JP2006212476A - 膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents
膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 基板1の面を撥液化処理し、液状材料の液滴4を、レジスト膜9を形成する領域2の周縁部に配置し、周縁帯膜7aを形成する。次に、基板1の面を親液化処理し、周縁帯膜7aに囲まれた領域内に液状材料を充填して中央膜8を形成し、周縁帯膜7aと中央膜8とで、レジスト膜9を形成する。絶縁膜も同様に形成する。回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイスは、上記方法で形成された膜を備え、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置、回路基板、表面弾性波発振装置を備える。
【選択図】 図2
Description
図1は、第1の実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式平面図である。図2は、本実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式断面図である。図1に示した基板1は、例えば、表面弾性波デバイスの水晶基板である。図1(a)に破線で示した領域2にレジスト膜9を形成する場合を例に挙げて説明する。領域2が、第1の領域に相当し、レジスト膜9が、レジスト膜及び膜パターンに相当する。
(1)領域2にレジスト膜9を形成する際に、最初に領域2の周縁部に帯状の周縁帯膜7aを形成し、次に、周縁帯膜7a内に液状材料を充填してレジスト膜9を形成する。周縁帯膜7a内に液状材料を充填するときに、充填された液状材料は、壁状の周縁帯膜7aによって、領域2の外に流出することを阻止されることから、液状材料を充分に充填することができる。
次に、本発明に係る膜パターン形成方法の第2の実施形態について説明する。本実施形態では、表面弾性波発振装置の一例であるSAW(Surface Acoustic Wave)共振子を構成するSAW共振片にレジスト膜を形成する方法について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第1の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。
(1)着弾した液状エッチングレジスト材料の液滴が電極形成領域から流出したり、電極形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定の電極形状及び厚さのエッチングレジスト膜を形成することができる。したがって、正確な形状のIDT55、反射器56a,56b、接続ランド57a,57bなどの電極を形成することができる。
次に、本発明に係る膜パターン形成方法の第3の実施形態について説明する。本実施形態では、回路基板における絶縁膜を形成する方法について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第1の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。
(1)穴周縁部88を形成することで、ベタ部91を形成する液状絶縁膜材料がスルーホール86に流入することを防止することができる。従って、スルーホール86の直近まで絶縁膜を形成することが可能で、互いに近接したスルーホール86と回路配線83とのうちスルーホール86を覆わず、回路配線83を覆う絶縁膜92を形成することができる。
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、第1の実施形態で説明した薄膜パターン形成方法を用いて形成された絶縁膜を有する薄膜トランジスタ(TFT(Thin Film Transistor))を備えた液晶表示装置である。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第1の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。
(1)着弾した液状絶縁膜材料が所定の絶縁膜形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、ゲート配線112とゲート電極111との、ソース配線116、ソース電極117及びドレイン電極114と重なる部分を、正確に覆うと共に、充分な絶縁効果が得られる厚みを有する絶縁膜128を形成することができる。
次に、第5の実施形態に係る電子機器について説明する。本実施形態の電子機器は、第2の実施形態で説明したSAW共振子、又は第3の実施形態で説明した回路基板、又は第4の実施形態で説明した液晶表示装置を備えた電子機器である。本実施形態の電子機器の具体例について説明する。
(1)膜パターンの実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び適切な平面形状を有する薄膜を形成することができる膜パターン形成方法を用いて形成された膜パターンを有することにより、高性能が得られる液晶表示装置100、回路基板80、又はSAW共振子60を備えるため、高性能の携帯電話600や、携帯型情報処理装置700や、腕時計型電子機器800を実現することができる。
次に、本発明に係る膜パターン形成方法の第6の実施形態について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第1の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。第1の実施形態とは異なる周縁帯膜の形成方法についてのみ説明する。
(1)周縁帯膜144aの上に周縁帯6aを積層して周縁帯膜147aを形成することから、周縁帯膜147aの高さをより高くすることができる。周縁帯膜147aに囲まれた領域により多くの液状材料を充填することができることから、より厚いレジスト膜149を形成することができる。
(技術的思想1) 表面弾性波デバイス基板の表面に形成された導電性膜の所定の電極パターンを形成する部分に、前記請求項1乃至16のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法を用いてエッチングレジスト膜を形成する工程と、前記導電性膜に対して、エッチング処理を実行し前記エッチングレジスト膜に覆われていない部分の前記導電性膜を除去して前記電極パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。
Claims (31)
- 基板上に、膜パターンを所定の形状に形成する膜パターン形成方法であって、
前記基板の面を撥液性に処理する撥液化工程と、
前記膜パターンを形成する第1の領域の周縁領域に、前記膜パターンを構成する材料を含む液状体の液滴を配置して、配置された前記液滴からなる周縁帯を形成し、当該周縁帯が乾燥又は硬化した周縁帯膜を形成する周縁形成工程と、
前記基板の面を親液性に処理する親液化工程と、
前記周縁帯膜に囲まれた第2の領域に前記液滴を配置して、前記第2の領域に前記液状体を充填する充填工程と、を有することを特徴とする膜パターン形成方法。 - 前記周縁形成工程と前記親液化工程との間に、前記周縁帯を乾燥または硬化させて周縁帯膜を形成する膜化工程をさらに有することを特徴とする、請求項1に記載の膜パターン形成方法。
- 前記膜化工程における前記周縁帯を乾燥または硬化させる処理は、前記周縁帯に熱を加える処理又は前記周縁帯に光を照射する処理であることを特徴とする、請求項2に記載の膜パターン形成方法。
- 前記撥液化工程においては、
前記基板の前記膜パターンを形成する面の水に対する接触角を60度以上にすることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法。 - 前記親液化工程においては、
前記基板の前記膜パターンを形成する面の水に対する接触角を30度以下にすることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法。 - 前記撥液化工程は、
前記基板面に対して親液化処理または撥液化処理を実行する予備処理工程と、
前記予備処理工程において前記親液化処理を実行した場合には前記撥液化処理を実行し、前記予備処理工程において前記撥液化処理を実行した場合には前記親液化処理を実行することで、前記膜パターンを形成する面の水に対する接触角を、所定の接触角以上に調整する調整処理工程と、を有することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法。 - 前記撥液化処理する工程が、前記基板の表面にフッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を形成する工程であることを特徴とする、請求項6に記載の膜パターン形成方法。
- 前記撥液化処理する工程が、フルオロカーボン系化合物を反応ガスとして用いて前記基板の表面をプラズマ処理する工程であることを特徴とする、請求項6に記載の膜パターン形成方法。
- 前記撥液化処理する工程が、フッ素を含有する高分子化合物を前記基板の表面に塗布し撥液膜を形成する工程であることを特徴とする、請求項6に記載の膜パターン形成方法。
- 前記親液化処理する工程が、前記基板の表面に紫外線を照射する工程であることを特徴とする、請求項6に記載の膜パターン形成方法。
- 前記親液化処理する工程が、酸素を反応ガスとして用いて前記基板の表面をプラズマ処理する工程であることを特徴とする、請求項6に記載の膜パターン形成方法。
- 前記親液化処理する工程が、前記基板の表面を酸又はアルカリ処理する工程であることを特徴とする、請求項6に記載の膜パターン形成方法。
- 前記周縁帯は、前記液滴が互いに接触して1列に連なっていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の膜パターン形成方法。
- 前記周縁形成工程と前記膜化工程とを交互に複数回実行し、積層された前記周縁帯膜を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載の膜パターン形成方法。
- 前記周縁形成工程で使用される前記液状体の粘性は、前記充填工程で使用される前記液状体の粘性より高いことを特徴とする、請求項1に記載の膜パターン形成方法。
- 前記周縁形成工程で吐出される前記液滴1滴あたりの体積は、前記充填工程で吐出される前記液滴1滴あたりの体積より小さいことを特徴とする、請求項1に記載の膜パターン形成方法。
- 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とする膜パターン。
- 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とするレジスト膜。
- 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とする絶縁膜。
- 表面弾性波デバイスの表面の陽極酸化処理を実施しない部分に、請求項1乃至16のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法を用いてレジスト膜を形成する工程と、
前記表面弾性波デバイスの表面に、前記陽極酸化処理を実行する工程と、を有することを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。 - 請求項18に記載のレジスト膜を形成後、陽極酸化を実行して形成されたことを特徴とする表面弾性波デバイス。
- 請求項18に記載のレジスト膜を形成後、エッチングを実行して形成されたことを特徴とする表面弾性波デバイス。
- 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法を用いて、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜との間を絶縁するための絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板上に形成された導電性膜の上に請求項19に記載の絶縁膜が形成され、当該絶縁膜の上に導電性膜又は半導電性膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の膜パターン形成方法を用いて、導電性膜相互間を絶縁する絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
- 基板上に請求項19に記載の絶縁膜が形成され、当該絶縁膜の上に導電性膜が形成されていることを特徴とする回路基板。
- 請求項21または22に記載の表面弾性波デバイスを備えることを特徴とする表面弾性波発振装置。
- 請求項17に記載の膜パターンを備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項24に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項26に記載の回路基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項27に記載の表面弾性波発振装置、または請求項28乃至30に記載の電気光学装置のいずれか一つを備えることを特徴とする電子機器。
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