TWI564091B - Film forming method and thin film forming apparatus - Google Patents
Film forming method and thin film forming apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TWI564091B TWI564091B TW103120346A TW103120346A TWI564091B TW I564091 B TWI564091 B TW I564091B TW 103120346 A TW103120346 A TW 103120346A TW 103120346 A TW103120346 A TW 103120346A TW I564091 B TWI564091 B TW I564091B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- forming
- liquid
- liquid film
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/013—Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Ink Jet (AREA)
Description
本發明係關於在基板上形成薄膜圖案之薄膜形成方法及薄膜形成裝置。
已知有如下技術,亦即,使光硬化性之液狀薄膜材料成為液滴之後,從噴嘴頭朝向基板的表面吐出,然後使塗佈於基板之薄膜材料硬化,藉此形成薄膜圖案(例如,專利文獻1、專利文獻2)。
在此種薄膜形成技術中,例如,使用印刷基板作為基板,使用阻焊層作為薄膜材料。印刷基板,係包括基材以及配線,並且在規定位置焊接有電子組件等。阻焊層,係用以使焊接電子組件等之導體部分露出,並覆蓋無需焊接之部分。相較於對整個表面塗佈阻焊層之後再利用光蝕刻技術而形成開口之方法,可實現製造成本的降低。
專利文獻1:日本特開2004-104104號公報
專利文獻2:日本特開2012-86194號公報
作為薄膜材料,係使用光硬化性(例如,紫外線硬化性)樹脂。若成為液滴之薄膜材料彈著於基板時,則薄膜材料向面內方向擴散。若薄膜材料向面內方向擴散,則會導致所要形成薄膜圖案的分辨率降低。為了抑制薄膜圖案的分辨率降低,以在液滴彈著之後,迅速對薄膜材料照射光以使其硬化為佳。然而,在塗滿薄膜之區域,液滴彈著之後,若迅速使薄膜材料硬化,則會導致反映液滴的各種形狀之凹凸殘留在薄膜的表面。
本發明的目的,在於提供一種於薄膜表面不易產生凹凸之薄膜形成方法以及薄膜形成裝置。
依本發明的一個觀點,為提供一種薄膜形成方法,其中,具有:沿基板表面之所要形成薄膜圖案之預定區域的邊緣,形成山脊狀擋堰構造之製程;在形成前述擋堰構造之後,使光硬化性之液狀薄膜材料成為液滴之後彈著於前述預定區域內,然後,對彈著於前述預定區域之薄膜材料照射臨時硬化用光以使其臨時硬化,從而形成膜元件之製程;藉由在前述膜元件上塗佈光硬化性之液狀薄膜材料而
形成液狀膜之製程;以及對前述液狀膜以及前述膜元件,照射光強度比前述臨時硬化用光更強的正式硬化用光,以使前述液狀膜硬化,並且提高前述膜元件的硬化度之製程。
依本發明的另一觀點,為提供一種薄膜形成裝置,其中,具有:保持基板的載物台;複數個噴嘴頭,係與保持在前述載物台上之基板相對向,並且包含有:使光硬化性之液狀薄膜材料成為液滴後朝向前述基板吐出的複數個噴嘴孔;複數個臨時硬化用光源,係對從前述噴嘴頭吐出後並塗佈於前述基板之前述薄膜材料照射臨時硬化用光;移動機構,係使包含前述噴嘴頭以及前述臨時硬化用光源之噴嘴單元、與前述基板中的一方,相對於另一方,朝向平行於前述基板表面的第1方向進行移動;正式硬化用光源,係對前述基板照射正式硬化用光;以及控制裝置,係控制前述噴嘴頭、前述臨時硬化用光源、以及前述移動機構,前述控制裝置,係控制前述噴嘴頭、前述臨時硬化用光源、前述正式硬化用光源、以及前述移動機構,在前述臨時硬化用光源點亮之狀態下,藉由使從前述噴嘴頭吐出之薄膜材料彈著於:沿著基板表面之所要形成薄膜圖案之預定區域的邊緣,並使彈著後之薄膜材料臨時
硬化,從而形成擋堰構造,在形成前述擋堰構造之後,使從前述噴嘴頭吐出之薄膜材料彈著於前述預定區域內,對彈著於前述預定區域之薄膜材料照射臨時硬化用光以使其臨時硬化,從而形成膜元件,藉由將從前述噴嘴頭吐出之光硬化性之液狀薄膜材料塗佈在前述膜元件上而形成液狀膜,對前述液狀膜及前述膜元件,照射來自前述正式硬化用光源之正式硬化用光,以使前述液狀膜硬化,並且提高前述膜元件的硬化度。
在膜元件上形成液狀膜之後,不會被臨時硬化,而直至正式硬化期間,液狀膜表面的凹凸減少。藉此,能夠減少薄膜表面的凹凸。
10‧‧‧基板
11‧‧‧所要形成薄膜圖案之預定區域
12‧‧‧預定區域的邊緣
13‧‧‧開口
14‧‧‧擋堰構造
15‧‧‧液狀膜
15A‧‧‧膜元件
16‧‧‧液狀膜
16A‧‧‧最上層膜元件
17‧‧‧液狀膜
17A‧‧‧擋堰元件
18‧‧‧正式硬化用光
19‧‧‧外周線
20‧‧‧薄膜
21‧‧‧臨時硬化用光
30‧‧‧載物台
31‧‧‧移動機構
32‧‧‧平台
33‧‧‧攝像裝置
34‧‧‧高度感測器
35‧‧‧Y方向導件
40‧‧‧噴嘴單元
41‧‧‧噴嘴頭
43‧‧‧臨時硬化用光源
50‧‧‧控制裝置
60‧‧‧搬入站
61‧‧‧臨時定位站
62‧‧‧塗佈站
63‧‧‧正式硬化站
64‧‧‧搬送裝置
65‧‧‧第1搬送輥
66‧‧‧第2搬送輥
67‧‧‧擋塊
68‧‧‧正式硬化用光源
70‧‧‧導件
71、72‧‧‧升降機
第1圖A係根據實施例1之薄膜形成方法,在薄膜形成中途階段中之基板的俯視圖;第1圖B係第1圖A的一點鏈線1B-1B之剖面圖。
第2圖A係根據實施例1之薄膜形成方法,在薄膜形成中途階段中之基板的俯視圖;第2圖B係第2圖A的一點鏈線2B-2B之剖面圖。
第3圖A係根據實施例1之薄膜形成方法,在薄膜形
成中途階段中之基板的俯視圖;第3圖B係第3圖A的一點鏈線3B-3B之剖面圖。
第4圖A係根據實施例1之薄膜形成方法,在薄膜形成中途階段中之基板的俯視圖;第4圖B係第4圖A的一點鏈線4B-4B之剖面圖。
第5圖A係根據實施例1之薄膜形成方法,在薄膜形成中途階段中之基板的俯視圖;第5圖B係第5圖A的一點鏈線5B-5B之剖面圖。
第6圖A係利用根據實施例1之薄膜形成方法來形成薄膜時,用以表示薄膜的曝光量在厚度方向的分佈之曲線圖;第6圖B係利用根據比較例之方法來形成薄膜時,用以表示薄膜的曝光量在厚度方向的分佈之曲線圖。
第7圖係利用根據實施例1之薄膜形成方法來形成薄膜之薄膜形成裝置的概略俯視圖及方塊圖。
第8圖A及第8圖B係用以說明利用第7圖所示薄膜形成裝置來形成薄膜之方法之該裝置的主要部分的剖面圖。
第8圖C及第8圖D係用以說明利用第7圖所示薄膜形成裝置來形成薄膜之方法之該裝置的主要部分的剖面圖。
第8圖E及第8圖F係用以說明利用第7圖所示薄膜形成裝置來形成薄膜之方法之該裝置的主要部分的剖面圖。
第8圖G及第8圖H係用以說明利用第7圖所示薄
膜形成裝置來形成薄膜之方法之該裝置的主要部分的剖面圖。
第8圖I及第8圖J係用以說明利用第7圖所示薄膜形成裝置來形成薄膜之方法之該裝置的主要部分的剖面圖。
第9圖係根據實施例2之薄膜形成裝置的概略前視圖。
第10圖係根據實施例2之薄膜形成裝置的塗佈工作站的概略俯視圖。
第11圖係形成有薄膜之基板的俯視圖。
以下,參閱第1圖A、第1圖B~第5圖A、第5圖B,對根據實施例1之薄膜形成方法進行說明。第1圖A、第2圖A、第3圖A、第4圖A及第5圖A表示所要形成薄膜之對象之基板10的局部的俯視圖。第1圖B、第2圖B、第3圖B、第4圖B及第5圖B分別表示第1圖A、第2圖A、第3圖A、第4圖A及第5圖A的一點鏈線1B-1B、2B-2B、3B-3B、4B-4B及5B-5B中之剖面圖。
如第1圖A及第1圖B所示,在基板10的表面劃定出所要形成薄膜圖案之預定區域11。在局部的預定區域11內包括不形成薄膜圖形之開口13。將預定區域11的外
周線以及開口13的外周線稱作預定區域的邊緣12。
基板10為例如形成有導電性配線圖案或貫通孔之印刷基板。預定區域11相當於所要塗佈阻焊層之區域。
如第2圖A及第2圖B所示,沿基板10的表面的預定區域11的邊緣12(第1圖A)形成山脊狀擋堰構造14。擋堰構造14阻擋塗佈於預定區域11的內側之液體。
以下,針對擋堰構造14的形成方法進行說明。使基板10對置於具有複數個噴嘴孔之噴嘴頭。一邊使基板10相對於噴嘴頭移動,一邊使光硬化性液狀薄膜材料成為液滴之後從噴嘴頭吐出,使液滴彈著於預定區域11的邊緣12(第1圖A)。薄膜材料使用的是例如紫外線硬化性樹脂。並且,薄膜材料中含有染料或顏料等色素。在剛彈著之後,藉由對薄膜材料照射臨時硬化用光而使薄膜材料臨時硬化。在此,“臨時硬化”是指尚未獲得最後目標之耐熱性、耐剝離性、耐藥性等狀態下的硬化。相對於此,將最後可獲得目標耐熱性、耐剝離性、耐藥性等狀態為止的效果稱作“正式硬化”。例如,可將硬化度比正式硬化後之狀態下的硬化度還低之狀態下的硬化稱作臨時硬化。藉由進行正式硬化處理來提高臨時硬化後之膜的硬化度,而能夠實現充分的耐熱性、耐剝離性、以及耐藥性。例如,能夠藉由傅立葉變換紅外線分光光譜來評價光硬化性樹脂的硬化度。例如,可以以初始狀態的硬化度設為0%,並以單體幾乎完全消費掉,由單體所形成的光吸收峰值的強度成為0之狀態定義為硬化度100%。另外,“正式硬化”後之
狀態,並不需要一定得為硬化度100%。作為其一例,在硬化度為80%的狀態下可獲得充分的耐熱性、耐剝離性、及耐藥性之情況下,亦可將硬化度為80%以上的狀態定義為正式硬化狀態。
在臨時硬化之薄膜材料上,進一步塗佈薄膜材料,以使其臨時硬化,藉此能夠增高擋堰構造14。藉由交替重複進行薄膜材料的塗佈與臨時硬化,能夠形成所希望之高度的擋堰構造14。在第2圖B中,擋堰構造14的寬度為趨向上方逐漸變窄。
如第3圖A及第3圖B所示,在預定區域11內形成複數個膜元件15A。預定區域11內的基板10的表面完全被所層疊之膜元件15A覆蓋。
膜元件15A的形成方法,是與擋堰構造14的形成方法相同。在臨時硬化之薄膜材料上,進一步塗佈薄膜材料以使其臨時硬化,藉此能夠層疊複數個膜元件15A。由於成為液滴後之薄膜材料彈著於基板10或臨時硬化之膜元件15A隨後立即使之臨時硬化,所以膜元件15A的表面並未被平坦化,而殘留有反映出液滴形狀之凹凸。在此,“隨後立即”是指彈著於基板10之複數個液滴相互連續,在沒有保留住原形,直至表面成為平坦之狀態的時刻之前。
如第4圖A及第4圖B所示,藉由在膜元件15A上塗佈薄膜材料,形成由液狀薄膜材料構成之液狀膜16。其次,對於液狀膜16的形成方法進行說明。使具有複數
個噴嘴孔之噴嘴頭與基板10相對向。一邊使基板10相對於噴嘴頭移動,一邊使光硬化性之液狀薄膜材料成為液滴之後從噴嘴頭吐出,並使薄膜材料彈著於膜元件15A的表面。未進行薄膜材料的臨時硬化。
由於薄膜材料不進行臨時硬化,因此彈著於膜元件15A的表面之薄膜材料的複數個液滴向面內方向擴散並相互連續。因此反映出各個液滴形狀之凹凸消失,液狀膜16的表面變得幾乎平坦。另外,擋堰構造14阻擋液狀薄膜材料,以使液狀薄膜材料不會流出至預定區域11的外側。因此,能夠防止薄膜材料附著到事先要使基板10的表面露出之區域。
如第5圖A及第5圖B所示,將正式硬化用光18照射於基板10。正式硬化用光18的照射,是在液狀膜16(第4圖B)的表面平坦化到直至沒有保留住反映薄膜材料的液滴形狀之凹凸形狀的程度之後才進行。正式硬化用光18在基板10的表面上之光強度(功率密度),是比形成擋堰構造14(第2圖A、第2圖B)及膜元件15A(第3圖A、第3圖B)時所使用之臨時硬化用光在基板10的表面上之光強度還強。
藉由照射正式硬化用光18,使液狀膜16(第4圖B)硬化而形成最上層的膜元件16A。最上層的膜元件16A的表面為平坦。由下層的膜元件15A和最上層的膜元件16A構成薄膜20。在薄膜20的形成中途階段,雖在膜元件15A的表面出現凹凸,但最終形成之薄膜20的表面
變得幾乎平坦。因此能夠提高薄膜20的設計效果。
參閱第6圖A及第6圖B,對根據實施例1之薄膜形成方法及其他效果進行說明。
於第6圖A,是表示根據實施例1之方法形成之薄膜20的剖面圖,以及有關厚度方向之曝光量的分佈的一例。表示曝光量的分佈之曲線圖的橫軸是表示曝光量,縱軸是表示深度方向的位置。虛線E1~E7是分別表示形成第1層~第7層的膜元件15A時由臨時硬化用光所形成之曝光量的分佈,虛線Ef是表示由正式硬化用光18(第5圖B)所形成之曝光量的分佈。實線Et是表示由臨時硬化用光及正式硬化用光18所形成之曝光量的總計分佈。
於第6圖B,是表示根據比較例之方法所形成之薄膜20的剖面圖、以及有關厚度方向之曝光量的分佈的一例。在比較例中,是未進行液狀薄膜材料的臨時硬化,而形成所希望厚度的液狀膜之後進行正式硬化。實線Et是表示薄膜20的曝光量的分佈。該分佈是與由第6圖A中以虛線Ef表示之正式硬化用光18之曝光量的分佈相等。
在依比較例所實施之薄膜形成方法中,由於在薄膜20內正式硬化用光衰減,因此在深部容易產生曝光不足。尤其,在薄膜材料含有染料或顏料等色素之情況下,光的衰減變大,且容易產生曝光不足。若產生曝光不足,則硬化度變得不充份,容易產生薄膜20的剝離。相對於此,在依實施例1所實施之方法中,由於位於薄膜20的深部位置之膜元件15A個別地被臨時硬化,因此在薄膜
20的深部亦能夠確保充分的硬化度。藉此,能夠防止薄膜20的剝離。
於第7圖,是表示根據實施例1之薄膜形成裝置的概略俯視圖及方塊圖。根據實施例1之薄膜形成裝置,是可以被使用在:應用根據上述實施例1之薄膜形成方法之薄膜的形成上。
在載物台30上保持有基板10。以平行於載物台30的基板保持面之面作為xy面來定義xyz直角坐標系。移動機構31接受來自控制裝置50的控制,使載物台30向x方向及y方向移動。基板10與載物台30一起向x方向及y方向移動。另外,作為載物台30,亦可使用空氣懸浮式載物台、超音波懸浮式載物台等。在此情況下,藉由移動機構31,使基板10相對於載物台30向x方向及y方向移動。
在載物台30的上方配置有噴嘴單元40。噴嘴單元40包含複數個例如8個噴嘴頭41以及複數個臨時硬化用光源43。各噴嘴頭41具有與基板10相對向之複數個噴嘴孔,並接受來自控制裝置50的控制,使含有染料或顏料等色素之薄膜材料成為液滴之後,從噴嘴孔朝向基板10吐出。
噴嘴頭41的各噴嘴孔,係在x方向上等間隔地排列。並且,複數個噴嘴頭41在y方向上排列。以朝向y軸的正方向從1依序標示之序列號#1~#8來識別複數個噴嘴頭41中的各個。在彼此相鄰之2個噴嘴頭41之間,
配置有臨時硬化用光源43。另外,在比序列號#1的噴嘴頭41更靠近y軸的負側、以及比序列號#8的噴嘴頭41更靠近y軸的正側,亦分別配置有臨時硬化用光源43。亦即,當著眼於1個噴嘴頭41時,在噴嘴頭41的y軸的正側及負側分別配置有臨時硬化用光源43。臨時硬化用光源43對基板10的表面照射臨時硬化用光,例如照射紫外線。
藉由一邊使基板10向y軸的正方向或負方向移動,一邊從噴嘴頭41吐出薄膜材料,而能夠將薄膜材料塗佈於基板10。在使基板10向y軸的正方向移動之情況下,對於從某一噴嘴頭41吐出並塗佈於基板10之薄膜材料,使從配置在該噴嘴頭41的y軸的正側(基板10的移動方向的下游側)之臨時硬化用光源43所射出的臨時硬化用光照射於該薄膜材料。藉此,能夠使塗佈於基板10之薄膜材料臨時硬化。若事先予以關閉臨時硬化用光源43,則亦可使薄膜材料不進行臨時硬化。
於控制裝置50,係記憶有定義所要形成薄膜圖案之圖像資料。控制裝置50,是根據該圖像資料來控制移動機構31及噴嘴頭41,藉此能夠形成具有所希望之圖案的薄膜。
參閱第8圖A~第8圖J,對使用根據實施例1之薄膜形成裝置來形成薄膜之方法進行說明。第8圖A~第8圖J是表示第7圖的一點鏈線8-8之剖面圖。在第8圖A~第8圖J中,是表示一邊使基板10向y軸的正方向移
動,一邊形成薄膜之例。以下,將y軸的正側稱作“下游側”,將負側稱作“上游側”。
在形成擋堰構造14(第2圖A、第2圖B)時,事先點亮序列號#1~#8的噴嘴頭41的各個下游側的臨時硬化用光源43。但無需事先點亮序列號#1的噴嘴頭41的上游側的臨時硬化用光源43。
在第8圖A至第8圖F的製程中形成擋堰構造14(第2圖A、第2圖B)。如第8圖A所示,一邊使基板10向y軸的正方向移動,一邊使薄膜材料成為液滴之後,從序列號#1的噴嘴頭41吐出,並使薄膜材料的液滴彈著於預定區域11的邊緣12(第1圖A、第1圖B)。藉此,在基板10上形成由薄膜材料構成之液狀膜17。
如第8圖B所示,當液狀膜17(第8圖A)通過在序列號#1的噴嘴頭41的下游側所鄰接之臨時硬化用光源43的下方時,臨時硬化用光21照射於液狀膜17。其結果,使液狀膜17臨時硬化,形成成為擋堰構造14(第2圖B)的一部分之擋堰元件17A。
如第8圖C所示,當擋堰元件17A通過序列號#2的噴嘴頭41的下方時,從序列號#2的噴嘴頭41吐出之薄膜材料塗佈於擋堰元件17A上。藉此,在第1層擋堰元件17A上形成第2層液狀膜17。
如第8圖D所示,當第2層液狀膜17(第8圖C)通過在序列號#2的下游側所鄰接之臨時硬化用光源43的下方時,液狀膜17臨時硬化而形成第2層擋堰元件
17A。當位於比形成有擋堰元件17A之位置更位在上游側之預定區域11的邊緣12(第1圖A)通過序列號#1的噴嘴頭41的下方時,藉由從序列號#1的噴嘴頭41吐出之薄膜材料形成第1層液狀膜17。
如第8圖E所示,每次擋堰元件17A通過噴嘴頭41的下方時,在擋堰元件17A上形成液狀膜17。每次液狀膜17通過臨時硬化用光源43的下方時,液狀膜17臨時硬化而形成擋堰元件17A。
如第8圖F所示,若預定區域11的邊緣12(第1圖A)通過在序列號#8的噴嘴頭41的下游側所鄰接之臨時硬化用光源43的下方,則完成層疊有複數個擋堰元件17A之擋堰構造14。
在第8圖G至第8圖I的製程中,形成膜元件15A(第3圖A、第3圖B)、及液狀膜16(第4圖A、第4圖B)。膜元件15A及液狀膜16的形成,亦是一邊使基板10向y軸的正方向移動,一邊進行。序列號#8的下游側的臨時硬化用光源43處於關閉之狀態。另外,如第7圖所示,噴嘴頭41及臨時硬化用光源43之朝向y軸正方向之排列順序,是等價於朝向y軸負方向之排列順序,因此亦可以一邊使基板10向y軸的負方向移動,一邊形成膜元件15A及液狀膜16。
如第8圖G所示,在由擋堰構造14所包圍之預定區域11內形成膜元件15A。膜元件15A的形成方法與第8圖A~第8圖E所示之擋堰元件17A的形成方法相同。在
形成擋堰元件17A時,是使成為液滴之薄膜材料彈著於預定區域11的邊緣12(第1圖A),然而,在形成膜元件15A時,是使成為液滴之薄膜材料彈著於預定區域11(第1圖A)內。
使得藉由序列號#1至#7的噴嘴頭41塗佈之薄膜材料所構成之液狀膜15臨時硬化,藉此形成7層的膜元件15A。此製程,是相當於形成第3圖A、第3圖B所示之膜元件15A之製程。
如第8圖H所示,當膜元件15A通過序列號#8的噴嘴頭41的下方時,藉由從序列號#8的噴嘴頭41吐出之薄膜材料,在膜元件15A上形成液狀膜16。此製程,是相當於第4圖A、第4圖B所示之液狀膜16之製程。
如第8圖I所示,由於在序列號#8的下游側相鄰之臨時硬化用光源43未點亮,因此液狀膜16不會進行臨時硬化而仍保持液狀。
如第8圖J所示,將基板10從載物台30搬出,配置在正式硬化用光源68的下方。藉由對液狀膜16(第8圖I)照射正式硬化用光18而使液狀膜16(第8圖I)硬化,並且提高膜元件15A的硬化度。藉此形成薄膜20。
在實施例1中,藉由序列號#1~#7的噴嘴頭41而形成膜元件15A,藉由序列號#8的噴嘴頭41而形成液狀膜16(第8圖H)。藉此形成7層的膜元件15A。膜元件15A的層數並不限定於7層,亦可為6層以下。例如,亦可藉由序列號#1~#6的噴嘴頭41形成6層的膜元件
15A,藉由序列號#7及#8的噴嘴頭41形成液狀膜16。在該情況下,將在序列號#7及#8的噴嘴頭41的各自的下游側所鄰接之臨時硬化用光源43設為關閉狀態即可。
於第9圖,是表示根據實施例2之薄膜形成裝置的概略前視圖。根據實施例2之薄膜形成裝置,係包括:搬入站60、臨時定位站61、塗佈站62、正式硬化站63、以及搬送裝置64。以水平面作為xy面,以鉛垂上方作為z軸的正方向來定義xyz直角坐標。朝向x軸的正方向依次配置搬入站60、臨時定位站61、塗佈站62、以及正式硬化站63。控制裝置50,用以控制:搬入站60、臨時定位站61、塗佈站62、正式硬化站63內的各裝置、以及搬送裝置64。控制裝置50,係記憶有定義所要形成於基板10之薄膜圖案的平面形狀之圖像資料。
第1搬送輥65,用以將作為處理對象的基板10朝向x軸的正方向從搬入站60搬送至臨時定位站61。藉由使第1搬送輥65搬送之基板10的前端接觸擋塊67,藉此進行基板10在搬送方向上的粗定位。
搬送裝置64,用以將基板10從臨時定位站61搬送至塗佈站62,以及從塗佈站62搬送至正式硬化站63。搬送裝置64,包括:導件70及2台升降機71、72。升降機71、72由導件70所導引而向x方向移動。其中一方的升降機71將基板10從臨時定位站61搬送至塗佈站62,而
另一個升降機72將基板10從塗佈站62搬送至正式硬化站63。
塗佈站62,包括:平台32、移動機構31、以及載物台30。載物台30中介移動機構31被支撐於平台32上。移動機構31是接受來自控制裝置50的控制,使載物台30向x方向及y方向移動,並且以平行於z軸的直線為旋轉中心使旋轉方向的姿勢改變。載物台30例如藉由真空卡盤來固定基板10。
於第10圖,是表示塗佈站62的概略俯視圖。載物台30被Y方向的導件35導引而向y方向移動。當載物台30位於y方向的可動範圍的負側端部(導件70側的端部)時,在載物台30、升降機71、72(第9圖)之間進行基板10的傳遞。
在載物台30的通過路徑的上方配置有攝像裝置33及高度感測器34。攝像裝置33是用來對被保持在載物台30上之基板10上所形成之對準標誌進行攝像。控制裝置50(第9圖),藉由對所攝像之圖像進行解析,而檢測出基板10之x方向及y方向的位置、以及旋轉方向的姿勢。藉由使載物台30向x方向及旋轉方向移動,而能夠進行基板10的定位。
高度感測器34,是用來測量保持在載物台30上之基板10的上表面的高度。根據測量結果能夠檢測出有無基板10的翹曲。
在載物台30向y方向移動之路徑的上方,配置有噴
嘴單元40。噴嘴單元40,係具有與實施例1的噴嘴單元40(第7圖)相同的構成。另外,在x方向上亦可並列配置複數個此等噴嘴單元40。在塗佈站62,形成有例如實施例1的擋堰構造14、膜元件15A、以及液狀膜16(第4圖B)。
返回第9圖,對正式硬化站63的構成進行說明。在正式硬化站63配置有第2搬送輥66。在塗佈站62進行處理之基板10是藉由搬送裝置64被搬送至正式硬化站63,然後被承載於第2搬送輥66之上。在基板10從塗佈站62被搬送至正式硬化站63的期間,塗佈於基板10之液狀薄膜材料向面內方向擴散,而使液狀膜16(第8圖I)的表面成為平坦。升降機72以不與液狀膜16接觸之方式保持基板10。例如,可藉由將桿臂插入基板10的下方來保持基板10。
第2搬送輥66是向x軸的正方向搬送基板10。在基板10的搬送路徑的上方,配置有正式硬化用光源68。正式硬化用光源68,對藉由第2搬送輥66所搬送中之基板10照射包含使薄膜材料硬化之波長成分之光。在正式硬化站63中,進行實施例1的正式硬化用光18(第8圖J)的照射。
於第11圖,是表示根據實施例1之方法來形成之薄膜圖案的一例。要形成阻焊層之薄膜圖案之基板10,為複數個印刷配線板在1張面板上被拼版後之拼接面板。在第11圖中,在所要塗佈薄膜材料之預定區域11附加有陰
影線。依每一個印刷配線板,界定出預定區域11。預定區域11具有例如呈長方形的外周線19。在外周線19的內側,分佈有不塗佈薄膜材料之複數個開口13。用來定義預定區域11的圖案之圖像資料,是被記憶於控制裝置50(第5圖)中。
藉由應用由實施例1所說明之方法,能夠形成表面為平坦、且不易剝離之薄膜圖案。
以上雖依據實施例對本發明進行了說明,但本發明並不限定於此。本領域技術人員可顯而易知地對本發明進行例如各種變更、改良、組合等。
本案主張依據2013年6月28日所申請之日本發明專利第2013-136145號申請案的優先權,並參照該申請案之全部內容援用於本說明書中。
10‧‧‧基板
11‧‧‧所要形成薄膜圖案之預定區域
14‧‧‧擋堰構造
15A‧‧‧膜元件
16‧‧‧液狀膜
4B-4B‧‧‧剖面線
Claims (7)
- 一種薄膜形成方法,其特徵為,具有:沿基板表面之所要形成薄膜圖案之預定區域的邊緣,形成山脊狀擋堰構造之製程;在形成前述擋堰構造之後,使光硬化性之液狀薄膜材料成為液滴之後彈著在前述預定區域內,在薄膜材料剛彈著之後,對彈著於前述預定區域之薄膜材料照射臨時硬化用光以使其臨時硬化,從而形成膜元件之製程;藉由在前述膜元件上塗佈光硬化性之液狀薄膜材料而形成液狀膜之製程;以及在前述液狀膜的表面平坦化之後,對前述液狀膜以及前述膜元件,照射光強度比前述臨時硬化用光更強的正式硬化用光,以使前述液狀膜硬化,並且提高前述膜元件的硬化度之製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜形成方法,其中,形成前述液狀膜之薄膜材料,係含有染料或顏料。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之薄膜形成方法,其中,在形成前述液狀膜之製程中,前述擋堰構造阻擋塗佈於前述膜元件上之液狀薄膜材料。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之薄膜形成方法,其中,在形成前述液狀膜之製程中,藉由使薄膜材料成為液 滴後彈著於前述膜元件的表面,形成前述液狀膜,在前述液狀膜的表面被平坦化直至沒有保留住反映薄膜材料的液滴形狀之凹凸形狀之程度之後,進行對前述液狀膜的前述正式硬化用光的照射。
- 一種薄膜形成裝置,其特徵為,具有:保持基板之載物台;複數個噴嘴頭,係與保持在前述載物台上之前述基板相對向,並且包含有:使光硬化性之液狀薄膜材料成為液滴後朝向前述基板吐出的複數個噴嘴孔;複數個臨時硬化用光源,係對從前述噴嘴頭吐出後並塗佈於前述基板之前述薄膜材料照射臨時硬化用光;移動機構,係使包含前述噴嘴頭及前述臨時硬化用光源之噴嘴單元、與前述基板中的一方,相對於另一方,朝向平行於前述基板表面之第1方向進行移動;正式硬化用光源,係對前述基板照射正式硬化用光;以及控制裝置,係用以控制前述噴嘴頭、前述臨時硬化用光源、以及前述移動機構,前述控制裝置,係控制前述噴嘴頭、前述臨時硬化用光源、前述正式硬化用光源、以及前述移動機構,在前述臨時硬化用光源點亮之狀態下,藉由使從前述噴嘴頭吐出之薄膜材料彈著於:沿著基板表面之所要形成薄膜圖案之預定區域的邊緣,並使彈著後之薄膜材料臨時硬化,藉此形成擋堰構造, 在形成前述擋堰構造之後,使從前述噴嘴頭吐出之前述薄膜材料彈著於前述預定區域內,在前述薄膜材料剛彈著之後,對彈著於前述預定區域之前述薄膜材料照射臨時硬化用光以使其臨時硬化,從而形成膜元件,藉由將從前述噴嘴頭吐出之光硬化性之液狀的前述薄膜材料塗佈於前述膜元件上,形成液狀膜,在前述液狀膜的表面平坦化之後,對前述液狀膜及前述膜元件照射來自前述正式硬化用光源之正式硬化用光,以使前述液狀膜硬化,並且提高前述膜元件的硬化度。
- 如申請專利範圍第5項所述之薄膜形成裝置,其中,從前述噴嘴頭吐出之前述薄膜材料,係含有染料或顏料。
- 如申請專利範圍第5或6項所述之薄膜形成裝置,其中,前述擋堰構造,係具有防止形成前述液狀膜之液狀的前述薄膜材料從前述預定區域的內側向外側流出之高度。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013136145A JP6156633B2 (ja) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201501816A TW201501816A (zh) | 2015-01-16 |
TWI564091B true TWI564091B (zh) | 2017-01-01 |
Family
ID=52141804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103120346A TWI564091B (zh) | 2013-06-28 | 2014-06-12 | Film forming method and thin film forming apparatus |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6156633B2 (zh) |
KR (1) | KR101813992B1 (zh) |
CN (1) | CN105451897B (zh) |
TW (1) | TWI564091B (zh) |
WO (1) | WO2014208464A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105704938B (zh) * | 2016-03-28 | 2018-07-06 | 上海美维电子有限公司 | 线路板的加工方法 |
JP6848486B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2021-03-24 | 株式会社リコー | 装置 |
KR102324693B1 (ko) * | 2017-03-06 | 2021-11-10 | 삼성전자주식회사 | 전자파 차폐구조 및 그 제조방법 |
US10016997B1 (en) * | 2017-04-24 | 2018-07-10 | Xerox Corporation | Printer for providing multiple surface treatments to three-dimensional objects prior to printing and method for operating the printer |
CN107509317B (zh) * | 2017-08-02 | 2020-01-17 | 深圳市景旺电子股份有限公司 | 一种pcb防焊处理方法及pcb板 |
JP6925749B2 (ja) * | 2018-01-30 | 2021-08-25 | 住友重機械工業株式会社 | 膜形成方法、及び膜形成装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363561A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | パターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2006088070A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | インクジェット塗布方法及び表示デバイスの製造方法 |
JP2006212476A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器 |
TWI277458B (en) * | 2004-03-22 | 2007-04-01 | Seiko Epson Corp | Pattern forming method, circuit substrate and electronic apparatus |
JP2010197560A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
JP2012086194A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 描画装置及び描画方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3544543B2 (ja) | 2003-08-04 | 2004-07-21 | 株式会社リコー | 液状樹脂噴射装置及び樹脂構造物 |
JP4193758B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2008-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | 層形成装置 |
JP2007253088A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | 液滴塗布方法及び液滴塗布装置 |
JP5451015B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2014-03-26 | 協立化学産業株式会社 | 表示パネルの製造方法及び表示パネル |
JP2011093179A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録装置のキャリッジ装置およびこれを備えたインクジェット記録装置 |
KR101322198B1 (ko) * | 2011-07-08 | 2013-10-28 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 박막형성방법 및 박막형성장치 |
JP5936612B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2016-06-22 | 住友重機械工業株式会社 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
-
2013
- 2013-06-28 JP JP2013136145A patent/JP6156633B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-12 TW TW103120346A patent/TWI564091B/zh active
- 2014-06-20 WO PCT/JP2014/066416 patent/WO2014208464A1/ja active Application Filing
- 2014-06-20 KR KR1020157036629A patent/KR101813992B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-20 CN CN201480036121.XA patent/CN105451897B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363561A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | パターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
TWI277458B (en) * | 2004-03-22 | 2007-04-01 | Seiko Epson Corp | Pattern forming method, circuit substrate and electronic apparatus |
JP2006088070A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | インクジェット塗布方法及び表示デバイスの製造方法 |
JP2006212476A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器 |
JP2010197560A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
JP2012086194A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 描画装置及び描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101813992B1 (ko) | 2018-01-02 |
CN105451897B (zh) | 2018-08-14 |
JP2015009193A (ja) | 2015-01-19 |
JP6156633B2 (ja) | 2017-07-05 |
KR20160021148A (ko) | 2016-02-24 |
WO2014208464A1 (ja) | 2014-12-31 |
TW201501816A (zh) | 2015-01-16 |
CN105451897A (zh) | 2016-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI564091B (zh) | Film forming method and thin film forming apparatus | |
KR101670115B1 (ko) | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 | |
KR101672559B1 (ko) | 국소 노광 장치 및 국소 노광 방법 | |
TWI522021B (zh) | Film forming method and thin film forming apparatus | |
KR102061315B1 (ko) | 기판제조장치 및 기판제조방법 | |
KR101408521B1 (ko) | 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법 | |
TWI528470B (zh) | Film forming method and thin film forming apparatus | |
TWI471908B (zh) | Film forming method and thin film forming apparatus | |
TWI820009B (zh) | 光處理裝置及基板處理裝置 | |
JP6341635B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
TWI575002B (zh) | Film forming apparatus and film forming method | |
JP2014233704A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2009251581A (ja) | 露光用マスク及び露光装置 | |
TW201420208A (zh) | 基板製造方法及基板製造裝置 | |
JP6245887B2 (ja) | 基板製造方法及び基板製造装置 | |
JP2014036171A (ja) | 基板製造方法及び薄膜形成装置 | |
JP3606053B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP6346161B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2009210598A (ja) | ガラス基板および近接スキャン露光装置並びに近接スキャン露光方法 | |
US20160085154A1 (en) | Resist pattern forming method, coating and developing apparatus and storage medium | |
JP4319201B2 (ja) | 基板の処理方法、プログラム及び基板処理システム | |
JP2012098373A (ja) | 露光装置及び露光方法及びカラーフィルタの製造方法 | |
US20090111062A1 (en) | Pattern Formation Method | |
JP2012112921A (ja) | 異物検出装置及び異物検出方法 | |
JP2010204545A (ja) | 露光評価用マスクおよび露光評価方法 |