JP6573545B2 - ポジ型感光性転写材料及び回路配線の製造方法 - Google Patents
ポジ型感光性転写材料及び回路配線の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6573545B2 JP6573545B2 JP2015249122A JP2015249122A JP6573545B2 JP 6573545 B2 JP6573545 B2 JP 6573545B2 JP 2015249122 A JP2015249122 A JP 2015249122A JP 2015249122 A JP2015249122 A JP 2015249122A JP 6573545 B2 JP6573545 B2 JP 6573545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- positive photosensitive
- pattern
- resin layer
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
一般的にパターン化した層の形成には、必要とするパターン形状を得るための工程数が少ないといったことから、感光性転写材料を用いて任意の基板上に設けた感光性樹脂組成物の層に対して、所望のパターンを有するマスクを介して露光し、部分的に硬化した後に現像する方法が広く使用されている。
下記式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体、式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含み、仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、
を有するポジ型感光性転写材料。
<3> ポジ型感光性樹脂層の全固形分に対し、式Aで表される構成単位を有する重合体と可塑剤との合計比率が70質量%以上99質量%以下である<1>又は<2>に記載のポジ型感光性転写材料。
<4> ポジ型感光性樹脂層において、式Aで表される構成単位を有する重合体と可塑剤との合計量に対し、式Aで表される構成単位を有する重合体の比率が60質量%以上90質量%以下である<1>〜<3>のいずれか1つに記載のポジ型感光性転写材料。
<5> 仮支持体が、光透過性を有する<1>〜<4>のいずれか1つに記載のポジ型感光性転写材料。
(b)貼り合わせ工程後のポジ型感光性転写材料の仮支持体を介してポジ型感光性樹脂層をパターン露光する第1露光工程、
(c)第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層から仮支持体を剥離した後、第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層を現像して第1パターンを形成する第1現像工程、
(d)第1パターンが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第1導電層及び第2導電層をエッチング処理する第1エッチング工程、
(e)第1エッチング工程後の第1パターンを第1パターンとは異なるパターンでパターン露光する第2露光工程、
(f)第2露光工程後の第1パターンを現像して第2パターンを形成する第2現像工程、及び、
(g)第2パターンが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第1導電層をエッチング処理する第2エッチング工程、
をこの順に含む、回路配線の製造方法。
<7> 第1エッチング工程の後、第2露光工程の前に、第1パターン上に、光透過性を有する保護フィルムを貼り付ける工程をさらに有し、
第2露光工程において、保護フィルムを介して第1パターンをパターン露光し、
第2露光工程後、第1パターンから保護フィルムを剥離した後、第2エッチング工程を行う<6>に記載の回路配線の製造方法。
また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、「(メタ)アクリル」はアクリル及びメタクリルの双方、又は、いずれかを表し、「(メタ)アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの双方、又は、いずれかを表す。
本発明のポジ型感光性転写材料は、仮支持体と、下記式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体、式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含み、仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、を有する。
示すポジ型感光性転写材料100は、仮支持体12と、ポジ型感光性樹脂層14と、カバーフィルム16とがこの順に積層されている。ポジ型感光性樹脂層14は、式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体と、式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含んでいる。
以下、本発明のポジ型感光性転写材料の構成材料等について説明する。なお、本発明における上記構成について本明細書では以下のように称する場合がある。
式Aで表される構成単位を「構成単位(a)」と称する場合がある。
式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体を「特定重合体」と称する場合がある。
式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤を、単に「可塑剤」と称する場合がある。
ポジ型感光性樹脂層を「感光性樹脂層」と称する場合がある。
仮支持体12は、ポジ型感光性樹脂層を支持し、ポジ型感光性樹脂層から剥離可能な支持体である。本発明で用いる仮支持体12は、ポジ型感光性樹脂層をパターン露光する際に仮支持体を介してポジ型感光性樹脂層を露光できるように光透過性を有することが好ましい。
光透過性を有するとは、パターン露光の主波長の透過率が50%以上であることを意味し、この透過率は、感度向上の観点から、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。
仮支持体としては、ガラス基板、樹脂フィルム、紙等が挙げられ、強度及び可撓性等の観点から、樹脂フィルムが特に好ましい。
本発明のポジ型感光性転写材料100は、仮支持体12上に配置されたポジ型感光性樹脂層14を有する。本発明におけるポジ型感光性樹脂層14は、式Aで表される構成単位(a)を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体(特定重合体)、特定重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含む。
(特定重合体)
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、重合体成分として、式Aで表される構成単位(a)を有し、かつ重量平均分子量(Mw)が100000以下である特定重合体を含む。特定重合体は、酸分解性基で保護された保護カルボキシ基を有する重合体の一種であるが、酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位の中でも、式Aで表される構成単位(a)が、感度を高める観点から好ましい。
式A中、R33は、アルキル基又はアリール基を表し、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、1〜6のアルキル基がより好ましい。
式A中、R31又はR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R31又はR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。環状エーテルの環員数は特に制限はないが、5又は6であることが好ましく、5であることがより好ましい。
式A中、R34は水素原子又はメチル基を表し、水素原子であることが好ましい。
式A中、X0は単結合又はアリーレン基を表し、単結合が好ましい。
式(A1)中、R121は水素原子又はメチル基が好ましい。
式(A1)中、R122〜R128は、水素原子が好ましい。
また、全ての重合体成分を構成単位(モノマーユニット)に分解したうえで、全ての構成単位のmol数に対する、酸基が酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位(a)の割合は、0〜80モル%であることが好ましく、10〜70モル%であることがより好ましく、15〜50モル%であることが特に好ましい。
式Aで示される構成単位(a)を含有する重合体を構成する構成単位中、その他の構成単位(b)の含有率は、60モル%以下が好ましく、50モル%以下がより好ましく、40モル%以下がさらに好ましい。下限値としては、0モル%でもよいが、例えば、1モル%以上、さらには、5モル%以上としてもよい。上記の数値範囲内であると、ポジ型感光性転写材料の現像性及び解像度が良好であり、特に炭酸ナトリウムなどの弱アルカリ性現像液に対しても良好な現像性及び解像度を得る事が出来る。
その他の構成単位(b)に用いられる酸基を含む構成単位の酸基としては、カルボン酸基由来の酸基、スルホンアミド基に由来の酸基、ホスホン酸基に由来の酸基、スルホン酸基に由来の酸基、フェノール性水酸基に由来する酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基等が例示され、カルボン酸基由来の酸基及び/又はフェノール性水酸基に由来の酸基が好ましい。
その他の構成単位(b)に用いられる酸基を含む構成単位は、スチレンに由来する構成単位又はビニル化合物に由来する構成単位に対して酸基が置換した構成単位であること、及び、(メタ)アクリル酸に由来する構成単位であることがより好ましい。
酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を有する重合体における酸基を含む構成単位の共重合割合は、酸基がフェノール性酸基である場合はこの酸分解性基で保護されたカルボキシル基を有する構成単位を有する重合体に対して0〜40モル%が好ましく、0〜20モル%がより好ましい。
また、酸基がカルボン酸性酸基である場合はこの酸分解性基で保護されたカルボキシル基を有する構成単位を有する重合体に対して0〜30モル%が好ましく、0〜20モル%がより好ましい。
酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を有する重合体における酸基のエステルを含む構成単位の共重合割合は、この酸分解性基で保護された保護カルボキシル基を有する構成単位を有する重合体に対して10〜80モル%が好ましく、15〜70モル%がより好ましく、20〜60モル%が特に好ましい。
ポジ型感光性樹脂層は、重合体成分として酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を有する重合体を2種以上含有し、かつ、少なくとも1種の重合体として、式Aで表される構成単位(a)を有する重合体を含んでいてもよい。
かかる観点から、ポジ型感光性樹脂層に含まれる特定重合体の重量平均分子量は、好ましくは2000〜100000、より好ましくは3000〜50000の範囲である。
なお、ポジ型感光性樹脂層に含まれる各成分の重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によって測定することができ、測定装置としては、様々な市販の装置を用いることができ、装置の内容、および測定技術は同当業者に公知である。
また、特定重合体の数平均分子量と重量平均分子量の比(分散度)は1.0〜5.0が好ましく1.05〜3.5がより好ましい。
特定重合体の製造方法(合成法)は特に限定されないが、一例を挙げると、式Aで示される構成単位(a)を形成するための重合性単量体、さらに必要に応じて、その他の構成単位(b)を形成するための重合性単量体を含む有機溶剤中、重合開始剤を用いて重合することにより合成することができる。また、いわゆる高分子反応で合成することもできる。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、重合体成分とし、式Aで示される構成単位(a)を含有する重合体(特定重合体)のほかに、実質的に式Aで示される構成単位(a)を含まずに他の構成単位を有する重合体(「他の重合体」と称する場合がある。)を有していてもよい。本発明におけるポジ型感光性樹脂層が他の重合体を含む場合、他の重合体の配合量は、全重合体成分中、50質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、20質量%以下であることがさらに好ましい。
678、Joncryl 67、Joncryl 586(以上、BASF社製)等を用いることもできる。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は可塑剤を含有する。本発明における可塑剤は、ポジ型感光性樹脂層の可塑性を改良するために添加される。ポジ型感光性樹脂層が、特定重合体のほかに可塑剤を含むことで、溶融粘度がより低下し、ポジ型感光性転写材料と回路配線形成用基板を低温かつ高速で貼り合わせても高い密着性を得ることができる。
可塑剤の重合平均分子量は、可塑性付与の観点から500以上10000未満が好ましく、700以上5000未満がより好ましく、800以上4000未満がより更に好ましい。
可塑剤は、特定重合体と相溶して可塑性を発現する化合物であれば特に限定されないが、可塑性付与の観点から、可塑剤は、分子中にアルキレンオキシ基を有することが好ましい。可塑剤に含まれるアルキレンオキシ基は下記構造を有することが好ましい。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、光酸発生剤を含有する。本発明で使用される光酸発生剤としては、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等の放射線を照射することにより酸を発生することができる化合物である。
本発明で使用される光酸発生剤としては、波長300nm以上、好ましくは波長300〜450nmの活性光線に感応し、酸を発生する化合物が好ましいが、その化学構造に制限されない。また、波長300nm以上の活性光線に直接感応しない光酸発生剤についても、増感剤と併用することによって波長300nm以上の活性光線に感応し、酸を発生する化合物であれば、増感剤と組み合わせて好ましく用いることができる。放射線の照射により発生される酸のpKaの値は好ましくは、4.0以下であり、さらに好ましくは3.0以下である。下限値は特に定めないが、例えば、−10.0以上とすることができる。
R21のアルキル基としては、炭素数1〜10の、直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましい。R21のアルキル基は、炭素数6〜11のアリール基、炭素数1〜10のアルコキシ基、又は、シクロアルキル基(7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基などの有橋式脂環基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)で置換されてもよい。
R21のアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がより好ましい。R21のアリール基は、低級アルキル基、アルコキシ基あるいはハロゲン原子で置換されてもよい。
X10としてのハロゲン原子は、塩素原子又はフッ素原子が好ましい。m4は、0又は1が好ましい。式(B2)中、m4が1であり、X10がメチル基であり、X10の置換位置がオルト位であり、R42が炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニルメチル基、又はp−トルイル基である化合物が特に好ましい。
X1としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。
n4としては、0〜2が好ましく、0〜1が特に好ましい。
X401は−O−、−S−、−NH−、−NR415−、−CH2−、−CR416H−、又は、−CR415R417−を表し、R415〜R417はアルキル基、又は、アリール基を表す。
R421〜R424は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド基、スルホ基、シアノ基、又は、アリール基を表す。R421〜
R424のうち2つは、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
R421〜R424としては、水素原子、ハロゲン原子、及び、アルキル基が好ましく、また、R421〜R424のうち少なくとも2つが互いに結合してアリール基を形成する態様もまた、好ましく挙げられる。中でも、R421〜R424がいずれも水素原子である態様が感度の観点から好ましい。
既述の官能基は、いずれも、さらに置換基を有していてもよい。
これらの中でも、式(OS−1)及び式(OS−2)におけるR401がシアノ基、又は、アリール基である態様がより好ましく、式(OS−2)で表され、R401がシアノ基、フェニル基又はナフチル基である態様が最も好ましい。
式(OS−3)〜(OS−5)中、R22、R25及びR28におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1〜30のアルキル基であることが好ましい。
式(OS−3)〜(OS−5)中、化合物中に2以上存在するR23、R26及びR29のうち、1つ又は2つがアルキル基、アリール基又はハロゲン原子であることが好ましく、1つがアルキル基、アリール基又はハロゲン原子であることがより好ましく、1つがアルキル基であり、かつ残りが水素原子であることが特に好ましい。
式(OS−3)〜(OS−5)において、X1〜X3を環員として含む環は、5員環又は6員環である。
式(OS−3)〜(OS−5)中、n1〜n3はそれぞれ独立に1又は2を表し、X1〜X3がOである場合、n1〜n3はそれぞれ独立に1であることが好ましく、また、X1〜X3がSである場合、n1〜n3はそれぞれ独立に2であることが好ましい。
R24、R27及びR30におけるアルキル基、アルキルオキシ基、スルホン酸基、アミノスルホニル基及びアルコキシスルホニル基は、置換基を有していてもよい。
式(OS−3)〜(OS−5)中、R24、R27及びR30におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1〜30のアルキル基であることが好ましい。
また、式(OS−3)〜(OS−5)のそれぞれの置換基について、特開2011−221494号公報の段落番号0092〜0109に記載の(OS−3)〜(OS−5)の置換基の好ましい範囲も同様に好ましい。
アルキル基又は芳香族基を表し、アルキル基の場合、互いに連結し環を形成してもよい;X−は共役塩基を表す。
R505、R506及びR507における芳香族基としては、炭素数6〜30の芳香族基が好ましく、置換基を有していてもよい。そのような芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、4−メトキシフェニル基、4−クロロフェニル基、4−メチルフェニル基、4−ターシャリーブチルフェニル基、4−フェニルチオフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、4−メトキシ−1−ナフチル基、又は4−(4’−ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基が挙げられる。
また、式(1)で表されるイオン性光酸発生剤は、R505〜R507のいずれかで結合し、2量体等の多量体を形成してもよい。例えば、4−(4’−ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基は2量体の一例であり、4−(4’−ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基における対アニオンは、X−と同様である。
アリールスルホン酸の共役塩基としては、酸の形で表記すると例えば、ベンゼンスルホン酸、クロロベンゼンスルホン酸、及びパラトルエンスルホン酸が挙げられる。
式(3)及び式(4)中、R521とR522とが互いに結合して環を形成する場合の炭素原子数2〜6のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。また、炭素原子数2〜6のフッ素原子を有するアルキレン基としては、テトラフルオロエチレン基、ヘキサフルオロプロピレン基、オクタフルオロブチレン基、デカフルオロペンチレン基、ウンデカフルオロヘキシレン基等を挙げることができる。これらのうち、R521とR522とが互いに結合して環を形成する場合は、炭素原子数2〜6のフッ素原子を有するアルキレン基で結合することが好ましく、特に炭素原子数2〜4のフッ素原子を有するアルキレン基で結合することが好ましい。
好ましい態様も同様である。
市販されている化合物としては、TPS−102,103,105,106,109,300,1000、MDS−103,105,109,205、209、BDS−109、DTS−103,105、MNPS−109、HDS−109,(以上、みどり化学社製)、GSID−26−1、Cyracure UVI−6976(以上、BASF社製)が挙げられる。
式(2)中、X1−における共役塩基は、式(1)のX−が表す共役塩基と同義であり、好ましい態様も同様である。
また、式(2)で表される光酸発生剤は、R508〜R509で結合し、2量体等の多量体を形成してもよい。例えば、4−(4’−ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基は2量体の一例であり、4−(4’−ジフェニルスルホニオフェニルチオ)フェニル基における対アニオンは、X−と同様である。
市販されている化合物としては、DPI−105,106,109,201、BI−105,MPI−105,106,109、BBI−102,103,105,106,109,110,201,300、301(以上、みどり化学社製)が挙げられる。
また、非イオン性光酸発生剤の添加量は、1質量%以下であることが好ましく、実質的に非イオン性光酸発生剤を含まない態様が好ましい。
ポジ型感光性樹脂層を形成するためのポジ型感光性樹脂組成物(以下、「感光性樹脂組成物」と称する場合がある。)は、ポジ型感光性樹脂層を形成するための成分を溶剤に溶解した溶液として調製されることが好ましい。
ポジ型感光性樹脂層を形成するためのポジ型感光性樹脂組成物に使用される溶剤としては、公知の溶剤を用いることができ、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エステル類、ケトン類、アミド類、ラクトン類等が例示できる。また、ポジ型感光性樹脂層を形成するためのポジ型感光性樹脂組成物に使用される溶剤の具体例としては特開2011−221494号公報の段落番号0174〜0178に記載の溶剤も挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
沸点130℃以上160℃未満の溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点146℃)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点158℃)、プロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル(沸点155℃)、プロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル(沸点131℃)が例示できる。
沸点160℃以上の溶剤としては、3−エトキシプロピオン酸エチル(沸点170℃)、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル(沸点176℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート(沸点160℃)、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(沸点213℃)、3−メトキシブチルエーテルアセテート(沸点171℃)、ジエチレングリコールジエチエルエーテル(沸点189℃)、ジエチレングリコールジメチルエーテル(沸点162℃)、プロピレングリコールジアセテート(沸点190℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点220℃)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル(沸点175℃)、1,3−ブチレングリコールジアセテート(沸点232℃)が例示できる。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、さらに増感剤を含むことが好ましい。ポジ型感光性樹脂層は、光酸発生剤との組み合わせにおいて、その分解を促進させるために、増感剤を含有することが好ましく、特に非イオン性光酸発生剤を用いるときは増感剤を含有することが好ましい。増感剤は、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより光酸発生剤は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。
増感剤を含有させることで、露光感度が一段と向上し、また、可視光の吸収効率が低い非イオン性光酸発生剤を用いる場合、露光光源がg、h線混合線の場合に特に有効である。
アントラセン誘導体としては、アントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ジクロロアントラセン、2−エチル−9,10−ジメトキシアントラセン、9−ヒドロキシメチルアントラセン、9−ブロモアントラセン、9−クロロアントラセン、9,10−ジブロモアントラセン、2−エチルアントラセン、9,10−ジメトキシアントラセンが好ましい。
アクリドン誘導体としては、アクリドン、N−ブチル−2−クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、2−メトキシアクリドン、N−エチル−2−メトキシアクリドンが好ましい。
チオキサントン誘導体としては、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、2−クロロチオキサントンが好ましい。
クマリン誘導体としては、クマリン−1、クマリン−6H、クマリン−110、クマリン−102が好ましい。
ベーススチリル誘導体としては、2−(4−ジメチルアミノスチリル)ベンゾオキサゾール、2−(4−ジメチルアミノスチリル)ベンゾチアゾール、2−(4−ジメチルアミノスチリル)ナフトチアゾールが挙げられる。
ジスチリルベンゼン誘導体としては、ジスチリルベンゼン、ジ(4−メトキシスチリル)ベンゼン、ジ(3,4,5−トリメトキシスチリル)ベンゼンが挙げられる。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、さらに塩基性化合物を含むことが好ましい。塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられる塩基性化合物の中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの具体例としては、特開2011−221494号公報の段落番号0204〜0207に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.3.0]−7−ウンデセンなどが挙げられる。
第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、ヘテロ環状化合物を含有する化合物を含むことが好ましい。ヘテロ環状化合物を添加することにより、ポジ型感光性樹脂層により得られる硬化膜をより強固な膜とすることができる。
ヘテロ環状化合物としては、重合体成分を除けば特に制限はない。例えば、以下に述べる分子内にエポキシ基又はオキセタニル基を有する化合物、アルコキシメチル基含有ヘテロ環状化合物、そのほか、各種環状エーテル、環状エステル(ラクトン)などの含酸素モノマー、環状アミン、オキサゾリンといった含窒素モノマー、さらには珪素、硫黄、リンなどのd電子をもつヘテロ環モノマー等を添加することができる。
57S70(三菱化学社製)、JER157S65((株)三菱ケミカルホールディングス製)など、特開2011−221494号公報の段落番号0189に記載の市販品などが挙げられる。
その他にも、ADEKA RESIN EP−4000S、同EP−4003S、同EP−4010S、同EP−4011S(以上、(株)ADEKA製)、NC−2000、NC−3000、NC−7300、XD−1000、EPPN−501、EPPN−502(以上、(株)ADEKA製)、デナコールEX−611、EX−612、EX−614、EX−614B、EX−622、EX−512、EX−521、EX−411、EX−421、EX−313、EX−314、EX−321、EX−211、EX−212、EX−810、EX−811、EX−850、EX−851、EX−821、EX−830、EX−832、EX−841、EX−911、EX−941、EX−920、EX−931、EX−212L、EX−214L、EX−216L、EX−321L、EX−850L、DLC−201、DLC−203、DLC−204、DLC−205、DLC−206、DLC−301、DLC−402、EX−111,EX−121、EX−141、EX−145、EX−146、EX−147、EX−171、EX−192(以上ナガセケムテック製)、YH−300、YH−301、YH−302、YH−315、YH−324、YH−325(以上新日鐵住金化学製)セロキサイド2021P、2081、2000、3000、EHPE3150、エポリードGT400、セルビナースB0134、B0177((株)ダイセル)、などが挙げられる。
これらは1種単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、又は、両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン界面活性剤である。
ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤を挙げることができる。また、以下商品名で、KP(信越化学工業(株)製)、ポリフロー(共栄社化学(株)製)、エフトップ(JEMCO社製)、メガファック(DIC(株)製)、フロラード(住友スリーエム(株)製)、アサヒガード、サーフロン(旭硝子(株)製)、PolyFox(OMNOVA社製)、SH−8400(東レ・ダウコーニングシリコーン)等の各シリーズを挙げることができる。
また、界面活性剤として、下記式(I−1)で表される構成単位A及び構成単位Bを含み、テトラヒドロフラン(THF)を溶剤とした場合のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が1,000以上10,000以下である共重合体を好ましい例として挙げることができる。
ポジ型感光性樹脂層における界面活性剤の添加量は、ポジ型感光性樹脂層中の全固形分100質量部に対して、10質量部以下であることが好ましく、0.001〜10質量部であることがより好ましく、0.01〜3質量部であることがさらに好ましい。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層は、放射線吸収剤を含むことも好ましい。放射線吸収剤としては、紫外線吸収剤が好ましく、特に紫外線吸収により吸光度が減少する、いわゆるフォトブリーチ性を示す放射線吸収剤が好ましく用いられる。具体的には、ナフトキノンジアジド誘導体、ニトロン又はジアゾニウム塩等の光消色性材料(例えば、特公昭62−40697号公報、M.Sasano et al.,SPIE Symp. Proc.,631,321(1986)に記載の化合物)があげられる。
これら材料は、放射線吸収剤によって感光性樹脂層内の光強度分布を平均化させる目的で用いられ、いわゆる内添型CEL(Contrast Enhancement Lithography)効果をもたらすことでパターンの矩形化、エッジラフネスの改善効果が得られる(半導体プロセス材料とケミカルス、坂本正典監修、シーエムシー出版(2006)参照)。
本発明におけるポジ型感光性樹脂層には、さらに金属酸化物粒子、ヘテロ環状化合物以外の架橋剤、アルコキシシラン化合物、酸化防止剤、分散剤、酸増殖剤、現像促進剤、導電性繊維、着色剤、熱ラジカル発生剤、熱酸発生剤、紫外線吸収剤、増粘剤、及び、有機又は無機の沈殿防止剤などの公知の添加剤を加えることができる。
その他の成分の好ましい態様については特開2014−85643号公報の[0165]〜[0184]にそれぞれ記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
ポジ型感光性樹脂層の厚みは、0.5〜10μmが好ましい。ポジ型感光性樹脂層の厚みが10μm以下であるとパターンの解像度が良好であり、0.5μm以上であるとパターン直線性の観点から好ましい。
ポジ型感光性樹脂層の厚みとしては、0.8〜5μmが更に好ましく、1.0〜3.0μmが特に好ましい。
各成分を所定の割合でかつ任意の方法で混合し、撹拌溶解してポジ型感光性樹脂層を形成するためのポジ型感光性樹脂組成物を調製することができる。例えば、各成分を、それぞれ予め溶剤に溶解させた溶液とした後、これらを所定の割合で混合して組成物溶液を調製することもできる。以上のように調製した組成物溶液は、孔径0.2μmのフィルター等を用いてろ過した後に、使用に供することもできる。
本発明のポジ型感光性転写材料は、ポジ型感光性樹脂層とコントラストエンハンスメント層を含むことも好ましい。
コントラストエンハンスメント層(Contrast Enhancement Layer;CEL)を用いるCEL法(Contrast Enhancement Layer Method)について説明する。これは、G.E.社のGriffing等により1983年に発表され(B.F.Griffing,P.R.West;IEEE Electron Device Letters,Vol ED1−4,14,1983)、米国特許第4,702,996号、特公昭62−40697号公報に開示されているように、主として光によって退色する物質であるアリールニトロン化合物と重合体結合剤から構成され、ポジ型感光性樹脂層膜上に、更にこの光退色性化合物膜を形成し、常法の工程に従ってパターンを形成する。通常、露光の際にはフォトマスクにより光を遮蔽すべき部分も干渉効果により若干の弱い光の照射が見られ、この部分は光退色性膜(CEL)により光を遮断し、露光部と未露光部のコントラストの増強を図り、解像度、焦点深度の向上に資する。
ポジ型感光性樹脂層の上に、中間層を形成し、中間層の上に、コントラストエンハンスメント層(以下、「CEL」、又は「CE層」という場合がある。)を形成することも好ましい。中間層は、CELとポジ型感光性樹脂層とのミキシングを防止するために設けられる。特開平2−212851号公報にも開示されているように、CELは、露光前には露光波長に対する吸収が大きいが、露光されるに伴って次第に吸収が小さくなる、すなわち、光の透過率が高くなる材料(光消色性色素成分と称する)を含有する層である。光消色性色素成分としては、ジアゾニウム塩、スチルバゾリウム塩、アリールニトロソ塩類が知られている。被膜形成成分としては、フェノール系樹脂等が用いられる。
その他、コントラストエンハンスメント層としては、特開平6−97065号公報の[0004]〜[0051]、特開平6−332167号公報の[0012]〜[0055]、フォトポリマーハンドブック,フォトポリマー懇話会編,工業調査会(1989)、フォトポリマー・テクノロジー,山岡、永松編,日刊工業新聞社(1988)に記載の材料を用いることができる。
本発明のポジ型感光性転写材料は、例えば、仮支持体と、熱可塑性樹脂層と、ポジ型感光性樹脂層とをこの順で有することも好ましく、さらにカバーフィルムなどの他の層を有していてもよい。
熱可塑性樹脂層の好ましい態様については特開2014−85643号公報の[0189]〜[0193]、他の層の好ましい態様については特開2014−85643号公報の[0194]〜[0196]にそれぞれ記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
例えば、熱可塑性樹脂層及び中間層を有する本発明のポジ型感光性転写材料を作製する場合には、仮支持体上に、熱可塑性の有機高分子と共に添加剤を溶解した溶解液(熱可塑性樹脂層用塗布液)を塗布し、乾燥させて熱可塑性樹脂層を設けた後、この熱可塑性樹脂層上に熱可塑性樹脂層を溶解しない溶剤に樹脂及び添加剤を加えて調製した調製液(中間層用塗布液)を塗布し、乾燥させて中間層を積層する。この中間層上に更に、中間層を溶解しない溶剤を用いて調製したポジ型感光性樹脂層用塗布液を塗布し、乾燥させてポジ型感光性樹脂層を積層することによって、本発明のポジ型感光性転写材料を好適に作製することができる。
本発明の回路配線の製造方法は、回路配線の製造方法であり、
(a)基材と、互いに構成材料が異なる第1導電層及び第2導電層を含む複数の導電層とを有し、基材の表面上に、基材の表面から遠い順に、最表面層である第1導電層と第2導電層とが積層されている基板に対し、前述した本発明のポジ型感光性転写材料のポジ型感光性樹脂層を第1導電層に接触させて貼り合わせる貼り合わせ工程、
(b)貼り合わせ工程後のポジ型感光性転写材料の仮支持体を介してポジ型感光性樹脂層をパターン露光する第1露光工程、
(c)第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層から仮支持体を剥離した後、第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層を現像して第1パターンを形成する第1現像工程、
(d)第1パターンが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第1導電層及び第2導電層をエッチング処理する第1エッチング工程、
(e)第1エッチング工程後の第1パターンを第1パターンとは異なるパターンでパターン露光する第2露光工程、
(f)第2露光工程後の第1パターンを現像して第2パターンを形成する第2現像工程、及び、
(g)第2パターンが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第1導電層をエッチング処理する第2エッチング工程、をこの順に含んでいる。
なお、静電容量型入力装置は、基材(前面板又はフィルム基板)と、基材の非接触側に、少なくとも下記(2)〜(5)の要素を有し、(2)、(3)及び(5)のうち少なくとも1つを本発明の回路配線の製造方法で形成されることが好ましい。
(2)複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の電極パターン
(3)第一の電極パターンと電気的に絶縁され、第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の電極パターン
(4)第一の電極パターンと第二の電極パターンとを電気的に絶縁する絶縁層
(5)第一の電極パターン及び第二の電極パターンの少なくとも一方に電気的に接続され、第一の電極パターン及び第二の電極パターンとは別の導電性要素
以下、各工程の詳細について説明する。
まず、貼り合わせ工程では、基材22と、互いに構成材料が異なる第1導電層24及び第2導電層26を含む複数の導電層とを有し、基材22の表面上に、基材22の表面から遠い順に、最表面層である第1導電層24と第2導電層24とが積層されている基板(回路配線形成用基板)20に対し、前述した本発明のポジ型感光性転写材料100のポジ型感光性樹脂層14を第1導電層24に接触させて貼り合わせる。なお、このような回路配線形成用基板とポジ型感光性転写材料との貼り合わせを「転写」又は「ラミネート」と称する場合がある。
ポジ型感光性転写材料の第1導電層上への貼り合わせ(転写)は、ポジ型感光性転写材料のポジ型感光性樹脂層側を第1導電層の上に重ね、ロール等による加圧及び加熱することに行われることが好ましい。貼り合わせには、ラミネータ、真空ラミネータ、及び、より生産性を高めることができるオートカットラミネーター等の公知のラミネータを使用することができる。
回路配線形成用基板の基材が樹脂フィルムである場合は、ロールツーロールでの貼り合わせも行うこともできる。
基材上に複数の導電層が積層された基板は、基材がガラス基材又はフィルム基材であることが好ましく、フィルム基材であることがより好ましい。本発明の回路配線の製造方法は、タッチパネル用の回路配線である場合、基材がシート状樹脂組成物であることが特に好ましい。
また、基材は透明であることが好ましい。
基材の屈折率は、1.5〜1.52であることが特に好ましい。
基材は、ガラス基材等の透光性基材で構成されていてもよく、コーニング社のゴリラガラスに代表される強化ガラスなどを用いることができる。また、前述の透明基材としては、特開2010−86684号公報、特開2010−152809号公報及び特開2010−257492号公報に用いられている材料を好ましく用いることができる。
基材としてフィルム基材を用いる場合は、光学的に歪みがない基材、及び、透明度が高い基材を用いることがより好ましく、具体的な素材には、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate;PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマーをあげることができる。
基材上に形成されている複数の導電層としては、一般的な回路配線又はタッチパネル配線に用いられる任意の導電層を挙げることができる。
導電層の材料としては、金属及び金属酸化物などを挙げることができる。
導電層としては、後述の静電容量型入力装置に用いられる第一の電極パターン、第二の電極パターン、別の導電性要素であることが好ましい。
その他の導電層の好ましい態様については、静電容量型入力装置の説明において後述する。
第1露光工程では、貼り合わせ工程後のポジ型感光性転写材料の仮支持体12を介してポジ型感光性樹脂層14をパターン露光する。
本発明においてパターンの詳細な配置及び具体的サイズは特に限定されない。本発明により製造される回路配線を有する入力装置を備えた表示装置(例えばタッチパネル)の表示品質を高め、また、取り出し配線の占める面積をできるだけ小さくしたいことから、パターンの少なくとも一部(特にタッチパネルの電極パターン及び取り出し配線の部分)は100μm以下の細線であることが好ましく、70μm以下であることが更に好ましい。
ここで、露光に使用する光源としては、ポジ型感光性転写材料の露光された箇所が現像液に溶解しうる波長域の光(例えば、365nm、405nmなど)を照射できれば適宜選定して用いることができる。具体的には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等が挙げられる。
露光量としては、通常5〜200mJ/cm2程度であり、好ましくは10〜100mJ/cm2程度である。
また、露光後にパターンの矩形性、直線性を向上させる目的で、現像前に熱処理を行うことも好ましい。いわゆるPEB(Post Exposure Bake)と呼ばれる工程により、露光時に感光性樹脂層中で生じた定在波によるパターンエッジの荒れを低減することが可能である。
第1現像工程では、第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層14から仮支持体12を剥離した後、第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層14を現像して第1パターン14Aを形成する。
パターン露光されたポジ型感光性樹脂層の現像は、現像液を用いて行うことができる。
現像液としては、ポジ型感光性樹脂層の露光部分を除去することができれば特に制約はなく、例えば、特開平5−72724号公報に記載の現像液など、公知の現像液を使用することができる。尚、現像液はポジ型感光性樹脂層の露光部が溶解型の現像挙動をする現像液が好ましい。例えば、pKa=7〜13の化合物を0.05〜5mol/Lの濃度で含む現像液が好ましく、更に水と混和性を有する有機溶剤を少量添加してもよい。水と混和性を有する有機溶剤としては、メタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ベンジルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ε−カプロラクトン、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、乳酸エチル、乳酸メチル、ε−カプロラクタム、N−メチルピロリドン等を挙げることができる。現像液中の有機溶剤の濃度は0.1質量%〜30質量%が好ましい。
現像液には、更に公知の界面活性剤を添加することができる。現像液中の界面活性剤の濃度は0.01質量%〜10質量%が好ましい。
ポストベークの加熱は0.08〜1.2atmの環境下で行うことが好ましく、0.5atm以上の環境下で行うことがより好ましい。一方、1.1atm以下の環境下で行うことがより好ましく、1.0atm以下の環境下で行うことが特に好ましい。さらに、約1atm(大気圧)環境下で行うことが特別な減圧装置を用いることなく製造コストを低減できる観点からより特に好ましい。
ポストベークの温度は、110〜170℃であることが好ましく、120〜160℃であることがより好ましく、130〜150℃であることが特に好ましい。
ポストベークの時間は、1〜30分であることが好ましく、2〜10分であることがより好ましく、2〜4分であることが特に好ましい。
ポストベークは、空気環境下で行っても、窒素置換環境下で行ってもよいが、空気環境下で行うことが、特別な減圧装置を用いることなく製造コストを低減できる観点から特に好ましい。
第1エッチング工程では、第1パターン14Aが配置されていない領域における複数の導電層24、26のうち少なくとも第1導電層24及び第2導電層26をエッチング処理する。エッチングにより、同じパターンを有する第1導電層24A及び第2導電層26Aが形成される。
酸性タイプのエッチング液としては、塩酸、硫酸、フッ酸、リン酸等の酸性成分単独の水溶液、酸性成分と塩化第2鉄、フッ化アンモニウム、過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。酸性成分は、複数の酸性成分を組み合わせた成分を使用してもよい。
アルカリ性タイプのエッチング液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、有機アミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのような有機アミンの塩等のアルカリ成分単独の水溶液、アルカリ成分と過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。アルカリ成分は、複数のアルカリ成分を組み合わせた成分を使用してもよい。
第1エッチング工程後、第1エッチング工程後の第1パターン14Aを第1パターンとは異なるパターンでパターン露光する。
第2露光工程におけるパターン露光は、第1露光工程で用いたマスク30とはパターンが異なるマスク40を用いること以外は第1露光工程におけるパターン露光と同じ方法を適用することができる。
第2現像工程では、第2露光工程後の第1パターン14Aを現像して第2パターン14Bを形成する。
現像により、第1パターンのうち第2露光工程において露光された部分が除去される。
なお、第2現像工程では、第1現像工程における現像と同じ方法を適用することができる。
第2エッチング工程では、第2パターン14Bが配置されていない領域における複数の導電層24A,24Bのうち少なくとも第1導電層24Aをエッチング処理する。
第2エッチング工程では、所望のパターンに応じて、第1エッチング工程よりも少ない導電層を選択的にエッチングすることが好ましい。例えば、図2に示すように、ポジ型感光性樹脂層が配置されていない領域において第1導電層24Bのみを選択的にエッチングするエッチング液を用いてエッチングを行うことで、第1導電層を第2導電層のパターンとは異なるパターンにすることができる。
第2エッチング工程の終了後、少なくとも2種類のパターンの導電層24B,26Aを含む回路配線が形成される。
第2エッチング工程の終了後、第1導電層24B上の一部には第2パターン14Bが残存している。ポジ型感光性樹脂層が不要であれば、残存する全てのポジ型感光性樹脂層14Bを除去すればよい。
ポジ型感光性樹脂層の除去方法としては、例えば、30〜80℃、好ましくは50〜80℃にて攪拌中の剥離液にポジ型感光性樹脂層などを有する基材を5〜30分間浸漬する方法が挙げられる。
エッチングマスクとして使用されるポジ型感光性樹脂層は、45℃以下において優れた薬液耐性を示す樹脂層であってもよいが、薬液温度が50℃以上になるとアルカリ性の剥離液により膨潤する性質を示すことが好ましい。このような性質により、50〜80℃の剥離液を使用して剥離工程を行うと工程時間が短縮され、ポジ型感光性樹脂層の剥離残渣が少なくなるという利点がある。すなわち、エッチング工程と残留するポジ型感光性樹脂層を除去する工程との間で薬液温度に差を設けることにより、エッチングマスクとして使用されるポジ型感光性樹脂層は、エッチング工程において良好な薬液耐性を発揮する一方で、除去工程において良好な剥離性を示すことになり、薬液耐性と剥離性という、相反する特性を両方とも満足することができる。
第1エッチング工程の後、第2露光工程の前に、第1パターン上に、光透過性を有する保護フィルム(不図示)を貼り付ける工程をさらに有してもよい。
この場合、第2露光工程において、保護フィルムを介して第1パターンをパターン露光し、第2露光工程後、第1パターンから保護フィルムを剥離した後、第2エッチング工程を行うことが好ましい。
本発明の回路配線の製造方法は、基材上の複数の導電層の一部又は全ての可視光線反射率を低下させる処理をする工程を含むことが可能である。
可視光線反射率を低下させる処理としては、酸化処理などを挙げることができる。例えば、銅を酸化処理して酸化銅とすることで、黒化することにより、可視光線反射率を低下させることができる。
可視光線反射率を低下させる処理の好ましい態様については、特開2014−150118号公報の[0017]〜[0025]、並びに、特開2013−206315号公報の[0041]、[0042]、[0048]及び[0058]に記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
本発明の回路配線の製造方法は、形成した回路配線上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程を含むことも好ましい。
このような構成により、後述の第二の電極パターンを、第一の電極パターンと絶縁しつつ、形成することができる。
絶縁膜を形成する工程については、特に制限はなく、公知の永久膜を形成する方法を挙げることができる。また、絶縁性を有する感光性材料を用いて、フォトリソグラフィにより所望のパターンの絶縁膜を形成してもよい。
絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程については、特に制限はない。導電性を有する感光性材料を用いて、フォトリソグラフィにより所望のパターンの新たな導電層を形成してもよい。
本発明の回路配線の製造方法により製造される回路配線の用途は限定さないが、例えば、タッチパネル用回路配線であることが好ましい。タッチパネル用回路配線の好ましい態様については、静電容量型入力装置の説明で後述する。
図3のようなタッチパネル用回路配線をななめ上方向から見ると、図4のようになる。図4に示したタッチパネル用回路配線の一例では、図4の点線部分は第一の電極パターン3と別の導電性要素が形成された導電層積層体であり、図4の四角形が連なった部分は第一の電極パターン3のみを有する導電層である。このように、本発明の回路配線の製造方法は、回路配線に含まれる異なる種類のパターンを有する導電層のうち、少なくとも1種類のパターンを有する導電層が同一の回路パターンを共有する2層以上の導電層積層体を含むことが好ましい。
本発明の回路配線の製造方法により製造される回路配線を備えた装置として、入力装置が挙げられる。本発明における入力装置は、静電容量型タッチパネルであることが好ましい。
本発明における表示装置は、本発明における入力装置を備える。本発明における表示装置は画像表示装置であることが好ましい。
本発明における入力装置及び表示装置の好ましい態様である静電容量型入力装置、及びこの静電容量型入力装置を構成要素として備えた画像表示装置は、『最新タッチパネル技術』(2009年7月6日発行(株)テクノタイムズ)、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版(2004,12)、FPD International 2009 Forum T−11講演テキストブック、Cypress Semiconductor Corporation アプリケーションノートAN2292等に開示されている構成を適用することができる。
静電容量型入力装置10には、基材1の一部の領域を覆うようにマスク層2が設けられていてもよい。更に、基材1には、一部に開口部を設けることができる。開口部には、押圧によるメカニカルなスイッチを設置することができる。
また、第一の電極パターン3と、第二の透明電極パターン4とは、ポジ型感光性樹脂層をエッチングレジスト(エッチングパターン)として用いて形成されてなることが好ましい。第二の透明電極パターンを形成するための第二の電極層の形成には、本発明で用いられるポジ型感光性樹脂層をはじめとしたレジストを用いるフォトリソグラフィのほか、公知の方法を用いることができる。その他、導電性繊維を用いた感光性樹脂組成物を有する感光性転写材料を用いて製造することもできる。ITO等によって第一の導電性パターン等を形成する場合には、特許第4506785号公報の段落[0014]〜[0016]等を参考にすることができる。
絶縁層のパターニング方法も、フォトリソ方式のほか、インクジェット、スクリーンなど公知の方法を用いることが可能である。
エッチング処理によって、第一の電極パターン3、第二の透明電極パターン4及び別の導電性要素6を形成する場合、まず黒色のマスク層2等が形成された基材1の非接触面上に、黒色のマスク層2が設けられた部分について少なくとも無機絶縁層を設け、基材1の非接触面上又は無機絶縁層上にITO等の透明電極層をスパッタリングによって形成する。次いで、透明電極層上に光硬化性樹脂層としてエッチング用光硬化性樹脂層を有するポジ型感光性樹脂層を用いて露光及び現像によってエッチングパターンを形成する。その後、透明電極層をエッチングして透明電極をパターニングし、エッチングパターンを除去することで、第一の電極パターン3等を形成することができる。
以下の処方でポジ型感光性樹脂組成物を作製した。
・重合体成分(下記構成単位を有する重合体A1、重量平均分子量5,000):7.73部
・可塑剤(下記化合物B、重量平均分子量1,216):1.93部
・光酸発生剤(特開2013−047765の段落0227に記載の下記化合物A−1):0.25部
・界面活性剤(下記界面活性剤C):0.01部
・添加剤(下記化合物D):0.08部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:90.00部
重合体成分と可塑剤の使用量を以下としたほかは、実施例1と同様にしてポジ型感光性転写材料2を作製した。
・重合体成分(重合体A1):8.21部
・可塑剤(化合物B):1.45部
重合体成分と可塑剤の使用量を以下としたほかは、実施例1と同様にしてポジ型感光性転写材料3を作製した。
・重合体成分(重合体A1):7.25部
・可塑剤(化合物B):2.41部
以下の処方でポジ型感光性樹脂組成物を作製した。
・重合体成分(p−ヒドロキシスチレンの1−エトキシエチル保護体/p−ヒドロキシスチレン共重合体、30/70モル%、分子量11,000):9.58部
・光酸発生剤(特表2002−528451号公報の段落番号0108に記載の方法に従って合成された下記構造の化合物。なお、下記構造中、Tsはp−トルエンスルホニル基を表す):0.2部
・界面活性剤(界面活性剤C):0.01部
・添加剤(化合物D):0.01部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:90.00部
厚さ188μmのPETフィルム上に厚さ500nmでスパッタリング法にて銅層を作製した基板を使用した。
作製したポジ型感光性転写材料1〜4をそれぞれ50cm角にカットし、カバーフィルムを剥がして、線圧0.6MPa、線速度(ラミネート速度)1.0m/min又は3.6m/min.のラミネート条件で銅層付きPET基板にラミネートした。ラミネートロール温度を変化させてラミネートを行い、各温度で感光性樹脂層が銅層に密着する面積を目視評価し、「感光性樹脂層が密着した面積/カットした転写材料の面積」(%)により密着した面積割合を求めた。下記基準のA〜Cで評価した。
A:95%以上
B:90%以上95%未満
C:90%未満
作製したポジ型感光性転写材料1〜4を、ラミネート適性でAとなった最低のラミネートロール温度で銅層付きPET基板にラミネートし(線圧0.6MPa、線速度3.6m/min.)、仮支持体を剥離せずに線幅20μmのラインアンドスペースパターンマスクを介して超高圧水銀灯で露光後、仮支持体を剥離して現像した。現像は23℃の2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用い、シャワー現像で30秒行った。このようにして20μmのラインアンドスペースパターンが形成できる露光量を求め、最適露光量とした。
次いで、種々の線幅のラインアンドスペースパターンマスクを介して同様に最適露光量で露光、同様に現像した際、マスクと同じ線幅のラインアンドスペースが解像しうる最も小さなパターンサイズを解像度とした。
以下表1に結果を示す。
100ミクロン厚PET基材上に、第2導電層としてITOをスパッタリングで150nm厚にて成膜し、その上に第1導電層として銅を真空蒸着法で200nm厚にて成膜して、回路形成用基板とした。
仮支持体を剥離せずに、一方向に導電層パッドが連結された構成を持つ図8に示したパターンAを設けたフォトマスクを用いてコンタクトパターン露光した(第1露光工程)。
図8に示したパターンAは、実線部及びグレー部が遮光部であり、その他の部分が開口部であり、点線部はアライメント合わせの枠を仮想的に示している。また、実線部は70μm以下の細線とした。以降、その他の実施例及び比較例でも同様の細線を形成した
図9に示したパターンBはグレー部が遮光部であり、その他の部分が開口部であり、点線部はアライメント合わせの枠を仮想的に示している。
これにより、図10に示すパターンCの回路配線基板を得た。図10中、実線でない領域(白、グレー領域共に)はPET基板が露出している状態である。図10のグレー領域内の実線部分はITO配線が露出した状態になっている。それ以外の実線部分は周辺配線部分にあたり、ITO配線上に銅配線が積層されて同一の回路パターンを共有する構造を持った状態になっている。
さらに残った感光性樹脂層を剥離液(関東化学(株)製KP−301)を用いて剥離して回路配線基板を得た。
これにより、図10に示す配線パターンCを有する回路配線基板を得た。図10中、実線でない領域(白、グレー領域共に)はPET基板が露出している状態である。図10のグレー領域内の実線部分はITO配線(第2導電層)が露出した状態になっている。それ以外の実線部分は周辺配線部分にあたり、ITO配線上に銅配線(第1導電層)が積層されて同一の回路パターンを共有する構造になっている。
得られた回路配線基板の回路について顕微鏡で観察したところ、剥がれや欠けなどは無く、高精細のきれいなパターンであった。
100ミクロン厚PET基材上に、第2導電層としてITOをスパッタリングで150nm厚にて成膜し、その上に第1導電層として銅を真空蒸着法で200nm厚にて成膜して、回路形成用基板とした。
銅層上にポジ型感光性転写材料1をラミネートした(線圧0.6MPa、線速度3.6m/min、ロール温度100℃)。
仮支持体を剥離せずに一方向に導電層パッドが連結された構成を持つパターンAを設けたフォトマスクを用いてパターン露光した。その後仮支持体を剥離し、現像を行い、その後、水洗を行ってパターンAを得た。
次いで銅エッチング液(関東化学(株)製Cu−02)を用いて銅層をエッチングした後、ITOエッチング液(関東化学(株)製ITO−02)を用いてITO層をエッチングすることで、銅とITOが共にパターンAで描画された基板を得た。
その後、Cu−02を用いて銅配線をエッチングし、残った感光性樹脂層を剥離液(関東化学(株)製KP−301)を用いて剥離し、回路配線基板を得た。
これにより、パターンCの回路配線基板を得た。
得られた回路配線基板の回路について顕微鏡で観察したところ、剥がれや欠けなどは無く、高精細のきれいなパターンであった。
2 マスク層
3 電極パターン
3a パッド部分
3b 接続部分
4 透明電極パターン
5 絶縁層
7 透明保護層
10 静電容量型入力装置
12 仮支持体
14 ポジ型感光性樹脂層
14A 第1パターン
14B 第2パターン
16 カバーフィルム
20 回路形成用基板
22 基材
24 第1導電層
24A 第1導電層(第1エッチング工程後)
24B 第1導電層(第2エッチング工程後)
26 第2導電層
26A 第2導電層(第1エッチング工程及び第2エッチング工程後)
30 マスク
40 マスク
100 ポジ型感光性転写材料
Claims (10)
- 仮支持体と、
下記式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体、前記式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さく、かつ分子内にアルキレンオキシ基を有する化合物である可塑剤、及び光酸発生剤を含み、前記仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、
を有するポジ型感光性転写材料。
式A中、R31及びR32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともR31及びR32のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、R33はアルキル基又はアリール基を表し、R31又はR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R34は水素原子又はメチル基を表し、X0は単結合又はアリーレン基を表す。 - 前記ポジ型感光性樹脂層の全固形分に対し、前記式Aで表される構成単位を有する重合体と前記可塑剤との合計比率が70質量%以上99質量%以下である請求項1に記載のポジ型感光性転写材料。
- 前記ポジ型感光性樹脂層において、前記式Aで表される構成単位を有する重合体と前記可塑剤との合計量に対し、前記式Aで表される構成単位を有する重合体の比率が60質量%以上90質量%以下である請求項1又は請求項2に記載のポジ型感光性転写材料。
- 前記仮支持体が、光透過性を有する請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のポジ型感光性転写材料。
- (a)基材と、互いに構成材料が異なる第1導電層及び第2導電層を含む複数の導電層とを有し、前記基材の表面上に、前記基材の表面から遠い順に、最表面層である前記第1導電層と前記第2導電層とが積層されている基板に対し、光透過性を有する仮支持体と、下記式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体、前記式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含み、前記仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、を有するポジ型感光性転写材料の前記ポジ型感光性樹脂層を前記第1導電層に接触させて貼り合わせる貼り合わせ工程、
(b)前記貼り合わせ工程後の前記ポジ型感光性転写材料の前記仮支持体を介して前記ポジ型感光性樹脂層をパターン露光する第1露光工程、
(c)前記第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層から前記仮支持体を剥離した後、前記第1露光工程後のポジ型感光性樹脂層を現像して第1パターンを形成する第1現像工程、
(d)前記第1パターンが配置されていない領域における前記複数の導電層のうち少なくとも前記第1導電層及び前記第2導電層をエッチング処理する第1エッチング工程、
(e)前記第1エッチング工程後の前記第1パターンを前記第1パターンとは異なるパターンでパターン露光する第2露光工程、
(f)前記第2露光工程後の前記第1パターンを現像して第2パターンを形成する第2現像工程、及び、
(g)前記第2パターンが配置されていない領域における前記複数の導電層のうち少なくとも前記第1導電層をエッチング処理する第2エッチング工程、をこの順に含む、回路配線の製造方法。
式A中、R 31 及びR 32 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともR 31 及びR 32 のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、R 33 はアルキル基又はアリール基を表し、R 31 又はR 32 と、R 33 とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R 34 は水素原子又はメチル基を表し、X 0 は単結合又はアリーレン基を表す。 - 前記可塑剤が、分子内にアルキレンオキシ基を有する化合物である請求項5に記載の回路配線の製造方法。
- 前記第1エッチング工程の後、前記第2露光工程の前に、前記第1パターン上に、光透過性を有する保護フィルムを貼り付ける工程をさらに有し、
前記第2露光工程において、前記保護フィルムを介して前記第1パターンを前記パターン露光し、
前記第2露光工程後、前記第1パターンから前記保護フィルムを剥離した後、前記第2エッチング工程を行う請求項5又は請求項6に記載の回路配線の製造方法。 - 仮支持体と、
下記式(A1)で表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体、前記式(A1)で表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含み、前記仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、
を有するポジ型感光性転写材料。
式(A1)中、R 121 は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表し、R 122 〜R 128 はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。 - 仮支持体と、
下記式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体、前記式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さく、かつ重合平均分子量が500以上10000未満である可塑剤、及び光酸発生剤を含み、前記仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、
を有するポジ型感光性転写材料。
式A中、R 31 及びR 32 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともR 31 及びR 32 のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、R 33 はアルキル基又はアリール基を表し、R 31 又はR 32 と、R 33 とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R 34 は水素原子又はメチル基を表し、X 0 は単結合又はアリーレン基を表す。 - 仮支持体と、
下記式Aで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が100000以下である重合体、前記式Aで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含み、着色剤を含まない、前記仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、
を有するポジ型感光性転写材料。
式A中、R 31 及びR 32 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともR 31 及びR 32 のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、R 33 はアルキル基又はアリール基を表し、R 31 又はR 32 と、R 33 とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R 34 は水素原子又はメチル基を表し、X 0 は単結合又はアリーレン基を表す。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015249122A JP6573545B2 (ja) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | ポジ型感光性転写材料及び回路配線の製造方法 |
TW105142025A TWI698708B (zh) | 2015-12-21 | 2016-12-19 | 正型感光性轉印材料及電路配線的製造方法 |
CN201611190792.9A CN106959585B (zh) | 2015-12-21 | 2016-12-20 | 正型感光性转印材料和电路布线的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015249122A JP6573545B2 (ja) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | ポジ型感光性転写材料及び回路配線の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017116611A JP2017116611A (ja) | 2017-06-29 |
JP6573545B2 true JP6573545B2 (ja) | 2019-09-11 |
Family
ID=59234040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015249122A Active JP6573545B2 (ja) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | ポジ型感光性転写材料及び回路配線の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6573545B2 (ja) |
CN (1) | CN106959585B (ja) |
TW (1) | TWI698708B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019021622A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性転写材料、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法 |
JP6995527B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2022-01-14 | 日東電工株式会社 | 転写用導電性フィルム |
CN111279262A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-06-12 | 富士胶片株式会社 | 感光性转印材料、电路布线的制造方法及触控面板的制造方法 |
CN111684359A (zh) * | 2018-02-05 | 2020-09-18 | 富士胶片株式会社 | 感光性转印材料、电路布线的制造方法及触摸面板的制造方法 |
WO2019244898A1 (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物およびレジストパターンの形成方法 |
CN108776423B (zh) * | 2018-06-28 | 2020-10-30 | 信利光电股份有限公司 | 一种触控层的制作方法及设备 |
CN113056373A (zh) * | 2018-11-20 | 2021-06-29 | 富士胶片株式会社 | 转印材料、树脂图案的制造方法、电路配线的制造方法及触摸面板的制造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5077174A (en) * | 1990-04-10 | 1991-12-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive working dry film element having a layer of resist composition |
US5145764A (en) * | 1990-04-10 | 1992-09-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing |
US5229244A (en) * | 1990-08-08 | 1993-07-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dry processible photosensitive composition including photo-acid generator and optically clear polymer (co-polymer) blend that becomes tacky upon exposure to actinic radiation |
JP2005303016A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsui Chemicals Inc | プリント配線基板の製造方法およびその配線基板 |
CN100462825C (zh) * | 2005-12-23 | 2009-02-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板结构及其制造方法 |
JP5425031B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2014-02-26 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機el表示装置、及び、液晶表示装置 |
WO2011053100A2 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 주식회사 엘지화학 | 아크릴레이트 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물, 및 포토레지스트 패턴 |
CN102955361B (zh) * | 2011-08-19 | 2018-04-06 | 富士胶片株式会社 | 正型感光性树脂组成物、硬化膜的形成方法、硬化膜、液晶显示装置及有机el显示装置 |
JP6182612B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2017-08-16 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置 |
JP6361191B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-07-25 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びタッチパネルの製造方法 |
-
2015
- 2015-12-21 JP JP2015249122A patent/JP6573545B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-19 TW TW105142025A patent/TWI698708B/zh active
- 2016-12-20 CN CN201611190792.9A patent/CN106959585B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106959585A (zh) | 2017-07-18 |
TWI698708B (zh) | 2020-07-11 |
CN106959585B (zh) | 2022-02-25 |
JP2017116611A (ja) | 2017-06-29 |
TW201734637A (zh) | 2017-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113946103B (zh) | 干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置 | |
JP6573545B2 (ja) | ポジ型感光性転写材料及び回路配線の製造方法 | |
JP6267951B2 (ja) | 感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法 | |
JP6507239B2 (ja) | 回路配線の製造方法、回路配線、入力装置および表示装置 | |
JP6574846B2 (ja) | ドライフィルムレジスト、回路配線の製造方法、回路配線、入力装置および表示装置 | |
CN107132731B (zh) | 感光性转印材料及电路布线的制造方法 | |
JP6683890B2 (ja) | 感光性転写材料、及び、回路配線の製造方法 | |
KR102110818B1 (ko) | 패턴이 형성된 기재의 제조 방법, 및 회로 기판의 제조 방법 | |
JP6502284B2 (ja) | 感光性転写材料及び回路配線の製造方法 | |
JP2018031847A (ja) | 感光性転写材料、及び、回路配線の製造方法 | |
JP6893550B2 (ja) | 感光性転写材料、及び回路配線の製造方法 | |
TW201922817A (zh) | 電路配線的製造方法及觸控面板的製造方法 | |
JP6685461B2 (ja) | 感光性転写材料、回路配線の製造方法及びタッチパネルの製造方法 | |
JPWO2019160101A1 (ja) | レジストパターンの製造方法、回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法 | |
WO2019021622A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性転写材料、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法 | |
JP6685460B2 (ja) | 感光性転写材料、回路配線の製造方法及びタッチパネルの製造方法 | |
JP2018177889A (ja) | 感光性転写材料用重合体溶液の製造方法、感光性転写材料用組成物の製造方法、感光性転写材料の製造方法、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法 | |
WO2019187364A1 (ja) | 感光性転写材料、レジストパターンの製造方法、回路配線の製造方法、タッチパネル、及び、タッチパネル表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6573545 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |