WO2017150283A1 - キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 Download PDF

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宜範 松浦
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Definitions

  • the present invention relates to a copper foil with a carrier and a method for producing the same, and a coreless support with a wiring layer and a method for producing a printed wiring board.
  • multilayered printed wiring boards have been widely used.
  • Such a multilayer printed wiring board is used for the purpose of weight reduction and size reduction in many portable electronic devices.
  • the multilayer printed wiring board is required to further reduce the thickness of the interlayer insulating layer and further reduce the weight of the wiring board.
  • a multilayer printed wiring board manufacturing method using a coreless build-up method has been adopted as a technology that satisfies such requirements.
  • the coreless buildup method is a method in which insulating layers and wiring layers are alternately stacked (buildup) to form a multilayer without using a so-called core substrate.
  • the coreless buildup method it has been proposed to use a copper foil with a carrier so that the support and the multilayer printed wiring board can be easily peeled off.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • an insulating resin layer is attached to the carrier surface of a carrier-attached copper foil as a support, and a photoresist is processed on the ultrathin copper layer side of the carrier-attached copper foil.
  • a process such as pattern electrolytic copper plating, resist removal, forming a build-up wiring layer, peeling a support substrate with a carrier, and removing an ultrathin copper layer.
  • Patent Document 2 Japanese Patent No. 4726855 discloses a copper foil with a carrier sheet having a copper foil layer on the surface of a carrier sheet via a bonding interface layer, and the bonding interface layer is formed by physical vapor deposition.
  • the metal foil (carrier sheet side) / carbon layer (ultra-thin copper layer side) formed by the method is used.
  • the copper foil layer has a thickness of 10 nm to 300 nm by physical vapor deposition on the bonding interface layer. It is disclosed that it is obtained by forming one copper layer and further forming a second copper layer by an electrolytic method. Further, Patent Document 2 discloses that the metal layer constituting the bonding interface layer can be a layer composed of any one of tantalum, niobium, zirconium, nickel, chromium, titanium, iron, silicon, molybdenum, vanadium, and tungsten. Is described.
  • Patent Document 3 Japanese Patent No. 4072431 discloses a release layer that is a chromium layer, a diffusion prevention layer that is a layer that easily absorbs light having a wavelength oscillated by a CO 2 gas laser, and an electric layer on the surface of a carrier foil.
  • a copper foil with a carrier formed by laminating copper plating layers in this order is disclosed, and a diffusion barrier layer is a single metal made of an element selected from the group consisting of nickel, cobalt, iron, molybdenum, tungsten, aluminum, and phosphorus Or an alloy layer of two or more metals or one or more metal oxide layers made of an element selected from the group consisting of nickel, cobalt, iron, chromium, molybdenum, tungsten, copper, aluminum and phosphorus. Is disclosed.
  • an RDL-First is formed by forming a wiring layer and, if necessary, a build-up wiring layer on the surface of the coreless support, and further peeling the support if necessary, and then mounting the chip.
  • a construction method called (Redistribution Layer-First) method see, for example, Patent Document 4 (Japanese Patent Laid-Open No. 2015-35551)).
  • the RDL-First method is economically advantageous as compared to the Chip-First method, which is a method of sequentially laminating wiring layers on the surface of the chip, in that waste of the chip can be avoided.
  • the Chip-First method is a method of sequentially laminating wiring layers on the surface of the chip, in that waste of the chip can be avoided.
  • an electronic element such as a chip is mounted as necessary, and then a build-up layer is formed.
  • a sufficient visual contrast with the carrier exposed as a base cannot be ensured.
  • the visibility in automatic image inspection (AOI) may be reduced. Therefore, an antireflection layer for improving the visual contrast is provided between the peeling layer of the copper foil with carrier and the ultrathin copper layer, and this antireflection layer is left after the copper flash etching, thereby performing subsequent image inspection. It would be advantageous if the visibility of the wiring layer at the time could be improved. Moreover, it is desired that such an antireflection layer does not dissolve in the copper flash etching solution, that is, has excellent chemical resistance against the copper flash etching solution.
  • the present inventors have recently made an antireflection layer composed of a predetermined metal between the peeling layer of the copper foil with carrier and the ultrathin copper layer, and at least the surface of the ultrathin copper layer is an aggregate of metal particles.
  • the antireflection layer exhibits excellent chemical resistance to the copper flash etchant during the formation of the wiring layer on the surface of the coreless support, and the contrast with the antireflection layer during image inspection after copper flash etching. The knowledge that the visibility of a wiring layer can be brought about was acquired.
  • the object of the present invention is to provide an anti-reflection layer that exhibits excellent chemical resistance to the copper flash etching solution when the wiring layer is formed on the surface of the coreless support, and at the same time as an anti-reflection layer during image inspection after copper flash etching.
  • An object of the present invention is to provide a carrier-attached copper foil that can provide excellent visibility of a wiring layer by contrast.
  • a carrier comprising: A release layer provided on the carrier; An antireflection layer provided on the release layer and made of at least one metal selected from the group consisting of Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo; An ultrathin copper layer provided on the antireflection layer; A copper foil with a carrier is provided in which at least the surface of the antireflection layer on the ultrathin copper layer side is an aggregate of metal particles.
  • a method for producing a copper foil with a carrier comprising:
  • a step of preparing the carrier-attached copper foil according to the above aspect as a support Forming a photoresist layer in a predetermined pattern on the surface of the ultra-thin copper layer; Forming an electrolytic copper plating layer on the exposed surface of the ultrathin copper layer; Peeling the photoresist layer; Removing unnecessary portions of the ultrathin copper layer by copper flash etching to expose the antireflection layer, thereby obtaining a coreless support having a wiring layer formed;
  • the manufacturing method of the coreless support body with a wiring layer containing is provided.
  • the step of manufacturing the coreless support with a wiring layer by the method according to the above aspect After the image inspection, mounting an electronic element on the coreless support on which the wiring layer is formed; A method for manufacturing a printed wiring board is provided.
  • the coreless support with wiring layer is manufactured by the method according to the above aspect, or the printed wiring board is manufactured by the method according to the above aspect; Forming a buildup layer on the surface of the coreless support with the wiring layer on which the wiring layer is formed to produce a laminate with a buildup layer; Separating the laminate with a buildup layer with the release layer to obtain a multilayer wiring board including the buildup layer; Removing the antireflection layer by flash etching to obtain a printed wiring board; A method for manufacturing a printed wiring board is provided.
  • FIG. 3 is a process flowchart for explaining a method of manufacturing a coreless support with a wiring layer or a printed wiring board according to the present invention, and is a diagram showing processes (processes (d) to (f)) subsequent to FIG.
  • FIG. 4 is a process flowchart for explaining the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, and is a diagram showing processes (processes (g) to (i)) following FIG. 3. It is the binarized image obtained by scanning the wiring pattern produced in Example 2 with an optical automatic appearance inspection (AOI) apparatus.
  • AOI optical automatic appearance inspection
  • Copper foil with carrier of the copper foil present invention with a carrier is shown schematically in Figure 1.
  • the copper foil 10 with a carrier of this invention is equipped with the carrier 12, the peeling layer 16, the antireflection layer 17, and the ultra-thin copper layer 18 in this order.
  • the release layer 16 is a layer that is provided on the carrier 12 and enables the carrier to be peeled off.
  • the antireflection layer 17 is provided on the release layer 16 and has a function of preventing light reflection.
  • the antireflection layer 17 is made of at least one metal selected from the group consisting of Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo, and at least the surface on the ultrathin copper layer 18 side is an aggregate of metal particles.
  • the ultrathin copper layer 18 is a layer made of copper provided on the antireflection layer 17.
  • the carrier-attached copper foil 10 of the present invention may have the adhesion metal layer 13 and / or the peeling auxiliary layer 14 on the surface of the carrier 12 on the peeling layer 16 side, preferably the adhesion metal layer 13 and peeling.
  • the auxiliary layer 14 is provided in this order.
  • it is good also as a structure which equips the both surfaces of the carrier 12 with the above-mentioned various layers in order so that it may become vertically symmetrical.
  • the carrier-attached copper foil 10 is not particularly limited as long as it has a known layer configuration except that it includes the antireflection layer 17 described above and, if desired, the adhesion metal layer 13 and / or the peeling assist layer 14.
  • the antireflection layer 17 is formed between the release layer 16 and the ultrathin copper layer 18 and is made of a predetermined metal, and at least the surface on the ultrathin copper layer 18 side is an aggregate of metal particles.
  • the antireflection layer exhibits excellent chemical resistance against the copper flash etchant during the formation of the wiring layer on the surface of the coreless support, and 2) during image inspection after copper flash etching (for example, automatic image inspection (AOI)) It is possible to provide a copper foil with a carrier that provides excellent visibility of the wiring layer due to the contrast with the antireflection layer.
  • AOI automatic image inspection
  • At least one metal selected from Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo constituting the antireflection layer 17 has a property that it does not dissolve in the copper flash etching solution. As a result, it is possible to exhibit excellent chemical resistance against the copper flash etching solution.
  • the aggregate of metal particles constituting the surface of at least the ultrathin copper layer 18 side of the antireflection layer 17 exhibits a desirable dark color due to its metallic material and granular form. Provides the desired visual contrast with the wiring layer composed of copper, which results in improved visibility in image inspection (eg, automatic image inspection (AOI)).
  • AOI automatic image inspection
  • etching solution having high selectivity can be used as an etching solution for flash-etching at least one metal selected from Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo constituting the antireflection layer 17.
  • the material of the carrier 12 may be any of glass, ceramics, resin, and metal.
  • the form of the carrier 12 may be any of a sheet, a film, a plate, and a foil.
  • the carrier 12 may be a laminate of these sheets, films, plates, foils and the like.
  • the carrier 12 may function as a rigid support such as a glass plate, a ceramic plate, or a metal plate, or may have a non-rigid form such as a metal foil or a resin film.
  • Preferred examples of the metal of the carrier 12 include copper, titanium, nickel, stainless steel, and aluminum.
  • Preferable examples of the ceramic include alumina, zirconia, silicon nitride, aluminum nitride (fine ceramics) and the like.
  • the resin include PET resin, PEN resin, aramid resin, polyimide resin, nylon resin, liquid crystal polymer, PEEK resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, PTFE resin, ETFE resin.
  • Etc. More preferably, a material having a coefficient of thermal expansion (CTE) of less than 25 ppm / K (typically 1.0 to 23 ppm / K) from the viewpoint of preventing warpage of the coreless support accompanying heating when mounting an electronic device.
  • CTE coefficient of thermal expansion
  • examples of such materials include various resins as described above (particularly low thermal expansion resins such as polyimide resins and liquid crystal polymers), glass and ceramics.
  • the carrier 12 preferably has a Vickers hardness of 100 HV or more, more preferably 150 to 2500 HV.
  • the carrier 12 is preferably made of a resin film, glass, or ceramic, more preferably glass or ceramic, and particularly preferably glass.
  • a glass sheet When glass is used as the carrier 12, there are advantages such as being able to extremely smooth the surface of the ultrathin copper layer 18 because it is lightweight, has a low coefficient of thermal expansion, is highly insulating, is rigid, and has a flat surface.
  • the carrier when the carrier is glass, it has advantageous surface flatness (coplanarity) when mounting electronic elements, has chemical resistance in desmear and various plating processes in the printed wiring board manufacturing process, There are advantages such as a point that a chemical separation method can be adopted at the time of separating a laminate with a buildup layer described later.
  • the glass constituting the carrier 12 include quartz glass, borosilicate glass, alkali-free glass, soda lime glass, aminosilicate glass, and combinations thereof, and alkali-free glass is particularly preferable.
  • the alkali-free glass is a glass mainly containing silicon dioxide, aluminum oxide, boron oxide, and alkaline earth metal oxides such as calcium oxide and barium oxide, and further containing boric acid and substantially no alkali metal. That is.
  • This alkali-free glass has a low and stable thermal expansion coefficient in the range of 3 to 5 ppm / K in a wide temperature range from 0 ° C to 350 ° C, so that the glass warpage is minimized when a semiconductor chip is mounted as an electronic element. There is an advantage that it can be limited.
  • the thickness of the carrier is preferably 100 to 2000 ⁇ m, more preferably 300 to 1800 ⁇ m, still more preferably 400 to 1100 ⁇ m. When the thickness is within such a range, it is possible to reduce the thickness of the printed wiring board and reduce the warpage that occurs when mounting electronic components while ensuring an appropriate strength that does not hinder handling.
  • the surface of the carrier 12 on the peeling layer 16 side (the adhesion metal layer 13 side if present) has an arithmetic average roughness Ra of 0.1 to 70 nm, measured according to JIS B 0601-2001. It is preferably 0.5 to 60 nm, more preferably 1.0 to 50 nm, particularly preferably 1.5 to 40 nm, and most preferably 2.0 to 30 nm.
  • the smaller the arithmetic average roughness the more desirable the arithmetic average roughness Ra can be obtained on the surface of the ultrathin copper layer 18 opposite to the release layer 16 (the outer surface of the ultrathin copper layer 18).
  • the line / space (L / S) is highly refined to a level of 13 ⁇ m or less / 13 ⁇ m or less (for example, 12 ⁇ m / 12 ⁇ m to 2 ⁇ m / 2 ⁇ m). It is suitable for forming the formed wiring pattern.
  • the adhesion metal layer 13 provided as desired is preferably a layer composed of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr and Ni from the viewpoint of ensuring adhesion with the carrier. It may be a metal or an alloy. The metal constituting the adhesion metal layer 13 may contain inevitable impurities due to raw material components, film formation processes, and the like. In addition, although not particularly limited, when exposed to the atmosphere after the formation of the adhesion metal layer 13, the presence of oxygen mixed therein is allowed.
  • the adhesion metal layer 13 is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering.
  • the adhesion metal layer 13 is particularly preferably a layer formed by a magnetron sputtering method using a metal target in terms of improving the uniformity of the film thickness distribution.
  • the thickness of the adhesion metal layer 13 is preferably 5 to 500 nm, more preferably 10 to 300 nm, still more preferably 18 to 200 nm, and particularly preferably 20 to 100 nm. This thickness is a value measured by analyzing the cross section of the layer with an energy dispersive X-ray spectrometer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectrometer
  • the peeling auxiliary layer 14 provided as desired is an excellent wiring by controlling the peeling strength with the peeling layer 16 to a desired value, and preventing the intermediate layer from being detached when the coreless support or carrier is peeled off. From the viewpoint of forming a pattern, etc., a layer composed of copper is preferable.
  • the copper constituting the peeling assist layer 14 may contain inevitable impurities due to raw material components, film forming steps, and the like. Further, when exposed to the atmosphere before and after the formation of the peeling assist layer 14, the presence of oxygen mixed therein is allowed. However, although not particularly limited, it is preferable that the adhesion metal layer 13 and the peeling assisting layer 14 are continuously formed without being exposed to the atmosphere.
  • the peeling assist layer 14 is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering.
  • the peeling auxiliary layer 14 is particularly preferably a layer formed by a magnetron sputtering method using a copper target from the viewpoint that the uniformity of the film thickness distribution can be improved.
  • the thickness of the peeling assist layer 14 is preferably 5 to 500 nm, more preferably 10 to 400 nm, still more preferably 15 to 300 nm, and particularly preferably 20 to 200 nm. This thickness is a value measured by analyzing the cross section of the layer with an energy dispersive X-ray spectrometer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectrometer
  • another intervening layer may exist between the adhesion metal layer 13 and the peeling auxiliary layer 14.
  • the constituent material of the intervening layer include an alloy of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr, Mo, Mn, W and Ni and Cu.
  • the adhesion metal layer 13 and the peeling auxiliary layer 14 can be replaced with one intermediate alloy layer.
  • the intermediate alloy layer has a content of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr, Mo, Mn, W and Ni (hereinafter referred to as metal M) of 1.0 at% or more, and
  • the copper content is preferably composed of a copper alloy having a content of 30 at% or more. That is, the metal constituting the intermediate alloy layer is a copper alloy of the metal M and Cu from the viewpoint of ensuring the adhesion between the carrier 12 and the intermediate alloy layer and at the same time achieving easy peeling to the release layer 16. Preferably there is.
  • an alloy of a metal containing at least one metal selected from the group consisting of Ti, Mo, and Mn and Cu is more preferable.
  • the content of metal M in the intermediate alloy layer is preferably 1.0 atomic% or more, more preferably 3.0 atomic% or more, and further preferably 5.0 atomic% or more.
  • the metal M content rate is preferably 30 atomic percent or less, more preferably 20 atomic percent or less.
  • the Cu content in the intermediate alloy layer is preferably 30 atomic% or more, more preferably 40 atomic% or more, and further preferably 50 atomic% or more.
  • the upper limit of the Cu content in the intermediate alloy layer is not particularly limited, but the Cu content is preferably 99.5 atomic% or less, more preferably 97.0 atomic% or less, and even more preferably 96.0 atomic% or less. It is.
  • the intermediate alloy layer is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering.
  • the intermediate alloy layer is particularly preferably a layer formed by a magnetron sputtering method using a copper alloy target because the uniformity of the film thickness distribution can be improved.
  • the thickness of the intermediate alloy layer is preferably 5 to 500 nm, more preferably 10 to 400 nm, still more preferably 15 to 300 nm, and particularly preferably 20 to 200 nm.
  • This thickness is a value measured by analyzing the cross section of the layer with an energy dispersive X-ray spectrometer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • another intervening layer may exist inside the intermediate alloy layer.
  • the constituent material of the intervening layer include an alloy of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr, Mo, Mn, W and Ni and Cu.
  • the release layer 16 is a layer that enables the carrier 12 to be peeled off, and can be made of a known material that is employed as a release layer for the copper foil with a carrier.
  • the release layer 16 may be either an organic release layer or an inorganic release layer.
  • organic components used in the organic release layer include nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds, carboxylic acids and the like.
  • nitrogen-containing organic compounds include triazole compounds and imidazole compounds.
  • examples of inorganic components used in the inorganic release layer include at least one metal oxide of Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, and Zn, a carbon layer, and the like.
  • the release layer 16 is preferably a layer mainly containing carbon from the viewpoint of ease of peeling, film formation, and the like, more preferably a layer mainly made of carbon or hydrocarbon, more preferably. It consists of amorphous carbon, which is a hard carbon film.
  • the release layer 16 (that is, the carbon layer) preferably has a carbon concentration measured by XPS of 60 atomic% or more, more preferably 70 atomic% or more, still more preferably 80 atomic% or more, and particularly preferably 85. It is at least atomic percent.
  • the upper limit value of the carbon concentration is not particularly limited, and may be 100 atomic%, but 98 atomic% or less is realistic.
  • the release layer 16 (particularly the carbon layer) can contain inevitable impurities (for example, oxygen, carbon, hydrogen, etc. derived from the surrounding environment such as the atmosphere). Further, metal atoms may be mixed into the release layer 16 (particularly the carbon layer) due to the film formation technique of the antireflection layer 17. Carbon has low interdiffusion and reactivity with carriers, and prevents metal bonds from forming due to high-temperature heating between the copper foil layer and the bonding interface even when subjected to press processing at temperatures exceeding 300 ° C. Thus, it is possible to maintain a state where the carrier can be easily peeled and removed.
  • inevitable impurities for example, oxygen, carbon, hydrogen, etc. derived from the surrounding environment such as the atmosphere.
  • metal atoms may be mixed into the release layer 16 (particularly the carbon layer) due to the film formation technique of the antireflection layer 17.
  • Carbon has low interdiffusion and reactivity with carriers, and prevents metal bonds from forming due to high-temperature heating between the copper foil layer and the bonding interface even
  • the release layer 16 is also a layer formed by a vapor phase method such as sputtering, which suppresses excessive impurities in the amorphous carbon, and the formation of the adhesion metal layer 13 and / or the release auxiliary layer 14 described above. This is preferable from the viewpoint of continuous productivity.
  • the thickness of the release layer 16 is preferably 1 to 20 nm, more preferably 1 to 10 nm. This thickness is a value measured by analyzing the cross section of the layer with an energy dispersive X-ray spectrometer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectrometer
  • the antireflection layer 17 is composed of at least one metal selected from the group consisting of Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo, and at least the surface on the ultrathin copper layer 18 side is an aggregate of metal particles.
  • the antireflection layer 17 may have a layer structure composed entirely of an aggregate of metal particles, or a plurality of layers including a layer composed of an aggregate of metal particles and a non-particulate layer below the layer. It may be a layered structure.
  • the aggregate of metal particles constituting the surface of the antireflection layer 17 on the ultrathin copper layer 18 side exhibits a desirable dark color due to its metallic material and granular form, and the dark color is composed of copper.
  • the surface of the antireflection layer 17 is visually recognized as black due to irregular reflection of light due to the convex shape of the metal particles.
  • the antireflection layer 17 is also excellent in moderate adhesion and peelability with the release layer 16, adhesiveness with the ultrathin copper layer 18, and excellent in resistance to peeling with respect to the developer during the formation of the photoresist layer.
  • the glossiness Gs (60 °) of the surface of the antireflection layer 17 on the ultrathin copper layer 18 side is preferably 500 or less, more preferably 450 or less, and still more preferably. Is 400 or less, particularly preferably 350 or less, and most preferably 300 or less. Since the lower limit of the glossiness Gs (60 °) is better if it is low, it is not particularly limited. However, the glossiness Gs (60 °) of the surface of the antireflection layer 17 on the ultrathin copper layer 18 side is realistic. 100 or more, and more realistically 150 or more.
  • the specular gloss Gs (60 °) by image analysis of the roughened particles can be measured using a commercially available gloss meter in accordance with JIS Z 8741-1997 (mirror gloss-measurement method).
  • the surface of the antireflection layer 17 on the ultrathin copper layer 18 side has a projected area equivalent circle diameter determined by SEM image analysis of 10 to 10 mm. It is preferably composed of an aggregate of metal particles having a thickness of 100 nm, more preferably 25 to 100 nm, and even more preferably 65 to 95 nm.
  • a projected area equivalent circle diameter can be measured by photographing the surface of the antireflection layer 17 with a scanning electron microscope at a predetermined magnification (for example, 50000 times) and analyzing the obtained SEM image. Specifically, an arithmetic average value of the projected area equivalent circle diameter measured using commercially available image analysis type particle size distribution software (for example, Mactech-VIEW, manufactured by Mounttech Co., Ltd.) is adopted.
  • the antireflection layer 17 is composed of at least one metal selected from Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo, preferably at least one metal selected from Ta, Ti, Ni and Mo, More preferably, it is made of at least one metal selected from Ti, Ni and Mo, and most preferably Ti. These metals may be pure metals or alloys. In any case, it is preferred that these metals are essentially unoxidized (essentially not metal oxides) because they exhibit a desirable dark color that improves visual contrast with Cu, specifically reflective
  • the oxygen content of the prevention layer 17 is preferably 0 to 15 atomic%, more preferably 0 to 13 atomic%, still more preferably 1 to 10 atomic%.
  • the metal has a property that it does not dissolve in the copper flash etching solution, and as a result, can exhibit excellent chemical resistance with respect to the copper flash etching solution.
  • the thickness of the antireflection layer 17 is preferably 1 to 500 nm, more preferably 10 to 300 nm, still more preferably 20 to 200 nm, and particularly preferably 30 to 150 nm.
  • the ultrathin copper layer 18 may be manufactured by any method, for example, wet film formation methods such as electroless copper plating and electrolytic copper plating, physical vapor deposition methods such as sputtering and vacuum deposition, It may be a copper foil formed by vapor deposition or a combination thereof.
  • a particularly preferable ultrathin copper layer is a copper layer formed by a sputtering method or a vapor phase method such as vacuum deposition from the viewpoint of easily adapting to a fine pitch by ultrathinning, and most preferably manufactured by a sputtering method. Copper layer.
  • the ultra-thin copper layer is preferably a non-roughened copper layer, but pre-roughening, soft etching treatment, cleaning treatment, oxidation treatment, as long as it does not hinder the formation of wiring patterns during printed wiring board production.
  • the secondary roughening may be caused by the reduction treatment.
  • the thickness of the ultrathin copper layer 18 is not particularly limited, but is preferably 50 to 3000 nm, more preferably 70 to 2500 nm, still more preferably 80 to 2000 nm, particularly preferably in order to cope with the fine pitch as described above. Is from 90 to 1500 nm, particularly preferably from 120 to 1000 nm, most preferably from 150 to 500 nm.
  • An ultrathin copper layer having a thickness in such a range is preferably manufactured by sputtering from the viewpoint of in-plane uniformity of film thickness and productivity in the form of a sheet or a roll.
  • the line / space (L / S) is 13 ⁇ m or less / 13 ⁇ m or less (for example, 12 ⁇ m / 12 ⁇ m to 2 ⁇ m / 2 ⁇ m) as the arithmetic average roughness is smaller. It is suitable for forming a highly miniaturized wiring pattern to such a degree.
  • the antireflection layer 17, the ultrathin copper layer 18, the adhesion metal layer 13, if necessary, the peeling auxiliary layer 14, and the peeling layer 16 that is, at least the antireflection layer 17 and the ultrathin copper layer 18 if necessary
  • the end surface is covered so as to extend to the end surface. That is, it is preferable that not only the surface of the carrier 12 but also the end face is covered with at least the antireflection layer 17 and the ultrathin copper layer 18.
  • the thickness of the adhesion metal layer 13 on the end face of the carrier 12 is preferably 2 to 350 nm, more preferably 3 to 220 nm, and still more preferably 5 It is ⁇ 150 nm, particularly preferably 6 to 70 nm.
  • the end face thickness of the peeling assist layer 14 is preferably 2 to 350 nm, more preferably 3 to 220 nm, still more preferably 5 to 150 nm, and particularly preferably 6 to 70 nm.
  • the end face thickness of the release layer 16 is preferably 0 to 15 nm, more preferably 0 to 3 nm, still more preferably 0 to 1 nm, particularly preferably 0 to 0.5 nm, and most preferably 0 nm. That is, it is most preferable that the release layer 16 is not formed on the carrier end face.
  • the end face thickness of the antireflection layer 17 is preferably 2 to 350 nm, more preferably 3 to 220 nm, still more preferably 5 to 150 nm, and particularly preferably 6 to 70 nm.
  • the end face thickness of the ultrathin copper layer 18 is preferably 15 to 2800 nm, more preferably 20 to 1800 nm, still more preferably 25 to 1400 nm, particularly preferably 27 to 1350 nm, particularly more preferably 35 to 700 nm, and most preferably 45 to 350 nm.
  • the covering region on the end surface of the carrier 12 is preferably a region of 0.1 mm or more in the thickness direction (that is, a direction perpendicular to the carrier surface) from the surface of the carrier 12, more preferably a region of 0.2 mm or more, More preferably, the entire end face of the carrier 12 is covered.
  • the copper foil with carrier 10 is prepared by preparing the carrier 12 described above and forming a release layer 16, an antireflection layer 17, and an ultrathin copper layer 18 on the carrier 12. Can be manufactured. Prior to the formation of the release layer 16, the adhesion metal layer 13 and / or the release auxiliary layer 14 may be formed on the carrier 12. Preferably, the adhesion metal layer 13 and the release auxiliary layer 14 are formed in this order. . In any case, the formation of each of the adhesion metal layer 13 (if present), the peeling assisting layer 14 (if present), the peeling layer 16, the antireflection layer 17 and the ultrathin copper layer 18 is fine by ultrathinning.
  • a vapor phase method examples include a sputtering method, a vacuum deposition method, and an ion plating method.
  • the film thickness can be controlled in a wide range of 0.05 nm to 5000 nm, and the film thickness uniformity over a wide width or area.
  • the sputtering method is most preferable because it can be secured. In particular, it is produced by forming all of the adhesion metal layer 13 (when present), the peeling auxiliary layer 14 (when present), the peeling layer 16, the antireflection layer 17 and the ultrathin copper layer 18 by a sputtering method. Efficiency is much higher.
  • the film formation by the vapor phase method is not particularly limited as long as it is performed according to known conditions using a known vapor deposition apparatus.
  • the sputtering method may be any of various known methods such as magnetron sputtering, dipole sputtering, and counter target sputtering. It is preferable at a high point. Sputtering may be performed by any power source of DC (direct current) and RF (high frequency). Further, a plate-type target whose target shape is widely known can be used, but it is desirable to use a cylindrical target from the viewpoint of target use efficiency.
  • each of the adhesion metal layer 13 (when present), the peeling auxiliary layer 14 (when present), the peeling layer 16, the antireflection layer 17 and the ultrathin copper layer 18 is formed by a vapor phase method (preferably a sputtering method). The film will be described.
  • the adhesion metal layer 13 provided as desired is formed by vapor phase deposition using a target composed of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr and Ni, and magnetron sputtering in a non-oxidizing atmosphere. It is preferable to be performed in terms of improving the film thickness distribution uniformity.
  • the purity of the target is preferably 99.9% or higher.
  • an inert gas such as argon gas is preferably used.
  • the flow rate of the argon gas is not particularly limited as long as it is appropriately determined according to the sputtering chamber size and film forming conditions.
  • the pressure during film formation is in the range of 0.1 to 20 Pa from the viewpoint of continuous film formation without malfunction such as abnormal discharge or defective plasma irradiation.
  • This pressure range may be set by adjusting the deposition power and the flow rate of argon gas according to the device structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, rated capacity of the deposition power source, and the like.
  • the sputtering power may be set as appropriate within a range of 0.05 to 10.0 W / cm 2 per unit area of the target in consideration of film thickness uniformity, productivity, and the like.
  • the film formation of the auxiliary peeling layer 14 provided by necessity by the vapor phase method is preferably performed by magnetron sputtering in a non-oxidizing atmosphere using a copper target from the viewpoint of improving the film thickness distribution uniformity.
  • the purity of the copper target is preferably 99.9% or more.
  • an inert gas such as argon gas is preferably used.
  • the flow rate of the argon gas is not particularly limited as long as it is appropriately determined according to the sputtering chamber size and film forming conditions.
  • the pressure during film formation is in the range of 0.1 to 20 Pa from the viewpoint of continuous film formation without malfunction such as abnormal discharge or defective plasma irradiation.
  • This pressure range may be set by adjusting the deposition power and the flow rate of argon gas according to the device structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, rated capacity of the deposition power source, and the like.
  • the sputtering power may be set as appropriate within a range of 0.05 to 10.0 W / cm 2 per unit area of the target in consideration of film thickness uniformity, productivity, and the like.
  • the carbon layer is preferably formed by a vapor phase method (preferably a sputtering method) in an inert atmosphere such as argon using a carbon target.
  • the carbon target is preferably composed of graphite, but may contain inevitable impurities (for example, oxygen and carbon derived from the surrounding environment such as the atmosphere).
  • the purity of the carbon target is preferably 99.99% or more, more preferably 99.999% or more.
  • the pressure during film formation is within a range of 0.1 to 2.0 Pa from the viewpoint of continuous film formation without abnormal operation such as abnormal discharge or defective plasma irradiation.
  • This pressure range may be set by adjusting the deposition power and the flow rate of argon gas according to the device structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, rated capacity of the deposition power source, and the like.
  • the sputtering power may be set as appropriate within a range of 0.05 to 10.0 W / cm 2 per unit area of the target in consideration of film thickness uniformity, productivity, and the like.
  • the antireflection layer 17 is preferably formed by magnetron sputtering using a target composed of at least one metal selected from the group consisting of Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo. .
  • the purity of the target is preferably 99.9% or higher.
  • the film formation of the antireflection layer 17 by magnetron sputtering is preferably performed under an inert gas atmosphere such as argon and at a pressure of 1 to 20 Pa.
  • the sputtering pressure is more preferably 2 to 18 Pa, still more preferably 3 to 15 Pa.
  • Such a sputtering pressure is significantly higher than the sputtering pressure normally employed, thereby allowing the aggregate of the desired form of metal particles to be in-plane without essentially oxidizing the surface of the antireflection layer 17. It can be formed uniformly. According to the sputtering conditions, a desirable projected area equivalent circle diameter and a desirable glossiness Gs (60 °) can be provided. In addition, there is an advantage that the film can be continuously formed without malfunction such as abnormal discharge and plasma irradiation defect.
  • the pressure range may be controlled by adjusting the deposition power and the flow rate of argon gas according to the device structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, rated power supply capacity, and the like.
  • the flow rate of the argon gas is not particularly limited as long as it is appropriately determined according to the sputtering chamber size and film forming conditions.
  • the sputtering power may be appropriately set within the range of 1.0 to 15.0 W / cm 2 per unit area of the target in consideration of film thickness uniformity, productivity, and the like.
  • the carrier temperature during film formation is preferably adjusted in the range of 25 to 300 ° C, more preferably in the range of 40 to 200 ° C, and still more preferably in the range of 50 to 150 ° C.
  • Film formation of the ultrathin copper layer 18 by a vapor phase method is preferably performed in an inert atmosphere such as argon using a copper target.
  • the copper target is preferably composed of metallic copper, but may contain unavoidable impurities.
  • the purity of the copper target is preferably 99.9% or more, more preferably 99.99%, and still more preferably 99.999% or more.
  • a stage cooling mechanism may be provided during sputtering.
  • the pressure during film formation is in the range of 0.1 to 2.0 Pa from the viewpoint of stable film formation without malfunction such as abnormal discharge or defective plasma irradiation.
  • This pressure range may be set by adjusting the deposition power and the flow rate of argon gas according to the device structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, rated capacity of the deposition power source, and the like.
  • the sputtering power may be set as appropriate within a range of 0.05 to 10.0 W / cm 2 per unit area of the target in consideration of film thickness uniformity, productivity, and the like.
  • the adhesion metal layer 13, the peeling auxiliary layer 14, the peeling layer 16, the antireflection layer 17 and / or the ultrathin copper layer 18 on the end face of the carrier 12 is performed on the end face of the carrier 12 on the stage in the above-described sputtering method. It can be easily carried out by forming a film in a state in which is exposed. At this time, the film is typically formed on the end face of the carrier 12 with a thickness (end face thickness) of 20% to 70% of the thickness of the layer formed on the surface of the carrier 12. On the other hand, when forming an extremely thin thickness on the end face, such as when the release layer 16 is formed, it is preferable that the side end of the carrier 12 be shielded and sputtered. Examples of this shielding method include shielding with a masking tape and shielding with a masking plate.
  • the copper foil with carrier of the present invention may be provided in the form of a laminated plate for coreless support. That is, according to the preferable aspect of this invention, the laminated board for coreless support bodies provided with the said copper foil with a carrier is provided.
  • the following two forms are mentioned as the form of the coreless support laminate.
  • the first form of the coreless support laminate is the form of the carrier-attached copper foil itself. That is, the carrier-attached copper in which the adhesion metal layer 13 / the peeling auxiliary layer 14 / the peeling layer 16 / the antireflection layer 17 / the ultrathin copper layer 18 are laminated in this order on at least one surface of the carrier 12 as necessary.
  • the foil 10 itself, and the adhesion metal layer 13 / the peeling auxiliary layer 14 / the peeling layer 16 / the antireflection layer 17 / the ultrathin copper layer 18 are laminated in this order on both sides of the carrier as necessary.
  • the surface of the ultrathin copper layer 18 can be extremely smooth because it is lightweight, has a low coefficient of thermal expansion, is rigid, and has a flat surface.
  • a second form of the coreless support laminate is a form in which an adhesive layer is provided on the side opposite to the release layer 16 of the carrier 12 (that is, the outer surface of the carrier 12).
  • the carrier 12 is made of a material having no rigidity such as a metal foil or a resin film.
  • the adhesive layer include a resin layer, a fiber-reinforced prepreg (such as glass), and the like.
  • a coreless support with wiring layer can be manufactured using the copper foil with a carrier of the present invention.
  • the preferable manufacturing method of the coreless support body with a wiring layer is demonstrated.
  • the manufacturing method of this coreless support with wiring layer includes (1) a preparation process of a copper foil with a carrier, (2) a formation process of a photoresist layer, (3) a formation process of an electrolytic copper plating layer, and (4) A photoresist layer peeling step, and (5) a flash etching step.
  • a method for producing a coreless support with a wiring layer including these steps is schematically shown in FIGS.
  • the copper foil with carrier 10 is prepared as a support (see FIG. 2 (a)).
  • the copper foil 10 with a carrier can be prepared with the form of the laminated board for coreless support bodies.
  • the carrier-attached copper foil itself, or a form having an adhesive layer on the side opposite to the release layer 16 of the carrier 12 (that is, the outer surface of the carrier 12 (for example, Ultrathin copper layer 18 / Antireflection layer 17 / Peeling layer 16 / Peeling auxiliary layer 14 / Adhesion metal layer 13 / Carrier 12 / Adhesive layer (not shown) / Carrier 12 / Adhesion metal layer 13 / Peeling auxiliary layer 14 / It may be prepared by a layer structure of peeling layer 16 / antireflection layer 17 / ultra thin copper layer 18).
  • a photoresist layer 20 is formed in a predetermined pattern on the surface of the ultrathin copper layer 18 (see FIG. 2B).
  • the photoresist is preferably a photosensitive film, such as a photosensitive dry film.
  • the photoresist layer 20 may be provided with a predetermined wiring pattern by exposure and development.
  • An electrolytic copper plating layer 22 is formed on the exposed surface of the ultrathin copper layer 18 (that is, the portion not masked by the photoresist layer 20) (see FIG. 2C).
  • the electrolytic copper plating may be performed by a known method and is not particularly limited.
  • the photoresist layer 20 is stripped.
  • the electrolytic copper plating layer 22 remains in the form of a wiring pattern, and the ultrathin copper layer 18 where the wiring pattern is not formed is exposed.
  • This flash etching solution uses a sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture solution or a solution containing at least one of sodium persulfate and potassium persulfate while avoiding excessive etching of the electrolytic copper plating layer 22. This is preferable in that the exposed ultrathin copper layer 18 can be reliably etched. Thus, as shown in FIG.
  • the electrolytic copper plating layer 22 / ultra-thin copper layer 18 remains in the wiring pattern shape, and the antireflection layer 17 in the portion where the wiring pattern is not formed is not dissolved by the flash etching solution. It remains and is exposed on the surface.
  • the copper flash etching is performed. Excellent chemical resistance to the liquid. That is, the antireflection layer 17 is not removed by the copper flash etching, but is left exposed for the next image inspection process.
  • Image inspection, etc. After the copper flash etching, it is preferable to perform an image inspection process for the coreless support 26 with a wiring layer (specifically, the wiring layer 24) with the antireflection layer 17 exposed.
  • an optical automatic appearance inspection (AOI) apparatus is used to irradiate predetermined light from a light source to obtain a binarized image of a wiring pattern, and the binarized image and design data. This is done by trying pattern matching with an image and evaluating match / mismatch between them.
  • the aggregate of the metal particles constituting the surface of the antireflection layer 17 exhibits a desirable dark color due to its metallic material and granular form, and the dark color is between the wiring layer 24 composed of copper.
  • Provides the desired visual contrast thus improving visibility in image inspection (eg, automatic image inspection (AOI)).
  • the process of mounting the chip after forming the wiring layer 24 in this way is a technique called RDL-First method. According to this method, it is possible to perform image inspection of the wiring layer on the surface of the coreless support and each build-up wiring layer laminated after that before mounting the chip, so avoid the defective part of each wiring layer. Chips can be mounted only on non-defective parts.
  • the RDL-First method is economically advantageous as compared to the Chip-First method, which is a method of sequentially laminating wiring layers on the surface of the chip, in that waste of the chip can be avoided.
  • the antireflection layer 17 which is made of a predetermined metal and whose surface on the ultrathin copper layer 18 side is an aggregate of metal particles is employed.
  • AOI optical automatic appearance inspection
  • the printed wiring board manufacturing process (particularly the RDL-First method), it is possible to perform image inspection on the wiring layer before chip mounting with high accuracy, thereby improving the product yield.
  • the electronic element 28 mounted on the wiring layer of the coreless support 26 that is assumed as an optional step, a semiconductor element, a chip capacitor, a resistor, and the like can be given.
  • the electronic element mounting method include a flip chip mounting method and a die bonding method.
  • the flip chip mounting method is a method of bonding the mounting pad of the electronic element 28 and the wiring layer 24 on the coreless support 26.
  • NCF Non-Conductive Film
  • the joining is preferably performed using a low melting point metal such as solder, but an anisotropic conductive film or the like may be used.
  • the die bonding bonding method is a method in which the surface opposite to the mounting pad surface of the electronic element 28 is bonded to the wiring layer 24 on the surface of the coreless support 26. For this adhesion, it is preferable to use a paste or film which is a resin composition containing a thermosetting resin and a thermally conductive inorganic filler.
  • This printed wiring board manufacturing method includes (1) a manufacturing process of a coreless support with a wiring layer, (2) a manufacturing process of a laminate with a buildup layer, and (3) a separation process of the laminate with a buildup layer. (4) removing the antireflection layer.
  • a method of manufacturing a printed wiring board including these steps is schematically shown in FIGS. 2 to 4 (particularly FIG. 4).
  • the coreless support body 26 with a wiring layer is manufactured by the method of the present invention described above. That is, the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes a series of steps of the above-described method for manufacturing a coreless support with a wiring layer, and repeated description thereof is omitted here.
  • the laminate 32 with buildup layer is separated by the release layer 16 to obtain a multilayer wiring board 34 including the buildup layer 30. That is, the carrier 12, the adhesion metal layer 13 (if present), the peeling assist layer 14 (if present), and the peeling layer 16 are peeled and removed.
  • this separation step physical separation, chemical separation, or the like can be employed.
  • the physical separation method is a method of obtaining the multilayer wiring board 34 by separating the carrier 12 and the like by peeling them from the buildup layer 30 with hands, jigs, tools, etc. (see FIG. 4H).
  • the multilayer wiring board 34 can be obtained using a carrier etching solution that dissolves the carrier 12.
  • the carrier etching solution is preferably etched with a chemical solution that can dissolve the carrier 12 and does not dissolve the members constituting the buildup layer 30.
  • the carrier is glass
  • the chemical separation method is effective when the site where the build-up layer 30 is in direct contact with the carrier 12 is widely and firmly bonded.
  • the antireflection layer 17 is removed by flash etching to obtain a printed wiring board 36 (FIG. 4I).
  • This flash etching is preferably performed by selecting an appropriate etching solution according to the metal constituting the antireflection layer 17 as exemplified in Table 1 below.
  • Table 1 exemplifies typical etching solutions, but is not limited thereto, and the type, concentration, temperature, and the like of the acid and ammonium salt can be appropriately changed from the conditions described in Table 1.
  • the antireflection layer 17 can be selectively flash etched by using such an etchant, the wiring layer 24 (which is made of copper) exposed under the antireflection layer 17 is eroded. It can be significantly suppressed. That is, an etching solution having high selectivity can be used as an etching solution for flash-etching at least one metal selected from Cr, W, Ta, Ti, Ni and Mo constituting the antireflection layer 17. As a result, dissolution of the copper constituting the wiring layer 24 by the etching solution can be suppressed or avoided.
  • the printed wiring board 36 as shown in FIG. 4 can process the outer layer by various methods.
  • an insulating layer and a wiring layer as build-up wiring layers may be further laminated on the wiring layer 24 of the printed wiring board 36 as an arbitrary number, or a solder resist layer is formed on the surface of the wiring layer 24, and Ni -Surface treatment as an outer layer pad such as Au plating or OSP treatment (water-soluble preflux treatment, Organic Solderability Preservative) may be performed.
  • a columnar pillar or the like may be provided on the outer layer pad.
  • a publicly known method generally employed in a printed wiring board can be additionally performed as appropriate, and is not particularly limited.
  • Example 1 Production of copper foil with carrier As shown in FIG. 1, an adhesion metal layer 13, a peeling auxiliary layer 14, a peeling layer 16, and an ultrathin copper layer 18 are formed in this order on a glass sheet as a carrier 12. Thus, a copper foil 10 with a carrier was produced.
  • the specific procedure is as follows.
  • the arithmetic average roughness Ra mentioned in the following examples is a value measured with a non-contact surface shape measuring instrument (New View 5032 manufactured by Zygo Corporation) in accordance with JIS B 0601-2001.
  • the end face of the carrier 12 was masked with a stainless steel plate, and various layers were formed by sputtering as described below.
  • a nickel layer having a thickness of 100 nm was formed as an antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target Ni target with a diameter of 8 inches (203.2 mm) and a thickness of 1 mm (Ni: 100% by weight)
  • -Ultimate vacuum Pu less than 1 x 10-4
  • Pa-Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm) -Sputtering pressure: 12Pa -Sputtering power: 2000 W (6.2 W / cm 2 ) -Deposition temperature: 40 ° C
  • composition analysis of adhesion metal layer, peeling auxiliary layer and antireflection layer A monitoring sample for surface analysis was prepared for the adhesion metal layer 13, the peeling assist layer 14, and the antireflection layer 17, and elemental analysis was performed by TOF-SIMS (time-of-flight secondary ion mass spectrometry). This measurement was performed under the condition of 800 V-3 mA in the constant current mode.
  • TOF-SIMS time-of-flight secondary ion mass spectrometry
  • Adhesive metal layer 13 Ti: 92.5 atomic%, O: 7.5 atomic% Peeling auxiliary layer 14: Cu: 99 atomic%, O: 1 atomic% Antireflection layer 17: Ni: 99.6 atomic%, O: 0.4 atomic%
  • Examples 2-5 A copper foil with a carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a titanium layer was formed as the antireflection layer 17 instead of the nickel layer as follows. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 3.7 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1.
  • the composition of the antireflection layer 17 is Ti: 85 atomic%, O: 15 atomic% (Example 2), Ti: 91 atomic%, O: 9 atomic% (Example 3), Ti: 90 atomic%, O: 10 atomic% (Example 4), Ti: 87 atomic%, O: 13 atomic% (Example 5).
  • a titanium layer having a thickness of 100 nm was formed as an antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target 8 inch (203.2 mm) diameter titanium target (purity 99.999%)
  • Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm)
  • Pa-Sputtering pressure 12 Pa (Examples 2 and 4), 4 Pa (Example 3) or 0.5 Pa (Example 5)
  • -Sputtering power 2000 W (6.2 W / cm 2 ) (Example 2) or 1000 W (3.1 W) (Examples 3 to 5)
  • Example 6 A copper foil with a carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a chromium layer was formed as an antireflection layer 17 instead of a nickel layer as follows. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 3.5 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was Cr: 98 atomic% and O: 2 atomic%.
  • chromium layer formation A chromium layer having a thickness of 100 nm was formed as an antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target Cr target with a diameter of 8 inches (203.2 mm) and a thickness of 6 mm (Cr: 99.9)
  • Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm)
  • Pa-Sputtering pressure 12 Pa -Sputtering power: 2000 W (6.2 W / cm 2 )
  • Example 7 A copper foil with a carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a tungsten layer was formed as the antireflection layer 17 instead of the nickel layer as follows. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 3.1 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was W: 99 atomic% and O: 1 atomic%.
  • a tungsten layer having a thickness of 100 nm was formed as an antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target W target with a diameter of 8 inches (203.2 mm) and a thickness of 4 mm (W: 99.9 wt%)
  • Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm)
  • Pa-Sputtering pressure 4 Pa -Sputtering power: 2000 W (6.2 W / cm 2 )
  • Example 8 A copper foil with a carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a tantalum layer was formed as the antireflection layer 17 instead of the nickel layer as follows. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 3.2 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was Ta: 99 atomic% and O: 1 atomic%.
  • tantalum layer formation A tantalum layer having a thickness of 100 nm was formed as an antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target Ta target with a diameter of 8 inches (203.2 mm) and a thickness of 4 mm (Ta: 99.99%)
  • Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm)
  • -Ultimate vacuum Pu less than 1 x 10-4
  • Pa-Sputtering pressure 4 Pa -Sputtering power: 2000 W (6.2 W / cm 2 )
  • Example 9 A copper foil with a carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a molybdenum layer was formed as the antireflection layer 17 instead of the nickel layer as follows. The results were as shown in Table 2. The arithmetic average roughness Ra of the surface of the ultrathin copper layer 18 opposite to the release layer 16 was 3.0 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was Mo: 99.1 atomic% and O: 0.9 atomic%.
  • a molybdenum layer having a thickness of 100 nm was formed as the antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target Mo target (Mo: 99.99%) with a diameter of 8 inches (203.2 mm) and a thickness of 6 mm
  • Example 10 (Comparison) A copper foil with a carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that an aluminum layer was formed in the following manner instead of the nickel layer as the antireflection layer 17. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 5.1 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was Al: 99.4 atomic% and O: 0.6 atomic%.
  • Example 11 (Comparison) A copper foil with a carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a silver layer was formed in the following manner instead of the nickel layer as the antireflection layer 17. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 8.5 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was Ag: 99.8 atomic% and O: 0.2 atomic%.
  • a silver layer having a thickness of 100 nm was formed as an antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target 8 inch diameter (203.2 mm), 8 mm thick Ag target (Ag: 99.9%)
  • Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm)
  • Pa-Sputtering pressure 12 Pa -Sputtering power: 1000 W (3.1 W / cm 2 )
  • Example 12 (Comparison) The production and evaluation of the carrier-added copper foil were carried out in the same manner as in Example 1 except that the nickel layer as the antireflection layer 17 was formed as follows to form a film-like surface shape (not a particulate shape). went. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 2.7 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was Ni: 99.5 atomic% and O: 0.5 atomic%.
  • Nickel layer formation A Ni layer having a thickness of 100 nm was formed as an antireflection layer 17 on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464) -Target: 8 inch diameter (203.2 mm), 1 mm thick Ni target Ni: 100 wt%)
  • Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm) -Ultimate vacuum Pu: less than 1 x 10-4
  • Example 13 (Comparison) The production and evaluation of the carrier-added copper foil were carried out in the same manner as in Example 1 except that the titanium layer as the antireflection layer 17 was formed as follows to form a film-like surface shape (not a particulate shape). went. The results were as shown in Table 2. In addition, arithmetic mean roughness Ra of the surface on the opposite side to the peeling layer 16 of the ultra-thin copper layer 18 was 2.7 nm. The composition of each layer other than the antireflection layer 17 was substantially the same as in Example 1. The composition of the antireflection layer 17 was Ti: 92 atomic% and O: 8 atomic%.
  • a Ti layer having a thickness of 100 nm as an antireflection layer 17 was formed on the surface of the release layer 16 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • -Equipment Single wafer DC sputtering equipment (Canon Tokki Co., Ltd., MLS464)
  • -Target 8 inch (203.2 mm) diameter Ti target (purity 99.999%)
  • Carrier gas Ar (flow rate: 100 sccm)
  • a copper foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 2 except that masking was performed using a plate made and the thickness (end face thickness) of the release layer 16 at the end face was changed.
  • the thickness (end face thickness) of each layer on the end face of the carrier 12 was as follows.
  • -Adhesive metal layer 13 Titanium layer (end face thickness: 35 nm)
  • -Peeling auxiliary layer 14 Copper layer (end face thickness: 35 nm)
  • -Release layer 16 Carbon layer (various end face thicknesses shown in Table 3)
  • -Antireflection layer 17 Titanium layer (end face thickness: 38nm)
  • -Ultra-thin copper layer 18 Copper layer (end face thickness: 100nm)
  • Evaluation A There was no peeling of the ultrathin copper layer.
  • Evaluation B The ultrathin copper layer peeled off with a diameter of 50 ⁇ m or less.
  • Evaluation C The ultrathin copper layer peeled off with a size larger than 50 ⁇ m in diameter.
  • AOI visibility of wiring> For Examples 1 to 9 and 11 to 13, the visibility of the wiring pattern was evaluated by the following procedure.
  • An optical automatic visual inspection (AOI) apparatus manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd., product name: PI9500
  • AOI optical automatic visual inspection
  • the surface of the coreless support with a wiring layer after the copper flash etching was scanned on the wiring layer side to create a luminance histogram, and a threshold value was set so that the space and the wiring could be identified.
  • Example 2 In which the visibility of the wiring pattern was good, it was binarized by scanning with an optical automatic visual inspection (AOI) device of the wiring pattern.
  • AOI optical automatic visual inspection
  • the obtained printed wiring board was subjected to desmear treatment using a sodium permanganate solution, and a drug penetration width (mm) was measured as an index indicating the amount of chemical penetration.
  • This desmear treatment was performed by sequentially performing the following treatments using the treatment liquid shown below from Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd.
  • the measured chemical penetration width (mm) was rated according to the following criteria. The results were as shown in Tables 2B and 3. -Evaluation AA: less than 0.1 mm (best) -Evaluation A: 0.1 mm or more and less than 0.5 mm (good) -Evaluation B: 0.5 mm or more and less than 2 mm (acceptable) -Evaluation C: 2mm or more (impossible)

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Abstract

コアレス支持体表面の配線層形成時に反射防止層が銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈するとともに、銅フラッシュエッチング後の画像検査時に反射防止層とのコントラストにより配線層の優れた視認性をもたらしうる、キャリア付銅箔が提供される。このキャリア付き銅箔は、キャリアと、キャリア上に設けられる剥離層と、剥離層上に設けられ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される反射防止層と、反射防止層上に設けられる極薄銅層とを備え、反射防止層の少なくとも極薄銅層側の表面が金属粒子の集合体である。

Description

キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法
　本発明は、キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法に関する。
　近年、プリント配線板の実装密度を上げて小型化するために、プリント配線板の多層化が広く行われるようになってきている。このような多層プリント配線板は、携帯用電子機器の多くで、軽量化や小型化を目的として利用されている。そして、この多層プリント配線板には、層間絶縁層の更なる厚みの低減、及び配線板としてのより一層の軽量化が要求されている。
　このような要求を満たす技術として、コアレスビルドアップ法を用いた多層プリント配線板の製造方法が採用されている。コアレスビルドアップ法とは、いわゆるコア基板を用いることなく、絶縁層と配線層とを交互に積層（ビルドアップ）して多層化する方法である。コアレスビルドアップ法においては、支持体と多層プリント配線板との剥離を容易に行えるように、キャリア付銅箔を使用することが提案されている。例えば、特許文献１（特開２００５－１０１１３７号公報）には、キャリア付銅箔のキャリア面に絶縁樹脂層を貼り付けて支持体とし、キャリア付銅箔の極薄銅層側にフォトレジスト加工、パターン電解銅めっき、レジスト除去等の工程により第一の配線導体を形成した後、ビルドアップ配線層を形成し、キャリア付支持基板を剥離し、極薄銅層を除去することを含む、半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法が開示されている。
　ところで、特許文献１に示されるような埋め込み回路の微細化のため、極薄銅層の厚さを１μｍ以下としたキャリア付銅箔が望まれる。そこで、極薄銅層の厚さ低減を実現するため、気相法により極薄銅層を形成することが提案されている。例えば、特許文献２（特許第４７２６８５５号公報）には、キャリアシートの表面に接合界面層を介して銅箔層を有するキャリアシート付銅箔が開示されており、当該接合界面層は、物理蒸着法を用いて形成した金属層（キャリアシート側）／炭素層（極薄銅層側）の２層からなり、銅箔層は、接合界面層上に物理蒸着法で１０ｎｍ～３００ｎｍ厚さの第１銅層を形成し、更に電解法で第２銅層を形成することにより得られたものであることが開示されている。また、この接合界面層を構成する金属層は、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、ニッケル、クロム、チタン、鉄、ケイ素、モリブデン、バナジウム、タングステンのいずれかで構成された層でありうることが特許文献２には記載されている。
　また、特許文献３（特許第４０７２４３１号公報）には、キャリア箔の表面に、クロム層である剥離層、ＣＯ２ガスレーザが発振する波長の光を吸収しやすい層である拡散防止層、及び電気銅めっき層をこの順序に積層してなるキャリア付銅箔が開示されており、拡散防止層がニッケル、コバルト、鉄、モリブデン、タングステン、アルミニウム及びリンからなる群より選ばれる元素からなる単一金属の層、あるいはニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウム及びリンからなる群より選ばれる元素からなる２種以上の金属の合金層または１種以上の金属酸化物層であることが開示されている。
特開２００５－１０１１３７号公報 特許第４７２６８５５号公報 特許第４０７２４３１号公報 特開２０１５－３５５５１号公報
　ところで、プリント配線板のパッケージング技術の一つであるＦＯ－ＷＬＰ（Ｆａｎ－Ｏｕｔ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）やＦＯ－ＰＬＰ（Ｆａｎ－Ｏｕｔ　Ｐａｎｅｌ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）においても、コアレスビルドアップ法の採用が検討されている。そのような工法の一つとして、コアレス支持体表面に配線層及び必要に応じてビルドアップ配線層を形成し、さらに必要に応じて支持体を剥離した後に、チップの実装を行う、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ－Ｆｉｒｓｔ）法と呼ばれる工法がある（例えば特許文献４（特開２０１５－３５５５１号公報）参照）。この工法によれば、チップの実装を行う前にコアレス支持体表面の配線層やその後に積層される各ビルドアップ配線層の画像検査を行うことができるため、各配線層の不良部分を避けて、良品部分にのみチップを実装できる。その結果、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法はチップの無駄使いを回避できる点で、チップの表面に配線層を逐次積層する工法であるＣｈｉｐ－Ｆｉｒｓｔ法等と比較すると経済的に有利である。ここで、コアレス支持体表面の配線層を形成した直後に画像検査を行うには、コアレス支持体表面にフォトレジスト加工、電気めっき、及びフォトレジスト剥離等を行った後、さらに必要に応じて配線間に存在する極薄銅層のフラッシュエッチングを行った後、必要に応じてチップ等の電子素子の搭載を行い、その後ビルドアップ層の形成を行う。しかしながら、こうして極薄銅層を銅フラッシュエッチングにより除去してしまうと、下地として露出するキャリアとの間の視覚的コントラストを十分に確保できないことがあり、銅で構成される配線層の画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性が低下しうる。そこで、キャリア付銅箔の剥離層と極薄銅層の間に上記視覚的コントラスト向上のための反射防止層を設け、この反射防止層を銅フラッシュエッチングを経て残存させることで、その後の画像検査時における配線層の視認性を向上させることができれば好都合である。また、そのような反射防止層は銅フラッシュエッチング液に対して溶解しないという性質、すなわち銅フラッシュエッチング液に対する耐薬品性に優れることが望まれる。
　本発明者らは、今般、キャリア付銅箔の剥離層と極薄銅層の間に、所定の金属で構成され、少なくとも極薄銅層側の表面が金属粒子の集合体である反射防止層を介在させることにより、コアレス支持体表面の配線層形成時に反射防止層が銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈するとともに、銅フラッシュエッチング後の画像検査時に反射防止層とのコントラストにより配線層の優れた視認性をもたらしうるとの知見を得た。
　したがって、本発明の目的は、コアレス支持体表面の配線層形成時に反射防止層が銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈するとともに、銅フラッシュエッチング後の画像検査時に反射防止層とのコントラストにより配線層の優れた視認性をもたらすことを可能とする、キャリア付銅箔を提供することにある。
　本発明の一態様によれば、キャリアと、
　前記キャリア上に設けられる剥離層と、
　前記剥離層上に設けられ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される反射防止層と、
　前記反射防止層上に設けられる極薄銅層と、
を備え、前記反射防止層の少なくとも前記極薄銅層側の表面が金属粒子の集合体である、キャリア付銅箔が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、上記態様によるキャリア付銅箔の製造方法であって、
　前記キャリア上に前記剥離層を形成する工程と、
　Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法により、不活性ガス雰囲気下、圧力１～２０Ｐａで、前記剥離層上に前記反射防止層を形成する工程と、
　前記反射防止層上に前記極薄銅層を形成する工程と、
を含む、方法が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、上記態様によるキャリア付銅箔を支持体として用意する工程と、
　前記極薄銅層の表面にフォトレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
　前記極薄銅層の露出表面に電気銅めっき層を形成する工程と、
　前記フォトレジスト層を剥離する工程と、
　前記極薄銅層の不要部分を銅フラッシュエッチングにより除去して前記反射防止層を露出させ、それにより配線層が形成されたコアレス支持体を得る工程と、
を含む、配線層付コアレス支持体の製造方法が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、上記態様による方法により前記配線層付コアレス支持体を製造する工程と、
　前記画像検査後、前記配線層が形成されたコアレス支持体上に電子素子を搭載する工程と、
を含む、プリント配線板の製造方法が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、上記態様による方法により前記配線層付コアレス支持体を製造する、又は上記態様による方法により前記プリント配線板を製造する工程と、
　前記配線層付コアレス支持体の前記配線層が形成された面にビルドアップ層を形成してビルドアップ層付積層体を作製する工程と、
　前記ビルドアップ層付積層体を前記剥離層で分離して前記ビルドアップ層を含む多層配線板を得る工程と、
　前記反射防止層をフラッシュエッチングにより除去して、プリント配線板を得る工程と、
を含む、プリント配線板の製造方法が提供される。
本発明のキャリア付銅箔の一態様を示す模式断面図である。 本発明の配線層付コアレス支持体又はプリント配線板の製造方法を説明するための工程流れ図であり、前半の工程（工程（ａ）～（ｃ））を示す図である。 本発明の配線層付コアレス支持体又はプリント配線板の製造方法を説明するための工程流れ図であり、図２に続く工程（工程（ｄ）～（ｆ））を示す図である。 本発明のプリント配線板の製造方法を説明するための工程流れ図であり、図３に続く工程（工程（ｇ）～（ｉ））を示す図である。 例２で作製された配線パターンを光学式自動外観検査（ＡＯＩ）装置でスキャンして得られた二値化画像である。
　キャリア付銅箔
　本発明のキャリア付銅箔が図１に模式的に示される。図１に示されるように、本発明のキャリア付銅箔１０は、キャリア１２と、剥離層１６と、反射防止層１７と、極薄銅層１８とをこの順に備えたものである。剥離層１６は、キャリア１２上に設けられ、キャリアの剥離を可能とする層である。反射防止層１７は、剥離層１６上に設けられ、光の反射を防止する機能を有する層である。反射防止層１７はＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成され、少なくとも極薄銅層１８側の表面が金属粒子の集合体である。極薄銅層１８は、反射防止層１７上に設けられる銅からなる層である。所望により、本発明のキャリア付銅箔１０は、キャリア１２の剥離層１６側の表面に密着金属層１３及び／又は剥離補助層１４を有していてもよく、好ましくは密着金属層１３及び剥離補助層１４をこの順に有する。また、キャリア１２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。キャリア付銅箔１０は、上述した反射防止層１７、及び所望により密着金属層１３及び／又は剥離補助層１４を備えること以外は、公知の層構成を採用すればよく特に限定されない。
　このように、剥離層１６と極薄銅層１８の間に、所定の金属で構成され、少なくとも極薄銅層１８側の表面が金属粒子の集合体である反射防止層１７を介在させることにより、１）コアレス支持体表面の配線層形成時に反射防止層が銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈するとともに、２）銅フラッシュエッチング後の画像検査時（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））に反射防止層とのコントラストにより配線層の優れた視認性をもたらす、キャリア付銅箔を提供することが可能となる。すなわち、上記１）に関して、反射防止層１７を構成するＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属は、銅フラッシュエッチング液に対して溶解しないという性質を有し、その結果、銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。また、上記２）に関して、反射防止層１７の少なくとも極薄銅層１８側の表面を構成する金属粒子の集合体は、その金属質の材質及び粒状形態に起因して望ましい暗色を呈し、その暗色が銅で構成される配線層との間で望ましい視覚的コントラストをもたらし、その結果、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性を向上させる。その上、本発明のキャリア付銅箔を用いて配線層付コアレス支持体又はプリント配線板を製造する際には、３）反射防止層をフラッシュエッチングにより除去する際に反射防止層下に露出してくる配線層の浸食を有意に抑制することができる。すなわち、反射防止層１７を構成するＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属をフラッシュエッチングするためのエッチング液として、選択性の高いエッチング液を用いることができる結果、配線層を構成する銅のエッチング液による溶解を抑制又は回避することができる。
　キャリア１２の材質はガラス、セラミックス、樹脂、及び金属のいずれであってもよい。また、キャリア１２の形態はシート、フィルム、板、及び箔のいずれであってもよい。また、キャリア１２はこれらのシート、フィルム、板、及び箔等が積層されたものであってもよい。例えば、キャリア１２はガラス板、セラミックス板、金属板等といった剛性を有する支持体として機能し得るものであってもよいし、金属箔や樹脂フィルム等といった剛性を有しない形態であってもよい。キャリア１２の金属の好ましい例としては、銅、チタン、ニッケル、ステンレススチール、アルミニウム等が挙げられる。セラミックスの好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム（ファインセラミックス）等が挙げられる。樹脂の好ましい例としては、ＰＥＴ樹脂、ＰＥＮ樹脂、アラミド樹脂、ポリイミド樹脂、ナイロン樹脂、液晶ポリマー、ＰＥＥＫ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＥＴＦＥ樹脂等が挙げられる。より好ましくは、電子素子を搭載する際の加熱に伴うコアレス支持体の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０～２３ｐｐｍ／Ｋ）の材料であり、そのような材料の例としては上述したような各種樹脂（特にポリイミド樹脂、液晶ポリマー等の低熱膨張樹脂）、ガラス及びセラミックス等が挙げられる。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、キャリア１２はビッカース硬度が１００ＨＶ以上であるのが好ましく、より好ましくは１５０～２５００ＨＶである。これらの特性を満たす材料として、キャリア１２は樹脂フィルム、ガラス又はセラミックスで構成されるのが好ましく、より好ましくはガラス又はセラミックスで構成され、特に好ましくはガラスで構成される。例えばガラスシートである。ガラスをキャリア１２として用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、極薄銅層１８の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリアがガラスである場合、電子素子搭載時に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、プリント配線板製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、後述するビルドアップ層付積層体分離時に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア１２を構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、特に好ましくは無アルカリガラスである。無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３～５ｐｐｍ／Ｋの範囲で低く安定しているため、電子素子として半導体チップを搭載した際、ガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。キャリアの厚さは１００～２０００μｍが好ましく、より好ましくは３００～１８００μｍ、更に好ましくは４００～１１００μｍである。このような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来たさない適切な強度を確保しながらプリント配線板の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。
　キャリア１２の剥離層１６側（存在する場合には密着金属層１３側）の表面は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠して測定される、０．１～７０ｎｍの算術平均粗さＲａを有するのが好ましく、より好ましくは０．５～６０ｎｍ、さらに好ましくは１．０～５０ｎｍ、特に好ましくは１．５～４０ｎｍ、最も好ましくは２．０～３０ｎｍである。このように算術平均粗さが小さいほど、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面（極薄銅層１８の外側表面）において望ましく低い算術平均粗さＲａをもたらすことができ、それにより、キャリア付銅箔１０を用いて製造されるプリント配線板において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１３μｍ以下／１３μｍ以下（例えば１２μｍ／１２μｍ～２μｍ／２μｍ）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンの形成を形成するのに適したものとなる。
　所望により設けられる密着金属層１３は、キャリアとの密着性を確保する点から、Ｔｉ、Ｃｒ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される層であるのが好ましく、純金属であってもよいし、合金であってもよい。密着金属層１３を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、密着金属層１３の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。密着金属層１３はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。密着金属層１３は、金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。密着金属層１３の厚さは５～５００ｎｍであるのが好ましく、より好ましく１０～３００ｎｍ、さらに好ましくは１８～２００ｎｍ、特に好ましくは２０～１００ｎｍである。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　所望により設けられる剥離補助層１４は、剥離層１６との剥離強度を所望の値に制御とする点、コアレス支持体ないしキャリアを剥離した際に生じる中間層の脱離現象の防止による優れた配線パターンを形成する点等から、銅で構成される層であるのが好ましい。剥離補助層１４を構成する銅は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、剥離補助層１４成膜前後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。もっとも、特に制限はされるものではないが、密着金属層１３と剥離補助層１４は、大気開放することなく連続で製膜される方が望ましい。剥離補助層１４はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。剥離補助層１４は、銅ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。剥離補助層１４の厚さは５～５００ｎｍであるのが好ましく、より好ましく１０～４００ｎｍ、さらに好ましくは１５～３００ｎｍ、特に好ましくは２０～２００ｎｍである。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　なお、密着金属層１３及び剥離補助層１４との間には、別の介在層が存在していてもよい。介在層の構成材料の例としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属とＣｕとの合金等が挙げられる。
　あるいは、密着金属層１３及び剥離補助層１４を、１層の中間合金層で置き換えることもできる。この中間合金層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属（以下、金属Ｍという）の含有量が１．０ａｔ％以上であり、かつ、Ｃｕ含有量が３０ａｔ％以上である銅合金で構成されるのが好ましい。すなわち、キャリア１２と中間合金層との密着性を確保し、かつ、剥離層１６への剥離容易性を両立させる点から、中間合金層を構成する金属は、金属ＭとＣｕとの銅合金であることが好ましい。これらの中でも、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｍｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含有する金属と、Ｃｕとの合金がより好ましい。中間合金層における金属Ｍの含有率は１．０原子％以上が好ましく、より好ましくは３．０原子％以上、さらに好ましくは５．０原子％以上である。中間合金層における金属Ｍの含有率の上限は特に限定されないが、金属Ｍ含有率は好ましくは３０原子％以下であり、より好ましくは２０原子％以下である。中間合金層におけるＣｕ含有率は３０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは４０原子％以上、さらに好ましくは５０原子％以上である。中間合金層におけるＣｕの含有率の上限は特に限定されないが、Ｃｕ含有率は好ましくは９９．５原子％以下であり、より好ましくは９７．０原子％以下、さらに好ましくは９６．０原子％以下である。中間合金層はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。中間合金層は、銅合金ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。中間合金層の厚さは５～５００ｎｍであるのが好ましく、より好ましく１０～４００ｎｍ、さらに好ましくは１５～３００ｎｍ、特に好ましくは２０～２００ｎｍである。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。なお、中間合金層の内部には、別の介在層が存在していてもよい。介在層の構成材料の例としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属とＣｕとの合金等が挙げられる。
　剥離層１６は、キャリア１２の剥離を可能とする層であり、キャリア付銅箔の剥離層として採用される公知の材料で構成されることができる。剥離層１６は、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよい。有機剥離層に用いられる有機成分の例としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物、カルボン酸等が挙げられる。窒素含有有機化合物の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物等が挙げられる。一方、無機剥離層に用いられる無機成分の例としては、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｚｎの少なくとも一種類以上の金属酸化物、炭素層等が挙げられる。これらの中でも特に、剥離層１６は主として炭素を含んでなる層であるのが剥離容易性や膜形成性の点等から好ましく、より好ましくは主として炭素又は炭化水素からなる層であり、さらに好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる。この場合、剥離層１６（すなわち炭素層）はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離層１６（特に炭素層）は不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、炭素、水素等）を含みうる。また、剥離層１６（特に炭素層）には反射防止層１７の成膜手法に起因して金属原子が混入しうる。炭素はキャリアとの相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、銅箔層と接合界面との間での高温加熱による金属結合の形成を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。この剥離層１６もスパッタリング等の気相法により形成された層であるのがアモルファスカーボン中の過度な不純物を抑制する点、前述の密着金属層１３及び／又は剥離補助層１４の成膜との連続生産性の点などから好ましい。剥離層１６の厚さは１～２０ｎｍが好ましく、より好ましくは１～１０ｎｍである。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　反射防止層１７はＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成され、少なくとも極薄銅層１８側の表面が金属粒子の集合体である。この際、反射防止層１７は、全体が金属粒子の集合体で構成される層構造であってもよいし、金属粒子の集合体からなる層とその下部に粒子状ではない層とを含む複数層の構造であってもよい。前述したとおり、反射防止層１７の極薄銅層１８側の表面を構成する金属粒子の集合体は、その金属質の材質及び粒状形態に起因して望ましい暗色を呈し、その暗色が銅で構成される配線層との間で望ましい視覚的コントラストをもたらし、その結果、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性を向上させる。すなわち、反射防止層１７の表面は金属粒子の凸形状に起因して光が乱反射して黒く視認される。しかも、反射防止層１７は剥離層１６との適度な密着性と剥離性、極薄銅層１８との密着性にも優れ、フォトレジスト層形成時における現像液に対する耐剥離性にも優れる。このようなコントラスト及び視認性向上の観点から、反射防止層１７の極薄銅層１８側の表面の光沢度Ｇｓ（６０°）は５００以下であるのが好ましく、より好ましくは４５０以下、さらに好ましくは４００以下、特に好ましくは３５０以下、最も好ましくは３００以下である。光沢度Ｇｓ（６０°）の下限値は低ければ低い方が良いため、特に限定されないが、反射防止層１７の極薄銅層１８側の表面の光沢度Ｇｓ（６０°）は現実的には１００以上であり、より現実的には１５０以上である。なお、粗化粒子の画像解析による鏡面光沢度Ｇｓ（６０°）はＪＩＳ　Ｚ　８７４１－１９９７（鏡面光沢度－測定方法）に準拠して市販の光沢度計を用いて測定することができる。
　また、コントラスト及び視認性の向上、並びにフラッシュエッチングの均一性向上の観点から、反射防止層１７の極薄銅層１８側の表面は、ＳＥＭ画像解析により決定される投影面積円相当径が１０～１００ｎｍである金属粒子の集合体で構成されるのが好ましく、より好ましくは２５～１００ｎｍ、さらに好ましくは６５～９５ｎｍである。このような投影面積円相当径の測定は、反射防止層１７の表面を走査型電子顕微鏡により所定の倍率（例えば５００００倍）で撮影し、得られたＳＥＭ像の画像解析により行うことができる。具体的には、市販の画像解析式粒度分布ソフトウェア（例えば、Ｍｏｕｎｔｅｃｈ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．社製、Ｍａｃ－ＶＩＥＷ）を用いて測定される投影面積円相当径の相加平均値を採用する。
　反射防止層１７は、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属で構成され、好ましくはＴａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属で、より好ましくはＴｉ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属で、最も好ましくはＴｉで構成される。これらの金属は純金属であってもよいし、合金であってもよい。いずれにしても、これらの金属は本質的に酸化されていない（本質的に金属酸化物ではない）のがＣｕとの視覚的コントラストを向上する望ましい暗色を呈するため好ましく、具体的には、反射防止層１７の酸素含有量が０～１５原子％であるのが好ましく、より好ましくは０～１３原子％、さらに好ましくは１～１０原子％である。いずれにしても上記金属は、銅フラッシュエッチング液に対して溶解しないという性質を有し、その結果、銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。反射防止層１７の厚さは１～５００ｎｍであるのが好ましく、より好ましく１０～３００ｎｍ、さらに好ましくは２０～２００ｎｍ、特に好ましくは３０～１５０ｎｍである。
　極薄銅層１８は、いかなる方法で製造されたものでよく、例えば、無電解銅めっき法及び電解銅めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び真空蒸着等の物理気相成膜法、化学気相成膜、又はそれらの組合せにより形成した銅箔であってよい。特に好ましい極薄銅層は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、スパッタリング法や及び真空蒸着等の気相法により形成された銅層であり、最も好ましくはスパッタリング法により製造された銅層である。また、極薄銅層は、無粗化の銅層であるのが好ましいが、プリント配線板製造時の配線パターン形成に支障を来さないかぎり予備的粗化やソフトエッチング処理や洗浄処理、酸化還元処理により二次的な粗化が生じたものであってもよい。極薄銅層１８の厚さは特に限定されないが、上述したようなファインピッチ化に対応するためには、５０～３０００ｎｍが好ましく、より好ましくは７０～２５００ｎｍ、さらに好ましくは８０～２０００ｎｍ、特に好ましくは９０～１５００ｎｍ、特により好ましくは１２０～１０００ｎｍ、最も好ましくは１５０～５００ｎｍである。このような範囲内の厚さの極薄銅層はスパッタリング法により製造されるのが成膜厚さの面内均一性や、シート状やロール状での生産性の観点で好ましい。
　極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面（極薄銅層１８の外側表面）が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠して測定される、１．０～１００ｎｍの算術平均粗さＲａを有するのが好ましく、より好ましくは２．０～４０ｎｍ、さらに好ましくは３．０～３５ｎｍ、特に好ましくは４．０～３０ｎｍ、最も好ましくは５．０～１５ｎｍである。このように算術平均粗さが小さいほど、キャリア付銅箔１０を用いて製造されるプリント配線板において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１３μｍ以下／１３μｍ以下（例えば１２μｍ／１２μｍ～２μｍ／２μｍ）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンの形成を形成するのに適したものとなる。
　反射防止層１７、極薄銅層１８、所望により密着金属層１３、所望により剥離補助層１４、及び所望により剥離層１６（すなわち少なくとも反射防止層１７及び極薄銅層１８）が、キャリア１２の端面にまで延出して当該端面が被覆されるのが好ましい。すなわち、キャリア１２の表面のみならず端面も少なくとも反射防止層１７及び極薄銅層１８で被覆されていることが好ましい。端面も被覆することで、プリント配線板工程におけるキャリア１２への薬液の侵入を防止することができる他、コアレス支持体をハンドリングする際（例えばローラ搬送される際）の側端部における剥離によるチッピング、すなわち剥離層１６上の皮膜（すなわち極薄銅層１８及び反射防止層１７）の欠けを強固に防止させることができる。密着金属層１３のキャリア１２端面における成膜厚さ（端面に対して垂直方向の厚さ、以下「端面厚」という）は、好ましくは２～３５０ｎｍ、より好ましくは３～２２０ｎｍ、さらに好ましくは５～１５０ｎｍ、特に好ましくは６～７０ｎｍである。剥離補助層１４の端面厚は、好ましくは２～３５０ｎｍ、より好ましくは３～２２０ｎｍ、さらに好ましくは５～１５０ｎｍ、特に好ましくは６～７０ｎｍである。剥離層１６の端面厚は、好ましくは０～１５ｎｍ、より好ましくは０～３ｎｍ、さらに好ましくは０～１ｎｍ、特に好ましくは０～０．５ｎｍ、最も好ましくは０ｎｍである。すなわち、キャリア端面には剥離層１６が形成されないのが最も好ましい。反射防止層１７の端面厚は、好ましくは２～３５０ｎｍ、より好ましくは３～２２０ｎｍ、さらに好ましくは５～１５０ｎｍ、特に好ましくは６～７０ｎｍである。極薄銅層１８の端面厚は、好ましくは１５～２８００ｎｍ、より好ましくは２０～１８００ｎｍ、さらに好ましくは２５～１４００ｎｍ、特に好ましくは２７～１３５０ｎｍ、特により好ましくは３５～７００ｎｍ、最も好ましくは４５～３５０ｎｍである。また、キャリア１２の端面における被覆領域は、キャリア１２の表面から厚さ方向（すなわちキャリア表面に対して垂直な方向）に好ましくは０．１ｍｍ以上の領域、より好ましくは０．２ｍｍ以上の領域、さらに好ましくはキャリア１２の端面全域を被覆させる。こうすることで、コアレス支持体の側端部における皮膜の欠けやプリント配線板工程におけるキャリアへの薬液の侵入を効果的に防止することができる。
　キャリア付銅箔の製造方法
　本発明によるキャリア付銅箔１０は、上述したキャリア１２を用意し、キャリア１２上に、剥離層１６、反射防止層１７、及び極薄銅層１８を形成することにより製造することができる。また、剥離層１６の形成に先立ち、キャリア１２上に、密着金属層１３及び／又は剥離補助層１４を形成していてもよく、好ましくは密着金属層１３及び剥離補助層１４をこの順に形成する。いずれにしても、密着金属層１３（存在する場合）、剥離補助層１４（存在する場合）、剥離層１６、反射防止層１７及び極薄銅層１８の各層の形成は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、気相法により行われるのが好ましい。気相法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍ～５０００ｎｍといった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、密着金属層１３（存在する場合）、剥離補助層１４（存在する場合）、剥離層１６、反射防止層１７及び極薄銅層１８の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。気相法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。以下、密着金属層１３（存在する場合）、剥離補助層１４（存在する場合）、剥離層１６、反射防止層１７及び極薄銅層１８の各層の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜について説明する。
　所望により設けられる密着金属層１３の気相法による成膜は、Ｔｉ、Ｃｒ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１～２０Ｐａの範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５～１０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。
　所望により設けられる剥離補助層１４の気相法による成膜は、銅ターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。銅ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１～２０Ｐａの範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５～１０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。
　剥離層１６が炭素層である場合、炭素層の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、カーボンターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。カーボンターゲットはグラファイトで構成されるのが好ましいが、不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素や炭素）を含みうる。カーボンターゲットの純度は９９．９９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９９％以上である。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１～２．０Ｐａの範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５～１０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。
　反射防止層１７の成膜は、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法により行われるのが好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。特に、反射防止層１７のマグネトロンスパッタ法による成膜は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、圧力１～２０Ｐａで行われるのが好ましい。スパッタリング圧力は、より好ましくは２～１８Ｐａ、さらに好ましくは３～１５Ｐａである。このようなスパッタリング圧力は通常採用されるスパッタリング圧力よりも顕著に高いものであり、それにより、反射防止層１７の表面を本質的に酸化させることなく、望ましい形態の金属粒子の集合体を面内均一に形成することができる。上記スパッタリング条件によれば、望ましい投影面積円相当径及び望ましい光沢度Ｇｓ（６０°）をもたらすこともできる。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜できるとの利点もある。なお、上記圧力範囲の制御は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することにより行えばよい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり１．０～１５．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。また、製膜時にキャリア温度を一定に保持するのが、安定した膜特性（例えば膜抵抗や結晶サイズ）を得やすい点で好ましい。成膜時のキャリア温度は２５～３００℃の範囲内で調整することが好ましく、より好ましくは４０～２００℃、さらに好ましくは５０～１５０℃の範囲内である。
　極薄銅層１８の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、銅ターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。銅ターゲットは金属銅で構成されるのが好ましいが、不可避不純物を含みうる。銅ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９％、さらに好ましくは９９．９９９％以上である。極薄銅層１８の気相成膜時の温度上昇を避けるため、スパッタリングの際、ステージの冷却機構を設けてもよい。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、安定的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１～２．０Ｐａの範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５～１０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。
　なお、キャリア１２の端面における密着金属層１３、剥離補助層１４、剥離層１６、反射防止層１７及び／又は極薄銅層１８の形成は、上述したスパッタリング法において、ステージ上でキャリア１２の端面を露出させた状態で成膜を行うことにより、容易に実施することができる。このとき、キャリア１２の端面にはキャリア１２の表面に成膜される層の厚さの２０％～７０％の厚さ（端面厚）で成膜されるのが典型的である。一方、剥離層１６を形成する際など、端面に極端に薄い厚さで成膜する場合は、キャリア１２の側端部を遮蔽してスパッタリングするのが好ましい。この遮蔽方法の例としては、マスキングテープによる遮蔽、マスキングプレートによる遮蔽が挙げられる。
　コアレス支持体用積層板
　本発明のキャリア付銅箔はコアレス支持体用積層板の形態で提供されてもよい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、上記キャリア付銅箔を備えた、コアレス支持体用積層板が提供される。コアレス支持体用積層板の形態としては以下の２つの形態が挙げられる。（ｉ）コアレス支持体用積層板の第一の形態は、キャリア付銅箔そのものの形態である。すなわち、キャリア１２の少なくとも片面に、必要に応じて密着金属層１３／必要に応じて剥離補助層１４／剥離層１６／反射防止層１７／極薄銅層１８がこの順に積層されたキャリア付銅箔１０そのものの形態であり、キャリアの両面に必要に応じて密着金属層１３／必要に応じて剥離補助層１４／剥離層１６／反射防止層１７／極薄銅層１８がこの順に積層された形態を含まれる。いずれにしても、キャリア１２がガラス板や金属板の場合など、キャリア単体に剛性があり支持体として機能し得る場合、この形態が成立する。例えば、ガラスをキャリア１２として用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、剛直で表面が平坦なため、極薄銅層１８の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。（ｉｉ）コアレス支持体用積層板の第二の形態は、キャリア１２の剥離層１６と反対側（すなわちキャリア１２の外側表面）に接着剤層を備えた形態である。キャリア１２が金属箔、樹脂フィルム等の、剛性が無い材料で構成される場合にこの形態が考えられる。この場合、接着剤層の例としては、樹脂層、（ガラス等の）繊維強化性プリプレグ等が挙げられる。例えば、極薄銅層１８／反射防止層１７／剥離層１６／必要に応じて剥離補助層１４／必要に応じて密着金属層１３／キャリア１２／接着剤層（図示せず）／キャリア１２／必要に応じて密着金属層１３／必要に応じて剥離補助層１４／剥離層１６／反射防止層１７／極薄銅層１８の層構成を採用することも可能である。
　配線層付コアレス支持体の製造方法
　本発明のキャリア付銅箔を用いて配線層付コアレス支持体を製造することができる。以下、配線層付コアレス支持体の好ましい製造方法について説明する。この配線層付コアレス支持体の製造方法は、（１）キャリア付銅箔の準備工程と、（２）フォトレジスト層の形成工程と、（３）電気銅めっき層の形成工程と、（４）フォトレジスト層の剥離工程と、（５）フラッシュエッチング工程とを含む。これらの工程を含む配線層付コアレス支持体の製造方法が模式的に図２及び３に示される。
（１）キャリア付銅箔の準備工程
　キャリア付銅箔１０を支持体として用意する（図２（ａ）参照）。上述のとおり、キャリア付銅箔１０はコアレス支持体用積層板の形態で用意されうる。すなわち、上述したように、キャリア付銅箔そのものの形態で提供されてもよいし、キャリア１２の剥離層１６と反対側（すなわちキャリア１２の外側表面）に接着剤層を備えた形態（例えば、極薄銅層１８／反射防止層１７／剥離層１６／剥離補助層１４／密着金属層１３／キャリア１２／接着剤層（図示せず）／キャリア１２／密着金属層１３／剥離補助層１４／剥離層１６／反射防止層１７／極薄銅層１８の層構成）で用意されてもよい。
（２）フォトレジスト層の形成工程
　極薄銅層１８の表面にフォトレジスト層２０を所定のパターンで形成する（図２（ｂ）参照）。フォトレジストは感光性フィルムであるのが好ましく、例えば感光性ドライフィルムである。フォトレジスト層２０は、露光及び現像により所定の配線パターンを付与すればよい。
（３）電気銅めっき層の形成工程
　極薄銅層１８の露出表面（すなわちフォトレジスト層２０でマスキングされていない部分）に電気銅めっき層２２を形成する（図２（ｃ）参照）。電気銅めっきは公知の手法により行えばよく、特に限定されない。
（４）フォトレジスト層の剥離工程
　次いで、フォトレジスト層２０を剥離する。その結果、図３（ｄ）に示されるように、電気銅めっき層２２が配線パターン状に残り、配線パターンを形成しない部分の極薄銅層１８が露出する。
（５）銅フラッシュエッチング工程
　極薄銅層１８の不要部分を銅フラッシュエッチングにより除去して反射防止層１７を露出させ、それにより配線層２４が形成されたコアレス支持体（以下、配線層付コアレス支持体２６という）を得る。このフラッシュエッチング液は、硫酸／過酸化水素混合液や、過硫酸ナトリウム及び過硫酸カリウムの少なくともいずれか１種を含む液を用いるのが、電気銅めっき層２２の過度なエッチングを回避しながら、露出した極薄銅層１８を確実にエッチングできる点で好ましい。こうして、図３（ｅ）に示されるように、電気銅めっき層２２／極薄銅層１８が配線パターン状に残り、配線パターンを形成しない部分の反射防止層１７がフラッシュエッチング液により溶解されず残留し、表面に露出することとなる。このとき、反射防止層１７を構成するＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属は、銅フラッシュエッチング液に対して溶解しないという性質を有するので、銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。すなわち、反射防止層１７は銅フラッシュエッチングで除去されることなく、次なる画像検査工程のために露出状態で残される。
（６）画像検査等（任意工程）
　上記銅フラッシュエッチング後、反射防止層１７を露出させたままの状態で、配線層付コアレス支持体２６（具体的には配線層２４）を画像検査する工程を行うのが好ましい。画像検査は、典型的には、光学式自動外観検査（ＡＯＩ）装置を用いて光源から所定の光を照射して、配線パターンの二値化画像を取得し、この二値化画像と設計データ画像とのパターンマッチングを試み、両者間における一致／不一致を評価することにより行われる。このとき、反射防止層１７の表面を構成する金属粒子の集合体は、その金属質の材質及び粒状形態に起因して望ましい暗色を呈し、その暗色が銅で構成される配線層２４との間で望ましい視覚的コントラストをもたらすので、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性を向上させる。
　上記画像検査後、必要に応じて、配線層付コアレス支持体２６上に、チップ等の電子素子２８を搭載する工程を行うのが好ましく、これによりプリント配線板を製造することができる。ところで、前述したように、このように配線層２４を形成した後にチップの実装を行うプロセスはＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法と呼ばれる手法である。この工法によれば、チップの実装を行う前にコアレス支持体表面の配線層やその後に積層される各ビルドアップ配線層の画像検査を行うことができるため、各配線層の不良部分を避けて、良品部分にのみチップを実装できる。その結果、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法はチップの無駄使いを回避できる点で、チップの表面に配線層を逐次積層する工法であるＣｈｉｐ－Ｆｉｒｓｔ法等と比較すると経済的に有利である。この点、本発明のキャリア付銅箔１０にあっては、上述したとおり、所定の金属で構成され、その極薄銅層１８側の表面が金属粒子の集合体である反射防止層１７を採用することで、画像検査における電気銅めっき層２２の表面と反射防止層１７の表面とのコントラストが十分に得ることができ、画像検査を高い精度で行なうことが可能となる。例えば、光学式自動外観検査（ＡＯＩ）装置により取得される配線パターンの二値化画像がより正確かつ鮮明なものとなる。こうして、プリント配線板の製造プロセス（特にＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法）において、チップ実装前の配線層に対する画像検査を高精度に行うことができ、それにより製品歩留まりを向上することができる。また、任意工程として想定される、コアレス支持体２６の配線層上に搭載される電子素子２８の例としては、半導体素子、チップコンデンサ、抵抗体等が挙げられる。電子素子搭載の方式の例としては、フリップチップ実装方式、ダイボンディング方式等が挙げられる。フリップチップ実装方式は、電子素子２８の実装パッドと、コアレス支持体２６上の配線層２４との接合を行う方式である。この実装パッド上には柱状電極（ピラー）やはんだバンプ等が形成されてもよく、実装前にコアレス支持体２６の配線層２４表面に封止樹脂膜であるＮＣＦ（Ｎｏｎ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）等を貼り付けてもよい。接合は、はんだ等の低融点金属を用いて行われるのが好ましいが、異方導電性フィルム等を用いてもよい。ダイボンディング接着方式は、コアレス支持体２６表面の配線層２４に対して、電子素子２８の実装パッド面と反対側の面を接着する方式である。この接着には、熱硬化樹脂と熱伝導性の無機フィラーを含む樹脂組成物である、ペーストやフィルムを用いるのが好ましい。
　プリント配線板の製造方法
　本発明の配線層付コアレス支持体を用いてプリント配線板を製造することができる。以下、プリント配線板の好ましい製造方法について説明する。このプリント配線板の製造方法は、（１）配線層付コアレス支持体の製造工程と、（２）ビルドアップ層付積層体の作製工程と、（３）ビルドアップ層付積層体の分離工程と、（４）反射防止層の除去工程とを含む。これらの工程を含むプリント配線板の製造方法が模式的に図２～４（特に図４）に示される。
（１）配線層付コアレス支持体の製造工程
　上述した本発明の方法により配線層付コアレス支持体２６を製造する。すなわち、本発明のプリント配線板の製造方法は、上述した配線層付コアレス支持体の製造方法の一連の工程を含むものであり、ここでの繰り返しの説明は省略する。
（２）ビルドアップ層付積層体の作製工程
　配線層付コアレス支持体２６の配線層２４が形成された面にビルドアップ層３０を形成してビルドアップ層付積層体３２を作製する（図４（ｇ）参照）。なお、図４においてビルドアップ層３０の詳細は示されていないが、一般的にプリント配線板において採用される公知のビルドアップ配線層の構成を採用すればよく特に限定されない。
（３）ビルドアップ層付積層体の分離工程
　ビルドアップ層付積層体３２を剥離層１６で分離してビルドアップ層３０を含む多層配線板３４を得る。すなわち、キャリア１２、密着金属層１３（存在する場合）、剥離補助層１４（存在する場合）、及び剥離層１６が剥離除去される。この分離工程においては、物理的な分離、化学的な分離等が採用されうる。物理的分離法は、手や治工具、機械等でキャリア１２等をビルドアップ層３０から引き剥がすことにより分離して多層配線板３４を得る手法である（図４（ｈ）参照）。また、化学的分離法を採用する場合（特に密着金属層１３及び剥離補助層１４を有しない場合）、キャリア１２を溶解するキャリアエッチング液を用いて多層配線板３４を得ることができる。このキャリアエッチング液は、キャリア１２を溶解可能で、かつ、ビルドアップ層３０を構成する部材を溶解しない薬液でエッチングすることが好ましい。例えばキャリアがガラスである場合は、フッ酸や酸性フッ化アンモニウム等のガラスエッチング液等を用いてキャリアを溶解分離することが好ましい。化学的分離法は、キャリア１２にビルドアップ層３０が直接接している部位が広く強固に接着された場合において有効である。
（４）反射防止層の除去工程
　反射防止層１７をフラッシュエッチングにより除去して、プリント配線板３６を得る（図４（ｉ））。このフラッシュエッチングは、例えば以下の表１に例示されるように、反射防止層１７を構成する金属に応じて適切なエッチング液を選択して行うのが好ましい。表１に代表的なエッチング液を例示するが、これらに限定されるものではなく、酸やアンモニウム塩の種類、濃度、温度等は表１に記載の条件から適宜変更されうるものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　このようなエッチング液を用いることで反射防止層１７を選択的にフラッシュエッチングすることができるので、反射防止層１７下に露出してくる配線層２４（これは銅で構成される）の浸食を有意に抑制することができる。すなわち、反射防止層１７を構成するＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属をフラッシュエッチングするためのエッチング液として、選択性の高いエッチング液を用いることができる結果、配線層２４を構成する銅のエッチング液による溶解を抑制又は回避することができる。
　図４に示されるようなプリント配線板３６は様々な工法により外層を加工することが可能である。例えば、プリント配線板３６の配線層２４にさらにビルドアップ配線層としての絶縁層と配線層を任意の層数として積層してもよく、或いは配線層２４の表面にソルダーレジスト層を形成し、Ｎｉ－ＡｕめっきやＯＳＰ処理（水溶性プレフラックス処理、Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ　Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）等の外層パッドとしての表面処理を施してもよい。さらには外層パッドに柱状のピラー等を設けてもよい。いずれにしても、一般的にプリント配線板において採用される公知の工法を適宜追加的に行うことができ、特に限定されない。
　本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
　例１
（１）キャリア付銅箔の作製
　図１に示されるように、キャリア１２としてのガラスシート上に密着金属層１３、剥離補助層１４、剥離層１６、及び極薄銅層１８をこの順に成膜してキャリア付銅箔１０を作製した。具体的な手順は以下のとおりである。なお、以下の例において言及される算術平均粗さＲａはＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠して非接触表面形状測定機（Ｚｙｇｏ株式会社製ＮｅｗＶｉｅｗ５０３２）で測定された値である。
（１ａ）キャリアの準備
　算術平均粗さＲａ０．５ｎｍの表面を有する厚さ７００μｍのガラスシート（材質：無アルカリガラス、製品名：ＯＡ１０、日本電気硝子社製）を用意した。
　キャリア１２の端面をステンレス製プレートでマスキングした状態とし、下記のとおりスパッタリングよる各種層の形成を行った。
（１ｂ）密着金属層の形成
　キャリア１２の表面に、密着金属層１３として厚さ１００ｎｍのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式マグネロトンスパッタリング装置（トッキ株式会社製）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＴｉターゲット（純度９９．９９９％）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
‐　成膜時温度：４０℃
（１ｃ）剥離補助層の形成
　密着金属層１３の上に、剥離補助層１４として厚さ１００ｎｍの銅層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の銅ターゲット（純度９９．９８％）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
‐　成膜時温度：４０℃
（１ｄ）剥離層の形成
　剥離補助層１４の上に、剥離層１６として厚さ３ｎｍのアモルファスカーボン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の炭素ターゲット（純度９９．９９９％）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐　スパッタリング電力：１００Ｗ（０．３Ｗ／ｃｍ２）
‐　成膜時温度：４０℃
（１ｅ）反射防止層の形成
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのニッケル層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ１ｍｍのＮｉターゲット（Ｎｉ：１００重量％）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　スパッタリング圧：１２Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
‐　成膜時温度：４０℃
（１ｆ）極薄銅層の形成
　反射防止層１７の上に、膜厚３００ｎｍの極薄銅層１８を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。得られた極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面（すなわち外側表面）の算術平均粗さ（Ｒａ）は３ｎｍであった。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の銅ターゲット（純度９９．９８％）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
‐　成膜時温度：４０℃
（１ｇ）組成分析及び投影面積円相当径の測定
　組成分析等のためのサンプルとして、上記で得られたキャリア付銅箔の密着金属層１３、剥離補助層１４、剥離層１６及び反射防止層１７の製造条件と同様の製造条件により、ガラスシート上に密着金属層１３のみを形成したサンプルと、ガラスシート上に剥離補助層１４のみを形成したサンプルと、ガラスシート上に剥離層１６のみを形成したサンプルと、ガラスシート上に反射防止層１７のみを形成したサンプルとを別個に作製した。各々のサンプルに対して組成分析を以下のとおり行うことで各層の組成を把握した。
＜密着金属層、剥離補助層及び反射防止層の組成分析＞
　密着金属層１３、剥離補助層１４、及び反射防止層１７に対し、表面分析用のモニタリングサンプルを作成し、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析法）により元素分析を行った。この測定は定電流モードにより８００Ｖ－３ｍＡの条件で行った。その結果、密着金属層１３、剥離補助層１４及び反射防止層１７の組成はそれぞれ以下のとおりであった。
　密着金属層１３：Ｔｉ：９２．５原子％、Ｏ：７．５原子％
　剥離補助層１４：Ｃｕ：９９原子％、Ｏ：１原子％
　反射防止層１７：Ｎｉ：９９．６原子％、Ｏ：０．４原子％
＜剥離層の組成分析＞
　剥離層１６（すなわち炭素層）に対して、ＸＰＳにより元素分析を行い、炭素濃度を測定した。その結果、剥離層１６の炭素濃度は９３原子％（Ｃ＋Ｏ＝１００％）であった。
＜反射防止層表面の表面形状及び投影面積円相当径の測定＞
　反射防止層１７を形成した直後のサンプルを抜き取り、反射防止層１７の表面を走査型電子顕微鏡により５００００倍で撮影してＳＥＭ画像を得た。得られたＳＥＭ像を二値化画像した画像解析によって表面形状を特定し、粒子状の表面について２μｍ×１μｍの任意の視野範囲内の粒子について投影面積円相当径の平均値を求めた。この画像解析には、画像解析式粒度分布ソフトウェア（Ｍｏｕｎｔｅｃｈ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．社製、Ｍａｃ－ＶＩＥＷ）を用いた。測定は任意の５０個以上の粒子を対象とし、個々の粒子について投影面積円相当径を測定し、その相加平均値を算出した。結果は表２に示されるとおりであった。
　例２～５
　反射防止層１７としてニッケル層の代わりにチタン層を以下のようにして形成した作製したこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは３．７ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＴｉ：８５原子％、Ｏ：１５原子％（例２）、Ｔｉ：９１原子％、Ｏ：９原子％（例３）、Ｔｉ：９０原子％、Ｏ：１０原子％（例４）、Ｔｉ：８７原子％、Ｏ：１３原子％（例５）であった。
（チタン層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：１２Ｐａ（例２及び４）、４Ｐａ（例３）又は０．５Ｐａ（例５）
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）（例２）又は１０００Ｗ（３．１Ｗ）（例３～５）
　例６
　反射防止層１７としてニッケル層の代わりにクロム層を以下のようにして形成した作製したこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは３．５ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＣｒ：９８原子％、Ｏ：２原子％であった。
（クロム層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのクロム層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ６ｍｍのＣｒターゲット（Ｃｒ：９９．９）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：１２Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
　例７
　反射防止層１７としてニッケル層の代わりにタングステン層を以下のようにして形成した作製したこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは３．１ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＷ：９９原子％、Ｏ：１原子％であった。
（タングステン層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのタングステン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ４ｍｍのＷターゲット（Ｗ：９９．９重量％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：４Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
　例８
　反射防止層１７としてニッケル層の代わりにタンタル層を以下のようにして形成した作製したこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは３．２ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＴａ：９９原子％、Ｏ：１原子％であった。
（タンタル層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのタンタル層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ４ｍｍのＴａターゲット（Ｔａ：９９．９９％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：４Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
　例９
　反射防止層１７としてニッケル層の代わりにモリブデン層を以下のようにして形成した作製したこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは３．０ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＭｏ：９９．１原子％、Ｏ：０．９原子％であった。
（モリブデン層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのモリブデン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ６ｍｍのＭｏターゲット（Ｍｏ：９９．９９％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：４Ｐａ
‐　スパッタリング電力：２０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
　例１０（比較）
　反射防止層１７であるニッケル層の代わりにアルミニウム層を以下のようにして形成した作製したこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは５．１ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＡｌ：９９．４原子％、Ｏ：０．６原子％であった。
（アルミニウム層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのアルミニウム層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ８ｍｍのＡｌターゲット（Ａｌ：９９．９９９％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：１２Ｐａ
‐　スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
　例１１（比較）
　反射防止層１７であるニッケル層の代わりに銀層を以下のようにして形成した作製したこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは８．５ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＡｇ：９９．８原子％、Ｏ：０．２原子％であった。
（銀層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍの銀層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ８ｍｍのＡｇターゲット（Ａｇ：９９．９％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：１２Ｐａ
‐　スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
　例１２（比較）
　反射防止層１７であるニッケル層を以下のようにして形成して（粒子状ではなく）膜状の表面形状としたこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは２．７ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＮｉ：９９．５原子％、Ｏ：０．５原子％であった。
（ニッケル層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのＮｉ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）、厚さ１ｍｍのＮｉターゲットＮｉ：１００重量％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：０．０８Ｐａ
‐　スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
　例１３（比較）
　反射防止層１７であるチタン層を以下のようにして形成して（粒子状ではなく）膜状の表面形状としたこと以外は、例１と同様にして、キャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表２に示されるとおりであった。なお、極薄銅層１８の剥離層１６と反対側の表面の算術平均粗さＲａは２．７ｎｍであった。反射防止層１７以外の各層の組成は例１と概ね同様であった。反射防止層１７の組成はＴｉ：９２原子％、Ｏ：８原子％であった。
（チタン層の形成）
　剥離層１６の表面に、反射防止層１７として厚さ１００ｎｍのＴｉ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐　装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キャノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐　ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＴｉターゲット（純度９９．９９９％）
‐　キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐　到達真空度Ｐｕ：１×１０－４Ｐａ未満
‐　スパッタリング圧：０．０５Ｐａ
‐　スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
　例１４～１８
　ｉ）密着金属層１３、剥離補助層１４、反射防止層１７及び極薄銅層１８の形成をキャリア１２の端面にマスキングを施さずに行ったこと、及びｉｉ）剥離層１６の形成をステンレス鋼製プレートを用いたマスキングを施して行い、端面における剥離層１６の厚さ（端面厚）を変化させたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付銅箔の作製を行った。その結果、キャリア１２の端面における各層の厚さ（端面厚）は下記のとおりとなった。
‐　密着金属層１３：チタン層（端面厚：３５ｎｍ）
‐　剥離補助層１４：銅層（端面厚：３５ｎｍ）
‐　剥離層１６：炭素層（表３に示される各種端面厚）
‐　反射防止層１７：チタン層（端面厚：３８ｎｍ）
‐　極薄銅層１８：銅層（端面厚：１００ｎｍ）
　各種評価
　例１～１８のキャリア付銅箔について、以下に示されるとおり、各種評価を行った。評価結果は表２Ａ、２Ｂ及び３に示されるとおりであった。
＜現像液に対する耐剥離性＞
　各キャリア付銅箔の極薄銅層の表面を０．０５ｍｏｌ／Ｌの希硫酸で処理して表面の酸化膜の除去を行い、その後、水洗及び乾燥を行った。その後、極薄銅層の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍのパターンを与えるように露光及び現像を行った。現像は、現像液として１．０重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、２５℃で２分間、シャワー方式により行った。現像後における極薄銅層とキャリアとの間の層間界面（特に剥離層と密着金属層の間）への現像液の浸入による極薄銅層の剥離の有無ないし程度を評価した。得られた評価結果を以下の基準で格付けした。
　評価Ａ：極薄銅層の剥離が無かった。
　評価Ｂ：極薄銅層が直径５０μｍ以下のサイズで剥離した。
　評価Ｃ：極薄銅層が直径５０μｍよりも大きなサイズで剥離した。
＜極薄銅層フラッシュエッチング時の反射防止膜の耐薬品性＞
　上記現像後の配線層付コアレス支持体（パターン形成された配線間に極薄銅層が露出した状態のもの）を硫酸－過酸化水素混合液を含むエッチング液に２３℃で５分間、シャワー圧力０．１ＭＰａにて浸漬することにより銅フラッシュエッチングを行った。こうして、パターン形成された配線間に露出した極薄銅層を除去した。フラッシュエッチング後の配線層付コアレス支持体を観察することにより反射防止層の耐薬品性を評価した。得られた評価結果を以下の基準で格付けした。
　評価Ａ：反射防止層が消失することなく残留していた。
　評価Ｂ：反射防止層が一部消失した。
　評価Ｃ：反射防止層が全面に渡って消失し、配線の一部が浮き上がった。
　なお、上記評価において、例１０のサンプルは、極薄銅層フラッシュエッチング時に反射防止膜が消失したため、以下に続く表面光沢度の評価及びＡＯＩ視認性の評価の実施を断念した。
＜極薄銅層フラッシュエッチング後の反射防止層の表面光沢度Ｇｓ（６０°）＞
　例１～９及び１１～１３について、上記銅フラッシュエッチング後のコアレス支持体表面であって、反射防止層が露出した箇所（配線パターンが存在しない箇所）に対して光沢度計（日本電色工業株式会社製、ＰＧ－１Ｍ）を用い、ＪＩＳ　Ｚ　８７４１（１９９７）（鏡面光沢度－測定方法）に準拠して角度６０°の光沢度を測定した。
＜配線のＡＯＩ視認性＞
　例１～９及び１１～１３について、配線パターンの視認性を以下の手順により評価した。光源として６３５ｎｍの赤色ＬＥＤを備えた、光学式自動外観検査（ＡＯＩ）装置（大日本スクリーン製造社製、製品名：ＰＩ９５００）を用意した。上記銅フラッシュエッチング後の配線層付コアレス支持体の配線層側の表面をスキャンして輝度ヒストグラムを作成し、スペースと配線を識別可能とする閾値を設けた。この閾値の値は、輝度ヒストグラムのスペース（間隙部）由来のピークＰＳとライン（配線部）由来のピークＰＬの間において、それぞれのピーク末端間（間隙部に相当するピークの終端と配線部に相当するピークの開始点の間）の中央値とした。この閾値を基づいて配線パターンが形成された回路表面をスキャンしてラインとスペースを識別して、設計データとのパターンマッチングを行い、以下の４段階の基準により格付け評価した。
‐評価ＡＡ：設計どおりに非常に正確にライン／スペース像（以下、Ｌ／Ｓ像）が得られたもの
‐評価Ａ：概ね正確にＬ／Ｓ像が得られたもの、
‐評価Ｂ：許容可能な程度にＬ／Ｓ像が得られたもの、
‐評価Ｃ：ライン及びスペースの識別が困難であったもの
　配線パターンの視認性が良好であった例２について、配線パターンの光学式自動外観検査（ＡＯＩ）装置にてスキャンして二値化した。こうして得られた二値化画像を図５に示す。
＜コアレス支持体端部における皮膜欠けの評価＞
　上記得られた配線パターン付のコアレス支持体に対して、コアレス支持体端部における剥離層上の皮膜（すなわち極薄銅層及び反射防止層）の欠けの最大幅（ｍｍ）を測定し、以下の基準に従って格付けした。結果は表２Ｂ及び３に示されるとおりであった。
‐評価ＡＡ：０．１ｍｍ未満（最良）
‐評価Ａ：０．１ｍｍ以上１ｍｍ未満（良）
‐評価Ｂ：１ｍｍ以上２ｍｍ未満（許容可能）
‐評価Ｃ：２ｍｍ以上（不可）
＜薬液侵入幅の評価＞
　上記得られた配線パターン付のコアレス支持体に対して、１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズのプリプレグ（パナソニック社製ＦＲ－４、厚さ２００μｍ）を積層してプリプレグを硬化させ、プリント配線板を作製した。得られたプリント配線板に対して過マンガン酸ナトリウム溶液を用いたデスミア処理を行い、薬液侵入量を示す指標として薬剤侵入幅（ｍｍ）を測定した。
　このデスミア処理は、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社の以下に示される処理液を用いて、以下の各処理を順に行うことにより実施した。
［膨潤処理］
‐　処理液：サーキュポジットＭＬＢコンディショナー２１１‐１２０ｍＬ／Ｌ及び
　　　　　　サーキュポジットＺ‐１００ｍＬ／Ｌ
‐　処理条件：：７５℃で５分間浸漬
［過マンガン酸処理］
‐　処理液：サーキュポジットＭＬＢプロモーター２１３Ａ‐１１０ｍＬ／Ｌ、及び
　　　　　　サーキュポジットＭＬＢプロモーター２１３Ｂ‐１５０ｍＬ／Ｌ
‐　処理条件：８０℃で５分間浸漬
［中和処理］
‐　処理液：サーキュポジットＭＬＢニュートラライザー２１６－２‐２００ｍＬ／Ｌ
‐　処理条件：４５℃で５分間浸漬
　測定された薬液侵入幅（ｍｍ）を以下の基準に従って格付けした。結果は表２Ｂ及び３に示されるとおりであった。
‐評価ＡＡ：０．１ｍｍ未満（最良）
‐評価Ａ：０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満（良）
‐評価Ｂ：０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満（許容可能）
‐評価Ｃ：２ｍｍ以上（不可）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 

Claims (15)

  1. 　キャリアと、
    　前記キャリア上に設けられる剥離層と、
    　前記剥離層上に設けられ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される反射防止層と、
    　前記反射防止層上に設けられる極薄銅層と、
    を備え、前記反射防止層の少なくとも前記極薄銅層側の表面が金属粒子の集合体である、キャリア付銅箔。
  2. 　前記反射防止層の前記極薄銅層側の表面が、ＳＥＭ画像解析により決定される投影面積円相当径が２０～１００ｎｍである前記金属粒子の集合体で構成される、請求項１に記載のキャリア付銅箔。
  3. 　前記剥離層が主として炭素を含んでなる、請求項１又は２に記載のキャリア付銅箔。
  4. 　前記反射防止層の前記極薄銅層側の表面の光沢度Ｇｓ（６０°）が５００以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  5. 　前記反射防止層が１～５００ｎｍの厚さを有する、請求項１～４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  6. 　前記剥離層が１～２０ｎｍの厚さを有する、請求項１～５のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  7. 　前記極薄銅層の前記剥離層と反対側の表面が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠して測定される、１．０～１００ｎｍの算術平均粗さＲａを有する、請求項１～６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  8. 　前記反射防止層の酸素含有量が０～１５原子％である、請求項１～７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  9. 　前記キャリアがガラスで構成される、請求項１～８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  10. 　少なくとも前記反射防止層及び前記極薄銅層が、前記キャリアの端面にまで延出して前記端面が被覆される、請求項１～８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法であって、
    　前記キャリア上に前記剥離層を形成する工程と、
    　Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法により、不活性ガス雰囲気下、圧力１～２０Ｐａで、前記剥離層上に前記反射防止層を形成する工程と、
    　前記反射防止層上に前記極薄銅層を形成する工程と、
    を含む、方法。
  12. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を支持体として用意する工程と、
    　前記極薄銅層の表面にフォトレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
    　前記極薄銅層の露出表面に電気銅めっき層を形成する工程と、
    　前記フォトレジスト層を剥離する工程と、
    　前記極薄銅層の不要部分を銅フラッシュエッチングにより除去して前記反射防止層を露出させ、それにより配線層が形成されたコアレス支持体を得る工程と、
    を含む、配線層付コアレス支持体の製造方法。
  13. 　前記銅フラッシュエッチング後、前記反射防止層を露出させたままの状態で、前記配線層が形成されたコアレス支持体を画像検査する工程をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 　請求項１３に記載の方法により前記配線層付コアレス支持体を製造する工程と、
    　前記画像検査後、前記配線層が形成されたコアレス支持体上に電子素子を搭載する工程と、
    を含む、プリント配線板の製造方法。
  15. 　請求項１２又は１３に記載の方法により前記配線層付コアレス支持体を製造する、又は請求項１４に記載の方法により前記プリント配線板を製造する工程と、
    　前記配線層付コアレス支持体の前記配線層が形成された面にビルドアップ層を形成してビルドアップ層付積層体を作製する工程と、
    　前記ビルドアップ層付積層体を前記剥離層で分離して前記ビルドアップ層を含む多層配線板を得る工程と、
    　前記反射防止層をフラッシュエッチングにより除去して、プリント配線板を得る工程と、
    を含む、プリント配線板の製造方法。

     
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TW (1) TWI711127B (ja)
WO (2) WO2017149810A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019131000A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔
WO2019163605A1 (ja) * 2018-02-20 2019-08-29 三井金属鉱業株式会社 ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法
WO2019188498A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 三井金属鉱業株式会社 ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法
KR20200021998A (ko) 2017-10-26 2020-03-02 미쓰이금속광업주식회사 극박 구리박 및 캐리어 구비 극박 구리박, 그리고 프린트 배선판의 제조 방법
WO2020129299A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 三井金属鉱業株式会社 積層シート及びその使用方法
JP2020131552A (ja) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社東芝 キャリアおよび半導体装置の製造方法
WO2020235537A1 (ja) 2019-05-20 2020-11-26 三井金属鉱業株式会社 キャリア付金属箔並びにその使用方法及び製造方法
KR20210093849A (ko) 2018-11-20 2021-07-28 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 금속박 및 그것을 사용한 밀리미터파 안테나 기판의 제조 방법
JP2022513187A (ja) * 2018-12-10 2022-02-07 広州方邦電子股▲ふん▼有限公司 キャリア付金属箔及びその製造方法
WO2022102182A1 (ja) 2020-11-11 2022-05-19 三井金属鉱業株式会社 配線基板の製造方法
WO2022124116A1 (ja) 2020-12-08 2022-06-16 三井金属鉱業株式会社 キャリア付金属箔及びその製造方法
WO2022138238A1 (ja) 2020-12-23 2022-06-30 三井金属鉱業株式会社 配線基板及びそのトリミング方法、並びに多層配線板
WO2022209978A1 (ja) 2021-03-30 2022-10-06 三井金属鉱業株式会社 多層基板の製造方法及び配線基板
WO2022270370A1 (ja) 2021-06-24 2022-12-29 三井金属鉱業株式会社 配線基板の製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6816046B2 (ja) * 2018-02-06 2021-01-20 アオイ電子株式会社 半導体装置の製造方法
KR102107409B1 (ko) 2018-05-29 2020-05-28 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 상기 캐리어 기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
JP7389052B2 (ja) * 2018-11-20 2023-11-29 三井金属鉱業株式会社 積層体
JP7362378B2 (ja) * 2019-09-12 2023-10-17 株式会社東芝 キャリア及び半導体装置の製造方法
JP2021141142A (ja) 2020-03-03 2021-09-16 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法及び支持体
DE102020111895A1 (de) 2020-04-30 2021-11-04 Laser Imaging Systems Gmbh Herstellung von dreidimensionalen Strukturen mittels Photoresisten
WO2022118479A1 (ja) * 2020-12-04 2022-06-09 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法
CN113438830A (zh) * 2021-07-08 2021-09-24 江西柔顺科技有限公司 一种线路板及其制备方法
WO2023016061A1 (zh) * 2021-08-09 2023-02-16 广州方邦电子股份有限公司 金属箔、线路板及线路板的制备方法
CN113811093A (zh) * 2021-08-09 2021-12-17 广州方邦电子股份有限公司 金属箔、覆铜层叠板、线路板及线路板的制备方法
KR20230046856A (ko) * 2021-09-30 2023-04-06 롯데에너지머티리얼즈 주식회사 캐리어박 부착 극박동박 및 이를 이용한 임베디드 기판의 제조 방법
CN115058711B (zh) * 2022-06-17 2022-12-27 山东大学 一种易剥离的超薄载体铜箔的制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093951A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査用半導体基板、半導体基板の検査方法および半導体基板検査用モニター装置
JP2008182222A (ja) * 2006-12-28 2008-08-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 可撓性プリント配線基板および半導体装置
JP2010222657A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd キャリア箔付電解銅箔、キャリア箔付電解銅箔の製造方法及びそのキャリア箔付電解銅箔を用いて得られる銅張積層板
JP4726855B2 (ja) * 2006-05-19 2011-07-20 三井金属鉱業株式会社 キャリアシート付銅箔、キャリアシート付銅箔の製造方法、キャリアシート付表面処理銅箔及びそのキャリアシート付表面処理銅箔を用いた銅張積層板
JP2014046600A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Ajinomoto Co Inc 極薄銅層付きフィルム、極薄銅層付き接着フィルム、それらの製造方法、銅張積層板、及び配線板
WO2015076372A1 (ja) * 2013-11-22 2015-05-28 三井金属鉱業株式会社 埋設回路を備えるプリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られるプリント配線板
WO2015108191A1 (ja) * 2014-01-17 2015-07-23 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、積層体及びプリント配線板の製造方法
JP2015157472A (ja) * 2014-01-21 2015-09-03 東レＫｐフィルム株式会社 離型フィルム付銅箔

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4726855Y1 (ja) 1968-07-06 1972-08-17
US6270889B1 (en) * 1998-01-19 2001-08-07 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Making and using an ultra-thin copper foil
US7026059B2 (en) * 2000-09-22 2006-04-11 Circuit Foil Japan Co., Ltd. Copper foil for high-density ultrafine printed wiring boad
US6893742B2 (en) * 2001-02-15 2005-05-17 Olin Corporation Copper foil with low profile bond enhancement
JP2003243434A (ja) * 2002-02-13 2003-08-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4273895B2 (ja) 2003-09-24 2009-06-03 日立化成工業株式会社 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法
JP2006278774A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Hitachi Cable Ltd 両面配線基板の製造方法、両面配線基板、およびそのベース基板
JP4754402B2 (ja) * 2006-05-17 2011-08-24 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付銅箔、キャリア箔付銅箔の製造方法、キャリア箔付表面処理銅箔及びそのキャリア箔付表面処理銅箔を用いた銅張積層板
JP2009214308A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The キャリア付き銅箔
TWI354854B (en) * 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
WO2012043182A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Jx日鉱日石金属株式会社 プリント配線板用銅箔、その製造方法、プリント配線板用樹脂基板及びプリント配線板
US9066459B2 (en) * 2011-03-30 2015-06-23 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Manufacturing method of multilayer printed wiring board
CN102950835B (zh) * 2011-08-26 2015-07-01 昆山雅森电子材料科技有限公司 挠性印刷电路板用铜箔基板
CN104160068B (zh) * 2012-03-01 2017-05-24 三井金属矿业株式会社 带有载体箔的铜箔、带有载体箔的铜箔的制造方法、及用该带有载体箔的铜箔得到的激光打孔加工用覆铜层压板
JP2015035551A (ja) 2013-08-09 2015-02-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5885790B2 (ja) * 2013-08-20 2016-03-15 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、電子機器、電子機器の製造方法、並びに、プリント配線板の製造方法
TWI587757B (zh) * 2013-09-20 2017-06-11 Mitsui Mining & Smelting Co Copper foil, copper foil with carrier foil, and copper clad laminate
RU2017102506A (ru) * 2014-06-27 2018-07-27 Нек Корпорейшн Базовая станция, сервер, система и способ распределения беспроводных ресурсов
US9899239B2 (en) * 2015-11-06 2018-02-20 Apple Inc. Carrier ultra thin substrate

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093951A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査用半導体基板、半導体基板の検査方法および半導体基板検査用モニター装置
JP4726855B2 (ja) * 2006-05-19 2011-07-20 三井金属鉱業株式会社 キャリアシート付銅箔、キャリアシート付銅箔の製造方法、キャリアシート付表面処理銅箔及びそのキャリアシート付表面処理銅箔を用いた銅張積層板
JP2008182222A (ja) * 2006-12-28 2008-08-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 可撓性プリント配線基板および半導体装置
JP2010222657A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd キャリア箔付電解銅箔、キャリア箔付電解銅箔の製造方法及びそのキャリア箔付電解銅箔を用いて得られる銅張積層板
JP2014046600A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Ajinomoto Co Inc 極薄銅層付きフィルム、極薄銅層付き接着フィルム、それらの製造方法、銅張積層板、及び配線板
WO2015076372A1 (ja) * 2013-11-22 2015-05-28 三井金属鉱業株式会社 埋設回路を備えるプリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られるプリント配線板
WO2015108191A1 (ja) * 2014-01-17 2015-07-23 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、積層体及びプリント配線板の製造方法
JP2015157472A (ja) * 2014-01-21 2015-09-03 東レＫｐフィルム株式会社 離型フィルム付銅箔

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200021998A (ko) 2017-10-26 2020-03-02 미쓰이금속광업주식회사 극박 구리박 및 캐리어 구비 극박 구리박, 그리고 프린트 배선판의 제조 방법
KR20220164615A (ko) 2017-10-26 2022-12-13 미쓰이금속광업주식회사 극박 구리박 및 캐리어 구비 극박 구리박, 그리고 프린트 배선판의 제조 방법
US11576267B2 (en) 2017-10-26 2023-02-07 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Ultra-thin copper foil, ultra-thin copper foil with carrier, and method for manufacturing printed wiring board
CN111278644B (zh) * 2017-12-27 2023-05-12 三井金属矿业株式会社 带载体的铜箔
CN111278644A (zh) * 2017-12-27 2020-06-12 三井金属矿业株式会社 带载体的铜箔
US11765840B2 (en) 2017-12-27 2023-09-19 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Copper foil with carrier
TWI724351B (zh) * 2017-12-27 2021-04-11 日商三井金屬鑛業股份有限公司 附有載體之銅箔
JP2023033313A (ja) * 2017-12-27 2023-03-10 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔
KR20230172617A (ko) 2017-12-27 2023-12-22 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 구리박
JP7201621B2 (ja) 2017-12-27 2023-01-10 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔
KR20200102987A (ko) 2017-12-27 2020-09-01 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 구리박
JP7412523B2 (ja) 2017-12-27 2024-01-12 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔
JPWO2019131000A1 (ja) * 2017-12-27 2021-01-21 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔
WO2019131000A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔
KR102386554B1 (ko) * 2018-02-20 2022-04-14 미쓰이금속광업주식회사 유리 캐리어를 구비하는 구리박 및 그 제조 방법
CN111511543A (zh) * 2018-02-20 2020-08-07 三井金属矿业株式会社 带玻璃载体的铜箔及其制造方法
KR20200079515A (ko) 2018-02-20 2020-07-03 미쓰이금속광업주식회사 유리 캐리어를 구비하는 구리박 및 그 제조 방법
US11756845B2 (en) 2018-02-20 2023-09-12 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Copper foil with glass carrier and production method therefor
JPWO2019163605A1 (ja) * 2018-02-20 2021-03-18 三井金属鉱業株式会社 ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法
WO2019163605A1 (ja) * 2018-02-20 2019-08-29 三井金属鉱業株式会社 ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法
US11642870B2 (en) 2018-03-29 2023-05-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Glass carrier attached copper foil and method for producing same
KR102380411B1 (ko) * 2018-03-29 2022-04-01 미쓰이금속광업주식회사 유리 캐리어를 구비하는 구리박 및 그 제조 방법
JPWO2019188498A1 (ja) * 2018-03-29 2021-02-25 三井金属鉱業株式会社 ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法
KR20200079517A (ko) 2018-03-29 2020-07-03 미쓰이금속광업주식회사 유리 캐리어를 구비하는 구리박 및 그 제조 방법
WO2019188498A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 三井金属鉱業株式会社 ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法
KR20210093849A (ko) 2018-11-20 2021-07-28 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 금속박 및 그것을 사용한 밀리미터파 안테나 기판의 제조 방법
US11637358B2 (en) 2018-11-20 2023-04-25 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Carrier-containing metal foil and method for manufacturing millimeter-wave antenna substrate using same
JP2022513187A (ja) * 2018-12-10 2022-02-07 広州方邦電子股▲ふん▼有限公司 キャリア付金属箔及びその製造方法
JP7161620B2 (ja) 2018-12-10 2022-10-26 広州方邦電子股▲ふん▼有限公司 キャリア付金属箔及びその製造方法
WO2020129299A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 三井金属鉱業株式会社 積層シート及びその使用方法
JP7236464B2 (ja) 2018-12-18 2023-03-09 三井金属鉱業株式会社 積層シート及びその使用方法
US11961771B2 (en) 2018-12-18 2024-04-16 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Laminate sheet and method of use thereof
JPWO2020129299A1 (ja) * 2018-12-18 2021-10-21 三井金属鉱業株式会社 積層シート及びその使用方法
KR20210104652A (ko) 2018-12-18 2021-08-25 미쓰이금속광업주식회사 적층 시트 및 그 사용 방법
JP2020131552A (ja) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社東芝 キャリアおよび半導体装置の製造方法
WO2020235537A1 (ja) 2019-05-20 2020-11-26 三井金属鉱業株式会社 キャリア付金属箔並びにその使用方法及び製造方法
KR20210137176A (ko) 2019-05-20 2021-11-17 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비하는 금속박 그리고 그 사용 방법 및 제조 방법
WO2022102182A1 (ja) 2020-11-11 2022-05-19 三井金属鉱業株式会社 配線基板の製造方法
KR20230104908A (ko) 2020-11-11 2023-07-11 미쓰이금속광업주식회사 배선 기판의 제조 방법
KR20230117139A (ko) 2020-12-08 2023-08-07 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비하는 금속박 및 그 제조 방법
WO2022124116A1 (ja) 2020-12-08 2022-06-16 三井金属鉱業株式会社 キャリア付金属箔及びその製造方法
KR20230124640A (ko) 2020-12-23 2023-08-25 미쓰이금속광업주식회사 배선 기판 및 그 트리밍 방법, 그리고 다층 배선판
WO2022138238A1 (ja) 2020-12-23 2022-06-30 三井金属鉱業株式会社 配線基板及びそのトリミング方法、並びに多層配線板
KR20230164023A (ko) 2021-03-30 2023-12-01 미쓰이금속광업주식회사 다층 기판의 제조 방법 및 배선 기판
WO2022209978A1 (ja) 2021-03-30 2022-10-06 三井金属鉱業株式会社 多層基板の製造方法及び配線基板
WO2022270370A1 (ja) 2021-06-24 2022-12-29 三井金属鉱業株式会社 配線基板の製造方法
KR20240027704A (ko) 2021-06-24 2024-03-04 미쓰이금속광업주식회사 배선 기판의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI711127B (zh) 2020-11-21
KR102426429B1 (ko) 2022-07-29
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