymers for use in organic semiconductor devices
US8735536B2 (en) 2011-03-07 2014-05-27 Polyera Corporation Naphthobisthiadiazole polymers for use in organic semiconductor devices
WO2013015298A1 (ja) 2011-07-25 2013-01-31 国立大学法人広島大学 有機半導体材料
JP2014053383A (ja) 2012-09-05 2014-03-20 Konica Minolta Inc タンデム型の有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池
WO2014178415A1 (ja) 2013-04-30 2014-11-06 独立行政法人理化学研究所 化合物、高分子化合物、有機半導体材料、有機半導体デバイス、化合物の合成方法、高分子化合物の合成方法
WO2015029432A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 光電変換素子

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Angewandte Chemie International Edition", vol. 51, 2012, pages: 5062 - 5085
"Protective Groups in Organic Synthesis", 2006, JOHN WILEY & SONS, INC.
J. AM. CHEM. SOC., vol. 135, 2013, pages 8834
MACROMOLECULES, vol. 48, 2015, pages 576
See also references of EP3564245A4
WANG, M. ET AL.: "Donor-Acceptor Conjugated Polymer Based on Naphtho[1,2-c:5,6-c]bis[1,2,5] thiadiazole for High-Performance Polymer Solar Cells", JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, vol. 133, no. 25, 29 June 2011 (2011-06-29), pages 9638 - 9641, XP055066844 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020090636A1 (ja) 2018-10-30 2020-05-07 国立大学法人大阪大学 化合物及びその製造方法並びにその化合物を用いた有機半導体材料
CN112930351A (zh) * 2018-10-30 2021-06-08 国立大学法人大阪大学 化合物及其制造方法以及使用了该化合物的有机半导体材料
JPWO2020090636A1 (ja) * 2018-10-30 2021-10-14 国立大学法人大阪大学 化合物及びその製造方法並びにその化合物を用いた有機半導体材料
EP3882251A4 (en) * 2018-10-30 2022-08-24 Osaka University COMPOUND, METHOD OF MANUFACTURE THEREOF AND ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL MANUFACTURED USING SAID COMPOUND
JP7365025B2 (ja) 2018-10-30 2023-10-19 国立大学法人大阪大学 化合物及びその製造方法並びにその化合物を用いた有機半導体材料
CN112930351B (zh) * 2018-10-30 2024-04-26 国立大学法人大阪大学 化合物及其制造方法以及使用了该化合物的有机半导体材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP3564245A1 (en) 2019-11-06
JP6968373B2 (ja) 2021-11-17
US10793584B2 (en) 2020-10-06
KR102468876B1 (ko) 2022-11-17
TWI745452B (zh) 2021-11-11
EP3564245A4 (en) 2020-06-17
US20190337966A1 (en) 2019-11-07
JPWO2018123207A1 (ja) 2019-10-31
KR20190097124A (ko) 2019-08-20
TW201825498A (zh) 2018-07-16
CN110139867A (zh) 2019-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI620745B (zh) 芳香族化合物之製造方法
JP6968373B2 (ja) ナフトビスカルコゲナジアゾール誘導体及びその製造方法
US7705174B2 (en) Condensed polycyclic π-conjugated organic material, intermediate product therefor, and method of manufacturing condensed polycyclic π-conjugated organic material
JP5035340B2 (ja) 含フッ素ボロン酸エステル化合物およびその製造法
JP2009263316A (ja) 不完全縮合オリゴシルセスキオキサンの製造方法
JP5283494B2 (ja) フルオレン誘導体の製造方法
Kawachi et al. Dehydrogenative Condensation of (o-Borylphenyl) hydrosilane with Alcohols and Amines
TWI720410B (zh) 鉀鹽之製造方法及鉀鹽
JP7330456B2 (ja) 湾曲芳香族化合物およびその製造方法
JP2017088879A (ja) アミノベンゾピラノキサンテン系（ａｂｐｘ）色素化合物の製造方法
JP4307108B2 (ja) オルトベンジジン化合物の製造法
KR102168966B1 (ko) 유기 광촉매를 이용한 클로로트리플루오로메틸화 화합물의 제조방법
JP6635999B2 (ja) カリウム塩の製造方法、及びカリウム塩
KR102376869B1 (ko) 요오드 함유 규소 화합물의 제조 방법
JP6616244B2 (ja) 新規なヒドロキシフェニルボロン酸エステルとその製造方法、およびヒドロキシビフェニル化合物の製造法
WO2019151419A1 (ja) ポリカルボニル化合物、その誘導体及びそれらの製造方法
JP5798309B2 (ja) フッ素置換ジベンゾイルメタニドを配位子とするアルミニウム錯体
JP4902839B2 (ja) 新規アリール化合物
JP4200209B2 (ja) １，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オン−１−オキシド化合物の製造方法
KR20090003829A (ko) 코엔자임 ｑ10의 제조방법
JP2019178128A (ja) 酸素同位体標識化合物、酸素同位体標識化合物の製造方法、酸素同位体標識尿素誘導体化合物、及び酸素同位体標識尿素誘導体化合物の製造方法
JP2010241705A5 (ja)
JP2015193596A (ja) ｐ−スルファニル置換フェニル基を有するチエノピラジン誘導体およびその製造方法
JP2009023931A (ja) 含ハロゲン−１，３−ジホルミル−２−ベンゾチオフェン、含ハロゲンチアポルフィリンおよびこれらの製造方法
JP2002205967A (ja) アセナフチレン環を有する新規な架橋性化合物及びその合成中間体

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17889337

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018558836

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197020118

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017889337

Country of ref document: EP

Effective date: 20190729