WO2015166696A1 - 半導体モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

半導体モジュールおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015166696A1
WO2015166696A1 PCT/JP2015/055066 JP2015055066W WO2015166696A1 WO 2015166696 A1 WO2015166696 A1 WO 2015166696A1 JP 2015055066 W JP2015055066 W JP 2015055066W WO 2015166696 A1 WO2015166696 A1 WO 2015166696A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lead frame
adhesive
case
semiconductor module
circuit block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/055066
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
忠彦 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to CN201580002346.8A priority Critical patent/CN105684147B/zh
Priority to JP2016515880A priority patent/JP6288254B2/ja
Priority to DE112015000183.2T priority patent/DE112015000183B4/de
Publication of WO2015166696A1 publication Critical patent/WO2015166696A1/ja
Priority to US15/151,453 priority patent/US9837338B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/421—Shapes or dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/02—Manufacture or treatment of conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. of metal plates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/041—Connecting or disconnecting interconnections to or from leadframes, e.g. connecting bond wires or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H10W70/413—Insulating or insulated substrates serving as die pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/464—Additional interconnections in combination with leadframes
    • H10W70/465—Bumps or wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H10W74/127—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed characterised by arrangements for sealing or adhesion
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H10W76/15—Containers comprising an insulating or insulated base
    • H10W76/157—Containers comprising an insulating or insulated base having interconnections parallel to the insulating or insulated base
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07334—Using a reflow oven
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H10W72/07552—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in structures or sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
    • H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
    • H10W72/527—Multiple bond wires having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5366—Shapes of wire connectors the bond wires having kinks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor module and a method for manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor module used for an inverter device such as a motor drive device and a power converter such as a switching power supply device and a method for manufacturing the same.
  • a semiconductor module for power conversion has a plurality of power semiconductor chips such as power transistors or diodes for power conversion integrated in one package.
  • circuit wiring suitable for a desired application is previously performed inside the package, which contributes to downsizing of the entire application device.
  • MOSFETs Metal Oxide Semiconductors Field-Effect Transistors
  • IGBTs Insulated-Gate Bipolar Transistors
  • the element for power conversion is configured to be exposed to the outside of the semiconductor module through the copper foil surface on the insulating substrate and the insulating substrate in order to reduce heat generation due to the loss by heat dissipation, and the radiator from the exposed surface Is used to radiate heat (see, for example, Patent Document 1). That is, in Patent Document 1, an insulating layer is disposed on the surface of a metal plate having good heat conductivity, a main circuit wiring pattern is formed on the insulating layer, and a semiconductor chip is bonded on the main circuit wiring pattern. ing. The heat generated by the semiconductor chip is transferred to the metal plate through the main circuit wiring pattern and the insulating layer, and is radiated by a heat sink joined to the metal plate.
  • the power conversion element has a desired circuit formed by a lead frame, a conductive wire, or a wiring pattern generated on the substrate, and these circuits are directly connected to terminals that are electrical connection means to the outside. Or indirectly connected via a wire or the like.
  • IPM Intelligent Power Module
  • the control IC has a driver function for driving an element for power conversion and a function for detecting and protecting an abnormal state such as an overcurrent.
  • the control IC is mounted at a location away from the substrate on which the power conversion element is mounted in order to prevent heat generation and noise from the power conversion element.
  • the control IC is mounted on a wiring pattern formed in the case.
  • the IPM there are modules in which passive components such as a current detection element, a temperature detection element, a snubber element, or a capacitor connected to supply stable power to the control IC are mounted inside the module.
  • the semiconductor module on which these elements are mounted and desired electrical connection is made is resin-sealed to complete the IPM.
  • the lead frame and PPS resin Polyphenylene Sulfide Resin
  • the terminal case is formed by injecting PPS resin into a mold that is fixed and set with a fixing pin such as a fixing pin or an ejector pin that is placed so that the lead frame is not displaced or deformed by resin pressure during molding. Although it is molded, an opening (a hole formed by a fixed pin) formed at that time is sealed with a resin by moving the fixed pin during molding.
  • an element such as a control IC is mounted on the lead terminal by an adhesive means such as silver paste.
  • an insulating substrate is bonded to the terminal case with an adhesive, and electrical connection (ultrasonic bonding) is performed with aluminum wires so as to form a desired circuit configuration between the element-insulating substrate wiring pattern and the lead frame. It is sealed with a casting resin to constitute a semiconductor module.
  • Patent Document 2 when the terminal case is manufactured, when the high-temperature resin cools due to the difference in linear expansion coefficient between the resin and the metal lead terminal, the terminal case adheres closely. The lead terminal that was left may come off the case. In addition, since the lead terminal and the PPS resin do not have an adhesive force, a minute gap is generated between the lead terminal and the PPS resin even if they are formed so as to adhere to each other. If the bonding wire is to be ultrasonically bonded to the lead terminal while the lead terminal is floating from the case, the ultrasonic vibration energy is absorbed by the lead terminal, which causes bonding failure.
  • Patent Document 2 a through hole is formed in a case immediately below an ultrasonic bonding portion of a terminal board serving as a lead terminal, and a support member is inserted into a heat sink bonded to the case at a position corresponding to the through hole. Forming a mouth.
  • a rod-shaped tool is used on the upper surface of the terminal plate while supporting the lower surface of the ultrasonic bonding portion of the terminal plate with the fixing pin arranged in the support member insertion port and the through hole. Bonding wires are ultrasonically bonded.
  • the terminal plate faces this through-hole, the lower surface of the terminal plate is exposed to air and heat dissipation is improved.
  • Patent Document 2 a plate-like heat sink made of a metal having high thermal conductivity is disposed on the lower surface of a frame-like case made of an insulating resin having an opening at the center, and the opening is opened with the heat sink.
  • An adhesive is used for bonding such a resin and a metal, but if the adhesive is applied more than necessary, a high bonding strength can be obtained, but the adhesive protrudes from the bonding surface.
  • the outflow of the adhesive to the outside not only impairs the appearance, but the inflow to the inside will contaminate the bonded portion by ultrasonic bonding and reduce the strength.
  • a plurality of grooves are formed on the surface of the case facing the heat sink, and the groove near the center is used as an adhesive application groove, and the outer and inner grooves flow out of the adhesive.
  • channel is known (for example, refer patent document 3).
  • JP 2013-258321 A (paragraph [0043], FIG. 2) JP 2004-134518 A (paragraphs [0048]-[0056], FIGS. 4-7) JP 2012-15349 A (FIG. 1)
  • the present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor module capable of stable wire bonding using ultrasonic waves in the manufacturing stage and a manufacturing method thereof.
  • a semiconductor module is provided to solve the above problems.
  • This semiconductor module has a lead frame having a connection surface to which bonding wires are ultrasonically bonded and a mounting surface on which the lead frame is mounted, and a circuit block in which a semiconductor chip is formed on an insulating substrate is fixed. And a case having an opening formed so as to penetrate between the mounting surface and the fixing surface. The opening is filled with an adhesive, and the vicinity of the connection surface of the lead frame and the circuit block are bonded to each other.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a semiconductor module.
  • a case is molded.
  • a mounting surface on which a lead frame having a connection surface to which a bonding wire is ultrasonically bonded is mounted, and a circuit block in which a semiconductor chip is formed on an insulating substrate are fixed to the outside corresponding to the mounting surface. And a fixed surface.
  • the case is molded by injecting resin into the mold while supporting the vicinity of the connecting surface of the lead frame from the back surface with the ejector pin or the pressing pin.
  • an adhesive is applied to the fixing surface of the case where the opening is formed by the ejector pin or the presser pin so that the opening is also filled, and the circuit block is placed on the fixing surface of the case. Is fixed to the case.
  • a bonding wire is ultrasonically bonded to the connection surface of the lead frame fixed to the circuit block with an adhesive.
  • the vicinity of the connection surface of the lead frame to which the bonding wire is ultrasonically bonded is fixed to the circuit block by the adhesive via the opening.
  • the semiconductor module having the above configuration and the manufacturing method thereof can fix the vicinity of the connection surface of the lead frame without changing the conventional process or adding any process to the conventional process. There is an advantage that it can be improved.
  • the lead frame is bonded to the insulating substrate with an adhesive having a high thermal conductivity, the thermal resistance between the insulating substrate and the lead frame is reduced, and the heat dissipation of the lead frame can be further improved.
  • the control IC mounted on the lead frame has a temperature protection function and a temperature output function
  • the insulating substrate to which the semiconductor chip is connected with a low thermal resistance and the lead frame on which the control IC is mounted The thermal resistance between them also decreases. For this reason, since the thermal resistance between the semiconductor chip and the control IC also becomes low, the control IC can detect the temperature more accurately, and the semiconductor chip can be protected with high accuracy.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a semiconductor module according to the present invention as viewed from the bottom side thereof
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the semiconductor module before being mounted on an insulating substrate in an upside down state
  • FIG. FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the semiconductor module when wiring with bonding wires is performed
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the semiconductor module after resin sealing.
  • the semiconductor module according to the present invention includes a terminal case 1 as shown in FIG. 1 showing an outline before assembly.
  • the terminal case 1 is formed by integral molding (lead frame insert molding) of the lead frame 2 and the case 3.
  • the terminal case 1 has a pair of opposed parallel side wall portions 4a into which the lead frame 2 is inserted, and a pair of opposed parallel side wall portions 4b connected to both ends in the longitudinal direction of the side wall portion 4a. It is formed in a rectangular frame shape in plan view.
  • the side wall portions 4 a and 4 b of the terminal case 1 have an L-shaped cross section, and a step portion 6 a is formed along the periphery of the central opening 5 on the bottom surface (the upper surface in FIG. 1). ing.
  • the stepped portions 6 a of the side wall portions 4 a and 4 b are fixed surfaces to which the insulating substrate 7 is fixed, and have a depth smaller than the thickness of the insulating substrate 7.
  • the terminal case 1 is mounted on the inner surface 6b, which is the mounting surface located on the opposite side of the stepped portion 6a, and the outer side of the lead frame 2 is the side wall portion. It is formed in a state of extending outward through 4a.
  • the lead frame 2 has a connection surface by ultrasonic bonding on the side opposite to the mounting surface of the case 3 on the inner surface 6b.
  • an opening 8 is formed which penetrates to the stepped portion 6a. That is, the case portion in which the step portion 6 a is formed has a structure in which the lead frame 2 and the bonding surface of the insulating substrate 7 are positioned above and below the opening 8.
  • the opening 8 is formed in the case portion immediately below the connection surface of the lead frame 2, that is, in the case portion near the portion where wire bonding is performed by ultrasonic bonding.
  • the place where wire bonding is performed by ultrasonic bonding is also the place where the main current of the lead frame 2 flows.
  • the opening 8 is formed for the purpose of fixing the lead frame 2 to the insulating substrate 7 at a place where the lead frame 2 is disposed and where ultrasonic bonding is not performed, as necessary. May be.
  • the opening 8 is formed at the time of lead frame insert molding. That is, when the pre-molded lead frame 2 is set in a mold, the ejector pins are installed so as to support the lead frame 2. In this state, for example, PPS resin is injected into the mold to mold the terminal case 1. At this time, since the resin filled in the mold is solidified without moving the ejector pin, the resin does not go around the ejector pin. Thereafter, the terminal case 1 is protruded from the mold by the ejector pins, and the opening 8 is formed by pulling the ejector pins out of the terminal case 1.
  • the opening 8 may also be formed of a so-called presser pin that is used to suppress kinking or misalignment of the lead frame 2 during insert molding. Further, both the ejector pin and the presser pin are used. It may be formed.
  • a passive element such as a control IC, a capacitor, or a resistor is placed on a lead frame 2 that also serves as a circuit depending on the application and purpose.
  • a lead frame 2 that also serves as a circuit depending on the application and purpose.
  • the control IC 9 is placed on the lead frame 2 is shown.
  • the terminal case 1 in which the control IC 9 is placed on the lead frame 2 is turned upside down as shown in FIG. 2, and then the step portion to which the insulating substrate 7 is fixed as shown in FIG.
  • the adhesive 10 is applied to 6a.
  • the adhesive 10 is a resin having a thermal conductivity (for example, 0.5 [W / mK]) higher than that of the PPS resin forming the case 3 (for example, 0.3 [W / mK]). Is used.
  • the adhesive 10 is not only applied to the surface of the stepped portion 6a but also filled in the opening 8. As a result, the lead frame 2 is bonded to the portion facing the opening 8 by the adhesive 10.
  • the insulating substrate 7 is placed on the step portion 6a to which the adhesive 10 is applied.
  • the insulating substrate 7 can be an AL (aluminum) insulating substrate or a DCB (Direct Copper Bonding) substrate, and power semiconductor chips 13 and 14 are placed on a conductive wiring pattern 12 formed in advance on the surface.
  • the circuit block 11 is configured by being mounted.
  • these semiconductor chips 13 and 14 are IGBTs and FWDs.
  • the circuit block 11 is mounted on the step portion 6 a with the mounting surfaces of the semiconductor chips 13 and 14 facing down, so that the outer peripheral portion of the insulating substrate 7 is not only bonded to the terminal case 1 by the adhesive 10.
  • the lead frame 2 is also bonded by the adhesive 10 in the opening 8. As a result, the lead frame 2 is not only fixed to the insulating substrate 7 by the adhesive 10 filled in the opening 8 immediately below the lead frame 2 but also thermally bonded to the insulating substrate 7 via the adhesive 10. become.
  • the lead frame 2 is thermally coupled to the insulating substrate 7 through the opening 8, heat generated by the main current flowing can be transferred to the insulating substrate 7, and the lead terminals can be dissipated. It is possible. As a result, the heat dissipation of the lead frame 2 can be further improved as compared with the conventional example in which the lead frame is exposed to air having a thermal conductivity of 0.0241 [W / mK] through the openings formed as the support member insertion opening and the through hole. Can be improved.
  • the control IC 9 placed on the lead frame 2 has a temperature protection function and a temperature output function
  • the control IC 9 can protect the semiconductor chips 13 and 14 with high accuracy. That is, as compared with the conventional example in which the lead frame 2 is exposed to air, the heat between the insulating substrate 7 to which the semiconductor chips 13 and 14 are connected with a low thermal resistance and the lead frame 2 on which the control IC 9 is mounted. Resistance is lower. For this reason, since it becomes low thermal resistance between the semiconductor chips 13 and 14 and the control IC 9, it becomes possible for the control IC 9 to detect temperature more accurately, and the semiconductor chips 13 and 14 can be protected with high accuracy. .
  • the terminal case 1 to which the circuit block 11 is fixed is rotated by 180 degrees, and the inner surface 6b of the terminal case 1 and the mounting surfaces of the semiconductor chips 13 and 14 of the circuit block 11 are on the upper side.
  • the terminal case 1 is prepared for wire bonding by pressing its upper end surface in the direction indicated by the arrow 15.
  • the structure of the holding jig can be overwhelmingly simple compared to the conventional example in which the lead frame floating from the case must be pressed at each position where wire bonding is performed during ultrasonic bonding. .
  • the semiconductor module is wire-bonded by the bonding wire 16 of the main circuit and the bonding wire 17 of the control circuit.
  • the interface between the inner surface 6b of the terminal case 1 and the lead frame 2 is in close contact, ultrasonic bonding of the bonding wire 16 to the lead frame 2 ensures that ultrasonic vibration energy is not absorbed. Reportedly. Further, wire bonding of the bonding wire 16 to the semiconductor chips 13 and 14 and wire bonding of the bonding wire 17 to the semiconductor chip 13, the control IC 9 and the lead frame 2 are also performed.
  • the terminal case 1 is filled with a liquid casting resin 18, and the semiconductor chips 13 and 14 and the control IC 9 are resin-sealed.
  • the casting resin 18 can be the same resin as the adhesive 10 that bonds the insulating substrate 7 of the circuit block 11 to the terminal case 1. By using the same material for the casting resin 18 and the adhesive 10, it becomes possible to make the members common.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a semiconductor module
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a specific example of the semiconductor module.
  • the circuit block 11 and the terminal case 1 are respectively prepared in advance in separate steps.
  • an insulating substrate 7 is prepared (step S1), and solder is applied to one surface of the insulating substrate 7 (step S2).
  • semiconductor chips 13 and 14 to be IGBT and FWD are prepared (step S3), and these semiconductor chips 13 and 14 are mounted on the solder applied to the insulating substrate 7 (step S4) and put in a reflow furnace.
  • the circuit block 11 is configured (step S5).
  • a pre-molded lead frame 2 is prepared (step S6).
  • This lead frame 2 is set in a mold of an injection molding machine, and PPS resin is injected into the mold.
  • the terminal case 1 is molded (step S7).
  • the terminal case 1 is formed with an opening 8 using an ejector pin or a presser pin.
  • a thermosetting silver paste is applied to the control IC mounting position of the lead frame 2 in the terminal case 1 (step S8).
  • the control IC 9 is prepared (step S9), and the control IC 9 is mounted on the silver paste and fixed to the lead frame 2 (step S10).
  • the terminal case 1 in which the control IC 9 is mounted on the lead frame 2 is turned upside down (see FIG. 2), and the adhesive 10 is applied to the step portion 6 a formed around the central opening 5 of the terminal case 1. Is applied.
  • the insulating substrate 7 with the mounting surfaces of the semiconductor chips 13 and 14 down is mounted on the stepped portion 6a, whereby the terminal case 1 and the insulating substrate 7 are bonded (step S11).
  • the same process and equipment as conventional terminal case / insulating substrate bonding can be used, so there is no cost increase due to an increase in equipment and tact.
  • the terminal case 1 is turned upside down so that the mounting surfaces of the semiconductor chips 13 and 14 on the insulating substrate 7 and the control IC mounting surface of the lead frame 2 are placed on top, and wire bonding using bonding wires 16 and 17 is performed. Is performed (step S12).
  • the terminal case 1 is filled with a casting resin 18 as a PPS resin and sealed with resin (step S13).
  • the semiconductor module 20 illustrated in FIG. 7 is a top view of the case 3 before resin sealing.
  • six wiring patterns 12 are formed on the insulating substrate 7 of the circuit block 11, and a semiconductor chip 13 that is an IGBT and a semiconductor chip 14 that is an FWD are mounted on each wiring pattern 12.
  • three control ICs 9 are mounted on the lead frame 2a forming the internal wiring.
  • the wiring pattern 12 or the semiconductor chips 13 and 14 and the lead frame 2 forming the lead terminal are connected by the bonding wire 16, and an opening is provided directly below the vicinity of the bonding wire 16 of the lead frame 2.
  • Part 8 is formed.
  • the lead frame 2 is fixed to the insulating substrate 7 by the adhesive 10 in the vicinity of the location where the bonding wire 16 is joined. Therefore, when the bonding wire 16 is ultrasonically bonded to the connection surface of the lead frame 2, the lead frame 2 does not flutter and a bonding failure does not occur.
  • the thermal conductivity of the adhesive 10 is higher than the thermal conductivity of the case 3, the heat generated by the main current flowing through the lead frame 2 is transferred to the insulating substrate 7 through the adhesive 10, so that the lead frame 2 The heat dissipation performance is improved.
  • the opening 8 formed immediately below the lead frame 2 a is for filling the adhesive 10 and fixing the lead frame 2 a to the insulating substrate 7. Both ends of the lead frame 2 a are fixed by the side wall portions 4 a and 4 b of the case 3, but the intermediate portion is fixed to the insulating substrate 7 by the adhesive 10, so that the lead frame 2 a is more firmly fixed to the case 3.
  • the adhesive 10 preferably has higher adhesion to the lead frame 2 than the case 3. Accordingly, when a gap is generated between the case 3 and the lead frame 2 due to a difference in linear expansion coefficient, the lead frame 2 and the insulating substrate 7 can be firmly adhered to each other, and heat dissipation performance is improved.
  • this invention is not limited to said structure, It can comprise suitably combining as needed.
  • the above merely illustrates the principle of the present invention.
  • many modifications and changes can be made by those skilled in the art, and the present invention is not limited to the precise configuration and application shown and described above, and all corresponding modifications and equivalents may be And the equivalents thereof are considered to be within the scope of the invention.

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

　安定したワイヤボンディングが可能なリードフレームを有する半導体モジュールを提供する。　リードフレーム（２）とケース（３）との一体成型によって形成された端子ケース（１）は、内部にリードフレーム（２）が搭載される内面（６ｂ）を有し、外部に半導体チップ（１３，１４）を絶縁基板（７）上に形成した回路ブロック（１１）が固定される段部（６ａ）を有している。その段部（６ａ）と内面（６ｂ）との間には、これを貫通するように開口部（８）が形成され、その開口部（８）には、絶縁基板（７）を段部（６ａ）に接着する接着剤（１０）が充填される。リードフレーム（２）のボンディングワイヤ（１６）が超音波接合される接続面が固定されることで、リードフレーム（２）の接合不良を低減することができる。

Description

半導体モジュールおよびその製造方法
　本発明は半導体モジュールおよびその製造方法に関し、特にモータ駆動装置などのインバータ装置やスイッチング電源装置などの電力変換装置の用途に用いられる半導体モジュールおよびその製造方法に関する。
　電力変換用の半導体モジュールは、電力変換のためのパワートランジスタまたはダイオードなどのパワー用の複数の半導体チップを１つのパッケージに集積している。このような半導体モジュールは、所望のアプリケーションに適した回路配線をあらかじめパッケージ内部で行っており、アプリケーション装置全体の小型化に貢献している。電力変換用の半導体モジュールでは、パワートランジスタとして、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor）またはＩＧＢＴ（Insulated-Gate Bipolar Transistor）が一般に用いられている。
　電力変換用の素子は、その損失による発熱を放熱により低減するために、絶縁基板上の銅箔面および絶縁基板を介して半導体モジュールの外部に露出するように構成され、その露出面から放熱体を使って放熱が行われている（たとえば、特許文献１参照）。すなわち、この特許文献１では、熱伝導のよい金属板の表面に絶縁層が配置され、その絶縁層の上に主回路配線パターンが形成され、その主回路配線パターンの上に半導体チップが接合されている。この半導体チップにより発生された熱は、主回路配線パターンおよび絶縁層を介して金属板に伝熱され、この金属板に接合されたヒートシンクで放熱するようにしている。
　また、電力変換用の素子は、リードフレーム、導電性ワイヤまたは基板上に生成された配線パターンにより所望の回路が形成され、これらの回路は、外部との電気的接続手段である端子と直接的にまたはワイヤなどを介して間接的に接続されている。
　さらに、半導体モジュールに制御ＩＣを搭載したＩＰＭ（Intelligent Power Module）と呼ばれるモジュールが製品化され、広く用いられている。制御ＩＣは、電力変換用の素子を駆動するためのドライバ機能や過電流などの異常状態を検出し保護するための機能を備えている。制御ＩＣは、発熱が小さいことと、電力変換用の素子のノイズを避けるために、電力変換用の素子を搭載する基板とは離れた場所に搭載されている。特許文献１では、制御ＩＣは、ケース内に形成された配線パターン上に搭載されている。
　また、ＩＰＭには、電流検出素子、温度検出素子、スナバ素子または制御ＩＣに安定した電力を供給するために接続されるコンデンサなどの受動部品がモジュール内部に搭載されたモジュールも存在する。そして、これらの素子を搭載し、所望の電気的な接続を行った半導体モジュールは、樹脂封止されてＩＰＭが完成される。
　たとえば、特許文献１に記載のＩＰＭでは、あらかじめ配線パターンが形成された絶縁基板に、ＩＧＢＴおよびＦＷＤ（Free Wheeling Diode）などの電力変換用の素子がはんだ接合にて搭載されている。この絶縁基板を保持する端子ケースは、インサート成型によってリードフレームとＰＰＳ樹脂（Polyphenylene Sulfide Resin）とが一体化されている。端子ケースは、リードフレームが成型時の樹脂圧により位置ずれや変形しないように載置される固定ピンまたはエジェクタピンなどの固定ピンで固定されてセットされている金型にＰＰＳ樹脂を射出して成型されるが、そのときにできる開口部（固定ピンによる孔）は、成型中に固定ピンを可動させることにより樹脂で封止されている。端子ケースでは、リード端子に制御ＩＣなどの素子が銀ペーストなどの接着手段によって搭載される。その後、端子ケースに絶縁基板を接着剤により接着し、素子－絶縁基板の配線パターン－リードフレームの間に所望の回路構成を成すようにアルミワイヤにて電気的に結線（超音波接合）が行われ、注型樹脂により封止され、半導体モジュールが構成されている。
　ここで、リード端子にボンディングワイヤを超音波接合する場合、ボンディング不良を発生する場合があることが知られている（たとえば、特許文献２参照）。この特許文献２によれば、端子ケースの製造の際に、樹脂と金属製のリード端子との線膨張係数が相違することが原因で高温の樹脂が冷えたときに、端子ケース内部で密着していたリード端子がケースから離れることがある。また、リード端子とＰＰＳ樹脂とは、密着力がないので、密着するように形成したとしても両者の間に微少な隙間が発生してしまう。リード端子がケースから浮いている状態で、リード端子にボンディングワイヤを超音波接合しようとすると、超音波の振動エネルギがリード端子によって吸収されてしまい、これがボンディング不良の原因になっている。
　これに対し、特許文献２では、リード端子とする端子板の超音波接合箇所の直下のケースに貫通孔を形成し、ケースに貼り合わせたヒートシンクにも、貫通孔に対応する位置に支持部材挿入口を形成している。ボンディングワイヤを超音波接合するときには、端子板の超音波接合箇所の下面を、支持部材挿入口および貫通孔に配置した固定ピンで支持しながら、端子板の上面に、ロッド状のツールを用いて、ボンディングワイヤを超音波接合している。なお、貫通孔は、これに端子板が臨んでいるため、端子板の下面が空気に晒されて放熱性が高められている。
　また、特許文献２では、中央部に開口が形成された絶縁性樹脂からなる枠状のケースの下面に熱伝導性の高い金属で形成された板状のヒートシンクを配置し、そのヒートシンクで開口を塞ぐようにしている。このような樹脂と金属との接合には、接着剤が使用されるが、接着剤を必要以上に余分に塗布すると、高い接合強度を得ることはできるが、接着剤が接合面からはみ出してしまうことがある。接着剤の外側への流出は、外観を損ねるだけでなく、内側への流入は、超音波接合による接合部が汚染されて強度が低下してしまうことになる。
　このような接着剤のはみ出しを抑制する方法として、ケースのヒートシンクとの対向面に複数の溝を形成し、そのうちの中央近傍の溝を接着剤塗布溝とし、外側および内側の溝を接着剤流出防止溝とするものが知られている（たとえば、特許文献３参照）。これにより、接着剤が接着剤塗布溝からはみ出たとしても、その接着剤は、接着剤流出防止溝に収容されてそれよりも先に流出してしまうことが防止される。
特開２０１３－２５８３２１号公報（段落〔００４３〕，図２） 特開２００４－１３４５１８号公報（段落〔００４８〕－〔００５６〕，図４－図７） 特開２０１２－１５３４９号公報（図１）
　従来の半導体モジュールでは、リードフレームにボンディングワイヤを超音波接合するときに、超音波接合面とは反対側の面を押えるピン状の押え治具が必要となり、しかも、その押え治具が複雑であるため、設備費用が上がるという問題点があった。また、押え治具は、超音波接合工程の際に着脱しなければならないが、その着脱に時間を要するために、製造のスループットが下がるという問題点もある。
　本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、製造段階で超音波による安定したワイヤボンディングが可能な半導体モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明では上記の課題を解決するために、半導体モジュールが提供される。この半導体モジュールは、ボンディングワイヤが超音波接合される接続面を有するリードフレームと、内部にリードフレームが搭載される搭載面を有し、外部に半導体チップを絶縁基板上に形成した回路ブロックが固定される固定面を有し、搭載面と固定面との間を貫通するように形成された開口部を有するケースと、を備えている。開口部には、接着剤が充填されてリードフレームの接続面のある近傍箇所と回路ブロックとが接着されている。
　また、本発明では、半導体モジュールの製造方法が提供される。この半導体モジュールの製造方法は、まず、ケースを成型する。このケースは、内部にボンディングワイヤが超音波接合される接続面を有するリードフレームが搭載される搭載面と、搭載面に対応する外部に半導体チップを絶縁基板上に形成した回路ブロックが固定される固定面とを有するように形成される。このとき、リードフレームの接続面の近傍箇所をその裏面よりエジェクタピンまたは押えピンで支持しながら金型に樹脂を注入してケースが成型される。次に、エジェクタピンまたは押えピンによって開口部が形成されたケースの固定面に開口部にも充填されるようにして接着剤を塗布し、ケースの固定面に回路ブロックを載置して回路ブロックがケースに固定される。そして、接着剤によって回路ブロックに固定されたリードフレームの接続面にボンディングワイヤが超音波接合される。
　このような半導体モジュールおよびその製造方法によれば、ボンディングワイヤが超音波接合されるリードフレームの接続面の近傍箇所が接着剤により開口部を介して回路ブロックに固定されている。これにより、リードフレームにボンディングワイヤを超音波接合するときに、リードフレームがばたついて接合不良を生じることがなくなる。
　上記構成の半導体モジュールおよびその製造方法は、従来の工程を変更したり従来の工程に何らかの工程を追加したりすることなく、リードフレームの接続面の近傍箇所を固定できるので、生産性（ワイヤボンド性）を向上させることができるという利点がある。
　また、リードフレームが高熱伝導率の接着剤にて絶縁基板に接着されるため、絶縁基板とリードフレームとの間の熱抵抗が低くなり、リードフレームの放熱性をさらに向上させることができる。
　さらに、リードフレームに載置された制御ＩＣが温度保護機能や温度出力機能を備えていた場合、半導体チップが低熱抵抗で接続されている絶縁基板と制御ＩＣが載置されているリードフレームとの間の熱抵抗も低くなる。このため、半導体チップと制御ＩＣとの間も低熱抵抗となるので、制御ＩＣは、温度をより正確に検出できるようになり、半導体チップの高精度の保護が可能となる。
　本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
本発明に係る半導体モジュールをその底面側から見た分解斜視図である。 絶縁基板搭載前の半導体モジュールを上下反転した状態で示す断面図である。 絶縁基板搭載時の半導体モジュールを示す断面図である。 ボンディングワイヤによる配線を行うときの半導体モジュールを示す断面図である。 樹脂封止後の半導体モジュールを示す断面図である。 半導体モジュールの製造方法を示すフローチャートである。 半導体モジュールの具体例を示す図である。
　以下、本発明に係る半導体モジュールの実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明に使用される図面において、同一の構成要素については、同一の符号を付して重複する説明は省略する。
　図１は本発明に係る半導体モジュールをその底面側から見た分解斜視図、図２は絶縁基板搭載前の半導体モジュールを上下反転した状態で示す断面図、図３は絶縁基板搭載時の半導体モジュールを示す断面図である。図４はボンディングワイヤによる配線を行うときの半導体モジュールを示す断面図、図５は樹脂封止後の半導体モジュールを示す断面図である。
　本発明に係る半導体モジュールは、その組立前の概要を示した図１に見られるように、端子ケース１を備えている。この端子ケース１は、リードフレーム２とケース３との一体成型（リードフレームインサート成型）によって形成される。端子ケース１は、リードフレーム２がインサートされた対向する１対の平行な側壁部４ａと、この側壁部４ａの長手方向両端に接続された対向する１対の平行な側壁部４ｂとを有し、平面視で長方形の額縁状に形成されている。端子ケース１の側壁部４ａ，４ｂは、Ｌ字状の断面を有し、その底面（図１では上面になっている）には、中央開口部５の周囲に沿って段部６ａが形成されている。側壁部４ａ，４ｂの段部６ａは、絶縁基板７が固定される固定面であり、絶縁基板７の厚さよりも薄い寸法の深さを有している。
　端子ケース１は、また、図２に示されるように、リードフレーム２の内側が段部６ａの反対側に位置する搭載面である内面６ｂに搭載され、かつ、リードフレーム２の外側が側壁部４ａを貫通して外方に延出した状態に形成されている。リードフレーム２は、ケース３の内面６ｂへの搭載面と反対側が超音波接合による接続面となっている。
　ここで、リードフレーム２が搭載されている端子ケース１の内面６ｂには、段部６ａまで貫通する開口部８が形成されている。すなわち、段部６ａが形成されたケース部分は、開口部８の上下にリードフレーム２と絶縁基板７の接着面とが位置する構造となっている。この開口部８は、リードフレーム２の接続面の直下のケース部分に、すなわち、超音波接合によりワイヤボンディングを行う箇所近傍のケース部分に形成されている。なお、超音波接合によりワイヤボンディングを行う箇所は、リードフレーム２の主電流が流れる箇所でもある。さらに、開口部８は、必要に応じて、リードフレーム２が配置されている箇所であって超音波接合は行われない箇所にも、リードフレーム２を絶縁基板７に固定する目的で形成されていてもよい。
　開口部８は、リードフレームインサート成型時に形成される。すなわち、あらかじめ成型されたリードフレーム２を金型にセットするときに、リードフレーム２を支持するようにエジェクタピンを設置しておく。この状態で金型に、たとえば、ＰＰＳ樹脂を射出して端子ケース１を成型する。このとき、金型内に充填された樹脂は、エジェクタピンが可動することなく固化されていくので、エジェクタピンへ回り込むことがない。その後、端子ケース１は、エジェクタピンにより金型から突き出され、さらに、エジェクタピンを端子ケース１から引き抜くことによって開口部８が形成される。
　開口部８は、また、インサート成型時におけるリードフレーム２のよじれや位置ずれを抑制するために使用される、いわゆる押えピンで形成してもよく、さらには、エジェクタピンと押えピンとの両方を使って形成してもよい。
　次に、このようにして形成された端子ケース１を用いて半導体モジュールを構成する手順について説明する。まず、端子ケース１は、用途や目的によっては、回路を兼ねるリードフレーム２上に制御ＩＣやコンデンサ、抵抗などの受動素子が載置される。図２の例では、リードフレーム２上に制御ＩＣ９を載置した例を示している。
　リードフレーム２上に制御ＩＣ９が載置された端子ケース１は、図２に示したように、上下を反転し、次に、図３に示したように、絶縁基板７が固定される段部６ａに接着剤１０が塗布される。この接着剤１０は、ケース３を成しているＰＰＳ樹脂の熱伝導率（たとえば、０．３［Ｗ／ｍＫ］）より高い熱伝導率（たとえば、０．５［Ｗ／ｍＫ］）の樹脂が用いられる。この接着剤１０は、また、段部６ａの表面に塗布されるだけでなく、開口部８にも充填される。これにより、リードフレーム２は、開口部８に対向している部分が接着剤１０によって接着されることになる。
　次に、端子ケース１は、図３に示したように、接着剤１０が塗布された段部６ａに絶縁基板７が載置される。この絶縁基板７は、ＡＬ（アルミニウム）絶縁基板またはＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板とすることができ、表面にあらかじめ形成された導電性の配線パターン１２の上にパワー用の半導体チップ１３，１４が搭載されて回路ブロック１１を構成している。これら半導体チップ１３，１４は、ここでは、ＩＧＢＴおよびＦＷＤとしている。
　この回路ブロック１１は、半導体チップ１３，１４の搭載面を下にして段部６ａに載置されることにより、絶縁基板７の外周部が接着剤１０によって端子ケース１に接着されるだけでなく、開口部８の接着剤１０によってリードフレーム２にも接着される。これにより、リードフレーム２は、その直下の開口部８に充填された接着剤１０によって絶縁基板７と固着されるだけでなく、接着剤１０を介して絶縁基板７と熱的に結合されることになる。
　リードフレーム２は、開口部８を介して絶縁基板７に固着されてワイヤボンディングを行う箇所の近傍が固定されるので、超音波接合時に複雑な押え治具を必要とすることがなく、しかも、ボンディング不良が発生することもない。
　また、リードフレーム２は、開口部８を介して絶縁基板７に熱的に結合されているので、主電流が流れることによる発熱を絶縁基板７に伝熱することができ、リード端子の放熱を可能にしている。これにより、リードフレームが支持部材挿入口および貫通孔とする開口部によって熱伝導率が０．０２４１［Ｗ／ｍＫ］の空気に晒されている従来例に比べ、リードフレーム２の放熱性をより向上させることができる。
　このとき、リードフレーム２に載置された制御ＩＣ９が温度保護機能や温度出力機能を備えていた場合、制御ＩＣ９は、半導体チップ１３，１４の保護を高精度に行えるようになる。すなわち、リードフレーム２が空気に晒されている従来例に比べ、半導体チップ１３，１４が低熱抵抗で接続されている絶縁基板７と制御ＩＣ９が載置されているリードフレーム２との間の熱抵抗がより低下している。このため、半導体チップ１３，１４と制御ＩＣ９との間が低熱抵抗となるので、制御ＩＣ９は、温度をより正確に検出できるようになり、半導体チップ１３，１４の高精度の保護が可能となる。
　次に、回路ブロック１１が固着された端子ケース１は、図４に示したように、１８０度回転され、端子ケース１の内面６ｂおよび回路ブロック１１の半導体チップ１３，１４の搭載面が上に向けられる。ここで、端子ケース１は、その上端面を矢印１５が示す方向に押えることにより、ワイヤボンディングの準備が整えられる。これにより、超音波接合時に、ケースから浮いているリードフレームを、ワイヤボンディングを行う箇所ごとに押えなければならない従来例に比較して、押え治具の構成を圧倒的にシンプルにすることができる。
　この状態で、半導体モジュールは、図５に示したように、主回路のボンディングワイヤ１６および制御回路のボンディングワイヤ１７によるワイヤボンディングが実施される。このとき、端子ケース１の内面６ｂとリードフレーム２との界面が密着しているので、リードフレーム２へのボンディングワイヤ１６の超音波接合では、超音波の振動エネルギが吸収されることなく確実に伝えられる。また、半導体チップ１３，１４へのボンディングワイヤ１６のワイヤボンディングならびに半導体チップ１３、制御ＩＣ９およびリードフレーム２へのボンディングワイヤ１７のワイヤボンディングも行われる。
　そして、半導体モジュールは、図５に示したように、端子ケース１に液状の注型樹脂１８が充填され、半導体チップ１３，１４および制御ＩＣ９を樹脂封止する。この注型樹脂１８は、回路ブロック１１の絶縁基板７を端子ケース１に接着する接着剤１０と同じ樹脂とすることができる。注型樹脂１８および接着剤１０に同じ材料を用いることにより、部材の共通化を図ることが可能となる。
　次に、この半導体モジュールの製造プロセスの具体例について説明する。
　図６は半導体モジュールの製造方法を示すフローチャート、図７は半導体モジュールの具体例を示す図である。
　半導体モジュールの製造は、図６に示したように、回路ブロック１１および端子ケース１があらかじめ別工程にてそれぞれ作成される。まず、回路ブロック１１は、絶縁基板７が用意され（ステップＳ１）、絶縁基板７の一方の面にはんだが塗布される（ステップＳ２）。次に、ＩＧＢＴおよびＦＷＤとする半導体チップ１３，１４が用意され（ステップＳ３）、これら半導体チップ１３，１４が絶縁基板７に塗布されたはんだの上に搭載され（ステップＳ４）、リフロー炉に入れられてはんだ付けされ、回路ブロック１１が構成される（ステップＳ５）。
　一方、端子ケース１については、まず、あらかじめ成型されたリードフレーム２が用意され（ステップＳ６）、このリードフレーム２は、射出成型機の金型にセットされ、その金型にＰＰＳ樹脂が射出されることにより端子ケース１が成型される（ステップＳ７）。このとき、端子ケース１は、エジェクタピンまたは押えピンを使って開口部８が形成されている。次に、端子ケース１内のリードフレーム２の制御ＩＣ搭載位置に、たとえば熱硬化型の銀ペーストが塗布される（ステップＳ８）。次に、制御ＩＣ９が用意され（ステップＳ９）、その制御ＩＣ９は、銀ペーストの上に搭載され、リードフレーム２に固定される（ステップＳ１０）。
　次に、リードフレーム２に制御ＩＣ９が搭載された端子ケース１は、その上下が反転され（図２参照）、端子ケース１の中央開口部５の周囲に形成された段部６ａに接着剤１０が塗布される。次に、段部６ａに半導体チップ１３，１４の搭載面を下にした絶縁基板７が搭載され、これにより、端子ケース１と絶縁基板７とが接着される（ステップＳ１１）。この接着工程では、従来の端子ケース・絶縁基板接着と同一工程・設備を用いることができるので、設備やタクト増加によるコストアップがない。
　次に、端子ケース１は、その上下が反転されて、絶縁基板７の半導体チップ１３，１４の搭載面およびリードフレーム２の制御ＩＣ搭載面が上にされて、ボンディングワイヤ１６，１７によるワイヤボンディングが行われる（ステップＳ１２）。
　次に、端子ケース１には、ＰＰＳ樹脂とする注型樹脂１８が充填されて樹脂封止される（ステップＳ１３）。
　以上の工程により作られた半導体モジュールの具体例について説明する。図７に例示した半導体モジュール２０は、樹脂封止前のケース３をその上面から見たものである。この半導体モジュール２０は、回路ブロック１１の絶縁基板７に６つの配線パターン１２が形成され、それぞれの配線パターン１２には、ＩＧＢＴとする半導体チップ１３およびＦＷＤとする半導体チップ１４が搭載されている。また、内部配線をなすリードフレーム２ａには、３つの制御ＩＣ９が搭載されている。
　ここで、配線パターン１２または半導体チップ１３，１４とリード端子をなすリードフレーム２とがボンディングワイヤ１６によって接続されており、リードフレーム２のボンディングワイヤ１６が接合される箇所近傍の直下には、開口部８が形成されている。これにより、リードフレーム２は、ボンディングワイヤ１６が接合される箇所近傍において、接着剤１０により絶縁基板７に固定される。よって、リードフレーム２の接続面にボンディングワイヤ１６を超音波接合するとき、リードフレーム２がばたついて接合不良を生じてしまうことがない。また、接着剤１０の熱伝導率がケース３の熱伝導率より高いので、リードフレーム２に主電流が流れることによる発熱が接着剤１０を介して絶縁基板７に伝熱されるので、リードフレーム２の放熱性能が向上する。
　一方、リードフレーム２ａの直下に形成された開口部８は、接着剤１０を充填してリードフレーム２ａを絶縁基板７に固定するためのものである。リードフレーム２ａは、その両端がケース３の側壁部４ａ，４ｂによって固定されているが、その中間部が接着剤１０によって絶縁基板７に固定されていることにより、より強固にケース３に固定される。
　また、接着剤１０は、ケース３よりもリードフレーム２との密着性が高いものが好ましい。これにより、ケース３とリードフレーム２の間に線膨張係数の相違によって隙間が生じた場合、リードフレーム２と絶縁基板７の間を強固に密着することでき、放熱性能が向上する。
　なお、本発明は、上記の構成に限定されるものではなく、必要に応じて、適宜組み合わせて構成することができる。
　上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。
　１　端子ケース
　２，２ａ　リードフレーム
　３　ケース
　４ａ，４ｂ　側壁部
　５　中央開口部
　６ａ　段部
　６ｂ　内面
　７　絶縁基板
　８　開口部
　９　制御ＩＣ
　１０　接着剤
　１１　回路ブロック
　１２　配線パターン
　１３，１４　半導体チップ
　１６，１７　ボンディングワイヤ
　１８　注型樹脂
　２０　半導体モジュール

Claims (7)

  1. 　ボンディングワイヤが超音波接合される接続面を有するリードフレームと、
    　内部に前記リードフレームが搭載される搭載面を有し、外部に半導体チップを絶縁基板上に形成した回路ブロックが固定される固定面を有し、前記搭載面と前記固定面との間を貫通するように形成された開口部を有するケースと、
    　を備え、
    　前記開口部には、接着剤が充填されて前記リードフレームの前記接続面のある近傍箇所と前記回路ブロックとを接着していることを特徴とする半導体モジュール。
  2. 　前記開口部は、前記リードフレームの前記接続面のない箇所と前記回路ブロックとの間にも形成されていて内部に充填された前記接着剤により前記リードフレームと前記回路ブロックとを接着していることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
  3. 　前記接着剤は、前記回路ブロックが前記ケースの前記固定面に固定される接着剤と同じ接着剤であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体モジュール。
  4. 　前記接着剤は、熱伝導率が前記ケースの熱伝導率より高いことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
  5. 　前記接着剤は、前記ケースに充填されて前記半導体チップを樹脂封止する注型樹脂と同じ樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
  6. 　前記接着剤は、前記ケースよりも前記リードフレームとの密着力が高いことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
  7. 　内部にボンディングワイヤが超音波接合される接続面を有するリードフレームが搭載される搭載面と、前記搭載面に対応する外部に半導体チップを絶縁基板上に形成した回路ブロックが固定される固定面とを有するように、前記リードフレームの前記接続面の近傍箇所をその裏面よりエジェクタピンまたは押えピンで支持しながら金型に樹脂を注入してケースを成型し、
    　前記エジェクタピンまたは前記押えピンによって開口部が形成された前記ケースの前記固定面に前記開口部にも充填されるようにして接着剤を塗布し、
    　前記ケースの前記固定面に前記回路ブロックを載置して前記回路ブロックを前記ケースに固定し、
    　前記接着剤によって前記回路ブロックに固定された前記リードフレームの前記接続面に前記ボンディングワイヤを超音波接合する、
    　ことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
PCT/JP2015/055066 2014-04-30 2015-02-23 半導体モジュールおよびその製造方法 Ceased WO2015166696A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580002346.8A CN105684147B (zh) 2014-04-30 2015-02-23 半导体模块及其制造方法
JP2016515880A JP6288254B2 (ja) 2014-04-30 2015-02-23 半導体モジュールおよびその製造方法
DE112015000183.2T DE112015000183B4 (de) 2014-04-30 2015-02-23 Halbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US15/151,453 US9837338B2 (en) 2014-04-30 2016-05-10 Semiconductor module with mounting case and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014093422 2014-04-30
JP2014-093422 2014-04-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/151,453 Continuation US9837338B2 (en) 2014-04-30 2016-05-10 Semiconductor module with mounting case and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015166696A1 true WO2015166696A1 (ja) 2015-11-05

Family

ID=54358437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/055066 Ceased WO2015166696A1 (ja) 2014-04-30 2015-02-23 半導体モジュールおよびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9837338B2 (ja)
JP (1) JP6288254B2 (ja)
CN (1) CN105684147B (ja)
DE (1) DE112015000183B4 (ja)
WO (1) WO2015166696A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199818A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 富士電機株式会社 半導体装置
JP2020064992A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2021034384A (ja) * 2019-08-13 2021-03-01 富士電機株式会社 半導体装置
US11430707B2 (en) 2018-09-19 2022-08-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2023002296A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 富士電機株式会社 半導体装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9824980B2 (en) * 2014-06-27 2017-11-21 Nxp B.V. Lead finger locking structure
DE112016006381B4 (de) * 2016-02-09 2024-06-20 Mitsubishi Electric Corporation Leistungshalbleitervorrichtung und herstellungsverfahren dafür
EP3482915B1 (en) * 2016-07-11 2022-06-29 Zuiko Corporation Ultrasonic welding device and ultrasonic welding method
CN109427744B (zh) * 2017-08-22 2023-11-24 比亚迪半导体股份有限公司 Ipm模块、车辆及ipm模块的制作方法
JP7038645B2 (ja) * 2018-12-06 2022-03-18 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7364168B2 (ja) 2019-02-12 2023-10-18 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体モジュール及び半導体デバイス収容体
JP7298177B2 (ja) * 2019-02-15 2023-06-27 富士電機株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
JP2020150049A (ja) * 2019-03-12 2020-09-17 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
JP7287085B2 (ja) * 2019-04-18 2023-06-06 富士電機株式会社 組立冶具セットおよび半導体モジュールの製造方法
JP7346178B2 (ja) * 2019-09-05 2023-09-19 株式会社東芝 半導体装置
JP7388912B2 (ja) * 2019-12-23 2023-11-29 ダイヤゼブラ電機株式会社 イグナイタ
JP7426954B2 (ja) * 2021-01-08 2024-02-02 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN113113364A (zh) * 2021-04-19 2021-07-13 深圳基本半导体有限公司 功率模块及其封装方法
EP4174928A1 (de) * 2021-10-28 2023-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement mit gedämpften bondflächen in einem gehäuse mit umspritzten pins

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03178151A (ja) * 1989-12-06 1991-08-02 Toshiba Corp 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法
JP2000500928A (ja) * 1996-09-20 2000-01-25 モトローラ・インコーポレイテッド 液密封止を有する電子制御モジュール
JP2004505450A (ja) * 2000-07-25 2004-02-19 エスエスアイ　インコーポレイテッド プラスチックパッケージのベース、エアキャビティ型パッケージ及びその製造方法
JP2004134518A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Nissan Motor Co Ltd 電子部品、電子部品の製造方法及び製造装置
JP2006515115A (ja) * 2003-09-05 2006-05-18 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 制御装置ユニットおよび該制御装置ユニットを製作する方法
JP2013258321A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
WO2014199764A1 (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5122858A (en) * 1990-09-10 1992-06-16 Olin Corporation Lead frame having polymer coated surface portions
US5313365A (en) * 1992-06-30 1994-05-17 Motorola, Inc. Encapsulated electronic package
JP3021070U (ja) * 1995-07-28 1996-02-16 富士電機株式会社 半導体装置
JP3022393B2 (ja) * 1997-04-21 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体装置およびリードフレームならびに半導体装置の製造方法
JP3843185B2 (ja) * 1998-10-30 2006-11-08 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2000028589A1 (en) * 1998-11-06 2000-05-18 Festec Co., Ltd. A plastic package having an air cavity and manufacturing method thereof
JP2001244376A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd 半導体装置
US6774465B2 (en) * 2001-10-05 2004-08-10 Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. Semiconductor power package module
DE102004021365A1 (de) 2004-03-16 2005-10-06 Robert Bosch Gmbh Gehäuse für eine elektronische Schaltung und Verfahren zum Abdichten des Gehäuses
JP2005332874A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Hitachi Metals Ltd 回路基板及びこれを用いた半導体装置
US20070257343A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Hauenstein Henning M Die-on-leadframe (dol) with high voltage isolation
JP2009038077A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Yamaha Corp プリモールドパッケージ型半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ
JP4543089B2 (ja) * 2008-01-11 2010-09-15 株式会社東芝 半導体装置
JP5310660B2 (ja) 2010-07-01 2013-10-09 富士電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03178151A (ja) * 1989-12-06 1991-08-02 Toshiba Corp 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法
JP2000500928A (ja) * 1996-09-20 2000-01-25 モトローラ・インコーポレイテッド 液密封止を有する電子制御モジュール
JP2004505450A (ja) * 2000-07-25 2004-02-19 エスエスアイ　インコーポレイテッド プラスチックパッケージのベース、エアキャビティ型パッケージ及びその製造方法
JP2004134518A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Nissan Motor Co Ltd 電子部品、電子部品の製造方法及び製造装置
JP2006515115A (ja) * 2003-09-05 2006-05-18 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 制御装置ユニットおよび該制御装置ユニットを製作する方法
JP2013258321A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
WO2014199764A1 (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199818A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 富士電機株式会社 半導体装置
US11430707B2 (en) 2018-09-19 2022-08-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2020064992A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7238330B2 (ja) 2018-10-18 2023-03-14 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2021034384A (ja) * 2019-08-13 2021-03-01 富士電機株式会社 半導体装置
JP7392319B2 (ja) 2019-08-13 2023-12-06 富士電機株式会社 半導体装置
JP2023002296A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 富士電機株式会社 半導体装置
JP7666161B2 (ja) 2021-06-22 2025-04-22 富士電機株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6288254B2 (ja) 2018-03-07
US20160254215A1 (en) 2016-09-01
JPWO2015166696A1 (ja) 2017-04-20
CN105684147B (zh) 2019-04-05
CN105684147A (zh) 2016-06-15
US9837338B2 (en) 2017-12-05
DE112015000183T5 (de) 2016-07-21
DE112015000183B4 (de) 2022-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6288254B2 (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
CN105190874B (zh) 半导体模块及半导体装置
JP5115595B2 (ja) 半導体モジュールの製造方法
JP6920790B2 (ja) インテリジェントパワーモジュール、電気自動車またはハイブリッドカー、およびインテリジェントパワーモジュールの組み立て方法
JP5115594B2 (ja) 半導体モジュール
CN104285294B (zh) 半导体装置及该半导体装置的制造方法
JP7573818B2 (ja) 冷却器フレームの一体化が向上した電力変換装置
CN105405815A (zh) 半导体装置及其制造方法
WO2020105463A1 (ja) 半導体モジュール、電力変換装置および半導体モジュールの製造方法
CN101681897A (zh) 双侧冷却集成功率装置封装和模块及其制造方法
WO2012137685A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2014103133A1 (ja) 半導体装置
JP2020136366A (ja) 半導体モジュール、車両および製造方法
CN111276447A (zh) 双侧冷却功率模块及其制造方法
US9437508B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
KR101482839B1 (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
US11582889B2 (en) Semiconductor module and vehicle
CN105990275A (zh) 功率模块封装件及其制作方法
JP7204919B2 (ja) パワーモジュールおよびその製造方法
WO2017112863A1 (en) Metal slugs for double-sided cooling of power module
JP7543854B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN205406513U (zh) 半导体装置
JP7512659B2 (ja) 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
CN103430305A (zh) 树脂封装
JP7135293B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15786106

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016515880

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112015000183

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120150001832

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15786106

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1