WO2015093271A1 - 感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive transfer material, a pattern forming method, and an etching method.
  • the photosensitive resin composition is classified into a negative type in which a portion irradiated with actinic rays is left as an image and a positive type in which a portion not irradiated with actinic rays is left as an image, depending on the difference in the photosensitive system.
  • a negative type since the exposed portion is cured, if the obtained pattern shape is defective, it is necessary to discard the entire substrate.
  • the positive type the exposed part and the unexposed part were not cured at the time of pattern exposure because the solubility of the exposed part was increased by using a photosensitizer that generates an acid by irradiating actinic rays. If the pattern shape is defective, the substrate can be reused (reworked) by overall exposure or the like. Therefore, from the viewpoint of excellent so-called reworkability, a positive photosensitive resin composition is preferable.
  • Patent Document 1 describes a transfer film having a support film and a resin film formed on the support film from a positive radiation-sensitive resin composition.
  • a positive radiation sensitive resin composition a structural unit having an acid dissociable functional group that is dissociated by an acid to generate an acidic functional group, a polymer having a crosslinked structure, a radiation sensitive acid generator, and an organic
  • a chemically amplified positive radiation-sensitive resin composition containing a solvent is described, and a polymer having a crosslinked structure is used, in particular, having a crosslinked structure derived from a monomer having an ethylenic double bond It has been.
  • Patent Document 1 when forming a plated model, when forming a metal column by plating in a groove formed by patterning a resin film, a resin film is used for a resin film with low strength.
  • the positive radiation sensitive resin composition of Patent Document 1 when used, an ethylenic crosslinked structure can be formed in the resin film, so that a strong resin film can be formed.
  • metal pillars with vertical sidewalls can be formed.
  • Patent Document 1 includes a structural unit containing a cross-linked structure in an amount of 0.1 to 10 mol% with respect to the total of other structural units, so that a good resolution can be obtained as a resist without gelation.
  • the present inventors has a support and a photosensitive resin composition layer, and the photosensitive resin composition layer includes a structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-decomposable group.
  • the photosensitive resin composition layer includes a structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-decomposable group.
  • the photosensitive resin composition layer preferably contains (C) a heterocyclic compound.
  • the content of (C) the heterocyclic compound is 0.1% by mass to 10% by mass with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition layer. It is preferable.
  • the (C) heterocyclic compound has an epoxy group.
  • R 31 and R 32 are independently a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of a R 31 and R 32 is an alkyl group or an aryl group, R 33 Represents an alkyl group or an aryl group, R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether, R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X 0 represents a single bond or arylene. Represents a group.
  • the film thickness of the photosensitive resin composition layer is preferably 0.5 to 10 ⁇ m.
  • the photosensitive transfer material according to any one of [1] to [8] preferably further includes a sensitizer in the photosensitive resin composition layer.
  • the photosensitive transfer material according to any one of [1] to [9] preferably further contains a basic compound in the photosensitive resin composition layer.
  • the photosensitive transfer material according to any one of [1] to [10] preferably further includes a protective film for the photosensitive resin composition layer.
  • the photosensitive transfer material according to any one of [1] to [11] is preferably a photosensitive transfer material for forming a removable etching resist.
  • a photosensitive transfer material that is positive type, excellent in heat-resistant rectangularity, excellent in etchant resistance, excellent in resist stripping property, and less dusting during processing.
  • the photosensitive transfer material of the present invention includes a support.
  • a support a material that is flexible and does not cause significant deformation, shrinkage, or elongation under pressure or under pressure and heat can be used.
  • Examples of such a support include a polyethylene terephthalate film, a cellulose triacetate film, a polystyrene film, and a polycarbonate film, and among them, a biaxially stretched polyethylene terephthalate film is particularly preferable.
  • the thickness of the support is not particularly limited, and is generally in the range of 5 to 200 ⁇ m. In view of ease of handling and versatility, the range of 10 to 150 ⁇ m is particularly preferable.
  • the support may be transparent or may contain dyed silicon, alumina sol, chromium salt, zirconium salt, or the like. Further, the above-mentioned support used for the photosensitive transfer material of the present invention can be imparted with conductivity by the method described in JP-A-2005-221726.
  • the photosensitive transfer material of the present invention includes a photosensitive resin composition layer, and the above-described photosensitive resin composition layer includes a structural unit (A) in which the acid group is protected with an acid-decomposable group (
  • the above-mentioned photosensitive resin composition contains a polymer component including a polymer having a1) and (B) a photoacid generator, and does not have an ethylenic crosslinked structure.
  • the photosensitive transfer material of the present invention is one in which the above-described photosensitive resin composition does not have an ethylenic cross-linked structure, and by not having an ethylenic cross-linked structure, it has solvent solubility and solubility during development. There are advantages.
  • the total content of the polymer having an ethylenic crosslinkable group and the content of the monomer containing a crosslinkable group is preferably less than 0.1% by mass, More preferably, it is less than mass%.
  • a monomer containing two or more crosslinkable groups it is preferable that a monomer containing two or more crosslinkable groups is not included, and the above-mentioned photosensitive resin composition contains two or more crosslinkable groups.
  • the monomer content is preferably less than 0.1% by mass, and more preferably less than 0.01% by mass.
  • the ratio of the component of the above-mentioned photosensitive resin composition here is a ratio with respect to the total solid content except a solvent.
  • the structural unit having a crosslinkable group is substantially not contained.
  • the mixing ratio of the structural unit having a functional group is more preferably less than 0.1 mol% relative to the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group. Particularly preferred is less than 01 mol%.
  • the polymer component (A) includes a polymer having a structural unit (a1) having a group in which an acid group is protected with an acid-decomposable group.
  • the aforementioned polymer component (A) may further contain a polymer other than these.
  • the (A) polymer component hereinafter, referred to as “component (A)” includes other polymers added as necessary unless otherwise specified.
  • ⁇ Structural Unit (a1) When the aforementioned polymer component (A) has the structural unit (a1), a photosensitive transfer material having an extremely sensitive photosensitive resin composition layer can be obtained.
  • the acid group and the acid-decomposable group in the “group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group” in the present invention those known as an acid group and an acid-decomposable group can be used, and are not particularly limited.
  • Specific examples of the acid group preferably include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group.
  • Examples of the acid-decomposable group include groups that are relatively easily decomposed by an acid (for example, an ester structure of a group represented by the formula (A1) or the formula (A1 ′) described later, a tetrahydropyranyl ester group, or a tetrahydrofuranyl group.
  • An acetal functional group such as an ester group) or a group that is relatively difficult to be decomposed by an acid (for example, a tertiary alkyl group such as a tert-butyl ester group or a tertiary alkyl carbonate group such as a tert-butyl carbonate group). be able to.
  • the structural unit (a1) having an acid group protected with an acid-decomposable group is a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group, or a protected carboxyl protected with an acid-decomposable group.
  • a structural unit having a group is preferred.
  • the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group has a group in which a carboxy group or a phenolic hydroxyl group is protected in the form of an acetal. More preferably it is a unit.
  • the structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group and the structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group will be described in order.
  • R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, and R 3 is an alkyl group Represents a group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be linked to form a cyclic ether, and R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 1 and R 2 when R 1 and R 2 are alkyl groups, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms are preferable.
  • R 1 and R 2 are aryl groups, a phenyl group is preferred.
  • R 11 and R 12 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 11 and R 12 is an alkyl group or an aryl group, and R 13 is Represents an alkyl group or an aryl group, and R 11 or R 12 and R 13 may be linked to form a cyclic ether, and each R 14 independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group.
  • R 13 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R 11 or R 12 and R 13 may be linked to form a cyclic ether.
  • R 14 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.
  • the phenolic hydroxyl group is a protected phenolic hydroxyl group protected in the form of an acetal represented by the following general formula (a1-10)
  • the entire protected phenolic hydroxyl group is —Ar—O—CR 101 R 102 (OR 103 ).
  • Ar represents an arylene group.
  • R 101 and R 102 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, except that R 101 and R 102 are both hydrogen atoms, and R 103 represents an alkyl group.
  • R 101 or R 102 and R 103 may be linked to form a cyclic ether.
  • R 101 to R 103 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group may be linear, branched or cyclic.
  • both R 101 and R 102 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 101 and R 102 represents an alkyl group.
  • methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n examples include -hexyl group, texyl group (2,3-dimethyl-2-butyl group), n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group and the like.
  • the cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms.
  • Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group.
  • the alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group.
  • R 101 , R 102 and R 103 are haloalkyl groups
  • R 101 , R 102 and R 103 are aralkyl groups.
  • the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.
  • the aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms, and specific examples thereof include a phenyl group, an ⁇ -methylphenyl group, and a naphthyl group.
  • the alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methoxy group or an ethoxy group.
  • the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. Or a branched alkyl group, it may have a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms as a substituent. These substituents may be further substituted with the above substituents.
  • R 101 , R 102 and R 103 can be bonded to each other to form a ring together with the carbon atom to which they are bonded.
  • Examples of the ring structure when R 101 and R 102 , R 101 and R 103 or R 102 and R 103 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, an adamantyl group, and a tetrahydropyrani group. And the like.
  • any one of R 101 and R 102 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
  • Examples of the polymerizable monomer used to form a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group in which the phenolic hydroxyl group is protected in the form of an acetal include, for example, paragraph No. 0042 of JP2011-215590A. And the like.
  • a 1-alkoxyalkyl protector of 4-hydroxyphenyl methacrylate and a tetrahydropyranyl protector of 4-hydroxyphenyl methacrylate are preferable from the viewpoint of transparency.
  • acetal protecting group for the phenolic hydroxyl group examples include a 1-alkoxyalkyl group, such as a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, and a 1-isobutoxyethyl group.
  • 1- (2-chloroethoxy) ethyl group, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl group, 1 -A benzyloxyethyl group etc. can be mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the polymerizable monomer used to form the structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group a commercially available monomer may be used, or a monomer synthesized by a known method may be used. You can also. For example, it can be synthesized by reacting a compound having a phenolic hydroxyl group with vinyl ether in the presence of an acid catalyst. In the above synthesis, a monomer having a phenolic hydroxyl group may be previously copolymerized with another monomer, and then reacted with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.
  • the structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group As preferred specific examples of the structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group, the following structural units can be exemplified, but the present invention is not limited thereto.
  • the copolymerization ratio of the structural unit having a protected phenol group protected by an acid-decomposable group in the polymer having the structural unit (a1) having a group protected by an acid-decomposable group is the acid-decomposable property described above. It is preferably 10 to 50%, more preferably 20 to 40%, particularly preferably 25 to 40% by mole based on the polymer containing a structural unit having a protected phenol group protected with a group.
  • all polymer components are decomposed into constituent units (monomer units)
  • the ratio of the structural unit (a1) having a protected phenol group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group to the number of moles of the structural unit is preferably 0 to 40 mol%, and preferably 10 to 35 mol%. More preferably, the content is 15 to 30 mol%.
  • the structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit having a protected carboxyl group in which the carboxyl group of the structural unit having a carboxyl group is protected by an acid-decomposable group described in detail below. It is. There is no restriction
  • a structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule, such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, or an unsaturated tricarboxylic acid
  • a structural unit (a1-1-2) having both an ethylenically unsaturated group and a structure derived from an acid anhydride.
  • the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule used as the structural unit having a carboxyl group, an ethylenically unsaturated group, and an acid
  • the structural unit (a1-1-2) having both an anhydride-derived structure will be described in turn.
  • ⁇ Structural Unit (a1-1-1) Derived from Unsaturated Carboxylic Acid etc. Having at least One Carboxyl Group in the Molecule >>>>>>>
  • the unsaturated carboxylic acid used in the present invention as the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule include those listed below. . That is, examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, ⁇ -chloroacrylic acid, cinnamic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl-succinic acid, 2- (meth) acrylic acid.
  • leuoxyethyl hexahydrophthalic acid and 2- (meth) acryloyloxyethyl-phthalic acid examples include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid.
  • the acid anhydride may be sufficient as unsaturated polyhydric carboxylic acid used in order to obtain the structural unit which has a carboxyl group. Specific examples include maleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, and the like.
  • the unsaturated polyvalent carboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polyvalent carboxylic acid, such as succinic acid mono (2-acryloyloxyethyl), succinic acid mono (2 -Methacryloyloxyethyl), mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate, mono (2-methacryloyloxyethyl) phthalate and the like.
  • the unsaturated polyvalent carboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of a dicarboxy polymer at both terminals, and examples thereof include ⁇ -carboxypolycaprolactone monoacrylate and ⁇ -carboxypolycaprolactone monomethacrylate.
  • unsaturated carboxylic acid acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester, 4-carboxystyrene and the like can also be used.
  • the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule acrylic acid, methacrylic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl-succinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl-phthalic acid, or unsaturated polycarboxylic acid anhydride It is preferable to use acrylic acid, methacrylic acid, and 2- (meth) acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid.
  • the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule may be composed of one kind alone or two or more kinds. May be.
  • the acid anhydride known ones can be used, and specifically, maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, chlorendic anhydride, etc.
  • phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride is preferable from the viewpoint of developability.
  • the reaction rate of the acid anhydride with respect to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.
  • the acid-decomposable group that can be used for the structural unit having a protected carboxyl group protected by the acid-decomposable group is used for the structural unit having a protected phenol group protected by the aforementioned acid-decomposable group.
  • Acid decomposable groups that can be used can be used. Among these acid-decomposable groups, it is a protected carboxyl group in which the carboxyl group is protected in the form of an acetal.
  • Basic properties of the photosensitive resin composition in particular, sensitivity and pattern shape, contact hole formation, photosensitive resin It is preferable from the viewpoint of the storage stability of the composition.
  • the carboxyl group is more preferably a protected carboxyl group protected in the form of the acetal represented by the general formula (a1-10) described above from the viewpoint of sensitivity.
  • the carboxyl group is a protected carboxyl group protected in the form of the acetal represented by the general formula (a1-10)
  • the protected carboxyl group as a whole is — (C ⁇ O) —O—CR. 101 R 102 (OR 103 ).
  • the polymerizable monomer used to form the structural unit having a protected carboxyl group represented by the above general formula (a1-10) a commercially available monomer may be used, or it may be synthesized by a known method. Things can also be used. For example, it can be synthesized by the synthesis method described in paragraph numbers 0037 to 0040 of JP2011-212494A.
  • a structural unit represented by the following general formula (A2 ′) is preferable from the viewpoint of increasing sensitivity.
  • R 31 and R 32 are independently a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of a R 31 and R 32 is an alkyl group or an aryl group
  • R 33 Represents an alkyl group or an aryl group
  • R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether
  • R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group
  • X 0 represents a single bond or arylene.
  • R 31 and R 32 are alkyl groups, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable.
  • R 31 and R 32 are aryl groups, a phenyl group is preferred.
  • R 31 and R 32 are each preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 33 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether, or R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether. It is preferable to form.
  • the number of ring members of the above-mentioned cyclic ether is not particularly limited, but is preferably 5 or 6, and more preferably 5.
  • R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.
  • X 0 represents a single bond or an arylene group, and a single bond is preferable.
  • a structural unit represented by the following general formula (A2 ′′) is more preferable from the viewpoint of further increasing sensitivity.
  • R 121 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 122 to R 128 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 121 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 122 to R 128 are preferably hydrogen atoms.
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • the copolymerization ratio of the structural unit having a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group in the polymer having the structural unit (a1) having a group protected by an acid-decomposable group is the acid-decomposable property described above. It is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, particularly preferably 30 to 50 mol%, based on the polymer containing a structural unit having a protected carboxyl group protected by a group. Moreover, after decomposing all polymer components into structural units (monomer units), the structural unit (a1) having a protected carboxyl group in which the acid group is protected by an acid-decomposable group with respect to the number of moles of all the structural units. Is preferably 0 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, and particularly preferably 15 to 25 mol%.
  • the above-mentioned component (A) of the above-mentioned photosensitive resin composition layer includes other structural units (a3) other than these. ).
  • These other structural units (a3) are polymers used for the polymer component (A), that is, a polymer having a structural unit (a1) having a group in which an acid group is protected with an acid-decomposable group. It may be included as a copolymerization component.
  • the monomer used as another structural unit (a3) Preferably has only one polymerizable group (or crosslinkable group), that is, it is preferably not a monomer containing two or more crosslinkable groups.
  • Examples of the other monomer constituting the structural unit (a3) include styrenes, (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters, (meth) acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid diesters, bicyclo Examples include unsaturated compounds, maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds, conjugated diene compounds, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides, and other unsaturated compounds. Moreover, you may have the structural unit which has an acid group so that it may mention later.
  • the monomer which becomes another structural unit (a3) can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the structural unit (a3) specifically includes styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene, ⁇ -methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, vinylbenzoic acid.
  • styrenes and groups having an aliphatic cyclic skeleton are preferable from the viewpoint of electrical characteristics. Specifically, styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene, ⁇ -methylstyrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, etc. Can be mentioned.
  • (meth) acrylic acid alkyl ester is preferable as another structural unit (a3) from the viewpoint of adhesion.
  • Specific examples include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, and n-butyl (meth) acrylate, and methyl (meth) acrylate is more preferred.
  • the content of the structural unit (a3) is preferably 60 mol% or less, 50 mol% or less is more preferable, and 40 mol% or less is still more preferable.
  • 0 mol% may be sufficient, it can be set as 1 mol% or more, for example, Furthermore, it can be set as 5 mol% or more. When it is within the above numerical range, various properties of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.
  • the acid group in the present invention means a proton dissociable group having a pKa of 10 or less.
  • the acid group is usually incorporated into the polymer as a structural unit containing an acid group using a monomer capable of forming an acid group. By including such a structural unit containing an acid group in the polymer, the polymer tends to be easily dissolved in an alkaline developer.
  • the acid group of the structural unit containing an acid group used for the other structural units described above is derived from a carboxylic acid group, derived from a sulfonamide group, derived from a phosphonic acid group, derived from a sulfonic acid group. And those derived from phenolic hydroxyl groups, sulfonamide groups, sulfonylimide groups and the like, and those derived from carboxylic acid groups and / or those derived from phenolic hydroxyl groups are preferred.
  • the structural unit containing an acid group used in the other structural units described above is a structural unit obtained by substituting an acid group for a structural unit derived from styrene or a structural unit derived from a vinyl compound, or (meth) acrylic. More preferred is a structural unit derived from an acid.
  • a structural unit having a carboxyl group or a structural unit having a phenolic hydroxyl group as the other structural unit (a3).
  • a structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group a polymer having a structural unit having a protected phenol group protected with the acid-decomposable group is the above-mentioned other unit.
  • a structural unit derived from a phenolic hydroxyl group is preferably included as a copolymerization component, and a structural unit derived from hydroxystyrene or ⁇ -methylhydroxystyrene is more preferably included as a copolymerization component. It is particularly preferable to include a structural unit derived from styrene as a copolymerization component.
  • the copolymerization ratio of the structural unit containing an acid group in the polymer having the structural unit having a protected phenol group protected with the acid-decomposable group is The amount of the polymer having a structural unit having a protected phenol group protected with a group is preferably 50 to 90 mol%, more preferably 60 to 75 mol%. Further, when the acid group is a carboxylic acid group, it is preferably 0 to 30% by mole based on the polymer having a structural unit having a protected phenol group protected by the acid-decomposable group described above, and 5 to 10% by mole. Is more preferable.
  • the copolymerization ratio of the structural unit containing an ester of an acid group in the polymer having a structural unit having a protected phenol group protected by the acid-decomposable group is the same as that of the protected phenol group protected by the acid-decomposable group.
  • the content is preferably 0 to 30 mol%, more preferably 0 to 10 mol%, particularly preferably 0 mol%, based on the polymer having the structural units.
  • the polymer having a structural unit having a protected carboxyl group protected by the above-mentioned acid-decomposable group includes the above-mentioned other units.
  • the structural units (a3) it is preferable to include a structural unit derived from a carboxylic acid group and / or an ester thereof as a copolymerization component, and (meth) acrylic acid, benzyl (meth) acrylate or 2-hydroxy (meth) acrylate More preferably, a structural unit derived from ethyl is included as a copolymerization component.
  • the copolymerization ratio of the structural unit containing an acid group in the polymer having the structural unit having a protected carboxyl group protected by the acid-decomposable group is The amount is preferably 50 to 90 mol%, more preferably 60 to 75 mol% based on the polymer having a structural unit having a carboxyl group protected with a group.
  • the acid group is a carboxylic acid group, it is preferably 0 to 30 mol%, preferably 5 to 10 mol% based on the polymer having a structural unit having a carboxyl group protected by the acid-decomposable group. More preferred.
  • the copolymerization ratio of the structural unit containing an ester of an acid group in the polymer having the structural unit having a protected carboxyl group protected by the acid-decomposable group is the same as that of the protected carboxyl group protected by the acid-decomposable group.
  • the amount is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 30 to 70 mol%, particularly preferably 40 to 60 mol%, based on the polymer having the structural unit.
  • the structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group develops faster than the structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid-decomposable group. Therefore, when it is desired to rapidly develop the photosensitive resin composition layer after exposure, a structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. Conversely, when it is desired to slow development, it is preferable to use a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.
  • polymers having the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected by an acid-decomposable group in the polymer component (A) described above are included. There may be more than species.
  • the photosensitive transfer material of the present invention preferably contains two or more polymers having the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group as the polymer component.
  • the photosensitive transfer material of the present invention is a polymer in which the photosensitive resin composition layer has a structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group as the polymer component.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer contains two or more polymers having the structural unit (a1) having a group in which the above-mentioned acid group is protected with an acid-decomposable group as the above-mentioned polymer component, and As the polymer having the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group, the structural unit represented by the general formula (A1) or the general formula (A1 ′) is used. It is more preferable from the viewpoint of enhancing both sensitivity and resolution to contain at least one of the polymers having and a polymer having the structural unit represented by the general formula (A2 ′).
  • the polymer component contains two or more polymers having the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group
  • the protection is protected with the acid-decomposable group.
  • the ratio of the polymer having a structural unit having a phenolic hydroxyl group and the polymer having a structural unit having a protected carboxyl group protected by the above-described acid-decomposable group is 10:90 to 100: 0 by mass. It is preferably 30:70 to 60:40, more preferably 1: 1.
  • the molecular weight of the polymer containing the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group is preferably a weight average molecular weight in terms of polystyrene, preferably 1,000 to 200,000, more preferably It is in the range of 2,000 to 50,000. Various characteristics are favorable in the range of said numerical value.
  • the ratio (dispersity) between the number average molecular weight and the weight average molecular weight is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.05 to 3.5.
  • the component (A) is used to form at least the structural units represented by (a1) and (a3). It can be synthesized by polymerizing a polymerizable monomer mixture containing a polymerizable monomer in an organic solvent using a polymerization initiator. It can also be synthesized by a so-called polymer reaction.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer preferably contains component (A) in a proportion of 50 to 99.9 parts by mass, and in a proportion of 70 to 98 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content. More preferred.
  • the acid group is substantially an acid-decomposable group.
  • the polymer may have a polymer having other structural units without including the structural unit (a1) having a group protected with.
  • the total polymer component content is preferably 60% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and even more preferably 20% by mass or less. .
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer may contain only one type of polymer having other structural unit (a3) without substantially including these structural units (a1), or two or more types of polymers. May be included.
  • polystyrene can be used as the non-polymer, which is commercially available, such as SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F (above, manufactured by Sartomer), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncory 678 ncryl 586 (manufactured by BASF) or the like can also be used.
  • the content of the polymer having an ethylenic crosslinkable group is 0.1 mass as the polymer having the other structural unit (a3) without including the structural unit (a1). It is preferable from the viewpoint that the above-mentioned photosensitive resin composition cannot form an ethylenic crosslinked structure, and it is more preferable that it is less than 0.01 mass%.
  • the aforementioned photosensitive resin composition layer contains (B) a photoacid generator.
  • a photoacid generator also referred to as “component (B)”
  • an acid can be generated by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams.
  • radiation such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams.
  • a compound As the (B) photoacid generator (also referred to as “component (B)”) used in the present invention, a compound that generates an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm is preferable. However, it is not limited to its chemical structure.
  • a photoacid generator that is not directly sensitive to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more can also be used as a sensitizer if it is a compound that reacts with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and generates an acid when used in combination with a sensitizer. It can be preferably used in combination.
  • the pKa value of the acid generated upon irradiation with radiation is preferably 4.0 or less, more preferably 3.0 or less.
  • the lower limit value is not particularly defined, but can be set to -10.0 or more, for example.
  • Examples of the (B) photoacid generator described above include ionic photoacid generators and nonionic photoacid generators.
  • nonionic photoacid generators examples include trichloromethyl-s-triazines, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds, and oxime sulfonate compounds.
  • the above-mentioned (B) photoacid generator is preferably an oxime sulfonate compound.
  • These photoacid generators can be used singly or in combination of two or more.
  • Specific examples of the trichloromethyl-s-triazines and diazomethane derivatives include the compounds described in paragraph numbers 0083 to 0088 of JP2011-221494A.
  • oxime sulfonate compound that is, a compound having an oxime sulfonate structure
  • a compound containing an oxime sulfonate structure represented by the following general formula (B1) can be preferably exemplified, and the contents thereof are incorporated in the present specification.
  • R 21 represents an alkyl group or an aryl group.
  • the wavy line represents a bond with another group.
  • the alkyl group for R 21 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the alkyl group represented by R 21 is an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloalkyl group (7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group or the like). It may be substituted with a cyclic group, preferably a bicycloalkyl group or the like.
  • the aryl group for R 21 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group.
  • the aryl group of R 21 may be substituted with a lower alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
  • the above compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above general formula (B1) is also preferably an oxime sulfonate compound represented by the following general formula (B2).
  • R 42 represents an alkyl group or an aryl group
  • X 10 represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom
  • m4 represents an integer of 0 to 3
  • m4 represents 2 Or when it is 3, the plurality of X 10 may be the same or different.
  • the alkyl group as X 10 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkoxy group as X 10 is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the halogen atom as X 10 is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.
  • m4 is preferably 0 or 1.
  • m4 is 1
  • X 10 is a methyl group
  • the substitution position of X 10 is the ortho position
  • R 42 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms
  • a compound which is a 7-dimethyl-2-oxonorbornylmethyl group or a p-toluyl group is particularly preferred.
  • the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above general formula (B1) is also preferably an oxime sulfonate compound represented by the following general formula (B3).
  • R 43 has the same meaning as R 42 in the formula (B2), and X 11 represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, cyano Represents a group or a nitro group, and n4 represents an integer of 0 to 5.
  • R 43 in the above general formula (B3) is methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluoro-n-propyl group.
  • Perfluoro-n-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferred, and n-octyl group is particularly preferred.
  • X 1 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methoxy group.
  • n4 is preferably from 0 to 2, particularly preferably from 0 to 1.
  • Specific examples of the compound represented by the general formula (B3) include ⁇ - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, ⁇ - (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, ⁇ - (n-propylsulfonyloxyimino).
  • Benzyl cyanide ⁇ - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, ⁇ - (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide, ⁇ -[(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, ⁇ -[(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, ⁇ -[(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, ⁇ -[(n-butylsulfonyloxyimino) -4- Methoxyphenyl] acetonitrile, ⁇ -[(4 It can be given toluenesulfonyl) -4-methoxyphenyl] acetonitrile.
  • preferable oxime sulfonate compounds include the following compounds (i) to (viii), and the like can be used singly or in combination of two or more. Compounds (i) to (viii) can be obtained as commercial products. Moreover, it can also be used in combination with another kind of (B) photo-acid generator.
  • the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above general formula (B1) is also preferably a compound represented by the following general formula (OS-1).
  • R 411 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group, or Represents a heteroaryl group.
  • R 412 represents an alkyl group or an aryl group.
  • X 401 represents —O—, —S—, —NH—, —NR 415 —, —CH 2 —, —CR 416 H—, or —CR 415 R 417 —, wherein R 415 to R 417 are alkyl groups.
  • R 421 to R 424 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group, Or an aryl group is represented.
  • Two of R 421 to R 424 may be bonded to each other to form a ring.
  • R 421 to R 424 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom and an alkyl group, and an embodiment in which at least two of R 421 to R 424 are bonded to each other to form an aryl group is also preferred. Among these, an embodiment in which R 421 to R 424 are all hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity. Any of the aforementioned functional groups may further have a substituent.
  • the compound represented by the general formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following general formula (OS-2).
  • R 401 , R 402 , R 421 to R 424 have the same meanings as in the formula (OS-1), and preferred examples are also the same.
  • R 401 in the general formula (OS-1) and the general formula (OS-2) is a cyano group or an aryl group is more preferable, and is represented by the general formula (OS-2).
  • R 401 is most preferably a cyano group, a phenyl group, or a naphthyl group.
  • the steric structure (E, Z, etc.) of the oxime or benzothiazole ring may be either one or a mixture.
  • the compound containing the oxime sulfonate structure represented by the above general formula (B1) includes the following general formula (OS-3), the following general formula (OS-4), or the following general formula (OS-5). It is preferable that it is an oxime sulfonate compound represented by these.
  • R 22 , R 25 and R 28 each independently represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group
  • R 23 , R 26 and R 29 Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom
  • R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group.
  • X 1 to X 3 each independently represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • n 1 to n 3 each independently represents 1 or 2
  • m 1 to m 3 each independently represents an integer of 0 to 6 Represents.
  • the alkyl group, aryl group or heteroaryl group in R 22 , R 25 and R 28 may have a substituent.
  • the alkyl group in R 22 , R 25 and R 28 is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent. Is preferred.
  • the aryl group in R 22 , R 25 and R 28 is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent. preferable.
  • the heteroaryl group in R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.
  • At least one ring of the heteroaryl group in R 22 , R 25 and R 28 may be a heteroaromatic ring.
  • a heteroaromatic ring and benzene The ring may be condensed.
  • R 23 , R 26 and R 29 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and more preferably a hydrogen atom or an alkyl group. preferable.
  • one or two of R 23 , R 26 and R 29 present in the compound are an alkyl group, an aryl group or a halogen atom. It is more preferable that one is an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the rest is a hydrogen atom.
  • the alkyl group for R 23 , R 26 and R 29 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent, and 1 to 1 carbon atoms which may have a substituent. More preferred is an alkyl group of 6.
  • the aryl group for R 23 , R 26 and R 29 is preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
  • X 1 to X 3 each independently represents O or S, and is preferably O.
  • the ring containing X 1 to X 3 as a ring member is a 5-membered ring or a 6-membered ring.
  • n 1 to n 3 each independently represents 1 or 2, and when X 1 to X 3 are O, n 1 to n 3 are each independently In addition, when X 1 to X 3 are S, it is preferable that n 1 to n 3 are each independently 2.
  • R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group.
  • R 24 , R 27 and R 30 are preferably each independently an alkyl group or an alkyloxy group.
  • the alkyl group, alkyloxy group, sulfonic acid group, aminosulfonyl group and alkoxysulfonyl group in R 24 , R 27 and R 30 may have a substituent.
  • the alkyl group in R 24 , R 27 and R 30 is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent. It is preferable.
  • the alkyloxy group in R 24 , R 27 and R 30 is an alkyloxy group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent. Preferably there is.
  • m 1 to m 3 each independently represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, More preferably, it is particularly preferably 0.
  • the substitution of (OS-3) to (OS-5) described in paragraph numbers 0092 to 0109 of JP2011-221494A The preferred range of groups is likewise preferred.
  • the compound containing the oxime sulfonate structure represented by the general formula (B1) is particularly an oxime sulfonate compound represented by any of the following general formulas (OS-6) to (OS-11). preferable.
  • R 301 to R 306 represent an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group
  • R 307 represents a hydrogen atom or a bromine atom
  • R 308 to R 310 , R 313 , R 316 and R 318 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group
  • R 311 and R 314 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group
  • R 312 , R 315 , R 317 and R 319 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
  • oxime sulfonate compounds represented by the general formula (OS-3) to the general formula (OS-5) include compounds described in paragraph numbers 0114 to 0120 of JP2011-221494A. However, the present invention is not limited to these.
  • the nonionic photoacid generator is 100 parts by mass of the total resin components (preferably the total solid content, more preferably the total of the polymer) in the photosensitive resin composition. In contrast, 0.1 to 10 parts by mass is preferably used, and 0.5 to 10 parts by mass is more preferably used. Two or more kinds can be used in combination.
  • Examples of the ionic photoacid generator include diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, quaternary ammonium salts and the like. Of these, triarylsulfonium salts and diaryliodonium salts are preferred.
  • Triarylsulfonium salts used as an ionic photoacid generator are represented by the following general formula (1).
  • General formula (1) (In the general formula (1), R 505 , R 506 and R 507 each represents an alkyl group or an aromatic group which may have a substituent.
  • X ⁇ represents a conjugate base.
  • an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable and may have a substituent.
  • examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a tertiary butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
  • R 505 , R 506 and R 507 are alkyl groups, it is preferable that the two or more alkyl groups are connected to each other to form a ring.
  • a 5-membered ring (thiacyclopentane) and a 6-membered ring (thiacyclohexane) are preferred in the form containing a sulfur atom.
  • the aromatic group in R 505 , R 506 and R 507 is preferably an aromatic group having 6 to 30 carbon atoms and may have a substituent.
  • Such aromatic groups include phenyl, naphthyl, 4-methoxyphenyl, 4-chlorophenyl, 4-methylphenyl, 4-tertiarybutylphenyl, 4-phenylthiophenyl, 2,4 , 6-trimethylphenyl group, 4-methoxy-1-naphthyl group, and 4- (4′-diphenylsulfoniophenylthio) phenyl group.
  • the ionic photoacid generator represented by the general formula (1) may be bound by any of R 505 to R 507 to form a multimer such as a dimer.
  • the aforementioned 4- (4′-diphenylsulfoniophenylthio) phenyl group is an example of a dimer
  • the counter anion in the aforementioned 4- (4′-diphenylsulfoniophenylthio) phenyl group is represented by X ⁇ It is the same.
  • the substituent which the alkyl group and aromatic group in R 505 , R 506 and R 507 may have is preferably an aromatic group, specifically a phenyl group, 4-methoxyphenyl group, 4-chlorophenyl group. 4- (4′-diphenylsulfoniophenylthio) phenyl group is particularly preferred. These substituents may be further substituted with the above substituents.
  • conjugate base in X ⁇ a conjugate base of alkyl sulfonic acid, a conjugate base of aryl sulfonic acid, BY 4 ⁇ (Y represents a halogen atom, the same applies to the following), PY 6 ⁇ , AsY 6 ⁇ , SbY 6 ⁇ , or a monovalent anion represented by the following general formula (3) or general formula (4) is preferable, a conjugate base of alkylsulfonic acid, a conjugate base of arylsulfonic acid, PY 6 ⁇ , or general A monovalent anion represented by the formula (3) is particularly preferable.
  • conjugated base of alkyl sulfonic acid and aryl sulfonic acid a conjugated base of alkyl sulfonic acid having 1 to 7 carbon atoms is preferable, and a conjugated base of alkyl sulfonic acid having 1 to 4 carbon atoms is more preferable.
  • methanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, n-propanesulfonic acid, and heptanesulfonic acid are particularly preferable.
  • conjugate base of aryl sulfonic acid include benzene sulfonic acid, chlorobenzene sulfonic acid, and paratoluene sulfonic acid when expressed in the form of an acid.
  • Y in BY 4 ⁇ , PY 6 ⁇ , AsY 6 ⁇ and SbY 6 — in X ⁇ is preferably a fluorine atom or a chlorine atom, and particularly preferably a fluorine atom.
  • R 521 , R 522 and R 523 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkyl group having a fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 521 and R 522 represent a ring in which the alkylene group having 2 to 6 carbon atoms or the alkylene group having 2 to 6 carbon atoms is bonded to each other.
  • examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in R 521 , R 522 and R 523 include a methyl group, an ethyl group, a butyl group, a tertiary butyl group, A cyclohexyl group, an octyl group, etc. can be mentioned.
  • alkyl group having a fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms examples include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoropropyl group, a nonafluorobutyl group, a dodecafluoropentyl group, and a perfluorooctyl group.
  • R 521 , R 522 and R 523 are preferably alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms and particularly preferably alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms.
  • the alkylene group having 2 to 6 carbon atoms includes an ethylene group, a propylene group, and a butylene group. , Pentylene group, hexylene group and the like.
  • Examples of the alkylene group having 2 to 6 carbon atoms include a tetrafluoroethylene group, a hexafluoropropylene group, an octafluorobutylene group, a decafluoropentylene group, and an undecafluorohexylene group. it can.
  • R 521 and R 522 are bonded to each other to form a ring, they are preferably bonded by an alkylene group having a fluorine atom having 2 to 6 carbon atoms, particularly having 2 to 4 carbon atoms. Bonding with an alkylene group having a fluorine atom is preferred.
  • the ionic photoacid generator represented by the general formula (1) is preferably a photoacid generator represented by the following general formula (5).
  • R 510 , R 511 , R 512 and R 513 each independently represents an alkyl group or an aromatic group which may have a substituent, and Ar 3 and Ar 4 are each independently substituted. Represents a divalent aromatic group optionally having a group, and X 1 ⁇ and X 2 ⁇ each independently represents a conjugate base.
  • R 510 , R 511 , R 512 and R 513 are synonymous with the alkyl group and aromatic group represented by R 505 , R 506 and R 507 in formula (1), and preferred embodiments are also included. It is the same. Moreover, the substituent which may have is the same.
  • the conjugate base in X 1 ⁇ and X 2 ⁇ has the same meaning as the conjugate base represented by X ⁇ in the general formula (1), and the preferred embodiment is also the same.
  • the divalent aromatic group in Ar 3 and Ar 4 is preferably a phenylene group or a naphthylene group, and particularly preferably a phenylene group.
  • triarylsulfonium salts used as ionic photoacid generators include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyl. Examples thereof include diphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, and 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate.
  • TPS-102 TPS-102, 103, 105, 106, 109, 300, 1000, MDS-103, 105, 109, 205, 209, BDS-109, DTS-103, 105, MNPS-109, HDS-109 (above, manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), GSID-26-1, Cyracure UVI-6976 (above, manufactured by BASF).
  • the diaryl iodonium salts used as the ionic photoacid generator are represented by the following general formula (2).
  • General formula (2) (In General Formula (2), R 508 and R 509 each independently represent an aromatic group which may have a substituent, and X ⁇ represents a conjugate base.)
  • the aromatic groups in R 508 and R 509 are synonymous with the aromatic groups represented by R 505 , R 506 and R 507 in General Formula (1), and the preferred embodiments are also the same.
  • the conjugate base in X 1 ⁇ has the same meaning as the conjugate base represented by X ⁇ in general formula (1), and the preferred embodiment is also the same.
  • the photoacid generator represented by the general formula (2) may be bound by R 508 to R 509 to form a multimer such as a dimer.
  • diaryliodonium salts used as ionic photoacid generators include diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trioxide.
  • quaternary ammonium salts used as an ionic photoacid generator include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethyl Ammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3 -Trifluoromethylphenyl) borate and the like.
  • component (B) include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.
  • the content of component B in the above-described photosensitive resin composition layer is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and preferably 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component. More preferred.
  • the content of component B is 0.1 parts by mass or more, desired sensitivity (higher sensitivity) is easily obtained, and when it is 10 parts by mass or less, the transparency of the coating film is easily secured.
  • the addition amount of a nonionic photoacid generator is 1 mass% or less, and the aspect which does not contain a nonionic photoacid generator substantially is preferable.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer preferably contains a solvent.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer is preferably prepared as a solution in which the essential components of the present invention and optional components described below are dissolved in a solvent.
  • known solvents can be used, such as ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl.
  • Ethers propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl ether Examples include acetates, esters, ketones, amides, lactones and the like. Specific examples of the solvent used in the above-described photosensitive resin composition layer include the solvents described in paragraph numbers 0174 to 0178 of JP2011-221494A, the contents of which are incorporated herein. It is.
  • the solvent that can be used in the present invention is a single type or a combination of two types, more preferably a combination of two types, propylene glycol monoalkyl ether acetates or dialkyl ethers, diacetates. And diethylene glycol dialkyl ethers or esters and butylene glycol alkyl ether acetates are more preferably used in combination.
  • Component D is preferably a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher and lower than 160 ° C., a solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher, or a mixture thereof.
  • Solvents having a boiling point of 130 ° C. or higher and lower than 160 ° C. include propylene glycol monomethyl ether acetate (boiling point 146 ° C.), propylene glycol monoethyl ether acetate (boiling point 158 ° C.), propylene glycol methyl-n-butyl ether (boiling point 155 ° C.), propylene glycol An example is methyl-n-propyl ether (boiling point 131 ° C.).
  • Solvents having a boiling point of 160 ° C or higher include ethyl 3-ethoxypropionate (boiling point 170 ° C), diethylene glycol methyl ethyl ether (boiling point 176 ° C), propylene glycol monomethyl ether propionate (boiling point 160 ° C), dipropylene glycol methyl ether acetate.
  • the content of the solvent in the above-described photosensitive resin composition layer is preferably 50 to 95 parts by mass, and preferably 60 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass of all resin components in the photosensitive resin composition. Further preferred.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer preferably contains a sensitizer in order to promote its decomposition in combination with (B) a photoacid generator, and in particular, a nonionic photoacid generator is used.
  • a sensitizer absorbs actinic rays or radiation and enters an electronically excited state.
  • the sensitizer in an electronically excited state comes into contact with the photoacid generator, and effects such as electron transfer, energy transfer, and heat generation occur.
  • Inclusion of a sensitizer further improves exposure sensitivity, and is particularly effective when a nonionic photoacid generator with low visible light absorption efficiency is used and when the exposure light source is a g- or h-line mixed line. It is.
  • anthracene derivatives As the sensitizer, anthracene derivatives, acridone derivatives, thioxanthone derivatives, coumarin derivatives, base styryl derivatives, and distyrylbenzene derivatives are preferable, and anthracene derivatives are more preferable.
  • Anthracene derivatives include anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9-hydroxymethylanthracene, 9-bromoanthracene, 9-chloroanthracene, 9 , 10-dibromoanthracene, 2-ethylanthracene and 9,10-dimethoxyanthracene are preferred.
  • acridone derivative acridone, N-butyl-2-chloroacridone, N-methylacridone, 2-methoxyacridone and N-ethyl-2-methoxyacridone are preferable.
  • thioxanthone derivative thioxanthone, diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, and 2-chlorothioxanthone are preferable.
  • coumarin derivatives coumarin-1, coumarin-6H, coumarin-110 and coumarin-102 are preferable.
  • Examples of the base styryl derivative include 2- (4-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (4-dimethylaminostyryl) benzothiazole, and 2- (4-dimethylaminostyryl) naphthothiazole.
  • Examples of the distyrylbenzene derivative include distyrylbenzene, di (4-methoxystyryl) benzene, and di (3,4,5-trimethoxystyryl) benzene.
  • sensitizer examples include the following, but the present invention is not limited thereto.
  • Me represents a methyl group
  • Et represents an ethyl group
  • Bu represents a butyl group.
  • the content of the sensitizer in the above-described photosensitive resin composition layer is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable component. Is more preferable.
  • the content of the sensitizer is 0.1 parts by mass or more, desired sensitivity can be easily obtained, and when the content is 10 parts by mass or less, the transparency of the coating film is easily secured.
  • the aforementioned photosensitive resin composition layer may contain a basic compound.
  • the basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists. Examples include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like. Specific examples thereof include the compounds described in JP-A 2011-212494, paragraphs 0204 to 0207, the contents of which are incorporated herein.
  • aliphatic amine examples include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, and the like.
  • examples include ethanolamine, dicyclohexylamine, and dicyclohexylmethylamine.
  • aromatic amine examples include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.
  • heterocyclic amine examples include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7 -Undecene.
  • Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, and the like.
  • Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, tetra-n-butylammonium benzoate and the like.
  • the basic compounds that can be used in the present invention may be used singly or in combination of two or more.
  • the content of the basic compound in the photosensitive resin composition layer is preferably 0.001 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition. More preferred is 1 part by mass.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer preferably contains a heterocyclic compound as necessary.
  • a heterocyclic compound By adding a heterocyclic compound, the cured film obtained by the above-mentioned photosensitive resin composition layer can be made stronger, and the line width stability is also improved.
  • compounds having an epoxy group or oxetanyl group in the molecule described below alkoxymethyl group-containing heterocyclic compounds, other oxygen-containing monomers such as various cyclic ethers and cyclic esters (lactones), and nitrogen-containing compounds such as cyclic amines and oxazolines Monomers, and heterocyclic monomers having d electrons such as silicon, sulfur, and phosphorus can be added.
  • the addition amount of the heterocyclic compound in the above-mentioned photosensitive resin composition layer is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition, preferably 0.1 to The amount is more preferably 10 parts by mass, and further preferably 1 to 5 parts by mass.
  • a plurality of heterocyclic compounds can be used in combination, and in that case, the heterocyclic compounds are added together to calculate the content.
  • Compound having an epoxy group or oxetanyl group in the molecule Specific examples of the compound having an epoxy group in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.
  • JP2011-212494 examples thereof include commercially available products described in paragraph No. 0189 of JP2011-212494, such as JER828, JER1007, JER157S70 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), JER157S65 (manufactured by Mitsubishi Chemical Holdings Corporation), and the like.
  • ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S, EP-4010S, EP-4011S (above, manufactured by ADEKA Corporation), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502 (above, manufactured by ADEKA Corporation), Denacol EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX- 832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX- 14L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, DLC-201, DLC-201,
  • bisphenol A type epoxy resin bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, aliphatic epoxy, and aliphatic epoxy resin are more preferable, and aliphatic epoxy resin is particularly preferable.
  • the compound containing an oxetanyl group is preferably used alone or mixed with a compound containing an epoxy group.
  • the above-mentioned (C) heterocyclic compound preferably has an epoxy group from the viewpoint of improving the line width stability.
  • a compound having both an alkoxysilane structure and a heterocyclic structure in the molecule can be suitably used.
  • examples thereof include ⁇ -glycidoxypropyltrialkoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, and ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane.
  • ⁇ -glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the aforementioned photosensitive resin composition layer may contain a surfactant.
  • a surfactant any of anionic, cationic, nonionic, or amphoteric can be used, but a preferred surfactant is a nonionic surfactant.
  • nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicone-based and fluorine-based surfactants. .
  • KP manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • Polyflow manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
  • F Top manufactured by JEMCO
  • Mega Fuck manufactured by DIC Corporation
  • Florard Suditomo 3M
  • Surflon manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.
  • PolyFox manufactured by OMNOVA
  • SH-8400 Toray Dow Corning Silicone
  • the surfactant contains the structural unit A and the structural unit B represented by the following general formula (I-1), and is converted to polystyrene measured by gel permeation chromatography using tetrahydrofuran (THF) as a solvent.
  • a copolymer having a weight average molecular weight (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less can be given as a preferred example.
  • R 401 and R 403 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group
  • R 402 represents a linear alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 404 represents a hydrogen atom or C represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • L represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms
  • p and q are mass percentages representing a polymerization ratio
  • p is 10 mass% to 80 mass%.
  • a numerical value is represented, q represents a numerical value of 20 mass% or more and 90 mass% or less, r represents an integer of 1 or more and 18 or less, and s represents an integer of 1 or more and 10 or less.
  • L is preferably a branched alkylene group represented by the following general formula (I-2).
  • R 405 in the general formula (I-2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to the coated surface. A number 2 or 3 alkyl group is more preferred.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.
  • the addition amount of the surfactant in the photosensitive resin composition layer is preferably 10 parts by mass or less, and 0.001 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition. More preferably, the amount is 0.01 to 3 parts by mass.
  • the photosensitive resin composition layer further includes metal oxide particles, a crosslinking agent other than a heterocyclic compound, an alkoxysilane compound, an antioxidant, Such as dispersants, acid multipliers, development accelerators, conductive fibers, colorants, plasticizers, thermal radical generators, thermal acid generators, UV absorbers, thickeners, and organic or inorganic precipitation inhibitors Known additives can be added.
  • the photosensitive transfer material of the present invention when the photosensitive transfer material of the present invention is used for forming a mask layer of a capacitance-type input device, the photosensitive resin composition may contain a colorant to form a colored photosensitive resin composition layer. preferable.
  • the photosensitive transfer material of the present invention is used for the transparent electrode pattern of the capacitive input device, the photosensitive resin composition layer contains conductive fibers and the like, and the conductive photosensitive resin composition layer and It is preferable to do.
  • the aforementioned photosensitive resin composition layer preferably contains metal oxide particles for the purpose of adjusting the refractive index and light transmittance. Since the metal oxide particles have high transparency and light transmittance, a positive photosensitive resin composition having a high refractive index and excellent transparency can be obtained.
  • the metal oxide particles preferably have a refractive index higher than the refractive index of the resin composition made of a material excluding the aforementioned particles, and specifically, the refractive index in light having a wavelength of 400 to 750 nm. Particles of 1.50 or more are more preferable, particles having a refractive index of 1.70 or more are further preferable, and particles of 1.90 or more are particularly preferable.
  • the refractive index of light having a wavelength of 400 to 750 nm being 1.50 or more means that the average refractive index of light having a wavelength in the above range is 1.50 or more. It is not necessary that the refractive index of all light having a wavelength is 1.50 or more.
  • the average refractive index is a value obtained by dividing the sum of the measured values of refractive index for each light having a wavelength in the above range by the number of measurement points.
  • the metal of the metal oxide particles in the present invention includes semimetals such as B, Si, Ge, As, Sb, and Te.
  • the light-transmitting and high refractive index metal oxide particles include Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, and Nb.
  • Oxide particles containing atoms such as Mo, W, Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, and Te are preferable.
  • Titanium oxide, titanium composite oxide, zinc oxide, zirconium oxide, indium / Tin oxide and antimony / tin oxide are more preferable, titanium oxide, titanium composite oxide and zirconium oxide are more preferable, titanium oxide and zirconium oxide are particularly preferable, and titanium dioxide is most preferable. Titanium dioxide is particularly preferably a rutile type having a high refractive index. The surface of these metal oxide particles can be treated with an organic material in order to impart dispersion stability.
  • the average primary particle size of Component C is preferably 1 to 200 nm, particularly preferably 3 to 80 nm.
  • the average primary particle diameter of the particles refers to an arithmetic average obtained by measuring the particle diameter of 200 arbitrary particles with an electron microscope. When the particle shape is not spherical, the longest side is the diameter.
  • a metal oxide particle may be used individually by 1 type, and can also use 2 or more types together.
  • the content of the metal oxide particles in the photosensitive resin composition layer described above may be appropriately determined in consideration of the refractive index required for the optical member obtained from the resin composition, light transmittance, etc.
  • the content is preferably 5 to 80% by mass, more preferably 10 to 70% by mass, based on the total solid content of the photosensitive resin composition layer.
  • a blocked isocyanate compound can also be preferably employed as a crosslinking agent.
  • the blocked isocyanate compound is not particularly limited as long as it is a compound having a blocked isocyanate group, but is preferably a compound having two or more blocked isocyanate groups in one molecule from the viewpoint of curability.
  • the blocked isocyanate group in this invention is a group which can produce
  • the group which reacted the blocking agent and the isocyanate group and protected the isocyanate group can illustrate preferably.
  • the above-mentioned blocked isocyanate group is preferably a group capable of generating an isocyanate group by heat at 90 ° C. to 250 ° C.
  • the skeleton of the blocked isocyanate compound is not particularly limited and may be any as long as it has two isocyanate groups in one molecule, and is aliphatic, alicyclic or aromatic.
  • Polyisocyanates may be used, for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,3-trimethylene diisocyanate, 1,4-tetramethylene Diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,9-nonamethylene diisocyanate, 1,10-decamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 2 2'-diethyl ether diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, o-xylene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, p-xylene diisocyanate, methylene bis (cyclohexyl isocyanate), cyclohexane-1,3
  • a compound and a prepolymer type skeleton compound derived from these compounds can be preferably used.
  • tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), and isophorone diisocyanate (IPDI) are particularly preferable.
  • Examples of the matrix structure of the blocked isocyanate compound in the photosensitive resin composition layer include biuret type, isocyanurate type, adduct type, and bifunctional prepolymer type.
  • Examples of the blocking agent that forms the block structure of the aforementioned blocked isocyanate compound include oxime compounds, lactam compounds, phenol compounds, alcohol compounds, amine compounds, active methylene compounds, pyrazole compounds, mercaptan compounds, imidazole compounds, imide compounds, and the like. Can be mentioned.
  • a blocking agent selected from oxime compounds, lactam compounds, phenol compounds, alcohol compounds, amine compounds, active methylene compounds, and pyrazole compounds is particularly preferable.
  • Examples of the oxime compound include oxime and ketoxime, and specific examples include acetoxime, formaldoxime, cyclohexane oxime, methyl ethyl ketone oxime, cyclohexanone oxime, benzophenone oxime, and acetoxime.
  • Examples of the lactam compound include ⁇ -caprolactam and ⁇ -butyrolactam.
  • Examples of the phenol compound include phenol, naphthol, cresol, xylenol, and halogen-substituted phenol.
  • Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, cyclohexanol, ethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, and alkyl lactate.
  • Examples of the amine compound include primary amines and secondary amines, and any of aromatic amines, aliphatic amines, and alicyclic amines may be used, and examples include aniline, diphenylamine, ethyleneimine, and polyethyleneimine.
  • Examples of the active methylene compound include diethyl malonate, dimethyl malonate, ethyl acetoacetate, methyl acetoacetate and the like.
  • Examples of the aforementioned pyrazole compound include pyrazole, methylpyrazole, dimethylpyrazole and the like.
  • Examples of the mercaptan compound include alkyl mercaptans and aryl mercaptans.
  • the blocked isocyanate compound that can be used in the above-described photosensitive resin composition layer is commercially available, and includes, for example, Coronate AP Stable M, Coronate 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, Millionate MS-50 (or more, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), Takenate B-830, B-815N, B-820NSU, B-842N, B-84N, B-870N, B-874N, B-882N (above, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) ), Duranate 17B-60PX, 17B-60P, TPA-B80X, TPA-B80E, MF-B60X, MF-B60B, MF-K60X, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-70P, K6000 (above , Manufactured by Asahi Kasei Chemicals Corporation, Death Module B 1100, BL1265 MPA /
  • the aforementioned photosensitive resin composition layer preferably contains an alkoxysilane compound.
  • an alkoxysilane compound When an alkoxysilane compound is used, the adhesion between the film formed of the photosensitive resin composition layer and the substrate can be improved, and the properties of the film formed of the photosensitive resin composition layer can be adjusted. Can do.
  • the alkoxysilane compound a compound having a dialkoxysilane structure or a compound having a trialkoxysilane structure is preferable, and a compound having a trialkoxysilane structure is more preferable.
  • the alkoxy group contained in the alkoxysilane compound preferably has 1 to 5 carbon atoms.
  • the molecular weight of the alkoxysilane compound is preferably 100 to 500, and more preferably 150 to 400.
  • the alkoxysilane compound that can be used in the above-described photosensitive resin composition layer is an inorganic material serving as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, or a metal such as gold, copper, molybdenum, titanium, or aluminum.
  • the compound improves the adhesion between the insulating film and the insulating film.
  • a compound having an alkoxysilane structure and also included in the aforementioned heterocyclic compound such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane
  • silane coupling agents include ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltriethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrialkoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, and ⁇ -methacryloxy.
  • Ph is a phenyl group.
  • the alkoxysilane compound in the above-mentioned photosensitive resin composition layer is not particularly limited, and a known one can be used.
  • the content of the alkoxysilane compound in the photosensitive resin composition layer is preferably 0.1 to 30 parts by mass, and 0.5 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive composition. Is more preferably 5 to 25 parts by mass. In the present invention, the ratio of 5 to 25 parts by mass is particularly excellent when the sensitivity, insulating properties and storage stability are comprehensively evaluated.
  • the aforementioned photosensitive resin composition layer may contain an antioxidant.
  • an antioxidant a well-known antioxidant can be contained. By adding an antioxidant, there is an advantage that coloring of the cured film can be prevented, or a decrease in film thickness due to decomposition can be reduced, and heat-resistant transparency is excellent.
  • antioxidants include phosphorus antioxidants, amides, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, Examples thereof include nitrates, sulfites, thiosulfates, and hydroxylamine derivatives.
  • phenol-based antioxidants amide-based antioxidants, hydrazide-based antioxidants, and sulfur-based antioxidants are particularly preferable from the viewpoint of coloring the cured film and reducing the film thickness. These may be used individually by 1 type and may mix 2 or more types. Examples of commercially available phenolic antioxidants include ADK STAB AO-15, ADK STAB AO-18, ADK STAB AO-20, ADK STAB AO-23, ADK STAB AO-30, ADK STAB AO-37, ADK STAB AO-40 and ADK STAB AO.
  • ADK STAB AO-51 ADK STAB AO-60
  • ADK STAB AO-70 ADK STAB AO-80
  • ADK STAB AO-330 ADK STAB AO-412S
  • ADK STAB AO-503 ADK STAB A-611, ADK STAB A-612, ADK STAB A -613, ADK STAB PEP-4C, ADK STAB PEP-8, ADK STAB PEP-8W, ADK STAB PEP-24G, ADK STAB PEP-36, ADK STAB PEP-36Z, ADK STAB HP-1 ADK STAB 2112, ADK STAB 260, ADK STAB 1522, ADK STAB 1178, ADK STAB 1500, ADK STAB C, ADK STAB 13510, ADK STAB 3010, ADK STAB CDA-1, ADK STAB CDA-6, ADK STAB ZS-27, ADK STAB ZS-90 -91 (above, manufactured by ADEKA Corporation), Irga
  • the content of the antioxidant is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.2 to 5% by mass, based on the total solid content of the photosensitive resin composition. It is particularly preferably 5 to 4% by mass. By setting it within this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained, and the sensitivity at the time of pattern formation can be improved.
  • various ultraviolet absorbers described in “New Development of Polymer Additives (Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd.)”, metal deactivators, etc. are used as the photosensitive resin described above. It may be added to the composition layer.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer can use a well-known thing as a dispersing agent,
  • the dispersing agent which has an acid group is preferable.
  • the aforementioned photosensitive resin composition layer can use an acid proliferating agent for the purpose of improving sensitivity.
  • the acid proliferating agent that can be used in the present invention is a compound that can further generate an acid by an acid-catalyzed reaction to increase the acid concentration in the reaction system, and is a compound that exists stably in the absence of an acid. is there. In such a compound, since one or more acids increase in one reaction, the reaction proceeds at an accelerated rate as the reaction proceeds. However, the generated acid itself induces self-decomposition, and is generated here.
  • the acid strength is preferably 3 or less as an acid dissociation constant, pKa, and particularly preferably 2 or less.
  • the acid proliferating agent examples include paragraph numbers 0203 to 0223 of JP-A-10-1508, paragraphs 0016 to 0055 of JP-A-10-282642, and page 39 of JP-T 9-512498.
  • the compounds described on line 12 to page 47, line 2 can be mentioned, the contents of which are incorporated herein.
  • the acid proliferating agent that can be used in the present invention include pKa such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, and phenylphosphonic acid, which are decomposed by an acid generated from the acid generator. Examples include compounds that generate 3 or less acids.
  • the content of the acid proliferating agent in the photosensitive composition is 10 to 1,000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the photoacid generator, from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed and unexposed parts. It is preferably 20 to 500 parts by mass.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer can contain a development accelerator.
  • a development accelerator the description in paragraphs 0171 to 0172 of JP2012-042837A can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.
  • a development accelerator may be used individually by 1 type, and can also use 2 or more types together.
  • the addition amount of the development accelerator in the above-mentioned photosensitive resin composition layer is preferably 0 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive composition from the viewpoint of sensitivity and remaining film ratio. 1 to 20 parts by mass is more preferable, and 0.5 to 10 parts by mass is most preferable.
  • thermal radical generators described in paragraphs 0120 to 0121 of JP2012-8223A, nitrogen-containing compounds and thermal acid generators described in WO2011-133604A1 can be used. Is incorporated herein by reference.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition includes a thermal polymerization inhibitor described in paragraph [0018] of Japanese Patent No. 4502784, and further described in paragraphs [0058] to [0071] of JP 2000-310706 A.
  • Other additives, materials described in JP-A-2005-221726, and the like are used, but are not limited thereto.
  • the film thickness of the photosensitive resin composition layer is preferably 0.5 to 10 ⁇ m.
  • the film thickness of the photosensitive resin composition layer is more preferably 0.8 to 5 ⁇ m, and particularly preferably 1.0 to 3.0 ⁇ m.
  • a resin composition can be prepared by preparing a solution in which components are dissolved in a solvent in advance and then mixing them in a predetermined ratio.
  • the composition solution prepared as described above can be used after being filtered using a filter having a pore size of 0.2 ⁇ m or the like.
  • the photosensitive transfer material used in the present invention is provided with a release layer between the photosensitive resin composition and the temporary support, or a protective film (hereinafter also referred to as a cover film) on the surface of the photosensitive resin composition. Can be suitably configured. It is preferable that the photosensitive transfer material of the present invention further includes a protective film for the above-described photosensitive resin composition layer.
  • the photosensitive transfer material in this invention can be suitably produced by apply
  • a step of further laminating the protective film of the photosensitive resin composition layer described above may be included.
  • the pattern forming method of the present invention includes a photosensitive resin composition layer forming step of forming a photosensitive resin composition layer on at least one surface of a substrate using the photosensitive transfer material of the present invention, and the photosensitive resin described above. It has the exposure process which exposes a composition layer, and the image development process which develops the above-mentioned exposed photosensitive resin composition layer.
  • the etching method of the present invention includes a step of performing etching using the pattern produced by the pattern forming method of the present invention as an etching resist, and a step of removing the aforementioned pattern by chemical treatment after the aforementioned etching treatment.
  • etching pattern a pattern formation of the present invention will be described using a method of forming a transparent electrode pattern of a capacitive input device as an example. The method and the etching method of the present invention will be described.
  • the pattern forming method of the present invention preferably includes a cover film removing step of removing the above-described cover film from the photosensitive transfer material of the present invention.
  • a photosensitive resin composition layer is formed on at least one surface of the substrate using the photosensitive transfer material of the present invention from which the above-mentioned cover film has been removed. It is preferable.
  • the photosensitive resin composition layer forming step is a step of forming a photosensitive resin composition layer on at least one surface of the substrate using the photosensitive transfer material of the present invention.
  • the above-mentioned photosensitive resin composition layer forming step is preferably a step of transferring the above-mentioned photosensitive resin composition of the above-mentioned photosensitive transfer material from which the above-mentioned cover film has been removed onto a substrate.
  • either the above-mentioned support temporary support
  • peeling is performed after the exposure.
  • the exposure with the temporary support remaining is preferable in terms of adhesion of foreign matters to the photomask, while the exposure with the temporary support peeled off has the merit that there is no influence of foreign matters in the temporary support.
  • Transfer (bonding) of the photosensitive resin composition to the surface of the base material is performed by stacking the photosensitive resin composition on the surface of the base material, and applying pressure and heating.
  • known laminators such as a laminator, a vacuum laminator, and an auto-cut laminator that can further increase productivity can be used.
  • the above-described exposure step is a step of exposing the above-described photosensitive resin composition layer transferred onto the substrate.
  • a predetermined mask is disposed above the photosensitive resin composition layer formed on the above-mentioned base material, and then exposed from above the mask through the above-mentioned mask.
  • the light source for the above-described exposure any light source capable of irradiating light in a wavelength region capable of curing the photosensitive resin composition layer (for example, 365 nm, 405 nm, etc.) can be appropriately selected and used.
  • an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, etc. are mentioned.
  • the exposure amount is usually about 5 to 200 mJ / cm 2 , preferably about 10 to 100 mJ / cm 2 .
  • the patterning exposure may be performed after the support is peeled off, or may be performed before the support is peeled off, and then the support may be peeled off. Exposure through a mask or digital exposure using a laser or the like may be used.
  • the photosensitive transfer material has the above-described development step.
  • a step of removing other layers may be included.
  • the above-described development step is preferably a development step in a narrow sense in which the above-described photosensitive resin composition layer exposed by (patterning) is developed with a developer so as to obtain a desired pattern.
  • the development described above can be performed using a developer.
  • the developer described above is not particularly limited, and known developers such as those described in JP-A-5-72724 can be used.
  • organic solvents miscible with water examples include methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol, butanol, diacetone alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, benzyl alcohol And acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ⁇ -caprolactone, ⁇ -butyrolactone, dimethylformamide, dimethylacetamide, hexamethylphosphoramide, ethyl lactate, methyl lactate, ⁇ -caprolactam, N-methylpyrrolidone and the like.
  • the concentration of the organic solvent is preferably 0.1% by mass to 30% by mass.
  • a known surfactant can be further added to the developer.
  • the concentration of the surfactant is preferably 0.01% by mass to 10% by mass.
  • the development method described above may be any of paddle development, shower development, shower & spin development, dip development, and the like.
  • shower development will be described.
  • the exposed portion can be removed in the positive type.
  • the liquid temperature of the developer is preferably 20 ° C. to 40 ° C.
  • the pH of the developer is preferably 8 to 13.
  • the pattern forming method of the present invention preferably further includes a post-baking step of heat-treating a pattern including the photosensitive resin composition layer obtained by the above-described development.
  • a post-baking step By having the above-described post-baking step, it is possible to promote the elimination of the protecting group by the acid in the above-mentioned photosensitive resin composition layer, which is preferable.
  • the structural unit (a1) having a group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group can protect the carboxyl group with an acetal. It is preferable from the viewpoint of lowering and avoiding heat treatment after exposure.
  • the above-described post-bake heating is preferably performed in an environment of 0.08 to 1.2 atm, and more preferably in an environment of 0.5 atm or more. On the other hand, it is more preferable to carry out in an environment of 1.1 atm or less, and it is particularly preferred to carry out in an environment of 1.0 atm or less. Furthermore, it is more preferable to carry out in an environment of about 1 atm (atmospheric pressure) from the viewpoint of reducing the manufacturing cost without using a special decompression device.
  • the post-baking temperature is preferably 110 to 170 ° C., more preferably 120 to 160 ° C., and particularly preferably 130 to 150 ° C.
  • the post-baking time described above is preferably 1 to 30 minutes, more preferably 2 to 10 minutes, and particularly preferably 2 to 4 minutes.
  • the above-described post-baking may be performed in an air environment or a nitrogen substitution environment, but it is particularly preferable to perform in the air environment from the viewpoint of reducing the manufacturing cost without using a special decompression device. .
  • the pattern forming method of the present invention may have other processes such as a post-exposure process.
  • the aforementioned post-exposure step is a step of exposing the entire surface of the developed photosensitive resin composition after the aforementioned development step and before the aforementioned post-bake step.
  • the etching method of this invention includes the process of etching, using the pattern produced by the pattern formation method of this invention as an etching resist.
  • etching and resist stripping can be applied by a known method described in paragraphs [0048] to [0054] of JP 2010-152155 A.
  • an etching method there is a commonly performed wet etching method of dipping in an etching solution.
  • an acid type or an alkaline type may be appropriately selected according to an object to be etched.
  • acidic etching solutions include aqueous solutions of acidic components such as hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, and phosphoric acid, and mixed aqueous solutions of acidic components and salts of ferric chloride, ammonium fluoride, potassium permanganate, and the like. Is done.
  • the acidic component a combination of a plurality of acidic components may be used.
  • alkaline type etching solutions include sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, organic amines, aqueous solutions of alkali components such as organic amine salts such as tetramethylammonium hydroxide, alkaline components and potassium permanganate.
  • alkali components such as organic amine salts such as tetramethylammonium hydroxide, alkaline components and potassium permanganate.
  • a mixed aqueous solution of a salt such as A combination of a plurality of alkali components may be used as the alkali component.
  • the temperature of the etching solution is not particularly limited, but is preferably 45 ° C. or lower.
  • the resin pattern used as an etching mask (etching pattern) in the present invention is formed by using the above-described photosensitive resin composition, and thus particularly for acidic and alkaline etching solutions in such a temperature range. Excellent resistance. Therefore, the resin pattern is prevented from peeling off during the etching process, and the portion where the resin pattern does not exist is selectively etched.
  • a cleaning process and a drying process may be performed as necessary to prevent line contamination.
  • the cleaning process is performed by cleaning the substrate with pure water for 10 to 300 seconds at room temperature, for example, and the air blowing pressure (about 0.1 to 5 kg / cm 2 ) is appropriately adjusted using an air blow for the drying process. And you can do it.
  • the etching method of the present invention includes a step of removing the aforementioned pattern (hereinafter also referred to as a resin pattern) by chemical treatment after the aforementioned etching treatment.
  • the method of peeling the resin pattern is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the substrate in a peeling solution being stirred at 30 to 80 ° C., preferably 50 to 80 ° C. for 5 to 30 minutes.
  • the resin pattern used as an etching mask in the present invention exhibits excellent chemical resistance at 45 ° C. or lower as described above, but exhibits a property of swelling by an alkaline stripping solution when the chemical temperature is 50 ° C. or higher. .
  • the peeling process when the peeling process is performed using a peeling solution of 50 to 80 ° C., there are advantages that the process time is shortened and the resin pattern peeling residue is reduced. That is, by providing a difference in chemical temperature between the above-described etching step and the peeling step, the resin pattern used as an etching mask in the present invention exhibits good chemical resistance in the etching step, while the peeling step. In this case, good releasability is exhibited, and both contradictory properties of chemical resistance and releasability can be satisfied.
  • the stripping solution examples include inorganic alkali components such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, organic alkali components such as tertiary amine and quaternary ammonium salt, water, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, or these. What was melt
  • dissolved in this mixed solution is mentioned. You may peel by the spray method, the shower method, the paddle method etc. using the above-mentioned peeling liquid.
  • the aforementioned capacitance type input device has at least the following elements (1) to (4) on the front plate and the non-contact side of the aforementioned front plate, and among the above (2) and (3): At least one is preferably formed by the pattern forming method of the present invention and the etching method of the present invention.
  • Mask layer (2) A plurality of first transparent electrode patterns formed by extending a plurality of pad portions in a first direction via connecting portions (3)
  • the first transparent electrode pattern described above A plurality of second electrode patterns comprising a plurality of pad portions that are electrically insulated and extend in a direction intersecting the first direction described above (4)
  • the first transparent electrode pattern described above and the second transparent electrode pattern described above Insulating layer that electrically insulates the second electrode pattern
  • the second electrode pattern may be a transparent electrode pattern.
  • a 2nd electrode pattern is a transparent electrode pattern may be demonstrated, it is not limited to such an aspect.
  • the above-described capacitance-type input device may further include the following (5), and at least one of the above-described (2), (3), and (5) is used as the pattern forming method of the present invention. And preferably formed by the etching method of the present invention. (5) Electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern and the second electrode pattern, and having a different conductivity from the first transparent electrode pattern and the second electrode pattern.
  • the above-described capacitance-type input device preferably further includes a transparent protective layer so as to cover all or part of the above-described elements (1) to (5).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a capacitance-type input device.
  • the capacitive input device 10 includes a front plate 1, a mask layer 2, a first transparent electrode pattern 3, a second transparent electrode pattern 4, an insulating layer 5, and a conductive element 6. , And a transparent protective layer 7.
  • the front plate 1 is composed of a light-transmitting substrate such as a glass substrate, and tempered glass represented by Corning's gorilla glass can be used. Moreover, in FIG. 1, the side in which each element of the front layer 1 is provided is called a non-contact surface. In the capacitance-type input device 10 described above, input is performed by bringing a finger or the like into contact with the contact surface (the surface opposite to the non-contact surface) of the front plate 1.
  • the front plate may be referred to as a “base material”.
  • a mask layer 2 is provided on the non-contact surface of the front plate 1.
  • the mask layer 2 is a frame-shaped pattern around the display area formed on the non-contact side of the front panel of the touch panel, and is formed so that the lead wiring and the like cannot be seen.
  • the above-described capacitance type input device 10 is provided with a mask layer 2 so as to cover a part of the front plate 1 (a region other than the input surface in FIG. 2).
  • the front plate 1 can be provided with an opening 8 in part as shown in FIG. A mechanical switch by pressing can be installed in the opening 8.
  • a plurality of first transparent electrode patterns 3 formed by extending a plurality of pad portions in the first direction via connection portions;
  • a plurality of second transparent electrode patterns 4 made of a plurality of pad portions that are electrically insulated and extend in a direction intersecting the first direction, the first transparent electrode pattern 3 and the second An insulating layer 5 that electrically insulates the transparent electrode pattern 4 is formed.
  • the first transparent electrode pattern 3, the second transparent electrode pattern 4, and the conductive element 6, which will be described later, are made of a light-transmitting material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). It can be made of a conductive metal oxide film.
  • Examples of such a metal film include an ITO film; a metal film such as Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, and Mo; and a metal oxide film such as SiO 2 .
  • the film thickness of each element can be set to 10 to 200 nm.
  • the amorphous ITO film is made into a polycrystalline ITO film by firing, the electrical resistance can be reduced.
  • the first transparent electrode pattern 3, the second transparent electrode pattern 4, and the conductive element 6 described later are formed using the photosensitive transfer material of the present invention as an etching resist (etching pattern). It is preferable that In addition, it can also manufacture using the photosensitive transfer material which has the photosensitive resin composition using the above-mentioned conductive fiber. In the case of forming the first conductive pattern or the like using ITO or the like, paragraphs [0014] to [0016] of Japanese Patent No. 4506785 can be referred to.
  • At least one of the first transparent electrode pattern 3 and the second transparent electrode pattern 4 extends over both the non-contact surface of the front plate 1 and the region of the mask layer 2 opposite to the front plate 1. Can be installed.
  • FIG. 1 a diagram is shown in which the second transparent electrode pattern is installed across both areas of the non-contact surface of the front plate 1 and the surface opposite to the front plate 1 of the mask layer 2. Yes.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern in the present invention.
  • the first transparent electrode pattern 3 is formed such that the pad portion 3a extends in the first direction via the connection portion 3b.
  • the second transparent electrode pattern 4 is electrically insulated by the first transparent electrode pattern 3 and the insulating layer 5 and extends in a direction intersecting the first direction (second direction in FIG. 3). It is constituted by a plurality of pad portions that are formed.
  • the pad portion 3a and the connection portion 3b described above may be manufactured as one body, or only the connection portion 3b is manufactured, and the pad portion 3a and the second portion 3b are formed.
  • the transparent electrode pattern 4 may be integrally formed (patterned).
  • the pad portion 3a and the second transparent electrode pattern 4 are produced (patterned) as a single body (patterning), as shown in FIG. 3, a part of the connection part 3b and a part of the pad part 3a are connected, and an insulating layer is formed. Each layer is formed so that the first transparent electrode pattern 3 and the second transparent electrode pattern 4 are electrically insulated by 5.
  • a conductive element 6 is provided on the surface of the mask layer 2 opposite to the front plate 1.
  • the conductive element 6 is electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern 3 and the second transparent electrode pattern 4, and is different from the first transparent electrode pattern 3 and the second transparent electrode pattern 4. Is another element.
  • FIG. 1 a view in which the conductive element 6 is connected to the second transparent electrode pattern 4 is shown.
  • the transparent protective layer 7 is installed so that all of each component may be covered.
  • the transparent protective layer 7 may be configured to cover only a part of each component.
  • the insulating layer 5 and the transparent protective layer 7 may be made of the same material or different materials.
  • the material constituting the insulating layer 5 and the transparent protective layer 7 is preferably a material having high surface hardness and high heat resistance, and a known photosensitive siloxane resin material, acrylic resin material, or the like is used.
  • At least one of the first transparent electrode pattern 3, the second transparent electrode pattern 4, and the conductive element 6 is the photosensitive transfer material of the present invention. Is preferably formed by etching using the etching resist (etching pattern).
  • at least one element of the black mask layer 2, the insulating layer 5, and, if necessary, the transparent protective layer 7 also has a temporary support, a thermoplastic resin layer, and a photocurable resin layer in this order. It is also preferable to form using a film.
  • At least one of the first transparent electrode pattern 3, the second transparent electrode pattern 4, and the conductive element 6 is etched using the photosensitive transfer material of the present invention as an etching resist (etching pattern). It is preferable to be formed.
  • the front plate 1 on which the black mask layer 2 and the like are first formed is contactless.
  • at least an inorganic insulating layer is provided on the portion where the black mask layer 2 is provided, and a transparent electrode layer such as ITO is formed on the non-contact surface of the front plate 1 or on the inorganic insulating layer by sputtering.
  • an etching pattern is formed by exposure and development using the photosensitive transfer material of the present invention having the photocurable resin layer for etching on the transparent electrode layer as the photocurable resin layer. Thereafter, the transparent electrode layer is etched to pattern the transparent electrode, and the etching pattern is removed, whereby the first transparent electrode pattern 3 and the like can be formed.
  • the first transparent electrode pattern 3, the second transparent electrode pattern 4 and the other conductive element 6 are formed using the above-described photosensitive film having the conductive photocurable resin layer
  • At least an inorganic insulating layer is provided on the surface of the face plate 1 where the black mask layer 2 is provided, and the above-described conductive photocurable resin layer is transferred onto the non-contact surface or the inorganic insulating layer of the front plate 1. By doing so, it can be formed.
  • the mask layer 2, the insulating layer 5 and the transparent protective layer 7 described above can be formed by transferring a photocurable resin layer to the front plate 1 using a photosensitive film.
  • a photosensitive film For example, when the black mask layer 2 is formed, the above-described black light curing is performed on the surface of the front plate 1 using the above-described photosensitive film having the black photo-curable resin layer as the photo-curable resin layer. It can be formed by transferring the conductive resin layer.
  • the first or second transparent electrode pattern was formed using the above-described photosensitive film having an insulating photo-curable resin layer as the above-described photo-curable resin layer.
  • It can be formed by transferring the above-mentioned photocurable resin layer onto the surface of the above-mentioned front plate 1.
  • the transparent protective layer 7 is formed, the surface of the front plate 1 on which each element is formed using the photosensitive film having a transparent photocurable resin layer as the photocurable resin layer. It can be formed by transferring the above-mentioned photocurable resin layer.
  • FIG. 4 is a top view illustrating an example of the tempered glass 11 in which the opening 8 is formed.
  • FIG. 5 is a top view showing an example of the front plate on which the mask layer 2 is formed.
  • FIG. 6 is a top view showing an example of the front plate on which the first transparent electrode pattern 3 is formed.
  • FIG. 7 is a top view showing an example of a front plate on which the first transparent electrode pattern 3 and the second transparent electrode pattern 4 are formed.
  • FIG. 8 is a top view showing an example of a front plate on which conductive elements 6 different from the first and second transparent electrode patterns are formed.
  • the photosensitive transfer material of the present invention is required after being laminated on the substrate.
  • the pattern can be obtained by developing and removing the exposed portion.
  • the development may be performed by removing the thermoplastic resin layer and the photosensitive resin composition layer with separate liquids or with the same liquid. You may combine well-known image development facilities, such as a brush and a high pressure jet, as needed. After the development, post-exposure and post-bake may be performed as necessary.
  • a surface treatment can be performed on the non-contact surface of the base material (front plate) in advance.
  • a surface treatment silane coupling treatment
  • silane coupling agent those having a functional group that interacts with the photosensitive resin are preferable.
  • a silane coupling solution N- ⁇ (aminoethyl) ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane 0.3% by mass aqueous solution, trade name: KBM603, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • KBM603 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • a heating tank may be used, and the reaction can be promoted by preheating the substrate of the laminator.
  • Capacitance Input Device and Image Display Device Comprising Capacitance Input Device as Components An electrostatic capacitance type input device obtained by using the pattern forming method of the present invention and an image display device including the above-described electrostatic capacitance type input device as constituent elements are “latest touch panel technology” (July 6, 2009). (Published by Techno Times, Inc.), supervised by Yuji Mitani, "Touch Panel Technology and Development", CMC Publishing (2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 Lecture Textbook, Cypress Semiconductor Corporation Application Note AN2292 etc. It is possible to apply the configuration that has been described.
  • MATHF 2-tetrahydrofuranyl methacrylate (synthetic product)
  • MAEVE 1-ethoxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
  • PHS parahydroxystyrene
  • PHS-EVE 1-ethoxyethyl protected form of parahydroxystyrene
  • PHS-THF 2-tetrahydrofuranyl protected form of parahydroxystyrene
  • MAA methacrylic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
  • HEMA Hydroxyethyl methacrylate (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
  • BzMA benzyl methacrylate
  • EDM diethylene glycol ethyl methyl ether
  • PGMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • PHS-EVE is an alkali-soluble resin protected with an acid-decomposable group. It was. The weight average molecular weight of the obtained resin was 11,000. The polydispersity was 1.13.
  • the structure of the polymer PHS-EVE is a 1-ethoxyethyl protected body of p-hydroxystyrene / p-hydroxystyrene copolymer (30 mol% / 70 mol%).
  • polymer PHS-THF which is a soluble resin having a protection rate of 25 mol%.
  • the weight average molecular weight of the obtained resin was 12,000.
  • the polydispersity was 1.13.
  • the structure of the polymer PHS-THF is 2-tetrahydrofuranyl protected form of p-hydroxystyrene / p-hydroxystyrene copolymer (30 mol% / 70 mol%).
  • a MAEVE copolymer was synthesized as follows. To 144.2 parts (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether, 0.5 part of phenothiazine was added, and 86.1 parts (1 molar equivalent) of methacrylic acid was added dropwise while cooling the reaction system to 10 ° C. or lower. ) For 4 hours. After adding 5.0 parts of pyridinium p-toluenesulfonate, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and allowed to stand overnight at room temperature. To the reaction solution, 5 parts of sodium bicarbonate and 5 parts of sodium sulfate were added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour.
  • MATHF tetrahydro-2H-furan-2-yl methacrylate
  • a MATHF copolymer was synthesized in the same manner as the synthesis of the MAEVE copolymer of Synthesis Example 4 except that the obtained tetrahydro-2H-furan-2-yl methacrylate was used instead of 1-ethoxyethyl methacrylate. did.
  • the weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC) of the obtained MATH copolymer was 14,000. MATHF copolymer
  • PHS Parahydroxystyrene with the following structure
  • Novolak novolak resin having the following structure (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., (A) a polymer containing no structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-decomposable group)
  • (Monomer) Monomer A A compound having the following structure synthesized according to the method described in paragraph Nos. [0126] to [0130] of Japanese Patent No. 4654938 (forms a crosslinked structure after polymerization).
  • PAG-1 A compound having the following structure synthesized according to the method described in paragraph No. [0108] of JP-T-2002-528451 (Ts moiety represents a p-toluenesulfonyl group).
  • NAI-105 trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide having the following structure
  • NQD naphthoquinone diazide
  • Initiator 1 2,2-azobisisobutyronitrile (AIBN) having the following structure
  • Sensitizer 1 Dibutoxyanthracene having the following structure (manufacturer: Kawasaki Kasei Co., Ltd., product number: 9,10-dibutoxyanthracene)
  • Basic compound 1 Compound having the following structure (manufacturer: Toyo Kasei Kogyo, product number: CMTU)
  • Heterocyclic compound Heterocyclic compound 1: Denacol EX-321L (manufactured by Nagase ChemteX Corporation)
  • Heterocyclic compound 2 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane having the following structure (trade name, KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Surfactant 1 F-554, perfluoroalkyl group-containing nonionic surfactant represented by the following structural formula (manufactured by DIC)
  • photosensitive transfer material The photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples having the compositions described in Tables 1 and 2 below are dried on a polyethylene terephthalate film support (temporary support) having a thickness of 75 ⁇ m using a slit nozzle. The film was applied to a thickness of 2.0 ⁇ m and dried in a convection oven at 100 ° C. for 2 minutes. Finally, a polyethylene film (OSM-N, manufactured by Tredegar) was pressure bonded as a protective film. Thus, photosensitive transfer materials of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 and 2 in which the temporary support, the photosensitive resin composition layer, and the protective film were integrated were produced.
  • OSM-N polyethylene film
  • PET with a thin film of copper (Cu), which is a substrate used in each evaluation PET with Cu prepared by sputtering at a thickness of 500 nm on PET (polyethylene terephthalate) having a thickness of 188 ⁇ m was used. Before use, it was washed with 1N hydrochloric acid at room temperature for 30 seconds to remove oxides on the surface.
  • Cu copper
  • a glass substrate with a photosensitive transfer material was prepared by laminating on a PET substrate with Cu at a laminating roll temperature of 130 ° C.
  • the produced glass substrate with the photosensitive transfer material is exposed / exposed through the mask without peeling the PET temporary support / development of the PET temporary support, and the exposure amount at which the 10 ⁇ m line and space pattern is exactly 10 ⁇ m is determined as the optimum exposure amount.
  • the sensitivity was evaluated as 1 point: An exposure amount of 100 mJ / cm 2 or more is required 2 points: An exposure amount of 50 mJ / cm 2 or more and less than 100 mJ / cm 2 is required 3 points: An exposure amount of 20 mJ / cm 2 or more and less than 50 mJ / cm 2 is required 4 Point: An exposure amount of 10 mJ / cm 2 or more and less than 20 mJ / cm 2 is required. 5 point: An exposure amount of less than 10 mJ / cm 2 is required.
  • a glass substrate with a photosensitive transfer material was prepared by laminating on a PET substrate with Cu at a laminating roll temperature of 130 ° C.
  • the produced glass substrate with the photosensitive transfer material is exposed / peeled with a mask without peeling the PET temporary support / development / development, and the resolution of the smallest pattern that can be resolved among the line and space patterns is set as the resolution.
  • . 1 point resolution 5 ⁇ m or more 2 points: 3.0 ⁇ m resolves but 2.5 ⁇ m does not resolve 3 points: 2.5 ⁇ m resolves but 2.0 ⁇ m does not resolve 4 points: 2.0 ⁇ m Resolved but 1.5 ⁇ m not resolved 5 points: 1.5 ⁇ m resolved.
  • a glass substrate with a photosensitive transfer material was prepared by laminating on a PET substrate with Cu at a laminating roll temperature of 130 ° C.
  • the prepared glass substrate with the photosensitive transfer material is exposed / exposed to the PET temporary support / developed through a mask without peeling off the PET temporary support, then post-baked at 140 ° C. for 3 minutes, and a 3 ⁇ m line after post-baking.
  • the rectangularity of the shape of the and space pattern portion was evaluated.
  • the cross-sectional shape is dome-shaped and has no corners, and the taper angle is less than 45 ° 2 points:
  • the cross-sectional shape is dome-shaped and has no corners, and the taper angle is 45 ° to less than 60 ° 3 points:
  • the cross-sectional shape is dome-shaped No corner, taper angle of 60 ° to less than 75 ° 4 points: cross-sectional shape has an angle, taper angle of 60 ° to less than 75 ° 5 points: cross-sectional shape has an angle, taper angle of 75 ° or more
  • a glass substrate with a photosensitive transfer material was prepared by laminating on a PET substrate with Cu at a laminating roll temperature of 130 ° C.
  • the prepared glass substrate with the photosensitive transfer material is exposed / exposed to the PET temporary support through a mask and exposed / exposed to the PET temporary support with a mask so that the 10 ⁇ m line and space pattern is exactly 10 ⁇ m.
  • Ten substrates with and space patterns were prepared, 10 points for each substrate, a line width of 10 ⁇ m was measured with an optical measuring instrument ZYGO New View 7200 (manufactured by ZYGO Corp.), and a total of 100 measured line widths. The standard deviation ( ⁇ ) of was calculated.
  • the evaluation criteria are as follows.
  • Standard deviation ⁇ is 0.4 ⁇ m or more 2: Standard deviation ⁇ is 0.25 ⁇ m or more and less than 0.4 ⁇ m 3: Standard deviation ⁇ is 0.15 ⁇ m or more and less than 0.25 ⁇ m 4: Standard deviation ⁇ is 0.1 ⁇ m or more , Less than 0.15 ⁇ m 5: standard deviation ⁇ is less than 0.1 ⁇ m
  • a glass substrate with a photosensitive transfer material was prepared by laminating on a PET substrate with Cu at a laminating roll temperature of 130 ° C.
  • the prepared glass substrate with the photosensitive transfer material is exposed / peeled with a mask having a transmission part having a line width of 10 ⁇ m without peeling off the PET temporary support, and then post-baked at 140 ° C. for 3 minutes.
  • a glass substrate with a photosensitive transfer material was prepared by laminating on a PET substrate with Cu at a laminating roll temperature of 130 ° C.
  • the prepared glass substrate with the photosensitive transfer material is exposed / peeled away / developed through a mask having a transmission part with a line width of 10 ⁇ m without peeling off the PET temporary support, and then post-baked at 140 ° C. for 3 minutes.
  • MS2001 manufactured by Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd.
  • the peeling time was evaluated. When peeled within 5 minutes, 5 points, 7 minutes or less 4 points, 9 minutes or less 3 points, 11 minutes or less 2 points, and more than 11 minutes 1 point.
  • the photosensitive transfer material was cut with a knife to a length of 20 cm, the cut portion was observed with a microscope, and the number of foreign matters having a size of 50 ⁇ m or more adhered to the short face of the cut was counted.
  • the size of the foreign material was the maximum length of the foreign material. 1: The number of foreign matters was 100 or more. 2: The number of foreign matters was 50 to 99. 3: 20 to 49, 4: 5 to 19, and 5: 4 or less.
  • the photosensitive transfer material of the present invention is a positive type, excellent in heat-resistant rectangularity, excellent in etchant resistance, excellent in resist stripping property, and generates little dust during processing. all right.
  • the photosensitive transfer material of Comparative Example 1 in which a photosensitive resin composition layer capable of forming a crosslinked structure using components was used has poor heat resistant rectangularity, poor etchant resistance, poor resist peelability, and dust generation. It turned out to be bad.
  • a novolak polymer containing a structural unit having an acid group not protected with an acid-decomposable group is used. It was found that the photosensitive transfer material of Comparative Example 2 used had poor heat resistant rectangularity and poor dust generation. It has been found that the photosensitive transfer material of the present invention also has good tackiness, sensitivity, resolution, and line width stability.
  • Example 101 to 115 ⁇ Pattern formation on ITO substrate and etching>
  • the photosensitive transfer material of Examples 1 to 15 was heated on a ITO substrate using a Lamic I type manufactured by Hitachi Industries, Ltd. at 140 ° C., a rubber roller temperature of 130 ° C., a linear pressure of 100 N / cm, and a conveyance speed. Lamination was performed at 2.2 m / min. Thereafter, i-line (365 nm) was irradiated from the top of the mask at 100 mJ / cm 2 (illuminance 20 mW / cm 2 ) using a high-pressure mercury lamp. Then, it developed with alkaline aqueous solution and formed the pattern.
  • the post-baking heat processing for 3 minutes were performed at 140 degreeC before the etching process.
  • the ITO substrate was dipped in an ITO etchant (3% aqueous oxalic acid solution) at 40 ° C./1 min to perform ITO pattern processing by wet etching.
  • the resist pattern was peeled off by dipping in a resist stripping solution (MS2001, manufactured by Fuji Film Electronics Materials) at 70 ° C. for 7 minutes. It can be seen that the ITO patterns obtained using the photosensitive transfer materials of Examples 1 to 15 as etching resists have no defects and can be used as transparent electrode patterns for capacitive input devices. It was. That is, it was found that the photosensitive transfer material of the present invention exhibits good characteristics even when used as a removable etching resist.
  • Example 116 In Example 101, the same procedure as in Example 101 was performed except that PET was exposed without being peeled before exposure as in Example 16 and then the PET was peeled off. It was found that the obtained ITO pattern has no defects and can be used as a transparent electrode pattern for a capacitive input device. That is, it was found that the photosensitive transfer material of the present invention exhibits good characteristics even when used as a removable etching resist.
  • Examples 201 to 216 In Examples 101 to 116, PET having a Cu film (thickness: 1000 nm) formed by sputtering was used, and etching was performed in the same manner except that a hydrogen peroxide / sulfuric acid based etching solution was used. It was found that the obtained Cu pattern had no defects and could be used as an electrode pattern for a capacitive input device. That is, it was found that the photosensitive transfer material of the present invention exhibits good characteristics even when used as a removable etching resist.
  • Front plate 2 Mask layer 3: First transparent electrode pattern 3a: Pad part 3b: Connection part 4: Second transparent electrode pattern 5: Insulating layer 6: Conductive element 7: Transparent protective layer 8: Opening 10: Capacitance type input device 11: Tempered glass C First direction D Second direction

Abstract

支持体と、感光性樹脂組成物層とを有し、前述の感光性樹脂組成物層が(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を含む重合体成分および(B)光酸発生剤を含み、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さない感光性転写材料は、ポジ型であって、耐熱矩形性に優れ、耐エッチャント性に優れ、レジスト剥離性に優れ、加工時の発塵が少ない;パターン形成方法;エッチング方法。

Description

感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法
 本発明は感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法に関するものである。
 有機EL表示装置や、液晶表示装置や、静電容量型入力装置などには、パターン形成された層間絶縁膜が設けられている。この層間絶縁膜の形成には、必要とするパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性が得られるといったことから、感光性転写材料を用いて任意の基板上に転写した感光性樹脂組成物層に対して、所望のパターンを有するマスクを介して露光し、部分的に硬化した後に現像する方法が広く使用されている。
 感光性樹脂組成物は感光システムの違いから、活性光線を照射した部分が像として残るネガ型と、活性光線を照射していない部分を像として残すポジ型とに分けられる。ネガ型では露光部が硬化するため、得られたパターン形状が不良であった場合には基板ごと廃棄する必要がある。一方、ポジ型では活性光線を照射することにより酸を発生する感光剤を用いて露光部の溶解性を高めるため、パターン露光時点では露光部および未露光部がいずれも硬化せず、得られたパターン形状が不良であった場合には全面露光などによって基板を再利用(リワーク)できる。そのため、いわゆるリワーク性に優れる観点からは、ポジ型の感光性樹脂組成物が好ましい。
 このようなポジ型感光性樹脂組成物を用いた転写材料の例として、特許文献1~3に記載の転写材料が知られている。
 特許文献1には、支持フィルムと、この支持フィルム上にポジ型感放射線性樹脂組成物から形成された樹脂膜とを有する転写フィルムが記載されている。この文献では、ポジ型感放射線性樹脂組成物として、酸により解離して酸性官能基を生じる酸解離性官能基を有する構造単位および架橋構造を有する重合体、感放射線性酸発生剤、および有機溶媒を含有する化学増幅型のポジ型感放射線性樹脂組成物が記載されており、架橋構造を有する重合体は特にエチレン性2重結合を有する単量体に由来する架橋構造を有するものが用いられている。同文献では、ポジ型感放射線性樹脂組成物をメッキパターニング用のドライフィルムレジストとして用いると、感度や解像性などに優れるとともに、基板との密着性に優れ、現像後に開口部に残渣を発生させず、メッキ後の樹脂膜のクラック発生を抑制することができ、かつメッキの樹脂膜への押し込みを抑制することができるとともに、露光量の変化に対して形成されるパターンの寸法変化が小さく、また、環境中に存在するアミンによりT-topが発生してもそれを解消できると記載されている。特に特許文献1の[0050]段落によれば、メッキ造形物を形成する場合に、樹脂膜をパターニングして形成された溝にメッキにより金属柱を形成するとき、強度の弱い樹脂膜では樹脂膜の溝が変形してしまう問題があるところ、特許文献1のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いると樹脂膜中にエチレン性架橋構造を形成できるために強固な樹脂膜を形成することができ、側壁が垂直な金属柱を形成することができると記載されている。また、特許文献1の[0058]には、架橋構造を含む構造単位をその他の構造単位の合計に対して0.1~10モル%含むことで、ゲル化することなくレジストとして良好な解像度を得るのに適切な分子量が得られ、十分なメッキ耐性が発現すると記載されている。
 この特許文献1に記載の架橋構造を有する重合体を含むポジ型感放射線性樹脂組成物をエッチングレジストとして使用する場合は、現像後の熱処理が耐エッチャント性付与には必須であり、この観点については記載されていない。なお、特許文献1には、転写フィルムの樹脂膜の厚みを5~200μmとして用いることができると記載されている。
 特許文献2には、支持体上に化学増幅型のポジ型感光性樹脂組成物を塗布して形成した感光性エレメントを用いてレジストパターンを形成する方法が記載されている。特許文献2では、酸によって切断される結合および2以上のエチレン性不飽和結合を分子内に有する熱重合性化合物と、前述の熱重合性化合物の熱重合反応を開始させる熱重合開始剤と、活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物とを含有する、化学増幅型のポジ型感光性樹脂組成物が記載されている。この文献には、-O-C-O-部位を有する熱重合性化合物を用いたポジ型感光性樹脂組成物が開示されている。しかしながら、特許文献2の熱重合性化合物は重合体(ポリマー)ではなく、重合性化合物(モノマー)のみが記載されている。特許文献2の[0021]には、熱重合性化合物の-O-C-O-部位が、酸により切断されて-OH基とケトン化合物に分解し、この-OH基の形成によりアルカリ性の水溶液に可溶化するとの記載があることから、熱重合性化合物の-O-C-O-部位は酸基を保護しているものではなかった。なお、特許文献2の実施例では露光後の硬化膜をメタノールで現像していることからも、特許文献2はアルカリ性の水溶液による現像性を高めるために酸基を有する熱重合性化合物を用いることは検討されていない。
 特許文献3には、ポジ型感光性樹脂組成物をフィルム基材に塗布し、次いで脱溶剤し感光性ドライフィルムを作る工程と、前述の感光性ドライフィルムを、パターンを配した基板上に圧着し感光層を形成する工程と、前述の感光層に、マスクを通して活性光線を照射する工程と、前述の感光層をアルカリ水溶液により現像する工程と、前述の感光層を水及び酸性水溶液からなる群から選択される少なくとも1つの溶媒によりリンスする工程と、前述の感光層の全体に活性光線を照射する工程と、100℃~400℃でキュアする工程とを具備する樹脂パターンの製造方法により、ベーク工程後に得られたFPCの反りを低減し、機械物性を向上させ、溶剤耐性を改善することのできることが記載されている。特許文献3の化学増幅型のポジ型ドライフィルムでは、アルカリ可溶性樹脂としてポリイミド樹脂が用いられており、活性光線を照射することにより酸を発生する感光剤としてナフトキノンジアジド化合物が組み合わせて用いられていたが、アルカリ可溶性樹脂が酸基の保護基を有する態様については記載がなかった。
特許第4544219号公報 特許第4654938号公報 特開2010-211109号公報
 ここで、転写フィルムを用いてパターン形成する場合、現像後の熱処理後の耐エッチャント性が良好で、かつレジスト剥離性が良好なことが求められている。酸により解離して酸性官能基を生じる酸解離性官能基を有する構造単位を含む重合体を用いる場合、露光現像にはポストベーク(露光現像後の加熱)を行うことが酸により解離して酸性官能基を生じる酸解離性官能基の脱離促進の観点から求められている。また、酸基の保護基を有していない樹脂を用いる場合も、パターンを形成したレジスト部のエッチング液への耐性向上の観点からポストベークを行うことが求められることがある。ポストベークを行う場合、ポストベーク後のパターン部分の断面形状がドーム状で角がなくテーパー角が小さいこと(いわゆる耐熱矩形性が良好であること)がエッチング後のメタルパターンの解像度の観点から重要となる。
 しかしながら、特許文献1のような特有の保護基を有し、かつエチレン性架橋構造を有する重合体を用いたものでは、ポストベーク後のレジスト剥離性が悪化することがあった。また保護基を有する重合体を用いずに、保護基を有するモノマーを用いている特許文献2に記載の転写フィルムは、耐熱矩形性の点で不満が残ることがわかった。
 また、酸基の保護基を有していないポリイミド樹脂を用い、露光時に窒素が発生するナフトキノンジアジドを感光剤に使用している特許文献3に記載の方法では、転写材料にした場合、材料の加工等で発塵があり、その影響でパターンに欠陥発生しやすい欠陥があった。
 本発明が解決しようとする課題は、ポジ型であって、耐熱矩形性に優れ、耐エッチャント性に優れ、レジスト剥離性に優れ、加工時の発塵が少ない感光性転写材料を提供することである。
 本発明者らが鋭意検討した結果、支持体と感光性樹脂組成物層とを有し、感光性樹脂組成物層が、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体成分と、光酸発生剤とを感光性樹脂組成物層に含み、感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さない感光性転写材料を用いることで、耐熱矩形性に優れ、耐エッチャント性に優れ、レジスト剥離性に優れ、加工時の発塵性が少ない感光性転写材料が得られ、上記課題を解決できることを見出すに至った。
 上記課題を解決するための具体的な手段である本発明は、以下のとおりである。
[1] 支持体と、感光性樹脂組成物層とを有し、感光性樹脂組成物層が(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を含む重合体成分および(B)光酸発生剤を含み、感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さない感光性転写材料。
[2] [1]に記載の感光性転写材料は、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)が、カルボキシ基またはフェノール性水酸基がアセタールの形で保護された基を有する構成単位であることが好ましい。
[3] [1]または[2]に記載の感光性転写材料は、感光性樹脂組成物層が、(C)ヘテロ環状化合物を含有することが好ましい。
[4] [3]に記載の感光性転写材料は、(C)ヘテロ環状化合物の含有量が、感光性樹脂組成物層の全固形分量に対して0.1質量%~10質量%であることが好ましい。
[5] [3]または[4]に記載の感光性転写材料は、(C)ヘテロ環状化合物がエポキシ基を有することが好ましい。
[6] [1]~[5]のいずれか1つに記載の感光性転写材料は、(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体が、下記一般式(A1)または一般式(A1’)で表される構成単位を有する重合体であることが好ましい。
一般式(A1)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
(一般式(A1)中、RおよびRはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともRおよびRのいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、Rはアルキル基またはアリール基を表し、RまたはRと、Rとが連結して環状エーテルを形成してもよく、Rは水素原子またはメチル基を表す。)
一般式(A1’)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
(一般式(A1’)中、R11およびR12はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともR11およびR12のいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、R13はアルキル基またはアリール基を表し、R11またはR12と、R13とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R14はそれぞれ独立に、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基またはシクロアルキル基を表す。)
[7] [1]~[6]のいずれか1つに記載の感光性転写材料は、感光性樹脂組成物層が、重合体成分として(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を2種以上含有し、かつ、(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体として、下記一般式(A2’)で表される構成単位を有する重合体を含有することが好ましい。
一般式(A2’)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
(一般式(A2’)中、R31およびR32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともR31およびR32のいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、R33はアルキル基またはアリール基を表し、R31またはR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R34は水素原子またはメチル基を表し、Xは単結合またはアリーレン基を表す。)
[8] [1]~[7]のいずれか一つに記載の感光性転写材料は、感光性樹脂組成物層の膜厚が0.5~10μmであることが好ましい。
[9] [1]~[8]のいずれか一つに記載の感光性転写材料は、感光性樹脂組成物層に、さらに増感剤を含むことが好ましい。
[10] [1]~[9]のいずれか一つに記載の感光性転写材料は、感光性樹脂組成物層に、さらに塩基性化合物を含むことが好ましい。
[11] [1]~[10]のいずれか1つに記載の感光性転写材料は、感光性樹脂組成物層の保護フィルムをさらに含むことが好ましい。
[12] [1]~[11]のいずれか1つに記載の感光性転写材料は、除去可能なエッチング用レジストを形成するための感光性転写材料であることが好ましい。
[13] 基板の少なくとも一方の面に、[1]~[12]のいずれか1つに記載の感光性転写材料を用いて感光性樹脂組成物層を形成する感光性樹脂組成物層形成工程と、感光性樹脂組成物層を露光する露光工程と、露光された感光性樹脂組成物層を現像する現像工程と、を有するパターン形成方法。
[14] [13]に記載のパターン形成方法は、さらに、現像して得られた感光性樹脂組成物層からなるパターン画像を加熱処理するポストベーク工程を有することが好ましい。
[15] [13]または[14]に記載のパターン形成方法により作製したパターンをエッチング用レジストとして用いてエッチングを行う工程と、エッチング処理後にパターンを薬品処理により除去する工程と、を含むエッチング方法。
 本発明によれば、ポジ型であって、耐熱矩形性に優れ、耐エッチャント性に優れ、レジスト剥離性に優れ、加工時の発塵が少ない感光性転写材料を提供することができる。
本発明の感光性転写材料を用いて形成することができる透明電極パターンを含む、静電容量型入力装置の構成を示す断面図である。 本発明における前面板の一例を示す説明図である。 本発明における第一の透明電極パターンおよび第二の透明電極パターンの一例を示す説明図である。 開口部が形成された強化処理ガラスの一例を示す上面図である。 マスク層が形成された前面板の一例を示す上面図である。 第一の透明電極パターンが形成された前面板の一例を示す上面図である。 第一および第二の透明電極パターンが形成された前面板の一例を示す上面図である。 第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素が形成された前面板の一例を示す上面図である。
 以下、本発明の感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法について説明する。
 以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。なお、本明細書において「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
[感光性転写材料]
 本発明の感光性転写材料は、支持体と、感光性樹脂組成物層とを有し、前述の感光性樹脂組成物層が(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を含む重合体成分および(B)光酸発生剤を含み、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さない。
 このような構成により、本発明の感光性転写材料は、ポジ型であって、耐熱矩形性に優れ、耐エッチャント性に優れ、レジスト剥離性に優れ、加工時の発塵が少ない。
 また、本発明の感光性転写材料は取り扱い性に優れることが好ましく、特にタッキネス(粘着性)が少ないことがより好ましい。特に、重合性化合物(モノマー)を用いた特許第4654938号公報に記載のポジ型感光性樹脂組成物に比べて、前述の重合体成分を含む本発明の感光性転写材料は、このような取り扱い性、タッキネスに優れる。
 さらに本発明の感光性転写材料は、感度に優れ、解像力が良好であり、線幅安定性に優れることが好ましい。
 以下、本発明の感光性転写材料の好ましい態様について説明する。
{支持体}
 本発明の感光性転写材料は、支持体を含む。
 支持体としては、可撓性を有し、加圧下または、加圧および加熱下で著しい変形、収縮もしくは伸びを生じない材料を用いることができる。このような支持体の例として、ポリエチレンテレフタレートフィルム、トリ酢酸セルロースフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられ、中でも2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。
 支持体の厚みには、特に制限はなく、5~200μmの範囲が一般的であり、取扱い易さ、汎用性などの点で、特に10~150μmの範囲が好ましい。
 また、支持体は透明でもよいし、染料化ケイ素、アルミナゾル、クロム塩、ジルコニウム塩などを含有していてもよい。
 また、本発明の感光性転写材料に用いられる前述の支持体には、特開2005-221726号公報に記載の方法などにより、導電性を付与することができる。
{感光性樹脂組成物層}
 本発明の感光性転写材料は、感光性樹脂組成物層を含み、前述の感光性樹脂組成物層が、前述の(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を含む重合体成分および(B)光酸発生剤を含み、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さない。
 本発明の感光性転写材料は、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さないものであり、エチレン性架橋構造を有さないことで、溶剤溶解性、現像時の溶解性の利点がある。このような利点は、架橋構造を有する特許第4544219号に開示されているポジ型感放射性樹脂組成物やそれを用いた転写フィルムでは得られない。なお、特許第4544219号に記載のポジ型感放射性樹脂組成物に用いられる特定の重合体(A)中では、2個以上のエチレン性不飽和二重結合を有する単量体(I)に由来する構造単位(架橋構造を有する構造単位)は、2個以上のエチレン性不飽和二重結合を有する単量体(I)以外の構造単位(酸解離性官能基を有する構造単位、カルボキシル基を有する構造単位、その他の構造単位など)の合計100モル%に対して、0.1~10モル%が好ましいと記載が特許第4544219号の[0058]にある。
 「エチレン性架橋構造」とは、エチレン性不飽和二重結合を2つ以上有するモノマーを用いたホモポリマーまたは共重合体によって形成される架橋構造のことを言う。
 前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さないとは、前述の感光性樹脂組成物中、エチレン性架橋構造を有する重合体が実質的に含まれていないことを意味する。本発明の感光性転写材料は、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さないことに加え、その他の架橋構造も含めて、一切の架橋構造を有さないことが好ましい。本発明の感光性転写材料は、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有する重合体も有さないことが好ましく、架橋構造を有する重合体も有さないことがより好ましい。本発明の感光性転写材料は、前述の感光性樹脂組成物が架橋性基を含有するモノマーも有さないことが好ましい。
 また、本明細書中、エチレン性架橋性基としては、エチレン性不飽和二重結合を有する基を挙げることができる。
 前述の感光性樹脂組成物中、エチレン性架橋性基を有する重合体の含有量および架橋性基を含有するモノマーの含有量の合計が0.1質量%未満であることが好ましく、0.01質量%未満であることがより好ましい。特に、架橋性基を含有するモノマーの中でも、2つ以上の架橋性基を含有するモノマーが含まれていないことが好ましく、前述の感光性樹脂組成物中、2つ以上の架橋性基を含有するモノマーの含有量が0.1質量%未満であることが好ましく、0.01質量%未満であることがより好ましい。なお、ここでいう前述の感光性樹脂組成物の成分の割合は、溶媒を除いた全固形分に対する割合である。
 前述の(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体中、架橋性基を有する構成単位が実質的に含まれていないことが好ましく、架橋性基を有する構成単位の混合割合が、前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)に対して0.1モル%未満であることがより好ましく、0.01モル%未満であることが特に好ましい。
<成分A:重合体成分>
 前述の感光性樹脂組成物層中、前述の(A)重合体成分が、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を含む。
 前述の(A)重合体成分は、さらに、これら以外の重合体を含んでいてもよい。本発明における(A)重合体成分(以下、「(A)成分」というがある)は、特に述べない限り、必要に応じて添加される他の重合体を含めたものを意味する。
<<構成単位(a1)>>
 前述の(A)重合体成分が構成単位(a1)を有することにより、極めて高感度な感光性樹脂組成物層を有する感光性転写材料とすることができる。
 本発明における「酸基が酸分解性基で保護された基」における酸基や酸分解性基としては、酸基および酸分解性基として公知のものを使用でき、特に限定されない。具体的な酸基としては、カルボキシル基、および、フェノール性水酸基が好ましく挙げられる。また、酸分解性基としては、酸により比較的分解し易い基(例えば、後述する式(A1)または式(A1’)で表される基のエステル構造、テトラヒドロピラニルエステル基、または、テトラヒドロフラニルエステル基等のアセタール系官能基)や酸により比較的分解し難い基(例えば、tert-ブチルエステル基等の第三級アルキル基、tert-ブチルカーボネート基等の第三級アルキルカーボネート基)を用いることができる。
 酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)は、酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位、または、酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位であることが好ましい。
 本発明の感光性転写材料は、前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)が、カルボキシ基またはフェノール性水酸基がアセタールの形で保護された基を有する構成単位であることがより好ましい。
 以下、酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位と、酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位について、順にそれぞれ説明する。
<<<酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位>>>
 上記酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位とは、フェノール性水酸基を有する構成単位が、以下で詳細に説明する酸分解性基によって保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位である。
 上記フェノール性水酸基を有する構成単位としては、ヒドロキシスチレンまたはα-メチルヒドロキシスチレンに由来する構成単位(例えばノボラック系の樹脂における構成単位)のヒドロキシル基が酸分解性基によって保護された構成単位が、感度の観点から好ましく、下記一般式(A1)または一般式(A1’)で表される構成単位を有する重合体であることがさらに解像度も高める観点からより好ましい。
一般式(A1)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 一般式(A1)中、RおよびRはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともRおよびRのいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、Rはアルキル基またはアリール基を表し、RまたはRと、Rとが連結して環状エーテルを形成してもよく、Rは水素原子またはメチル基を表す。
 前述の一般式(A1)中、RおよびRがアルキル基の場合、炭素数は1~10のアルキル基が好ましい。RおよびRがアリール基の場合、フェニル基が好ましい。RおよびRは、それぞれ、水素原子または炭素数1~4のアルキル基が好ましく、少なくとも一方が水素原子であることがより好ましい。
 前述の一般式(A1)中、Rはアルキル基またはアリール基を表し、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、1~6のアルキル基がより好ましい。
 RまたはRと、Rとが連結して環状エーテルを形成してもよく、RまたはRと、Rとが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。前述の環状エーテルの環員数は特に制限はないが、5または6であることが好ましく、5であることがより好ましい。
 前述の一般式(A1)中、Rは水素原子またはメチル基を表し、水素原子であることが好ましい。
一般式(A1’)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 一般式(A1’)中、R11およびR12はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともR11およびR12のいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、R13はアルキル基またはアリール基を表し、R11またはR12と、R13とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R14はそれぞれ独立に、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基またはシクロアルキル基を表す。
 前述の一般式(A1’)中、R11およびR12がアルキル基の場合、炭素数は1~10のアルキル基が好ましい。R11およびR12がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。R11およびR12は、それぞれ、水素原子または炭素数1~4のアルキル基が好ましく、少なくとも一方が水素原子であることがより好ましい。
 前述の一般式(A1’)中、R13はアルキル基またはアリール基を表し、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、1~6のアルキル基がより好ましい。
 R11またはR12と、R13とが連結して環状エーテルを形成してもよい。
 前述の一般式(A1’)中、R14は水素原子またはメチル基を表し、水素原子であることが好ましい。
 上記酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位に用いることができる上記酸分解性基としては、公知のものを使用でき、特に限定されない。酸分解性基の中でもアセタールで保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位であることが、感光性樹脂組成物の基本物性、特に感度やパターン形状、感光性樹脂組成物の保存安定性、コンタクトホールの形成性の観点から好ましい。さらに、酸分解性基の中でもフェノール性水酸基が下記一般式(a1-10)で表されるアセタールの形で保護された保護フェノール性水酸基であることが、感度の観点からより好ましい。なお、フェノール性水酸基が下記一般式(a1-10)で表されるアセタールの形で保護された保護フェノール性水酸基である場合、保護フェノール性水酸基の全体としては、-Ar-O-CR101102(OR103)の構造となっている。なお、Arはアリーレン基を表す。
一般式(a1-10)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 (式(a1-10)中、R101およびR102は、それぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、但し、R101とR102とが共に水素原子の場合を除く。R103は、アルキル基を表す。R101またはR102と、R103とが連結して環状エーテルを形成してもよい。)
 上記一般式(a1-10)中、R101~R103は、それぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、上記アルキル基は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよい。ここで、R101およびR102の双方が水素原子を表すことはなく、R101およびR102の少なくとも一方はアルキル基を表す。
 上記一般式(a1-10)において、R101、R102およびR103がアルキル基を表す場合、上記アルキル基は直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよい。
 上記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~12であることが好ましく、炭素数1~6であることがより好ましく、炭素数1~4であることがさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、テキシル基(2,3-ジメチル-2-ブチル基)、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。
 上記環状アルキル基としては、炭素数3~12であることが好ましく、炭素数4~8であることがより好ましく、炭素数4~6であることがさらに好ましい。上記環状アルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基等を挙げることができる。
 上記アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基が例示できる。置換基としてハロゲン原子を有する場合、R101、R102、R103はハロアルキル基となり、置換基としてアリール基を有する場合、R101、R102、R103はアラルキル基となる。
 上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示され、これらの中でもフッ素原子または塩素原子が好ましい。
 また、上記アリール基としては、炭素数6~20のアリール基が好ましく、より好ましくは炭素数6~12であり、具体的には、フェニル基、α-メチルフェニル基、ナフチル基等が例示でき、アリール基で置換されたアルキル基全体、すなわち、アラルキル基としては、ベンジル基、α-メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等が例示できる。
 上記アルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましく、より好ましくは炭素数1~4であり、メトキシ基またはエトキシ基がより好ましい。
 また、上記アルキル基がシクロアルキル基である場合、上記シクロアルキル基は置換基として炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を有していてもよく、アルキル基が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である場合には、置換基として炭素数3~12のシクロアルキル基を有していてもよい。
 これらの置換基は、上記置換基でさらに置換されていてもよい。
 上記一般式(a1-10)において、R101、R102およびR103がアリール基を表す場合、上記アリール基は炭素数6~12であることが好ましく、炭素数6~10であることがより好ましい。上記アリール基は置換基を有していてもよく、上記置換基としては炭素数1~6のアルキル基が好ましく例示できる。アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、シリル基、クメニル基、1-ナフチル基等が例示できる。
 また、R101、R102およびR103は互いに結合して、それらが結合している炭素原子と一緒になって環を形成することができる。R101とR102、R101とR103またはR102とR103が結合した場合の環構造としては、例えばシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、テトラヒドロフラニル基、アダマンチル基およびテトラヒドロピラニル基等を挙げることができる。
 なお、上記一般式(a1-10)において、R101およびR102のいずれか一方が、水素原子またはメチル基であることが好ましい。
 フェノール性水酸基のアセタールエステル構造の好ましい例は、R101=メチル基、R102=水素原子、R103=エチル基の場合や、例は、R101=メチル基、R102=水素原子、R103=エチル基であってR101およびR103が互いに結合して5員環を形成した場合や、R101=R102=R103=メチル基の場合や、R101=R102=メチル基でR103=ベンジル基の場合が例示できる。
 また、フェノール性水酸基がアセタールの形で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位を形成するために用いられる重合性単量体としては、例えば、特開2011-215590号公報の段落番号0042に記載のものなどが挙げられる。
 これらの中で、4-ヒドロキシフェニルメタクリレートの1-アルコキシアルキル保護体、4-ヒドロキシフェニルメタクリレートのテトラヒドロピラニル保護体、が透明性の観点から好ましい。
 フェノール性水酸基のアセタール保護基の具体例としては、1-アルコキシアルキル基が挙げられ、例えば、1-エトキシエチル基、1-メトキシエチル基、1-n-ブトキシエチル基、1-イソブトキシエチル基、1-(2-クロロエトキシ)エチル基、1-(2-エチルヘキシルオキシ)エチル基、1-n-プロポキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-(2-シクロヘキシルエトキシ)エチル基、1-ベンジルオキシエチル基などを挙げることができ、これらは単独または2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 上記酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位を形成するために用いられる重合性単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、フェノール性水酸基を有する化合物を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。上記の合成はフェノール性水酸基を有するモノマーをその他のモノマーと予め共重合させておき、その後に酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させてもよい。
 上記酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位の好ましい具体例としては、下記の構成単位が例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体における酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位の共重合割合は、前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位を含む重合体に対して10~50%が好ましく、20~40%がより好ましく、25~40モル%が特に好ましい。
 また、すべての重合体成分(前述の重合体成分が2以上の重合体の混合物である場合は、含まれる重合体すべてを意味する)を構成単位(モノマーユニット)に分解したうえで、すべての構成単位のmol数に対する、酸基が酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位(a1)の割合は、0~40モル%であることが好ましく、10~35モル%であることがより好ましく、15~30モル%であることが特に好ましい。
<<<酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位>>>
 上記酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位は、カルボキシル基を有する構成単位のカルボキシル基が、以下で詳細に説明する酸分解性基によって保護された保護カルボキシル基を有する構成単位である。
 上記酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位に用いることができる上記カルボキシル基を有する構成単位としては、特に制限はなく公知の構成単位を用いることができる。例えば、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和トリカルボン酸などの、分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を有する不飽和カルボン酸等に由来する構成単位(a1-1-1)や、エチレン性不飽和基と酸無水物由来の構造とを共に有する構成単位(a1-1-2)が挙げられる。
 以下、上記カルボキシル基を有する構成単位として用いられる、分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を有する不飽和カルボン酸等に由来する構成単位(a1-1-1)と、エチレン性不飽和基と酸無水物由来の構造とを共に有する構成単位(a1-1-2)について、それぞれ順に説明する。
<<<<分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を有する不飽和カルボン酸等に由来する構成単位(a1-1-1)>>>>
 上記分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を有する不飽和カルボン酸等に由来する構成単位(a1-1-1)として本発明で用いられる不飽和カルボン酸としては以下に挙げるようなものが用いられる。すなわち、不飽和モノカルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、α-クロロアクリル酸、ケイ皮酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチル-コハク酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチル-フタル酸、などが挙げられる。また、不飽和ジカルボン酸としては、例えば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸などが挙げられる。また、カルボキシル基を有する構成単位を得るために用いられる不飽和多価カルボン酸は、その酸無水物であってもよい。具体的には、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸などが挙げられる。また、不飽和多価カルボン酸は、多価カルボン酸のモノ(2-メタクリロイロキシアルキル)エステルであってもよく、例えば、コハク酸モノ(2-アクリロイロキシエチル)、コハク酸モノ(2-メタクリロイロキシエチル)、フタル酸モノ(2-アクリロイロキシエチル)、フタル酸モノ(2-メタクリロイロキシエチル)などが挙げられる。さらに、不飽和多価カルボン酸は、その両末端ジカルボキシポリマーのモノ(メタ)アクリレートであってもよく、例えば、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレート、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノメタクリレートなどが挙げられる。また、不飽和カルボン酸としては、アクリル酸-2-カルボキシエチルエステル、メタクリル酸-2-カルボキシエチルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、4-カルボキシスチレン等も用いることができる。
 中でも、現像性の観点から、上記分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を有する不飽和カルボン酸等に由来する構成単位(a1-1-1)を形成するためには、アクリル酸、メタクリル酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチル-コハク酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチル-フタル酸、または不飽和多価カルボン酸の無水物等を用いることが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、を用いることがより好ましい。
 上記分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を有する不飽和カルボン酸等に由来する構成単位(a1-1-1)は、1種単独で構成されていてもよいし、2種以上で構成されていてもよい。
 <<<<エチレン性不飽和基と酸無水物由来の構造とを共に有する構成単位(a1-1-2)>>>>
 エチレン性不飽和基と酸無水物由来の構造とを共に有する構成単位(a1-1-2)は、エチレン性不飽和基を有する構成単位中に存在する水酸基と酸無水物とを反応させて得られたモノマーに由来する単位であることが好ましい。
 上記酸無水物としては、公知のものが使用でき、具体的には、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水クロレンド酸等の二塩基酸無水物;無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸無水物などの酸無水物が挙げられる。これらの中では、現像性の観点から、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、または無水コハク酸、が好ましい。
 上記酸無水物の水酸基に対する反応率は、現像性の観点から、好ましくは10~100モル%、より好ましくは30~100モル%である。
 上記酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位に用いることができる上記酸分解性基としては、上述の前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位に用いることができる酸分解性基を用いることができる。
 これらの酸分解性基の中でもカルボキシル基がアセタールの形で保護された保護カルボキシル基であることが、感光性樹脂組成物の基本物性、特に感度やパターン形状、コンタクトホールの形成性、感光性樹脂組成物の保存安定性の観点から好ましい。さらに酸分解性基の中でもカルボキシル基が前述の一般式(a1-10)で表されるアセタールの形で保護された保護カルボキシル基であることが、感度の観点からより好ましい。なお、カルボキシル基が前述の一般式(a1-10)で表されるアセタールの形で保護された保護カルボキシル基である場合、保護カルボキシル基の全体としては、-(C=O)-O-CR101102(OR103)の構造となっている。
 前述の一般式(a1-10)で表される保護カルボキシル基を有する構成単位を形成するために用いられる重合性単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、特開2011-221494号公報の段落番号0037~0040に記載の合成方法などで合成することができる。
 上記酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位の中でも、下記一般式(A2’)で表される構成単位が、感度を高める観点から好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
(一般式(A2’)中、R31およびR32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともR31およびR32のいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、R33はアルキル基またはアリール基を表し、R31またはR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R34は水素原子またはメチル基を表し、Xは単結合またはアリーレン基を表す。)
 前述の一般式(A2’)中、R31およびR32がアルキル基の場合、炭素数は1~10のアルキル基が好ましい。R31およびR32がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。R31およびR32は、それぞれ、水素原子または炭素数1~4のアルキル基が好ましい。
 前述の一般式(A2’)中、R33は、アルキル基またはアリール基を表し、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、1~6のアルキル基がより好ましい。
 前述の一般式(A2’)中、R31またはR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R31またはR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。前述の環状エーテルの環員数は特に制限はないが、5または6であることが好ましく、5であることがより好ましい。
 前述の一般式(A2’)中、R34は水素原子またはメチル基を表し、水素原子であることが好ましい。
 前述の一般式(A2’)中、Xは単結合またはアリーレン基を表し、単結合が好ましい。
 前述の一般式(A2’)で表される構成単位の中でも、下記一般式(A2’’)で表される構造単位が、さらに感度を高める観点からより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 (式中、R121は水素原子または炭素数1~4のアルキル基を表し、R122~R128はそれぞれ独立に、水素原子または炭素数1~4のアルキル基を表す。)
 前述の一般式(A2’’)中、R121は水素原子またはメチル基が好ましい。
 前述の一般式(A2’’)中、R122~R128は、水素原子が好ましい。
 上記酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位の好ましい具体例としては、下記の構成単位が例示できる。なお、Rは水素原子またはメチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体における酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位の共重合割合は、前述の酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を含む重合体に対して5~60モル%が好ましく、10~50モル%がより好ましく、30~50モル%が特に好ましい。
 また、すべての重合体成分を構成単位(モノマーユニット)に分解したうえで、すべての構成単位のmol数に対する、酸基が酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位(a1)の割合は、0~60モル%であることが好ましく、10~50モル%であることがより好ましく、15~25モル%であることが特に好ましい。
<<その他の構成単位>>
 前述の感光性樹脂組成物層の前述の(A)成分は、上記酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)に加えて、これら以外のその他の構成単位(a3)を有していてもよい。これらのその他の構成単位(a3)は、上記重合体成分(A)に用いられる重合体、すなわち、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体が共重合成分として含んでいてもよい。また、上記重合体成分(A)に用いられる酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含有する重合体とは別に、実質的に酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含まずに他の構成単位を有する重合体がその他の構成単位(a3)を有していてもよい。
 その他の構成単位(a3)となるモノマーとしては、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を形成できないようなモノマーである以外は特に制限はなく、その他の構成単位(a3)となるモノマーは重合性基(または架橋性基)を1つのみ有するものであることが好ましく、すなわち2つ以上の架橋性基を含有するモノマーではないことが好ましい。その他の構成単位(a3)となるモノマーとしては、例えば、スチレン類、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸環状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、ビシクロ不飽和化合物類、マレイミド化合物類、不飽和芳香族化合物、共役ジエン系化合物、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸無水物、その他の不飽和化合物を挙げることができる。また、後述するとおり、酸基を有する構成単位を有していてもよい。
 その他の構成単位(a3)となるモノマーは、単独または2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 構成単位(a3)は、具体的には、スチレン、tert-ブトキシスチレン、メチルスチレン、ヒドロキシスチレン、α-メチルスチレン、アセトキシスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、クロロスチレン、ビニル安息香酸メチル、ビニル安息香酸エチル、4-ヒドロキシ安息香酸(3-メタクリロイルオキシプロピル)エステル、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、アクリロニトリル、エチレングリコールモノアセトアセテートモノ(メタ)アクリレートなどによる構成単位を挙げることができる。この他、特開2004-264623号公報の段落番号0021~0024に記載の化合物を挙げることができる。
 また、その他の構成単位(a3)としてスチレン類、脂肪族環式骨格を有する基が、電気特性の観点で好ましい。具体的にはスチレン、tert-ブトキシスチレン、メチルスチレン、ヒドロキシスチレン、α-メチルスチレン、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
 さらにまた、その他の構成単位(a3)として(メタ)アクリル酸アルキルエステルが、密着性の観点で好ましい。具体的には(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル等が挙げられ、(メタ)アクリル酸メチルがより好ましい。
 酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含有する重合体を構成する構成単位中、上記の構成単位(a3)の含有率は、60モル%以下が好ましく、50モル%以下がより好ましく、40モル%以下がさらに好ましい。下限値としては、0モル%でもよいが、例えば、1モル%以上とすることができ、さらには、5モル%以上とすることができる。上記の数値の範囲内であると、感光性樹脂組成物から得られる硬化膜の諸特性が良好となる。
 その他の構成単位(a3)として、酸基を含む構成単位を有することが好ましい。酸基を含む構成単位を有することにより、アルカリ性の現像液に溶けやすくなり、本発明の効果がより効果的に発揮される。本発明における酸基とは、pKaが10以下のプロトン解離性基を意味する。酸基は、通常、酸基を形成しうるモノマーを用いて、酸基を含む構成単位として、重合体に組み込まれる。このような酸基を含む構成単位を重合体中に含めることにより、アルカリ性の現像液に対して溶けやすくなる傾向にある。
 前述のその他の構成単位に用いられる酸基を含む構成単位の酸基としては、カルボン酸基由来のもの、スルホンアミド基に由来のもの、ホスホン酸基に由来のもの、スルホン酸基に由来のもの、フェノール性水酸基に由来するもの、スルホンアミド基、スルホニルイミド基等が例示され、カルボン酸基由来のものおよび/またはフェノール性水酸基に由来のものが好ましい。
 前述のその他の構成単位に用いられる酸基を含む構成単位は、スチレンに由来する構成単位やビニル化合物に由来する構成単位に対して酸基が置換した構成単位であることや、(メタ)アクリル酸に由来する構成単位であることがより好ましい。
 さらに、酸基のエステルを含む構成単位を有することも、現像液に対する溶解性や、膜の物理物性を最適化する観点から好ましい。
 本発明では、特に、前述のその他の構成単位(a3)として、カルボキシル基を有する構成単位、または、フェノール性水酸基を有する構成単位を含有することが、感度の観点で好ましい。
 前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)として、前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位を有する重合体は、前述のその他の構成単位(a3)の中でもフェノール性水酸基に由来する構成単位を共重合成分として含むことが好ましく、ヒドロキシスチレンまたはα-メチルヒドロキシスチレンに由来する構成単位を共重合成分として含むことがより好ましく、ヒドロキシスチレンに由来する構成単位を共重合成分として含むことが特に好ましい。
 前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位を有する重合体における酸基を含む構成単位の共重合割合は、酸基がフェノール性酸基である場合は前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位を有する重合体に対して50~90モル%が好ましく、60~75モル%がより好ましい。
 また、酸基がカルボン酸性酸基である場合は前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位を有する重合体に対して0~30モル%が好ましく、5~10モル%がより好ましい。
 前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位を有する重合体における酸基のエステルを含む構成単位の共重合割合は、前述の酸分解性基で保護された保護フェノール基を有する構成単位を有する重合体に対して0~30モル%が好ましく、0~10モル%がより好ましく、0モル%が特に好ましい。
 前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)として、前述の酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を有する重合体は、前述のその他の構成単位(a3)の中でもカルボン酸基由来の構成単位および/またはそのエステルを共重合成分として含むことが好ましく、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸ベンジルまたは(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル由来の構成単位を共重合成分として含むことがより好ましい。
 前述の酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を有する重合体における酸基を含む構成単位の共重合割合は、酸基がフェノール性酸基である場合は前述の酸分解性基で保護されたカルボキシル基を有する構成単位を有する重合体に対して50~90モル%が好ましく、60~75モル%がより好ましい。
 また、酸基がカルボン酸性酸基である場合は前述の酸分解性基で保護されたカルボキシル基を有する構成単位を有する重合体に対して0~30モル%が好ましく、5~10モル%がより好ましい。
 前述の酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を有する重合体における酸基のエステルを含む構成単位の共重合割合は、前述の酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を有する重合体に対して10~80モル%が好ましく、30~70モル%がより好ましく、40~60モル%が特に好ましい。
<重合体成分の好ましい実施形態>
 上記酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位は、上記酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位に比べると、現像が速い。よって、前述の感光性樹脂組成物層を露光後に速く現像したい場合には酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位が好ましい。逆に現像を遅くしたい場合には酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位を用いることが好ましい。
 本発明の感光性転写材料では、前述の(A)重合体成分中、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体は1種であっても2種以上であってもよい。本発明の感光性転写材料は、前述の重合体成分として前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を2種以上含有することが好ましい。その中でも、前述の重合体成分として前述の酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位を有する重合体と、前述の酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を含有する重合体とを含有することがより好ましい。
 本発明の感光性転写材料は、前述の感光性樹脂組成物層が、前述の重合体成分として前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を2種以上含有し、かつ、前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体として、前述の一般式(A2’)で表される構成単位を有する重合体を含有することが感度を高める観点から特に好ましい。
 前述の感光性樹脂組成物層が、前述の重合体成分として前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を2種以上含有し、かつ、前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体として、前述の一般式(A1)または前述の一般式(A1’)で表される構成単位を有する重合体のうち少なくとも一方と、前述の一般式(A2’)で表される構成単位を有する重合体とを含有することが感度および解像度をともに高める観点からより特に好ましい。
 前述の重合体成分として前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を2種以上含有する場合、前述の酸分解性基で保護された保護フェノール性水酸基を有する構成単位を有する重合体と前述の酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を含有する重合体の割合は、質量比で10:90~100:0であることが好ましく、30:70~60:40であることがより好ましく、1:1であることが特に好ましい。
<<酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含有する重合体の分子量>>
 前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含有する重合体の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量で、好ましくは1,000~200,000、より好ましくは2,000~50,000の範囲である。上記の数値の範囲内であると、諸特性が良好である。
 数平均分子量と重量平均分子量の比(分散度)は1.0~5.0が好ましく1.05~3.5がより好ましい。
<<重合体成分(A)の製造方法>>
 また、(A)成分の合成法についても、様々な方法が知られているが、一例を挙げると、少なくとも上記(a1)および上記(a3)で表される構成単位を形成するために用いられる重合性単量体を含む重合性単量体混合物を有機溶剤中、重合開始剤を用いて重合することにより合成することができる。また、いわゆる高分子反応で合成することもできる。
 前述の感光性樹脂組成物層は、全固形分100質量部に対し、(A)成分を50~99.9質量部の割合で含むことが好ましく、70~98質量部の割合で含むことがより好ましい。
<<他の重合体成分>>
 また、上記重合体成分(A)に用いられる酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含有する重合体とは別に、実質的に酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含まずに他の構成単位を有する重合体を有していてもよい。上記重合体成分(A)に用いられる重合体とは別に、実質的に酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を含まずに他の構成単位を有する重合体を含む場合、前述の重合体の配合量は、全重合体成分中、60質量%以下であることが好ましく、40質量%以下であることがより好ましく、20質量%以下であることがさらに好ましい。
 前述の感光性樹脂組成物層中にこれらの実質的に構成単位(a1)を含まずに他の構成単位(a3)を有する重合体は、1種類のみ含んでいてもよいし、2種類以上含んでいてもよい。
 これらの実質的に構成単位(a1)を含まずに他の構成単位(a3)を有する重合体として、エチレン性架橋性基を有さない重合体が好ましく、前述のエチレン性架橋性基を有さない重合体としては例えばポリヒドロキシスチレンを用いることができ、市販されている、SMA 1000P、SMA 2000P、SMA 3000P、SMA 1440F、SMA 17352P、SMA 2625P、SMA 3840F(以上、サートマー社製)、ARUFON UC-3000、ARUFON UC-3510、ARUFON UC-3900、ARUFON UC-3910、ARUFON UC-3920、ARUFON UC-3080(以上、東亞合成(株)製)、Joncryl 690、Joncryl 678、Joncryl 67、Joncryl 586(以上、BASF製)等を用いることもできる。
 一方、前述の感光性樹脂組成物中、構成単位(a1)を含まずに他の構成単位(a3)を有する重合体として、エチレン性架橋性基を有する重合体の含有量が0.1質量%未満であることが、前述の感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を形成できないようにする観点から好ましく、0.01質量%未満であることがより好ましい。
<成分B:光酸発生剤>
 前述の感光性樹脂組成物層は、(B)光酸発生剤を含有する。本発明で使用される光酸発生剤(「(B)成分」ともいう。)としては、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等の放射線を照射することにより酸を発生することができる化合物である。本発明で使用される(B)光酸発生剤(「(B)成分」ともいう)としては、波長300nm以上、好ましくは波長300~450nmの活性光線に感応し、酸を発生する化合物が好ましいが、その化学構造に制限されるものではない。また、波長300nm以上の活性光線に直接感応しない光酸発生剤についても、増感剤と併用することによって波長300nm以上の活性光線に感応し、酸を発生する化合物であれば、増感剤と組み合わせて好ましく用いることができる。放射線の照射により発生される酸のpKaの値は好ましくは、4.0以下であり、さらに好ましくは3.0以下である。下限値は特に定めるものではないが、例えば、-10.0以上とすることができる。
 前述の(B)光酸発生剤としては、イオン性光酸発生剤と、非イオン性光酸発生剤を挙げることができる。
 非イオン性光酸発生剤の例として、トリクロロメチル-s-トリアジン類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、および、オキシムスルホネート化合物などを挙げることができる。これらの中でも、絶縁性の観点から、本発明の感光性転写材料は、前述の(B)光酸発生剤がオキシムスルホネート化合物であることが好ましい。これら光酸発生剤は、1種単独または2種類以上を組み合わせて使用することができる。トリクロロメチル-s-トリアジン類、およびジアゾメタン誘導体の具体例としては、特開2011-221494号公報の段落番号0083~0088に記載の化合物が例示できる。
 オキシムスルホネート化合物、すなわち、オキシムスルホネート構造を有する化合物としては、下記一般式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物が好ましく例示でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
一般式(B1)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
(一般式(B1)中、R21は、アルキル基またはアリール基を表す。波線は他の基との結合を表す。)
 いずれの基も置換されてもよく、R21におけるアルキル基は直鎖状でも分岐状でも環状でもよい。許容される置換基は以下に説明する。
 R21のアルキル基としては、炭素数1~10の、直鎖状または分岐状アルキル基が好ましい。R21のアルキル基は、炭素数6~11のアリール基、炭素数1~10のアルコキシ基、または、シクロアルキル基(7,7-ジメチル-2-オキソノルボルニル基などの有橋式脂環基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)で置換されてもよい。
 R21のアリール基としては、炭素数6~11のアリール基が好ましく、フェニル基またはナフチル基がより好ましい。R21のアリール基は、低級アルキル基、アルコキシ基あるいはハロゲン原子で置換されてもよい。
 上記一般式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する上記化合物は、下記一般式(B2)で表されるオキシムスルホネート化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
(式(B2)中、R42は、アルキル基またはアリール基を表し、X10は、アルキル基、アルコキシ基、または、ハロゲン原子を表し、m4は、0~3の整数を表し、m4が2または3であるとき、複数のX10は同一でも異なっていてもよい。)
 X10としてのアルキル基は、炭素数1~4の直鎖状または分岐状アルキル基が好ましい。
10としてのアルコキシ基は、炭素数1~4の直鎖状または分岐状アルコキシ基が好ましい。
 X10としてのハロゲン原子は、塩素原子またはフッ素原子が好ましい。m4は、0または1が好ましい。上記一般式(B2)中、m4が1であり、X10がメチル基であり、X10の置換位置がオルト位であり、R42が炭素数1~10の直鎖状アルキル基、7,7-ジメチル-2-オキソノルボルニルメチル基、またはp-トルイル基である化合物が特に好ましい。
 上記一般式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物は、下記一般式(B3)で表されるオキシムスルホネート化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
(式(B3)中、R43は式(B2)におけるR42と同義であり、X11は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、シアノ基またはニトロ基を表し、n4は0~5の整数を表す。)
 上記一般式(B3)におけるR43としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロ-n-プロピル基、パーフルオロ-n-ブチル基、p-トリル基、4-クロロフェニル基またはペンタフルオロフェニル基が好ましく、n-オクチル基が特に好ましい。
 Xとしては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。
 n4としては、0~2が好ましく、0~1が特に好ましい。
 上記一般式(B3)で表される化合物の具体例としては、α-(メチルスルホニルオキシイミノ)ベンジルシアニド、α-(エチルスルホニルオキシイミノ)ベンジルシアニド、α-(n-プロピルスルホニルオキシイミノ)ベンジルシアニド、α-(n-ブチルスルホニルオキシイミノ)ベンジルシアニド、α-(4-トルエンスルホニルオキシイミノ)ベンジルシアニド、α-〔(メチルスルホニルオキシイミノ)-4-メトキシフェニル〕アセトニトリル、α-〔(エチルスルホニルオキシイミノ)-4-メトキシフェニル〕アセトニトリル、α-〔(n-プロピルスルホニルオキシイミノ)-4-メトキシフェニル〕アセトニトリル、α-〔(n-ブチルスルホニルオキシイミノ)-4-メトキシフェニル〕アセトニトリル、α-〔(4-トルエンスルホニルオキシイミノ)-4-メトキシフェニル〕アセトニトリルを挙げることができる。
 好ましいオキシムスルホネート化合物の具体例としては、下記化合物(i)~(viii)等が挙げられ、1種単独で使用、または、2種類以上を併用することができる。化合物(i)~(viii)は、市販品として、入手することができる。また、他の種類の(B)光酸発生剤と組み合わせて使用することもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 上記一般式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物としては、下記一般式(OS-1)で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 上記一般式(OS-1)中、R411は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホ基、シアノ基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。R412は、アルキル基、または、アリール基を表す。
 X401は-O-、-S-、-NH-、-NR415-、-CH-、-CR416H-、または、-CR415417-を表し、R415~R417はアルキル基、または、アリール基を表す。
 R421~R424は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド基、スルホ基、シアノ基、または、アリール基を表す。R421~R424のうち2つは、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
 R421~R424としては、水素原子、ハロゲン原子、および、アルキル基が好ましく、また、R421~R424のうち少なくとも2つが互いに結合してアリール基を形成する態様もまた、好ましく挙げられる。中でも、R421~R424がいずれも水素原子である態様が感度の観点から好ましい。
 既述の官能基は、いずれも、さらに置換基を有していてもよい。
 上記一般式(OS-1)で表される化合物は、下記一般式(OS-2)で表される化合物であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 上記一般式(OS-2)中、R401、R402、R421~R424は、それぞれ式(OS-1)におけるのと同義であり、好ましい例もまた同様である。
 これらの中でも、上記一般式(OS-1)および上記一般式(OS-2)におけるR401がシアノ基、または、アリール基である態様がより好ましく、上記一般式(OS-2)で表され、R401がシアノ基、フェニル基またはナフチル基である態様が最も好ましい。
 また、上記オキシムスルホネート化合物においてオキシムやベンゾチアゾール環の立体構造(E,Z等)のついてはそれぞれ、どちらか一方であっても、混合物であってもよい。
 本発明に好適に用いうる上記一般式(OS-1)で表される化合物の具体例としては、特開2011-221494号公報の段落番号0128~0132に記載の化合物(例示化合物b-1~b-34)が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。
 本発明では、上記一般式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物としては、下記一般式(OS-3)、下記一般式(OS-4)または下記一般式(OS-5)で表されるオキシムスルホネート化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 (一般式(OS-3)~一般式(OS-5)中、R22、R25およびR28はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、R23、R26およびR29はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表し、R24、R27およびR30はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、スルホン酸基、アミノスルホニル基またはアルコキシスルホニル基を表し、X~Xはそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子を表し、n~nはそれぞれ独立に1または2を表し、m~mはそれぞれ独立に0~6の整数を表す。)
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、R22、R25およびR28におけるアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
 上記式(OS-3)~(OS-5)中、R22、R25およびR28におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1~30のアルキル基であることが好ましい。
 また、上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、R22、R25およびR28におけるアリール基としては、置換基を有してもよい総炭素数6~30のアリール基が好ましい。
 また、上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、Rにおけるヘテロアリール基としては、置換基を有してもよい総炭素数4~30のヘテロアリール基が好ましい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、R22、R25およびR28におけるヘテロアリール基は、少なくとも1つの環が複素芳香環であればよく、例えば、複素芳香環とベンゼン環とが縮環していてもよい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、R23、R26およびR29は、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、化合物中に2以上存在するR23、R26およびR29のうち、1つまたは2つがアルキル基、アリール基またはハロゲン原子であることが好ましく、1つがアルキル基、アリール基またはハロゲン原子であることがより好ましく、1つがアルキル基であり、かつ残りが水素原子であることが特に好ましい。
 R23、R26およびR29におけるアルキル基としては、置換基を有してもよい総炭素数1~12のアルキル基であることが好ましく、置換基を有してもよい総炭素数1~6のアルキル基であることがより好ましい。
 R23、R26およびR29におけるアリール基としては、置換基を有してもよい総炭素数6~30のアリール基であることが好ましい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、X~Xはそれぞれ独立にOまたはSを表し、Oであることが好ましい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)において、X~Xを環員として含む環は、5員環または6員環である。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、n~nはそれぞれ独立に1または2を表し、X~XがOである場合、n~nはそれぞれ独立に1であることが好ましく、また、X~XがSである場合、n~nはそれぞれ独立に2であることが好ましい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、R24、R27およびR30はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、スルホン酸基、アミノスルホニル基またはアルコキシスルホニル基を表す。その中でも、R24、R27およびR30はそれぞれ独立にアルキル基またはアルキルオキシ基であることが好ましい。
 R24、R27およびR30におけるアルキル基、アルキルオキシ基、スルホン酸基、アミノスルホニル基およびアルコキシスルホニル基は、置換基を有していてもよい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、R24、R27およびR30におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1~30のアルキル基であることが好ましい。
 上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、R24、R27およびR30におけるアルキルオキシ基としては、置換基を有してもよい総炭素数1~30のアルキルオキシ基であることが好ましい。
 また、上記一般式(OS-3)~(OS-5)中、m~mはそれぞれ独立に0~6の整数を表し、0~2の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、0であることが特に好ましい。
 また、上記(OS-3)~(OS-5)のそれぞれの置換基について、特開2011-221494号公報の段落番号0092~0109に記載の(OS-3)~(OS-5)の置換基の好ましい範囲も同様に好ましい。
 また、上記一般式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物は、下記一般式(OS-6)~(OS-11)のいずれかで表されるオキシムスルホネート化合物であることが特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
(式(OS-6)~(OS-11)中、R301~R306はアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、R307は、水素原子または臭素原子を表し、R308~R310、R313、R316およびR318はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~8のアルキル基、ハロゲン原子、クロロメチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、メトキシメチル基、フェニル基またはクロロフェニル基を表し、R311およびR314はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはメトキシ基を表し、R312、R315、R317およびR319はそれぞれ独立には水素原子またはメチル基を表す。)
 上記一般式(OS-6)~(OS-11)における好ましい範囲は、特開2011-221494号公報の段落番号0110~0112に記載される(OS-6)~(OS-11)の好ましい範囲と同様である。
 上記一般式(OS-3)~上記一般式(OS-5)で表されるオキシムスルホネート化合物の具体例としては、特開2011-221494号公報の段落番号0114~0120に記載の化合物が挙げられるが、本発明は、これらに限定されるものではない。
 前述の感光性樹脂組成物層において、(B)非イオン性光酸発生剤は、感光性樹脂組成物中の全樹脂成分(好ましくは全固形分、より好ましくは重合体の合計)100質量部に対して、0.1~10質量部使用することが好ましく、0.5~10質量部使用することがより好ましい。2種以上を併用することもできる。
 イオン性光酸発生剤の例として、ジアリールヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類、第四級アンモニウム塩類等を挙げることができる。これらのうち、トリアリールスルホニウム塩類およびジアリールヨードニウム塩類が好ましい。
 イオン性光酸発生剤として使用されるトリアリールスルホニウム塩類は下記一般式(1)で表される。
一般式(1)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
(一般式(1)中、R505、R506及びR507は、それぞれ、置換基を有していてもよい、アルキル基又は芳香族基を表し、アルキル基の場合、互いに連結し環を形成してもよい;X-は共役塩基を表す。)
 R505、R506及びR507におけるアルキル基としては、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、置換基を有していてもよい。そのようなアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、などが挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、ターシャリーブチル基が好ましい。また、R505、R506及びR507のうち、2つ以上がアルキル基の場合、その2つ以上のアルキル基が互いに連結し環を形成していることが好ましく、そのような環形態としては硫黄原子を含んだ形で5員環(チアシクロペンタン)、及び、6員環(チアシクロヘキサン)が好ましい。
 R505、R506及びR507における芳香族基としては、炭素数6~30の芳香族基が好ましく、置換基を有していてもよい。そのような芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、4-メトキシフェニル基、4-クロロフェニル基、4-メチルフェニル基、4-ターシャリーブチルフェニル基、4-フェニルチオフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、4-メトキシ-1-ナフチル基、4-(4’-ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基が挙げられる。
 また、一般式(1)で表されるイオン性光酸発生剤は、R505~R507のいずれかで結合し、2量体等の多量体を形成してもよい。例えば、前述の4-(4’-ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基は2量体の一例であり、前述の4-(4’-ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基における対アニオンは、X-と同様である。
 R505、R506及びR507におけるアルキル基及び芳香族基が有していてもよい置換基としては、芳香族基が好ましく、具体的にはフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-クロロフェニル基、4-(4’-ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基が特に好ましい。これらの置換基は、上記置換基でさらに置換されていてもよい。
 X-における共役塩基としては、アルキルスルホン酸の共役塩基、アリールスルホン酸の共役塩基、BY -(Yはハロゲン原子を表す。以下についても同様である。)、PY -、AsY -、SbY -、又は、下記一般式(3)若しくは一般式(4)で表される一価のアニオンが好ましく、アルキルスルホン酸の共役塩基、アリールスルホン酸の共役塩基、PY -、又は、一般式(3)で表される1価のアニオンが特に好ましい。
 アルキルスルホン酸及びアリールスルホン酸の共役塩基としては、炭素数1~7のアルキルスルホン酸の共役塩基が好ましく、更に炭素数1~4のアルキルスルホン酸の共役塩基がより好ましく、酸の形で表記すると例えば、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、n-プロパンスルホン酸、ヘプタンスルホン酸が特に好ましい。
 アリールスルホン酸の共役塩基としては、酸の形で表記すると例えば、ベンゼンスルホン酸、クロロベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸が挙げられる。
 X-におけるBY -、PY -、AsY -、SbY -中のYは、フッ素原子、塩素原子が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
(一般式(3)及び一般式(4)中、R521、R522及びR523はそれぞれ独立に、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のフッ素原子を有するアルキル基、又は、R521とR522とが互いに炭素原子数2~6のアルキレン基若しくは炭素原子数2~6のフッ素原子を有するアルキレン基で結合した環を表す。)
 一般式(3)及び一般式(4)中、R521、R522及びR523における炭素原子数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、ターシャリーブチル基、シクロヘキシル基、オクチル基等を挙げることができる。また、炭素原子数1~10のフッ素原子を有するアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、ドデカフルオロペンチル基、パーフルオロオクチル基等を挙げることができる。これらのうち、R521、R522及びR523は、炭素原子数1~10のフッ素原子を有するアルキル基が好ましく、炭素原子数1~6のフッ素原子を有するアルキル基が特に好ましい。
 一般式(3)及び一般式(4)中、R521とR522とが互いに結合して環を形成する場合の炭素原子数2~6のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。また、炭素原子数2~6のフッ素原子を有するアルキレン基としては、テトラフルオロエチレン基、ヘキサフルオロプロピレン基、オクタフルオロブチレン基、デカフルオロペンチレン基、ウンデカフルオロヘキシレン基等を挙げることができる。これらのうち、R521とR522とが互いに結合して環を形成する場合は、炭素原子数2~6のフッ素原子を有するアルキレン基で結合することが好ましく、特に炭素原子数2~4のフッ素原子を有するアルキレン基で結合することが好ましい。
 また、一般式(1)で表されるイオン性光酸発生剤としては、下記一般式(5)で表される光酸発生剤であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
(式中、R510、R511、R512及びR513はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい、アルキル基又は芳香族基を表し、Ar及びArはそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表し、X1-及びX2-はそれぞれ独立に、共役塩基を表す。)
 R510、R511、R512及びR513におけるアルキル基及び芳香族基は、一般式(1)のR505、R506及びR507が表すアルキル基及び芳香族基と同義であり、好ましい態様も同様である。また、有していてもよい置換基も同様である。
 X1-及びX2-における共役塩基は、一般式(1)のXが表す共役塩基と同義であり、好ましい態様も同様である。
 Ar及びArにおける二価の芳香族基としては、フェニレン基又はナフチレン基であることが好ましく、フェニレン基が特に好ましい。
 イオン性光酸発生剤として使用されるトリアリールスルホニウム塩類の具体例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナートまたは4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート等が挙げられる。
 市販されている化合物としては、TPS-102,103,105,106,109,300,1000、MDS-103,105,109,205、209、BDS-109、DTS-103,105、MNPS-109、HDS-109,(以上、みどり化学社製)、GSID-26-1、Cyracure UVI-6976(以上、BASF社製)が挙げられる。
 イオン性光酸発生剤として使用されるジアリールヨードニウム塩類は下記一般式(2)の一般式で表される。
一般式(2)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
(一般式(2)中、R508及びR509はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、X-は共役塩基を表す。)
 一般式(2)中、R508及びR509における芳香族基は、一般式(1)のR505、R506及びR507が表す芳香族基と同義であり、好ましい態様も同様である。
 一般式(2)中、X1-における共役塩基は、一般式(1)のXが表す共役塩基と同義であり、好ましい態様も同様である。
 また、一般式(2)で表される光酸発生剤は、R508~R509で結合し、2量体等の多量体を形成してもよい。例えば、前述の4-(4’-ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基は2量体の一例であり、前述の4-(4’-ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基における対アニオンは、前述のX-と同様のものである。
 イオン性光酸発生剤として使用されるジアリールヨードニウム塩類の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、フェニル,4-(2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシ)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-(2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシ)フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、フェニル,4-(2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシ)フェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート等が挙げられる。
 市販されている化合物としては、DPI-105,106,109,201、BI-105,MPI-105,106,109、BBI-102,103,105,106,109,110,201,300、301(以上、みどり化学社製)が挙げられる。
 イオン性光酸発生剤として使用される第四級アンモニウム塩類の具体例としては、テトラメチルアンモニウムブチルトリス(2,6-ジフルオロフェニル)ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス(p-クロロフェニル)ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス(3-トリフルオロメチルフェニル)ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス(2,6-ジフルオロフェニル)ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス(p-クロロフェニル)ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス(3-トリフルオロメチルフェニル)ボレート等が挙げられる。
 上記具体例の他、(B)成分の具体例としては、以下のような化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 前述の感光性樹脂組成物層における成分Bの含有量は、重合体成分100質量部に対して、0.1~10質量部であることが好ましく、0.5~5質量部であることがより好ましい。成分Bの含有量が0.1質量部以上であると、所望の感度(高感度化)が得やすく、また、10質量部以下であると、塗膜の透明性を確保しやすい。
 また、非イオン性光酸発生剤の添加量は、1質量%以下であることが好ましく、実質的に非イオン性光酸発生剤を含まない態様が好ましい。
<成分D:溶剤>
 前述の感光性樹脂組成物層は、溶剤を含有することが好ましい。前述の感光性樹脂組成物層は、本発明の必須成分と、さらに後述の任意の成分を溶剤に溶解した溶液として調製されることが好ましい。
 前述の感光性樹脂組成物層に使用される溶剤としては、公知の溶剤を用いることができ、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エステル類、ケトン類、アミド類、ラクトン類等が例示できる。また、前述の感光性樹脂組成物層に使用される溶剤の具体例としては特開2011-221494号公報の段落番号0174~0178に記載の溶剤も挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
 また、これらの溶剤にさらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナール、ベンジルアルコール、アニソール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の溶剤を添加することもできる。これら溶剤は、1種単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。本発明に用いることができる溶剤は、1種単独、または、2種を併用することが好ましく、2種を併用することがより好ましく、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類またはジアルキルエーテル類、ジアセテート類とジエチレングリコールジアルキルエーテル類、あるいは、エステル類とブチレングリコールアルキルエーテルアセテート類とを併用することがさらに好ましい。
 また、成分Dとしては、沸点130℃以上160℃未満の溶剤、沸点160℃以上の溶剤、または、これらの混合物であることが好ましい。
 沸点130℃以上160℃未満の溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点146℃)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点158℃)、プロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル(沸点155℃)、プロピレングリコールメチル-n-プロピルエーテル(沸点131℃)が例示できる。
 沸点160℃以上の溶剤としては、3-エトキシプロピオン酸エチル(沸点170℃)、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル(沸点176℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート(沸点160℃)、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(沸点213℃)、3-メトキシブチルエーテルアセテート(沸点171℃)、ジエチレングリコールジエチエルエーテル(沸点189℃)、ジエチレングリコールジメチルエーテル(沸点162℃)、プロピレングリコールジアセテート(沸点190℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点220℃)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル(沸点175℃)、1,3-ブチレングリコールジアセテート(沸点232℃)が例示できる。
 前述の感光性樹脂組成物層における溶剤の含有量は、感光性樹脂組成物中の全樹脂成分100質量部当たり、50~95質量部であることが好ましく、60~90質量部であることがさらに好ましい。
<成分E:増感剤>
 前述の感光性樹脂組成物層は、(B)光酸発生剤との組み合わせにおいて、その分解を促進させるために、増感剤を含有することが好ましく、特に非イオン性光酸発生剤を用いるときは増感剤を含有することが好ましい。増感剤は、活性光線または放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより光酸発生剤は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。
 増感剤を含有させることで、露光感度が一段と向上し、また、可視光の吸収効率が低い非イオン性光酸発生剤を用いる場合、露光光源がg、h線混合線の場合に特に有効である。
 増感剤としては、アントラセン誘導体、アクリドン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、ベーススチリル誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体が好ましく、アントラセン誘導体がより好ましい。
 アントラセン誘導体としては、アントラセン、9,10-ジブトキシアントラセン、9,10-ジクロロアントラセン、2-エチル-9,10-ジメトキシアントラセン、9-ヒドロキシメチルアントラセン、9-ブロモアントラセン、9-クロロアントラセン、9,10-ジブロモアントラセン、2-エチルアントラセン、9,10-ジメトキシアントラセンが好ましい。
 アクリドン誘導体としては、アクリドン、N-ブチル-2-クロロアクリドン、N-メチルアクリドン、2-メトキシアクリドン、N-エチル-2-メトキシアクリドンが好ましい。
 チオキサントン誘導体としては、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、1-クロロ-4-プロポキシチオキサントン、2-クロロチオキサントンが好ましい。
 クマリン誘導体としては、クマリン-1、クマリン-6H、クマリン-110、クマリン-102が好ましい。
 ベーススチリル誘導体としては、2-(4-ジメチルアミノスチリル)ベンゾオキサゾール、2-(4-ジメチルアミノスチリル)ベンゾチアゾール、2-(4-ジメチルアミノスチリル)ナフトチアゾールが挙げられる。
 ジスチリルベンゼン誘導体としては、ジスチリルベンゼン、ジ(4-メトキシスチリル)ベンゼン、ジ(3,4,5-トリメトキシスチリル)ベンゼンが挙げられる。
 増感剤の具体例としては、下記が挙げられるが本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記において、Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 前述の感光性樹脂組成物層における増感剤の含有量は、重合性成分100質量部に対して、0.1~10質量部であることが好ましく、0.5~5質量部であることがより好ましい。増感剤の含有量を0.1質量部以上とすることにより所望の感度が得やすく、また10質量部以下とすることにより塗膜の透明性を確保しやすい。
<成分S:塩基性化合物>
 前述の感光性樹脂組成物層は、塩基性化合物を含有してもよい。塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの具体例としては、特開2011-221494号公報の段落番号0204~0207に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
 具体的には、脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミンなどが挙げられる。
 芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
 複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、N-メチル-4-フェニルピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.3.0]-7-ウンデセンなどが挙げられる。
 第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
 カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ-n-ブチルアンモニウムアセテート、テトラ-n-ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。
 本発明に用いることができる塩基性化合物は、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
 前述の感光性樹脂組成物層における塩基性化合物の含有量は、感光性樹脂組成物中の全固形分100質量部に対して、0.001~3質量部であることが好ましく、0.005~1質量部であることがより好ましい。
<成分F:ヘテロ環状化合物>
 前述の感光性樹脂組成物層は、必要に応じ、ヘテロ環状化合物を含有することが好ましい。ヘテロ環状化合物を添加することにより、前述の感光性樹脂組成物層により得られる硬化膜をより強固な膜とすることができ、線幅安定性も向上する。
 ヘテロ環状化合物としては、エチレン性架橋性基を有するものを除けば特に制限はない。例えば、以下に述べる分子内にエポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物、アルコキシメチル基含有ヘテロ環状化合物、そのほか、各種環状エーテル・環状エステル(ラクトン)などの含酸素モノマーや、環状アミン・オキサゾリンといった含窒素モノマー、さらには珪素・硫黄・リンなどのd電子をもつヘテロ環モノマー等を添加することができる。
 前述の感光性樹脂組成物層中におけるヘテロ環状化合物の添加量は、感光性樹脂組成物の全固形分100質量部に対し、0.01~50質量部であることが好ましく、0.1~10質量部であることがより好ましく、1~5質量部であることがさらに好ましい。この範囲で添加することにより、機械的強度に優れた硬化膜が得られ、耐薬品性に優れた硬化膜が得られ、線幅安定性も向上する。ヘテロ環状化合物は複数を併用することもでき、その場合はヘテロ環状化合物を全て合算して含有量を計算する。
〔分子内にエポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物〕
 分子内にエポキシ基を有する化合物の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。
 これらは市販品として入手できる。例えば、JER828、JER1007、JER157S70(三菱化学社製)、JER157S65((株)三菱ケミカルホールディングス製)など、特開2011-221494号公報の段落番号0189に記載の市販品などが挙げられる。
 その他にも、ADEKA RESIN EP-4000S、同EP-4003S、同EP-4010S、同EP-4011S(以上、(株)ADEKA製)、NC-2000、NC-3000、NC-7300、XD-1000、EPPN-501、EPPN-502(以上、(株)ADEKA製)、デナコールEX-611、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-411、EX-421、EX-313、EX-314、EX-321、EX-211、EX-212、EX-810、EX-811、EX-850、EX-851、EX-821、EX-830、EX-832、EX-841、EX-911、EX-941、EX-920、EX-931、EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L、DLC-201、DLC-203、DLC-204、DLC-205、DLC-206、DLC-301、DLC-402、EX-111,EX-121、EX-141、EX-145、EX-146、EX-147、EX-171、EX-192(以上ナガセケムテック製)、YH-300、YH-301、YH-302、YH-315、YH-324、YH-325(以上新日鐵化学製)セロキサイド2021P、2081、2000、3000、EHPE3150、エポリードGT400、セルビナースB0134、B0177((株)ダイセル)、などが挙げられる。
これらは1種単独または2種以上を組み合わせて使用することができる。
 これらの中でも、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂および脂肪族エポキシ、脂肪族エポキシ樹脂がより好ましく挙げられ、脂肪族エポキシ樹脂が特に好ましく挙げられる。
 分子内にオキセタニル基を有する化合物の具体例としては、アロンオキセタンOXT-201、OXT-211、OXT-212、OXT-213、OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX(以上、東亞合成(株)製)を用いることができる。
 また、オキセタニル基を含む化合物は、単独でまたはエポキシ基を含む化合物と混合して使用することが好ましい。
 これらの中でも、本発明の感光性転写材料は、前述の(C)ヘテロ環状化合物がエポキシ基を有することが、線幅安定性を改善する観点から好ましい。
 また、分子内にアルコキシシラン構造とヘテロ環状構造の両方を有する化合物も好適に用いることができる。たとえば、γ-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリアルコキシシランが挙げられる。これらのうち、γ-グリシドキシプロピルトリアルコキシシランがより好ましい。これらは1種単独または2種以上を組み合わせて使用することができる。
<成分W:界面活性剤>
 前述の感光性樹脂組成物層は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、または、両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン界面活性剤である。
 ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤を挙げることができる。また、以下商品名で、KP(信越化学工業(株)製)、ポリフロー(共栄社化学(株)製)、エフトップ(JEMCO社製)、メガファック(DIC(株)製)、フロラード(住友スリーエム(株)製)、アサヒガード、サーフロン(旭硝子(株)製)、PolyFox(OMNOVA社製)、SH-8400(東レ・ダウコーニングシリコーン)等の各シリーズを挙げることができる。
 また、界面活性剤として、下記一般式(I-1)で表される構成単位Aおよび構成単位Bを含み、テトラヒドロフラン(THF)を溶剤とした場合のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が1,000以上10,000以下である共重合体を好ましい例として挙げることができる。
 一般式(I-1)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
(式(I-1)中、R401およびR403はそれぞれ独立に、水素原子またはメチル基を表し、R402は炭素数1以上4以下の直鎖アルキレン基を表し、R404は水素原子または炭素数1以上4以下のアルキル基を表し、Lは炭素数3以上6以下のアルキレン基を表し、pおよびqは重合比を表す質量百分率であり、pは10質量%以上80質量%以下の数値を表し、qは20質量%以上90質量%以下の数値を表し、rは1以上18以下の整数を表し、sは1以上10以下の整数を表す。)
 上記Lは、下記一般式(I-2)で表される分岐アルキレン基であることが好ましい。一般式(I-2)におけるR405は、炭素数1以上4以下のアルキル基を表し、相溶性と被塗布面に対する濡れ性の点で、炭素数1以上3以下のアルキル基が好ましく、炭素数2または3のアルキル基がより好ましい。pとqとの和(p+q)は、p+q=100、すなわち、100質量%であることが好ましい。
 一般式(I-2)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 上記共重合体の重量平均分子量(Mw)は、1,500以上5,000以下がより好ましい。
 その他、特許第4502784号公報の段落[0017]、特開2009-237362号公報の段落[0060]~[0071]に記載の界面活性剤も用いることができる。
 これらの界面活性剤は、1種単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
 前述の感光性樹脂組成物層における界面活性剤の添加量は、感光性樹脂組成物中の全固形分100質量部に対して、10質量部以下であることが好ましく、0.001~10質量部であることがより好ましく、0.01~3質量部であることがさらに好ましい。
<その他の成分>
 前述の感光性樹脂組成物層には、上記成分に加えて、さらに前述の感光性樹脂組成物層には、金属酸化物粒子、ヘテロ環状化合物以外の架橋剤、アルコキシシラン化合物、酸化防止剤、分散剤、酸増殖剤、現像促進剤、導電性繊維、着色剤、可塑剤、熱ラジカル発生剤、熱酸発生剤、紫外線吸収剤、増粘剤、および、有機または無機の沈殿防止剤などの公知の添加剤を加えることができる。例えば、静電容量型入力装置のマスク層の形成に本発明の感光性転写材料を用いる場合には、感光性樹脂組成物に着色剤を含有させ、着色感光性樹脂組成物層とすることが好ましい。また、静電容量型入力装置の透明電極パターンに本発明の感光性転写材料を用いる場合には、感光性樹脂組成物層に導電性繊維等を含有させ、導電性感光性樹脂組成物層とすることが好ましい。
〔金属酸化物粒子〕
 前述の感光性樹脂組成物層は、屈折率や光透過性を調節することを目的として、金属酸化物粒子を含有することが好ましい。金属酸化物粒子は、透明性が高く、光透過性を有するため、高屈折率で、透明性に優れたポジ型感光性樹脂組成物が得られる。
 金属酸化物粒子は、前述の粒子を除いた材料からなる樹脂組成物の屈折率より屈折率が高いものであることが好ましく、具体的には、400~750nmの波長を有する光における屈折率が1.50以上の粒子がより好ましく、屈折率が1.70以上の粒子が更に好ましく、1.90以上の粒子が特に好ましい。
 ここで、400~750nmの波長を有する光における屈折率が1.50以上であるとは、上記範囲の波長を有する光における平均屈折率が1.50以上であることを意味し、上記範囲の波長を有する全ての光における屈折率が1.50以上であることを要しない。また、平均屈折率は、上記範囲の波長を有する各光に対する屈折率の測定値の総和を、測定点の数で割った値である。
 なお、本発明における金属酸化物粒子の金属には、B、Si、Ge、As、Sb、Te等の半金属も含まれるものとする。
 光透過性で屈折率の高い金属酸化物粒子としては、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Gd、Tb、Dy、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Zn、B、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Te等の原子を含む酸化物粒子が好ましく、酸化チタン、チタン複合酸化物、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、インジウム/スズ酸化物、アンチモン/スズ酸化物がより好ましく、酸化チタン、チタン複合酸化物、酸化ジルコニウムが更に好ましく、酸化チタン、酸化ジルコニウムが特に好ましく、二酸化チタンが最も好ましい。二酸化チタンとしては、特に屈折率の高いルチル型が好ましい。これら金属酸化物粒子は、分散安定性付与のために表面を有機材料で処理することもできる。
 樹脂組成物の透明性の観点から、成分Cの平均一次粒子径は、1~200nmが好ましく、3~80nmが特に好ましい。ここで粒子の平均一次粒子径は、電子顕微鏡により任意の粒子200個の粒子径を測定し、その算術平均をいう。また、粒子の形状が球形でない場合には、最も長い辺を径とする。
 また、金属酸化物粒子は、1種単独で使用してよいし、2種以上を併用することもできる。
 前述の感光性樹脂組成物層における金属酸化物粒子の含有量は、樹脂組成物により得られる光学部材に要求される屈折率や、光透過性等を考慮して、適宜決定すればよいが、前述の感光性樹脂組成物層の全固形分に対して、5~80質量%とすることが好ましく、10~70質量%とすることがより好ましい。
〔ヘテロ環状化合物以外の架橋剤:ブロックイソシアネート化合物〕
 前述の感光性樹脂組成物層では、架橋剤として、ブロックイソシアネート系化合物も好ましく採用できる。ブロックイソシアネート化合物は、ブロックイソシアネート基を有する化合物であれば特に制限はないが、硬化性の観点から、1分子内に2以上のブロックイソシアネート基を有する化合物であることが好ましい。
 なお、本発明におけるブロックイソシアネート基とは、熱によりイソシアネート基を生成することが可能な基であり、例えば、ブロック剤とイソシアネート基とを反応させイソシアネート基を保護した基が好ましく例示できる。また、前述のブロックイソシアネート基は、90℃~250℃の熱によりイソシアネート基を生成することが可能な基であることが好ましい。
 また、ブロックイソシアネート化合物としては、その骨格は特に限定されるものではなく、1分子中にイソシアネート基を2個有するものであればどのようなものでもよく、脂肪族、脂環族または芳香族のポリイソシアネートであってよいが、例えば2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、1,6-ヘキサメチレンジイソシアネート、1,3-トリメチレンジイソシアネート、1,4-テトラメチレンジイソシアネート、2,2,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、2,4,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、1,9-ノナメチレンジイソシアネート、1,10-デカメチレンジイソシアネート、1,4-シクロヘキサンジイソシアネート、2,2'-ジエチルエーテルジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4'-ジイソシアネート、o-キシレンジイソシアネート、m-キシレンジイソシアネート、p-キシレンジイソシアネート、メチレンビス(シクロヘキシルイソシアネート)、シクロヘキサン-1,3-ジメチレンジイソシアネート、シクロヘキサン-1,4-ジメチレレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、3,3'-メチレンジトリレン-4,4'-ジイソシアネート、4,4'-ジフェニルエーテルジイソシアネート、テトラクロロフェニレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、水素化1,3-キシリレンジイソシアネート、水素化1,4-キシリレンジイソシアネート等のイソシアネート化合物およびこれらの化合物から派生するプレポリマー型の骨格の化合物を好適に用いることができる。これらの中でも、トリレンジイソシアネート(TDI)やジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)、イソホロンジイソシアネート(IPDI)が特に好ましい。
 前述の感光性樹脂組成物層におけるブロックイソシアネート化合物の母構造としては、ビウレット型、イソシアヌレート型、アダクト型、2官能プレポリマー型等を挙げることができる。
 前述のブロックイソシアネート化合物のブロック構造を形成するブロック剤としては、オキシム化合物、ラクタム化合物、フェノール化合物、アルコール化合物、アミン化合物、活性メチレン化合物、ピラゾール化合物、メルカプタン化合物、イミダゾール系化合物、イミド系化合物等を挙げることができる。これらの中でも、オキシム化合物、ラクタム化合物、フェノール化合物、アルコール化合物、アミン化合物、活性メチレン化合物、ピラゾール化合物から選ばれるブロック剤が特に好ましい。
 前述のオキシム化合物としては、オキシム、および、ケトオキシムが挙げられ、具体的には、アセトキシム、ホルムアルドキシム、シクロヘキサンオキシム、メチルエチルケトンオキシム、シクロヘキサノンオキシム、ベンゾフェノンオキシム、アセトキシム等が例示できる。
 前述のラクタム化合物としてはε-カプロラクタム、γ-ブチロラクタム等が例示できる。
 前述のフェノール化合物としては、フェノール、ナフトール、クレゾール、キシレノール、ハロゲン置換フェノール等が例示できる。
 前述のアルコール化合物としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が例示できる。
 前述のアミン化合物としては、1級アミンおよび2級アミンが上げられ、芳香族アミン、脂肪族アミン、脂環族アミンいずれでもよく、アニリン、ジフェニルアミン、エチレンイミン、ポリエチレンイミン等が例示できる。
 前述の活性メチレン化合物としては、マロン酸ジエチル、マロン酸ジメチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチル等が例示できる。
 前述のピラゾール化合物としては、ピラゾール、メチルピラゾール、ジメチルピラゾール等が例示できる、
 前述のメルカプタン化合物としては、アルキルメルカプタン、アリールメルカプタン等が例示できる。
 前述の感光性樹脂組成物層に使用できるブロックイソシアネート化合物は、市販品として入手可能であり、例えば、コロネートAPステーブルM、コロネート2503、2515、2507、2513、2555、ミリオネートMS-50(以上、日本ポリウレタン工業(株)製)、タケネートB-830、B-815N、B-820NSU、B-842N、B-846N、B-870N、B-874N、B-882N(以上、三井化学(株)製)、デュラネート17B-60PX、17B-60P、TPA-B80X、TPA-B80E、MF-B60X、MF-B60B、MF-K60X、MF-K60B、E402-B80B、SBN-70D、SBB-70P、K6000(以上、旭化成ケミカルズ(株)製)、デスモジュールBL1100、BL1265 MPA/X、BL3575/1、BL3272MPA、BL3370MPA、BL3475BA/SN、BL5375MPA、VPLS2078/2、BL4265SN、PL340、PL350、スミジュールBL3175(以上、住化バイエルウレタン(株)製)等を好ましく使用することができる。
〔アルコキシシラン化合物〕
 前述の感光性樹脂組成物層は、アルコキシシラン化合物を含有することが好ましい。アルコキシシラン化合物を用いると、前述の感光性樹脂組成物層により形成された膜と基板との密着性を向上でき、さらに前述の感光性樹脂組成物層により形成された膜の性質を調整することができる。アルコキシシラン化合物としては、ジアルコキシシラン構造を有する化合物またはトリアルコキシシラン構造を有する化合物が好ましく、トリアルコキシシラン構造を有する化合物がより好ましい。アルコキシシラン化合物が有するアルコキシ基の炭素数は1~5が好ましい。アルコキシシラン化合物の分子量は100~500が好ましく、150~400がより好ましい。
 前述の感光性樹脂組成物層に用いることができるアルコキシシラン化合物は、基材となる無機物、例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、モリブデン、チタン、アルミニウム等の金属と絶縁膜との密着性を向上させる化合物であることが好ましい。なお、前述のアルコキシシラン化合物としては、アルコキシシラン構造を有し、かつ、前述のヘテロ環状化合物にも含まれる化合物(3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど)も用いることができる。
 具体的には、公知のシランカップリング剤等も有効である。
 シランカップリング剤としては、例えば、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシランが挙げられる。これらは1種単独または2種以上を組み合わせて使用することができる。
 また、下記具体例に示される化合物も好ましく採用できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 上記具体例において、Phはフェニル基である。
 前述の感光性樹脂組成物層におけるアルコキシシラン化合物は、特にこれらに限定することなく、公知のものを使用することができる。
 前述の感光性樹脂組成物層におけるアルコキシシラン化合物の含有量は、感光性組成物中の全固形分100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましく、0.5~30質量部がより好ましく、5~25質量部がさらに好ましい。
 本発明では、5~25質量部の割合とすることにより、感度、絶縁性および保存安定性を総合的に評価したときに、特に優れたものとなる。
〔酸化防止剤〕
 前述の感光性樹脂組成物層は、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤を含有することができる。酸化防止剤を添加することにより、硬化膜の着色を防止できる、または、分解による膜厚減少を低減でき、また、耐熱透明性に優れるという利点がある。
 このような酸化防止剤としては、例えば、リン系酸化防止剤、アミド類、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。これらの中では、硬化膜の着色、膜厚減少の観点から特にフェノール系酸化防止剤、アミド系酸化防止剤、ヒドラジド系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤が好ましい。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合してもよい。
 フェノール系酸化防止剤の市販品としては、例えば、アデカスタブAO-15、アデカスタブAO-18、アデカスタブAO-20、アデカスタブAO-23、アデカスタブAO-30、アデカスタブAO-37、アデカスタブAO-40、アデカスタブAO-50、アデカスタブAO-51、アデカスタブAO-60、アデカスタブAO-70、アデカスタブAO-80、アデカスタブAO-330、アデカスタブAO-412S、アデカスタブAO-503、アデカスタブA-611、アデカスタブA-612、アデカスタブA-613、アデカスタブPEP-4C、アデカスタブPEP-8、アデカスタブPEP-8W、アデカスタブPEP-24G、アデカスタブPEP-36、アデカスタブPEP-36Z、アデカスタブHP-10、アデカスタブ2112、アデカスタブ260、アデカスタブ522A、アデカスタブ1178、アデカスタブ1500、アデカスタブC、アデカスタブ135A、アデカスタブ3010、アデカスタブTPP、アデカスタブCDA-1、アデカスタブCDA-6、アデカスタブZS-27、アデカスタブZS-90、アデカスタブZS-91(以上、(株)ADEKA製)、イルガノックス245FF、イルガノックス1010FF、イルガノックス1010、イルガノックスMD1024、イルガノックス1035FF、イルガノックス1035、イルガノックス1098、イルガノックス1330、イルガノックス1520L、イルガノックス3114、イルガノックス1726、イルガフォス168、イルガモッド295(BASF(株)製)などが挙げられる。中でも、アデカスタブAO-60、アデカスタブAO-80、イルガノックス1726、イルガノックス1035、イルガノックス1098を好適に使用することができる。
 酸化防止剤の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分に対して、0.1~10質量%であることが好ましく、0.2~5質量%であることがより好ましく、0.5~4質量%であることが特に好ましい。この範囲にすることで、形成された膜の十分な透明性が得られ、且つ、パターン形成時の感度も良好となる。
 また、酸化防止剤以外の添加剤として、“高分子添加剤の新展開((株)日刊工業新聞社)”に記載の各種紫外線吸収剤や、金属不活性化剤等を前述の感光性樹脂組成物層に添加してもよい。
〔分散剤〕
 前述の感光性樹脂組成物層は、分散剤として公知のものを用いることができ、酸基を有する分散剤が好ましい。
〔酸増殖剤〕
 前述の感光性樹脂組成物層は、感度向上を目的に、酸増殖剤を用いることができる。
 本発明に用いることができる酸増殖剤は、酸触媒反応によってさらに酸を発生して反応系内の酸濃度を上昇させることができる化合物であり、酸が存在しない状態では安定に存在する化合物である。このような化合物は、1回の反応で1つ以上の酸が増えるため、反応の進行に伴って加速的に反応が進むが、発生した酸自体が自己分解を誘起するため、ここで発生する酸の強度は、酸解離定数、pKaとして3以下であるのが好ましく、特に2以下であるのが好ましい。
 酸増殖剤の具体例としては、特開平10-1508号公報の段落番号0203~0223、特開平10-282642号公報の段落番号0016~0055、および、特表平9-512498号公報第39頁12行目~第47頁2行目に記載の化合物を挙げることができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
 本発明で用いることができる酸増殖剤としては、酸発生剤から発生した酸によって分解し、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フェニルホスホン酸などのpKaが3以下の酸を発生させる化合物を挙げることができる。
 具体的には
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
等を挙げることができる。
 酸増殖剤の感光性組成物への含有量は、光酸発生剤100質量部に対して、10~1,000質量部とするのが、露光部と未露光部との溶解コントラストの観点から好ましく、20~500質量部とするのがさらに好ましい。
〔現像促進剤〕
 前述の感光性樹脂組成物層は、現像促進剤を含有することができる。
 現像促進剤としては、特開2012-042837号公報の段落番号0171~0172の記載を参酌でき、かかる内容は本願明細書に組み込まれる。
 現像促進剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用することも可能である。
 前述の感光性樹脂組成物層における現像促進剤の添加量は、感度と残膜率の観点から、感光性組成物の全固形分100質量部に対し、0~30質量部が好ましく、0.1~20質量部がより好ましく、0.5~10質量部であることが最も好ましい。
〔その他の添加剤〕
 また、その他の添加剤としては特開2012-8223号公報の段落番号0120~0121に記載の熱ラジカル発生剤、WO2011/136074A1に記載の窒素含有化合物および熱酸発生剤も用いることができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
 さらに、前述の感光性樹脂組成物は、特許第4502784号公報の段落[0018]に記載の熱重合防止剤、さらに、特開2000-310706号公報の段落[0058]~[0071]に記載のその他の添加剤、特開2005-221726号公報に記載の材料などが用いられるが、これに限られたものではない。
<感光性樹脂組成物層の膜厚>
 感光性樹脂組成物層の膜厚は、0.5~10μmが好ましい。感光性樹脂組成物層の膜厚が10μm以下であると、パターンの解像度が向上し、0.5μm以上であると、エッチング液への耐性が向上する。
 前述の感光性樹脂組成物層の膜厚としては、0.8~5μmが更に好ましく、1.0~3.0μmが特に好ましい。
<感光性樹脂組成物層の形成方法>
 各成分を所定の割合でかつ任意の方法で混合し、撹拌溶解して感光性樹脂組成物を調製する。例えば、成分を、それぞれ予め溶剤に溶解させた溶液とした後、これらを所定の割合で混合して樹脂組成物を調製することもできる。以上のように調製した組成物溶液は、孔径0.2μmのフィルター等を用いてろ過した後に、使用に供することもできる。
{他の層}
 本発明で用いる感光性転写材料には、感光性樹脂組成物と仮支持体との間に剥離層を設けたり、あるいは感光性樹脂組成物の表面に保護フィルム(以下、カバーフィルムとも言う)などを更に設けたりして好適に構成することができる。本発明の感光性転写材料は、前述の感光性樹脂組成物層の保護フィルムをさらに含むことが好ましい。
<感光性転写材料の作製方法>
 本発明における感光性転写材料は、仮支持体上に感光性樹脂組成物層用塗布液を塗布し、乾燥させて感光性樹脂組成物層を積層することによって、好適に作製することができる。前述の感光性樹脂組成物層の保護フィルムをさらに積層する工程を含んでいてもよい。
[パターン形成方法]
 本発明のパターン形成方法は、基板の少なくとも一方の面に、本発明の感光性転写材料を用いて感光性樹脂組成物層を形成する感光性樹脂組成物層形成工程と、前述の感光性樹脂組成物層を露光する露光工程と、露光された前述の感光性樹脂組成物層を現像する現像工程と、を有する。
 本発明のエッチング方法は、本発明のパターン形成方法により作製したパターンをエッチング用レジストとして用いてエッチングを行う工程と、前述のエッチング処理後に前述のパターンを薬品処理により除去する工程と、を含む。
 以下、本発明の感光性転写材料をエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いてレジストパターンを得る場合について、静電容量型入力装置の透明電極パターンを形成する方法を例にして、本発明のパターン形成方法および本発明のエッチング方法を説明する。
(カバーフィルム除去工程)
 本発明のパターン形成方法は、本発明の感光性転写材料が前述のカバーフィルムを有する場合は、本発明の感光性転写材料から前述のカバーフィルムを除去するカバーフィルム除去工程を有することが好ましい。
 このとき、前述の感光性樹脂組成物層形成工程では、基板の少なくとも一方の面に、前述のカバーフィルムが除去された本発明の感光性転写材料を用いて感光性樹脂組成物層を形成することが好ましい。
(感光性樹脂組成物層形成工程)
 感光性樹脂組成物層形成工程は、基板の少なくとも一方の面に、本発明の感光性転写材料を用いて感光性樹脂組成物層を形成する工程である。前述の感光性樹脂組成物層形成工程は、前述のカバーフィルムが除去された前述の感光性転写材料の前述の感光性樹脂組成物を基材上に転写する工程であることが好ましい。
 この際、前述の感光性転写材料の感光性樹脂組成物を基材にラミネート後、前述の支持体(仮支持体)を除去しても、除去しないでもどちらでも使用することができる。仮支持体を残したまま下記の露光をする場合は、露光後に剥離を実施する。仮支持体を残したまま露光する場合のほうが、ホトマスクへの異物付着等で好ましい一方で、仮支持体を剥離して露光する場合は、仮支持体中の異物の影響がないメリットを有する。
 感光性樹脂組成物の基材表面への転写(貼り合わせ)は、感光性樹脂組成物を基材表面に重ね、加圧、加熱することに行われる。貼り合わせには、ラミネータ、真空ラミネータ、および、より生産性を高めることができるオートカットラミネーター等の公知のラミネータを使用することができる。
(露光工程、現像工程、およびその他の工程)
 前述の露光工程、現像工程、およびその他の工程の例としては、特開2006-23696号公報の段落番号[0035]~[0051]に記載の方法を本発明においても好適に用いることができる。
 前述の露光工程は、基材上に転写された前述の感光性樹脂組成物層を露光する工程である。
 具体的には、前述の基材上に形成された感光性樹脂組成物層の上方に所定のマスクを配置し、その後前述のマスクを介してマスク上方から露光する方法が挙げられる。
 ここで、前述の露光の光源としては、感光性樹脂組成物層を硬化しうる波長域の光(例えば、365nm、405nmなど)を照射できるものであれば適宜選定して用いることができる。具体的には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等が挙げられる。露光量としては、通常5~200mJ/cm程度であり、好ましくは10~100mJ/cm程度である。
 尚、パターニング露光は、支持体を剥離してから行ってもよいし、支持体を剥離する前に露光し、その後、支持体を剥離してもよい。マスクを介した露光でもよいし、レーザー等を用いたデジタル露光でもよい。
 前述の現像工程は、(パターニング)露光された前述の感光性樹脂組成物層を現像液によって所望のパターンが得られるように現像する狭義の意味の現像工程に加え、感光性転写材料が有してもよい他の層(例えば熱可塑性樹脂層や、その他の中間層)を除去する工程も含む。前述の現像工程は、(パターニング)露光された前述の感光性樹脂組成物層を現像液によって所望のパターンが得られるように現像する狭義の意味の現像工程であることが好ましい。
 前述の現像は、現像液を用いて行うことができる。前述の現像液としては、特に制約はなく、特開平5-72724号公報に記載のものなど、公知の現像液を使用することができる。尚、現像液は感光性樹脂組成物層が溶解型の現像挙動をするものが好ましく、例えば、pKa=7~13の化合物を0.05~5mol/Lの濃度で含むものが好ましいが、更に水と混和性を有する有機溶剤を少量添加してもよい。水と混和性を有する有機溶剤としては、メタノール、エタノール、2-プロパノール、1-プロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ベンジルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ε-カプロラクトン、γ-ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、乳酸エチル、乳酸メチル、ε-カプロラクタム、N-メチルピロリドン等を挙げることができる。前述の有機溶剤の濃度は0.1質量%~30質量%が好ましい。
 また、前述の現像液には、更に公知の界面活性剤を添加することができる。界面活性剤の濃度は0.01質量%~10質量%が好ましい。
 前述の現像の方式としては、パドル現像、シャワー現像、シャワー&スピン現像、ディプ現像等のいずれでもよい。ここで、前述のシャワー現像について説明すると、露光後の感光性樹脂組成物に現像液をシャワーにより吹き付けることにより、ポジ型では露光部分を除去することができる。また、現像の後に、洗浄剤などをシャワーにより吹き付け、ブラシなどで擦りながら、現像残渣を除去することが好ましい。現像液の液温度は20℃~40℃が好ましく、また、現像液のpHは8~13が好ましい。
 本発明のパターン形成方法は、さらに、前述の現像して得られた感光性樹脂組成物層を含むパターンを加熱処理するポストベーク工程を有することが好ましい。
 前述のポストベーク工程を有することにより、前述の感光性樹脂組成物層において酸による保護基の脱離を促進することができ、好ましい。本発明の感光性転写材料における前述の酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)は、カルボキシル基をアセタールで保護することが、保護基脱離の活性化エネルギーを低下させ、露光後の加熱処理を回避する観点から好ましい。
 前述のポストベークの加熱は0.08~1.2atmの環境下で行うことが好ましく、0.5atm以上の環境下で行うことがより好ましい。一方、1.1atm以下の環境下で行うことがより好ましく、1.0atm以下の環境下で行うことが特に好ましい。さらに、約1atm(大気圧)環境下で行うことが特別な減圧装置を用いることなく製造コストを低減できる観点からより特に好ましい。
 前述のポストベークの温度は、110~170℃であることが好ましく、120~160℃であることがより好ましく、130~150℃であることが特に好ましい。
 前述のポストベークの時間は、1~30分であることが好ましく、2~10分であることがより好ましく、2~4分であることが特に好ましい。
 前述のポストベークは、空気環境下で行っても、窒素置換環境下で行ってもよいが、空気環境下で行うことが、特別な減圧装置を用いることなく製造コストを低減できる観点から特に好ましい。
 本発明のパターン形成方法は、ポスト露光工程等、その他の工程を有していてもよい。前述のポスト露光工程は、前述の現像工程後、前述のポストベーク工程前に、現像された感光性樹脂組成物を全面露光する工程である。
(エッチング)
 本発明のエッチング方法は、本発明のパターン形成方法により作製したパターンをエッチング用レジストとして用いてエッチングを行う工程を含む。
 前述のエッチングは、特開2010-152155公報の段落[0048]~[0054]等に記載の公知の方法でエッチング、レジスト剥離を適用することができる。
 例えば、エッチングの方法としては、一般的に行われている、エッチング液に浸漬するウェットエッチング法が挙げられる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、エッチングの対象に合わせて酸性タイプまたはアルカリ性タイプのものを適宜選択すればよい。酸性タイプのエッチング液としては、塩酸、硫酸、フッ酸、リン酸等の酸性成分単独の水溶液、酸性成分と塩化第2鉄、フッ化アンモニウム、過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。酸性成分は、複数の酸性成分を組み合わせたものを使用してもよい。また、アルカリ性タイプのエッチング液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、有機アミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのような有機アミンの塩等のアルカリ成分単独の水溶液、アルカリ成分と過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。アルカリ成分は、複数のアルカリ成分を組み合わせたものを使用してもよい。
 エッチング液の温度は特に限定されないが、45℃以下であることが好ましい。本発明でエッチングマスク(エッチングパターン)として使用される樹脂パターンは、上述した感光性樹脂組成物を使用して形成されることにより、このような温度域における酸性およびアルカリ性のエッチング液に対して特に優れた耐性を発揮する。したがって、エッチング工程中に樹脂パターンが剥離することが防止され、樹脂パターンの存在しない部分が選択的にエッチングされることになる。
 前述のエッチング後、ライン汚染を防ぐために必要に応じて、洗浄工程・乾燥工程を行ってもよい。洗浄工程については、例えば常温で純水により10~300秒間基材を洗浄して行い、乾燥工程については、エアブローを使用して、エアブロー圧(0.1~5kg/cm程度)を適宜調整し、行えばよい。
 本発明のエッチング方法は、前述のエッチング処理後に前述のパターン(以下、樹脂パターンとも言う)を薬品処理により除去する工程を含む。
 次いで、樹脂パターンの剥離方法としては、特に限定されないが、例えば、30~80℃、好ましくは50~80℃にて攪拌中の剥離液に基材を5~30分間浸漬する方法が挙げられる。本発明でエッチングマスクとして使用される樹脂パターンは、上述のように45℃以下において優れた薬液耐性を示すものであるが、薬液温度が50℃以上になるとアルカリ性の剥離液により膨潤する性質を示す。このような性質により、50~80℃の剥離液を使用して剥離工程を行うと工程時間が短縮され、樹脂パターンの剥離残渣が少なくなるという利点がある。すなわち、前述のエッチング工程と剥離工程との間で薬液温度に差を設けることにより、本発明でエッチングマスクとして使用される樹脂パターンは、エッチング工程において良好な薬液耐性を発揮する一方で、剥離工程において良好な剥離性を示すことになり、薬液耐性と剥離性という、相反する特性を両方とも満足することができる。
 剥離液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ成分や、第3級アミン、第4級アンモニウム塩等の有機アルカリ成分を、水、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、またはこれらの混合溶液に溶解させたものが挙げられる。前述の剥離液を使用し、スプレー法、シャワー法、パドル法等により剥離してもよい。
(静電容量型入力装置の電極パターンを形成する方法)
 本発明の感光性転写材料をエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いて静電容量型入力装置の電極パターンを得る場合について説明する。
 前述の静電容量型入力装置は、前面板と、前述の前面板の非接触側に、少なくとも下記(1)~(4)の要素を有し、前述の(2)、(3)のうち少なくとも1つを本発明のパターン形成方法および本発明のエッチング方法で形成されることが好ましい。
(1)マスク層
(2)複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン
(3)前述の第一の透明電極パターンと電気的に絶縁され、前述の第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の電極パターン
(4)前述の第一の透明電極パターンと前述の第二の電極パターンとを電気的に絶縁する絶縁層
 また、前述の静電容量型入力装置は、第二の電極パターンが透明電極パターンであってもよい。以下、第二の電極パターンが透明電極パターンである場合について説明する場合があるが、そのような態様に限定されるものではない。
 さらに、前述の静電容量型入力装置は、さらに下記(5)を有していてもよく、前述の(2)、(3)および(5)のうち少なくとも1つを本発明のパターン形成方法および本発明のエッチング方法で形成されることが好ましい。
(5)前述の第一の透明電極パターンおよび前述の第二の電極パターンの少なくとも一方に電気的に接続され、前述の第一の透明電極パターンおよび前述の第二の電極パターンとは別の導電性要素
 前述の静電容量型入力装置は、さらに前述の(1)~(5)の要素の全てまたは一部を覆うように透明保護層を設置することが好ましい。
 まず、静電容量型入力装置の構成について説明する。図1は、静電容量型入力装置の構成を示す断面図である。図1において静電容量型入力装置10は、前面板1と、マスク層2と、第一の透明電極パターン3と、第二の透明電極パターン4と、絶縁層5と、導電性要素6と、透明保護層7と、から構成されている。
 前面板1は、ガラス基板等の透光性基板で構成されており、コーニング社のゴリラガラスに代表される強化ガラスなどを用いることができる。また、図1において、前面層1の各要素が設けられている側を非接触面と称する。前述の静電容量型入力装置10においては、前面板1の接触面(非接触面の反対の面)に指などを接触などさせて入力が行われる。以下、前面板を、「基材」と称する場合がある。
 また、前面板1の非接触面上にはマスク層2が設けられている。マスク層2は、タッチパネル前面板の非接触側に形成された表示領域周囲の額縁状のパターンであり、引回し配線等が見えないようにするために形成される。
 前述の静電容量型入力装置10には、図2に示すように、前面板1の一部の領域(図2においては入力面以外の領域)を覆うようにマスク層2が設けられている。更に、前面板1には、図2に示すように一部に開口部8を設けることができる。開口部8には、押圧によるメカニカルなスイッチを設置することができる。
 前面板1の接触面には、複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン3と、第一の透明電極パターン3と電気的に絶縁され、第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の透明電極パターン4と、第一の透明電極パターン3と第二の透明電極パターン4を電気的に絶縁する絶縁層5とが形成されている。前述の第一の透明電極パターン3と、第二の透明電極パターン4と、後述する導電性要素6とは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透光性の導電性金属酸化膜で作製することができる。このような金属膜としては、ITO膜;Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等の金属膜;SiO等の金属酸化膜などが挙げられる。この際、各要素の、膜厚は10~200nmとすることができる。また、焼成により、アモルファスのITO膜を多結晶のITO膜とするため、電気的抵抗を低減することもできる。
 また、前述の第一の透明電極パターン3と、第二の透明電極パターン4と、後述する導電性要素6とは、本発明の感光性転写材料をエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いて形成されてなることが好ましい。その他、前述の導電性繊維を用いた感光性樹脂組成物を有する感光性転写材料を用いて製造することもできる。ITO等によって第一の導電性パターン等を形成する場合には、特許第4506785号公報の段落[0014]~[0016]等を参考にすることができる。
 また、第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4の少なくとも一方は、前面板1の非接触面およびマスク層2の前面板1とは逆側の面の両方の領域にまたがって設置することができる。図1においては、第二の透明電極パターンが、前面板1の非接触面およびマスク層2の前面板1とは逆側の面の両方の領域にまたがって設置されている図が示されている。
 図3を用いて第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4について説明する。図3は、本発明における第一の透明電極パターンおよび第二の透明電極パターンの一例を示す説明図である。図3に示すように、第一の透明電極パターン3は、パッド部分3aが接続部分3bを介して第一の方向に延在して形成されている。また、第二の透明電極パターン4は、第一の透明電極パターン3と絶縁層5によって電気的に絶縁されており、第一の方向に交差する方向(図3における第二の方向)に延在して形成された複数のパッド部分によって構成されている。ここで、第一の透明電極パターン3を形成する場合、前述のパッド部分3aと接続部分3bとを一体として作製してもよいし、接続部分3bのみを作製して、パッド部分3aと第二の透明電極パターン4とを一体として作製(パターニング)してもよい。パッド部分3aと第二の透明電極パターン4とを一体として作製(パターニング)する場合、図3に示すように接続部分3bの一部とパッド部分3aの一部とが連結され、且つ、絶縁層5によって第一の透明電極パターン3と第二の透明電極パターン4とが電気的に絶縁されるように各層が形成される。
 図1において、マスク層2の前面板1とは逆側の面側には導電性要素6が設置されている。導電性要素6は、第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4の少なくとも一方に電気的に接続され、且つ、第一の透明電極パターン3および第二の透明電極パターン4とは別の要素である。図1においては、導電性要素6が第二の透明電極パターン4に接続されている図が示されている。
 また、図1においては、各構成要素の全てを覆うように透明保護層7が設置されている。透明保護層7は、各構成要素の一部のみを覆うように構成されていてもよい。絶縁層5と透明保護層7とは、同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。絶縁層5と透明保護層7とを構成する材料としては、表面硬度、耐熱性が高いものが好ましく、公知の感光性シロキサン樹脂材料、アクリル樹脂材料などが用いられる。
 前述の静電容量型入力装置の製造方法においては、前述の第一の透明電極パターン3、第二の透明電極パターン4および導電性要素6のうち少なくとも1つは、本発明の感光性転写材料をエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いてエッチング処理して形成されてなることが好ましい。また、黒色のマスク層2と絶縁層5と、必要に応じて透明保護層7との少なくとも一要素も、仮支持体と熱可塑性樹脂層と光硬化性樹脂層とをこの順で有する感光性フィルムを用いて形成されることも好ましい。
 前述の第一の透明電極パターン3、第二の透明電極パターン4および導電性要素6のうち少なくとも1つは、本発明の感光性転写材料をエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いてエッチング処理して形成されてなることが好ましい。
 エッチング処理によって、前述の第一の透明電極パターン3、第二の透明電極パターン4および別の導電性要素6を形成する場合、まず黒色のマスク層2等が形成された前面板1の非接触面上に、黒色のマスク層2が設けられた部分について少なくとも無機絶縁層を設け、前面板1の非接触面上または無機絶縁層上にITO等の透明電極層をスパッタリングによって形成する。次いで、前述の透明電極層上に前述の光硬化性樹脂層としてエッチング用光硬化性樹脂層を有する本発明の感光性転写材料を用いて露光・現像によってエッチングパターンを形成する。その後、透明電極層をエッチングして透明電極をパターニングし、エッチングパターンを除去することで、第一の透明電極パターン3等を形成することができる。
 導電性光硬化性樹脂層を有する前述の感光性フィルムを用いて、前述の第一の透明電極パターン3、第二の透明電極パターン4および別の導電性要素6を形成する場合、前述の前面板1の表面上に、黒色のマスク層2が設けられた部分について少なくとも無機絶縁層を設け、前面板1の非接触面上または無機絶縁層上に前述の導電性光硬化性樹脂層を転写することで形成することができる。
 前述のマスク層2、絶縁層5および透明保護層7は、感光性フィルムを用いて光硬化性樹脂層を前面板1に転写することで形成することができる。例えば、黒色のマスク層2を形成する場合には、光硬化性樹脂層として黒色光硬化性樹脂層を有する前述の感光性フィルムを用いて、前述の前面板1の表面に前述の黒色光硬化性樹脂層を転写することで形成することができる。絶縁層5を形成する場合には、前述の光硬化性樹脂層として絶縁性の光硬化性樹脂層を有する前述の感光性フィルムを用いて、第一または第二の透明電極パターンが形成された前述の前面板1の表面に前述の光硬化性樹脂層を転写することで形成することができる。透明保護層7を形成する場合には、前述の光硬化性樹脂層として透明の光硬化性樹脂層を有する前述の感光性フィルムを用いて、各要素が形成された前述の前面板1の表面に前述の光硬化性樹脂層を転写することで形成することができる。
 前述の静電容量型入力装置の態様例として、図4~8の態様を挙げることができる。図4は、開口部8が形成された強化処理ガラス11の一例を示す上面図である。図5は、マスク層2が形成された前面板の一例を示す上面図である。図6は、第一の透明電極パターン3が形成された前面板の一例を示す上面図である。図7は、第一の透明電極パターン3と第二の透明電極パターン4が形成された前面板の一例を示す上面図である。図8は、第一および第二の透明電極パターンとは別の導電性要素6が形成された前面板の一例を示す上面図である。これらは、上記説明を具体化した例を示すものであり、本発明の範囲はこれらの図面により限定的に解釈されることはない。
 前述の透明電極パターンや他の導電性要素などを、本発明の感光性転写材料をエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いて形成する場合、感光性転写材料は、基材にラミネートされた後、必要なパターン様に露光され、ポジ型材料の場合は露光部分を現像処理して除去することでパターンを得ることができる。この際、現像は熱可塑性樹脂層と、感光性樹脂組成物層を別々の液で現像除去してもよいし、同一の液で除去してもよい。必要に応じて、ブラシや高圧ジェットなどの公知の現像設備を組み合わせてもよい。現像の後、必要に応じて、ポスト露光、ポストベークを行ってもよい。
 また、後の転写工程におけるラミネートによる感光性樹脂組成物層の密着性を高めるために、予め基材(前面板)の非接触面に表面処理を施すことができる。前述の表面処理としては、シラン化合物を用いた表面処理(シランカップリング処理)を実施することが好ましい。シランカップリング剤としては、感光性樹脂と相互作用する官能基を有するものが好ましい。例えばシランカップリング液(N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシラン0.3質量%水溶液、商品名:KBM603、信越化学(株)製)をシャワーにより20秒間吹き付け、純水シャワー洗浄する。この後、加熱により反応させる。加熱槽を用いてもよく、ラミネータの基板予備加熱でも反応を促進できる。
《静電容量型入力装置、および静電容量型入力装置を構成要素として備えた画像表示装置》
 本発明のパターン形成方法を用いることによって得られる静電容量型入力装置、および前述の静電容量型入力装置を構成要素として備えた画像表示装置は、『最新タッチパネル技術』(2009年7月6日発行(株)テクノタイムズ)、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版(2004,12)、FPD International 2009 Forum T-11講演テキストブック、Cypress Semiconductor Corporation アプリケーションノートAN2292等に開示されている構成を適用することができる。
 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「%」は質量基準である。
 以下の合成例において、以下の符号はそれぞれ以下の化合物を表す。
MATHF:2-テトラヒドロフラニルメタクリレート(合成品)
MAEVE:1-エトキシエチルメタクリレート(和光純薬工業社製)
PHS:パラヒドロキシスチレン
PHS-EVE:パラヒドロキシスチレンの1-エトキシエチル保護体
PHS-THF:パラヒドロキシスチレンの2-テトラヒドロフラニル保護体
MAA:メタクリル酸(和光純薬工業社製)
HEMA:ヒドロキシエチルメタクリレート(和光純薬社製)
BzMA:ベンジルメタクリレート
EDM:ジエチレングリコールエチルメチルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
[合成例1:PHS-EVEの合成]
 アルカリ可溶性樹脂(VP-8000 日本曹達(株)社製)20gおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)320gをフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とPGMEAを共沸留去した。含水が十分低くなったことを確認した後、エチルビニルエーテル24gおよびp-トルエンスルホン酸0.35gを加え、室温にて1時間撹拌した。そこへトリエチルアミンを0.28g加えて反応を止めた。反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のPGMEAを留去し、酸分解性基で保護されたアルカリ可溶性樹脂であるPHS-EVEを得た。得られた樹脂の重量平均分子量は11,000であった。また、多分散度は、1.13であった。
 ポリマーPHS-EVEの構造は、p-ヒドロキシスチレンの1-エトキシエチル保護体/p-ヒドロキシスチレン共重合体(30モル%/70モル%)である。
PHS-EVE
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
[合成例2:PHS-THFの合成]
 アルカリ可溶性樹脂(VP-8000 日本曹達(株)社製)15.6gおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)100gをフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とPGMEAを共沸留去した。含水が十分低くなったことを確認した後、2,3-ジヒドロフラン2.7gおよびp-トルエンスルホン酸0.015gを加え、室温にて2時間撹拌した。そこへトリエチルアミンを0.090g加えて反応を止めた。反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水を留去し、保護率25モル%の可溶性樹脂であるポリマーPHS-THFを得た。得られた樹脂の重量平均分子量は12,000であった。また、多分散度は、1.13であった。
 ポリマーPHS-THFの構造は、p-ヒドロキシスチレンの2-テトラヒドロフラニル保護体/p-ヒドロキシスチレン共重合体(30モル%/70モル%)である。
PHS-THF
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
[合成例3:重合体ノボラック-EVE(1-エトキシエチル保護体)の合成]
 特開2003-98671号公報の実施例1と同様の方法で合成した。得られた樹脂の重量平均分子量は5,000であった。また、多分散度は、7.0であった。
重合体ノボラック-EVE
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
[合成例4:MAEVE共重合体の合成]
 MAEVE共重合体を以下のごとく合成した。
 エチルビニルエーテル144.2部(2モル当量)にフェノチアジン0.5部を添加し、反応系中を10℃以下に冷却しながらメタクリル酸86.1部(1モル当量)を滴下後、室温(25℃)で4時間撹拌した。p-トルエンスルホン酸ピリジニウム5.0部を添加後、室温で2時間撹拌し、一夜室温放置した。反応液に炭酸水素ナトリウム5部および硫酸ナトリウム5部を添加し、室温で1時間撹拌し、不溶物を濾過後40℃以下で減圧濃縮し、残渣の黄色油状物を減圧蒸留して沸点(bp.)43~45℃/7mmHg留分のメタクリル酸1-エトキシエチル(MAEVE)134.0部を無色油状物として得た。
 得られたメタクリル酸1-エトキシエチル(63.28部(0.4モル当量))、BzMA(52.83部(0.3モル当量))、MAA(8.61部(0.1モル当量))、HEMA(26.03部(0.2モル当量))およびEDM(110.8部)の混合溶液を窒素気流下、70℃に加熱した。この混合溶液を撹拌しながら、ラジカル重合開始剤V-65(商品名、和光純薬工業(株)製、4部)およびEDM(100.0部)の混合溶液を2.5時間かけて滴下した。滴下が終了してから、70℃で4時間反応させることにより、MAEVEをモノマーの1つとして用いて合成したMAEVE共重合体のEDM溶液(固形分濃度:40%)を得た。
 得られたMAEVE共重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した重量平均分子量は、15,000であった。
MAEVE共重合体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
[合成例5:MATHF共重合体の合成]
 メタクリル酸(86g、1mol)を15℃に冷却しておき、カンファースルホン酸(4.6g,0.02mol)添加した。その溶液に、2-ジヒドロフラン(71g、1mol、1.0当量)を滴下した。1時間撹拌した後に、飽和炭酸水素ナトリウム(500mL)を加え、酢酸エチル(500mL)で抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、不溶物を濾過後40℃以下で減圧濃縮し、残渣の黄色油状物を減圧蒸留して沸点(bp.)54~56℃/3.5mmHg留分のメタクリル酸テトラヒドロ-2H-フラン-2-イル(MATHF)125gを無色油状物として得た(収率80%)。
 得られたメタクリル酸テトラヒドロ-2H-フラン-2-イルを、メタクリル酸1-エトキシエチルの代わりに用いた以外は合成例4のMAEVE共重合体の合成と同様にして、MATHF共重合体を合成した。
 得られたMATHF共重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した重量平均分子量は、14,000であった。
MATHF共重合体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
[実施例1~16および比較例1および2]
<1.感光性樹脂組成物の調製>
(感光性樹脂組成物の調製)
 下記表1に示す組成となるように、各成分を溶解混合し(すべての感光性樹脂組成物に添加した界面活性剤1(F-554)は、下記表1では掲載を省略した)、口径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで濾過して、感光性樹脂組成物塗布液を得た。尚、配合比は、下記表2に記載の固形分組成で、10質量%PGMEA溶液とした。
 実施例および比較例に用いた各化合物を示す略号の詳細は、以下の通りである。
(上記合成例に記載した以外のバインダー)
PHS:下記構造のパラヒドロキシスチレン
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
ノボラック:下記構造のノボラック樹脂(明和化成(株)社製、(A)酸基が酸分解性基で保護されている基を有する構成単位を含まない重合体)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
(モノマ-)
モノマーA:特許第4654938号公報の段落番号[0126]~[0130]に記載の方法に従って合成した下記構造の化合物(重合後に架橋構造を形成する)。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
(光酸発生剤)
PAG-1:特表2002-528451号公報の段落番号[0108]に記載の方法に従って合成した下記構造の化合物(Ts部分はp-トルエンスルホニル基を表す)。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
NAI-105:下記構造のトリフルオロメタンスルホン酸-1,8-ナフタルイミド
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
(感光剤)
NQD(ナフトキノンジアジド):下記構造の化合物(製造元:ダイトーケミックス社製、品番:DTEP-250)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
(熱重合開始剤)
開始剤1:下記構造の2,2-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
(増感剤)
増感剤1:下記構造のジブトキシアントラセン(製造元:川崎化成社製、品番:9,10-ジブトキシアントラセン)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
(塩基性化合物)
塩基性化合物1:下記構造の化合物(製造元:東洋化成工業製、品番:CMTU)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
(ヘテロ環状化合物)
ヘテロ環状化合物1:デナコールEX-321L(ナガセケムテックス(株)製)
ヘテロ環状化合物2:下記構造の3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(商品名、KBM-403 信越化学工業(株)製)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
(界面活性剤)
界面活性剤1:F-554、下記構造式で示されるパーフルオロアルキル基含有ノニオン界面活性剤(DIC製)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
<2.感光性転写材料の作製>
 厚さ75μmのポリエチレンテレフタレートフィルム支持体(仮支持体)の上に、スリット状ノズルを用いて、下記表1および表2に記載の組成の各実施例および比較例の感光性樹脂組成物を乾燥膜厚が2.0μmとなるように塗布、100℃のコンベクションオーブンで2分間乾燥させた。最後に保護フィルムとしてポリエチレンフィルム(トレデガー社製、OSM-N)を圧着した。こうして仮支持体と感光性樹脂組成物層と保護フィルムとが一体となった実施例1~16、比較例1および2の感光性転写材料を作製した。
[評価]
 各実施例および比較例の感光性転写材料を以下の各評価の方法に記載された方法で評価を行った。得られた結果を下記表1に記載した。
<使用基板>
 各評価での使用基板である銅(Cu)の薄膜付きPETとして、厚さ188μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)上に厚さ500nmでスパッタ法にて作製したCu付PETを使用した。使用前に1Nの塩酸で室温30sec洗浄し、表面の酸化物を除去した。
<タッキネスの評価>
 作製した感光性転写材料の表面を指で押し、粘着性を感じるものを1点、粘着しないものを5点とした。
<感度の評価>
 Cu付PET基板にラミネートロール温度130℃でラミネートし、感光性転写材料つきのガラス基板を作製した。作製した感光性転写材料つきのガラス基板をPET仮支持体を剥離しないでマスクを介して露光/PET仮支持体剥離/現像し、10μmのラインアンドスペースパターンがちょうど10μmとなる露光量を最適露光量として感度を評価した。
1点:100mJ/cm以上の露光量を必要
2点:50mJ/cm以上100mJ/cm未満の露光量が必要
3点:20mJ/cm以上50mJ/cm未満の露光量が必要
4点:10mJ/cm以上20mJ/cm未満の露光量が必要
5点:10mJ/cm未満の露光量が必要
<解像度の評価>
 Cu付PET基板にラミネートロール温度130℃でラミネートし、感光性転写材料つきのガラス基板を作製した。作製した感光性転写材料つきのガラス基板をPET仮支持体を剥離しないでマスクを介して露光/PET仮支持体剥離/現像し、ラインアンドスペースパターンのうち解像しうる最も小さなパターンを解像度とした。
1点:解像度が5μm以上
2点:3.0μmが解像するが2.5μmは解像しない
3点:2.5μmが解像するが2.0μmは解像しない
4点:2.0μmが解像するが1.5μmは解像しない
5点:1.5μmが解像する。
<耐熱矩形性の評価>
 Cu付PET基板にラミネートロール温度130℃でラミネートし、感光性転写材料つきのガラス基板を作製した。作製した感光性転写材料つきのガラス基板をPET仮支持体を剥離しないでマスクを介して露光/PET仮支持体剥離/現像し、その後140℃で3分ポストベークし、ポストベーク後の3μmのラインアンドスペースパターン部分の形状の矩形性を評価した。
1点:断面形状がドーム状で角がなく、テーパー角が45°未満
2点:断面形状がドーム状で角がなく、テーパー角が45°以上60°未満
3点:断面形状がドーム状で角がなく、テーパー角が60°以上75°未満
4点:断面形状に角があり、テーパー角が60°以上75°未満
5点:断面形状に角があり、テーパー角が75°以上
<線幅安定性の評価>
 Cu付PET基板にラミネートロール温度130℃でラミネートし、感光性転写材料つきのガラス基板を作製した。作製した感光性転写材料つきのガラス基板をPET仮支持体を剥離しないでマスクを介して10μmのラインアンドスペースパターンがちょうど10μmとなる露光量にて露光/PET仮支持体剥離/現像し、かかるラインアンドスペースパターン付き基板を10枚準備し、基板1枚ごとに10点、光学式計測器ZYGO New View7200(ZYGO corp.製)にて、10μmのライン幅を測定し、計100点の実測線幅の標準偏差(σ)を計算した。評価基準は下記の通りである。
1:標準偏差σが0.4μm以上
2:標準偏差σが0.25μm以上、0.4μm未満
3:標準偏差σが0.15μm以上、0.25μm未満
4:標準偏差σが0.1μm以上、0.15μm未満
5:標準偏差σが0.1μm未満
<耐エッチャント性評価>
 Cu付PET基板にラミネートロール温度130℃でラミネートし、感光性転写材料つきのガラス基板を作製した。作製した感光性転写材料つきのガラス基板をPET仮支持体を剥離しないで線幅10μmの透過部を有するマスクを介して露光/PET仮支持体剥離/現像し、その後140℃で3分ポストベークし、銅エッチング液(ADEKA製アデカテックDP(A液/B液/純水=1/2/10(質量比)の混合液))に5分間35℃で浸漬し、レジスト線の剥がれを評価した。剥がれないものを5点、一部剥離したものを3点、全て剥離したものを1点とした。
<レジスト剥離性評価>
 Cu付PET基板にラミネートロール温度130℃でラミネートし、感光性転写材料つきのガラス基板を作製した。作製した感光性転写材料つきのガラス基板をPET仮支持体を剥離しないで線幅10umの透過部を有するマスクを介して露光/PET仮支持体剥離/現像し、その後140℃で3分ポストベークし、MS2001、富士フイルムエレクトロ二クスマテリアルズ社製)に70℃で浸漬し、剥離時間を評価した。5分以下で剥離された場合は5点、7分以下は4点、9分以下は3点、11分以下は2点、11分を超えるものは1点とした。
<加工時の発塵性評価>
 感光性転写材料をナイフで20cmの長さで切り込みを入れ、その切り込み部分を顕微鏡で観察し、切り口短面に50μm以上のサイズの異物が付着している数を数えた。異物のサイズは、異物の最大長さとした。
1:異物数が100個以上のもの
2:異物数が50~99個のもの
3:20~49個のもの
4:5~19個のもの
5:4個以下のもの
として評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000054
 上記表1および表2より、本発明の感光性転写材料は、ポジ型であって、耐熱矩形性に優れ、耐エッチャント性に優れ、レジスト剥離性に優れ、加工時の発塵が少ないことがわかった。
 一方、(A)酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体を感光性樹脂組成物に含まず、エチレン性不飽和二重結合を2つ有するモノマー成分を用いて、架橋構造を形成できる感光性樹脂組成物層を形成した比較例1の感光性転写材料は、耐熱矩形性が悪く、耐エッチャント性が悪く、レジスト剥離性が悪く、発塵性も悪いことがわかった。
 酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位(a1)を有する重合体の代わりに、酸分解性基で保護されていない酸基を有する構造単位を含むノボラック系の重合体を用いた比較例2の感光性転写材料は耐熱矩形性が悪く、発塵性も悪いことがわかった。
 なお、本発明の感光性転写材料は、タッキネス、感度、解像力および線幅安定性も良好であることが分かった。
[実施例101~115]
<ITO基板への貼り合せ、エッチングによるパターン形成>
 実施例1~15の感光性転写材料を、ITO基板上に株式会社日立インダストリイズ製LamicI型を用いて140℃で加熱した基板に、ゴムローラー温度130℃、線圧100N/cm、搬送速度2.2m/minでラミネートした。その後、マスク上から高圧水銀灯を用いてi線(365nm)を100mJ/cm(照度20mW/cm)照射した。その後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成した。その後、エッチング工程前に140℃で3分間のポストベーク加熱処理を行った。
 このレジストパターンをエッチング用レジスト(いわゆるマスク)として用いて、ITO基板を、ITOエッチャント(3%シュウ酸水溶液)に40℃/1min浸漬させることで、ウェットエッチングによりITOのパターン加工を行った。その後、レジスト剥離液(MS2001、富士フイルムエレクトロ二クスマテリアルズ社製)に70℃/7min浸漬させて、上記レジストパターンを剥離した。
 実施例1~15の感光性転写材料をエッチング用レジストとして用いて得られたITOパターンは、欠陥がなく、静電容量型入力装置用の透明電極パターンとして用いることができる程度であることがわかった。すなわち、本発明の感光性転写材料は除去可能なエッチングレジストとして用いたときにも、良好な特性を示すことがわかった。
[実施例116]
 実施例101において実施例16のように露光前にPETを剥離しないで露光し、その後PETを剥離した以外は実施例101と同様に行った。得られたITOパターンは、欠陥がなく、静電容量型入力装置用の透明電極パターンとして用いることができる程度であることがわかった。すなわち、本発明の感光性転写材料は除去可能なエッチングレジストとして用いたときにも、良好な特性を示すことがわかった。
[実施例201~216]
 実施例101~116においてスパッタ法により形成したCu膜(1000nm厚)を有するPETを用い、エッチングでは過酸化水素/硫酸系エッチング液を用いた以外は同様に実施した。得られたCuパターンは、欠陥がなく、静電容量型入力装置用の電極パターンとして用いることができる程度であることがわかった。すなわち、本発明の感光性転写材料は除去可能なエッチングレジストとして用いたときにも、良好な特性を示すことがわかった。
 1 :前面板
 2 :マスク層
 3 :第一の透明電極パターン
3a :パッド部分
3b :接続部分
 4 :第二の透明電極パターン
 5 :絶縁層
 6 :導電性要素
 7 :透明保護層
 8 :開口部
10 :静電容量型入力装置
11 :強化処理ガラス
C  第1の方向
D  第2の方向

Claims (15)

  1.  支持体と、感光性樹脂組成物層とを有し、
     前記感光性樹脂組成物層がA酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位a1を有する重合体を含む重合体成分およびB光酸発生剤を含み、
     前記感光性樹脂組成物がエチレン性架橋構造を有さない感光性転写材料。
  2.  前記酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位a1が、カルボキシ基またはフェノール性水酸基がアセタールの形で保護された基を有する構成単位である請求項1に記載の感光性転写材料。
  3.  前記感光性樹脂組成物層が、Cヘテロ環状化合物を含有する請求項1または2に記載の感光性転写材料。
  4.  前記Cヘテロ環状化合物の含有量が、前記感光性樹脂組成物層の全固形分量に対して0.1質量%~10質量%である請求項3に記載の感光性転写材料。
  5.  前記Cヘテロ環状化合物がエポキシ基を有する請求項3または4に記載の感光性転写材料。
  6.  前記A酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位a1を有する重合体が、下記一般式A1または一般式A1’で表される構成単位を有する重合体である請求項1~5のいずれか一項に記載の感光性転写材料;
    一般式A1
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    一般式A1中、RおよびRはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともRおよびRのいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、Rはアルキル基またはアリール基を表し、RまたはRと、Rとが連結して環状エーテルを形成してもよく、Rは水素原子またはメチル基を表す;
    一般式A1’
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    一般式A1’中、R11およびR12はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともR11およびR12のいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、R13はアルキル基またはアリール基を表し、R11またはR12と、R13とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R14はそれぞれ独立に、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基またはシクロアルキル基を表す。
  7.  前記感光性樹脂組成物層が、前記重合体成分として前記A酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位a1を有する重合体を2種以上含有し、かつ、前記A酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位a1を有する重合体として、下記一般式A2’で表される構成単位を有する重合体を含有する請求項1~6のいずれか一項に記載の感光性転写材料;
    一般式A2’
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    一般式A2’中、R31およびR32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、少なくともR31およびR32のいずれか一方がアルキル基またはアリール基であり、R33はアルキル基またはアリール基を表し、R31またはR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R34は水素原子またはメチル基を表し、Xは単結合またはアリーレン基を表す。
  8.  前記感光性樹脂組成物層の膜厚が0.5~10μmである請求項1~7のいずれか一項に記載の感光性転写材料。
  9.  前記感光性樹脂組成物層に、さらに増感剤を含む請求項1~8のいずれか一項に記載の感光性転写材料。
  10.  前記感光性樹脂組成物層に、さらに塩基性化合物を含む請求項1~9のいずれか一項に記載の感光性転写材料。
  11.  前記感光性樹脂組成物層の保護フィルムをさらに含む請求項1~10のいずれか一項に記載の感光性転写材料。
  12.  除去可能なエッチング用レジストを形成するための感光性転写材料である請求項1~11のいずれか一項に記載の感光性転写材料。
  13.  基板の少なくとも一方の面に、請求項1~12のいずれか一項に記載の感光性転写材料を用いて感光性樹脂組成物層を形成する感光性樹脂組成物層形成工程と、前記感光性樹脂組成物層を露光する露光工程と、露光された前記感光性樹脂組成物層を現像する現像工程と、を有するパターン形成方法。
  14.  さらに、前記現像して得られた感光性樹脂組成物層からなるパターン画像を加熱処理するポストベーク工程を有する請求項13に記載のパターン形成方法。
  15.  請求項13または14に記載のパターン形成方法により作製したパターンをエッチング用レジストとして用いてエッチングを行う工程と、前記エッチング処理後に前記パターンを薬品処理により除去する工程と、を含むエッチング方法。
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