WO2014208464A1 - 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents

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WO2014208464A1
WO2014208464A1 PCT/JP2014/066416 JP2014066416W WO2014208464A1 WO 2014208464 A1 WO2014208464 A1 WO 2014208464A1 JP 2014066416 W JP2014066416 W JP 2014066416W WO 2014208464 A1 WO2014208464 A1 WO 2014208464A1
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thin film
curing
liquid
substrate
film material
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PCT/JP2014/066416
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English (en)
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Inventor
裕司 岡本
満帆 黒須
Original Assignee
住友重機械工業株式会社
株式会社メイコー
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    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452Solder masks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K2203/0104Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/013Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
    • HELECTRICITY
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    • H05K2203/1476Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings

Definitions

  • the present invention relates to a thin film forming method and a thin film forming apparatus for forming a thin film pattern on a substrate.
  • Patent Document 1 A technique for forming a thin film pattern by forming droplets of a light curable liquid thin film material from a nozzle head, ejecting the liquid thin film material toward the surface of the substrate, and curing the thin film material applied to the substrate is known (for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • a printed board is used as a substrate, and a solder resist is used as a thin film material.
  • the printed circuit board includes a base material and wiring, and an electronic component or the like is soldered to a predetermined position.
  • the solder resist exposes a conductor portion for soldering an electronic component or the like and covers a portion that does not require soldering. It is possible to reduce the manufacturing cost as compared with a method in which a solder resist is applied to the entire surface and then an opening is formed using a photolithography technique.
  • a photo-curable (for example, ultraviolet curable) resin is used as the thin film material.
  • the thin film material formed into droplets reaches the substrate, the thin film material spreads in the in-plane direction.
  • the resolution of the thin film pattern to be formed decreases.
  • irregularities reflecting the shape of each droplet remain on the surface of the thin film.
  • An object of the present invention is to provide a thin film forming method and a thin film forming apparatus in which unevenness is hardly generated on the surface of the thin film.
  • Forming a membrane element by temporary curing with Forming a liquid film by applying a photocurable liquid thin film material on the film element; and Irradiating the liquid film and the film element with light for main curing having a light intensity stronger than the light for temporary curing to cure the liquid film and increasing the degree of curing of the film element;
  • a thin film forming method is provided.
  • a stage for holding a substrate A plurality of nozzle heads that include a plurality of nozzle holes that face the substrate held on the stage and discharge droplets of a photocurable liquid thin film material toward the substrate; A plurality of temporary curing light sources for irradiating the thin film material discharged from the nozzle head and applied to the substrate with light for temporary curing; A nozzle unit including the nozzle head and the temporary curing light source, and a moving mechanism that moves one of the substrates relative to the other in a first direction parallel to the surface of the substrate; A main curing light source for irradiating the substrate with light for main curing; A control device for controlling the nozzle head, the light source for temporary curing, and the moving mechanism; The control device controls the nozzle head, the temporary curing light source, the main curing light source, and the moving mechanism, With the light source for temporary curing turned on, the thin film material discharged from the nozzle head is landed along the edge of the region where the thin film pattern is to be formed
  • a damming structure is formed by curing, After forming the damming structure, the thin film material discharged from the nozzle head is landed in the planned area, and the thin film material landed on the planned area is irradiated with light for pre-curing to be temporarily cured.
  • a liquid film is formed on the film element by applying a photocurable liquid thin film material discharged from the nozzle head, A thin film forming apparatus is provided in which the liquid film and the film element are irradiated with light for main curing from the light source for main curing to cure the liquid film and increase the degree of curing of the film element.
  • FIG. 1A is a plan view of a substrate in the middle of thin film formation by the thin film formation method according to Embodiment 1
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line 1B-1B in FIG. 1A
  • 2A is a plan view of the substrate in the middle of thin film formation by the thin film formation method according to Embodiment 1
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line 2B-2B in FIG. 2A
  • 3A is a plan view of the substrate in the middle of thin film formation by the thin film formation method according to Embodiment 1
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line 3B-3B in FIG. 3A.
  • FIG. 4A is a plan view of the substrate in the middle of thin film formation by the thin film formation method according to Embodiment 1
  • FIG. 4B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line 4B-4B in FIG. 4A
  • 5A is a plan view of the substrate in the middle of thin film formation by the thin film formation method according to Example 1
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along one-dot chain line 5B-5B in FIG. 5A.
  • 6A is a graph showing the distribution of the exposure amount of the thin film in the thickness direction when the thin film is formed by the thin film forming method according to Example 1
  • FIG. 6B is a graph when the thin film is formed by the method according to the comparative example.
  • FIG. 7 is a schematic plan view and a block diagram of a thin film forming apparatus for forming a thin film by the thin film forming method according to the first embodiment.
  • 8A and 8B are cross-sectional views of the main part of the apparatus for explaining a method of forming a thin film with the thin film forming apparatus shown in FIG. 8C and 8D are cross-sectional views of the main part of the apparatus for explaining a method of forming a thin film with the thin film forming apparatus shown in FIG. 8E and 8F are cross-sectional views of the main part of the apparatus for explaining a method of forming a thin film with the thin film forming apparatus shown in FIG.
  • FIG. 8G and 8H are cross-sectional views of the main part of the apparatus for explaining a method of forming a thin film with the thin film forming apparatus shown in FIG. 8I and 8J are cross-sectional views of the main part of the apparatus for explaining a method of forming a thin film with the thin film forming apparatus shown in FIG.
  • FIG. 9 is a schematic front view of the thin film forming apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a coating station of the thin film forming apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view of a substrate on which a thin film is formed.
  • Example 1 A thin film forming method according to Example 1 will be described with reference to FIGS. 1A, 1B to 5A, and 5B.
  • 1A, FIG. 2A, FIG. 3A, FIG. 4A, and FIG. 5A show plan views of a portion of a substrate 10 on which a thin film is to be formed.
  • 1B, FIG. 2B, FIG. 3B, FIG. 4B, and FIG. 5B are respectively shown by alternate long and short dash lines 1B-1B, 2B-2B, 3B-3B, and 4B- in FIGS. 1A, 2A, 3A, 4A, and 5A, respectively. Sectional views at 4B and 5B-5B are shown.
  • a predetermined region 11 on which a thin film pattern is to be formed is defined on the surface of the substrate 10.
  • an opening 13 that does not form a thin film pattern is included.
  • the outer periphery of the planned area 11 and the outer periphery of the opening 13 are referred to as the edge 12 of the planned area.
  • the substrate 10 is, for example, a printed circuit board on which conductive wiring patterns and through holes are formed.
  • the planned area 11 corresponds to an area where the solder resist is to be applied.
  • a ridge-shaped damming structure 14 is formed along the edge 12 (FIG. 1A) of the predetermined region 11 on the surface of the substrate 10.
  • the damming structure 14 dams the liquid applied to the inside of the planned area 11.
  • a nozzle head having a plurality of nozzle holes is opposed to the substrate 10. While moving the substrate 10 with respect to the nozzle head, the photocurable liquid thin film material is ejected from the nozzle head as droplets, and the droplets are landed on the edge 12 (FIG. 1A) of the planned region 11.
  • the thin film material for example, an ultraviolet curable resin is used. Further, the thin film material contains a dye such as a dye or a pigment. Immediately after landing, the thin film material is temporarily cured by irradiating the thin film material with light for temporary curing.
  • temporary curing means curing to a state where target heat resistance, peel resistance, chemical resistance, and the like are not obtained.
  • main curing the effect until the target heat resistance, peel resistance, chemical resistance and the like are obtained.
  • main curing the curing to a state of a curing degree lower than the degree of curing in the fully cured state
  • temporary curing the curing to a state of a curing degree lower than the degree of curing in the fully cured state
  • Sufficient heat resistance, peel resistance, and chemical resistance can be realized by performing a main curing process for increasing the degree of curing of the temporarily cured film.
  • the degree of cure of the photocurable resin can be evaluated by, for example, Fourier transform infrared spectroscopy.
  • a state in which the initial state is 0% cure, the monomer is almost completely consumed, and the intensity of the light absorption peak derived from the monomer is 0 can be defined as 100% cure.
  • the “cured” state does not necessarily have a curing degree of 100%.
  • a state where the degree of cure is 80% or more may be defined as a fully cured state.
  • the damming structure 14 can be made high by further applying a thin film material on the thin film material that has been temporarily hardened and temporarily hardening it. By alternately repeating the application of the thin film material and the temporary curing, the damming structure 14 having a desired height can be formed. In FIG. 2B, the width of the damming structure 14 is narrowed upward.
  • a plurality of membrane elements 15A are formed in the planned area 11.
  • the surface of the substrate 10 in the planned area 11 is covered with the laminated film elements 15A without any defects.
  • the formation method of the membrane element 15A is the same as the formation method of the damming structure 14.
  • a plurality of film elements 15A can be laminated by further applying a thin film material on the temporarily cured thin film material and temporarily curing the thin film material. Since the thin film material formed into droplets is temporarily cured immediately after landing on the substrate 10 or the temporarily cured film element 15A, the surface of the film element 15A is not flattened, and unevenness reflecting the shape of the droplets Remains.
  • “immediately after” means that a plurality of droplets that have landed on the substrate 10 are continuous with each other before the original shape and before the surface is flattened.
  • a liquid film 16 made of a liquid thin film material is formed by applying a thin film material on the film element 15A.
  • a method for forming the liquid film 16 will be described.
  • a nozzle head having a plurality of nozzle holes is opposed to the substrate 10. While the substrate 10 is moved with respect to the nozzle head, a light curable liquid thin film material is discharged from the nozzle head as droplets, and the thin film material is landed on the surface of the film element 15A. The thin film material is not temporarily cured.
  • the thin film material Since the thin film material is not temporarily cured, a plurality of droplets of the thin film material landed on the surface of the film element 15A spread in the in-plane direction and are continuous with each other. For this reason, the unevenness reflecting the shape of each droplet disappears, and the surface of the liquid film 16 becomes almost flat. Further, the damming structure 14 dams the liquid thin film material so that the liquid thin film material does not flow out to the outside of the predetermined region 11. For this reason, it is possible to prevent the thin film material from adhering to the region where the surface of the substrate 10 should be exposed.
  • the substrate 10 is irradiated with light 18 for main curing.
  • the irradiation of the light 18 for main curing is performed after the surface of the liquid film 16 (FIG. 4B) is flattened to such an extent that the uneven shape reflecting the shape of the droplet of the thin film material is not retained.
  • the light intensity (power density) of the main curing light 18 on the surface of the substrate 10 was used when forming the blocking structure 14 (FIGS. 2A and 2B) and the film element 15A (FIGS. 3A and 3B).
  • the light for temporary curing is stronger than the light intensity on the surface of the substrate 10.
  • the liquid film 16 (FIG. 4B) is cured to form the uppermost film element 16A.
  • the surface of the uppermost membrane element 16A is flat.
  • the thin film 20 is composed of the lower layer film element 15A and the uppermost film element 16A. In the middle of the formation of the thin film 20, irregularities appear on the surface of the film element 15A, but the surface of the finally formed thin film 20 becomes substantially flat. For this reason, the design effect of the thin film 20 can be improved.
  • Example 1 With reference to FIG. 6A and FIG. 6B, the other effect of the thin film formation method by Example 1 is demonstrated.
  • FIG. 6A shows an example of a cross-sectional view of the thin film 20 formed by the method according to Example 1 and an exposure dose distribution in the thickness direction.
  • the horizontal axis of the graph showing the exposure amount distribution represents the exposure amount
  • the vertical axis represents the position in the depth direction.
  • Broken lines E1 to E7 show the distribution of exposure amount by the light for temporary curing when forming the first to seventh layer film elements 15A, respectively, and the broken line Ef shows the light 18 for main curing (FIG. 5B). Shows the distribution of the exposure amount.
  • a solid line Et indicates a total distribution of exposure amounts of the light for temporary curing and the light for main curing 18.
  • FIG. 6B shows a cross-sectional view of the thin film 20 formed by the method according to the comparative example and an example of the exposure dose distribution in the thickness direction.
  • the liquid thin film material is not temporarily cured, and after the liquid film having a desired thickness is formed, the main curing is performed.
  • a solid line Et indicates the distribution of the exposure amount of the thin film 20. This distribution is equal to the distribution of the exposure amount by the main curing light 18 indicated by the broken line Ef in FIG. 6A.
  • the thin film forming method according to the comparative example light for main curing is attenuated in the thin film 20, so that insufficient exposure tends to occur in the deep part.
  • the thin film material contains a dye such as a dye or a pigment
  • the attenuation of light is increased, and insufficient exposure tends to occur.
  • the degree of curing becomes insufficient, and the thin film 20 is easily peeled off.
  • the method according to the first embodiment since the film elements 15A located in the deep part of the thin film 20 are individually temporarily cured, a sufficient degree of curing can be secured even in the deep part of the thin film 20. Thereby, peeling of the thin film 20 can be prevented.
  • FIG. 7 shows a schematic plan view and a block diagram of the thin film forming apparatus according to the first embodiment.
  • the thin film forming apparatus according to the first embodiment can be used for forming a thin film to which the thin film forming method according to the first embodiment described above is applied.
  • the substrate 10 is held on the stage 30.
  • An xyz orthogonal coordinate system in which a plane parallel to the substrate holding surface of the stage 30 is defined as an xy plane is defined.
  • the moving mechanism 31 moves the stage 30 in the x direction and the y direction.
  • the substrate 10 moves in the x direction and the y direction.
  • an air levitation stage, an ultrasonic levitation stage, or the like may be used.
  • the substrate 10 is moved in the x direction and the y direction with respect to the stage 30 by the moving mechanism 31.
  • the nozzle unit 40 is disposed above the stage 30.
  • the nozzle unit 40 includes a plurality of, for example, eight nozzle heads 41 and a plurality of temporary curing light sources 43.
  • Each of the nozzle heads 41 has a plurality of nozzle holes facing the substrate 10, and receives a control from the control device 50, and a thin film material containing a dye such as a dye or a pigment from the nozzle holes toward the substrate 10. It is discharged as droplets.
  • the nozzle holes of the nozzle head 41 are arranged at equal intervals in the x direction.
  • the plurality of nozzle heads 41 are arranged in the y direction.
  • Each of the plurality of nozzle heads 41 is identified by serial numbers # 1 to # 8 assigned sequentially from 1 in the positive direction of the y-axis.
  • a temporary curing light source 43 is disposed between two nozzle heads 41 adjacent to each other. Further, a temporary curing light source 43 is arranged on the negative side of the y-axis from the nozzle head 41 of serial number # 1 and on the positive side of the y-axis from the nozzle head 41 of serial number # 8.
  • the temporary curing light source 43 is disposed on the positive side and the negative side of the y-axis of the nozzle head 41, respectively.
  • the provisional curing light source 43 irradiates the surface of the substrate 10 with provisional curing light, for example, ultraviolet rays.
  • the thin film material can be applied to the substrate 10 by discharging the thin film material from the nozzle head 41 while moving the substrate 10 in the positive or negative direction of the y-axis.
  • the thin film material discharged from a certain nozzle head 41 and applied to the substrate 10 is applied to the positive side of the nozzle head 41 on the positive side of the y axis (the moving direction of the substrate 10).
  • the light for pre-curing emitted from the light source 43 for pre-curing disposed on the downstream side is irradiated. Thereby, the thin film material applied to the substrate 10 can be temporarily cured. If the temporary curing light source 43 is turned off, the thin film material may not be temporarily cured.
  • the control device 50 stores image data that defines the pattern of the thin film to be formed.
  • the control device 50 can form a thin film having a desired pattern by controlling the moving mechanism 31 and the nozzle head 41 based on the image data.
  • FIGS. 8A to 8J are cross-sectional views taken along one-dot chain line 8-8 in FIG. 8A to 8J show an example in which a thin film is formed while moving the substrate 10 in the positive y-axis direction.
  • the positive side of the y-axis is referred to as “downstream side”, and the negative side is referred to as “upstream side”.
  • the temporary curing light source 43 on the downstream side of each of the nozzle heads 41 of serial numbers # 1 to # 8 is turned on.
  • the temporary curing light source 43 on the upstream side of the nozzle head 41 of serial number # 1 does not need to be lit.
  • the damming structure 14 (FIGS. 2A and 2B) is formed.
  • the thin film material is ejected as droplets from the nozzle head 41 of serial number # 1, and the edge 12 (FIG. 1A, FIG. A droplet of a thin film material is landed on 1B).
  • a liquid film 17 made of a thin film material is formed on the substrate 10.
  • the liquid film 17 passes below the temporary curing light source 43, the liquid film 17 is temporarily cured to form a damming element 17A.
  • the film element 15A (FIGS. 3A and 3B) and the liquid film 16 (FIGS. 4A and 4B) are formed.
  • the film element 15A and the liquid film 16 are also formed while moving the substrate 10 in the positive y-axis direction.
  • the temporary curing light source 43 on the downstream side of the serial number # 8 is turned off.
  • the arrangement order of the nozzle head 41 and the temporary curing light source 43 in the positive y-axis direction is equivalent to the arrangement order in the negative y-axis direction. It is also possible to form the membrane element 15A and the liquid membrane 16 while moving 10 in the negative y-axis direction.
  • the membrane element 15A is formed in the planned area 11 surrounded by the damming structure 14.
  • the formation of the membrane element 15A is the same as the method of forming the blocking element 17A shown in FIGS. 8A to 8E.
  • the damming element 17A the thin film material formed into droplets was landed on the edge 12 (FIG. 1A) of the planned area 11, but when forming the film element 15A, it was within the planned area 11 (FIG. 1A). The thin film material formed into droplets is landed.
  • layers of film elements 15A are formed by temporarily curing the liquid film 15 made of a thin film material applied by the nozzle heads 41 of serial numbers # 1 to # 7. This step corresponds to the step of forming the membrane element 15A shown in FIGS. 3A and 3B.
  • the substrate 10 is unloaded from the stage 30 and disposed below the main curing light source 68.
  • the liquid film 16 (FIG. 8I)
  • the liquid film 16 (FIG. 8I) is cured and the degree of curing of the film element 15A is increased. Thereby, the thin film 20 is formed.
  • Example 1 the membrane element 15A was formed by the nozzle heads 41 of serial numbers # 1 to # 7, and the liquid film 16 (FIG. 8H) was formed by the nozzle head 41 of serial number # 8. As a result, a seven-layer membrane element 15A was formed.
  • the number of layers of the membrane element 15A is not limited to seven, and may be six or less.
  • six layers of film elements 15A may be formed by the nozzle heads 41 having serial numbers # 1 to # 6
  • the liquid film 16 may be formed by the nozzle heads 41 having serial numbers # 7 and # 8.
  • the temporary curing light source 43 adjacent to each downstream side of the nozzle heads 41 of serial numbers # 7 and # 8 may be turned off.
  • Example 2 In FIG. 9, the schematic front view of the thin film forming apparatus by Example 2 is shown.
  • the thin film forming apparatus according to the second embodiment includes a carry-in station 60, a temporary positioning station 61, a coating station 62, a main curing station 63, and a transfer device 64.
  • An xyz orthogonal coordinate is defined in which the horizontal plane is the xy plane and the upper vertical direction is the positive direction of the z-axis.
  • the carry-in station 60, the temporary positioning station 61, the coating station 62, and the main curing station 63 are arranged in this order toward the positive direction of the x axis.
  • the control device 50 controls the carry-in station 60, the temporary positioning station 61, the coating station 62, each device in the main curing station 63, and the transport device 64.
  • the control device 50 stores image data that defines the planar shape of the thin film pattern to be formed on the substrate 10.
  • the first transport roller 65 transports the substrate 10 to be processed from the carry-in station 60 to the temporary positioning station 61 in the positive direction of the x axis.
  • the tip of the substrate 10 being conveyed by the first conveyance roller 65 comes into contact with the stopper 67, the substrate 10 is roughly positioned in the conveyance direction.
  • a transfer device 64 transfers the substrate 10 from the temporary positioning station 61 to the coating station 62 and from the coating station 62 to the main curing station 63.
  • the transport device 64 includes a guide 70 and two lifters 71 and 72. The lifters 71 and 72 are guided by the guide 70 and move in the x direction. One lifter 71 transports the substrate 10 from the temporary positioning station 61 to the coating station 62, and the other lifter 72 transports the substrate 10 from the coating station 62 to the main curing station 63.
  • the coating station 62 includes a surface plate 32, a moving mechanism 31, and a stage 30.
  • a stage 30 is supported on a surface plate 32 via a moving mechanism 31.
  • the moving mechanism 31 moves the stage 30 in the x direction and the y direction, and changes the posture in the rotational direction about a straight line parallel to the z axis.
  • the stage 30 fixes the substrate 10 by, for example, a vacuum chuck.
  • FIG. 10 shows a schematic plan view of the coating station 62.
  • the stage 30 is guided by the Y direction guide 35 and moves in the y direction.
  • the substrate 10 is transferred between the stage 30 and the lifters 71 and 72 (FIG. 9). Done.
  • the imaging device 33 and the height sensor 34 are disposed above the passage path of the stage 30.
  • the imaging device 33 images the alignment mark formed on the substrate 10 held on the stage 30.
  • the control device 50 (FIG. 9) analyzes the captured image to detect the position of the substrate 10 in the x direction and the y direction and the orientation in the rotation direction.
  • the substrate 10 can be positioned by moving the stage 30 in the x direction and the rotation direction.
  • the height sensor 34 measures the height of the upper surface of the substrate 10 held on the stage 30. The presence or absence of warping of the substrate 10 can be detected from the measurement result.
  • the nozzle unit 40 is disposed above the path along which the stage 30 moves in the y direction.
  • the nozzle unit 40 has the same configuration as the nozzle unit 40 (FIG. 7) of the first embodiment.
  • a plurality of these nozzle units 40 may be arranged in the x direction.
  • the damming structure 14, the membrane element 15A, and the liquid film 16 (FIG. 4B) of Example 1 are formed.
  • a second transport roller 66 is disposed at the main curing station 63.
  • the substrate 10 processed in the coating station 62 is transported to the main curing station 63 by the transport device 64 and placed on the second transport roller 66.
  • the liquid thin film material applied to the substrate 10 spreads in the in-plane direction, and the surface of the liquid film 16 (FIG. 8I) is flattened.
  • the The lifter 72 holds the substrate 10 so as not to contact the liquid film 16.
  • the substrate 10 is held by inserting an arm under the substrate 10.
  • the second transport roller 66 transports the substrate 10 in the positive direction of the x axis.
  • a main curing light source 68 is disposed above the conveyance path of the substrate 10.
  • the main curing light source 68 irradiates the substrate 10 transported by the second transport roller 66 with light containing a wavelength component that cures the thin film material.
  • irradiation of the light 18 (FIG. 8J) for main curing in the first embodiment is performed.
  • FIG. 11 shows an example of a thin film pattern formed by the method according to the first embodiment.
  • a substrate 10 on which a thin film pattern of solder resist is to be formed is a multi-sided panel in which a plurality of printed wiring boards are attached to a single panel.
  • hatching is attached
  • a scheduled area 11 is defined for each printed wiring board.
  • the planned area 11 has, for example, a rectangular outer peripheral line 19.
  • a plurality of openings 13 in which the thin film material is not applied are distributed inside the outer peripheral line 19. Image data defining the pattern of the planned area 11 is stored in the control device 50 (FIG. 5).

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Abstract

 基板(10)の表面の、薄膜パターンを形成すべき予定領域(11)の縁(12)に沿って、尾根状の堰き止め構造(14)を形成する。堰き止め構造(14)を形成した後、予定領域(11)内に、光硬化性の液状の薄膜材料を液滴化して着弾させた後、予定領域(11)に着弾した薄膜材料に仮硬化用の光を照射して仮硬化させることにより膜要素(15A)を形成する。膜要素(15A)の上に、光硬化性の液状の薄膜材料を塗布することにより、液状膜(16)を形成する。液状膜(16)及び膜要素(15A)に、仮硬化用の光よりも光強度が強い本硬化用の光を照射して、液状膜(16)を硬化させると共に、膜要素(16)の硬化度を高める。

Description

薄膜形成方法及び薄膜形成装置
 本発明は、基板に薄膜パターンを形成する薄膜形成方法、及び薄膜形成装置に関する。
 ノズルヘッドから光硬化性の液状の薄膜材料を液滴化して基板の表面に向かって吐出させ、基板に塗布された薄膜材料を硬化させることにより薄膜パターンを形成する技術が知られている(例えば特許文献1、特許文献2)。
 このような薄膜形成技術において、例えば、基板としてプリント基板が用いられ、薄膜材料にはソルダーレジストが用いられる。プリント基板は、基材及び配線を含み、所定の位置に電子部品等がはんだ付けされる。ソルダーレジストは、電子部品等をはんだ付けする導体部分を露出させ、はんだ付けが不要な部分を覆う。全面にソルダーレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて開口を形成する方法に比べて、製造コストの低減を図ることが可能である。
特開2004-104104号公報 特開2012-86194号公報
 薄膜材料には、光硬化性(例えば、紫外線硬化性)の樹脂が用いられる。液滴化された薄膜材料が基板に着弾すると、薄膜材料が面内方向に広がる。薄膜材料が面内方向に広がると、形成すべき薄膜パターンの解像度が低下してしまう。薄膜パターンの解像度の低下を抑制するために、液滴の着弾後、速やかに薄膜材料に光を照射して硬化させることが好ましい。ところが、薄膜をベタに塗布する領域において、液滴の着弾後、速やかに薄膜材料を硬化させると、液滴の各々の形状を反映した凹凸が、薄膜の表面に残ってしまう。
 本発明の目的は、薄膜の表面に凹凸が発生しにくい薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することである。
 本発明の一観点によると、
 基板の表面の、薄膜パターンを形成すべき予定領域の縁に沿って、尾根状の堰き止め構造を形成する工程と、
 前記堰き止め構造を形成した後、前記予定領域内に、光硬化性の液状の薄膜材料を液滴化して着弾させた後、前記予定領域に着弾した薄膜材料に仮硬化用の光を照射して仮硬化させることにより膜要素を形成する工程と、
 前記膜要素の上に、光硬化性の液状の薄膜材料を塗布することにより、液状膜を形成する工程と、
 前記液状膜及び前記膜要素に、前記仮硬化用の光よりも光強度が強い本硬化用の光を照射して、前記液状膜を硬化させると共に、前記膜要素の硬化度を高める工程と
を有する薄膜形成方法が提供される。
 本発明の他の観点によると、
 基板を保持するステージと、
 前記ステージに保持された基板に対向し、前記基板に向けて光硬化性の液状の薄膜材料を液滴にして吐出する複数のノズル孔を含む複数のノズルヘッドと、
 前記ノズルヘッドから吐出されて前記基板に塗布された前記薄膜材料に仮硬化用の光を照射する複数の仮硬化用光源と、
 前記ノズルヘッド及び前記仮硬化用光源を含むノズルユニットと、前記基板との一方を他方に対して、前記基板の表面に平行な第1の方向に移動させる移動機構と、
 前記基板に、本硬化用の光を照射する本硬化用光源と、
 前記ノズルヘッド、前記仮硬化用光源、及び前記移動機構を制御する制御装置と
を有し、
 前記制御装置は、前記ノズルヘッド、前記仮硬化用光源、前記本硬化用光源、及び前記移動機構を制御して、
 前記仮硬化用光源を点灯させた状態で、基板の表面の、薄膜パターンを形成すべき予定領域の縁に沿って、前記ノズルヘッドから吐出された薄膜材料を着弾させ、着弾した薄膜材料を仮硬化させることにより堰き止め構造を形成し、
 前記堰き止め構造を形成した後、前記予定領域内に、前記ノズルヘッドから吐出された薄膜材料を着弾させ、前記予定領域に着弾した薄膜材料に仮硬化用の光を照射して仮硬化させることにより膜要素を形成し、
 前記膜要素の上に、前記ノズルヘッドから吐出された光硬化性の液状の薄膜材料を塗布することにより、液状膜を形成し、
 前記液状膜及び前記膜要素に、前記本硬化用光源から本硬化用の光を照射して、前記液状膜を硬化させると共に、前記膜要素の硬化度を高める薄膜形成装置が提供される。
 膜要素の上に液状膜を形成した後、仮硬化されることなく、本硬化されるまでの期間に、液状膜の表面の凹凸が軽減される。これにより、薄膜の表面の凹凸を低減させることができる。
図1Aは、実施例1による薄膜形成方法による薄膜形成の途中段階における基板の平面図であり、図1Bは、図1Aの一点鎖線1B-1Bにおける断面図である。 図2Aは、実施例1による薄膜形成方法による薄膜形成の途中段階における基板の平面図であり、図2Bは、図2Aの一点鎖線2B-2Bにおける断面図である。 図3Aは、実施例1による薄膜形成方法による薄膜形成の途中段階における基板の平面図であり、図3Bは、図3Aの一点鎖線3B-3Bにおける断面図である。 図4Aは、実施例1による薄膜形成方法による薄膜形成の途中段階における基板の平面図であり、図4Bは、図4Aの一点鎖線4B-4Bにおける断面図である。 図5Aは、実施例1による薄膜形成方法による薄膜形成の途中段階における基板の平面図であり、図5Bは、図5Aの一点鎖線5B-5Bにおける断面図である。 図6Aは、実施例1による薄膜形成方法で薄膜を形成するときの、薄膜の露光量の厚さ方向の分布を示すグラフであり、図6Bは、比較例による方法で薄膜を形成するときの、薄膜の露光量の厚さ方向の分布を示すグラフである。 図7は、実施例1による薄膜形成方法で薄膜を形成する薄膜形成装置の概略平面図及びブロック図である。 図8A及び図8Bは、図7に示した薄膜形成装置で薄膜を形成する方法を説明するための装置の主要部分の断面図である。 図8C及び図8Dは、図7に示した薄膜形成装置で薄膜を形成する方法を説明するための装置の主要部分の断面図である。 図8E及び図8Fは、図7に示した薄膜形成装置で薄膜を形成する方法を説明するための装置の主要部分の断面図である。 図8G及び図8Hは、図7に示した薄膜形成装置で薄膜を形成する方法を説明するための装置の主要部分の断面図である。 図8I及び図8Jは、図7に示した薄膜形成装置で薄膜を形成する方法を説明するための装置の主要部分の断面図である。 図9は、実施例2による薄膜形成装置の概略正面図である。 図10は、実施例2による薄膜形成装置の塗布ステーションの概略平面図である。 図11は、薄膜が形成された基板の平面図である。
 [実施例1]
 図1A、図1B~図5A、図5Bを参照して、実施例1による薄膜形成方法について説明する。図1A、図2A、図3A、図4A、及び図5Aは、薄膜を形成すべき対象である基板10の一部の平面図を示す。図1B、図2B、図3B、図4B、及び図5Bは、それぞれ図1A、図2A、図3A、図4A、及び図5Aの一点鎖線1B-1B、2B-2B、3B-3B、4B-4B、及び5B-5Bにおける断面図を示す。
 図1A及び図1Bに示すように、基板10の表面に、薄膜パターンを形成すべき予定領域11が画定されている。一部の予定領域11内には、薄膜パターンを形成しない開口13が含まれている。予定領域11の外周線及び開口13の外周線を、予定領域の縁12という。
 基板10は、例えば導電性の配線パターンやスルーホールが形成されたプリント基板である。予定領域11は、ソルダーレジストを塗布すべき領域に相当する。
 図2A及び図2Bに示すように、基板10の表面の予定領域11の縁12(図1A)に沿って、尾根状の堰き止め構造14を形成する。堰き止め構造14は、予定領域11の内側に塗布された液体を堰き止める。
 以下、堰き止め構造14の形成方法について説明する。基板10に、複数のノズル孔を有するノズルヘッドを対向させる。基板10をノズルヘッドに対して移動させながら、ノズルヘッドから、光硬化性の液状の薄膜材料を液滴化して吐出させ、予定領域11の縁12(図1A)に液滴を着弾させる。薄膜材料には、例えば紫外線硬化性樹脂が用いられる。また、薄膜材料には、染料または顔料等の色素が含まれている。着弾の直後に、薄膜材料に仮硬化用の光を照射することにより、薄膜材料を仮硬化させる。ここで、「仮硬化」とは、目標とする耐熱性、耐剥離性、耐薬品性等が得られていない状態までの硬化を意味する。これに対し、目標とする耐熱性、耐剥離性、耐薬品性等が得られる状態までの効果を「本硬化」という。例えば、本硬化された状態の硬化度よりも低い硬化度の状態までの硬化を仮硬化ということができる。仮硬化した膜の硬化度を高めるための本硬化処理を行なうことにより、十分な耐熱性、耐剥離性、耐薬品性を実現することができる。光硬化性樹脂の硬化度は、例えばフーリエ変換赤外分光スペクトルにより評価することができる。例えば、初期状態を硬化度0%とし、モノマーがほぼ完全に消費されて、モノマー由来の光吸収ピークの強度が0になる状態を、硬化度100%と定義することができる。なお、「本硬化」した状態が、必ずしも硬化度100%である必要はない。一例として、硬化度が80%の状態で十分な耐熱性、耐剥離性、耐薬品性が得られる場合には、硬化度が80%以上の状態を本硬化した状態と定義してもよい。
 仮硬化した薄膜材料の上に、さらに薄膜材料を塗布し、仮硬化させることにより、堰き止め構造14を高くすることができる。薄膜材料の塗布と仮硬化とを交互に繰り返すことにより、所望の高さの堰き止め構造14を形成することができる。図2Bでは、堰き止め構造14の幅は、上方に向かって狭くなっている。
 図3A及び図3Bに示すように、予定領域11内に複数の膜要素15Aを形成する。予定領域11内の基板10の表面が、積層された膜要素15Aで隈なく覆われる。
 膜要素15Aの形成方法は、堰き止め構造14の形成方法と同一である。仮硬化した薄膜材料の上に、さらに薄膜材料を塗布し、仮硬化させることにより、複数の膜要素15Aを積層することができる。液滴化された薄膜材料が基板10または仮硬化された膜要素15Aに着弾した直後に仮硬化されるため、膜要素15Aの表面は平坦化されておらず、液滴の形状を反映した凹凸が残っている。ここで、「直後」とは、基板10に着弾した複数の液滴が相互に連続して、原形を留めず、表面が平坦化された状態に至る時点よりも前であることを意味する。
 図4A及び図4Bに示すように、膜要素15Aの上に薄膜材料を塗布することにより、液状の薄膜材料からなる液状膜16を形成する。次に、液状膜16の形成方法について、説明する。基板10に、複数のノズル孔を有するノズルヘッドを対向させる。基板10をノズルヘッドに対して移動させながら、ノズルヘッドから、光硬化性の液状の薄膜材料を液滴化して吐出させ、膜要素15Aの表面に薄膜材料を着弾させる。薄膜材料の仮硬化は行わない。
 薄膜材料の仮硬化を行わないため、膜要素15Aの表面に着弾した薄膜材料の複数の液滴は、面内方向に広がり、相互に連続する。このため、個々の液滴の形状を反映した凹凸は消滅し、液状膜16の表面がほぼ平坦になる。さらに、液状の薄膜材料が予定領域11の外側まで流出しないように、堰き止め構造14が液状の薄膜材料を堰き止めている。このため、基板10の表面を露出させておくべき領域に薄膜材料が付着することを防止することができる。
 図5A及び図5Bに示すように、基板10に本硬化用の光18を照射する。本硬化用の光18の照射は、液状膜16(図4B)の表面が、薄膜材料の液滴の形状を反映した凹凸形状を留めない程度まで平坦化された後に行われる。本硬化用の光18の、基板10の表面における光強度(パワー密度)は、堰き止め構造14(図2A、図2B)及び膜要素15A(図3A、図3B)を形成するときに用いた仮硬化用の光の、基板10の表面における光強度より強い。
 本硬化用の光18を照射することにより、液状膜16(図4B)が硬化して、最上層の膜要素16Aが形成される。最上層の膜要素16Aの表面は平坦である。下層の膜要素15Aと最上層の膜要素16Aとで、薄膜20が構成される。薄膜20の形成途中段階では、膜要素15Aの表面に凹凸が現れているが、最終的に形成される薄膜20の表面は、ほぼ平坦になる。このため、薄膜20の意匠的効果を高めることができる。
 図6A及び図6Bを参照して、実施例1による薄膜形成方法のその他の効果について説明する。
 図6Aに、実施例1による方法で形成された薄膜20の断面図、及び厚さ方向に関する露光量の分布の一例を示す。露光量の分布を示すグラフの横軸は露光量を表し、縦軸は深さ方向の位置を表す。破線E1~E7は、それぞれ1層目~7層目の膜要素15Aを形成するときの仮硬化用の光による露光量の分布を示し、破線Efは、本硬化用の光18(図5B)による露光量の分布を示す。実線Etは、仮硬化用の光、及び本硬化用の光18による露光量の合計の分布を示す。
 図6Bに、比較例による方法で形成された薄膜20の断面図、及び厚さ方向に関する露光量の分布の一例を示す。比較例では、液状の薄膜材料の仮硬化が行われず、所望の厚さの液状膜を形成した後、本硬化を行う。実線Etは、薄膜20の露光量の分布を示す。この分布は、図6Aにおいて破線Efで表された本硬化用の光18による露光量の分布と等しい。
 比較例による薄膜形成方法では、薄膜20内で本硬化用の光が減衰するため、深部において露光不足が生じやすい。特に、薄膜材料が染料や顔料等の色素を含んでいる場合、光の減衰が大きくなり、露光不足が生じやすい。露光不足が生じると、硬化度が不十分になり、薄膜20の剥離が生じやすくなる。これに対し、実施例1による方法では、薄膜20の深部に位置する膜要素15Aが個別に仮硬化されるため、薄膜20の深部においても、十分な硬化度を確保することができる。これにより、薄膜20の剥離を防止することができる。
 図7に、実施例1による薄膜形成装置の概略平面図及びブロック図を示す。実施例1による薄膜形成装置は、上述の実施例1による薄膜形成方法を適用した薄膜の形成に用いることができる。
 ステージ30の上に基板10が保持されている。ステージ30の基板保持面に平行な面をxy面とするxyz直交座標系を定義する。移動機構31が、制御装置50からの制御を受けて、ステージ30をx方向及びy方向に移動させる。ステージ30と共に、基板10がx方向及びy方向に移動する。なお、ステージ30として、空気浮上式ステージ、超音波浮上式ステージ等を用いてもよい。この場合には、移動機構31により、基板10がステージ30に対してx方向及びy方向に移動する。
 ステージ30の上方にノズルユニット40が配置されている。ノズルユニット40は、複数、例えば8個のノズルヘッド41、及び複数の仮硬化用光源43を含む。ノズルヘッド41の各々は、基板10に対向する複数のノズル孔を有し、制御装置50からの制御を受けて、ノズル孔から基板10に向かって、染料または顔料等の色素を含む薄膜材料を液滴化して吐出する。
 ノズルヘッド41の各々のノズル孔は、x方向に等間隔で配列している。また、複数のノズルヘッド41は、y方向に配列している。複数のノズルヘッド41の各々を、y軸の正の方向に向かって1から順番に付した通し番号#1~#8で識別することとする。相互に隣り合う2つのノズルヘッド41の間に、仮硬化用光源43が配置されている。さらに、通し番号#1のノズルヘッド41よりもy軸の負の側、及び通し番号#8のノズルヘッド41よりもy軸の正の側にも、それぞれ仮硬化用光源43が配置されている。すなわち、1つのノズルヘッド41に着目すると、ノズルヘッド41の、y軸の正の側及び負の側に、それぞれ仮硬化用光源43が配置されている。仮硬化用光源43は、基板10の表面に仮硬化用の光、例えば紫外線を照射する。
 基板10をy軸の正の方向または負の方向に移動させながら、ノズルヘッド41から薄膜材料を吐出することにより、基板10に薄膜材料を塗布することができる。基板10をy軸の正の方向に移動させる場合、あるノズルヘッド41から吐出されて基板10に塗布された薄膜材料に、当該ノズルヘッド41の、y軸の正の側(基板10の移動方向の下流側)に配置された仮硬化用光源43から放射された仮硬化用の光が照射される。これにより、基板10に塗布された薄膜材料を仮硬化させることができる。仮硬化用光源43を消灯させておけば、薄膜材料を仮硬化させないことも可能である。
 制御装置50に、形成すべき薄膜のパターンを定義するイメージデータが記憶されている。制御装置50が、このイメージデータに基づいて、移動機構31及びノズルヘッド41を制御することにより、所望のパターンを有する薄膜を形成することができる。
 図8A~図8Jを参照して、実施例1による薄膜形成装置を用いて薄膜を形成する方法について説明する。図8A~図8Jは、図7の一点鎖線8-8における断面図を示している。図8A~図8Jにおいては、基板10をy軸の正の方向に移動させながら、薄膜を形成する例を示す。以下、y軸の正の側を「下流側」といい、負の側を「上流側」という。
 堰き止め構造14(図2A、図2B)を形成するときには、通し番号#1~#8のノズルヘッド41の各々の下流側の仮硬化用光源43を点灯させておく。通し番号#1のノズルヘッド41の上流側の仮硬化用光源43は、点灯させておく必要はない。
 図8Aから図8Fまでの工程で、堰き止め構造14(図2A、図2B)が形成される。図8Aに示すように、基板10をy軸の正の方向に移動させながら、通し番号#1のノズルヘッド41から薄膜材料を液滴化して吐出させ、予定領域11の縁12(図1A、図1B)に薄膜材料の液滴を着弾させる。これにより基板10の上に、薄膜材料からなる液状膜17が形成される。
 図8Bに示すように、通し番号#1のノズルヘッド41の下流側に隣接する仮硬化用光源43の下方を、液状膜17(図8A)が通過するときに、液状膜17に仮硬化用の光21が照射される。その結果、液状膜17が仮硬化して堰き止め構造14(図2B)の一部分となる堰き止め要素17Aが形成される。
 図8Cに示すように、堰き止め要素17Aが通し番号#2のノズルヘッド41の下方を通過するときに、通し番号#2のノズルヘッド41から吐出された薄膜材料が堰き止め要素17Aの上に塗布される。これにより、1層目の堰き止め要素17Aの上に、2層目の液状膜17が形成される。
 図8Dに示すように、2層目の液状膜17(図8C)が通し番号#2の下流側に隣接する仮硬化用光源43の下方を通過するときに、液状膜17が仮硬化されて2層目の堰き止め要素17Aが形成される。堰き止め要素17Aが形成されている位置よりも上流側に位置する予定領域11の縁12(図1A)が通し番号#1のノズルヘッド41の下方を通過するときに、通し番号#1のノズルヘッド41から吐出された薄膜材料により、1層目の液状膜17が形成される。
 図8Eに示すように、堰き止め要素17Aがノズルヘッド41の下方を通過するごとに、堰き止め要素17Aの上に液状膜17が形成される。液状膜17が仮硬化用光源43の下方を通過するごとに、液状膜17が仮硬化されて堰き止め要素17Aが形成される。
 図8Fに示すように、予定領域11の縁12(図1A)が、通し番号#8のノズルヘッド41の下流側に隣接する仮硬化用光源43の下方を通過すると、複数の堰き止め要素17Aが積み重ねられた堰き止め構造14が完成する。
 図8Gから図8Iまでの工程で、膜要素15A(図3A、図3B)、及び液状膜16(図4A、図4B)が形成される。膜要素15A及び液状膜16の形成も、基板10をy軸の正の方向に移動させながら行われる。通し番号#8の下流側の仮硬化用光源43は消灯の状態にされている。なお、図7に示したように、ノズルヘッド41及び仮硬化用光源43の、y軸の正の方向に向かう配列順序は、y軸の負の方向に向かう配列順序と等価であるため、基板10をy軸の負の方向に移動させながら、膜要素15A及び液状膜16を形成することも可能である。
 図8Gに示すように、堰き止め構造14で囲まれた予定領域11内に、膜要素15Aを形成する。膜要素15Aの形成は、図8A~図8Eに示した堰き止め要素17Aの形成方法と同一である。堰き止め要素17Aを形成するときには、予定領域11の縁12(図1A)に、液滴化した薄膜材料を着弾させたが、膜要素15Aを形成するときには、予定領域11(図1A)内に、液滴化した薄膜材料を着弾させる。
 通し番号#1から#7までのノズルヘッド41によって塗布された薄膜材料からなる液状膜15を仮硬化させることにより、7層の膜要素15Aが形成される。この工程は、図3A、図3Bに示した膜要素15Aを形成する工程に相当する。
 図8Hに示すように、膜要素15Aが通し番号#8のノズルヘッド41の下方を通過するときに、通し番号#8のノズルヘッド41から吐出された薄膜材料により、膜要素15Aの上に液状膜16が形成される。この工程は、図4A、図4Bに示した液状膜16を形成する工程に相当する。
 図8Iに示すように、通し番号#8の下流側に隣接する仮硬化用光源43が点灯されていないため、液状膜16は仮硬化されず、液状のままである。
 図8Jに示すように、基板10をステージ30から搬出し、本硬化用光源68の下方に配置する。液状膜16(図8I)に本硬化用の光18を照射することにより、液状膜16(図8I)を硬化させると共に、膜要素15Aの硬化度を高める。これにより、薄膜20が形成される。
 実施例1では、通し番号#1~#7のノズルヘッド41により膜要素15Aを形成し、通し番号#8のノズルヘッド41により液状膜16(図8H)を形成した。これにより、7層の膜要素15Aが形成された。膜要素15Aの層数は、7層に限らず、6層以下にしてもよい。例えば、通し番号#1~#6のノズルヘッド41により、6層の膜要素15Aを形成し、通し番号#7及び#8のノズルヘッド41により、液状膜16を形成してもよい。この場合には、通し番号#7及び#8のノズルヘッド41の各々の下流側に隣接する仮硬化用光源43を消灯状態にしておけばよい。
 [実施例2]
 図9に、実施例2による薄膜形成装置の概略正面図を示す。実施例2による薄膜形成装置は、搬入ステーション60、仮位置決めステーション61、塗布ステーション62、本硬化ステーション63、及び搬送装置64を含む。水平面をxy面とし、鉛直上方をz軸の正の向きとするxyz直交座標を定義する。搬入ステーション60、仮位置決めステーション61、塗布ステーション62、及び本硬化ステーション63が、x軸の正の向きに向かってこの順番に配置されている。制御装置50が、搬入ステーション60、仮位置決めステーション61、塗布ステーション62、本硬化ステーション63内の各装置、及び搬送装置64を制御する。制御装置50は、基板10に形成すべき薄膜パターンの平面形状を定義するイメージデータを記憶している。
 第1の搬送ローラ65が、処理対象の基板10を搬入ステーション60から仮位置決めステーション61まで、x軸の正の向きに搬送する。第1の搬送ローラ65で搬送されている基板10の先端がストッパ67に接触することにより、搬送方向に関して基板10の粗い位置決めが行われる。
 搬送装置64が、仮位置決めステーション61から塗布ステーション62まで、及び塗布ステーション62から本硬化ステーション63まで基板10を搬送する。搬送装置64は、ガイド70、及び2台のリフタ71、72を含む。リフタ71、72がガイド70に案内されて、x方向に移動する。一方のリフタ71は、仮位置決めステーション61から塗布ステーション62まで基板10を搬送し、他方のリフタ72は、塗布ステーション62から本硬化ステーション63まで基板10を搬送する。
 塗布ステーション62は、定盤32、移動機構31、及びステージ30を含む。定盤32の上に、移動機構31を介してステージ30が支持されている。移動機構31は、制御装置50からの制御を受けて、ステージ30をx方向及びy方向に移動させるとともに、z軸に平行な直線を回転中心として回転方向の姿勢を変化させる。ステージ30は、例えば真空チャックにより基板10を固定する。
 図10に、塗布ステーション62の概略平面図を示す。ステージ30がY方向ガイド35に案内されてy方向に移動する。ステージ30が、y方向の可動範囲の負側の端部(ガイド70側の端部)に位置するときに、ステージ30と、リフタ71、72(図9)との間で基板10の受け渡しが行われる。
 ステージ30の通過経路の上方に撮像装置33及び高さセンサ34が配置されている。撮像装置33は、ステージ30に保持されている基板10に形成されたアライメントマークを撮像する。制御装置50(図9)が、撮像された画像の解析を行うことにより、基板10のx方向及びy方向の位置、及び回転方向の姿勢が検出される。ステージ30をx方向及び回転方向に移動させることにより、基板10の位置決めを行うことができる。
 高さセンサ34が、ステージ30に保持されている基板10の上面の高さを計測する。計測結果により、基板10の反りの有無を検出することができる。
 ステージ30がy方向に移動する経路の上方に、ノズルユニット40が配置されている。ノズルユニット40は、実施例1のノズルユニット40(図7)と同一の構成を有する。なお、これらのノズルユニット40を、x方向に複数個並べて配置してもよい。塗布ステーション62では、例えば実施例1の堰き止め構造14、膜要素15A、及び液状膜16(図4B)が形成される。
 図9に戻って、本硬化ステーション63の構成について説明する。本硬化ステーション63に、第2の搬送ローラ66が配置されている。塗布ステーション62で処理された基板10が、搬送装置64により本硬化ステーション63まで搬送され、第2の搬送ローラ66の上に載せられる。基板10が塗布ステーション62から本硬化ステーション63に搬送されるまでの期間に、基板10に塗布された液状の薄膜材料が面内方向に広がり、液状膜16(図8I)の表面が平坦化される。リフタ72は、液状膜16に接触しないように、基板10を保持する。例えば、基板10の下にアームを挿入することにより、基板10を保持する。
 第2の搬送ローラ66は、基板10をx軸の正の方向に搬送する。基板10の搬送経路の上方に、本硬化用光源68が配置されている。本硬化用光源68は、第2の搬送ローラ66によって搬送されている基板10に、薄膜材料を硬化させる波長成分を含む光を照射する。本硬化ステーション63では、実施例1の本硬化用の光18(図8J)の照射が行われる。
 図11に、実施例1による方法で形成する薄膜パターンの一例を示す。ソルダーレジストの薄膜パターンを形成すべき基板10は、複数のプリント配線板が1枚のパネルに面付けされた多面取りパネルである。図11において、薄膜材料を塗布すべき予定領域11にハッチングが付されている。プリント配線板ごとに、予定領域11が画定されている。予定領域11は、例えば、長方形の外周線19を有する。外周線19の内側に、薄膜材料を塗布しない複数の開口13が分布している。予定領域11のパターンを定義するイメージデータが、制御装置50(図5)に記憶されている。
 実施例1による方法を適用することにより、表面が平坦で、かつ剥離しにくい薄膜パターンを形成することができる。
 以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
10 基板
11 薄膜パターンを形成すべき予定領域
12 予定領域の縁
13 開口
14 堰き止め構造
15 液状膜
15A 膜要素
16 液状膜
16A 最上層の膜要素
17 液状膜
17A 堰き止め要素
18 本硬化用の光
19 外周線
20 薄膜
21 仮硬化用の光
30 ステージ
31 移動機構
32 定盤
33 撮像装置
34 高さセンサ
35 Y方向ガイド
40 ノズルユニット
41 ノズルヘッド
43 仮硬化用光源
50 制御装置
60 搬入ステーション
61 仮位置決めステーション
62 塗布ステーション
63 本硬化ステーション
64 搬送装置
65 第1の搬送ローラ
66 第2の搬送ローラ
67 ストッパ
68 本硬化用光源
70 ガイド
71、72 リフタ

Claims (7)

  1.  基板の表面の、薄膜パターンを形成すべき予定領域の縁に沿って、尾根状の堰き止め構造を形成する工程と、
     前記堰き止め構造を形成した後、前記予定領域内に、光硬化性の液状の薄膜材料を液滴化して着弾させた後、前記予定領域に着弾した薄膜材料に仮硬化用の光を照射して仮硬化させることにより膜要素を形成する工程と、
     前記膜要素の上に、光硬化性の液状の薄膜材料を塗布することにより、液状膜を形成する工程と、
     前記液状膜及び前記膜要素に、前記仮硬化用の光よりも光強度が強い本硬化用の光を照射して、前記液状膜を硬化させると共に、前記膜要素の硬化度を高める工程と
    を有する薄膜形成方法。
  2.  前記液状膜を形成する薄膜材料は、染料または顔料を含んでいる請求項1に記載の薄膜形成方法。
  3.  前記液状膜を形成する工程において、前記堰き止め構造が、前記膜要素の上に塗布された液状の薄膜材料を堰き止めている請求項1または2に記載の薄膜形成方法。
  4.  前記液状膜を形成する工程において、薄膜材料を液滴化して前記膜要素の表面に着弾させることにより前記液状膜を形成し、
     前記液状膜への前記本硬化用の光の照射は、前記液状膜の表面が、薄膜材料の液滴の形状を反映した凹凸形状を留めない程度まで平坦化された後に行われる請求項1または2に記載の薄膜形成方法。
  5.  基板を保持するステージと、
     前記ステージに保持された前記基板に対向し、前記基板に向けて光硬化性の液状の薄膜材料を液滴にして吐出する複数のノズル孔を含む複数のノズルヘッドと、
     前記ノズルヘッドから吐出されて前記基板に塗布された前記薄膜材料に仮硬化用の光を照射する複数の仮硬化用光源と、
     前記ノズルヘッド及び前記仮硬化用光源を含むノズルユニットと、前記基板との一方を他方に対して、前記基板の表面に平行な第1の方向に移動させる移動機構と、
     前記基板に、本硬化用の光を照射する本硬化用光源と、
     前記ノズルヘッド、前記仮硬化用光源、及び前記移動機構を制御する制御装置と
    を有し、
     前記制御装置は、前記ノズルヘッド、前記仮硬化用光源、前記本硬化用光源、及び前記移動機構を制御して、
     前記仮硬化用光源を点灯させた状態で、前記基板の表面の、薄膜パターンを形成すべき予定領域の縁に沿って、前記ノズルヘッドから吐出された前記薄膜材料を着弾させ、着弾した前記薄膜材料を仮硬化させることにより堰き止め構造を形成し、
     前記堰き止め構造を形成した後、前記予定領域内に、前記ノズルヘッドから吐出された前記薄膜材料を着弾させ、前記予定領域に着弾した前記薄膜材料に仮硬化用の光を照射して仮硬化させることにより膜要素を形成し、
     前記膜要素の上に、前記ノズルヘッドから吐出された光硬化性の液状の前記薄膜材料を塗布することにより、液状膜を形成し、
     前記液状膜及び前記膜要素に、前記本硬化用光源から本硬化用の光を照射して、前記液状膜を硬化させると共に、前記膜要素の硬化度を高める薄膜形成装置。
  6.  前記ノズルヘッドから吐出される前記薄膜材料は、染料または顔料を含んでいる請求項5に記載の薄膜形成装置。
  7.  前記堰き止め構造は、前記液状膜を形成する液状の前記薄膜材料の、前記予定領域の内側から外側への流出を防止する高さを有する請求項5または6に記載の薄膜形成装置。
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