WO2016143580A1 - 感光性樹脂組成物および電子部品 - Google Patents
感光性樹脂組成物および電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2016143580A1 WO2016143580A1 PCT/JP2016/056061 JP2016056061W WO2016143580A1 WO 2016143580 A1 WO2016143580 A1 WO 2016143580A1 JP 2016056061 W JP2016056061 W JP 2016056061W WO 2016143580 A1 WO2016143580 A1 WO 2016143580A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- organic group
- carbon atoms
- mol
- Prior art date
Links
- 0 CC(c(cc1*)cc(*)c1O)(c(cc1COC)cc(*)c1O)c(cc1COC)cc(COC)c1O Chemical compound CC(c(cc1*)cc(*)c1O)(c(cc1COC)cc(*)c1O)c(cc1COC)cc(COC)c1O 0.000 description 1
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N COCN(C(C(N1COC)N2COC)N(COC)C2=O)C1=O Chemical compound COCN(C(C(N1COC)N2COC)N(COC)C2=O)C1=O XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0233—Structure of the redistribution layers
- H01L2224/02331—Multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
- H01L2224/02379—Fan-out arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/024—Material of the insulating layers therebetween
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/03—Manufacturing methods
- H01L2224/036—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
- H01L2224/03618—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material with selective exposure, development and removal of a photosensitive material, e.g. of a photosensitive conductive resin
- H01L2224/0362—Photolithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05005—Structure
- H01L2224/05008—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body, e.g.
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05567—Disposition the external layer being at least partially embedded in the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05569—Disposition the external layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/07—Polyamine or polyimide
- H01L2924/07025—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Definitions
- the organic group having a fluorine atom as R 1 in the general formulas (1) and (2), water repellency is imparted to the resin, and soaking from the surface of the film during alkali development can be suppressed. Therefore, it is possible to obtain a resin film having a high residual film ratio in which there is no development residue in the tack or processing pattern of the unexposed area. These characteristics are effective in processing with a thick film.
- the organic group having a fluorine atom has an effect of preventing the penetration of the interface if it is 20 mol% or more, and if it is 90 mol% or less, an appropriate dissolution rate in the developer. Is preferable, and the content is more preferably 40 mol% to 60 mol%.
- the reaction can be performed without precipitation of raw materials and resins, and if it is 1900 parts by mass or less, the reaction proceeds promptly, 150 to 950 parts by mass is more preferable.
- Polyhydroxy compounds include Bis-Z, BisP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, TrisP-SA, TrisOCR-PA, BisOCHP-Z, BisP-MZ, BisP-PZ, BisP-IPZ, BisOCP -IPZ, BisP-CP, BisRS-2P, BisRS-3P, BisP-OCHP, Methylenetris-FR-CR, BisRS-26X, DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethylol-BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-B P, TML- Q, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP (
- Such a resin is soluble in an aqueous alkali solution such as tetramethylammonium hydroxide, choline, triethylamine, dimethylaminopyridine, monoethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate.
- an aqueous alkali solution such as tetramethylammonium hydroxide, choline, triethylamine, dimethylaminopyridine, monoethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate.
- the resin containing the structure represented by the general formulas (1) and (2) is preferably 30% by mass or more.
- the content of the compound having an alkoxymethyl group, a methylol group, or an epoxy group is 10 to 50 with respect to 100 parts by mass of the resin whose main component is the structure represented by the general formula (1) and / or (2). Parts by mass, preferably 10 to 40 parts by mass.
- the substrate coated with the photosensitive resin composition is dried to obtain a photosensitive resin film. Drying is preferably performed using an oven, a hot plate, infrared rays, or the like in the range of 50 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to several hours.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
また、本発明は、本発明の樹脂組成物を用いた電子部品である。
一般式(1)および(2)中、R1は単環式もしくは縮合多環式の脂環構造を有する炭素数4~40の4価の有機基を示す。R2は炭素数20~100のポリエーテル構造を有する2価の有機基を示す。R3は水素または炭素数1~20の有機基を示す。n1、n2はそれぞれ10~100,000の範囲を示し、p、qは0≦p+q≦6を満たす整数を示す。
一般式(1)および(2)中のR1は樹脂の原料として用いられる酸二無水物に由来する有機基である。
一般式(1)および(2)中のR2は樹脂の原料として用いられるジアミンに由来する有機基である。
本発明に使用されるポリエーテル構造を有する有機基を含むジアミンとしては、具体的にはジェファーミンHK-511、ED-600、ED-900、ED-2003、EDR-148、EDR-176、D-200、D-400、D-2000、D-4000、エラスタミンRP-409、RP-2009、RT-1000、HT-1100、HE-1000、HT-1700(以上商品名、HUNTSMAN(株)製) などの脂肪族ジアミンを挙げることができる。ポリエーテル構造を含有することで柔軟性が付与されるため伸度が向上し、また弾性率が低下することでウエハの反りが抑制されるため好ましい。これらの特性は、多層や厚膜において有効な特性である。一般式(7)で表されるポリエーテル構造は一般式(1)および(2)で表される構造におけるR2を100モル%とした場合、10モル%以上であれば樹脂に柔軟性が与えられることにより低ストレス性が得られ、80モル%以下であれば現像液に対する適切な溶解速度が得られるという点で好ましく、20モル%~50モル%含有することがより好ましい。
末端封止剤としては、具体的には、3-アミノフェニルアセチレン、4-アミノフェニルアセチレン、3,5-ジエチニルアニリンなどのモノアミン、3-エチニル安息香酸、4-エチニル安息香酸、3,4-ジエチニル安息香酸、3,5-ジエチニル安息香酸などのモノカルボン酸、無水マレイン酸、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などの酸無水物、前記モノカルボン酸のカルボキシル基を酸クロリド化した化合物やマレイン酸などのジカルボン酸類のカルボキシル基1つを酸クロリド化した化合物、モノ酸クロリド化合物とN-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物などの不飽和結合をもつ末端封止剤の他、5-アミノ-8-ヒドロキシキノリン、1-ヒドロキシ-7-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-6-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-5-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-4-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-7-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-6-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-5-アミノナフタレン、1-カルボキシ-7-アミノナフタレン、1-カルボキシ-6-アミノナフタレン、1-カルボキシ-5-アミノナフタレン、2-カルボキシ-7-アミノナフタレン、2-カルボキシ-6-アミノナフタレン、2-カルボキシ-5-アミノナフタレン、2-アミノ安息香酸、3-アミノ安息香酸、4-アミノ安息香酸、4-アミノサリチル酸、5-アミノサリチル酸、6-アミノサリチル酸、2-アミノベンゼンスルホン酸、3-アミノベンゼンスルホン酸、4-アミノベンゼンスルホン酸、3-アミノ-4,6-ジヒドロキシピリミジン、2-アミノフェノール、3-アミノフェノール、4-アミノフェノール、2-アミノチオフェノール、3-アミノチオフェノール、4-アミノチオフェノールなどのモノアミン、無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、3-ヒドロキシフタル酸無水物などの酸無水物、3-カルボキシフェノール、4-カルボキシフェノール、3-カルボキシチオフェノール、4-カルボキシチオフェノール、1-ヒドロキシ-7-カルボキシナフタレン、1-ヒドロキシ-6-カルボキシナフタレン、1-ヒドロキシ-5-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-7-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-6-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-5-カルボキシナフタレン、3-カルボキシベンゼンスルホン酸、4-カルボキシベンゼンスルホン酸などのモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、テレフタル酸、フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸、1,5-ジカルボキシナフタレン、1,6-ジカルボキシナフタレン、1,7-ジカルボキシナフタレン、2,6-ジカルボキシナフタレンなどのジカルボン酸類の1つのカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とN-ヒドロキシベンゾトリアゾールとの反応により得られる活性エステル化合物などの不飽和結合をもたない末端封止剤が挙げられる。また、これら不飽和結合をもたない末端封止剤の水素結合をビニル基で置換することで不飽和結合をもつ末端封止剤として用いることができる。
重合溶媒は、得られる樹脂100質量部に対して100質量部以上であれば、原料や樹脂の析出なく反応を行うことができ、1900質量部以下であれば速やかに反応が進行するため好ましく、150~950質量部がより好ましい。
次に、本発明のポジ型の感光性を有する感光性樹脂組成物について説明するが、本発明の範囲はこれに限定されない。現像により露光部が反応するネガ型の感光性を有する感光性樹脂組成物についても、透明性の低いポリイミドを用いた場合は、露光部での感光剤の光反応効率が悪くなることで残膜率が低くなり、厚膜構造を得ることは困難になる。本発明の樹脂を用いた場合、樹脂の透明性が高いためポジ型と同様にネガ型でも高感度の感光性樹脂組成物を得ることができる。
本発明においては、露光する波長によって4-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物、5-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を選択することが好ましい。また、同一分子中に4-ナフトキノンジアジドスルホニル基および5-ナフトキノンジアジドスルホニル基を併用した、ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を得ることもできるし、4-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物と5-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物とを混合して使用することもできる。
を有する化合物をいう。例えば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリル
アミド、およびメタクリルアミド等を挙げることができる。また、多官能のアクリレート
系化合物とは、アクリロイル基および/またはメタクリロイル基を2以上有する化合物を
いう。
単官能のアクリレート化合物の場合、架橋反応による膜の硬化が十分には進行せず、伸度の向上効果が低いため、多官能のアクリレートであることが好ましい。
本発明のアルカリ可溶性樹脂の分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)装置Waters2690-996(日本ウォーターズ(株)製)を用い、展開溶媒をN-メチル-2-ピロリドン(以降NMPと呼ぶ)として測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)を計算した。
8インチシリコンウエハ上に、ワニスをプリベーク後の膜厚T1=11μmとなるように塗布現像装置ACT-8(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコート法で塗布し、120℃で3分プリベークした後、イナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、窒素気流下において酸素濃度20ppm以下で毎分3.5℃の昇温速度で220℃まで昇温し、220℃で1時間加熱処理を行なった。46質量%フッ酸水溶液にて剥離し、キュア膜(耐熱性樹脂膜)を得た。この方法で得たキュア膜を7×1cmになるように片刃で切り出し、これをテンシロン万能試験機(オリエンテック社製 RTM-100)にて50mm/分で引っ張った。このときの伸び量をサンプル長で割った値を求めた。この測定を10個のサンプルについて行い、その最大値を伸度とした。伸度が30%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましい。
ワニスを、シリコンウエハ上に120℃で3分間プリベークを行った後の膜厚が10μmとなるように塗布現像装置ACT-8を用いてスピンコート法で塗布し、プリベークした後、イナートオーブンCLH-21CD-Sを用いて、窒素気流下において酸素濃度20ppm以下で毎分3.5℃の昇温速度で200℃まで昇温し、200℃で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところでシリコンウエハを取り出し、その硬化膜をストレス装置FLX2908(KLA Tencor社製)にて測定した。残留応力が30MPa以下であることが好ましく、20MPa以下であることがより好ましい。
8インチシリコンウエハ上にワニスを回転塗布し、次いで、120℃のホットプレート(ACT-8使用)で3分間ベークし、厚さ10μmのプリベーク膜を作製した。この膜を、i線ステッパー(NIKON NSR i9)を用いて0~1000mJ/cm2の露光量にて10mJ/cm2ステップで露光した。露光後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液(三菱ガス化学(株)製、ELM-D)で90秒間現像し、ついで純水でリンスして、10μmの孤立パターンを有する現像膜Aを得た。
現像膜Aにて、露光および現像後、露光部分が完全に溶出してなくなった露光量(最小露光量Ethという)を感度とした。Ethが400mJ/cm2以下であれば高感度であると判断できる。300mJ/cm2以下がより好ましい。
プリベーク膜に対する現像膜の膜厚の割合を残膜率とし(残膜率=(現像膜の膜厚)/(プリベーク膜の膜厚)×100)、80%以上を合格とした。
PMDA-HH:1S,2S,4R,5R-シクロへキサンテトラカルボン酸二無水物
TDA-100: 3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物
CBDA:シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
6FDA:4,4’-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物
ODPA:3,3’,4,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
SiDA:1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(3-アミノプロピル)ジシロキサン
BAHF:2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
DAE:4,4’-ジアミノジフェニルエーテル
NMP:N-メチル-2-ピロリドン
ED-600:ジェファーミンED-600(商品名、HUNTSMAN(株)製)
MAP:メタアミノフェノール
NA:5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物
KBM-403:3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン。
乾燥窒素気流下、TrisP-PA(商品名、本州化学工業(株)製)21.22g(0.05モル)と5-ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド26.86g(0.10モル)、4-ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド13.43g(0.05モル)を1,4-ジオキサン50gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4-ジオキサン50gと混合したトリエチルアミン15.18gを、系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、下記式で表されるキノンジアジド化合物(a)を得た。
乾燥窒素気流下、TrisP-HAP(商品名、本州化学工業(株)製)15.31g(0.05モル)と5-ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド40.28g(0.15モル)を1,4-ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。1,4-ジオキサン50gと混合したトリエチルアミン15.18gを用い、合成例2と同様にして下記式で表されるキノンジアジド化合物(b)を得た。
乾燥窒素気流下、TekP-4HBPA(商品名、本州化学工業(株)製)28.83g(0.05モル)と5-ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド13.43g(0.125モル)を1,4-ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。1,4-ジオキサン50gと混合したトリエチルアミン20.24gを用い、合成例2と同様にして下記式で表されるキノンジアジド化合物(c)を得た。
500mlのフラスコに2,2’-アゾビス(イソブチロニトリル)を5g、t-ドデカンチオールを5g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAと略する)を150g仕込んだ。その後、メタクリル酸を30g、ベンジルメタクリレートを35g、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルメタクリレートを35g仕込み、室温でしばらく撹拌し、フラスコ内を窒素置換した後、70℃で5時間加熱撹拌した。次に、得られた溶液にメタクリル酸グリシジルを15g、ジメチルベンジルアミンを1g、p-メトキシフェノールを0.2g添加し、90℃で4時間加熱撹拌し、アルカリ可溶性のアクリル樹脂(d)溶液を得た。アクリル樹脂溶液(d)の固形分濃度は43質量%であった。
乾燥窒素気流下、m-クレゾール70.2g(0.65モル)、p-クレゾール37.8g(0.35モル)、37質量%ホルムアルデヒド水溶液75.5g(ホルムアルデヒド0.93モル)、シュウ酸二水和物0.63g(0.005モル)、メチルイソブチルケトン264gを仕込んだ後、油浴中に浸し、反応液を還流させながら4時間重縮合反応を行った。その後、油浴の温度を3時間かけて昇温し、その後に、フラスコ内の圧力を40~67hPaまで減圧し、揮発分を除去し、溶解している樹脂を室温まで冷却して、アルカリ可溶性のノボラック樹脂(e)のポリマー固体を得た。GPCからMwは3,500であった。得られたノボラック樹脂(e)にγ-ブチロラクトン(GBL)を加え、固形分濃度43質量%のノボラック樹脂(e)溶液を得た。
乾燥窒素気流下、BAHF18.3g(0.05モル)をNMP50g、グリシジルメチルエーテル26.4g(0.3モル)に溶解させ、溶液の温度を-15℃まで冷却した。ここにジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド14.7g(日本農薬(株)製、0.050モル)をGBL25gに溶解させた溶液を、内部の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、6時間-15℃で撹拌を続けた。反応終了後、溶液をメタノールを10質量%含んだ水3Lに投入して白色の沈殿を析出させた。この沈殿をろ過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、アルカリ可溶性のポリベンゾオキサゾール前駆体(f)を得た。得られたポリベンゾオキサゾール前駆体(f)にGBLを加え、固形分濃度43質量%のポリベンゾオキサゾール前駆体(f)溶液を得た。
テトラヒドロフラン500ml、開始剤としてsec-ブチルリチウム0.01モルを加えた混合溶液に、p-t-ブトキシスチレンとスチレンをモル比3:1の割合で合計20gを添加し、3時間撹拌しながら重合させた。重合停止反応は反応溶液にメタノール0.1モルを添加して行った。 次にポリマーを精製するために反応混合物をメタノール中に注ぎ、沈降した重合体を乾燥させたところ白色重合体が得られた。更に、アセトン400mlに溶解し、60℃で少量の濃塩酸を加えて7時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈澱させ、p-t-ブトキシスチレンを脱保護してヒドロキシスチレンに変換し、洗浄乾燥したところ、精製されたp-ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体(g)が得られた。得られたp-ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体(g)にGBLを加え、固形分濃度43質量%のp-ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体(g)溶液を得た。
乾燥窒素気流下、PMDA-HH5.60g(0.025モル)、6FDA11.11g(0.025モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF10.99g(0.030モル)、DAE0.50g(0.003モル)、ED600 6.00g(0.010モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(A)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、PMDA-HH1.12g(0.005モル)、6FDA11.11g(0.025モル)、ODPA6.20g(0.020モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF10.99g(0.030モル)、DAE0.50g(0.003モル)、ED600 6.00g(0.010モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(B)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、CBDA4.90g(0.025モル)、6FDA11.11g(0.025モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF10.99g(0.030モル)、DAE0.50g(0.003モル)、ED600 6.00g(0.010モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(C)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、CBDA0.98g(0.005モル)、6FDA11.11g(0.025モル)、ODPA4.65g(0.015モル)をNMP100gに溶解させた。ここにBAHF11.90g(0.033モル)、DAE0.50g(0.003モル)、ED600 7.50g(0.013モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した後、末端封止剤として、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物1.64g(0.010モル)をNMP10gとともに加えて、60℃で1時間反応させた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(D)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、CBDA0.98g(0.005モル)、6FDA11.11g(0.025モル)、TDA-100 4.50g(0.015モル)をNMP100gに溶解させた。ここにBAHF11.90g(0.033モル)、DAE0.50g(0.003モル)、ED600 7.50g(0.013モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した後、末端封止剤として、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物1.64g(0.010モル)をNMP10gとともに加えて、60℃で1時間反応させた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(E)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、PMDA-HH11.21g(0.050モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF15.57g(0.043モル)、DAE1.00g(0.005モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(F)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、CBDA9.81g(0.050モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF15.57g(0.043モル)、DAE1.00g(0.005モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(G)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、ODPA15.51g(0.050モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF11.90g(0.033モル)、DAE1.00g(0.005モル)、ED600 6.0g(0.010モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(H)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、TDA-100 7.51g(0.025モル)、6FDA11.11g(0.025モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF11.90g(0.033モル)、DAE1.00g(0.005モル)、ED600 6.0g(0.010モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(I)の粉末を得た。
乾燥窒素気流下、6FDA22.21g(0.050モル)をNMP100gに溶解させた。ここに3-アミノフェノール1.09g(0.010モル)をNMP20gとともに加えた。さらにBAHF11.90g(0.033モル)、DAE1.00g(0.005モル)、ED600 6.0g(0.010モル)、SiDA0.62g(0.003モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し既閉環ポリイミド樹脂(J)の粉末を得た。
2 Alパッド
3 パッシベーション膜
4 絶縁膜
5 金属(Cr、Ti等)膜
6 金属配線(Al、Cu等)
7 絶縁膜
8 バリアメタル
9 スクライブライン
10 ハンダバンプ
11 封止樹脂
12 基板
13 絶縁膜
14 絶縁膜
15 金属(Cr、Ti等)膜
16 金属配線(Ag、Cu等)
17 金属配線(Ag、Cu等)
18 電極
19 封止樹脂
Claims (17)
- 一般式(1)および/または(2)で表される構造を有し、
(a)一般式(1)および(2)のR1として脂環構造を有する炭素数4~40の有機基を10~80モル%含有し、
(b)一般式(1)および(2)のR2として炭素数20~100のポリエーテル構造を有する有機基を10~80モル%含有することを特徴とする樹脂を含有する、感光性樹脂組成物。
- 前記一般式(1)および/または(2)で表される構造を有する樹脂において、R1 として、さらにフッ素原子を有する有機基を20~90モル%含有する請求項1~3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- さらに、光酸発生剤を含有することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
- さらに、多官能アクリレート化合物を含有する請求項5に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1~6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物から形成された感光性シート。
- 請求項1~6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、乾燥する工程を含む、感光性シートの製造方法。
- 請求項1~6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
- 請求項7に記載の感光性シートを硬化した硬化膜。
- 請求項9または10に記載の硬化膜が配置された、層間絶縁膜または半導体保護膜。
- 請求項1~6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基材上に塗布した後に紫外線照射工程と現像工程を経てパターンを形成し、さらに加熱して硬化膜のレリーフパターン層を形成する工程を含む、半導体電子部品または半導体装置の製造方法。
- 請求項7に記載の感光性シートを基材上にラミネートした後に紫外線照射工程と現像工程を経てパターンを形成し、さらに加熱して硬化膜のレリーフパターン層を形成することを特徴とする半導体電子部品または半導体装置の製造方法。
- 請求項9または10に記載の硬化膜のレリーフパターン層を有することを特徴とする半導体電子部品または半導体装置。
- 請求項9または10に記載の硬化膜が再配線間の層間絶縁膜として配置された半導体電子部品または半導体装置。
- 請求項15に記載の再配線と層間絶縁膜が2~10層繰り返し配置された半導体電子部品または半導体装置。
- 請求項9または10に記載の硬化膜が、隣り合う2種類以上の材質の基板に渡る層間絶縁膜として配置された半導体電子部品または半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020177026768A KR20170125352A (ko) | 2015-03-06 | 2016-02-29 | 감광성 수지 조성물 및 전자 부품 |
US15/555,173 US20180051136A1 (en) | 2015-03-06 | 2016-02-29 | Photosensitive resin composition and electronic component |
JP2016514188A JPWO2016143580A1 (ja) | 2015-03-06 | 2016-02-29 | 感光性樹脂組成物および電子部品 |
CN201680013754.8A CN107407876A (zh) | 2015-03-06 | 2016-02-29 | 感光性树脂组合物及电子部件 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015044431 | 2015-03-06 | ||
JP2015-044431 | 2015-03-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2016143580A1 true WO2016143580A1 (ja) | 2016-09-15 |
Family
ID=56880057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/056061 WO2016143580A1 (ja) | 2015-03-06 | 2016-02-29 | 感光性樹脂組成物および電子部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180051136A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2016143580A1 (ja) |
KR (1) | KR20170125352A (ja) |
CN (1) | CN107407876A (ja) |
TW (1) | TWI693468B (ja) |
WO (1) | WO2016143580A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017191830A1 (ja) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂組成物、及びポリイミドフィルム |
JP2018054937A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
WO2018155188A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 日本ゼオン株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP2019082639A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 太陽ホールディングス株式会社 | 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、半導体素子、プリント配線板および電子部品 |
JP2020177052A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-29 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102501979B1 (ko) * | 2017-03-03 | 2023-02-21 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 이물제거용 코팅막 형성 조성물 |
JP7366521B2 (ja) | 2017-03-22 | 2023-10-23 | 旭化成株式会社 | 半導体装置、及びその製造方法 |
TWI618980B (zh) * | 2017-06-30 | 2018-03-21 | 律勝科技股份有限公司 | 導熱型感光性樹脂 |
TWI618979B (zh) * | 2017-06-30 | 2018-03-21 | 律勝科技股份有限公司 | 導熱型聚醯亞胺基板 |
WO2019181782A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 東レ株式会社 | アルカリ可溶性樹脂、感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、層間絶縁膜または半導体保護膜、硬化膜のレリーフパターンの製造方法、電子部品または半導体装置 |
JP7081696B2 (ja) * | 2020-01-21 | 2022-06-07 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、導電パターン付き基板、積層体の製造方法、タッチパネル及び有機el表示装置 |
JP7092261B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2022-06-28 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 |
JP7431696B2 (ja) * | 2020-08-04 | 2024-02-15 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、ポジ型感光性ドライフィルムの製造方法、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
CN114561008B (zh) * | 2022-03-04 | 2023-08-11 | 武汉柔显科技股份有限公司 | 碱溶性树脂、正型感光树脂组合物、固化膜及显示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6163837A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Toray Ind Inc | 感光性樹脂組成物 |
JP2003076007A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 |
JP2012516374A (ja) * | 2009-07-15 | 2012-07-19 | エルジー ケム. エルティーディ. | 感光性ポリイミドおよびそれを含む感光性樹脂組成物 |
JP2013117669A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性フィルム、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板 |
JP2015227990A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 太陽インキ製造株式会社 | ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、ドライフィルムおよびプリント配線板 |
JP2016027373A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-18 | 太陽インキ製造株式会社 | 感光性熱硬化性樹脂組成物、ドライフィルムおよびプリント配線板 |
WO2016035593A1 (ja) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | 東レ株式会社 | 樹脂および感光性樹脂組成物 |
WO2016043006A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 東洋紡株式会社 | 水現像可能なフレキソ印刷用感光性樹脂組成物及びフレキソ印刷用感光性樹脂原版 |
WO2016060237A1 (ja) * | 2014-10-16 | 2016-04-21 | 太陽インキ製造株式会社 | 積層構造体、ドライフィルムおよびフレキシブルプリント配線板 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000014604A1 (fr) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Toray Industries, Inc. | Composition-precurseur de resine photosensible positive et procede de fabrication correspondant |
CN100555078C (zh) * | 2003-06-02 | 2009-10-28 | 东丽株式会社 | 感光树脂组合物及用其制备的电子元件和显示装置 |
TWI360565B (en) * | 2003-07-09 | 2012-03-21 | Toray Industries | Photosensitive resin precursor composition |
JP5130866B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-01-30 | Jsr株式会社 | 樹脂組成物 |
SG190423A1 (en) * | 2010-12-01 | 2013-06-28 | Toray Industries | Adhesive composition, adhesive sheet, and semiconductor device using the adhesive composition or the adhesive sheet |
CN103145988B (zh) * | 2013-02-28 | 2014-11-05 | 中山大学 | 一种聚酰亚胺低聚物及液态感光阻焊油墨 |
US20160075830A1 (en) * | 2013-04-25 | 2016-03-17 | Mitsui Chemicals, Inc. | Block polyimide, block polyamide acid imide and use thereof |
JP5646123B1 (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-24 | 株式会社ダイセル | エポキシ−アミン付加物水分散型樹脂組成物及びその製造方法、プリプレグ、並びに繊維強化複合材料 |
-
2016
- 2016-02-29 KR KR1020177026768A patent/KR20170125352A/ko active IP Right Grant
- 2016-02-29 CN CN201680013754.8A patent/CN107407876A/zh active Pending
- 2016-02-29 US US15/555,173 patent/US20180051136A1/en not_active Abandoned
- 2016-02-29 WO PCT/JP2016/056061 patent/WO2016143580A1/ja active Application Filing
- 2016-02-29 JP JP2016514188A patent/JPWO2016143580A1/ja active Pending
- 2016-03-02 TW TW105106239A patent/TWI693468B/zh active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6163837A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Toray Ind Inc | 感光性樹脂組成物 |
JP2003076007A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 |
JP2012516374A (ja) * | 2009-07-15 | 2012-07-19 | エルジー ケム. エルティーディ. | 感光性ポリイミドおよびそれを含む感光性樹脂組成物 |
JP2013117669A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性フィルム、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板 |
JP2015227990A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 太陽インキ製造株式会社 | ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、ドライフィルムおよびプリント配線板 |
JP2016027373A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-18 | 太陽インキ製造株式会社 | 感光性熱硬化性樹脂組成物、ドライフィルムおよびプリント配線板 |
WO2016035593A1 (ja) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | 東レ株式会社 | 樹脂および感光性樹脂組成物 |
WO2016043006A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 東洋紡株式会社 | 水現像可能なフレキソ印刷用感光性樹脂組成物及びフレキソ印刷用感光性樹脂原版 |
WO2016060237A1 (ja) * | 2014-10-16 | 2016-04-21 | 太陽インキ製造株式会社 | 積層構造体、ドライフィルムおよびフレキシブルプリント配線板 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017191830A1 (ja) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂組成物、及びポリイミドフィルム |
JPWO2017191830A1 (ja) * | 2016-05-02 | 2019-03-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂組成物、及びポリイミドフィルム |
JP7003914B2 (ja) | 2016-05-02 | 2022-02-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂組成物、及びポリイミドフィルム |
US11332578B2 (en) | 2016-05-02 | 2022-05-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polyimide resin, polyimide resin composition, and polyimide film |
JP2018054937A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
WO2018155188A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 日本ゼオン株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JPWO2018155188A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2019-12-12 | 日本ゼオン株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP7127635B2 (ja) | 2017-02-21 | 2022-08-30 | 日本ゼオン株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP2019082639A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 太陽ホールディングス株式会社 | 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、半導体素子、プリント配線板および電子部品 |
JP2020177052A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-29 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
JP7154184B2 (ja) | 2019-04-15 | 2022-10-17 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180051136A1 (en) | 2018-02-22 |
JPWO2016143580A1 (ja) | 2017-12-14 |
TW201638663A (zh) | 2016-11-01 |
KR20170125352A (ko) | 2017-11-14 |
TWI693468B (zh) | 2020-05-11 |
CN107407876A (zh) | 2017-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2016143580A1 (ja) | 感光性樹脂組成物および電子部品 | |
JP6982786B2 (ja) | 感光性フィルム | |
JP6724363B2 (ja) | 樹脂および感光性樹脂組成物 | |
TWI720018B (zh) | 樹脂及感光性樹脂組成物、以及樹脂之製造方法 | |
WO2016140024A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜の製造方法および半導体装置 | |
JP7003659B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP7247655B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JPWO2018047688A1 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6939553B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
WO2018043250A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、有機el表示装置、半導体電子部品、半導体装置 | |
JP2018123103A (ja) | ジアミン化合物、それを用いた耐熱性樹脂および樹脂組成物 | |
WO2017073481A1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、層間絶縁膜、半導体保護膜、半導体装置の製造方法、半導体電子部品および半導体装置 | |
JP6776772B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2018036329A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
WO2022163335A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、電子部品、アンテナ素子、半導体パッケージおよび化合物 | |
JPWO2019181782A1 (ja) | アルカリ可溶性樹脂、感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、層間絶縁膜または半導体保護膜、硬化膜のレリーフパターンの製造方法、電子部品または半導体装置 | |
WO2024070387A1 (ja) | 樹脂組成物、硬化膜および半導体装置 | |
WO2022102345A1 (ja) | 樹脂組成物、硬化膜、絶縁膜または保護膜、アンテナ素子、並びに電子部品、表示装置または半導体装置及びその製造方法 | |
JP2018095721A (ja) | 樹脂組成物、樹脂シートおよび硬化膜 | |
JP2023147245A (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化物および電子部品 | |
JP2019012181A (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、層間絶縁膜、半導体保護膜、半導体装置の製造方法、半導体電子部品および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2016514188 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 16761550 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 15555173 Country of ref document: US |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20177026768 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 16761550 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |