WO2014024469A1 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

炭化珪素半導体装置およびその製造方法 Download PDF

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silicon carbide
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drift layer
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森本　淳
真一朗 宮原
敏雅 山本
成雅 副島
渡辺　行彦
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株式会社デンソー
トヨタ自動車株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a silicon carbide (hereinafter referred to as SiC) semiconductor device having a vertical switching element having a trench gate structure and a method for manufacturing the same.
  • SiC silicon carbide
  • a vertical power MOSFET having a trench gate structure in which a gate electrode is formed in a trench via a gate insulating film has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • a gate voltage is applied to a gate electrode formed in a trench through a gate insulating film to form an inversion channel in a p-type base region located on the side surface of the trench, and a source A current is passed between the electrode and the drain electrode.
  • the trench gate structure in the vertical power MOSFET configured as described above is formed as follows. n - After forming the p-type base region and the n + -type source region type drift layer to form a trench that penetrates the p-type base region and the n + -type source region by etching. Then, as a damage removal process at the time of trench etching, after performing a sacrificial oxidation process of forming a sacrificial oxide film and then removing the sacrificial oxide film, a gate oxide film is formed by thermally oxidizing the inner wall surface of the trench To do. Thereafter, polysilicon is deposited on the surface of the gate oxide film in the trench, and then patterned to form a gate electrode. By such a method, a trench gate structure is formed.
  • the present inventors have found that when the trench gate structure is formed by the above method, the reliability of the gate oxide film is poor. Specifically, it was confirmed that the leakage current increases at the end of the trench.
  • An object of the present disclosure is to provide a SiC semiconductor device that suppresses generation of a leakage current and has a higher gate oxide film reliability, and a manufacturing method thereof.
  • a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device is a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device including an inverted vertical switching element having a trench gate structure, wherein the silicon carbide semiconductor device includes: a substrate; A drift layer, a base region, a source region, a trench, a gate insulating film, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode.
  • the substrate is made of silicon carbide of the first or second conductivity type, and the main surface is a (0001) plane or a (000-1) plane, or has an off angle with respect to each plane.
  • the drift layer is formed of silicon carbide of a first conductivity type formed on the substrate and having a lower impurity concentration than the substrate.
  • the base region is formed on the drift layer and is made of second conductivity type silicon carbide.
  • the source region is formed in an upper layer portion of the base region and is made of a first conductivity type silicon carbide having a higher concentration than the drift layer.
  • the trench is formed from the surface of the source region to the depth reaching the drift layer through the base region, and the side wall surface is formed toward the (11-20) plane or the (1-100) plane.
  • the gate insulating film is formed on the inner wall surface of the trench.
  • the gate electrode is formed on the gate insulating film in the trench.
  • the source electrode is electrically connected to the source region and the base region.
  • the drain electrode is formed
  • an inversion channel region is formed in a surface portion of the base region located on a side surface of the trench by controlling a voltage applied to the gate electrode, and the source region and the drift layer are formed A current is passed between the source electrode and the drain electrode.
  • the trench is formed by etching, and the gate insulating film is formed on the surface of the trench without performing sacrificial oxidation after the formation of the trench.
  • the gate insulating film is formed without performing sacrificial oxidation after the trench is formed. For this reason, it is not necessary to be affected by sacrificial oxidation, it is possible to suppress the occurrence of partial leakage current in the trench gate structure, and it is possible to manufacture a silicon carbide semiconductor device with a more reliable gate insulating film.
  • a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device is a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device including an inverted vertical switching element having a trench gate structure, wherein the silicon carbide semiconductor device is a substrate.
  • the substrate is made of silicon carbide of the first or second conductivity type, and the main surface is a (0001) plane or a (000-1) plane, or has an off angle with respect to each plane.
  • the drift layer is formed of silicon carbide of a first conductivity type formed on the substrate and having a lower impurity concentration than the substrate.
  • the base region is formed on the drift layer and is made of second conductivity type silicon carbide.
  • the source region is formed in an upper layer portion of the base region and is made of a first conductivity type silicon carbide having a higher concentration than the drift layer.
  • the trench is formed from the surface of the source region to the depth reaching the drift layer through the base region, and the side wall surface is formed toward the (11-20) plane or the (1-100) plane.
  • the gate insulating film is formed on the inner wall surface of the trench.
  • the gate electrode is formed on the gate insulating film in the trench.
  • the source electrode is electrically connected to the source region and the base region.
  • the drain electrode is formed
  • an inversion channel region is formed in a surface portion of the base region located on a side surface of the trench by controlling a voltage applied to the gate electrode, and the source region and the drift layer are formed A current is passed between the source electrode and the drain electrode.
  • the trench is formed by etching, and after the formation of the trench, the chemical dry etching using a gas containing CF 4 and O 2 is performed to remove the damage, and the damage Then, the gate insulating film is formed on the surface of the trench without performing sacrificial oxidation.
  • the gate insulating film is formed on the surface of the trench without performing sacrificial oxidation after removing the damage by chemical dry etching. For this reason, it is not necessary to be affected by sacrificial oxidation, it is possible to suppress the occurrence of partial leakage current in the trench gate structure, and it is possible to manufacture a silicon carbide semiconductor device with a more reliable gate insulating film.
  • a silicon carbide semiconductor device is a silicon carbide semiconductor device including an inverted vertical switching element having a trench gate structure, and includes a substrate, a drift layer, a base region, and a source region A trench, a gate insulating film, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode.
  • the substrate is made of silicon carbide of the first or second conductivity type, and the main surface is a (0001) plane or a (000-1) plane, or has an off angle with respect to each plane.
  • the drift layer is formed of silicon carbide of a first conductivity type formed on the substrate and having a lower impurity concentration than the substrate.
  • the base region is formed on the drift layer and is made of second conductivity type silicon carbide.
  • the source region is formed in an upper layer portion of the base region and is made of a first conductivity type silicon carbide having a higher concentration than the drift layer.
  • the trench is formed from the surface of the source region to a depth reaching the drift layer through the base region, and the side wall surface is formed toward the (11-20) plane or the (1-100) plane.
  • an angle formed by at least a side wall surface on which the channel region is formed with respect to the (0001) plane or the (000-1) plane is 84 degrees or more.
  • the gate insulating film is formed on the inner wall surface of the trench.
  • the gate electrode is formed on the gate insulating film in the trench.
  • the source electrode is electrically connected to the source region and the base region.
  • the drain electrode is formed on the back side of the substrate.
  • an inversion channel region is formed in a surface portion of the base region located on a side surface of the trench by controlling a voltage applied to the gate electrode, and the source region and the drift layer are formed A current is passed between the source electrode and the drain electrode.
  • At least the side wall surface where the channel region is formed among the side wall surfaces of the trench is at least 84 degrees with respect to the (0001) plane or the (000-1) plane, thereby suppressing leakage current. It becomes possible to do. For this reason, it becomes possible to make a silicon carbide semiconductor device with higher reliability of the gate insulating film.
  • a silicon carbide semiconductor device is a silicon carbide semiconductor device including an inverted vertical switching element having a trench gate structure, and includes a substrate, a drift layer, a base region, and a source region A trench, a gate insulating film, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode.
  • the substrate is made of silicon carbide of the first or second conductivity type, and the main surface is a (0001) plane or a (000-1) plane, or has an off angle with respect to each plane.
  • the drift layer is formed of silicon carbide of a first conductivity type formed on the substrate and having a lower impurity concentration than the substrate.
  • the base region is formed on the drift layer and is made of second conductivity type silicon carbide.
  • the source region is formed in an upper layer portion of the base region and is made of a first conductivity type silicon carbide having a higher concentration than the drift layer.
  • the trench is formed from the surface of the source region to a depth reaching the drift layer through the base region, and the side wall surface is formed toward the (11-20) plane or the (1-100) plane.
  • the step at the boundary position between the source region and the base region is 10 nm or less on the side wall surface.
  • the gate insulating film is formed on the inner wall surface of the trench.
  • the gate electrode is formed on the gate insulating film in the trench.
  • the source electrode is electrically connected to the source region and the base region.
  • the drain electrode is formed on the back side of the substrate.
  • an inversion channel region is formed in a surface portion of the base region located on a side surface of the trench by controlling a voltage applied to the gate electrode, and the source region and the drift layer are formed A current is passed between the source electrode and the drain electrode.
  • the step at the boundary position between the source region and the base region is 10 nm or less on the side wall surface of the trench.
  • Such a structure can suppress leakage current. For this reason, it becomes possible to make a silicon carbide semiconductor device in which leakage current can be suppressed and the reliability of the gate insulating film is higher.
  • FIG. 1 is a cross-sectional perspective view showing the SiC semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • 2A is a cross-sectional perspective view showing a part of the manufacturing process of the SiC semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 2B is a cross-sectional perspective view showing a part of the manufacturing process of the SiC semiconductor device shown in FIG. 1.
  • 2C is a cross-sectional perspective view showing a part of the manufacturing process of the SiC semiconductor device shown in FIG. 2D is a cross-sectional perspective view showing a part of the manufacturing process of the SiC semiconductor device shown in FIG. FIG.
  • FIG. 2E is a cross-sectional perspective view showing a part of the manufacturing process of the SiC semiconductor device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing a result of examining an emission image when only chemical dry etching is performed after forming a trench.
  • FIG. 4 is a top view of the vertical MOSFET showing the layout of the trench gate structure used for the investigation of leakage current characteristics.
  • FIG. 5 is a diagram showing a result of examining an emission image when a gate oxide film is formed after performing a sacrificial oxidation process after forming a trench.
  • FIG. 6A is a top view of a vertical MOSFET showing a relationship between a trench gate structure and a leak occurrence location.
  • FIG. 6B is a diagram showing the angular relationship between the side walls of the trench in the VIB-VIB cross section of FIG. 6A.
  • FIG. 6C is a diagram showing an angular relationship between the side walls of the trench in the VIC-VIC cross section of FIG. 6A.
  • FIG. 6D is a diagram showing an angular relationship between the side walls of the trench in the VID-VID cross section of FIG. 6A.
  • FIG. 7 is a top view of the vertical MOSFET showing the relationship between the trench gate structure and the leak occurrence location.
  • the present inventors diligently investigated the cause of the above problem. As a result, it was clarified that the above-mentioned problem occurred due to the influence of the sacrificial oxidation process performed before forming the gate oxide film. Although the details of the mechanism that causes the above-mentioned problem by performing the sacrificial oxidation process are not clear, when the sacrificial oxidation process is performed as a process immediately before forming the gate oxide film, leakage increases at the trench edge. The fact that it is confirmed. When the gate oxide film is formed without performing the sacrificial oxidation process, or after the chemical dry etching (hereinafter referred to as CDE) is performed after the sacrificial oxidation process is performed. Therefore, an increase in leakage at the end of the trench could be suppressed.
  • CDE chemical dry etching
  • a plurality of oval trench gate structures J1 are formed in stripes using an SiC substrate having an off angle with respect to the (0001) plane. Formed.
  • the ellipse-shaped trench gate structure J1 is formed by connecting adjacent ones of the line-shaped trench gate structure J1 with one direction as a longitudinal direction, and connecting both ends of each pair of trench gate structures J1 in an arc shape. The structure was as follows.
  • the off direction of the SiC substrate that is, the direction parallel to the line formed by intersecting the (0001) plane and the plane perpendicular to the plane
  • the long side portion of the trench gate structure J1 was made to coincide when viewed from above the SiC substrate.
  • a positive bias for example, about 40 V
  • the source electrode and the drain electrode are connected to GND, and the emission image is confirmed, thereby improving the leakage characteristics. confirmed.
  • an emission image shown in FIG. 5 was obtained.
  • the relationship between the shape of the trench gate structure J1 and the angle between each surface of the inner wall surface of the trench J2 and the plane direction of the substrate or the (0001) plane and the location where the leakage occurs is examined. It was. As a result, as shown in FIGS. 6A and 6B, in the long side portion of the trench gate structure J1, the long side portion and the off direction coincide with each other when viewed from above the SiC substrate. The angle formed with the side wall surface of the trench J2 was 87 degrees. On the other hand, as shown in FIG. 6C, in one of the arc-shaped ends of the trench gate structure J1 (the right side end in the drawing), the inner peripheral side wall surface is the (0001) plane.
  • the outer peripheral side wall surface was 83 degrees with respect to the (0001) plane. Further, as shown in FIG. 6D, at the other end of trench gate structure J1 (the left end in the drawing), the inner peripheral side wall surface is 83 degrees with respect to the (0001) plane. The outer peripheral side wall surface was 91 degrees with respect to the (0001) plane.
  • the gate oxide film is formed without performing the sacrificial oxidation process or the sacrificial oxidation process is performed, if the gate oxide film is formed after the CDE is performed, the gate oxide film is formed at the end of the trench J2. The increase in leakage was suppressed.
  • each side wall surface of the trench J2 with respect to the bottom surface of the trench J2 is about 87 degrees.
  • the angle formed by each side wall surface of the trench J2 with respect to the bottom surface of the trench J2 can be set to 90 degrees, when the angle exceeds 90 degrees, a demerit such as a large fluctuation in MOSFET characteristics may occur. Therefore, the angle is set to 87 degrees so that it does not exceed 90 degrees even if an etching error occurs.
  • the angle formed by each side wall surface of the trench J2 with respect to the bottom surface of the trench J2 is 90 degrees or near 90 degrees. Trench etching may be performed so as to have another angle.
  • an n-channel type inversion MOSFET is formed in the SiC semiconductor device.
  • a MOSFET having a plurality of cells is configured by arranging MOSFETs having the same structure as the MOSFET shown in FIG. Specifically, an n + type substrate 1 made of SiC is used as the semiconductor substrate, and MOSFETs are configured by forming each component of the MOSFET on the n + type substrate 1.
  • the n + type substrate 1 is composed of a SiC substrate having an off angle of, for example, 4 degrees with respect to the (0001) plane, and the n type impurity concentration of nitrogen or the like is, for example, 1.0 ⁇ 10 19 / cm 3 The thickness is about 300 ⁇ m.
  • a drift layer 2 is formed.
  • the surface of the n ⁇ type drift layer 2 is also in a state where an off angle of 4 degrees is provided with respect to the (0001) plane. ing.
  • a p-type base region 3 is formed in the surface layer portion of the n ⁇ -type drift layer 2, and an n + -type source region 4 and a p + -type contact layer 5 are formed in an upper layer portion of the p-type base region 3. Has been.
  • the p-type base region 3 has a p-type impurity concentration such as boron or aluminum of 1.0 ⁇ 10 16 to 2.0 ⁇ 10 19 / cm 3 and a thickness of about 2.0 ⁇ m.
  • the n + -type source region 4 is configured such that the n-type impurity concentration (surface concentration) such as nitrogen in the surface layer portion is, for example, 1.0 ⁇ 10 21 / cm 3 and the thickness is about 0.3 ⁇ m.
  • the p + -type contact layer 5 has a p-type impurity concentration (surface concentration) such as boron or aluminum in the surface layer portion of, for example, 1.0 ⁇ 10 21 / cm 3 and a thickness of about 0.3 ⁇ m.
  • the n + type source region 4 is disposed on both sides of a trench gate structure 9 to be described later, and the p + type contact layer 5 is provided on the opposite side of the trench gate structure 9 with the n + type source region 4 interposed therebetween. Yes.
  • a structure in which the p ⁇ base region 3 and the n + type source region 4 are penetrated to the n ⁇ type drift layer 2 and the bottom portion has a predetermined width, for example, a width of 0.5 to 2.0 ⁇ m and a depth of A trench 6 of 2.0 ⁇ m or more (for example, 2.4 ⁇ m) is formed.
  • the p-type base region 3 and the n + -type source region 4 are arranged so as to be in contact with the side surface of the trench 6.
  • the trenches 6 are formed with the x direction in FIG. 1 as the width direction, the y direction as the longitudinal direction, and the z direction as the depth direction.
  • a plurality of trenches 6 are arranged in the x direction in FIG. They are arranged in parallel.
  • Each of the trenches 6 may be formed in an oval shape in which two adjacent ones are connected as a set and both ends of each trench 6 are connected in an arc shape, or each trench 6 is simply formed in a strip shape. May be.
  • the inner wall surface of the trench 6 is covered with a gate oxide film 7, and the trench 6 is filled with the gate electrode 8 made of doped Poly-Si formed on the surface of the gate oxide film 7. ing.
  • the gate oxide film 7 is formed by thermally oxidizing the inner wall surface of the trench 6, and the thickness of the gate oxide film 7 is about 100 nm on both the side surface side and the bottom side of the trench 6. In this way, the trench gate structure 9 is configured.
  • a source electrode 11 and a gate wiring are formed on the surface of the n + -type source region 4 and the p + -type contact layer 5 and the surface of the gate electrode 8 via an interlayer insulating film 10.
  • the source electrode 11 and the gate wiring are composed of a plurality of metals (for example, Ni / Al, etc.), and at least n-type SiC (specifically, the n + -type source region 4 and the gate electrode 8 in the case of n doping)
  • the portion in contact with n-type SiC is made of a metal capable of ohmic contact with n-type SiC, and the portion in contact with at least p-type SiC (specifically, p + -type contact layer 5 or gate electrode 8 in the case of p-doping) is p-type.
  • the source electrode 11 and the gate wiring are electrically insulated by being formed on the interlayer insulating film 10, and the source electrode 11 is connected to the n + type source region through the contact hole formed in the interlayer insulating film 10. 4 and the p + -type contact layer 5 are in electrical contact, and the gate wiring is in electrical contact with the gate electrode 8.
  • n + -type substrate 1 On the back side of the n + -type substrate 1 n + -type substrate 1 and electrically connected to the drain electrode 12 are formed. With such a structure, an n channel type inversion type MOSFET having a trench gate structure 9 is formed.
  • an inverted channel is not formed in the p-type base region 3 before the gate voltage is applied to the gate electrode 8. Therefore, even if a positive voltage is applied to the drain electrode 12, electrons cannot reach the p-type base region 3 from the n-type source region 4, and no current flows between the source electrode 11 and the drain electrode 12. Not flowing.
  • FIG. 2A it is composed of a SiC substrate having an off-angle with respect to the (0001) plane, and the n-type impurity concentration such as nitrogen is 1.0 ⁇ 10 19 / cm 3 and the thickness is about 300 ⁇ m.
  • An n + type substrate 1 is prepared.
  • an n ⁇ type drift layer 2 made of SiC having an n type impurity concentration such as nitrogen of 3.0 ⁇ 10 15 to 2.0 ⁇ 10 16 / cm 3 and a thickness of about 15 ⁇ m. Is epitaxially grown to form an epitaxial substrate.
  • the surface layer portion of the n ⁇ -type drift layer 2 has a thickness of about 1.0 ⁇ 10 16 to 2.0 ⁇ 10 19 / cm 3 and a thickness of about 2.0 ⁇ m.
  • a p-type base region 3 is formed.
  • a mask made of, for example, a low-temperature oxidation (LTO) film or the like is formed on the p-type base region 3 and then subjected to a photolithography process, followed by an n + -type source.
  • a mask is opened on the region where the region 4 is to be formed.
  • n-type impurities for example, nitrogen
  • a mask (not shown) is formed again, and the mask is opened on a region where the p + -type contact layer 5 is to be formed through a photolithography process. Thereafter, p-type impurities (for example, boron and aluminum) are ion-implanted.
  • p-type impurities for example, boron and aluminum
  • an n + type source region 4 having an n type impurity concentration (surface concentration) such as nitrogen of 1.0 ⁇ 10 21 / cm 3 and a thickness of about 0.3 ⁇ m is formed.
  • a p + type contact layer 5 having a p type impurity concentration (surface concentration) such as boron or aluminum of about 1.0 ⁇ 10 21 / cm 3 and a thickness of about 0.3 ⁇ m is formed. Thereafter, the mask is removed.
  • an etching mask (not shown) is formed on the p-type base region 3, the n + -type source region 4 and the p + -type contact layer 5, and then the etching mask is formed in the region where the trench 6 is to be formed. Open. And the trench 6 is formed by performing the trench etching process using an etching mask. Thereby, the trench 6 whose longitudinal direction is matched with the off direction is formed.
  • the trench 6 is formed toward the surface so that the side wall surface of the trench 6 becomes substantially the (11-20) plane or the (1-100) plane.
  • the trench etching conditions are set such that the angle formed by the side wall surface is 87 degrees, for example. For this reason, when the trench 6 is formed into an oval shape in which the tips of adjacent ones are connected to each other, the angle formed by the (0001) plane and the outer peripheral side wall is 83 degrees at the tip of one trench 9.
  • the angle formed with the inner peripheral side wall surface is about 91 degrees (see FIG. 6C). Further, at the tip of the other trench 9, the angle formed by the (0001) plane and the outer side wall surface is 91 degrees, and the angle formed by the inner side wall surface is about 83 degrees (see FIG. 6D). . Thereafter, the etching mask is removed.
  • the gate oxide film 7 is formed after the trench 6 is formed without performing a sacrificial oxidation step or after performing a damage removal step by CDE using, for example, a gas containing CF 4 and O 2. Is formed by deposition.
  • the n + type source region 4 has a higher impurity concentration than the p type base region 3, so that accelerated oxidation is performed, but the sacrificial oxidation step is performed. As a result, accelerated oxidation is not performed.
  • the step at the boundary position between the n + -type source region 4 and the p-type base region 3 is a small step of 10 nm or less on the side wall surface of the trench 6.
  • a polysilicon layer doped with an n-type impurity is formed on the surface of the gate insulating film 8 at a temperature of about 440 nm, for example, at a temperature of 600 ° C., and then an etch back process is performed.
  • the gate insulating film 8 and the gate electrode 9 are left.
  • the interlayer insulating film 10 is patterned to form contact holes connected to the n + type source region 4 and the p + type contact layer 5, and contact holes connected to the gate electrode 9 are formed. It is formed in another cross section. Subsequently, after depositing an electrode material so as to fill the contact hole, the source electrode 11 and the gate wiring are formed by patterning the electrode material. Thereafter, although not shown, the drain electrode 12 is formed on the back surface side of the n + type substrate 1 to complete the MOSFET shown in FIG.
  • the gate oxide film 7 is formed without performing the sacrificial oxidation process after the trench 6 is formed. For this reason, it is not necessary to be affected by the sacrificial oxidation process, and it is possible to suppress the occurrence of a partial leak current in the trench gate structure 9, and the SiC semiconductor device with higher reliability of the gate oxide film 7. It becomes possible to do. Further, when the trench gate structure 9 is formed without performing the sacrificial oxidation step, the barrier height ⁇ B of all the inner wall surfaces of the trench 6 becomes 2.7 eV, and the occurrence of leakage current is suppressed at both ends of the trench 6. A possible barrier height ⁇ B can be obtained.
  • the gate voltage is gradually increased while the source electrode 11 and the drain electrode 12 are GND-connected, and the emission is performed.
  • the trench gate structure 9 was examined in the same layout as in FIG. As a result, as shown in FIG. 3, it was confirmed that a leak current was generated when the gate voltage was increased to some extent, and the leak current was generated throughout the trench gate structure 9.
  • the gate voltage when this leakage current was generated was higher than that when the gate oxide film 7 was formed immediately after the sacrificial oxidation step. This also indicates that leakage current can be suppressed from occurring only at both ends of the trench 6, and a uniform breakdown voltage can be obtained throughout the trench 6.
  • the SiC substrate having the main surface having an off angle with respect to the (0001) plane is used as the n + type substrate 1, but the SiC substrate having the main surface having an off angle with respect to the (000-1) plane. May be used.
  • the off angle is set to 4 degrees, but another angle, for example, 2 degrees may be used.
  • an SiC substrate having a (0001) plane or a (000-1) plane as a main surface can be used as the n + -type substrate 1.
  • the side wall surface on which the channel region is formed is the (0001) plane (or (000-1)
  • the angle formed with respect to the surface) is 83 degrees or less
  • the leakage current is increased.
  • the angle of the side wall surface of the trench 6 is set so that this angle is 84 degrees or more, it has been confirmed that generation of a leakage current can be suppressed, preferably 87 degrees. As a result, the generation of leakage current could be further suppressed.
  • leakage current is generated even if the angle formed with respect to the (0001) plane (or (000-1) plane) is 83 degrees or less regardless of the off-angle. It can be said that it can be suppressed. Further, when performing the sacrificial oxidation step, it is possible to suppress the occurrence of leakage current if the angle of at least the side wall surface where the channel region is formed among the side wall surfaces of the trench 6 is 84 degrees or more.
  • the gate oxide film 7 is formed without performing the sacrificial oxidation step, in particular, of the sidewall surface of the trench 6 where at least the channel region is formed and the (0001) plane (or (000-1) This is effective when the angle formed with respect to the surface is less than 84 degrees. Even in the case of performing the sacrificial oxidation step, if the angle of at least the side wall surface where the channel region is formed among the side wall surfaces of the trench 6 is 84 degrees or more, the generation of leakage current can be suppressed.
  • the trench 6 may be formed.
  • the angle of the side wall surface on which at least the channel region is formed with respect to the bottom surface of the trench 6 may be 88 degrees or more.
  • the angle of at least the side wall surface on which the channel region is formed with respect to the bottom surface of the trench 6 may be 86 degrees or more.
  • the angle of the side wall surface on which at least the channel region is formed with respect to the bottom surface of the trench 6 May be set to 84 degrees or more.
  • the trench gate structure 9 has a layout in which one direction is the longitudinal direction.
  • this is only an example of the trench gate structure 9, and a hexagonal shape, a rectangular shape, or the like can also be used.
  • the sacrificial oxidation process is not performed or the gate oxide film is not formed when the angle formed by the side wall surface of the trench 6 with respect to the (0001) plane or the (000-1) plane is less than 84 degrees. By preventing this from being performed immediately before the formation of 7, a leakage current suppressing effect can be obtained.
  • the angle formed by at least the side wall surface of the trench 6 where the channel region is formed with respect to the (0001) plane or the (000-1) plane is 84 degrees or more, the sacrificial oxidation step is performed. Even if it is performed, the leakage current suppressing effect can be obtained.
  • an n-channel type MOSFET in which the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type has been described as an example.
  • a p-channel type MOSFET in which the conductivity type of each component is inverted is described.
  • the present invention can also be applied to a MOSFET.
  • a MOSFET having a trench gate structure has been described as an example.
  • the present invention can also be applied to an IGBT having a similar trench gate structure. The IGBT only changes the conductivity type of the substrate 1 from the n-type to the p-type with respect to the above-described embodiment, and the other structures and manufacturing methods are the same as those in the above-described embodiment.
  • the gate oxide film 7 in which an oxide film is deposited is taken as an example of the gate insulating film, but it may be formed by thermal oxidation or may include a nitride film or the like. I do not care.
  • the gate oxide film 7 is formed by thermal oxidation, the n + -type source region 4 is subjected to accelerated oxidation.
  • the sacrificial oxidation process is not performed immediately before the gate oxide film 7 is formed, a leakage current suppressing effect can be obtained.
  • the gate oxide film 8 may be formed by thermal oxidation.
  • the step at the boundary position between the n + -type source region 4 and the p-type base region 3 is not 10 nm or less on the side wall surface of the trench 6 and may be slightly larger than 10 nm. .
  • a bar (-) should be attached to a desired number, but there is a limitation in expression based on a personal computer application. A bar shall be placed in front of the number.
  • “immediately after” or “immediately before” does not mean that the process is immediate in time, but means that no other process enters between the processes. For this reason, the term “immediately after the sacrificial oxidation step” means that the gate oxide film 7 is formed without any other steps after the sacrificial oxidation step. Not included when entering.

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Abstract

　トレンチゲート構造（９）を有する縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法において、（０００１）面もしくは（０００－１）に対してオフ角を有する基板（１）を用い、ソース領域（４）の表面からベース領域（３）を貫通してドリフト層（２）に達する深さまで、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向くようにトレンチ（６）を形成し、前記トレンチ（６）の形成後に犠牲酸化を行うことなく、ゲート酸化膜（７）を形成する。

Description

炭化珪素半導体装置およびその製造方法 関連出願の相互参照
　本開示は、２０１２年８月７日に出願された日本出願番号２０１２－１７４９４８号および２０１３年７月２９日に出願された日本出願番号２０１３－１５６３９３号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
　本開示は、トレンチゲート構造の縦型スイッチング素子を有する炭化珪素（以下、ＳｉＣという）半導体装置およびその製造方法に関するものである。
　従来より、スイッチング素子として用いられるＳｉＣ半導体装置として、トレンチ内にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成したトレンチゲート構造を有した縦型パワーＭＯＳＦＥＴが提案されている（例えば特許文献１参照）。この縦型パワーＭＯＳＦＥＴは、トレンチ内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極に対してゲート電圧を印加することで、トレンチ側面に位置するｐ型ベース領域に反転型チャネルを形成し、ソース電極とドレイン電極との間に電流を流す。
　このように構成される縦型パワーＭＯＳＦＥＴにおけるトレンチゲート構造については、次のように形成している。ｎ-型ドリフト層上にｐ型ベース領域およびｎ+型ソース領域を形成したのち、エッチングにてｐ型ベース領域およびｎ+型ソース領域を貫通するトレンチを形成する。そして、トレンチエッチングの際のダメージ除去工程として、犠牲酸化膜を形成してから犠牲酸化膜を除去するという犠牲酸化工程を行った後、トレンチの内壁面を熱酸化することでゲート酸化膜を形成する。その後、トレンチ内におけるゲート酸化膜の表面にポリシリコンを成膜したのち、パターニングしてゲート電極を形成する。このような方法により、トレンチゲート構造を形成している。
　しかしながら、本発明者らにより、上記のような方法によってトレンチゲート構造を形成した場合、ゲート酸化膜の信頼性が悪いということが判った。具体的には、トレンチ端部においてリーク電流が増大することが確認された。
特開２００５－３２８０１３号公報
　本開示は、リーク電流の発生を抑制し、よりゲート酸化膜の信頼性の高いＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一態様にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、トレンチゲート構造を有する反転型の縦型スイッチング素子を備える炭化珪素半導体装置の製造方法であって、前記炭化珪素半導体装置は、基板と、ドリフト層と、ベース領域と、ソース領域と、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える。
　前記基板は、第１または第２導電型の炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされる、または当該各面に対してオフ角を有する。前記ドリフト層は、前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなる。前記ベース領域は、前記ドリフト層の上に形成され、第２導電型の炭化珪素からなる。前記ソース領域は、前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成される。前記トレンチは、前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成される。前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの内壁面に形成される。前記ゲート電極は、前記トレンチ内において、前記ゲート絶縁膜の上に形成される。前記ソース電極は、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続される。前記ドレイン電極は、前記基板の裏面側に形成される。
　前記炭化珪素半導体装置では、前記ゲート電極への印加電圧を制御することで前記トレンチの側面に位置する前記ベース領域の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域および前記ドリフト層を介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間に電流を流す。
　前記炭化珪素半導体装置の製造方法では、前記トレンチをエッチングにて形成し、前記トレンチの形成後に、犠牲酸化を行うことなく、前記トレンチの表面に前記ゲート絶縁膜を形成する。
　前記炭化珪素半導体装置の製造方法では、トレンチの形成後に犠牲酸化を行うことなくゲート絶縁膜を形成するようにしている。このため、犠牲酸化による影響を受けないで済み、トレンチゲート構造において部分的にリーク電流が発生することを抑制でき、よりゲート絶縁膜の信頼性の高い炭化珪素半導体装置を製造することができる。
　本開示の別の態様にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、トレンチゲート構造を有する反転型の縦型スイッチング素子を備える炭化珪素半導体装置の製造方法であって、前記炭化珪素半導体装置は、基板と、ドリフト層と、ベース領域と、ソース領域と、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える。
　前記基板は、第１または第２導電型の炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされる、または当該各面に対してオフ角を有する。前記ドリフト層は、前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなる。前記ベース領域は、前記ドリフト層の上に形成され、第２導電型の炭化珪素からなる。前記ソース領域は、前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成される。前記トレンチは、前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成される。前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの内壁面に形成される。前記ゲート電極は、前記トレンチ内において、前記ゲート絶縁膜の上に形成される。前記ソース電極は、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続される。前記ドレイン電極は、前記基板の裏面側に形成される。
　前記炭化珪素半導体装置では、前記ゲート電極への印加電圧を制御することで前記トレンチの側面に位置する前記ベース領域の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域および前記ドリフト層を介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間に電流を流す。
　前記炭化珪素半導体装置の製造方法では、前記トレンチをエッチングにて形成し、前記トレンチの形成後に、ＣＦ4およびＯ2を含むガスを用いたケミカルドライエッチングを行うことによりダメージを除去し、前記ダメージを除去した後に、犠牲酸化を行うことなく前記トレンチの表面に前記ゲート絶縁膜を形成する。
　前記前記炭化珪素半導体装置の製造方法では、ケミカルドライエッチングによるダメージ除去後に、犠牲酸化を行うことなく、トレンチの表面にゲート絶縁膜を形成している。このため、犠牲酸化による影響を受けないで済み、トレンチゲート構造において部分的にリーク電流が発生することを抑制でき、よりゲート絶縁膜の信頼性の高い炭化珪素半導体装置を製造することができる。
　本開示の別の態様にかかる炭化珪素半導体装置は、トレンチゲート構造を有する反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置であって、基板と、ドリフト層と、ベース領域と、ソース領域と、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える。前記基板は、第１または第２導電型の炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされる、または当該各面に対してオフ角を有する。前記ドリフト層は、前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなる。前記ベース領域は、前記ドリフト層の上に形成され、第２導電型の炭化珪素からなる。前記ソース領域は、前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成される。前記トレンチは、前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成されていると共に、前記側壁面のうち少なくともチャネル領域が形成される側壁面が（０００１）面もしくは（０００－１）面に対して成す角度が８４度以上とされる。前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの内壁面に形成される。前記ゲート電極は、前記トレンチ内において、前記ゲート絶縁膜の上に形成される。前記ソース電極は、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続される。前記ドレイン電極は、前記基板の裏面側に形成される。
　前記炭化珪素半導体装置では、前記ゲート電極への印加電圧を制御することで前記トレンチの側面に位置する前記ベース領域の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域および前記ドリフト層を介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間に電流を流す。
　上述のように、トレンチの側壁面のうち少なくともチャネル領域が形成される側壁面が（０００１）面もしくは（０００－１）面に対して成す角度が８４度以上とすることで、リーク電流を抑制することが可能となる。このため、よりゲート絶縁膜の信頼性の高い炭化珪素半導体装置とすることが可能となる。
　本開示の別の態様にかかる炭化珪素半導体装置は、トレンチゲート構造を有する反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置であって、基板と、ドリフト層と、ベース領域と、ソース領域と、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える。前記基板は、第１または第２導電型の炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされる、または当該各面に対してオフ角を有する。前記ドリフト層は、前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなる。前記ベース領域は、前記ドリフト層の上に形成され、第２導電型の炭化珪素からなる。前記ソース領域は、前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成される。前記トレンチは、前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成されていると共に、該側壁面において前記ソース領域と前記ベース領域との境界位置での段差が１０ｎｍ以下となっている。前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの内壁面に形成される。前記ゲート電極は、前記トレンチ内において、前記ゲート絶縁膜の上に形成される。前記ソース電極は、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続される。前記ドレイン電極は、前記基板の裏面側に形成される。
　前記炭化珪素半導体装置では、前記ゲート電極への印加電圧を制御することで前記トレンチの側面に位置する前記ベース領域の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域および前記ドリフト層を介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間に電流を流す。
　犠牲酸化工程を行うことなくゲート絶縁膜を形成した場合には、トレンチの側壁面においてソース領域とベース領域との境界位置での段差が１０ｎｍ以下となる。このような構造は、リーク電流の抑制が可能となっている。このため、リーク電流を抑制することができ、かつ、よりゲート絶縁膜の信頼性の高い炭化珪素半導体装置とすることが可能となる。
　本開示における上記あるいは他の目的、構成、利点は、下記の図面を参照しながら、以下の詳細説明から、より明白となる。図面において、
図１は、本開示の第１実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置を示す断面斜視図である。 図２Ａは、図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造工程の一部を示した断面斜視図である。 図２Ｂは、図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造工程の一部を示した断面斜視図である。 図２Ｃは、図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造工程の一部を示した断面斜視図である。 図２Ｄは、図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造工程の一部を示した断面斜視図である。 図２Ｅは、図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造工程の一部を示した断面斜視図である。 図３は、トレンチを形成したのちケミカルドライエッチングのみを実施した場合のエミッション像を調べた結果を示す図である。 図４は、リーク電流特性の調査に用いたトレンチゲート構造のレイアウトを示した縦型ＭＯＳＦＥＴの上面図である。 図５は、トレンチを形成したのち犠牲酸化工程を行ってからゲート酸化膜を形成した場合のエミッション像を調べた結果を示す図である。 図６Ａは、トレンチゲート構造とリーク発生箇所との関係を示した縦型ＭＯＳＦＥＴの上面図である。 図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ断面におけるトレンチの側壁面の角度関係を示した図である。 図６Ｃは、図６ＡのＶＩＣ－ＶＩＣ断面におけるトレンチの側壁面の角度関係を示した図である。 図６Ｄは、図６ＡのＶＩＤ－ＶＩＤ断面におけるトレンチの側壁面の角度関係を示した図である。 図７は、トレンチゲート構造とリーク発生箇所との関係を示した縦型ＭＯＳＦＥＴの上面図である。
　本発明者らは上記課題の発生原因について鋭意検討を行った。その結果、ゲート酸化膜を形成する前に実施している犠牲酸化工程の影響で上記課題が発生していることを解明した。犠牲酸化工程を行うことで上記課題が発生するメカニズムの詳細については明らかではないが、ゲート酸化膜を形成する直前の工程として犠牲酸化工程を行った場合に、トレンチ端部においてリークが増大しているという事実が確認された。そして、犠牲酸化工程を行うことなくゲート酸化膜を形成した場合、もしくは、犠牲酸化工程を行ったとしても、その後、ケミカルドライエッチング（以下、ＣＤＥという）を行ってからゲート酸化膜を形成した場合には、トレンチ端部でのリーク増大を抑制できていた。
　具体的には、リーク特性を調べるために、図４に示すように、（０００１）面に対してオフ角を有したＳｉＣ基板を用いて、長円形状のトレンチゲート構造Ｊ１を複数本ストライプ状に形成した。長円形状のトレンチゲート構造Ｊ１は、一方向を長手方向とするライン状のトレンチゲート構造Ｊ１の隣接しているもの同士を１組として、各組のトレンチゲート構造Ｊ１の両端を円弧状に連結した構造とした。トレンチゲート構造Ｊ１のうちの長辺部分での特性を均一にすべく、ＳｉＣ基板のオフ方向（つまり（０００１）面とこの面に垂直な平面とが交差してできる線と平行な方向）とトレンチゲート構造Ｊ１の長辺部分とが、ＳｉＣ基板の上方から見て一致するようにした。
　このようなトレンチゲート構造Ｊ１の縦型ＭＯＳＦＥＴに対して、ゲート電極に正バイアス（例えば４０Ｖ程度）を印加し、ソース電極およびドレイン電極をＧＮＤ接続し、エミッション像を確認することで、リーク特性を確認した。その結果、図５に示すエミッション像が得られた。
　このエミッション像より、トレンチゲート構造Ｊ１の両先端部の位置において発光があることから、トレンチゲート構造Ｊ１の両先端部においてリークが増大していることが判る。そして、エミッション像の発光量について確認すると、トレンチゲート構造Ｊ１の一方の端部（図５の紙面右側端部）の方がもう一方の端部（図５の紙面左側端部）よりも大きく、よりリーク電流が大きくなっていることが判った。
　ここで、リーク電流の発生原因を調べるべく、トレンチゲート構造Ｊ１の形状およびトレンチＪ２の内壁面の各面と基板平面方向や（０００１）面との成す角度と、リーク発生箇所との関係について調べた。その結果、図６Ａ、図６Ｂに示すように、トレンチゲート構造Ｊ１の長辺部分においては、ＳｉＣ基板の上方から見て長辺部分とオフ方向とが一致させてあるため、（０００１）面とトレンチＪ２の側壁面との成す角度が８７度となった。これに対して、図６Ｃに示すように、トレンチゲート構造Ｊ１のうち円弧状とされた両端部のうちの一方（図中紙面右側端部）では、内周側の側壁面は（０００１）面に対して９１度となるが、外周側の側壁面は（０００１）面に対して８３度となっていた。また、図６Ｄに示すように、トレンチゲート構造Ｊ１のうちのもう一方の端部（図中紙面左側端部）では、内周側の側壁面は（０００１）面に対して８３度となっており、外周側の側壁面は（０００１）面に対して９１度となっていた。
　図５に示す結果に基づけば、トレンチゲート構造Ｊ１のうち図中紙面右側端部において紙面左側端部よりも広い範囲でリークが発生していると推測される。そして、図６Ａ～図６Ｄに示す結果についても勘案すると、（０００１）面に対して８３度の角度になった位置、つまり、図７に示すように、トレンチゲート構造Ｊ１のうち紙面右側端部では外周側、紙面左側端部では内周側においてリークが発生していると推測される。このメカニズムの詳細については明らかではないが、ゲート酸化膜を形成する直前の工程として犠牲酸化工程を行った場合にトレンチＪ２の端部においてリークが増大していた。そして、犠牲酸化工程を行うことなくゲート酸化膜を形成するか、犠牲酸化工程を行ったとしても、その後に、ＣＤＥを行ってからゲート酸化膜を形成した場合には、トレンチＪ２の端部でのリークの増大を抑制できていた。
　このことから、トレンチＪ２の側壁面のうち（０００１）面と成す角度が８３度以下になる場所ではゲート酸化膜形成の直前に犠牲酸化工程を行うとリーク電流が発生し、それを超える場所ではリーク電流が発生しないという結果となった。
　なお、上記各角度は、トレンチＪ２の底面に対してトレンチＪ２の各側壁面の成す角度が８７度程度となるようにトレンチエッチングを行った場合を例に挙げてある。トレンチＪ２の底面に対してトレンチＪ２の各側壁面の成す角度を９０度にすることも可能であるが、９０度を超えるとＭＯＳＦＥＴの特性変動が大きくなるなどのデメリットが発生し得る。このため、エッチング誤差が生じても９０度を超えないように当該角度を８７度としているが、勿論、トレンチＪ２の底面に対してトレンチＪ２の各側壁面の成す角度が９０度もしくは９０度近傍の他の角度となるようにトレンチエッチングを行っても良い。
　以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
　（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態について説明する。ここでは、トレンチゲート構造の縦型スイッチング素子として反転型のＭＯＳＦＥＴが形成されたＳｉＣ半導体装置を例に挙げて説明する。
　図１に示すように、ＳｉＣ半導体装置にはｎチャネルタイプの反転型のＭＯＳＦＥＴを形成してある。この図に示すＭＯＳＦＥＴと同様の構造のＭＯＳＦＥＴが複数列隣り合うように配置されることで、複数セルのＭＯＳＦＥＴが構成されている。具体的には、半導体基板にはＳｉＣからなるｎ+型基板１が用いられており、このｎ+型基板１に対してＭＯＳＦＥＴの各構成要素が形成されることでＭＯＳＦＥＴが構成されている。
　ｎ+型基板１は、（０００１）面に対して例えば４度のオフ角を設けられたＳｉＣ基板にて構成され、窒素等のｎ型不純物濃度が例えば１．０×１０19／ｃｍ3とされ、厚さが３００μｍ程度とされている。このｎ+型基板１の表面には、窒素等のｎ型不純物濃度が例えば３．０×１０15～２．０×１０16／ｃｍ3で厚さ１０～１５μｍ程度のＳｉＣからなるｎ-型ドリフト層２が形成されている。ｎ-型ドリフト層２の結晶性はｎ+型基板１と同じになることから、ｎ-型ドリフト層２の表面も（０００１）面に対して４度のオフ角が設けられた状態となっている。
　このｎ-型ドリフト層２の表層部にはｐ型ベース領域３が形成されており、さらに、ｐ型ベース領域３の上層部分にはｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５が形成されている。
　ｐ型ベース領域３は、ボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度が例えば１．０×１０16～２．０×１０19／ｃｍ3、厚さ２．０μｍ程度で構成されている。ｎ+型ソース領域４は、表層部における窒素等のｎ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度で構成されている。ｐ+型コンタクト層５は、例えば表層部におけるボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度で構成されている。ｎ+型ソース領域４は、後述するトレンチゲート構造９の両側に配置されており、ｐ+型コンタクト層５は、ｎ+型ソース領域４を挟んでトレンチゲート構造９と反対側に備えられている。
　また、ｐ型ベース領域３およびｎ+型ソース領域４を貫通してｎ-型ドリフト層２に達し、底部が所定幅とされた構造、例えば幅が０．５～２．０μｍ、深さが２．０μｍ以上（例えば２．４μｍ）のトレンチ６が形成されている。このトレンチ６の側面と接するように上述したｐ型ベース領域３およびｎ+型ソース領域４が配置されている。
　トレンチ６は、図１中のｘ方向を幅方向、ｙ方向を長手方向、ｚ方向を深さ方向として形成されており、複数本が図１中のｘ方向に並べられることで各トレンチ６が平行に配列されている。各トレンチ６については、隣り合う２本を１組として各トレンチ６の両先端部を円弧状に連結した長円形状としても良いし、各トレンチ６を単に短冊状に配置したストライプ状とされていても良い。
　さらに、トレンチ６の内壁面はゲート酸化膜７にて覆われており、ゲート酸化膜７の表面に形成されたドープドＰｏｌｙ－Ｓｉにて構成されたゲート電極８により、トレンチ６内が埋め尽くされている。ゲート酸化膜７は、トレンチ６の内壁面を熱酸化することで形成されており、ゲート酸化膜７の厚みはトレンチ６の側面側と底部側共に１００ｎｍ程度となっている。このようにして、トレンチゲート構造９が構成されている。
　また、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５の表面やゲート電極８の表面には、層間絶縁膜１０を介してソース電極１１やゲート配線（図示せず）が形成されている。ソース電極１１およびゲート配線は、複数の金属（例えばＮｉ／Ａｌ等）にて構成されており、少なくともｎ型ＳｉＣ（具体的にはｎ+型ソース領域４やｎドープの場合のゲート電極８）と接触する部分はｎ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成され、少なくともｐ型ＳｉＣ（具体的にはｐ+型コンタクト層５やｐドープの場合のゲート電極８）と接触する部分はｐ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成されている。なお、これらソース電極１１およびゲート配線は、層間絶縁膜１０上に形成されることで電気的に絶縁されており、層間絶縁膜１０に形成されたコンタクトホールを通じてソース電極１１はｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５と電気的に接触させられ、ゲート配線はゲート電極８と電気的に接触させられている。
　そして、ｎ+型基板１の裏面側にはｎ+型基板１と電気的に接続されたドレイン電極１２が形成されている。このような構造により、ｎチャネルタイプの反転型のトレンチゲート構造９のＭＯＳＦＥＴが構成されている。
　このような反転型のトレンチゲート構造９のＭＯＳＦＥＴは、ゲート電極８にゲート電圧を印加する前の状態では、ｐ型ベース領域３に反転型チャネルが形成されない。したがって、ドレイン電極１２に正の電圧を加えたとしても、ｎ型ソース領域４から電子はｐ型ベース領域３内に到達することはできず、ソース電極１１とドレイン電極１２との間に電流が流れない。
　そして、ゲート電極８に所望のゲート電圧が印加されると、ｐ型ベース領域３のうちトレンチ６に接している表面に反転型チャネルが形成される。このため、ソース電極１１から注入された電子はｎ+型ソース領域４からｐ型ベース領域３に形成されたチャネルを通った後、ｎ-型ドリフト層２に到達する。これにより、ソース電極１１とドレイン電極１２との間に電流を流すことができる。
　次に、図１に示すトレンチゲート構造９のＭＯＳＦＥＴの製造方法について、図２Ａ～図２Ｅを参照して説明する。
　図２Ａに示す工程では、（０００１）面に対してオフ角を有するＳｉＣ基板で構成され、窒素等のｎ型不純物濃度が例えば１．０×１０19／ｃｍ3で厚さ３００μｍ程度とされたｎ+型基板１を用意する。このｎ+型基板１の表面に、窒素等のｎ型不純物濃度が例えば３．０×１０15～２．０×１０16／ｃｍ3で厚さ１５μｍ程度のＳｉＣからなるｎ-型ドリフト層２をエピタキシャル成長させることでエピ基板を形成する。そして、ボロンもしくはアルミニウムなどのｐ型不純物のイオン注入により、ｎ-型ドリフト層２の表層部に、１．０×１０16～２．０×１０19／ｃｍ3、厚さ２．０μｍ程度となるｐ型ベース領域３を形成する。
　図２Ｂに示す工程では、ｐ型ベース領域３の上に、例えば低温酸化（ＬＴＯ）膜等で構成されるマスク（図示せず）を成膜したのち、フォトリソグラフィ工程を経て、ｎ+型ソース領域４の形成予定領域上においてマスクを開口させる。その後、ｎ型不純物（例えば窒素）をイオン注入する。
　さらに、先程使用したマスクを除去した後、再びマスク（図示せず）を成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て、ｐ+型コンタクト層５の形成予定領域上においてマスクを開口させる。その後、ｐ型不純物（例えばボロンやアルミニウム）をイオン注入する。
　そして、注入されたイオンを活性化する。これにより、窒素等のｎ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度のｎ+型ソース領域４が形成される。また、ボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度のｐ+型コンタクト層５が形成される。その後、マスクを除去する。
　図２Ｃに示す工程では、ｐ型ベース領域３、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５の上に、図示しないエッチングマスクを成膜したのち、トレンチ６の形成予定領域においてエッチングマスクを開口させる。そして、エッチングマスクを用いたトレンチエッチング工程を行うことで、トレンチ６を形成する。これにより、オフ方向に対して長手方向が一致させられたトレンチ６が形成される。
　このとき、トレンチ６の側壁面がほぼ（１１－２０）面もしくは（１－１００）面となることを狙って、当該面に向けてトレンチ６を形成しており、トレンチ６の底面に対して側壁面の成す角度が例えば８７度となるトレンチエッチング条件を設定している。このため、トレンチ６を隣り合うもの同士の先端を連結させた長円形状とする場合には、一方のトレンチ９の先端部では（０００１）面と外周側の側壁面との成す角度が８３度、内周側の側壁面とのなす角度が９１度程度になる（図６Ｃ参照）。また、もう一方のトレンチ９の先端部では（０００１）面と外周側の側壁面との成す角度が９１度、内周側の側壁面とのなす角度が８３度程度になる（図６Ｄ参照）。その後、エッチングマスクを除去する。
　図２Ｄに示す工程では、トレンチ６の形成後に、犠牲酸化工程を行うことなくそのまま、もしくは例えば、ＣＦ4およびＯ2を含むガスを用いたＣＤＥによるダメージ除去工程を行ったのち、ゲート酸化膜７をデポジションにより形成する。このとき、犠牲酸化を行っていた場合には、ｎ+型ソース領域４がｐ型ベース領域３よりも不純物濃度が濃いために増速酸化が行われることになるが、犠牲酸化工程を行っていないため、増速酸化が行われていない。このため、トレンチ６の側壁面において、ｎ+型ソース領域４とｐ型ベース領域３との境界位置での段差は、１０ｎｍ以下という小さな段差となる。
　図２Ｅに示す工程では、ゲート絶縁膜８の表面にｎ型不純物をドーピングしたポリシリコン層を例えば６００℃の温度下で４４０ｎｍ程度成膜したのち、エッチバック工程等を行うことにより、トレンチ６内にゲート絶縁膜８およびゲート電極９を残す。
　また、層間絶縁膜１０を成膜したのち、層間絶縁膜１０をパターニングしてｎ+型ソース領域４やｐ+型コンタクト層５に繋がるコンタクトホールを形成すると共に、ゲート電極９に繋がるコンタクトホールを別断面に形成する。続いて、コンタクトホール内を埋め込むように電極材料を成膜したのち、これをパターニングすることでソース電極１１やゲート配線を形成する。その後、図示しないが、ｎ+型基板１の裏面側にドレイン電極１２を形成することで、図１に示したＭＯＳＦＥＴが完成する。
　以上説明したように、本実施形態ではトレンチ６の形成後に犠牲酸化工程を行うことなくゲート酸化膜７を形成するようにしている。このため、犠牲酸化工程による影響を受けないで済み、トレンチゲート構造９において部分的にリーク電流が発生することを抑制することが可能となり、よりゲート酸化膜７の信頼性の高いＳｉＣ半導体装置とすることが可能となる。また、このように犠牲酸化工程を行うことなくトレンチゲート構造９を形成した場合には、トレンチ６の内壁面すべてのバリアハイトΦＢが２．７ｅＶとなり、トレンチ６の両先端でもリーク電流の発生を抑制できるバリアハイトΦＢを得ることが可能となる。
　参考として、トレンチ６を形成したのち、ＣＤＥのみを行い、犠牲酸化工程を行っていない場合のリーク特性について、ソース電極１１およびドレイン電極１２をＧＮＤ接続した状態でゲート電圧を徐々に高くし、エミッション像を確認することで調べた。具体的には、トレンチゲート構造９を図４と同様のレイアウトにして調査を行った。その結果、図３に示すように、ある程度ゲート電圧が高くなったときにリーク電流が発生し、リーク電流がトレンチゲート構造９の全域において発生していることが確認された。このリーク電流が発生したときのゲート電圧は、犠牲酸化工程の直後にゲート酸化膜７を形成した場合より大きな電圧であった。このことからも、トレンチ６の両先端のみでリーク電流が発生することを抑制でき、トレンチ６の全域において均一な耐圧が得られていることが判る。
　（他の実施形態）
　上記実施形態では、ｎ+型基板１として主表面が（０００１）面に対してオフ角を有するＳｉＣ基板を用いたが、主表面が（０００－１）面に対してオフ角を有するＳｉＣ基板を用いても良い。オフ角も一例として４度とした場合を例に挙げたが、他の角度、例えば２度であっても良い。さらに、ｎ+型基板１として、（０００１）面や（０００－１）面のジャスト面を主表面とするＳｉＣ基板を用いることもできる。
　すなわち、犠牲酸化工程を行ってからトレンチ６内にゲート酸化膜７を形成した場合に、トレンチ６の側壁面のうちチャネル領域が形成される側壁面が（０００１）面（もしくは（０００－１）面）に対して成す角度が８３度以下になると、リーク電流の増大原因となっていた。これに対して、この角度が８４度以上となるようにトレンチ６の側壁面の角度を設定した場合にはリーク電流が発生することを抑制できていることが確認できており、好ましくは８７度にすると、更にリーク電流の発生を抑制できていた。
　このことから、犠牲酸化工程を行わない場合には、オフ角にかかわらず、（０００１）面（もしくは（０００－１）面）に対して成す角度が８３度以下となってもリーク電流の発生を抑制できると言える。また、犠牲酸化工程を行う場合には、トレンチ６の側壁面のうち少なくともチャネル領域が形成される側壁面の角度が８４度以上であればリーク電流の発生を抑制することが可能となる。このため、犠牲酸化工程を行わないでゲート酸化膜７を形成するのは、特に、トレンチ６の側壁面のうち少なくともチャネル領域が形成される側壁面と（０００１）面（もしくは（０００－１）面）に対して成す角度が８４度未満となる場合に有効である。犠牲酸化工程を行う場合であっても、トレンチ６の側壁面のうち少なくともチャネル領域が形成される側壁面の角度が８４度以上であればリーク電流の発生を抑制できるため、その角度を狙ってトレンチ６を形成するようにしても良い。具体的には、４度のオフ角を有するＳｉＣ基板を用いる場合には、トレンチ６の底面に対する少なくともチャネル領域が形成される側壁面の角度が８８度以上となるようにすれば良い。また、２度のオフ角を有するＳｉＣ基板を用いる場合には、トレンチ６の底面に対する少なくともチャネル領域が形成される側壁面の角度が８６度以上となるようにすれば良い。オフ角が０度、つまり（０００１）面や（０００－１）面のジャスト面を主表面とするＳｉＣ基板を用いる場合には、トレンチ６の底面に対する少なくともチャネル領域が形成される側壁面の角度が８４度以上となるようにすれば良い。
　さらに、犠牲酸化工程を行ったとしても、その直後にゲート酸化膜７を形成するのではなく、ＣＤＥによるダメージ除去工程を行ってからゲート酸化膜７を形成した場合には、リーク電流の発生を抑制できていた。このため、犠牲酸化工程を行ったとしても、犠牲酸化工程の直後にゲート酸化膜７の形成工程を行わないようにすることにより、リーク電流の発生を抑制をすることが可能となる。
　上記実施形態では、トレンチゲート構造９を一方向が長手方向となるレイアウトとした。しかしながら、これはトレンチゲート構造９の一例を示したに過ぎず、六角形状や四角形状などのレイアウトとすることもできる。その場合でも、トレンチ６の側壁面が（０００１）面や（０００－１）面に対して成す角度が８４度未満となる場合には犠牲酸化工程を行わない、もしくは、行うとしてもゲート酸化膜７の形成の直前には行わないようにすることで、リーク電流抑制効果を得ることができる。また、トレンチ６の側壁面のうち少なくともチャネル領域が形成される側壁面が（０００１）面や（０００－１）面に対して成す角度が８４度以上となるようにすれば、犠牲酸化工程を行ったとしても、リーク電流抑制効果が得られる。
　上記実施形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたｎチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、各構成要素の導電型を反転させたｐチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴに対しても本発明を適用することができる。また、上記説明では、トレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、同様のトレンチゲート構造のＩＧＢＴに対しても本発明を適用することができる。ＩＧＢＴは、上記実施形態に対して基板１の導電型をｎ型からｐ型に変更するだけであり、その他の構造や製造方法に関しては上記実施形態と同様である。
　上記実施形態では、本開示を適用した場合の一例について説明したが、適宜設計変更などを行うことができる。例えば、上記実施形態では、ゲート絶縁膜の例として酸化膜をデポジションしたゲート酸化膜７を例に挙げたが、熱酸化によって形成しても良いし、窒化膜などを含むものであっても構わない。ゲート酸化膜７を熱酸化によって形成する場合、ｎ+型ソース領域４の増速酸化が行われるものの、ゲート酸化膜７の形成直前に犠牲酸化工程を行っていなければ、リーク電流抑制効果が得られることを確認している。このため、ゲート酸化膜８を熱酸化によって形成しても良い。ただし、その場合には、トレンチ６の側壁面において、ｎ+型ソース領域４とｐ型ベース領域３との境界位置での段差が１０ｎｍ以下ではなく、１０ｎｍより若干大きな段差になる可能性がある。
　なお、結晶の方位を示す場合、本来ならば所望の数字の上にバー（－）を付すべきであるが、パソコン出願に基づく表現上の制限が存在するため、本明細書においては、所望の数字の前にバーを付すものとする。また、本明細書では、犠牲酸化工程の直後にゲート酸化膜７の形成工程を行わないことや、ゲート酸化膜７の直前に犠牲酸化工程を行わないことという表現において、「直後」や「直前」という語句を用いている。ここでいう「直後」や「直前」とは、時間的に直ぐという意味ではなく、各工程間に他の工程が入らないことを意味している。このため、犠牲酸化工程の直後とは、犠牲酸化工程の後に何も他の工程が入ることなくゲート酸化膜７の形成工程に至ることを意味しており、途中でＣＤＥによるダメージ除去工程などが入る場合は含まれない。

Claims (7)

  1. 　炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされた、または当該各面に対してオフ角を有する第１または第２導電型の基板（１）と、
    　前記基板（１）の上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
    　前記ドリフト層（２）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
    　前記ベース領域（３）の上層部に形成され、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、
    　前記ソース領域（４）の表面から前記ベース領域（３）を貫通して前記ドリフト層（２）に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成されたトレンチ（６）と、
    　前記トレンチ（６）の内壁面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、
    　前記トレンチ（６）内において、前記ゲート絶縁膜（７）の上に形成されたゲート電極（８）と、
    　前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
    　前記基板（１）の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）とを備え、
    　前記ゲート電極（８）への印加電圧を制御することで前記トレンチ（６）の側面に位置する前記ベース領域（３）の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域（４）および前記ドリフト層（２）を介して、前記ソース電極（８）および前記ドレイン電極（１２）の間に電流を流すトレンチゲート構造（９）を有する反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
    　前記トレンチ（６）をエッチングにて形成し、
    　前記トレンチ（６）の形成後に、犠牲酸化を行うことなく、前記トレンチ（６）の表面に前記ゲート絶縁膜（７）を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  2. 　炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされた、または当該各面に対してオフ角を有する第１または第２導電型の基板（１）と、
    　前記基板（１）の上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
    　前記ドリフト層（２）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
    　前記ベース領域（３）の上層部に形成され、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、
    　前記ソース領域（４）の表面から前記ベース領域（３）を貫通して前記ドリフト層（２）に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成されたトレンチ（６）と、
    　前記トレンチ（６）の内壁面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、
    　前記トレンチ（６）内において、前記ゲート絶縁膜（７）の上に形成されたゲート電極（８）と、
    　前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
    　前記基板（１）の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）とを備え、
    　前記ゲート電極（８）への印加電圧を制御することで前記トレンチ（６）の側面に位置する前記ベース領域（３）の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域（４）および前記ドリフト層（２）を介して、前記ソース電極（８）および前記ドレイン電極（１２）の間に電流を流すトレンチゲート構造（９）を有する反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
    　前記トレンチ（６）をエッチングにて形成し、
    　前記トレンチの形成後に、ＣＦ4およびＯ2を含むガスを用いたケミカルドライエッチングを行うことによりダメージを除去し、
    　前記ダメージを除去した後に、犠牲酸化を行うことなく前記トレンチ（６）の表面に前記ゲート絶縁膜（７）を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  3. 　前記トレンチの形成後から前記ダメージを除去するまでの間に犠牲酸化を行うことを特徴とする請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
  4. 　炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされた、または当該各面に対してオフ角を有する第１または第２導電型の基板（１）と、
    　前記基板（１）の上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
    　前記ドリフト層（２）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
    　前記ベース領域（３）の上層部に形成され、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、
    　前記ソース領域（４）の表面から前記ベース領域（３）を貫通して前記ドリフト層（２）に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成されていると共に、前記側壁面のうち少なくともチャネル領域が形成される側壁面が（０００１）面もしくは（０００－１）面に対して成す角度が８４度以上とされたトレンチ（６）と、
    　前記トレンチ（６）の内壁面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、
    　前記トレンチ（６）内において、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極（８）と、
    　前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
    　前記基板（１）の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）とを備え、
    　前記ゲート電極（８）への印加電圧を制御することで前記トレンチ（６）の側面に位置する前記ベース領域（３）の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域（４）および前記ドリフト層（２）を介して、前記ソース電極（８）および前記ドレイン電極（１２）の間に電流を流すトレンチゲート構造（９）を有する反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置。
  5. 　炭化珪素からなり、主表面が（０００１）面もしくは（０００－１）面とされた、または当該各面に対してオフ角を有する第１または第２導電型の基板（１）と、
    　前記基板（１）の上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
    　前記ドリフト層（２）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
    　前記ベース領域（３）の上層部に形成され、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、
    　前記ソース領域（４）の表面から前記ベース領域（３）を貫通して前記ドリフト層（２）に達する深さまで形成され、側壁面が（１１－２０）面もしくは（１－１００）面に向けて形成されていると共に、該側壁面において前記ソース領域（４）と前記ベース領域（３）との境界位置での段差が１０ｎｍ以下となっているトレンチ（６）と、
    　前記トレンチ（６）の内壁面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、
    　前記トレンチ（６）内において、前記ゲート絶縁膜（７）の上に形成されたゲート電極（８）と、
    　前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
    　前記基板（１）の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）とを備え、
    　前記ゲート電極（８）への印加電圧を制御することで前記トレンチ（６）の側面に位置する前記ベース領域（３）の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域（４）および前記ドリフト層（２）を介して、前記ソース電極（８）および前記ドレイン電極（１２）の間に電流を流すトレンチゲート構造（９）を有する反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置。
  6. 　前記トレンチ（６）は、前記側壁面の少なくとも一部として、（０００１）面もしくは（０００－１）面に対して成す角度が８４度未満の部分を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置。
  7. 　前記基板（１）は、前記オフ角を有する基板であり、
    　前記トレンチ（６）は、一方向を長手方向として形成され、該長手方向と前記基板（１）のオフ方向とが一致させられていることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１つに記載の反転型の縦型スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置。
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